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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (178건)

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송재혁 삼성전자 CTO "커스텀 HBM으로 AI 메모리 벽 깬다"

삼성전자가 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 총집결한 '커스텀 HBM(고대역폭메모리)을 앞세워 AI 반도체의 고질적 난제인 '메모리 벽' 돌파에 나선다. 메모리 칩 내부에 직접 연산 기능을 넣는 파격적인 설계와 최첨단 로직 공정을 결합해, 단순한 부품 공급자를 넘어 AI 아키텍처의 설계자로서 주도권을 잡겠다는 전략이다. 송재혁 삼성전자 CTO(사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 '비욘드(Beyond) ZFLOPS: AI 시스템의 미래 아키텍팅'을 주제로 삼성의 차세대 반도체 로드맵을 발표했다. 송 사장은 "현재 GPU(그래픽처리장치) 성능은 비약적으로 성장하고 있지만, 메모리 대역폭의 증가 속도는 이를 따라가지 못해 AI 시스템 발전의 허들이 되고 있다"고 진단했다. 이러한 불균형을 해결할 삼성전자의 핵심 병기는 '커스텀 HBM'이다. 기존 HBM이 데이터를 전달하는 통로 역할에 충실했다면, 삼성의 커스텀 HBM은 메모리 하단부인 '베이스 다이' 내부에 '컴퓨트 코어'를 이식하는 '컴퓨트 인 베이스 다이' 아키텍처를 채택했다. 이 기술을 적용하면 GPU와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동이 최소화되어 연산 효율이 극대화된다. 삼성전자에 따르면 커스텀 HBM 기반 시스템은 기존 GPU 구조 대비 전력 대비 성능이 약 2.8배 향상되는 것으로 확인됐다. "메모리+파운드리" 원팀 시너지… "삼성만이 가능한 영역" 송 사장은 삼성 커스텀 HBM의 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 동력으로 삼성전자의 '토탈 솔루션' 역량을 강조했다. 회사는 최첨단 D램, 초미세 로직 공정 파운드리(반도체 위탁생산), 어드밴스드 패키징 기술을 전 세계에서 유일하게 보유했다. 이러한 강점을 살려 시장 리더십을 차지하겠다는 계획이다. 송 사장은 "단일 기업 내에서 메모리와 로직의 시너지를 극대화함으로써 AI 시장이 요구하는 폭발적인 기능을 가장 효율적으로 지원할 것"이라고 자신했다. HBM4 넘어 'zHBM'으로…3D 메모리 시대 예고 삼성전자는 이날 기조연설에서 HBM4(6세대) 이후의 미래형 아키텍처인 'zHBM'의 세부 사양도 처음으로 공개했다. zHBM은 기존 평면적인 배치를 넘어 완전한 3D 적층 구조를 지향한다. 제품의 명칭이 zHBM인 것도, HBM을 패키징할 때 z축(수직)으로 쌓았기 때문이다. zHBM은 멀티 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 기술을 통해 수만 개의 I/O(입출력 단자)를 확보하며, 이를 통해 차세대 HBM 대비 대역폭은 4배 이상 높이고 전력 소비는 75% 절감하는 혁신적인 성능을 목표로 하고 있다. 또한 소자 레벨에서 혁신도 가속화한다. 삼성은 차세대 트랜지스터 구조인 CFET 연구 결과를 공유하며, 기존 구조 대비 채널 반응 속도가 20% 이상 빨라졌음을 확인했다고 밝혔다. 아울러 저전력 구현을 위한 산화물 반도체 채널 적용 등 미세 공정의 한계를 넘기 위한 기술 개발도 순항 중임을 시사했다. 송 사장은 "가상 세계를 넘어 현실을 인식하고 행동하는 '피지컬 AI(Physical AI)' 시대가 머지않았다"며 "삼성 반도체는 최적화된 시너지 솔루션을 통해 인류의 진화에 기여할 준비가 되어 있다"고 말했다.

2026.02.11 15:07전화평 기자

SK하이닉스, 차세대 낸드 판도 흔든다…'AIP' 기술 적용 검토

SK하이닉스가 차세대 고적층 낸드를 구현하기 위한 혁신 기술로 'AIP(All-In-Plug)'를 개발하고 있다. 기존 낸드가 핵심 공정을 세 번에 걸쳐 진행했다면, AIP는 해당 공정을 단 한번만 진행해 제조비용을 크게 줄이는 것이 골자다. 이성훈 SK하이닉스 부사장은 11일 서울 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 3번 진행하던 낸드 핵심 공정, 단 한번에 이 부사장은 "반도체 공정의 기술 난이도가 굉장히 가파르게 올라가면서, 지난 10년간 해왔던 방식으로는 이를 따라기 힘들 것이라 판단하고 있다"며 "이에 SK하이닉스는 축적된 기술을 바탕으로 다음 세대의 공정 난이도를 예측하는 플랫폼을 구축했다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 차세대 D램 및 낸드 구현을 위한 선행기술을 검토하고 있다. 특히 낸드 분야에서는 적층 수 향상에 따른 비용 증가를 낮추기 위한 'AIP'와 같은 혁신 기술을 검토 중인 것으로 알려졌다. AIP는 낸드 구현의 핵심인 HARC(고종횡비; High Aspect Ratio Contact) 식각 공정과 관련돼 있다. 식각은 반도체 제조공정에서 특정 물질을 깎는 과정을 뜻한다. 낸드를 만들기 위해서는 메모리의 최소 저장 단위인 셀을 수백 층 쌓고, 각 층을 연결하는 채널 홀(구멍)을 뚫어야 한다. 이 채널 홀을 일정한 너비로 더 좁게, 더 깊게 뚫을수록 낸드 성능을 높일 수 있다. 다만 식각 공정은 난이도가 높아, 전체 낸드 층에 한 번에 구멍을 뚫는 것이 불가능했다. 이에 업계는 낸드의 식각 공정을 2번, 혹은 3번으로 나눠 진행한 뒤, 이를 묶는 기술을 채택해 왔다. 예를 들어, 300단 낸드를 100단+100단+100단으로 나눠 각각 구멍을 뚫고, 다시 본딩 공정을 통해 연결하는 방식이다. SK하이닉스의 가장 최신 세대인 321단 낸드도 3번 식각을 진행하는 '트리플 스택'을 채용하고 있다. 이 경우 낸드를 안정적으로 제조 가능하지만, 식각 공정을 3번이나 진행해야하기 때문에 제조 비용 및 쓰루풋(생산성) 면에서는 효율이 좋지 못하다. 때문에 SK하이닉스는 300단 이상의 고적층 낸드도 한 번에 HARC 식각을 진행하는 AIP 기술에 관심을 쏟고 있다. 해당 기술이 실제 양산 공정에 적용되면, V11 등 차세대 낸드에서부터 HARC 공정 수와 비용이 크게 감소할 것으로 전망된다. 이 부사장은 "고적층 낸드를 구현하기 위해 HARC 식각 공정 수가 늘어나것이 제조비용 증가의 가장 큰 요인"이라며 "이를 억제하기 위해 HARC 공정들을 합쳐서 한 번에 구현할 수 있을지를 고민하고 있다"고 말했다.

2026.02.11 13:41장경윤 기자

D램 구조적 공급 부족 직면…"생산능력 매년 5% 미만 성장"

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 주도하는 D램 시장이 중장기적인 공급 부족 현상에 직면할 전망이다. AI 인프라 투자 규모가 매년 빠르게 확대되는 반면, D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 지난해부터 오는 2030년까지 연평균 4.8% 수준으로 비교적 낮은 성장세가 예상되기 때문이다. 클락 청 세미(SEMI) 연구위원은 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기자간담회에서 향후 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 클락 청 위원은 "전세계 빅테크 기업들이 AI를 중심으로 투자 속도를 앞당기고 있다"며 "특히 메모리 반도체와 패키징이 AI 인프라에서 중요해지고 있어, 한국의 반도체 생태계가 강점을 지닐 것"이라고 밝혔다. 실제로 마이크로소프트, 구글, 아마존, 메타 등 4대 CSP(클라우드서비스제공자)의 AI 인프라 지출은 크게 늘어나는 추세다. 지난 2024년에서 오는 2028년까지 연간 지출 규모 성장률은 38%에 이를 전망이다. 클락 청 위원은 "오는 2027년에는 글로벌 반도체 매출 규모와 4대 CSP를 포함한 전체 기업들의 AI 인프라 투자가 각각 1조 달러를 넘어서게 될 것"이라고 강조했다. 당초 업계는 글로벌 반도체 매출이 1조 달러를 기록하는 시점을 2030년으로 전망해 왔는데, 크게 앞당겨진 셈이다. 거대한 AI 수요로 D램 시장은 장기적인 공급 부족 현상에 직면할 가능성이 크다. SEMI에 따르면, 연간 D램 생산능력 증가율은 지난해부터 오는 2030년까지 4.8%로 전망된다. AI 인프라 투자 성장률을 고려하면 낮은 수준이다. 클락 청 위원은 "메모리 공급사들이 원칙적으로 신규 투자를 보수적으로 하고 있고, 캐파 증가분도 상당량을 고대역폭메모리(HBM)가 흡수할 것"이라며 "또한 공정 기준으로는 15나노미터(nm) 이하의 선단 분야에 투자가 집중돼, 레거시 및 특수 목적의 D램 공급은 더 제한될 예정"이라고 설명했다. 다만 AI 수요가 예상보다 빠르게 증가함에 따라, 향후 3년간 D램 생산능력 전망이 상향 조정될 가능성도 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업들의 팹 투자 규모는 확대될 전망이다. 클락 청 위원은 "한국의 팹 투자 규모는 2026~2028년 연간 400억 달러 수준으로 크게 확대될 것"이라며 "80% 이상이 D램과 낸드와 관련한 투자로, 일부 첨단 로직 투자는 미국에서 진행될 것"이라고 말했다.

2026.02.11 10:17장경윤 기자

한미반도체, 지난해 매출 5767억원…창사 이래 최대

한미반도체는 지난해 연간 매출 5767억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 1980년 창사 이래 최대 매출 실적을 달성했다고 9일 밝혔다. 영업이익률은 43.6%를 기록하며 업계 최고 수준의 수익성을 유지했다. 2024년에 이어 2년 연속 창사 최대 매출을 경신한 배경은 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 인정받은 결과로 분석된다. 특히 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) TC 본더가 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 매출 성장을 견인했다. 올해 역시 글로벌 AI 반도체 시장은 하이엔드 HBM 수요 급증으로 글로벌 메모리 기업들의 설비투자가 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상된다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 약 13.0% 증가한다고 전망했다. 실제로 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산하고, 올해 말과 내년 초 HBM4E 양산 준비를 앞두고 있어 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 크게 확대될 전망이다. 그 중심에는 삼성전자, SK하이닉스,마이크론, 중국 업체들이 있다. 특히 마이크론은 2025년 12월 실적 발표를 통해 2026년 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4000억원)에서 200억 달러(약 29조3000억원)로 상향 조정하고 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 실제로 마이크론은 2024년 8월 대만 AUO의 디스플레이 팹을 인수한데 이어, 2025년부터 싱가포르 우드랜즈지역에 D램, 낸드 첨단 웨이퍼 제조공장 건설에 착수했다. 이와 함께 일본 히로시마에 증설 확대, 미국에 축구장 800개 규모의 메가팩토리 증설 계획을 연이어 발표했다. 특히 싱가포르를 AI 반도체(HBM,HBF) 생산거점으로 구축하며, 향후 5년간 글로벌 AI 반도체 주도권 확보를 위한 공격적인 행보를 이어 나가고 있다. 이 같은 마이크론의 공격적인 HBM 생산설비 투자 확대는 지난해 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받으며 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상한 한미반도체 TC 본더의 매출 증가에 크게 영향을 미칠 것으로 전망된다. 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 고객사와 소통하고 있다. 한미반도체는 올해 AI 시스템반도체 분야에서도 신규 장비 출시를 예고했다. 이는 부가가치가 높은 AI 패키지 분야에 채택되는 다양한 본딩 장비로 HBM 코어다이, 베이스다이 그리고 GPU·CPU를 통합하는 AI 반도체 패키지와 CPO(Co Packaged Optics) 패키징 분야에 활용되는 핵심 장비(빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더, 다이 본더)이며, 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 우주항공 분야 핵심 장비 판매에도 적극 나서고 있다. EMI 쉴드 장비는 우주탐사용 로켓, 저궤도 위성통신(LEO), 방산용 드론에 적용되는 필수장비다. 한미반도체는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 선보인 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 계속 유지하고 있으며, 최근 4년 연속 글로벌 항공우주 업체에 EMI 쉴드 장비 라인를 독점 공급하며 기술 경쟁력을 입증했다. 한미반도체 관계자는 “AI 반도체 시장의 지속적인 성장과 글로벌 반도체 기업의 적극적인 투자 확대로 HBM 수요는 그 어느 때보다 높을 것으로 예상하고 있다. 이에 힘입어 한미반도체는 2026년과 2027년에도 창사 최고 실적을 경신할 것으로 전망한다”며 “차세대 제품 개발과 생산능력 확충을 통해 글로벌 반도체 장비 시장에서 리더십을 더욱 강화해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

2026.02.09 10:00장경윤 기자

AI 인프라 투자 300조 더 는다…삼성·SK 메모리 슈퍼사이클 '청신호'

세계 4대 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 올해 AI 인프라 투자에 6,600억 달러(한화 약 970조원)을 투자한다. 지난해 대비 2,000억 달러(약 293조원) 가까이 증가한 규모다. 최근 불거진 'AI 거품론' 속에서도 투자 공세를 이어가겠다는 기조로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 상당한 수혜를 입을 것으로 기대된다. 7일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 당초 예상보다 크게 늘리고 있다. 최근 실적을 발표한 아마존은 올해 AI 인프라 투자 규모를 2,000억 달러(약 293조원)로 제시했다. 이는 증권가 전망치인 1446억 달러를 크게 웃도는 수치다. 지난해 총 투자규모인 1250억 달러와 비교해도 60%나 증가했다. 앤디 재시 아마존 CEO는 "기존 서비스에 대한 강력한 수요와 AI·반도체·로봇공학·저궤도 위성 등 중대한 기회를 고려한 것"이라며 "투자 자본에 대해 장기적으로 높은 수익률을 기대한다"고 설명했다. 메타는 올해 AI 관련 설비투자 규모가 최대 1,350억 달러에 이를 것이라고 밝혔다. 지난해 투자 규모인 772억 달러 대비 74%가량 늘었다. 구글은 최대 1850억 달러, 마이크로소프트는 1,400억 달러로 역시 전년 대비 규모가 크게 늘었다. 이들 4개 기업의 총 투자 규모는 6,600억 달러에 이른다. 4,000억 달러대인 지난해와 비교하면 2,000억 달러 가량 늘어난 수준이다. 최근 IT 업계는 막대한 투자 대비 불확실한 매출 성장으로 'AI 거품론'에 휩싸이고 있다. 여기에 AI 데이터센터에 필수적인 메모리 반도체 수급난이 심화되면서, 투자 비용 역시 급증하는 추세다. 그럼에도 CSP 기업들은 AI 인프라 투자를 오히려 가속화하고 있다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 기업들의 강력한 매출 성장 전망치에 힘을 실어주는 기폭제가 될 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스는 AI 가속기에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 시장을 주도하고 있다. 또한 이들 기업이 생산하는 서버용 D램, 기업용 SSD(eSSD) 등은 AI 데이터센터 시장에서 수요가 매우 높다. 반도체 업계 관계자는 "최근 메모리 공급난이 극심함에도 불구하고, CSP 기업들은 이번 실적발표를 통해 투자비용에 대한 부담 대신 더 공격적인 기조를 나타냈다"며 "AI 고도화의 주역인 메모리반도체 기업들 입장에서는 매우 반가운 소식"이라고 밝혔다.

2026.02.08 08:58장경윤 기자

SK하이닉스, 성과급 2964% 책정…사상 최대 실적에 '통 큰' 보상

지난해 역대 최대 실적을 기록한 SK하이닉스가 임직원에게 기본급(연봉의 20분의 1)의 2964%를 성과급으로 지급하기로 했다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 올해 '초과이익분배금(PS)'의 지급률을 2964%로 책정했다. 지급일은 오는 5일이다. 연봉이 1억원일 경우 1억4800만원을 받게 되는 셈이다. PS는 연간 실적에 따라 영업이익의 10%를 재원으로 활용해, 1년에 한 번 연봉의 일정 비율을 지급하는 SK하이닉스의 성과급 제도다. 올해 지급분부터는 지난해 하반기 노사가 새롭게 도출한 PS 지급 기준이 적용됐다. 새 기준은 기존 PS 지급 한도(최대 1천%)를 폐지하고, 전년 영업이익의 10% 전체를 재원으로 상정한다. 이 중 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해 지급되고, 나머지 20%(매년 10%씩)는 2년에 걸쳐 이연 지급된다. 최근 업계에서는 AI 반도체 역량 확보 경쟁이 본격화됨에 따라 설비 투자와 더불어 핵심인재 확보·유지가 경쟁력의 핵심 요소가 되고 있다. 이에 SK하이닉스도 역대 최고 수준의 성과급을 책정한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "성과급을 포함해 우수 인재에게 차별화된 보상을 적용하는 SK 하이닉스의 보상체계는 단기적 사기 진작을 넘어, 최고 수준의 연구 개발 경쟁력을 확보하고 미래 더 큰 성장이 지속될 수 있는 기반을 강화하는 투자"라고 밝혔다. 회사는 이어 "특히 날로 치열해지는 글로벌 환경에서 국가 경쟁력 강화를 위한 반도체 인재 유출 방지, 글로벌 핵심 인재 확보 등 장기적 경쟁 우위를 유지할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2026.02.04 17:31장경윤 기자

삼성·SK, 낸드 마진율 역대 최대치 찍는다…"10년 간 없던 일"

삼성전자·SK하이닉스가 올 상반기에도 공격적인 낸드 가격 인상에 나선다. 이에 양사의 낸드 마진율이 40~50%대를 기록할 가능성이 유력하다. 업계는 지난 2017년 메모리 슈퍼사이클 이후 근 10년만에 낸드 제품이 사상 최대의 수익성을 거둘 것으로 기대하고 있다. 4일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 상반기 낸드 마진율은 40~50%에 육박할 것으로 관측된다. 양사의 낸드 마진은 지난해 4분기 기준으로 20%대까지 상승한 것으로 추산된다. 세부적으로는 쿼드레벨셀(QLC) 비중이 더 높은 SK하이닉스가 삼성전자 대비 수익성이 더 높았다. QLC는 메모리의 최소 저장 단위인 셀(Cell) 하나에 4비트를 저장하는 기술로, 고용량 구현에 용이해 서버용 SSD에 활발히 채택되고 있다. 최근 전 세계 빅테크 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자를 진행하면서, 서버용 SSD 수요는 빠르게 증가하고 있다. 특히 엔비디아가 QLC만이 아니라 트리플레벨셀(TLC; 셀 당 3비트 저장) 제품까지 적극 주문하는 추세다. 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기에도 고부가 제품을 중심으로 낸드 가격을 크게 올릴 계획이다. 시장조사업체 트렌드포스는 낸드의 평균판매가격(ASP)이 지난해 4분기 33~38% 증가하고, 올해 1분기에는 55~60%로 더 큰 폭의 상승세를 기록할 것으로 분석했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스의 낸드 마진은 올 상반기 40~50%에 도달할 가능성이 유력하다. 업계에선 그간 발생했던 메모리 슈퍼사이클 중에서도 전례를 찾기 힘들 정도의 높은 수익성으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "낸드 마진율이 40~50%대에 달하는 건 지난 2017년, 메모리 슈퍼사이클과 3D 낸드가 본격적으로 성장하던 시기 이후 처음 있는 일"이라며 "30%대 마진율 달성도 매우 어려운데, 이렇게 단기간에 수익성이 높아지다니 매우 놀랍다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "낸드 가격이 올 1분기와 2분기 계단식으로 상승할 것이라는 전망은 이미 확실시된 상황"이라며 "메모리 공급사가 낸드용 설비투자에 보수적으로 나섰던 게 극심한 공급난을 일으키고 있다"고 설명했다.

2026.02.04 09:29장경윤 기자

ISC, 2025년 매출 2202억원…역대 최대 실적

글로벌 반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시는 2025년 매출 2202억원, 영업이익 601억원의 경영실적을 기록했다고 4일 밝혔다. 매출은 전년 대비 26%, 영업이익은 34% 증가해 역대 최대 연간 실적을 새로 기록했다. 4분기 성장세는 더욱 두드러졌다. 4분기에는 AI GPU뿐만 아니라 ASIC과 하이엔드 메모리 수요도 증가하였고 이에 적극 대응한 결과 분기 기준 사상 최대 실적을 다시 경신했다. 전분기 대비 매출은 12% 증가한 723억원, 영업이익은 26% 증가한 219억원, 영업이익률은 30%를 기록하며 세 지표 모두 증가했다. 전년 동기로는 매출은 84%, 영업이익은 192% 증가해 기술 경쟁력과 양산 경쟁력을 확보했음을 입증했다. 아이에스시는 “AI 중심으로 재편되는 수요에 맞춰 기술 경쟁력 강화와 고부가 제품 비중을 확대, 테스트 장비·소재로 포트폴리오를 다변화해 수익성과 성장성을 동시에 확보한 전략적 대응의 결과”라고 강조했다. 구체적으로 살펴보면 비메모리 분야에서는 AI GPU와 ASIC을 포함한 AI 반도체 테스트 소켓 매출이 전년 대비 115% 성장해 역대 최대 실적 달성에 기여했다. 일반 비메모리도 고객사를 다양화하고 비메모리 양산 테스트 중 고부가로 평가받는 시스템레벨 테스트 비중이 전체 양산 매출의 50%를 넘어서면서 경쟁력을 입증했다. 메모리는 HBM 테스트 솔루션 개발을 하반기에 완료하고, 고부가 하이엔드 메모리 중심으로 글로벌 고객사 수요에 대응하며 매출 성장세를 이어가고 있다. 어플리케이션 측면에서는 AI데이터센터향 테스트 소켓 매출이 전년대비 88% 성장했고, 분기 스마트폰 분야에서도 글로벌 고객사들의 양산 테스트 시장 점유율을 확대해가고 있다. 또한 자율주행, 로보틱스 분야에서도 신규 고객사를 확보해 포트폴리오 다변화에도 힘쓰고 있다고 강조했다. 나아가 아이에스시는 대면적, 고주파 테스트에 최적화된 테스트 소켓을 안정적으로 공급할 수 있는 기업으로서 확보된 고객신뢰를 바탕으로 기술 차별화는 물론 우수한 품질과 양산 역량을 강화한다는 방침이다. AI반도체 테스트 소켓 시장에서 지속적인 리더십을 확보하는 것은 물론 고객사 협력 체계를 강화해 차세대 HBM으로 평가받는 고대역폭플래시(HBF)와 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소비 및 발열을 획기적으로 줄여 AI 데이터센터의 고대역폭 요구를 충족시키는 차세대 기술로 평가받는 CPO(Co-Packaged Optics)에서도 최적의 제품을 공급한다는 계획이다. 아울러, SOCAMM2와 GDDR7 등 하이엔드 메모리 시장 내 점유율을 확대할 방침이다. 비메모리에서는 데이터센터 외에 스마트폰, 차량용, 로보틱스 등 어플리케이션을 다변화해 실적 성장을 견인한다는 계획이다. 한편 아이에스시는 사상 최대 실적을 통해 확보한 견고한 현금 창출력을 바탕으로, 대규모 선제적 CAPEX 투자와 주주환원을 병행하는 균형 잡힌 자본배분 전략을 명확히 했다. CAPEX는 고객 수요 충족을 최우선으로 고려해 베트남 1기팹의 양산 역량을 강화하고 1기팹 대비 3배 규모인 2기팹 신설을 연내 완료해 중장기 생산 기반을 안정적으로 확충한다는 방침이다. 또한 이원화된 국내 생산 사이트 통합과 제조 AX 적용으로 경영 효율성을 최적화시켜 고객 수요 변화에 유연하게 대응할 계획이다. 회사는 2025년 결산 배당으로 총 174억원 규모, 주당 850원의 현금배당을 결정했다. 이는 배당성향 32% 수준으로 전년 대비 2%p 상승한 규모이며 역대 최대 CAPEX 투자 집행 국면에서도 주주환원 기조를 한 단계 상향한 결정이다. 김정렬 아이에스시 대표이사는 “아이에스시는 차별화된 기술 경쟁력을 기반으로 실적의 질적 성장을 이어가는 동시에, 미래 성장을 위한 투자와 주주가치 제고를 병행하는 기업”이라며 "단기 실적을 넘어 지속 가능한 현금창출 구조를 토대로 한 안정적 주주환원 정책을 통해 시장의 신뢰에 보답하겠다”고 밝혔다. 김 대표는 이어 “단순한 테스트 소켓 공급자를 넘어, AI 인프라 구축에 필수적인 핵심 테스트 솔루션 플랫폼 기업으로 진화하고 있으며, 이러한 구조적 성장의 성과를 공유해 나갈 것”이라고 강조했다.

2026.02.04 09:25장경윤 기자

삼성·SK, 2분기 최첨단 낸드 전환투자 본격화

삼성전자, SK하이닉스의 최첨단 낸드 투자가 본격화된다. 그간 D램에 우선순위가 밀려 일정이 연기돼왔으나, 최근 구체적인 투자 계획이 잡히고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업 주도로 수요가 급증하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 2분기 최첨단 낸드에 대한 전환투자를 진행할 계획이다. 삼성전자는 지난 2024년 9월 280단대의 V9(9세대) 낸드 양산을 시작한 바 있다. 다만 현재까지 생산능력은 매우 적은 수준으로, 도합 월 1만5천장 내외로 추산된다. 당시 삼성전자가 시장 수요 부족 등으로 평택캠퍼스에 초도양산 라인만을 도입했기 때문이다. 다만 올 2분기부터는 V9 낸드 생산능력 확대를 위한 투자가 진행될 예정이다. 거점은 중국 시안에 위치한 X2 라인이다. 현재 해당 라인에서는 6~7세대급 구형 낸드가 양산되고 있다. 인근 X1 라인의 경우 8세대 낸드로 전환이 대부분 마무리됐다. 논의되고 있는 전환투자 규모는 월 4~5만장 수준이다. 설비투자 시점을 고려하면, V9 낸드는 내년부터 램프업(Ramp-up; 양산 본격화) 단계에 접어들 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "당초 삼성전자가 1분기에 시안 X2 라인에서 V9 낸드 전환을 진행하려고 했으나, 일정이 다소 밀려 2분기에 시작될 예정"이라며 "평택 제1캠퍼스(P1)에서도 V9 낸드 전환투자가 준비되고 있어, 제품 생산 비중이 내년 크게 늘어날 수 있다"고 말했다. SK하이닉스 역시 2분기 321단의 9세대 낸드 전환투자를 계획하고 있다. 올 2분기 청주 M15에서 월 3만장 내외의 V9 생산능력을 확보하는 것이 주 골자다. 현재 해당 낸드 생산능력이 월 2만장 수준임을 감안하면, 적지 않은 투자 규모다. 업계 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스 모두 최첨단 낸드 수요 확대 전망에 대응하기 위해 전환투자를 계획 중"이라며 "그간 양사 설비투자 전략이 D램에만 집중돼 왔으나, 낸드 역시 빠르게 품귀현상이 나타나고 있는 상황"이라고 설명했다.

2026.02.02 15:42장경윤 기자

HBM 공급 프로세스 달라졌다…삼성·SK 모두 리스크 양산

고대역폭메모리(HBM) 상용화 프로세스가 변화하고 있다. 기존 반도체는 샘플을 통한 고객사와 퀄(품질) 테스트를 완료한 뒤, 공식적으로 양산에 들어서는 것이 일반적이었지만 HBM 공급 과정에서는 핵심 고객사 수요에 맞추기 위해 인증 완료 전 양산을 선제적으로 진행 중이다. 1일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM 수요에 대응하기 위해 테스트가 마무리되기 전부터 HBM4를 선제적으로 양산하고 있다. 리스크 안고 선제 양산…삼성·SK 모두 HBM4 상용화 자신감 먼저 실적을 발표한 SK하이닉스는 "HBM4는 지난해 9월 양산체제 구축 이후 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. SK하이닉스 안팎의 이야기를 종합하면, 해당 양산은 실무단에서 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산이란 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. 리스크 양산을 진행하는 이유는 리드타임(제품 공급에 필요한 총 시간)에 있다. 통상 HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해 4개월가량 시간이 소요된다. 인증을 완료한 뒤 제품 양산에 돌입하면 내년 엔비디아의 AI가속기 출시 스케쥴에 맞춰 HBM을 적기 공급하기가 사실상 어렵다. 생산능력이 제한돼 있고, 초기 수율 저하 문제로 출하량을 단기간에 크게 늘릴 수도 없다. 리스크 양산은 수요가 불확실해지거나 제품에 심각한 오류가 발생하는 경우, 공급사가 재고를 떠안게 된다는 점에서 손실 위험이 존재한다. 그만큼 내부적으로 상용화에 대한 의지나 확신이 없으면 진행하기가 힘들다는 뜻이다. 삼성전자 역시 실적발표에서 "당사 HBM4는 성능에 대한 고객사 평가로 이미 정상적으로 제품을 양산 투입해 생산 중"이라며 "고객사 요청으로 2월부터 최상위 등급인 11.7Gbps 제품을 포함해 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자도 지난해 하반기부터 HBM4 리스크 양산에 돌입한 것으로 풀이된다. 이달 말 기준으로, 삼성전자·SK하이닉스 모두 엔비디아향 HBM4 테스트를 아직 진행 중에 있다. 엔비디아가 제시한 공식적인 퀄 테스트 종료 시점은 1분기 말이다. 삼성전자는 이전 제품인 HBM3E까지 엔비디아향 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 다만 HBM4에서는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램, 더 고도화된 베이스 다이(HBM)의 컨트롤러 역할을 담당하는 칩를 채용해 성능을 끌어올렸다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아가 요구하는 최대 11.7Gbps급 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 내부에서는 "곧 엔비디아와 테스트가 마무리될 예정"이라는 이야기도 나온다. 이번 양산 출하 발표 역시 이러한 분위기에 기인했다는 평가다. SK하이닉스는 공식적인 언급은 피하고 있으나, 최근까지 HBM4 샘플에 대한 개선작업을 진행한 것으로 파악된다. 가혹한 환경 조건에서 11.7Gbps급 성능 구현이 삼성전자 대비 힘들다는 의견도 제기되고 있다. 결함의 경중 정도나 핵심 원인에 대해서는 업계 내부에서도 의견이 엇갈린다. 다만 SK하이닉스가 본격적인 양산 램프업(본격화) 시점을 당초 대비 다소 미루고 있다는 점은 확실시되고 있다. HBM4 양산용 소재·부품 발주 스케줄이 이달까지 확정되지 않고 있어서다. 개별 공급 시기보다 공급망 전체 상황 봐야…"결국 윈-윈" 최근 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급망을 두고 날선 신경전을 벌이고 있다. 두 회사 중 누가 먼저 HBM4에 대한 정식 PO(구매주문)을 발표할 지에 대한 시장의 관심도 또한 높다. 그러나 업계는 현재 공급되는 샘플에 심각한 불량이 발생하지 않는 한, 삼성과 SK 모두 엔비디아향 HBM4 공급을 순조롭게 진행할 수 있을 것으로 보고 있다. 이유는 공급과 수요 간 '균형'에 있다. 현재 엔비디아가 요구하는 HBM4 최고 전송속도 성능은 11.7Gbps다. 다만 삼성전자·SK하이닉스가 최고등급(Bin1) 제품만을 선별하는 경우, 수율 및 안정성 문제로 충분한 양을 공급하지 못할 가능성이 크다. HBM4는 전작인 HBM3E 대비 데이터를 주고 받는 입출력단자(I/O) 수가 2배로 늘어 수율 확보가 더 어렵다. 삼성전자·SK하이닉스 입장에서도 생산능력을 확대할 여력이 없다. 올해 HBM 공급은 공격적인 AI 인프라 투자로 전체 수요를 따라가지 못하고 있다. 특히 구글 등 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 HBM 수급 비중을 크게 늘리면서, 전년에 비해 공급난은 훨씬 심각해진 상황이다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 활용할 것으로 예상하고 있다. 실제로 삼성전자·SK하이닉스는 그간 엔비디아와 다양한 속도의 HBM4 샘플 테스트를 진행해온 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업계 전반에서 삼성전자의 HBM4 기술력을 SK하이닉스 대비 더 높게 평가하는 것은 사실이나, 전체 HBM 시장 관점에서는 두 기업 모두 무난하게 HBM 사업이 확대될 가능성이 유력하다"며 "HBM4 속도 외에도 제품 신뢰성, 공급망 안정성 등 고려해야할 요소가 많다"고 설명했다.

2026.02.01 10:05장경윤 기자

아이폰17 흥행했는데...애플 발목 잡은 이것

반도체 공급망을 둘러싼 애플의 고민이 깊어지고 있다. 최신형 스마트폰인 '아이폰 17'이 흥행가도를 달리고 있지만, 메모리 단가 인상에 따른 영향이 올해 본격화될 전망이기 때문이다. 스마트폰의 두뇌 역할을 담당하는 시스템반도체 역시 공급 제약이 심화되고 있다. 29일(현지시간) 애플은 회계연도 2026년 1분기(2025년 12월 27일 마감) 실적발표를 통해 향후 사업 전략 및 전망에 대해 밝혔다. 애플의 해당 분기 매출은 1천438억 달러(한화 약 206조원)로 전년동기 대비 16% 증가했다. 특히 아이폰 매출은 853억 달러로 전년동기 대비 23% 증가했다. 가장 최신형 제품인 '아이폰 17' 시리즈가 전세계 주요 시장에서 사상 최고 매출 기록을 경신한 덕분이다. 아이폰 17의 흥행에 따라, 애플은 다음 분기 매출 전망치에 대해 증권가 컨센서스를 웃도는 13~16% 성장을 제시했다. 총마진률도 전분기와 유사한 48~49%를 기록할 것으로 내다봤다. "메모리 영향, 점점 커져"…하반기 불확실성 ↑ 그러나 시장에서는 애플의 향후 수익성 저하를 우려하는 질문이 이어졌다. 지난해 하반기부터 메모리 공급난이 심화되면서, 아이폰에 탑재되는 LPDDR(저전력 D램) 가격도 지속적인 상승 압박을 받고 있어서다. 실제로 주요 메모리 공급처인 삼성전자, SK하이닉스는 올 1분기 애플향 LPDDR 단가를 이전 대비 2배 가까이 인상했다. 삼성전자는 80% 이상, SK하이닉스는 100% 이상 올렸다. 모바일용 낸드 역시 단가가 크게 인상된 것으로 알려졌다. 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)는 "회계연도 1분기 총마진에는 메모리의 영향이 미미했으나, 2분기에는 영향이 다소 커질 것으로 예상한다"며 "메모리 가격이 상당히 상승하고 있는 것은 사실이며, 항상 그렇듯 다양한 대응 옵션을 검토할 것"이라고 밝혔다. 현재 애플은 메모리 가격 상승에도 단기적으로 높은 마진률을 유지할 수 있을 것으로 보고 있다. 전체 아이폰 매출에서 아이폰 17의 비중을 늘리고, 서비스 분야의 사업 비중 확대하는 등의 대응책으로 수익성을 방어하겠다는 계획이다. 변수는 올 하반기다. 삼성전자·SK하이닉스 등 메모리 공급사의 D램 재고는 올 하반기까지 낮은 수준에 머무를 전망이다. 올 하반기 신형 스마트폰인 '아이폰 18' 시리즈 출시에 맞춰 메모리 단가가 더 인상될 경우, 애플의 수익성 유지가 힘들어질 가능성이 크다. 애플이 차세대 아이폰의 가격을 올릴지에 대해서도 관심이 쏠린다. 이와 관련한 질문에 팀 쿡 CEO는 "해당 사안에 대해서는 추측하고 싶지 않다"며 말을 아꼈다. 양승수 메리츠증권 연구원은 "애플의 주가는 시장 컨센서를 상회하는 강력한 실적을 발표했음에도 강보합 수준에서 마감했다"며 "향후 분기에서 메모리 가격 상승세를 상쇄할 수 있는 구체적인 대응 전략은 제시하지 못했기 때문으로 판단된다"고 밝혔다. 시스템반도체도 수급 제약…첨단 파운드리 수요 몰린 탓 아이폰 17이 올 상반기에도 매우 강력한 수요를 보일 것으로 예상되지만, 시스템반도체 수급난으로 충분히 공급을 늘릴 수 없다는 점도 애플에게는 고민거리다. 현재 애플은 아이폰 17의 핵심 칩(SoC)인 'A19'를 대만 파운드리 TSMC의 3나노미터(nm) 공정을 통해 양산한다. 해당 공정은 최근 AI용 최첨단 반도체 분야에서 각광을 받고 있어, 수요가 크게 몰리고 있는 상황이다. 팀 쿡 CEO는 "당사는 매우 높은 고객 수요를 맞추기 위해 공급을 쫓는 상황에 있고, 현재로서는 언제 수요와 공급이 균형을 이룰지 예측하기 어렵다"며 "이러한 제약은 주로 최첨단 SoC 양산을 담당하는 공정의 병목현상에 의해 발생하고 있다"고 밝혔다.

2026.01.30 10:53장경윤 기자

삼성전자 "파운드리 2나노 하반기 양산 순항"…미·중 고객 수주 확대

삼성전자가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 중심으로 한 선단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술 개발과 고객 수주가 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 테슬라 수주 이후 미국과 중국 대형 고객사들과의 협업 논의도 확대되고 있으며, 인공지능(AI) 응용처를 중심으로 수주 과제가 빠르게 늘고 있다는 설명이다. 삼성전자는 29일 2025년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "2나노 공정은 하반기 양산을 목표로 수율과 성능 목표를 달성하며 순항 중"이라며 "고객사들과 BPA(Benchmark Performance Assessment) 평가 및 협업을 병행하고 있고, 양산 전 기술 검증도 계획대로 진행되고 있다"고 전했다. 삼성전자는 모바일과 고성능컴퓨팅(HPC) 고객을 대상으로 제품 및 사업화 협업을 확대하고 있다. 특히 테슬라 수주 이후 미국과 중국의 대형 고객들과 AI 응용처 중심의 과제를 논의 중이며, 2나노 관련 수주 과제는 전년 대비 30% 이상 증가할 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정인 1.4나노는 2029년 양산을 목표로 주요 마일스톤을 차질 없이 수행 중이다. 삼성전자는 이를 통해 고객사의 조기 설계 착수와 선단 공정 생태계 선점을 추진한다는 전략이다. 로직·파운드리·메모리·패키징을 아우르는 '턴키(Turnkey)'를 시스템반도체 경쟁력 강화의 핵심으로 제시했다. 턴키는 반도체 설계부터 파운드리, 메모리, 패키징까지 전 공정을 통합 제공하는 서비스다. 이를 통해 삼성전자는 올해 두 자리수 이상 매출 성과를 목표로 한다. 삼성전자는 보도자료를 통해 "파운드리는 첨단 공정 중심으로 두 자리 이상 매출 성장과 손익 개선을 추진할 방침"이라며 "하반기에는 2나노 2세대(SF2P) 공정이 적용된 신제품을 양산하고, 4나노의 성능 및 전력을 최적화해 기술 경쟁력을 지속 강화할 계획"이라고 설명했다.

2026.01.29 13:51전화평 기자

삼성전자 "올해 HBM 매출 전년比 3배 목표"…출하량 100억Gb 넘을 듯

삼성전자가 올해 메모리 반도체 공급난이 지속될 것으로 내다봤다. 1분기 D램과 낸드 모두 출하량 성장이 제한되면서 가격 상승이 불가피할 전망이다. 특히 HBM(고대역폭메모리)은 전 세계 AI 인프라 투자에 따라 수요를 따라가지 못하는 상황이다. 이에 삼성전자는 올해 HBM 매출을 전년 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세웠다. 용량 기준으로는 100억Gb(기가비트)를 넘길 전망이다. 29일 삼성전자는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리 시장 전망에 대해 밝혔다. 메모리 공급사들은 지난해 하반기 심화된 공급부족 현상에 따라, D램 및 낸드에서 빠르게 수익성을 개선하고 있다. 삼성전자의 경우 지난해 4분기 D램 ASP(평균판매가격)가 전분기 대비 40% 수준 상승한 것으로 나타났다. 낸드 역시 전분기 대비 20% 수준으로 상승했다. 올 1분기에도 메모리 빗그로스(출하량 증가율)는 제한적일 전망이다. D램과 낸드가 각각 전분기 대비 한자릿수 초반, 한자릿수 중반대에 그칠 것으로 보인다. 이에 메모리 가격은 추가적인 상승 압박을 받고 있다. 삼성전자는 "최근 AI에서 수요가 가파르게 증가하고 있어 메모리 공급 확대가 제한적이고, 범용 메모리와 HBM(고대역폭메모리) 전반적으로 당분간 이런 상황이 지속될 것"이라며 "이에 GPU 및 ASIC(주문형반도체) 업체와 하이퍼스케일러 등 대형 고객사와 다년 계약을 접수하고 있다"고 설명했다. 이에 삼성전자는 올해 최첨단 공정 기반의 D램 및 낸드 생산능력 확대에 속도를 낼 계획이다. 1c D램과 9세대 낸드를 중심으로 신규 및 전환 투자가 진행될 것으로 전망된다. 올해 HBM 사업 확대도 자신했다. 삼성전자는 "HBM4는 재설계 없이 작년 공급한 샘플로 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라며 "현재 퀄(품질테스트) 완료 단계에 진입했다"고 밝혔다. 회사는 이어 "정상적으로 HBM4 제품을 양산 투입해 생산 진행 중"이라며 "주요 고객사의 요청에 따라 2월부터 최상위품인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 덧붙였다. 삼성전자가 제시한 올해 HBM 매출 목표는 전년 대비 3배 이상이다. 삼성전자의 지난해 HBM 총 공급량이 40억Gb대로 추산된다는 점을 고려하면, 올해 공급량은 100억Gb 이상을 공급할 수 있을 것으로 예상된다. 삼성전자는 "공급 확대 노력에도 불구하고 올해 HBM 수요는 당사 공급 규모를 넘어서고 있다"며 "주요 고객은 2027년 및 이후 물량에 대해서도 공급 협의를 조기 확정하길 희망한다"고 밝혔다.

2026.01.29 13:19장경윤 기자

SK하이닉스 "HBM4 압도적 점유율·수율 목표"

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 주도권을 계속해 유지하겠다는 강한 의지를 드러냈다. 올해 본격 양산되는 HBM4(6세대 HBM)에서 압도적인 점유율과 높은 수율을 확보하는 것이 목표다. 29일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 "HBM4에서 일부 경쟁사 진입이 예상되나, 당사의 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 밝혔다. HBM4는 올해 본격적인 상용화를 앞둔 가장 최신 세대의 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4에 대해 "현재 양산 중"이라고 언급한 바 있다. SK하이닉스는 "당사는 HBM2E부터 고객들과 원팀으로 협업해 HBM 시장을 개척해 온 선두주자로, 양산 경험과 품질에 대한 고객사 신뢰는 단기간에 추월하기 어려울 것"이라며 "HBM4 역시 당사 제품에 대한 선호도와 기대 수준이 높아 고객사들이 최우선으로 요구하고 있다"고 설명했다. 이를 바탕으로 SK하이닉스는 HBM4 시장에서 압도적인 점유율 확보를 목표로 하고 있다. 수율 역시 이전 제품인 HBM3E 12단과 비슷한 수준까지 끌어올리는 것이 목표다. SK하이닉스는 "현재 생산을 극대화중임에도 고객 수요를 100% 충족하기 어려워, 일부 경쟁사의 진입이 예상된다"면서도 "성능과 양산성, 품질을 기반으로 한 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 강조했다.

2026.01.29 10:03장경윤 기자

"D램 재고, 올 하반기 더 낮아져"…메모리 공급난 심화된다

AI 산업 주도로 촉발된 '메모리 대란'이 올해에도 지속될 전망이다. 지난해 4분기 SK하이닉스의 D램 재고가 전분기 대비 감소한 데 이어, 올해 하반기로 갈수록 더 낮은 수준으로 하락할 것으로 예상된다. 낸드 역시 재고 수준이 빠르게 낮아지고 있다. SK하이닉스는 29일 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리반도체 수급 전망에 대해 밝혔다. SK하이닉스는 "AI 인프라 투자가 계속 확대되고 있으나 업계의 공급 능력은 이를 따라가지 못하고 있는 상황"이라며 "고객사 재고 수준도 전반적으로 감소한 것으로 파악하고 있다"고 설명했다. 특히 서버 고객사의 경우, 메모리 물량이 확보되면 곧바로 조립 공정으로 넘어가는 상황이 발생하고 있다. 재고를 축적할 만큼 충분한 물량 비축이 어렵기 때문이다. 이에 따라 서버 고객사의 구매 확대 움직임은 향후에도 지속될 전망이다. PC 및 모바일 고객사도 서버향 수요 강세의 영향을 직·간접적으로 받고 있어 수급에 어려움을 겪고 있다. 메모리 공급사의 재고 수준도 낮아지고 있다. SK하이닉스는 "지난해 4분기에도 D램 재고 수준은 전분기 대비 감소했다"며 "서버 D램 중심의 타이트한 재고 추세가 연중 지속돼, 재고 수준은 올 하반기로 갈수록 현재보다 점점 더 낮은 수준으로 하락할 것으로 예상한다"고 강조했다. 낸드 역시 데이터센터에 탑재되는 eSSD를 중심으로 전반적인 재고 감소세가 지속될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 "당사의 낸드 재고 수준도 빠르게 낮아져서 작년 말 낸드 재고 수준도 D램과 거의 동일한 수준"이라고 밝혔다.

2026.01.29 09:59장경윤 기자

삼성전자, 4분기 영업이익 20조원 돌파…반도체 '사상 최대'

삼성전자가 지난해 4분기 반도체 사업 호조에 힘입어 시장 기대를 웃도는 실적을 기록했다. HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 등 고부가 메모리 판매 확대가 실적 반등의 핵심 동력으로 작용했다. 삼성전자는 연결 기준 2025년 4분기 확정 영업이익으로 20조1천억원을 기록했다고 29일 공시했다. 전년 동기 대비 209.2% 증가한 규모다. 매출은 93조8천억원으로 지난해 동기와 비교해 23.8% 올랐다. 영업이익률(OPM)은 21.4%로 1년 전보다 12.8%p(포인트) 개선됐다. DS부문, HBM·DDR5 앞세워 사상 최대 분기 실적 이번 실적 개선은 반도체를 담당하는 DS부문이 이끌었다. DS부문은 4분기 매출 44조원, 영업이익 16조4천억원을 기록하며 사상 최대 분기 실적을 달성했다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 맞물리며 수익성이 크게 개선됐다. 특히 메모리 부문에서는 범용 D램 수요 강세에 적극 대응하는 한편, 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중을 확대해 영업이익이 큰 폭으로 늘었다. 삼성전자는 기술 경쟁력을 기반으로 HBM 공급을 확대하며 AI 반도체 시장에서 존재감을 강화하고 있다. 시스템LSI는 계절적 비수기 영향으로 전분기 대비 실적이 다소 둔화됐지만, 2억 화소 이미지센서와 빅픽셀 5천만 화소 신제품 판매 확대에 힘입어 매출 성장세를 유지했다. 파운드리(반도체 위탁생산)는 2나노 1세대 공정 양산을 본격화하고 미국·중국 거래선 수요가 늘며 매출이 증가했으나, 충당 비용 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다 . “1분기도 반도체 성장 지속”…HBM4·파운드리 수주 확대 회사 측은 1분기에도 반도체 사업의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. AI 및 서버 중심의 수요 강세가 지속되는 가운데, HBM4 양산 출하와 고부가 메모리 판매 확대를 통해 시장 대응에 나선다는 계획이다. 파운드리 역시 HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다는 방침이다. 삼성전자는 “DS부문은 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 아우르는 원스톱 솔루션 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권 확보에 나설 것”이라며 “불확실한 경영 환경 속에서도 수익성 중심의 안정적 경영 기조를 이어가겠다”고 밝혔다. DX부문, 매출 늘었지만 영업이익은 40%대 감소 세트 산업을 담당하는 DX부문은 다소 부진했다. DX부문은 4분기 매출 44조3천억원, 영업이익 1조3천억원을 기록했다. 전년 동기 실적과 비교해 매출(40조5천억원)은 9% 상승했으나, 영업이익(2조3천억원)은 43.5% 감소했다. DX부문 실적 하락의 중심에는 모바일 사업을 담당하는 MX 사업본부가 있다. 스마트폰 신모델 출시 효과가 약화되고 경쟁이 심화되면서 전분기 대비 실적이 둔화됐다는 게 삼성전자의 설명이다. 다만 네트워크 사업은 북미 지역 매출 증가로 전분기 및 전년 대비 실적이 개선됐다. 영상디스플레이(VD)는 Neo QLED와 OLED TV 등 프리미엄 제품의 견조한 판매와 연말 성수기 수요 대응으로 전분기 대비 매출이 확대됐다. 반면 생활가전(DA)은 계절적 비수기와 글로벌 관세 영향이 겹치며 수익성이 악화됐다. 삼성디스플레이(SDC)는 4분기 매출 9조5천억원, 영업이익 2조원을 기록했다. 중소형 디스플레이는 주요 고객사의 스마트폰 수요 확대와 IT·자동차용 패널 판매 증가에 힘입어 견조한 실적을 이어갔으며, 대형 디스플레이 역시 연말 성수기 수요에 대응하며 매출이 늘었다. 하만은 4분기 매출 4조6천억원, 영업이익 3천억원을 기록했다. 유럽 시장을 중심으로 전장 제품 공급이 확대된 데다, 오디오 시장 성수기를 맞아 포터블 및 TWS(True Wireless Stereo) 신제품을 출시하며 매출 성장세를 이어갔다.

2026.01.29 08:40전화평 기자

SK하이닉스 "올해 설비투자 규모 상당 수준 증가" 예고

SK하이닉스가 올해 연간 설비투자 규모를 상당한 수준으로 늘릴 계획이다. AI 산업 주도로 고부가 메모리반도체 수요가 지속적으로 강세를 보일 것으로 예상되는 만큼, 이에 적기 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 28일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 자료를 통해 "올해 투자 규모는 전년 대비 상당 수준 증가가 예상된다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수할 것"이라고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 누적 17조8천250억원을 투자한 바 있다. 이를 고려하면 지난해 연간 투자 규모는 20조원 중후반대에 달할 전망이다. 올해는 30조원을 넘어설 가능성이 유력하다. 올해는 연간으로 더 큰 규모의 투자가 예정돼 있다. 청주 신규 팹인 M15X는 생산능력 조기 극대화 및 선단 공정 가속화를 추진하고 있으며, 용인 1기 팹도 건설에 속도를 내고 있다. 패키징 관련해서는 청주 P&T(패키징&테스트)7, 인디애나주 신규 팹 설립 등을 추진 중이다.

2026.01.28 18:01장경윤 기자

SK하이닉스, 작년 영업익 47.2조원 '금자탑'...삼성 제쳤다

AI 산업 중심으로 재편된 글로벌 반도체 시장에서 SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클의 개막을 실적으로 증명했다. SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리)을 축으로 서버용 D램과 낸드까지 수요가 확산되며, 지난 2025년 한해 동안 매출·영업이익·순이익 모두 사상 최대 신기록을 새로 쓰면 금자탑을 쌓았다. SK하이닉스는 2025년 연결 기준 연간 영업이익 47조2천63억원을 기록했다고 28일 공시했다. 이는 기존 최대 실적인 전년(23조4천673억원)의 2배 수준이다. 앞서 잠정실적을 발표한 삼성전자(43조5천300억원)를 뛰어넘은 성적표이기도 하다. SK하이닉스가 국내 상장사 중 영업이익 1위에 오른 셈이다. 매출은 97조1천467억원을 기록했다. 지난해와 비교해 47% 상승했다. 영업이익률은 49%다. 이 같은 실적은 메모리 업황 반등을 넘어 AI 수요에 기반한 구조적 성장 국면에 진입했음을 보여준다. SK하이닉스는 AI 학습과 추론 수요 확대에 따라 고성능·고용량 메모리 수요가 전방위로 증가하면서, 과거 PC·모바일 중심의 사이클과는 전혀 다른 성장 궤도에 올라섰다는 평가를 받고 있다. HBM 두 배 성장…D램·낸드도 '동반 질주' 제품별로는 D램이 HBM 수요가 2배 이상 증가하며 역대 최대 실적을 견인했다. SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업이다. 특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 현재 고객 요청 물량을 본격 양산 중이다. 일반 D램에서도 기술 리더십을 강화했다. 10나노급 6세대(1c나노) DDR5 양산에 돌입했고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 256GB DDR5 RDIMM을 개발하며 서버용 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진에도 불구하고 321단 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD(eSSD) 중심으로 수요 회복에 성공하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다. "AI 추론 시대로 전환…메모리 수요 더 커진다" SK하이닉스는 AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 분산형 아키텍처 수요가 확대되고, 이에 따라 메모리의 역할이 더욱 중요해질 것으로 내다봤다. 고성능 메모리뿐 아니라 서버용 D램과 낸드 등 전반적인 메모리 수요가 구조적으로 확대될 것이라는 전망이다. 이에 따라 회사는 HBM4 리더십을 유지하는 동시에 고객 맞춤형 '커스텀 HBM' 시장에서도 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 일반 D램은 1c나노 전환을 가속화해 SOCAMM2, GDDR7 등 AI 메모리 포트폴리오를 확대하고, 낸드는 솔리다임의 QLC eSSD를 활용해 AI 데이터센터용 스토리지 수요에 적극 대응할 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장은 "차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 지속 가능한 실적 성장을 창출하는 동시에, 미래 투자와 재무 안정성, 주주환원 간 최적의 균형을 유지하겠다"며 "단순한 메모리 공급자를 넘어 AI 시대의 핵심 인프라 파트너로서 역할을 강화하겠다"고 밝혔다.

2026.01.28 17:09전화평 기자

[1보] SK하이닉스, 지난해 4분기 영업익 19.1조원...전년比 137.2%↑

SK하이닉스는 지난해 4분기 매출 32조8천267억원, 영업이익 19조1천696억원을 기록했다고 28일 공시를 통해 밝혔다. 당초 시장은 SK하이닉스의 영업이익을 최대 18조원 규모로 예상해 왔다. 분기 최대 실적이자 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'다. 매출은 전년동기 대비 66.1%, 전분기 대비 34.3% 증가했다. 영업이익은 각각 137.2%, 68.4% 늘었다.

2026.01.28 16:37장경윤 기자

메모리 가격 급등에 노트북도 '껑충'…갤럭시S26도 오를까

메모리 반도체 가격이 가파르게 오르면서 IT 전자기기 전반의 가격 인상 압박이 커지고 있다. 노트북을 비롯한 주요 전자제품 가격이 이미 상승세를 보이는 가운데, 차세대 스마트폰인 갤럭시 S26 시리즈 역시 가격 인상이 불가피할 것이라는 전망이 나온다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 최근 D램과 낸드플래시 가격은 뚜렷한 상승세를 보이고 있다. 지난달 PC용 D램 범용 제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 평균 고정거래가격은 전달보다 14.181% 오른 9.3달러, 낸드플래시 범용 제품(128Gb 16Gx8 MLC)은 전월 대비 10.56% 상승한 5.74달러를 기록했다. AI 서버 수요 확대와 공급 조절이 맞물리며 메모리 가격 상승세가 이어지고 있는 것이다. 이 같은 흐름은 IT 기기 가격에 반영되고 있다. 삼성전자가 26일 공개한 신제품 노트북이 대표적이다. 갤럭시북6 프로(14인치)의 출고가는 341만원으로, 지난해 공개된 갤럭시북5 프로(176만원)의 두 배에 육박한다. 메모리와 고성능 부품 가격 인상이 복합적으로 작용한 결과로 풀이된다. 업계에서는 스마트폰 역시 예외가 되기 어렵다고 보고 있다. 통신사 요금제 추천 사이트 모요는 차기작 갤럭시 S26 울트라(256GB)의 출고가를 최대 176만원으로 예상했다. 이는 전작 대비 약 7만원가량 오른 수준이다. 삼성전자가 아직 공식 가격을 공개하지 않았지만, 메모리 가격 급등이 이어질 경우 인상 가능성을 배제하기 어렵다는 시각이 우세하다. 소비자들의 걱정도 커지고 있다. 한 갤럭시 이용자는 “원육 가격이 내려가도 한 번 오른 치킨 가격은 잘 내려가지 않는다”며 “스마트폰 가격도 결국 비슷한 흐름을 보일 것 같아 걱정된다”고 말했다. 또 다른 소비자는 “출고가가 계속 오르면 스마트폰 교체 주기가 더 길어질 수밖에 없다”고 지적했다. 다만 삼성전자가 시장 반발을 고려해 가격 인상 폭을 최소화할 가능성도 거론된다. 그동안 삼성전자는 글로벌 경기 둔화와 수요 위축 국면에서 가격 동결 또는 제한적 인상 전략을 유지해왔다. 그러나 메모리 가격 상승세가 장기화할 경우, 갤럭시 S26 시리즈를 포함한 프리미엄 스마트폰 가격 인상은 불가피할 것이라는 전망이 나온다. 한편 갤럭시 S26 시리즈의 최종 출고가는 다음달 2월 예정된 삼성전자 언팩 행사에서 공개된다.

2026.01.27 16:34전화평 기자

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