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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (303건)

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삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다." 유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다. D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다. 이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다. 유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 15:41장경윤

삼성전자, 미디어텍 최신 모바일 AP에 'LPDDR5X' 검증 완료

삼성전자는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍과 업계 최고 속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램 동작 검증을 완료했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP '디멘시티(Dimensity) 9400'에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화를 추진한다. LPDDR은 저전력(Low Power)에 특화 설계된 D램을 뜻한다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기에 주로 탑재되고 있다. LPDDR의 규격은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 제정하고 있다. LPDDR5X는 현재 공개된 가장 최신 규격에 해당한다. 삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능 특성이 요구되는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시대에 최적화됐다. 이번 제품을 통해 사용자는 모바일 기기에서 배터리를 더 오래 사용할 수 있으며, 서버나 클라우드에 연결하지 않은 상태에서도 뛰어난 성능의 온디바이스 AI 기능을 활용할 수 있다. JC 수 미디어텍 수석 부사장은 “삼성전자와의 긴밀한 협업을 통해 미디어텍의 차세대 고성능 프로세서인 디멘시티에 삼성전자의 고성능 10.7Gbps LPDDR5X를 탑재해 업계 최초로 동작 검증에 성공했다”며 “앞으로 사용자는 최신 칩셋을 탑재한 기기를 통해 배터리 성능을 최대화하고, 더 많은 AI 기능을 활용할 수 있게 될 것”이라고 밝혔다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 “미디어텍과의 전략적 협업을 통해 업계 최고 속도 LPDDR5X D램의 동작을 검증하고, AI시대에 맞춤형 솔루션임을 입증했다”며 “고객과 유기적인 협력으로 향후 온디바이스 AI 시대에 걸맞은 솔루션을 제공해 AI 스마트폰 시장을 선도해 나갈 것”이라 말했다. 삼성전자는 고객과의 적극적인 협력을 바탕으로 향후 모바일 분야뿐만 아니라 ▲AI 가속기 ▲서버 ▲HPC ▲오토모티브 등 LPDDR D램 응용처를 적극 확장해 나갈 방침이다.

2024.07.16 08:34장경윤

오픈엣지, HBM3 검증용 7나노 테스트 칩 출시

오픈엣지테크놀로지는 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 지원하는 PHY(물리계층) IP(설계자산) 테스트 칩을 성공적으로 출시 및 검증했다고 15일 밝혔다. 이번 검증은 오픈엣지의 자회사 더식스세미컨덕터(TSS)를 통해 진행됐다. 7나노미터(nm) 공정을 기반으로 한 HBM3 PHY IP 테스트 칩은 6.4Gbps로 출시됐으며, 추가 튜닝을 통해 현재 7.2Gbps의 오버클럭까지 검증을 마쳤다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. PHY는 메모리와 시스템반도체 사이에서 고속으로 데이터를 송수신할 수 있게 만드는 인터페이스다. 오픈엣지는 "현재까지 HBM3 메모리 서브시스템을 설계하고 시연해 낸 IP 공급업체는 극소수에 불과하다"며 "해당 반도체를 테스트할 수 있는 환경이 매우 제한적이기 때문"이라고 설명했다. 한편 오픈엣지가 HBM3 PHY IP 테스트 칩을 개발하는 데 활용된 접근법은 향후 칩렛 설계에도 활용될 전망이다. 칩렛이란 각기 다른 기능을 가진 반도체를 하나의 칩으로 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 오픈엣지는 "HBP3 PHY IP 테스트 칩의 성공적인 검증과 완벽한 메모리 서브시스템 IP를 바탕으로, 회사는 칩렛 기술용 IP 공급업체로도 자리매김하고 있다"고 밝혔다. 한편, 해당 PHY IP는 과학기술정보통신부가 지원한 차세대지능형반도체기술개발사업 '고성능 AI 서버용 HBM3급 이상 인터페이스 기술 개발 과제'를 통해 개발한 결과물이다.

2024.07.15 18:11장경윤

삼성전자 노조 총파업 이틀째…장기화되면 생산 차질 우려

전국삼성전자노동조합(전삼노)이 8일부터 10일까지 창사 이래 55년 만에 첫 총파업에 돌입했다. 파업 이틀째 들어선 가운데 아직까지 삼성전자 반도체 생산에 큰 피해는 없지만, 파업이 장기화되면 어려움이 가중될 수 있다는 우려의 목소리가 나온다. 무엇보다 지난해 반도체 사업에서만 15조원 적자를 기록한 삼성전자가 올해 실적 개선에 들어섰지만 총파업 장기화에 따른 생산 차질 가능성이 주목된다. ■ 반도체 반등했는데, 3일간 총파업…노조 "생산차질이 파업 목적" 전삼노는 오늘과 내일 파업에 참여하는 조합원 선착순 1000명을 대상으로 강성노조인 민주노총의 교육을 실시할 예정이라고 밝혔다. 전삼노는 이번 1차 파업에 이어 다음주에 5일간 2차 행동에 나설 계획이다. 앞서 전삼노는 어제 오전 11시경에 1시간가량 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스 H1 정문 앞에서 열린 총파업 집회에 참석했다. 전삼노는 지난 1월부터 사측과 교섭을 벌여 온 결과 의견을 좁히지 못하고 지난 5월 29일 사상 처음 파업을 선언한데 이어 지난달 7일 단체 연차소진 방식의 집단행동, 이번에 단체 파업까지 나선 것이다. 이날 비가 오는 궂은 날씨에도 전삼노 4000여명은 '투쟁' 구호를 외치며 집회에 참석했다. 파업 집회가 열린 화성캠퍼스는 삼성 반도체의 핵심부이자 2019년 이재용 삼성전자 회장이 2030년 시스템 반도체 세계 1위에 오르겠다는 '시스템 반도체 비전 선포식'을 열기도 한 곳이어서 상황이 대비된다. 전삼노에 따르면 파업 설문조사에 8천115명이 참여했으며, 이중 6천540명이 파업에 참여하겠다는 의사를 밝혔다. 이는 전체 직원의(12만4천804명·지난해 말 기준) 5% 수준이다. 전삼노 조합원수는 8일 오후 3시기준으로 3만855명으로 전체 직원의 24.7%, 4분의 1에 해당된다. 상당수의 조합원은 24시간 생산라인이 가동되는 반도체 사업을 맡는 DS부문 소속이다. 전삼노는 "생산차질이 파업의 목적이다"라며 "총파업을 통해 이 모든 책임을 사측에 묻는다"며 "이번 파업으로 발생하는 모든 경영 손실의 책임은 전적으로 사측에 있다"고 말했다. 이어 조합원들에게 "파업 기간 절대로 출근하지 말고, 업무 연락을 받으면 안 된다"라고 독려했다. ■ 삼성 "사전 대비로 생산라인 피해 없어"…장기화될 경우 피해 우려 이번 파업으로 아직까지 삼성전자 생산라인에 피해는 없는 것으로 파악된다. 삼성전자 관계자는 "사전 대비를 통해 파업으로 인한 생산 차질은 없다"라며 "수만 명이 근무하는 삼성전자 반도체 생산라인은 매일 휴가를 쓰는 인원만 수천 명에 달하기 때문에 이번 파업으로 휴가 쓰는 인원이 조금 더 늘었다고 해도 생산에 피해주는 규모는 아니다"라고 말했다. 외신도 삼성전자의 파업에 주목했다. 로이터통신은 8일(현지시간) "이번 파업은 참여도가 낮고 삼성전자의 생산이 자동화돼 있어서 메모리 칩 생산량에 큰 영향을 미치지 않을 것"이라며 "그러나 AI 시장 성장으로 메모리가 반도체 시장에서 중요한 시점에서 직원들의 사기가 저하됐다는 점이 우려된다"고 말했다. 하지만 업계에서는 파업이 장기화될 경우에는 생산에 피해를 줄 수 있다고 우려하고 있다. 반도체 산업 애널리스트는 "통상 메모리 팹은 3교대로 돌아가다 보니 인원이 비면 유지보수가 밀리게 된다"며 "설비유지가 밀리면 향후에는 가동률이 떨어질 수밖에 없다. 유지보수가 끊임없이 빠르게 돌아가야 최고 수율이 나오는 데, 그렇게 못하게 되기 때문"이라고 설명했다. 사안에 정통한 관계자는 "파업 이후로 메모리 제조라인 내 유지보수(PM)를 해야하는 챔버 수가 늘어났고, 내일도 더 늘어날 예정인 것으로 안다"며 "제조라인이 교대근무로 이뤄지는 만큼, 인원이 비면 운영에 영향이 생길 수 있다"고 우려했다. 협력업체들도 이번 사태를 예의주시하고 있다. 삼성전자 협력사 관계자는 "최근 며칠간 삼성전자 라인에 투입돼야 하는 유지보수 일정이 조금 뒤로 밀렸다"며 "라인 내에서 협력사들과 협업할 삼성전자 근로자들이 빠졌기 때문"이라고 밝혔다. 그는 이어 "당장 설비에 문제가 있을 만큼 중대한 수준은 아닌 것으로 파악된다"면서도 "다만 협력사들도 삼성전자의 파업을 처음 겪었고, 사태가 장기화될 수 있는 만큼 상황을 지켜보고 있다"고 말했다. 삼성전자 파업에 대해 지나친 노조 이기주의라는 업계의 비판도 나온다. 반도체 업계 관계자는 "실적이 바닥이 났는데도 성과를 가지고 불평하는 노조의 행동이 이해가 안 된다"라며 "임원과 성과급 차별대우라고 말하는데, 임원 성과급은 직전 3년치 평가해서 받는 것이고 직원은 아니다. 회사가 잘 되면 직원 덕분이고, 안되면 임원 탓이라는 논리는 맞지 않는다"라며 "실익도 명분도 없는 파업"이라고 말했다. 한편, 전삼노는 총파업에 따른 요구안으로 ▲전 조합원에 대한 높은 임금 인상률 적용 ▲유급휴가 약속 이행 ▲경제적 부가가치(EVA) 기준으로 지급하는 초과이익성과급(OPI) 기준 개선 ▲파업으로 인해 발생하는 임금 손실에 대한 보상 등을 내세웠다.

2024.07.09 11:29이나리

곽동신 한미반도체 부회장 "2026년 매출 목표 2조원으로 상향"

곽동신 한미반도체 대표이사 부회장이 인공지능 반도체 수요 폭발로 고대역폭메모리(HBM) 시장이 가파르게 커지면서 매출 목표를 상향한다고 4일 밝혔다. 한미반도체는 SK하이닉스, 마이크론 등에 HBM 생산에 필요한 열압착(TC) 본더 장비를 공급하고 있다. 곽동신 부회장은 "올 하반기에는 '2.5D 빅다이 TC 본더'를 출시하고, 2025년 하반기에는 '마일드 하이브리드 본더', 그리고 2026년 하반기에는 '하이브리드 본더'를 출시할 계획이다"라며 "올해 매출 목표는 6천500억원, 2025년은 1조2천억원 그리고 2026년은 2조원으로 매출 목표를 상향한다"고 밝혔다. 한미반도체 TC 본더는 44년 업력이 깃든 인천 본사 2만3000평 부지의 6개 공장에서 세계 최대 규모인 210대의 핵심부품 가공 생산 설비를 바탕으로 만들어진다. 최근 오픈한 6번째 공장은 현재 연 264대(월 22대)의 TC 본더 생산이 가능하다. 200억 원 규모의 핵심부품 가공 생산 설비가 더해져 내년 연 420대(월 35대)의 세계 최대 규모의 TC 본더 생산 캐파를 확복해 납기를 대폭 단축할 것으로 기대된다. 또한 올해 안에 공장 증설을 위한 추가 부지를 확보할 예정이다. 한미반도체는 철저한 품질관리와 장인정신이 강점으로 꼽는다. TC 본더는 가공, 조립, 배선, 테스트 등 각 단계별로 6번의 검수를 거치고 총 1000가지 항목의 검사를 통과해야 생산되는 첨단 기술이 필요한 장비다. 40개의 워크베이를 통해 허리를 굽히지 않고도 작업을 효율적으로 할 수 있어 각 공정은 신속히 진행된다. 한미반도체 관계자는 "전문 엔지니어들은 30년 이상 현장에서 근무한 장인들로부터 끊임없는 교육을 받는다"라며 "약 10년여의 훈련 기간과 특별 교육 등을 이수해야 전문 엔지니어 타이틀을 받을 수 있다"고 설명했다. 곽 부회장은 "고객에게 변함없는 최상의 퀄리티를 제공하기 위해 메이드인 코리아를 고수하고 있다"고 강조했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 그 결과 한미반도체는 2022년부터 2024년까지 3년 연속 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠가 선정하는 세계 10대장비 기업에 국내 기업 중 유일하게 선정됐다.

2024.07.05 09:21이나리

삼성전자, 'HBM 개발팀' 신설…전영현 체제서 첫 조직개편

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리) 개발팀을 새로 꾸린다. 차세대 메모리 경쟁력 강화를 위한 조치로 전영현 부회장 체제 하에서 이뤄지는 첫 조직개편이다. 4일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 HBM 개발팀을 신설하는 내용의 조직개편을 단행했다. 이번에 신설되는 HBM 개발팀은 삼성전자가 상용화 및 개발에 주력하는 HBM3E(4세대 HBM), HBM4(5세대 HBM) 등을 담당할 것으로 관측된다. 팀장은 손영수 부사장이 맡는다. 현재 삼성전자는 AI 산업의 거대 팹리스인 엔비디아에 HBM 제품을 공급하기 위해 노력하고 있다. 특히 올해엔 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에 돌입했다. 어드밴스드 패키징(AVP) 개발팀과 설비기술연구소도 개편한다. 전영현 부문장 직속으로 AVP 사업팀을 재편해 AVP 개발팀을 배치했다. 반도체 업계에서 중요성이 높아지고 있는 2.5D, 3D 등 최첨단 패키징 기술력을 강화하기 위한 전략으로 풀이된다. 설비기술연구소는 반도체 공정의 효율성을 높이는 데 집중한다. 반도체 공정 전반과 양산 장비에 대한 기술 지원 등을 담당할 것으로 예상된다. 한편 삼성전자는 지난 5월 DS 사업부문 반도체 수장을 기존 경계현 사장에서 전영현 부회장으로 교체하는 등 반도체 사업의 혁신을 단행하고 있다. 이달에는 800여 개 직무를 대상으로 DS 부분 경력사원도 채용 중이다.

2024.07.04 16:09장경윤

'반도체 훈풍' 삼성·SK, 2분기 메모리 영업익 나란히 5兆 돌파 기대

국내 주요 메모리 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 올 2분기 나란히 호실적을 거둘 것으로 관측된다. HBM(고대역폭메모리) 전환에 따른 범용 D램의 생산능력 감소, 고용량 낸드 판매 증가로 메모리 시장이 호황을 이어간 데 따른 영향이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 2분기 반도체 부문에서 수익성이 전분기 및 전년동기 대비 대폭 개선될 전망이다. 메모리반도체의 두 축인 D램, 낸드는 지난해 하반기부터 가격이 완연한 회복세에 접어들었다. 주요 공급사들의 감산 전략으로 고객사 재고 수준이 정상화됐고, AI 산업의 발달로 고부가 메모리 수요가 급증하고 있기 때문이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균판매가격은 올 1분기와 2분기 각각 13~18% 가량 상승했다. 낸드 역시 1분기 23~28%, 2분기 13~18% 수준의 가격 상승이 이뤄진 것으로 알려졌다. 이 같은 메모리 업황 개선에 힘입어 증권가는 삼성전자 반도체(DS) 부문이 올 2분기 매출 27조원대, 영업이익 4조5천억원 수준을 달성할 수 있을 것으로 보고 있다. 영업이익의 경우 전년동기(영업손실 약 4조3천억원) 대비로는 흑자 전환, 전분기(영업이익 1조9천억) 대비 2배 이상의 성장을 이뤄낼 전망이다. 특히 적자 지속이 예상되는 파운드리 사업을 제외하면 수익성의 개선세가 더 뚜력해진다. 박강호 대신증권 연구원은 "삼성전자 메모리 사업부만 보면 2분기 영업이익은 5조원으로, D램과 낸드 모두 출하량과 가격이 상승하며 수익성이 개선될 전망"이라며 "하반기에도 범용 D램 공급 부족 심화 및 고용량 eSSD 수요 증가로 호조세가 지속될 것"이라고 설명했다. SK하이닉스의 올 2분기 증권가 컨센서스는 매출 16조원, 영업이익 5조억원 수준이다. 다만 신영증권, 하이투자증권, 한국투자증권 등 최근 보고서를 발행한 증권의 경우 SK하이닉스의 영업이익을 5조4천억원 이상으로 추산하기도 했다. 박상욱 신영증권 연구원은 "SK하이닉스의 2분기 영업이익은 5조5천억원으로 전년동기대비 흑자전환, 전분기 대비 91.2% 증가할 것으로 추정된다"며 "2분기부터 HBM3e(5세대 HBM)의 판매 본격화로 D램의 가격 상승폭이 컸고, 낸드는 AI 서버 및 데이터센터 수요 증가로 자회사 솔리다임 등의 고용량 SSD 매출 증가가 컸다"고 밝혔다. 채민숙 한국투자증권 연구원은 "SK하이닉스는 그간 삼성전자 대비 영업이익률이 뒤처졌으나, 지난해 4분기부터는 D램과 낸드 모두 영업이익률이 업계 1위로 올라섰다"며 "2분기에도 D램과 낸드의 평균판매가격 증가율도 전분기 대비 20%에 가까운 수준을 기록하면서 당초 증권가 컨센서스를 상회할 것"이라고 말했다. 한편 미국 주요 메모리 기업인 마이크론은 지난달 27일 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 실적을 발표했다. 마이크론은 해당 분기 매출 68억1천만 달러, 영업이익 9억4천만 달러를 기록했다. 각각 전분기 대비 16.9%, 361% 증가한 수치로, 모두 증권가 컨센서스를 상회해 메모리반도체 시장의 회복세가 견조함을 보여준 바 있다.

2024.07.02 15:05장경윤

"내년 메모리 캐파 역성장할 수도"…삼성전자, 생산량 확대 선제 대응

삼성전자가 메모리 생산량을 적극 확대하려는 움직임을 보이고 있다. HBM(고대역폭메모리)와 최선단 제품으로 공정 전환을 적극 추진하면서, 내년 레거시 메모리 생산능력이 매우 이례적으로 감소하는 현상이 나타날 수 있다는 전망 때문이다. 실제로 삼성전자는 메모리 제조라인에 최대 생산, 설비 가동률 상승 등을 적극 주문하고 있는 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 메모리 라인 전반을 최대로 가동하는 방안을 추진하고 있다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다. 정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다. 삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다. 현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다. 삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며, 국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다. 먼저 D램의 경우, 삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다. 삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼, HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다. 또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다. 이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다. 올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다. 시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데, 이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다. 반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다. 최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다. 업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고, 내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.

2024.06.28 11:34장경윤

3분기 D램 가격 8~13% 상승 전망…HBM·DDR5 효과

D램 가격이 2분기에 이어 3분기에도 최선단 제품을 중심으로 가격 상승세를 이어갈 것으로 예상된다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 D램의 ASP(평균판매가격)은 8~13% 증가할 전망이다. 현재 주요 D램 공급업체들은 HBM(고대역폭메모리) 생산량 비중을 확대하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 일반 D램 대비 수율이 낮아 막대한 양의 웨이퍼 투입이 필요하다. 수요 측면에서는 그간 부진한 흐름을 보인 일반 서버에서 DDR5에 대한 주문량이 확대되는 추세다. 또한 스마트폰 고객사들도 성수기를 대비해 재고를 활발히 보충하려는 기조가 나타나고 있다. 그 결과 D램의 ASP는 2분기 13~18% 증가한 데 이어, 3분기에도 8~13%의 상승세가 예견된다. 다만 HBM향을 제외한 레거시 D램 기준으로는 ASP가 5~10%가량 상승할 전망이다. 또한 전체 D램 내에서 HBM이 차지하는 비중은 2분기 4%에서 3분기 6%로 소폭 확대될 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "3대 공급사(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론)가 HBM 등을 이유로 가격 인상에 대한 분명한 의지를 드러내고 있다"며 "4분기에도 이러한 추세가 지속되면서 가격 상승세에 힘을 더할 것"이라고 설명했다.

2024.06.28 09:22장경윤

마이크론, 'HBM3E' 매출 발생 시작…삼성·SK와 경쟁 본격화

마이크론이 인공지능(AI) 특수에 힘입어 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. D램과 낸드 모두 ASP(평균거래가격)이 20% 가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 HBM(고대역폭메모리) 부문이 역시 올해 및 내년 제품이 모두 매진되는 등 호조세를 보여 기대를 모았다. HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품은 최근 1억 달러의 매출을 올렸으며, HBM3E 12단 제품은 내년부터 대량 양산될 예정이다. 27일 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 16.9%, 전년동기 대비 81.5% 증가한 수치다. 증권가 컨센서스인 66억7천만 달러도 넘어섰다. 같은 기간 영업이익은 9억4천만 달러다. 전분기 대비 361% 증가했으며, 전년동기 대비 흑자전환했다. 또한 증권가 컨센서스(8억6천만 달러)를 상회했다. 마이크론의 이번 호실적은 각각 20%에 달하는 D램·낸드의 ASP 상승이 영향을 미쳤다. D램 매출은 47억 달러로 전분기 대비 13%, 전년동기 대비 75.9% 증가했다. 낸드는 21억 달러로 각각 32%, 107% 증가했다. 마이크론은 "데이터센터에서 AI 수요가 빠르게 증가하면서 매출이 연속적으로 크게 성장할 수 있었다"며 "HBM, 고용량 DIMM(듀얼 인라인 메모리 모듈), 데이터센터 SSD 등 고부가 AI 메모리 제품의 비중이 확대됐다"고 설명했다. 특히 HBM의 경우 해당 분기부터 출하량이 본격적으로 증가하기 시작했다. 마이크론이 가장 최근 발표한 HBM3E(5세대 HBM)도 이번 분기 1억 달러 이상의 매출을 발생시켰다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 해당 제품은 엔비디아의 최신 GPU인 'H200'용으로 공급됐다. 현재 마이크론은 HBM3E 12단까지 샘플을 진행한 상태로, 내년에 해당 제품의 대량 생산을 계획하고 있다. 마이크론은 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러, 2025년에는 수십억 달러의 매출을 일으킬 것"이라며 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐으며, 2025년에는 전체 D램 시장 점유율에 상승하는 HBM 시장 점유율을 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 회계연도 2024년 4분기(2024년 6월~8월) 매출 전망치로는 중간값 76억 달러를 제시했다. GPM(매출총이익률)은 34.5%다. 증권가 컨센서스인 매출 75억9천만 달러, GPM 34.5%에 부합하는 수준이다. 마이크론은 "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것"이라며 "특히 DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한하고, 향후 있을 HBM4의 거래 비중도 HBM3E보다 높을 것"이라고 예상했다. 한편 마이크론의 회계연도 2024년 설비투자(Capex) 규모는 최대 80억 달러에 이를 것으로 전망된다. 이 중 전공정(WFE) 분야 투자는 전년 대비 줄이기로 했다. 회계연도 2025년 설비투자는 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상되며, 해당 기간 매출의 30% 중반 내에서 자본 지출이 이뤄질 예정이다. 자본은 대부분 미국 아이다호 및 뉴욕 팹 건설, HBM용 설비투자에 집중된다.

2024.06.27 08:36장경윤

SEMI "세계 반도체 생산능력, 올해 6%·내년 7% 성장할 것"

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최근 보고서를 통해 전 세계 반도체 업계 생산능력은 올해 6%, 내년 7% 성장해 내년 기준 월 3천370만 장(8인치 웨이퍼 환산)에 도달할 것이라고 24일 밝혔다. 5나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에 대한 생산능력은 AI를 위한 칩의 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것으로 예상된다. 특히 인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 주요 공급사들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(게이트-올-어라운드)를 도입하고 있다. 이에 따라 내년에는 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력이 17% 증가할 것으로 예상된다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다”며 "이는 결국 AI가 더 많은 반도체 수요를 이끌어내어 반도체 산업에 투자를 장려하고, 다시 이 투자가 더 발전된 AI 칩을 만들 수 있는 선순환 구조를 창출하고 있다”고 말했다. 지역별로는 중국이 올해 15%, 내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 생산능력을 확보할 것으로 전망된다. 과잉 공급의 잠재적 위험에도 불구하고, 중국 제조사들은 지속적으로 생산능력 확대에 투자하고 있다. 특히 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이 이러한 흐름을 주도하고 있다. 대부분의 다른 지역은 내년 5% 이하의 생산 능력 증가세를 보일 것으로 예상된다. 대만은 내년에 4% 성장한 월 580만 장으로 2위를 차지할 것으로 예상되며, 한국은 올해 처음으로 월 5백만 장을 넘긴 후 내년 7% 성장한 월 540만 장으로 3위를 차지할 것으로 보인다. 산업별로는 파운드리 부문의 생산능력이 올해 11%, 내년 10% 성장한 뒤, 2026년에는 월 1천270만 장에 이를 것으로 예상된다. 메모리 부문은 AI 서버의 증가세에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 등에서 대규모 투자가 발생하고 있다. 이에 따라 D램은 올해와 내년 모두 9%의 성장세를 보이겠다. 반면 3D낸드의 시장 회복세는 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에는 5% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.24 11:34장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

오픈엣지, 日 현지 법인·R&D센터 신설

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지)는 일본 요코하마에 현지 법인인 '오픈엣지스 테크놀로지 재팬(OTJ)' 및 연구개발(R&D) 센터를 설립했다고 18일 밝혔다. 이번 법인 신설은 오픈엣지의 네 번째 글로벌 R&D 조직으로, 미국 및 캐나다에 이어 일본에서도 결성됐다. 앞서 오픈엣지는 지난 10월에도 일본 요코하마에 영업 사무실을 개소한 바 있다. 오픈엣지는 일본 내 팹리스 고객과 디자인하우스 업체를 대상으로 반도체 IP 제품의 적극적인 세일즈 활동을 전개하고 있다. 지난 10월에 개소한 요코하마 사무소는 현지 반도체 IP 수요에 신속하게 대응하고, 고객 요청에 긴밀하게 응대하기 위한 전략적 기지로 기능했다. 이번에 신설된 교토 R&D센터에서는 DDR 메모리 컨트롤러 기술을 중점적으로 개발할 계획이다. 이는 일본 시장의 특성과 수요를 고려한 결정으로, 해당 기술의 혁신을 통해 일본은 물론 글로벌 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다. 이성현 오픈엣지 대표는 “회사 창립 이래로 국내는 물론 글로벌 반도체 IP 시장에서의 입지를 강화하는 것을 목표로 삼고 있다”며 “향후에는 동유럽 등 연구개발 인력이 집중된 지역을 중심으로 글로벌 거점 확대를 지속적으로 검토할 계획”이라고 밝혔다. 한편 오픈엣지의 캐나다 자회사에서는 DDR PHY(물리계층) IP 연구개발을, 미국 자회사에서는 NoC(네트워크-온-칩) IP개발에 주력하고 있다.

2024.06.18 09:45장경윤

낸드 부활에 日 키오시아 '투자 시동'…韓 장비업계 '방긋'

낸드플래시 시장이 완연한 회복세에 접어든 가운데, 일본 주요 제조업체인 키오시아가 내년부터 설비투자를 재개할 전망이다. 이를 위해 국내 장비업계와도 설비 도입을 활발히 논의 중인 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 일본 키오시아는 내년 V8, V9 등 선단 낸드로 공정을 전환하기 위한 설비투자를 진행할 예정이다. 현재 키오시아는 일본 미에현 욧카이치와 이와테현 기타카미 지역에 팹을 운영하고 있다. 두 공장 모두 낸드를 생산하고 있다. 주력 제품은 6세대에 해당하는 112단 낸드 등으로 알려져 있다. 키오시아의 낸드 팹은 메모리 업황의 회복세에 따라 올해부터 가동률을 본격적으로 끌어올리고 있다. 두 팹의 가동률은 1분기 기준 70~80%대로 추산됐으나, 현재는 사실상 '풀가동' 수준에 도달했다. 일본 닛케이아시아는 최근 보도를 통해 "키오시아가 20개월 만에 감산을 종료해 6월 기준으로 주요 공장의 가동률을 100%로 끌어올렸다"며 "올 1분기 103억 엔의 순이익을 기록하면서 6분기 만에 흑자전환에 성공하기도 했다"고 밝혔다. 나아가 키오시아는 V8, V9 등 선단 낸드로의 공정 전환을 위한 투자에 적극 나설 계획이다. 이를 위해 키오시아는 현재 IPO(기업공개)를 추진 중이며, 신규 설비 투자에 따라 일본 정부로부터 2천400억 엔에 달하는 지원금을 받기로 하는 등 재원을 마련하고 있다. 설비투자는 키오시아가 이전부터 추진해 온 프로젝트를 재가동하는 방식으로 진행된다. 앞서 키오시아는 지난 2022년부터 욧카이치와 기타카미에 신규 팹을 하나씩 착공해 왔다. 생산능력은 각각 월 6만장, 2만5천장 수준으로 알려졌다. 그러나 두 팹 모두 낸드 시장의 급격한 부진으로 인해, 투자 일정이 지속 연기된 바 있다. 국내 장비업계와도 투자를 위한 논의를 활발히 진행 중인 것으로 파악됐다. 내년 상반기에는 욧카이치 신규 팹을 위한 마무리 투자가, 하반기에는 기타카미 신규 팹의 본격적인 투자가 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "키오시아 주요 임원진이 올 2분기 초에 국내 장비업체에 방문하기도 하는 등 투자 논의가 적극적으로 진행되는 분위기"라며 "내년 낸드 업황이 더 살아날 수 있다는 신호로 해석된다"고 설명했다.

2024.06.17 11:01장경윤

美 마이크론, 1분기 D램 매출 '껑충'…삼성·SK 추격

미국 주요 메모리 공급업체 마이크론의 1분기 D램 매출이 전분기 대비 두 자릿 수로 상승했다. 이에 따라 업계 1·2위인 삼성전자, SK하이닉스와의 시장 점유율 격차도 좁혀졌다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 1분기 전 세계 D램 매출 규모는 전분기 대비 5.1% 증가한 183억5천만 달러로 집계됐다. 매출 확대의 주요 원인은 ASP(평균거래단가)의 상승이다. 메모리 공급사들이 가격 인상에 적극적인 의지를 보이면서, D램 가격은 지난해 4분기부터 올 1분기까지 꾸준히 상승해 왔다. 특히 모바일 D램이 중국 스마트폰 판매 호조로 가장 높은 가격 상승률을 기록했다. 반면 소비자용 D램 가격은 여전히 높은 고객사의 재고 수준으로 가장 부진한 흐름을 보였다. 기업 별로는 마이크론이 가장 큰 성장세를 기록했다. 1분기 마이크론의 D램 매출은 39억5천만 달러로 전분기 대비 17.8% 증가했다. 시장점유율도 전분기 19.2%에서 1분기 21.5%로 확대됐다. 트렌드포스는 "마이크론은 해당 분기 ASP가 23% 상승한 반면 출하량은 4~5% 감소하는 데 그쳤다"며 "미국 고객사의 주문량 증가, 서버용 D램 출하량 확대 등이 성장을 주도했다"고 설명했다. 삼성전자는 1분기 매출이 80억5천만 달러로 전분기 대비 1.3% 증가했다. 출하량이 한 자릿수 중반 대로 감소했으나, 가격이 20%가량 오르면서 이 같은 영향을 상쇄했다. 다만 시장 점유율은 43.9%로 전분기 대비 1.6%p 하락했다. SK하이닉스는 1분기 매출이 전분기 대비 2.6% 증가한 57억 달러로 집계됐다. 다만 삼성전자와 마찬가지로 시장 점유율은 전분기 대비 0.7%p 감소해 31.1%를 기록했다. 한편 D램 시장은 올 2분기 출하량 면에서도 회복세가 예상된다. 트렌드포스는 "지난 4월 발생한 대만 지진에 따른 불확실성으로 일부 PC OEM 업체들이 당초보다 가격 인상을 수용하는 분위기"라며 "최종 D램 고정거래가격이 13~18% 상승할 것으로 추정된다"고 밝혔다.

2024.06.14 09:52장경윤

파두, 해외기업 매각·투자설에 "사실무근" 반박

국내 팹리스 파두는 복수의 IT 기업으로부터 기업 매각 및 투자 제안을 받았다는 주장에 대해 "사실무근"이라고 13일 밝혔다. 앞서 일각에서는 파두가 글로벌 기업으로부터 15억 달러(한화 약 2조원) 규모의 투자 제안을 받았으나, 해당 제안을 끝내 반려했다는 주장이 제기됐다. 이와 관련 파두는 "당사 임직원은 해당 사실에 대해 알고 있는 바가 없음을 명확히 고지드린다"며 "해당 보도를 한 언론사가 기사의 내용을 확인하기 위해 당사에 사전 문의한 바도 없었다"고 밝혔다. 회사는 이어 "당사는 기업가치 제고와 주주 이익 제고를 위해 최선의 노력을 다하고 있으며, 향후에도 이러한 자세를 견지할 것임을 다시 한번 약속 드린다"고 강조했다. 파두는 데이터센터용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에 필요한 컨트롤러 칩을 주력으로 개발하는 기업이다. 메인보드 및 운영체제가 낸드플래시를 저장 장치로 인식하고 사용할 수 있도록 지원하는 반도체다. 파두의 주요 거래처는 국내 주요 메모리 기업인 SK하이닉스로, 최근에는 미국 웨스턴디지털(WD)과도 기업용 SSD 관련 협력을 체결하는 등 외연을 확장하고 있다.

2024.06.13 13:43장경윤

반도체, 설비 증설이 경쟁력…"보조금 늘려야 韓 시장 입지 사수"

글로벌 주요국들이 자국내 반도체 생산기지 구축을 위해 다양한 정책을 펴고 있는 가운데, 한국이 반도체 공급 역량과 시장지배력을 지키기 위해선 설비 증설 투자가 필요하다는 주장이 산업계에서 나왔다. 기업들의 설비 증설을 촉진하기 위해선 적극적인 보조금 지원이 따라야 한다는 조언도 나왔다. 기업들이 이에 따라 원가를 절약하고, 이에 따른 영업이익 개선이 법인세로 정부에 돌아온다는 주장이다. 주요 국가들은 이미 천문학적 규모의 보조금을 지급하고 있다. 미국 390억 달러(53조원), EU 430억유로(64조원), 일본 2조엔(17조원) 등 생산시설에 보조금을 지원하는 가운데 한국, 대만은 보조금이 없는 실정이다. 대한상공회의소와 딜로이트 안진회계법인은 한국신용평가 자료 등을 분석해 13일 이같은 내용을 담은 '반도체 공급 역량 및 원가 경쟁력 향상 위한 정책과제 보고서'를 발표했다. 보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 반도체 주요 3사의 D램 반도체 공급 증가 요인에서 '설비 증설'이 차지하는 비중은 2018~2020년 8%에서 2020~2022년 53%로 대폭 늘었다. 같은 기간 '기술발전' 요인의 비중은 92%에서 47%로 크게 줄었다. 낸드플래시 역시 공급 증가 요인에서 설비증설이 차지하는 비중은 3%에서 42%로 크게 증가한 반면, 기술발전의 기여도는 97%에서 58%로 크게 줄었다. 보고서는 “선단공정의 미세화 난이도 상승과 물리적 한계 근접에 따라 기술발전보다는 설비증설을 통한 공급 능력 확대가 반도체 생산 역량 확보에 더 주요한 요인으로 변화하고 있다”며 “결국 라인 증설을 위한 대규모 자본 투입과 자금 확보 여부가 점점 더 중요해질 것이고, 글로벌 주요국들이 천문학적 보조금을 쏟아 붓는 이유나 국내에서 보조금 필요성 얘기가 계속 나오는 이유도 이런 배경 때문”이라고 분석했다. 보고서는 반도체 보조금 지급이 원가경쟁력에 미칠 영향에 대한 분석도 내놓았다. 반도체 설비투자 보조금을 미국과 일본 중간 정도인 30% 정도로 지급하게 될 경우 장치산업 특성상 영업비용 대비 약 40% 중반을 차지하는 감가상각비 감소로, 반도체 생산에 최대 10%의 원가 절감 효과가 발생한다고 분석했다. 보고서는 반도체 업계의 재무제표를 토대로 3나노 파운드리와 5나노 파운드리, D램 웨이퍼 1장 생산에 소요되는 영업비용을 추산한 후 보조금 지급에 따른 원가 절감 효과를 도출했다. 3나노 파운드리를 예로 들면, 웨이퍼 1장 생산에 드는 영업비용이 1만1천459달러인데, 보조금 30% 수령 시 장부상 자산가치가 이에 비례해 하락하고 이는 곧 감가상각비 감소로 이어진다. 영업비용 중 46%를 차지하는 감가상각비는 보조금 지급 전 5천271달러였는데, 보조금 지급 후에는 1천581달러 감소한 3천690달러가 된다. 기업은 감가상각비 감소분만큼 영업이익이 증가하게 돼 417달러의 법인세를 추가로 납부하게 된다. 보조금 지급에 따라 기업 입장에서는 영업비용이 절감되고, 정부입장에서는 법인세로 일부 환류되는 효과를 얻을 수 있다는 지적이다. 대한상의는 “경쟁국들은 막대한 보조금을 투입해 원가경쟁력을 빠르게 키워가고 있다”며 “시장 잠식은 물론, 기업의 수익성 개선 효과로 설비‧R&D 투자 역량이 추가 확보돼 반도체 산업의 미래 주도권이 위협받지 않을까 우려된다”고 말했다. 보고서는 “결국 반도체 산업의 핵심은 생산능력과 원가경쟁력”이라며 “설비투자 보조금 지급을 통해 '규모의 경제'를 조기 실현할 수 있도록 돕는 게 가장 중요하다”고 강조했다. 김문태 대한상의 산업정책팀장은 "최근 정부가 발표한 26조원 규모의 반도체 지원책은 소부장 기업을 포함한 반도체 생태계 전반에 도움을 줄 것"이라며 "다만, 반도체 생산 기업 내부의 규모의 경제 달성을 앞당겨 글로벌 시장지배력을 확장하고, 밸류체인상 기술 혁신을 이루기 위해서는 좀더 직접적인 지원 방안을 강화할 필요가 있다"고 말했다.

2024.06.13 12:00김윤희

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

1Q 반도체 장비 청구액 264억 달러...전년比 2% 하락

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 올해 1분기 반도체 장비 청구액이 전년동기 대비 2% 감소한 264억 달러를 기록했다고 11일 밝혔다. 전분기 대비로는 6% 하락한 수치다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "전 세계 반도체 장비 매출액이 소폭 감소했음에도, 반도체 산업에 대한 주요 지역의 전략적 투자와 첨단 기술에 대한 수요가 반도체 장비 시장의 회복세를 촉진할 것"이라고 말했다. 국가별로는 중국이 125억2천만 달러로 가장 큰 규모를 기록했다. 전년동기 및 전분기 대비 각각 113%, 3% 증가했다. 2위 한국은 52억 달러로 전년동기 대비 7% 감소했다. 다만 전분기 대비로는 8% 늘었다. 3위 대만은 23억4천만 달러로 전년동기 대비 66%, 전분기 대비 22% 감소했다. 한편 SEMI 회원사와 일본 반도체 장비 협회(SEAJ)가 제출한 데이터를 바탕으로 작성된 전 세계 반도체 장비 시장 통계 리포트는 글로벌 반도체 장비 산업의 월간 청구액을 자세히 보여준다.

2024.06.11 11:50장경윤

한미반도체, SK하이닉스로부터 HBM용 TC본더 1500억 수주

한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 SK하이닉스로부터 인공지능 반도체 고대역폭메모리(HBM) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC본더 그리핀'을 1천500억원 규모로 수주했다고 7일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 지난해 하반기 1천12억원, 올해 1분기 1천76억원, 그리고 이번 1천500억원 규모의 수주를 더해 누적 3천587억원으로 창사 최대 수주를 또 다시 갱신했다. 한미반도체는 "이번 수주로 한미반도체가 SK하이닉스 HBM 생산 라인에 가장 중요한 TC 본더 장비 공급사로 다시 한번 입증 됐다"며 "회사 매출은 2025년 1조원을 달성할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 곽동신 부회장은 "이번 대만에서 열린 '컴퓨텍스 2024'에서 엔비디아 최고 경영자인 젠슨 황이 언급한 바와 같이, 향후 차세대 GPU인 루빈과 루빈울트라 칩의 HBM 탑재 수량이 늘어날 것으로 밝혔다"며 "HBM 수요 증가 대비와 원활한 TC 본더 공급을 위해 올해 상반기 여섯 번째 공장을 추가 확보하며 고객 만족 향상에 전력을 다하고 있다”고 말했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하고 있다. 지금까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했으며, 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 보여진다. 지난 달 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠로부터 국내 기업 중 유일하게 세계 10대 장비 기업으로 선정된 한미반도체는 코리아 디스카운트를 돌파한 대한민국 대표 반도체 장비 기업으로 평가받고 있다. 최근 3년간 1천500억원 규모의 자사주 신탁 계약을 통해 주주가치 제고와 향상에도 적극적으로 대응하고 있다.

2024.06.07 10:37장경윤

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