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삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산…속도 33%↑

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려진다. 또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 동시에 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. Toggle DDR은 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원한다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

2024.04.23 13:14장경윤

임원 주 6일 근무가 삼성의 위기 타개책인가?

삼성전자가 지난 10여 년 동안 가장 많이 썼던 표현은 아마도 '초격차(超隔差)'일 것이다. 메모리 반도체 분야에서 타의 추종을 불허하는 부동의 1위를 오랫동안 지켜온 자신감이 반영된 구호이자 경영 전략이다. 권오현 전 회장은 지난 2018년 같은 제목의 책을 내기도 했다. 책의 부제는 '넘볼 수 없는 차이를 만드는 격(格)'이었다. 그런데 최근 이 격(格)의 위상이 자못 위태로운 상황으로 보인다. 위기의 진원지는 단연 반도체다. 반도체는 경기 사이클에 민감한 품목이다. 경기가 좋을 때는 한 해 수십조 원의 영업이익을 내기도 하지만 경기가 나쁠 때에는 수조원의 적자를 기록하기도 한다. 지난 1~2년간 삼성전자의 영업이익이 급감한 것은 이 탓이 크다. 그러나 단지 그것 때문만은 아니라는 데 문제가 있다. 경기의 영향일 뿐이라면 그것을 위기라고 진단하기에는 무리가 따르기 때문이다. 삼성 반도체의 진짜 위기는 '격(格)의 훼손'이다. 삼성 반도체의 숙원은 메모리의 초격차를 기반으로 이보다 시장이 훨씬 큰 비메모리 분야에서 지배력을 확대하는 것이었다. 그중에서도 다른 회사의 비메모리 칩을 제조해주는 파운드리 사업을 강화하는 게 핵심이었다. 하지만 이 전략이 뜻대로 되지 않고 있는 듯하다. 그 와중에 메모리 분야에서도 '초격차'라는 말이 이제는 무색한 것처럼 보인다. 메모리 분야에서 급격한 추격을 허용한 것이 특히 뼈아프다. SK하이닉스와의 시장 점유율 격차가 5% 미만으로 좁혀졌다고 한다. 이는 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이다. 그 격차가 더 좁혀질 가능성도 배제할 수 없다. 챗GPT 영향으로 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요가 폭발하고 여기에 필요한 고대역 메모리 반도체(HBM) 수요도 큰 폭으로 늘었지만 이 흐름에서 선도적 지위를 빼앗긴 탓이다. 챗GPT의 출현은 그야말로 돌풍이었다. 느닷없이 나타나 시장을 휘젓고 있다. 하지만 그것을 돌풍이라고 느낀다면 그 사람을 산업전문가라고 말해서는 안 될 것이다. AI는 알파고가 이세돌을 꺾을 때부터 이미 가파른 성장세를 예고했다고 봐야 할 것이다. 오픈AI의 챗GPT는 그 와중에 비등점을 만든 것이고 이후 시장은 폭발했다. 반도체 기업이라면 먼저 이 시장을 견인하려 했어야만 한 것이다. 이 시장을 견인한 반도체 업계의 주인공은 삼성이 아니라 엔비디아와 SK하이닉스였다. 이 결과를 운(運)이라고 말할 수는 없다. 예고된 미래였던 인공지능 시대에 최적의 반도체를 누가 제공할 것인지 수년전부터 물밑 기술전쟁이 있었을 것이고 그 싸움에서 삼성이 주도권을 쥐지 못했다고 보는 게 옳은 판단일 테다. 삼성전자 경영진의 통찰력과 실행력에 의문을 가져야 할 수도 있는 상황인 것이다. 삼성의 비금융 계열사 임원들이 위기 타개책으로 주 6일 근무를 하기로 했다는 소식을 접하고 고개가 갸웃해진 것도 이 때문이다. 세계 경제의 불확실성이 걷히지 않고 있는 것은 사실이고 기업의 임원들이 이에 대해 경각심을 갖는 게 나쁠 리는 없다. 삼성전자의 경우 개발·지원 등 일부 부서 임원들이 이미 주 6일 근무를 해왔다고 한다. 그런데 이걸 위기 타개책이라고 하기에는 너무 맥없어 보인다. 삼성의 위기는 난공불락의 메모리 반도체 1위라는 격(格)의 훼손이고, 그 원인은 미래를 보는 통찰력과 이를 전개시켜나가는 실행력의 약화라고 봐야 한다. 권오현 전 회장은 그의 책에서 리더, 조직, 전략, 인재 등 4개 챕터로 초격차를 위한 경영 전략을 설명하였다. 리더를 맨 앞에 둔 게 눈에 띄었다. 또 좋은 리더가 되기 위해 통찰력과 결단력 그리고 실행력과 지속력 등 4가지를 특히 강조했다. 삼성전자가 지금 해야 할 일 가운데 가장 중요한 것 중 하나는 리더의 통찰력과 결단력 그리고 실행력이 제대로 작동되고 있는 지 살펴보는 것일 수 있다. 하지만 삼성 위기론이 퍼지는 상황에서도 그에 관한 조치를 취했다는 이야기는 들어본 적이 없다. 지금의 위기를 '격(格)의 훼손'이 아니라 경기 탓으로만 여기기 때문일지도 모른다. 위기의 원인을 제대로 찾지 않으면 처방도 제대로 될 리 없다.

2024.04.18 13:15이균성

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

[단독] HBM 투자 나선 美 마이크론, 韓 장비업계 찾아와 '러브콜'

미국 마이크론이 지난달 국내 복수의 반도체 장비기업들을 만나 협업을 논의한 것으로 확인됐다. 현재 마이크론은 미국 등에서 설비투자를 진행 중으로, 국내 신규 공급망 확보와 협력 강화에 적극 나서고 있다. 실례로 한미반도체는 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 첫 수주했다고 11일 공시한 바 있다. 향후 마이크론과 국내 장비업체 간 장비 수주가 더 확대될지 기대되는 상황이다. 12일 업계에 따르면 마이크론 임원진은 지난달 방한해 국내 반도체 장비업체들과 접촉했다. 이번 방문단은 부사장급 임원을 비롯한 마이크론 주요 관계자들로 구성됐다. 이들은 국내 반도체 장비 기업들을 찾아 협업 및 공급망 구축에 대해 논의했으며, 기존 거래 관계가 없던 기업들도 최소 2~3곳 포함된 것으로 파악됐다. 반도체 장비업계 관계자는 "마이크론이 지난달 말 국내 장비업계를 찾아 공장을 구경하는 등 적극적인 움직임을 보였다"며 "메모리 제조와 관련해 인프라부터 제조공정까지 다양한 분야에 관심을 둔 것으로 안다"고 설명했다. 마이크론은 미국의 주요 메모리 제조업체다. 전 세계 D램 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 차지하고 있다. 또한 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 HBM를 양산할 수 있는 3개 기업 중 한 곳이기도 하다. 현재 마이크론은 본사를 둔 미국을 비롯해 일본, 대만, 싱가포르 등 아시아 지역에도 생산거점을 두고 있다. 올해에는 설비투자(CAPEX)에 약 80억 달러(10조9천435억원)를 투자할 계획으로, 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 생산능력 확대에 집중하고 있다. 미국 뉴욕주에 건설할 예정인 신규 메모리반도체 제조공장도 국내 장비기업들과 협력과 성장을 촉진할 수 있는 기대 요소다. 현재 협력사들과 장비 납품 계획을 논의 중인 것으로 알려졌다. 앞서 마이크론은 2030년까지 총 200억 달러를 투입해, 뉴욕에 대규모 생산 거점을 마련하기로 했다. 업계 또 다른 관계자는 "최근 마이크론이 뉴욕 신규 팹 구축에 어느 정도로 대응이 가능한 지 문의한 상황"이라며 "마이크론이 미국 설비투자를 본격화하고 있어, 협력사들도 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.12 15:07장경윤

SK하이닉스 "美 인디애나팹, AI 메모리 리더십 강화하는데 기여"

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 건설 예정인 반도체 패키징 팹(공장)이 글로벌 HBM 시장 경쟁력을 높이고 어드밴스드 패키징 분야 R&D 역량을 강화할 것이라고 밝혔다. 최우진 SK하이닉스 패키징·테스트(P&T) 담당 부사장은 11일 뉴스룸을 통해 "앞으로 미국 패키징 공장은 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 완제품을 생산하고, 글로벌 기업과 활발한 개발 협력을 이어가는 공간으로 구축될 예정이다"고 말했다. 이어서 최 부사장은 "현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고, 글로벌 기업과의 R&D 협력 생태계를 구축하기 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화되면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십을 강화하는 데 크게 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 최우진 부사장은 지난 30년간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 이 분야를 이끌어 가는 총괄자다. P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직으로, 팹(Fab)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징(Packaging)하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트(Test)하는 역할을 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4일 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다고 발표했다. 인디애나 팹은 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. 또 SK하이닉스는 인디애나주에 위치한 퍼듀대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. 최 부사장이 언급한 '글로벌 기업과 R&D 협력'은 파운드리 업체 TSMC와 고객사인 엔비디아로 풀이된다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 TSMC 팹으로 보내지고, TSMC는 생산한 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식으로 진행되기 때문이다. 최 부사장은 "P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로 부상하고 있다"라며 "고성능 칩 수요가 폭증하는 AI 시대에 우리는 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여할 것"이라고 전했다. AI 시대에 발맞춰 SK하이닉스는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 '시그니처 메모리'에 집중하고 있다. 이를 구현하기 위해 HBM 성능의 키 역할을 하는 TSV, MR-MUF 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다. 최 부사장은 P&T의 주요 임무로 수익성 극대화, 그리고 'Beyond HBM'을 언급했다. 그는 "단기적으로는 국내 생산 역량을 강화해 HBM 수요에 대응하고, 글로벌 기지를 잘 활용해 수익성을 극대화하겠다"며, "장기적으로는 지금 HBM의 핵심인 MR-MUF처럼 혁신적인 패키징 기술을 확보하는 것이 목표"라고 강조했다. 이어서 그는 "우리 회사는 국내외 대학 및 연구소와 활발하게 교류하고 있다"라며 "이를 적극 활용해 P&T 구성원들이 다양한 글로벌 경험을 쌓고 R&D 역량을 더 키울 수 있도록 지원할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.04.11 10:00이나리

尹 대통령 "622조 반도체 메가 클러스터 신속 조성...AI 집중 투자"

정부가 반도체 메가 클러스터를 신속 조성에 나서고 AI G3로 도약하기 위해 'AI-반도체 이니셔티브'를 추진한다. 윤석열 대통령은 9일 오전 10시 용산 대통령실(자유홀)에서 '반도체 현안 점검회의'를 주재했다. 오늘 회의는 대만 지진 등에 따른 글로벌 반도체 공급망 리스크를 확인하고, 지난 3차 민생토론회에서 발표한 반도체 메가 클러스터 추진 현황과 신속 구축, AI 반도체 이니셔티브 방향에 대해 논의하기 위해 마련됐다. 회의에는 이정배 삼성전자 사장, 곽노정 SK하이닉스 대표, 최수연 네이버 대표, 류수정 사피온코리아 대표 등이 참석했으며, 정부에서는 최상목 부총리 겸 기획재정부 장관, 안덕근 산업통상자원부 장관, 이종호 과학기술정보통신부 장관, 한화진 환경부 장관, 박상우 국토교통부 장관 등이 참석한 가운데 논의가 이뤄졌다. 윤석열 대통령은 "TSMC 반도체 일부 라인 가동 중지의 영향이 아직까지 크지 않지만, 불확실성이 큰 만큼 관계부처는 상황을 예의주시하면서 우리 반도체 공급망에 취약 요소는 없는지 다시 한번 살피고 정부의 조치가 필요하면 지체 없이 즉각 대응할 것"을 주문했다. 이어서 윤 대통령은 "반도체 경쟁이 '산업전쟁'이자 '국가 총력전'이라고 강조하면서 전시 상황에 맞먹는 수준의 총력 대응 체계를 갖추기 위해 정부는 반도체 산업 유치를 위한 투자 인센티브부터 전면 재점검하겠다"라며 "특히, 주요국의 투자 환경과 지원제도를 종합적으로 비교, 분석해 우리나라 실정에 맞는 과감한 지원책을 마련하겠다"고 약속했다. 반도체 메가 클러스터 신속 추진...예산 지원 확대 정부는 지난 1월 민생토론회에서 622조원 투자, 16기 신규 팹 건설을 위한 '반도체 메가 클러스터 조성계획'을 확정한 바 있다. 이를 통해 정부는 반도체 메가 클러스터가 본격 가동되기 시작하는 2030년 세계 시스템반도체 시장 점유율을 10% 이상 달성하겠다는 목표를 세웠다. 정부는 용인 국가산단을 2026년까지 착공하고 반도체 메가 클러스터에 필수적인 전기와 공업용수를 책임지고 공급하겠다고 약속했다. 또 10GW 이상의 전력수요에 대응해 작년 12월에 전력공급계획을 확정했다. 아울러 팔당댐에서 용인까지 48km에 이르는 관로는 지난 2월 예비타당성조사를 면제해 곧 설치 작업에 착수할 예정이다. 메가 클러스터 내 전력ㆍ용수 등 기반시설은 작년 10월 10조원 이상 규모의 공공기관 예비타당성 조사가 면제됐다. 이에 공공기관이 최대한 구축하고, 기업 부담 부분에 대해서는 그간 적용됐던 재정 지원 건수 제한(2건)을 폐지한다. 또 특화단지별 지원 비율을 기존 5~30%에서 15~30%로 상향하는 등 예산 지원을 확대할 예정이다. 삼성전자가 2047년까지 360조원을 투자할 용인 시스템반도체 클러스터는 환경영향평가 사전컨설팅 제도 활용, 신속한 토지보상 등을 통해 당초 계획보다 조성 기간을 대폭 단축할 계획이다. SK하이닉스가 2045년까지 122조원을 투자할 용인 반도체 클러스터는 기존에 확보한 용수 27만톤에 더해 유사한 수준의 추가 용수가 필요한 상황이다. 따라서 기업ㆍ지자체의 용수 공급시설 설치계획이 수립되는 대로 최대한 신속하게 용수 공급방안을 확정할 계획이다. 또한 전력ㆍ용수 등 기반시설 설치시 인근 지자체의 반대로 건설이 지연되는 것을 방지하기 위해 '첨단산업법'을 개정한다. 기반시설 설치로 혜택을 보는 지자체가 기반시설 설치에 협조하는 지자체에 재정적 지원을 추진할 수 있는 법적 근거를 마련하기로 했다. 경쟁국 반도체 보조금 전쟁에 대응해 국내 투자를 진행하는 첨단기업들의 투자를 지원하기 위한 국내 투자 인센티브를 조속히 강구한다. 이에 더해 현재 최대 25%의 공제율이 적용되고 있지만 올해 말 일몰되는 국가전략기술 투자세액공제의 적용기한 연장도 추진한다. 반도체 소부장 기업과 칩 제조 기업간 협력을 지원하는 '양산 연계형 실증 테스트베드(용인 반도체 클러스터 미니팹)' 조기 구축을 지원한다. 팹리스 기업이 필요로 하는 초미세공정 시제품 제작을 지원하고, 검증지원센터 구축을 통한 칩 성능 시험ㆍ검증 서비스도 올해부터 실시한다. 반도체 산업을 지원하는 정책자금(3년간 약 24조원 규모)과 반도체 생태계 펀드(3천억원 규모)를 활용해 소부장ㆍ팹리스의 스케일업도 지원한다. 'AI-반도체 이니셔티브' 추진...'국가AI위원회' 신설 계획 윤 대통령은 "최근 반도체 시장은 'AI 반도체'로 무게 중심이 급속히 옮겨가고 있고, 반도체 산업의 미래가 AI에 달려있다고 해도 과언이 아니다"라며 "우리가 지난 30년 간 메모리 반도체로 세계를 제패했듯이 앞으로 30년은 AI 반도체로 새로운 반도체 신화를 써 나갈 것"이라고 전했다. 정부는 AI 기술에서 G3로 도약하기 위해 9대 혁신 기술을 바탕으로 'AI-반도체 이니셔티브'를 추진할 계획이다. 이를 위해 AI와 AI 반도체 분야에 R&D 투자를 대폭 확대하고, AI 반도체 혁신기업들의 성장을 돕는 대규모 펀드도 조성할 것을 밝혔다. AI 9대 혁신 기술에는 ▲차세대 범용 AI(AGI) 기술 ▲경량ㆍ저전력 AI인 소형거대언어모델(sLLM) 원천기술▲AI 안전 기술▲서버용 고대역폭메모리(HBM)와 온디바이스AI용 저전력 메모리(LPDDR) 등에 AI연산 기능을 적용하는 PIM(Processing in Memory)▲한국형 NPU와 뉴로모픽 AI반도체 등 저전력 K-AP ▲신소자&첨단 패키징▲AI슈퍼컴퓨팅을 지향하는 K-클라우드2.0▲온디바이스 AI ▲차세대 개방형 AI아키텍처‧SW 기술 등이 포함된다. 앞서 정부는 AI-반도체 이니셔티브 실현을 위해 가장 중요한 민관의 유기적이고 긴밀한 협력을 위해 'AI전략최고위협의회'를 지난 4월 4일 출범한 바 있다. 대통령은 올해 5월 AI 안전‧혁신‧포용을 논의하는 'AI 서울 정상회의'의 성공적 개최를 통해 AI 윤리 규범에서 대한민국의 글로벌 리더십을 공고히 해나갈 계획이다. 아울러 향후 '국가AI위원회'를 신설해 AI 국가전략을 직접 챙기겠다는 의지를 표명했다. 이어진 토론에서 반도체 분야 주요 기업, 관계부처 장관 등 참석자들은 글로벌 반도체 공급망, 반도체 클러스터, AI 반도체 등을 주제로 심도 있는 논의를 진행했다. 산업부와 과기정통부는 "앞으로도 반도체 분야 주요 후속조치에 대한 주기별 점검을 통해 지연을 최소화하고, 주요 성과와 협업 사례 등은 관계기관과 공유해 나갈 계획이다"고 전했다.

2024.04.09 12:21이나리

ISC, 인터페이스 보드 사업부 매각…"선택과 집중 전략"

아이에스시(ISC)는 반도체디스플레이 검사 부품·장비 제조기업 루켄테크놀러지스에 인터페이스 보드 및 커넥터 사업부를 약 27억원에 매각하는 계약을 체결했다고 9일 밝혔다. 인터페이스 보드는 메모리반도체 테스트 장비에 들어가는 부품으로, ISC는 지난 2019년 매출 다각화를 위해 관련 사업부를 신설하고 사업을 영위해 왔다. 그러나 전체 매출 비중이 2% 내외로 주력 사업인 소켓과 시너지 효과가 높지 않다고 평가해 이번 매각을 결정했다. 이번 매각은 지난 2월 ISC가 국내 주요 애널리스트 대상으로 공개한 'ISC 2.0 전략'의 일환인 '선택과 집중'을 위한 행보다, 업계에서는 ISC가 매각을 통해 테스트 소켓에 더욱 집중할 것으로 예상하고 있다. ISC 2.0 전략은 주력 사업의 글로벌 초 격차 달성을 위해 과감한 포트폴리오 재편을 진행하는 데 의의가 있다. ISC는 "비주력 사업 매각 및 최적화 작업을 통해 주력 사업에 집중할 기반을 만드는 것을 '선택'으로, 글로벌 고객사가 자리한 북미 현지의 반도체 패키징 및 테스트 학술대회에서 차세대 먹거리인 AI 반도체 테스트 솔루션을 잇달아 발표하고 양산 대응하는 것을 '집중'이라고 볼 수 있다"고 밝혔다.

2024.04.09 09:21장경윤

반도체 반등 시작...삼성電 年매출 300조원대 회복 전망

삼성전자가 1분기 잠정실적에서 어닝 서프라이즈를 기록면서 연간 실적에 대한 기대감이 커졌다. 연간 매출은 2년만에 300조원대로 회복하고, 영업이익은 34조원대로 올라설 전망이다. 특히 지난해 반도체 업황 한파를 겪은 디바이스솔루션(DS) 부문은 1분기 흑자전환을 시작으로 지속 성장이 예상된다. 5일 에프앤가이드의 컨센서스(증권사 전망치 평균)에 따르면 삼성전자는 올해 매출 304조4198억원, 영업이익 34조7273억원을 기록할 것으로 전망된다. 이는 전년 매출(258조원)과 비교해 17.5% 증가하고 영업이익(2023년 6조5700억원)은 438% 증가한 전망치다. 이날 삼성전자의 1분기 잠정실적이 시장 예상을 상회함에 따라 전망치는 더 올라갈 가능성이 높다. 올해 메모리 시장은 회복세에 들어섰다는 의견이 우세하다. 증권 업계에서는 삼성전자의 DS부문(반도체)은 올해 1분기 영업이익 7400억원 흑자전환을 시작으로 2분기 2조원대, 3분기 4조원대, 4분기 5조원대로 증가한다고 내다보고 있다. 지난해 삼성전자 DS부문은 4개 분기 연속 적자로 연간 영업손실 14조8000억원을 기록했다. 또 파운드리 사업은 3분기 또는 4분기에 흑자전환될 전망이다. 김동원 KB증권 연구원은 "삼성전자의 올해 연간 메모리 영업이익은 18조원으로 전년대비 30조원 개선되고, 연간 파운드리 사업은 3분기부터 흑자 전환하며 전년대비 2조원 실적 개선이 기대된다"고 전망했다. 그는 또 "올해 연간 DS 영업이익은 17조원으로 전년대비 32조원이 개선될 전망이다"고 말했다. 박강호 대신증권 연구원은 "삼성전자 파운드리 사업부의 연간 매출액은 26조8천억원, 영업적자 마이너스 1.3조원으로 예상되나, 수주 증가 및 수율 개선으로 4분기 흑자전환으로 돌아설 것으로 전망한다"고 말했다. AI 반도체향 차세대 고대역폭메모리(HBM) 양산에 따른 실적 상승도 기대된다. 송명섭 하이투자증권 연구원은 "엔디비아향 HBM3 공급이 2분기에 개시될 가능성이 있으며 HBM3E 자체 양산 준비도 2분기 내 완료될 것"이라며 "엔비디아의 삼성전자 12단 HBM3E에 대한 인증도 조만간 완료될 예정"이라고 분석했다. 그는 "성공적인 통과 여부는 아직 미지수이나 삼성전자 HBM 제품의 경쟁력이 지난해 대비 크게 개선되고 있는 것은 사실"이라며 "삼성전자 주가에 가장 중요한 단기 포인트는 HBM3E 12단 제품의 엔비디아 인증 성공 여부"라고 짚었다. 메모리 사업에서는 D램의 웨이퍼 기준 최선단 공정(1a, 1b) 비중이 올해 하반기 50%까지 확대될 것으로 전망되고, 향후 모바일, PC 수요 회복 시 수익성 개선에 긍정적 영향이 예상된다. 낸드는 공급축소 효과에 따른 큰 폭의 평균판매가격(ASP) 상승 효과로 영업이익 2조5000억원을 기록하며 흑자전환될 전망이다. 이 밖에 지난해 경기 불황과 수요 둔화에 부진했던 TV와 가전 사업도 프리미엄 시장 공략을 강화함에 따라 전년 보다 실적 개선이 예상된다. 한편, 삼성전자는 2023년 1분기 잠정실적 발표를 통해 연결기준으로 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원을 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가하면서 1분기 매출은 5개 분기만에 70조원대를 회복했다. 삼성전자는 오는 30일 1분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 사업부별 세부 내용을 포함한 1분기 경영 실적을 확정 발표한다.

2024.04.05 10:16이나리

삼성전자, 1분기 '어닝 서프라이즈'…반도체 兆단위 흑자 전환

삼성전자가 올 1분기 수익성 부문에서 업계 예상을 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리 시장이 회복세에 접어들면서 D램과 낸드 가격이 모두 크게 상승한 것이 실적 개선의 주된 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가했다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 당초 예상을 뛰어넘는 호실적을 기록할 것이라는 관측을 제기해 왔다. 최근 증권가 평균 전망치는 매출 71조8천억원, 영업이익 5조4천억 원 수준이었다. 삼성전자는 수익성 부분에서 예상치를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리반도체 시장이 지난해 말부터 급격한 회복세에 접어들었고, 스마트폰 판매량이 견조한 흐름을 보인 데 따른 효과로 풀이된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균고정거래가격은 지난해 4분기와 올 1분기에 각각 13~18%가량 상승했다. 낸드 가격 역시 지난해 4분기 13~18%, 올 1분기 15~20% 수준의 상승세를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 김선우 메리츠증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "HBM(고대역폭메모리) 등에서는 여전히 의미 있는 결과가 도출되지 않고 있으나, 레거시 메모리 판가 상승이 실적 개선 및 재고평가손실 충당금 환입까지 발생시켰다"며 "스마트폰·갤럭시S24 출하량도 기존 5천700만·1천320만 대에서 6천만·1천350만 대로 상향 조정한다"고 설명했다. 이승우 유진투자증권 연구원도 "D램과 낸드의 평균거래가격이 각각 10%대 후반, 20%대 후반 상승했을 것으로 보인다"며 "메모리 손익은 4개 분기 연속 적자에서 벗어나 조 단위의 흑자를 기록할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 1분기 이후에도 삼성전자가 호실적을 지속할 것이라는 전망이 나온다. HBM3E(5세대 HBM)의 본격적인 양산, 파운드리 사업의 흑자 전환 등이 실적을 가를 핵심 요소로 떠오른다. 신석환, 박강호 대신증권 연구원은 "12단 HBM3E는 퀄 테스트가 진행되고 있어 올 하반기 본격 양산에 돌입할 것으로 예상된다"며 "파운드리 사업은 지난해 대규모 적자를 기록했으나 올해 최대 수주 달성 및 하반기 흑자 전환이 예상된다"고 밝혔다.

2024.04.05 09:12장경윤

[1보] 삼성전자, 1분기 영업이익 6.6조원…전년比 931% 증가

삼성전자가 연결기준 올해 1분기 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시했다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출이 11.37%, 영업이익은 931.25% 늘었다.

2024.04.05 08:41장경윤

KAIST "뉴로모픽 AI용 반도체 소자 개발, 네이처 게재"

KAIST 연구진이 기존 낸드 메모리를 대체할 뉴로모픽 AI용 반도체 메모리 소자를 개발했다. 이 소자개발과 관련한 논문은 세계적인 과학기술계 학술지 네이처의 4월호 4일자에 게재됐다. KAIST(총장 이광형)는 최신현 전기및전자공학부 교수 연구팀이 DRAM 및 NAND 플래시 메모리를 대체할 수 있는 초저전력 차세대 상변화 메모리 소자를 개발했다고 4일 밝혔다. 이 메모리 소자는 차세대 인공지능(AI) 하드웨어를 위한 뉴로모픽 컴퓨팅 구현에 사용 가능하다. 현재 널리 사용되고 있는 메모리인 DRAM은 속도가 매우 빠르지만, 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 특징을 갖고 있다. 저장장치로 사용되는 낸드 플래시 메모리는 읽기·쓰기 속도는 상대적으로 느린 대신 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 비휘발성이다. 이에 반해 상변화 메모리(Phase Change Memory)는 열을 사용해 물질의 상태 변경을 이용해 정보를 저장하거나 처리하는 메모리 소자다. 디램과 낸드 플래시 메모리의 장점을 모두 가졌다. 빠른 속도와 비휘발성 특성을 동시에 지녀 기존 메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목 받는다. 특히, 메모리 기술 또는 인간의 두뇌를 모방하는 뉴로모픽 컴퓨팅 기술로 활발히 연구되고 있다. 다만, 비용이 많이 드는 초미세 반도체 노광공정을 통해 제작해 왔다. 소비 전력도 높다. 이로 인해 실용적인 대용량 메모리 제품이나 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템을 구현하기에는 한계가 있었다. 최신현 교수 연구팀, 소비전력 15배 줄여 난제 해결 연구팀은 상변화 물질을 전기적으로 극소 형성하는 방식으로 초저전력 상변화 메모리 소자를 제작했다. 노광공정 없이 매우 작은 나노미터급 스케일의 상변화 필라멘트를 자체 형성하는데 성공했다. 상변화 물질을 전기적 포밍 방식으로 생성한 나노 필라멘트 활용법을 찾은 것. 기존의 값비싼 초미세 노광공정을 이용한 상변화 메모리 소자보다 소비 전력을 15배 이상 줄인 초저전력 상변화 메모리 소자를 구현했다. 박시온 석박사통합과정생은 "공정 비용이 매우 적게 들 뿐 아니라 초저전력 동작이 가능하다"며 "획기적인 장점"이라고 설명했다. 홍석만 박사과정생은 "상변화 메모리는 차세대 메모리뿐만 아니라 사람의 뇌를 모사해 인공지능을 구현하는 뉴로모픽 컴퓨팅에 적합하다"며 "단순한 이미지나 음성 인식 뿐만 아니라 적은 전력으로 방대한 양의 데이터를 처리할 수 있는 고성능 인공지능 칩을 구현할 수 있을 것"으로 예상했다. 이 연구에는 KAIST 전기및전자공학부 박시온 석박사통합과정생 및 홍석만 박사과정생이 관련 논문 제1 저자로 참여했다. 최신현 교수는 "이번에 개발한 초저전력 상변화 메모리 소자는 기존의 연구 방향과는 완전히 다른 방식"이라며 "기존에 풀지 못했던 큰 난제인 제조비용과 에너지 효율 문제를 해결했다"고 말했다. 최 교수는 또 "물질 선택이 자유로워 고집적 3차원 수직 메모리 및 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템 등 다양한 분야 응용이 가능하다"며 "미래 전자공학의 기반이 될 것"으로 기대했다. 한편 이 연구 예산은 △한국연구재단 차세대 지능형반도체기술개발사업 △PIM인공지능반도체핵심기술개발(소자)사업 △우수신진연구사업 △나노종합기술원 반도체공정기반 나노메디컬 디바이스개발 사업의 지원을 받아 수행됐다.

2024.04.04 18:05박희범

AMAT, 삼성·인텔 등 초미세공정 공략…"2나노서 검증 중"

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 삼성전자, 인텔 등 고객사의 반도체 초미세공정 개발을 위한 혁신 솔루션을 공개했다. 최신 제품의 경우 2나노미터(nm) 공정에서 검증을 진행 중으로, 회사는 올해 및 내년에 강력한 매출 성장을 이뤄낼 것으로 자신했다. 4일 AMAT코리아는 경기 성남 소재의 본사에서 패터닝 솔루션 미디어 라운드테이블을 개최했다. AMAT는 이번 간담회를 통해 옹스트롬(Angstrom; 1A=0.1나노미터) 시대를 위한 첨단 반도체 기술 4종을 소개했다. 현재 삼성전자·TSMC·인텔과 같은 주요 반도체 기업들은 2나노 공정 상용화를 준비하는 등, 옹스트롬의 영역 진입을 위한 치열한 기술 경쟁을 벌이고 있다. 이에 AMAT는 초미세 공정을 위한 첨단 패터닝 솔루션을 개발해 왔다. 패터닝은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기기 위한 공정으로 증착, 노광, 식각 등 다양한 과정을 거친다. 대표적인 솔루션은 AMAT가 지난해 발표한 '스컬프타(Sclupta)'다. 스컬프타는 최첨단 EUV(극자외선) 및 High-NA EUV 노광 공정에 적용할 수 있는 패터닝 시스템으로, 싱글 패터닝 이후 패턴을 원하는 방향으로 늘려 소자 간 간격을 줄이고 패턴 밀도를 높일 수 있다. 이를 활용하면 반도체 제조업체들은 패터닝을 두 번 진행하지 않고도 원하는 회로를 새길 수 있게 된다. 패터닝 공정이 줄어들면 비용 및 생산 효율성이 증대되고, 공정 복잡성이 줄어들기 때문에 수율 안정화에도 유리하다. 현재 스컬프타는 삼성전자 4나노 공정, 인텔의 최신 공정 등에 도입되고 있다. 이길용 AMAT코리아 기술마케팅 및 전략프로그램 총괄은 "현재 스컬프타는 고객사의 EUV 공정에 쓰이고 있으며, High-NA EUV 기술이 도입되는 시점에서도 연계 적용될 것"이라며 "스컬프타 매출이 올해 2억 달러, 내년에는 5억 달러로 성장할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 나아가 AMAT는 올해 스컬프타에 '브릿지 결함'을 제거할 수 있는 기능을 추가했다. 브릿지 결함은 회로 간 간격이 너무 좁아 서로 붙게 되는 문제다. AMAT는 현재 최선단 파운드리 고객사의 2나노 공정에서 평가를 진행하고 있다. 또한 AMAT는 동일 챔버에서 증착·식각을 모두 지원하는 'Sym3 Y 매그넘' 식각 시스템을 공개했다. 해당 기술은 식각 과정에서 EUV 회로 표면을 더 매끄럽게 만들어, 수율 및 전력 효율성을 높인다. 일례로, Sym3 Y 매그넘을 AMAT의 또 다른 신규 솔루션인 '프로듀서 XP 파이오니어 CVD' 패터닝 필름과 결합 시, 라인 표면 거칠기를 25%가량 개선할 수 있는 것으로 나타났다. 해당 필름은 패턴 형태의 균일도를 높이는 데 기여한다. 현재 Sym3 Y 매그넘, 프로듀서 XP 파이오니어 CVD 패터닝 필름은 주요 고객사의 EUV D램 공정에서 활용되고 있다. 이외에도 AMAT는 첨단 전자빔(eBeam) 계측 시스템인 '아셀타'를 공개했다. 아셀타는 노이즈 발생이 두드러지는 초미세공정 회로 계측에서도 선명한 이미지를 구현해, 패턴이 얼마나 의도대로 구현됐는 지 파악할 수 있게 만들어 준다. 박광선 AMAT코리아 대표는 "최근 고객사들이 2나노, 1나노 등의 기술을 발표하고 있는데, EUV를 실제로 잘 구현하기 위해서는 여러 공정 기술이 필요하다"며 "AMAT는 10여년 전부터 이에 대응하기 위한 준비를 해 왔고, 매년 많은 투자를 해오고 있다"고 강조했다.

2024.04.04 14:24장경윤

네패스, 자체 개발한 도금액 HBM 공정에 양산 적용

네패스는 2년 전부터 초도 생산을 시작한 도금액이 HBM(고대역폭메모리)용 TSV(실리콘관통전극) 공정에 적용된다고 3일 밝혔다. 이정영 네패스 전자재료 사업부장은 "네패스는 기존 전량 수입에 의존하고 있던 기능성 반도체 재료인 도금액을 자체 연구개발과 협업으로 국산화한 바 있다"며 "올해부터는 TSV 공정용으로 본격적인 양산에 돌입한다"고 설명했다. 네패스가 국산화한 도금액은 미세 공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에 사용된다. 성능과 공정성, 제품의 균일성이 우수해 10나노미터(nm) 이하 미세공정에 특화된 제품으로 인정받고 있다. 올해 도금액 매출은 450억 원 규모로 예상되며, 매년 30~40% 이상의 높은 성장률을 기록할 것으로 회사는 기대하고 있다. 네패스 전자재료 사업부가 제시한 올해 매출 전망치는 950억 원이다. 오는 2026년에는 고성능 D램과 AI반도체의 성장세에 힘입어 1천900억 원의 매출을 올리는 것이 목표다. 한편 네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide)의 1차 개발도 완료했다. 현재는 고객사 제품 특성에 맞게 조율하는 과정을 거치고 있다. 층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375 ℃)와 저온용(200도 ℃)이 사용된다. 네패스는 "특히 저온 제품은 특성이 좋아 대만 기업들에 샘플을 제공하기 시작했다"며 "곧 가시적인 효과가 나오기를 기대한다"고 밝혔다.

2024.04.04 07:20장경윤

SK하이닉스 "美에 5.2조원 HBM 공장 건설"...엔비디아·TSMC와 시너지

SK하이닉스가 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 아울러 회사는 미국 퍼듀 대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. SK하이닉스는 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔다. 이어 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다. 이날 행사에는 유정준 SK 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 CEO, 최우진 SK하이닉스 부사장(P&T 담당) 등 SK그룹 경영진과 조현동 주미 한국 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. 미국 측에서는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 미 상원의원(인디애나), 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 미국 상무부 차관보, 데이비드 로젠버그 인디애나 주 상무장관, 멍 치앙 퍼듀대 총장, 미치 대니얼스 퍼듀 연구재단 이사장, 에린 이스터 웨스트라피엣 시장 등이 참석해 협력을 체결했다. 이 중 토드 영 의원은 미국 내 반도체 생산시설에 보조금과 세금 혜택을 지원하는 이른바 '칩스법(Chips Act)'을 공동 발의한 인물이다. 앞서 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은 해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. 이후 SK하이닉스는 다양한 후보지를 검토한 끝에 회사는 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 인디애나주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고, 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점이 높은 평가를 받았다. SK하이닉스는 "기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정했다"라며 "미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중되어 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다"고 설명했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다. 이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다. 에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나 주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다. 토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다. ■ HBM 첨단 패키징 확장…SK하이닉스-엔비디아-TSMC 삼각편대 SK하이닉스의 인디애나 팹은 반도체 생산의 마지막 공정에 해당되는 패키징을 담당한다. 이곳은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약을 맺는 활약으로 지난해 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 1위를 차지했다. 회사는 올해 3월부터 엔비디아 신규 칩 H200 GPU에 HBM3E(5세대)를 공급을 시작하면서 시장 우위를 이어갈 전망이다. 지금까지 엔비디아 AI 칩에 HBM을 통합하는 작업은 TSMC이 첨단 CoWoS(칩온웨이퍼-온서브스트레이트) 패키징 공정으로 담당해 왔다. SK하이닉스가 한국 팹에서 생산한 HBM를 대만의 TSMC 대만 팹에 보내면, TSMC가 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식이다. 하지만 TSMC가 2021년 미국 애리조나에 파운드리 팹 2곳 건설에 착수한데 이어 SK하이닉스까지 패키징 팹을 미국에 건설하면 미국 내에서 AI 반도체 설계부터, 생산, 패키징이 가능해지는 시스템이 만들어지게 된다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 2월 SK하이닉스의 인디애나 팹 투자를 처음으로 보도하면서 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 GPU 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 말했다. 월스트리트저널(WSJ)은 지난주 "SK하이닉스의 미국 투자는 반도체 강국으로서 미국의 위상을 회복하려는 바이든 행정부의 야망에 힘을 실어주는 일"이라고 진단했다. SK하이닉스가 이번 신규 팹 투자를 결정함에 따라 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금 규모에 관심이 모아진다. 월스트리트저널(WSJ)에 따르면 바이든 정부는 반도체법에서 패키징 부분에 최소 30억 달러를 책정했다. 미국 내 투자 기업이 상무부에 보조금을 신청하는 기간은 이달 12일까지다. 한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 회사가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공할 계획이다. 또 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설한다.

2024.04.04 03:50이나리

"美, 대중 반도체 장비 수출규제에 韓 동참 원해"

미국 정부가 한국에 첨단 메모리와 시스템반도체 제조 장비에 대한 중국 수출을 제한해 줄 것을 요청했다고 블룸버그통신이 2일(현지시간) 보도했다. 블룸버그통신은 정부 소식통을 인용해 "지난달 미국 관리들이 한국 윤석열 정부와 해당 문제에 대해 심도 있게 논의했다"며 "미국이 오는 6월 G7 정상회담 이전에 합의를 이루려고 노력하는 동안 한국 관리들도 미국의 요청을 받아들일 지에 대해 논의하고 있다"고 밝혔다. 앞서 미국은 지난 2022년 자국 기업들이 중국에 14나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시용 제조장비를 사실상 수출하지 못하도록 조치한 바 있다. 미국의 대중(對中) 수출규제는 주변국으로 점차 확대되는 추세다. 현재 자국에 주요 반도체 제조장비 업체를 보유한 네덜란드, 일본 등이 미국의 요청에 따라 대중 반도체 수출 규제를 시행하고 있다. 블룸버그통신은 "미국이 한국과 독일을 포함한 동맹국들에게 중국에 대한 기술 수출을 제한하라는 압력을 가했다"며 "한국은 반도체 제조와 제조장비용 부품 분야에서 선도적인 역할을 하고 있다"고 논평했다.

2024.04.03 08:55장경윤

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

경계현 삼성전자 사장 "AI 반도체 '마하2'도 빠르게 개발할 것"

경계현 삼성전자 DS부문(반도체) 대표이사 사장이 AI 반도체 '마하1(Mach-1)'에 이어 '마하2(Mach-2)' 개발에도 빠르게 착수한다는 계획을 밝혔다. 경 사장은 5일 SNS(사회관계망서비스) 인스타그램에서 "추론(Inference) 전용인 마하1에 대한 고객들의 관심이 증가하고 있다"라며 "일부 고객들은 1테라(T) 파라미터(parameter) 이상의 큰 어플리케이션에 마하를 쓰고 싶어한다. 생각보다 더 빠르게 마하2의 개발이 필요한 이유가 생긴 것이다. 준비를 해야겠다"고 전했다. 삼성전자 시스템LSI 사업부가 개발하고 있는 마하1는 AI를 추론하기 위해 특화된 범용인공지능(AGI) 반도체다. 메모리와 그래픽처리장치(GPU)와의 병목 현상을 해소할 수 있는 구조로 만들어져, 고대역폭메모리(HBM) 대신에 저전력(Low Power) D램을 써도 LLM(Large Language Models, 거대언어모델) 추론이 가능하도록 개발 중이다. 경 사장은 지난 20일 삼성전자 정기주주총회에서 AI 반도체 '마하1'을 처음으로 언급한 바 있다. 당시 경 사장은 "마하1은 여러 가지 알고리즘을 써서 메모리와 GPU 사이에 데이터 병목현상을 8분의 1 정도로 줄이고 전력 효율을 8배 높이는 것을 목표로 현재 개발 중"이라며 "올해 연말 정도면 마하1 칩을 만들어서 내년 초에 저희 칩으로 구성된 시스템(AI 가속기)을 보실 수 있을 것"이라고 말했다. 업계에 따르면 삼성전자는 마하1을 연말 네이버에 추론용 서버용으로 공급할 예정이다. 납품 규모는 15만~20만개, 개당 500만원 수준으로 논의 중이다. 삼성전자의 마하1은 엔비디아 제품의 10분의 1 수준으로 가격 경쟁력을 확보한 것으로 알려진다. 엔비디아 AI 반도체 'H100이' 개당 최대 4만달러(약 5360만원)에 거래되고, 신규 칩 'B100'은 최소 5만달러(6천600만원) 이상의 높은 가격으로 판매된다. 경 사장은 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운티뷰에서 열린 '멤콘(MEMCON) 2024' 컨퍼런스를 비롯해 약 4일 동안 미국의 5개 도시를 돌면서 맞춤형 HBM과 2나노 공정 파운드리 고객사 확보를 위해 비즈니스 활동을 벌였다. 경 사장은 "AI 애플리케이션에서 고용랑 HBM은 경쟁력이다"라며 "HBM3와 HBM3E 12단을 고객들이 더 찾는 이유다. (삼성전자)는 HBM 전담팀을 꾸미고, 팀은 정성을 다해 품질과 생산성을 높히고 있다. 이들의 노력으로 HBM의 리더십이 우리에게로 오고 있다"고 강조했다. 이어서 그는 "HBM4에서 메모리 대역폭(Bandwith)이 2배로 되지만 여전히 메모리와 컴퓨트 사이의 트래픽은 바틀넥(Bottle Neck)이다"라며 "많은 고객들이 이 문제를 풀기 위해 각자만의 방식으로 맞춤형(Custom) HBM4를 개발하고 싶어한다. 그리고, 고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것이다"고 말했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 공급된다. 삼성전자는 이달 초 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 엔비디아 개발자 콘퍼런스 'GTC 2024'에서 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개한 바 있다. 현재 삼성전자는 2025년 공급을 목표로 HBM4를 개발 중이다. 경 사장은 파운드리 2나노 공정에 대해서 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서 AI의 지능을 키울 수 있다"라며 "고객들이 게이트올어라운드(GAA) 2나노를 원하는 이유다"라며 "이런 이유로 많은 고객들이 파운드리 2나노 공정을 위한 테스트 칩을 흘리고 있거나 흘리기로 했다"로 말했다. 이어서 그는 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품개발로 이어지도록 할 것이다"고 전했다. 삼성전자는 내년부터 2나노 공정으로 반도체를 양산을 앞두고 있다. 경 사장은 테슬라 본사도 방문한 것으로 보인다. 경 사장은 "테슬라에서는 고맙게도 사이버트럭을 시승할 수 있는 기회를 줬는데 생각보다 안락했고, 가속력이 대단했다"라며 "10개의 카메라로 주변을 인식하는 능력이 훌륭해 보였고, 짧은 회전 반경과 큰 와이퍼가 인상적이었다"고 평가했다.

2024.03.29 11:43이나리

삼성전자 반도체 3위로 하락…인텔·엔비디아에 자리내줘

삼성전자가 지난해 전세계 반도체 시장 매출 순위에서 1위에서 3위로 내려왔다. 미국 반도체 기업인 인텔과 엔비디아는 삼성전자를 제치고 각각 1위와 2위를 차지했다. 삼성전자가 인텔과 1위를 두고 경쟁해 오다가 3위로 내려 온 것은 이례적이다. 28일 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 DS 부문의 연간 매출은 443억7400만달러(60조원)로 집계됐다. 이는 전년 670억5500만달러(90조7000억원) 보다 33.8% 감소한 실적이다. 지난해 메모리 반도체 업황 침체에 타격을 받아 실적이 감소한 것으로 분석된다. 그 결과 지난해 반도체 1위를 탈환한 삼성전자는 실적 악화로 순위가 3위로 하락했다. 인텔은 지난해 매출 511억9700만달러(69조원)로 전년 보다 15.8% 감소에도 불구하고 1위를 차지했다. 삼성전자 부진에 비해 상대적으로 매출 감소가 적었기 때문이다. 인텔은 2018년, 2022년 삼성전자에 1위 자리를 내준 바 있다. 엔비디아는 2022년 8위에서 작년 2위로 올라왔다는 점에서 주목된다. 엔비디아는 생성형 AI(인공지능) 성장으로 지난해 매출이 491억6100만달러(66조3673억원)로 전년 보다 133.6% 급등했다. 즉 엔비다이의 작년 매출은 전년 보다 2배 이상 증가한 셈이다. 옴디아는 "지난해 반도체 산업의 전반적인 침체에도 불구하고 AI에 주력한 기업들은 이익을 내면서 업계의 중요한 성장 동력으로 부상했다"라며 "엔비디아는 AI의 가장 큰 수혜자"라고 진단했다. 메모리 업체인 SK하이닉스와 마이크론도 상위 10개 기업 중 큰 폭의 실적 감소를 겪었다. 2017년부터 2021년까지 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 모두 매출 상위 5위 안에 들었었다. SK하이닉스는 지난해 매출 236억8000만달러로 전년 보다 30.6% 감소하며 순위가 4위에서 6위로 내려왔다. 마이크론 또한 메모리 침체기에 영향 받아 지난해 순위가 6위에서 12위로 내려왔으며, 매출은 159억6300만달러로 전년 보다 40.6% 감소했다. 다만 SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)으로 AI 반도체의 혜택을 받다고 평가된다. 옴디아는 "SK하이닉스는 AI가 촉진하기 위해 GPU(그래픽처리장치)와 통합된 HBM 부문을 선도하고, 다른 주요 메모리 제조업체들도 이 분야에 뛰어들고 있다"고 말했다. 그 밖에 ▲4위 퀄컴(309억1300만달러) ▲5위 브로드컴(284억2700만달러) ▲7위 AMD(224억800만달러) ▲8위 애플(186억3500만달러) ▲9위 인피니언(172억8600만달러) 등 순이다. 지난해 상위 20개 반도체 기업의 매출은 5448억 달러로 전년 보다 8.8% 감소했다. 한편 이번 집계에는 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 매출은 포함되지 않았다. 대만 파운드리 업체 TSMC는 지난해 2조1617억3600만대만달러(91조1820억원)의 매출을 올렸다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 사업을 합한 반도체 매출은 지난해 66조5900만원으로 집계된다. 파운드리를 합한 반도체 시장 매출 순위에서는 1위 TSMC, 2위 인텔, 3위 삼성전자 순이다.

2024.03.28 20:03이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "내년 HBM 수요 타이트해…美·中에 전략 대응"

SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 고대역폭메모리(HBM)가 매출 성장을 이끌 것으로 전망했다. 아울러 미국의 중국 반도체 제재와 관련해 SK하이닉스는 전략적으로 대응할 계획으로, 당분간 생산활동에 큰 차질이 없을 것으로 내다봤다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 27일 경기 이천 SK하이닉스 본사에서 열린 정기주주총회에서 “작년에는 전체 D램 판매량 중 AI향이 한 자릿수 퍼센트였지만, 올해는 전체 D램 판매량 중 HBM 판매 비트(bit) 수가 두 자릿수 퍼센트로 올라와 수익성에 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 그는 또 “내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다”고 덧붙였다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 고객사 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. SK하이닉스는 이달 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작하며 올해도 선두를 유지한다는 목표다. AI 시장 성장에 따라 올해 메모리 업황 개선도 기대된다. 곽 사장은 “AI 시장이 작년에 이어 올해도 계속 호조를 보이면서 메모리 매출과 수익을 견인하고 있고, 최근에 중국향 서버, 데이터센터 시장도 조금씩 살아나고 있는 모습을 보인다”라며 “D램 가격이 작년 4분기를 기점으로 턴어라운드한 후 올라가고 있어서 올해 전반적으로 수익 향상이 기대된다”고 말했다. 특히 SK하이닉스는 오토모티브향 제품에 대한 기대감을 내비쳤다. 곽 사장은 “유럽 같은 경우는 양대 시장으로 보고 있는 중국이나 미국보다는 상대적으로 작은 시장이지만, 오토모티브 쪽으로 강하고, 관심을 기울이고 있기에 고객 발굴 노력을 하고 있다”라며 “유럽 시장도 기타 시장 못지 않게 공략할 수 있도록 노력하겠다”고 전했다. 아울러 대중국 반도체 제재와 관련해 현재 생산에 차질이 없다는 점을 강조했다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장과 파운드리(8인치) 공장이 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. SK하이닉스는 D램의 40%, 낸드플래시의 20%를 중국에서 생산하고 있다. 곽 사장은 “우시 D램 팹이 대중국 제재 영향을 받고 있지만, 작년 10월에 1a나노미터까지 생산할 수 있는 VEU(검증된 최종 사용자) 라이선스를 (미국으로부터) 받은 상태여서 당장 큰 문제는 없고 정상적인 생산활동을 할 수 있는 상황이다”고 말했다. 이어 그는 “회사는 미국의 대중국 반도체 규제 동향을 선제적으로 파악하고 전사 TF를 만들어 발 빠르게 대처하고 있다”라며 “앞으로도 공급망의 잠재적 불안 요소들을 해결하기 위한 최적의 해법을 찾도록 노력하겠다”고 덧붙였다. 다만, EUV(극자외선) 공정 D램 생산과 관련해서 그는 “EUV 관련된 공정 수가 1공정뿐 이기에 앞으로 본사(한국)에서 진행한다는 전략이다”고 말했다. D램에 비해 사업이 부진한 낸드, CMOS 이미지센서(CIS), 파운드리 사업에 대해서는 노력하겠다는 입장을 밝혔다. 곽 사장은 “그동안 낸드 사업에서 과감한 투자로 점유율을 확대해 왔지만 성장 지연으로 재무 성과는 만족스럽지 못했다"며 "이에 기존 점유율 중심에서 수익성 중심으로 사업 방향을 전환하고자 한다"고 말했다. 또 “솔리다임은 출범 후 시황 악화로 실적이 부진했으나, 최근 빅테크 기업 중심으로 솔리다임 eSSD 구매가 큰 폭으로 증가하고 있어 실적 개선이 예상된다”고 강조했다. SK하이닉스는 파운드리 자회사로 시스템아이씨와 키파운드리 두 곳을 운영하고 있다. 곽 사장은 “작년에 파운드리 업황은 업계 전체 다운턴이라 올해는 같이 좋아지는 양상을 보인다”라며 “사업을 안정적으로 운영하면서 새로운 제품을 개발해 새로운 고객과 시장에 들어가기 위해 끊임없이 노력하겠다”고 말했다. 곽 사장은 CIS과 관련해서는 “CIS가 상대적으로 경쟁력이 약하다”라고 인정하며 “이를 어떻게 보완하고 강화해서 이른 시일 안에 경쟁 전략을 실행하기 위해 노력하고 있다”며 “CIS는 전열을 가다듬는 시기다”고 전했다. 한편 곽 사장은 주총 후 취재진의 'SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 짓는다는 최근 외신 보도와 관련된 질문에 ”확정되면 말씀드리겠다”며 말을 아꼈다. 앞서 월스트리트저널(WSJ)은 26일(현지시간) SK하이닉스가 40억달러(5조3천600억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라파옛에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다.

2024.03.27 16:28이나리

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