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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (288건)

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삼성전자, 브로드컴과 HBM3E 12단 공급 추진…ASIC서 기회 포착

삼성전자가 브로드컴에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단을 공급하는 방안을 논의 것으로 파악됐다. 현재 구체적인 물량 협의를 거쳐, 내년까지 제품을 공급하는 방안을 추진 중이다. 글로벌 빅테크의 자체 주문형반도체(ASIC) 개발이 확대되고 있는 만큼, 엔비디아향 HBM 공급 지연 영향을 일부 만회할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 브로드컴과 HBM3E 12단 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 제품을 양산 공급하기 위한 협의에 나섰다. 현재 양사가 논의한 공급량은 용량 기준으로 10억Gb(기가비트)대 초중반 수준으로 추산된다. 양산 시기는 이르면 올 하반기부터 내년까지 이뤄질 전망이다. 연간 HBM 시장 대비 큰 물량은 아니지만, HBM 수요 확보가 절실한 삼성전자 입장에서는 의미 있는 규모다. 삼성전자는 올해 HBM 총 공급량을 전년 대비 2배 확대한, 80억~90Gb 수준까지 늘리겠다는 목표를 세운 바 있다. 해당 HBM은 글로벌 빅테크의 차세대 AI반도체에 탑재될 예정이다. 현재 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글의 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'.메타의 자체 AI 칩인 'MTIA v3' 등을 제조하고 있다. 또한 삼성전자는 아마존웹서비스(AWS)에도 HBM3E 12단 공급을 추진 중이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 진행하는 등, 논의가 적극 진행되고 있는 것으로 알려졌다. AWS 역시 HBM3E 12단을 탑재한 차세대 AI 반도체 '트레이니엄 3'를 내년 양산할 계획이다. 이 같은 글로벌 빅테크의 자체 ASIC 개발 열풍은 삼성전자의 HBM 사업 부진을 만회할 기회 요소로 작용한다. 당초 삼성전자는 지난해 하반기 엔비디아에 HBM3E 12단을 납품하는 것이 목표였으나, 성능 및 안정성 문제로 양산화에 차질을 빚어 왔다. 이후 코어 다이인 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 재공급을 추진해 왔으나, 올해 6월까지 공급을 성사시키겠다는 계획도 현재로선 불가능해졌다. 업계는 빨라야 오는 9월께 공급이 가능해질 것으로 보고 있다. 때문에 삼성전자는 올 2분기 말 P1·P3 내 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 낮추고 있는 상황이다. 올 하반기 엔비디아향 공급 성사, ASIC 고객사 추가 확보 등을 이뤄내야 HBM 사업에 대한 불확실성을 거둘 수 있을 것이라는 평가가 나온다.

2025.07.03 15:39장경윤

마이크론, HBM 매출 급증…연내 점유율 20% 돌파 '자신감'

미국 마이크론이 고대역폭메모리(HBM) 사업 확대에 자신감을 드러냈다. 올 연말까지 HBM 시장 점유율을 23~24%까지 끌어올리겠다는 목표를 세우고, 차세대 HBM 제품 역시 "여러 고객사와의 샘플 테스트에서 긍정적인 반응을 얻고 있다"고 강조했다. 마이크론은 2025 회계연도 3분기(2025년 3~5월) 매출액 93억 달러(약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 밝혔다. 역대 최대 실적으로, 증권가 컨센서스 역시 큰 폭으로 웃돌았다. HBM 매출은 전분기 대비 50%가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 가장 최선단에 위치한 HBM3E 12단 수율 및 생산량 증가가 순조롭게 진행되고 있으며, 고객사 4곳에 대량으로 제품을 출하하고 있다는 게 회사 측 설명이다. AMD 역시 최근 행사에서 최신형 GPU 'MI355X'에 마이크론 HBM3E 12단 제품을 채택했다고 밝힌 바 있다. HBM 전체 시장 규모에 대해서는 지난해 180억 달러(약 24조4천억원)에서 올해 350억 달러(약 47조5천억원)로 2배 가까이 성장할 것으로 내다봤다. 이는 기존 전망과 대체로 일치한다. 마이크론은 올 연말까지 HBM 시장 내 점유율을 D램 시장 점유율(23~24%)과 비슷한 수준까지 달성하겠다고 제시한 바 있다. 현재 마이크론은 이를 예상 대비 빠르게 달성 가능할 것으로 보고 있다. HBM4에 대해서도 자신감을 드러냈다. HBM4는 이르면 올 하반기 양산되는 차세대 HBM으로, 내년 HBM 시장에서 상당한 비중을 차지할 것으로 예상되는 제품이다. AI 업계를 주도하는 엔비디아 AI 반도체 '루빈'에 탑재될 예정이다. 마이크론은 "HBM4는 여러 고객사에 샘플을 제공해 만족스럽게 평가를 진행 중"이라며 "충분기 검증된 1b(5세대 10나노급) D램을 기반으로 성능과 전력 효율성 모두 강점을 갖추고 있다"고 강조했다.

2025.06.26 10:15장경윤

HBM 바람 탄 마이크론, 역대 최대 실적…삼성·SK도 훈풍 기대

미국 마이크론이 업계 예상을 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 인공지능(AI) 산업 발달로 고부가 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 크게 증가한 덕분이다. 국내 메모리 업계 역시 견조한 실적이 예상되는 상황으로, 특히 HBM 사업을 적극 확장 중인 SK하이닉스의 높은 성장세가 기대된다. 마이크론은 5월 마감된 2025 회계연도 3분기에 매출 93억 달러(한화 약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 발표했다. 매출은 전년동기 대비 36.6%, 전분기 대비 15.5% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 164.6%, 전분기 대비 24.1% 증가했다. 이번 실적은 마이크론 사상 최고 분기 매출에 해당한다. 증권가 컨센서스(매출액 88억5천만 달러, 영업이익 21억3천만 달러)도 크게 웃돌았다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "HBM 매출이 전 분기 대비 거의 50% 성장한 것을 포함해 사상 최고의 D램 매출을 기록한 덕분"이라며 "2025 회계연도 기준으로도 연간 사상 최고 매출을 달성할 것으로 예상되며, 증가하는 AI 기반 메모리 수요를 충족하고자 체계적인 투자를 진행하고 있다"고 밝혔다. 실제로 마이크론의 해당 분기 D램 매출액은 70억7천만 달러로 전년동기 대비 51.5%, 전분기 대비 15% 증가했다. 출하량은 전분기 대비 20% 이상 증가했다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(2025년 6~8월)에 대한 전망도 긍정적으로 제시했다. 매출 가이던스는 중간값 기준 107억 달러로, 증권가 컨센서스(98억1천만 달러)를 또 한번 크게 앞섰다. 마이크론은 "긍정적은 수요 환경에 따라 올해 업계 연간 D램 비트(bit) 수요 성장률은 10% 후반, 낸드는 10% 초반대를 기록할 것"이라며 "중기적으로는 D램과 낸드 모두 연평균성장률(CAGR) 기준으로 10% 중반대의 비트 수요 성장을 예상한다"고 밝혔다.

2025.06.26 08:35장경윤

SK하이닉스, 청주에 7번째 후공정 라인 신설 추진

SK하이닉스가 반도체 패키징 생산능력 확장을 위한 신규 투자에 나선다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 사내 게시판에 'P&T(Package & Test) 7' 팹을 짓기 위해 과거 매입한 청주 LG 2공장 부지 내 건물을 철거할 계획이라고 공지했다. 철거는 오는 9월 마무리될 예정이다. SK하이닉스는 이천과 청주 지역에 후공정 팹을 운영해 왔다. 기존 SK하이닉스시스템IC의 공장으로 활용돼 온 M8 공장을 개조한 P&T 6까지 보유하고 있으며, 이번이 7번째 팹에 해당한다. P&T 7의 구체적인 착공 시점 및 용도는 아직 확정되지 않았다. 다만 반도체 제조 공정에서 후공정의 중요성이 점차 높아지고 있어, SK하이닉스가 적극적인 투자 의지를 보일 것이라는 기대감이 나온다. SK하이닉스 관계자는 "반도체 후공정의 중요성이 높아지는 만큼, 시설을 확충해 후공정 경쟁력을 강화하기 위한 취지"라고 밝혔다.

2025.06.24 10:22장경윤

美 마벨, 맞춤형 S램 칩 시장 정조준...韓 반도체 업계에 기회

글로벌 반도체 기업 마벨(Marvell)이 맞춤형(Custom) AI반도체 전략을 전면에 내세우며 시장 판도 변화를 예고했다. 2나노(nm, 10억분의 1m) 공정으로 제작된 커스텀 S램을 통해 AI 인프라 시장에서 선두주자로 입지를 강화한다는 전략이다. 이에 AI칩 생태계 확대 과정에서 국내 메모리 양사가 협업 파트너로 부상할 가능성이 제기된다. 미국 마벨은 현지시간 17일 AI 기술 웨비나를 개최하고 초미세 공정 기반 맞춤형 AI칩 전략을 공개했다. 클라우드, 데이터센터 등 고객에게 맞춤형 칩을 제공해 엔비디아와 차별화하겠다는 계획이다. “2나노 맞춤형 S램, AI워크로드 최적화 메모리” 이날 발표 중에는 기존 메모리와는 다른 혁신적인 기술 내용이 이어졌다. 기존 10나노~20나노 수준에 머물던 S램을 TSMC 2나노 공정을 통해 양산한다는 내용이다. S램은 전원을 공급하는 한 저장된 데이터가 보존되는 메모리다. 주로 CPU의 캐시 메모리, AI가속기 내부 버퍼, 네트워크 프로세서 등에 활용돼 데이터 접근 속도를 높이는 역할을 담당한다. D램과 달리 리프레시(새로고침) 동작이 필요 없어 속도가 더 빠르지만, 집적도가 낮아 용량이 작고 비싸다는 특징을 가지고 있다. 마벨이 공개한 2나노 맞춤형 S램은 AI 가속기 연산 중간 데이터 전송 지연 시간을 매우 짧게 만든다. 아울러 AI 전용 커스텀 IP(설계자산) 형태로 공급돼, S램의 단점으로 꼽히던 면적을 15% 줄였다. 최선단 공정인 2나노를 통해 양산되는 만큼 동일 밀도에서 표준 SRAM보다 최대 66% 적은 전력을 소비한다. 전반적으로 최적화된 셈이다. 회사는 범용 S램보다 특정 AI 워크로드에 최적화된 맞춤형 메모리 구조가 향후 인프라 시장을 이끌어 갈 것으로 내다봤다. 윌 추(Will Chu) 마벨 커스텀 클라우드 솔루션 담당 수석 부사장은 “커스텀은 AI 인프라의 미래”라며 “오늘날 하이퍼스케일러들이 최첨단 커스텀 XPU를 개발하는 데 사용해왔던 기술은 더 많은 고객, 더 다양한 기기, 더 많은 애플리케이션에 적용될 것”이라고 말했다. 그러면서 “커스텀 시대를 위한 선도적인 기술 포트폴리오를 구축하기 위해 파트너 및 고객과 협력하기를 기대한다”고 덧붙였다. 열리는 맞춤형 시장...韓 반도체에 기회 이 같은 행보는 국내 반도체 업계에 기회로 작용할 전망이다. 마벨은 칩을 자체적으로 설계하지만 생산은 외주에 맡기는 팹리스(반도체 설계전문)다. 국내 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 삼성전자의 잠재적인 고객인 셈이다. 또 맞춤형 칩은 범용 칩보다 생산이 복잡한 만큼 IP, 패키징 등 협력사 확대가 필수적이다. 메모리 업체 입장에서는 HBM 등 AI 메모리와 연계할 가능성 있다. S램 IP를 통한 고속 XPU IP 플랫폼을 확장하면 HBM과 공동 최적화를 할 수 있는 것이다. 장비업체 입장에서는 맞춤형 S램에 필요한 테스트, 패키징 장비 분야에서 기회가 있을 것으로 관측된다. 다만 단기간에 국내 업계에 영향을 주지는 않을 것으로 보인다. 메모리 업계 관계자는 “당장은 큰 영향이 없을 것 같다”며 “이와 관련해서 칩이 실제로 나와봐야 알 수 있을 것”이라고 말했다.

2025.06.18 16:17전화평

삼성전자, 하반기 반도체 전략 수립 착수…HBM·美 투자 돌파구 '절실'

삼성전자가 올 하반기 반도체 사업 전략 구상에 착수한다. 삼성전자 반도체 사업은 메모리·시스템반도체 분야 전반에서 고전을 겪고 있는 상황으로, 특히 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 따라 성패가 크게 좌우될 것으로 보인다. 향후 미국의 반도체 수출 관세 및 보조금 정책 향방도 삼성전자에게 큰 변수로 작용할 전망이다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장 주재로 글로벌 전략회의를 진행한다. 매년 6·12월 개최되는 삼성전자 글로벌 전략회의는 각 사업 부문의 상반기 실적 공유 및 하반기 사업 전략 등을 논의하는 자리다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부의 관세 정책, 미중 패권 전쟁, 중동 전쟁 등 거시경제의 불확실성이 날로 높아지는 만큼, 이에 따른 대응 전략을 집중 논의할 것으로 관측된다. 특히 반도체 사업의 부진을 타개할 돌파구 마련이 시급한 상황이다. 삼성전자 반도체 사업은 크게 D램과 낸드를 양산하는 메모리반도체, 파운드리, 시스템LSI 등 3개 축으로 나뉘어져 있다. 현재 삼성전자는 3개 사업부 모두 위기를 맞고 있다는 평가가 나온다. 메모리 사업, 1c D램 및 HBM4 상용화에 성패 삼성전자의 올 하반기 메모리반도체 사업 성패는 HBM(고대역폭메모리)에 크게 좌우될 것으로 예상된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 차세대 메모리다. AI 데이터센터에서 수요가 빠르게 급증해 왔으나, 삼성전자의 경우 지난해 HBM3E(5세대 HBM) 8단·12단 제품을 핵심 고객사인 엔비디아에 납품하는 데 실패한 바 있다. 이에 삼성전자는 HBM3E에 탑재되는 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 당초 공급 목표 시기는 6~7월경이었으나, 현재 업계는 양산을 확정짓기까지 더 많은 시간이 필요할 것으로 보고 있다. HBM4(6세대 HBM)와 1c(6세대 10나노급) D램도 주요 안건에 오를 전망이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 HBM4에 탑재해, 올 연말까지 양산에 나설 계획이다. 이를 위해 올해 초부터 평택캠퍼스에 1c D램용 양산 라인 구축을 시작했으며, 1c D램의 수율 확보에 총력을 기울이고 있다. 올 3분기께 1c D램의 양산 승인(PRA)을 무리없이 받아낼 것이라는 게 삼성전자 내부의 분위기다. 물론 PRA 이후에도 대량 양산을 위한 과제가 별도로 남아있는 만큼, 낙관은 금물이라는 게 업계 전언이다. TSMC와 벌어지는 격차…2나노 적기 양산 시급 삼성전자 파운드리 사업부는 3나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하는 데 난항을 겪고 있다. 이에 업계 1위 대만 TSMC와의 격차가 지속 확대되는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 늘었다. 이르면 올 하반기 양산에 돌입하는 2나노 공정 역시 TSMC가 한 발 앞서있다는 평가다. 최소 60%대의 안정적인 수율을 기반으로, 대만 내 공장 두 곳에서 양산을 준비 중인 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자도 복수의 잠재 고객사와 2나노 공정에 대한 양산 협의를 진행하고 있다는 점은 긍정적이다. 지난해 일본 AI반도체 팹리스인 PFN(Preferred Networks)의 2나노 칩 양산을 수주한 데 이어, 최근에는 퀄컴·테슬라에도 적극적인 대응을 펼치고 있다. 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서)인 '엑시노스 2600'는 내년 '갤럭시S26' 시리즈를 목표로 개발이 진행되고 있다. 회사는 1분기 보고서를 통해 "올 하반기에는 2나노 모바일향 제품을 양산해 신규로 출하할 예정"이라며 "성공적인 양산을 통해 주요 고객으로부터 수요 확보를 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다. 복잡해지는 미국 투자 셈법…파운드리 삼성전자가 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 팹도 면밀한 대응책이 필요한 상황이다. 앞서 삼성전자는 해당 지역에 총 370억(약 50조원) 달러를 들여 2나노 등 최첨단 파운드리 공장을 짓기로 했다. 첫 번째 공장은 현재 공사가 대부분 마무리됐다. 올 2분기에도 협력사에 클린룸 마감 공사를 의뢰한 것으로 파악됐다. 이에 미국 정부도 칩스법에 따라 지난해 말 삼성전자에 47억4천500만 달러의 보조금을 지급하기로 했다. 다만 트럼프 2기 행정부는 칩스법의 혜택을 받는 기업들이 자국 내 투자를 더 확대하도록 압박하고 있다. 실제로 TSMC는 향후 4년 간 미국에 최소 1천억 달러(약 146조원)를, 마이크론은 기존 대비 투자 규모를 300억 달러(약 41조원)를 추가 투자하기로 했다. 삼성전자로서도 투자 확대 압박을 느낄 수 밖에 없는 상황이다. 그러나 삼성전자는 테일러 파운드리 팹에 선제적인 투자를 진행하기 어렵다. 고객사의 중장기적 수요가 확보되지 않은 상태에서 생산능력을 확장하면 막대한 투자비 및 운영비를 떠안아야 되기 때문이다. 현재 삼성전자가 첫 번째 테일러 파운드리 팹에 제조설비 반입 시기를 늦추고 있는 것도 같은 연유에서다. 반도체 업계 관계자는 "미국 오스틴 팹의 가동률도 저조한 상황에서, 테일러 팹에 설비를 도입하고 가동하는 순간 바로 수익성에 타격이 올 수밖에 없다"며 "삼성전자가 미국 내 투자 전략에 상당히 고심하고 있는 이유"라고 말했다.

2025.06.18 09:01장경윤

SK하이닉스, 최선단 D램·HBM 설비투자 '신중 모드'

SK하이닉스가 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대를 위한 투자에 신중한 태도를 보이고 있다. 당초 신규 공장에 설비를 조기 반입하기로 한 계획을 늦추고, 올해 전체적인 설비투자 규모를 확정하는 시기도 미뤄지고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스가 대내외적인 불확실성이 높아진 상황에서 섣부른 투자 집행을 경계하려는 것으로 보인다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 청주 M15X를 비롯한 올해 설비투자 계획을 당초 예상 대비 지연이 예상된다. M15X는 SK하이닉스의 최선단 D램 및 HBM 양산을 담당할 신규 생산기지다. 총 투자 규모는 20조원으로, 지난해 2분기부터 공사에 들어가 올해 4분기 준공을 목표로 하고 있다. AI 산업 성장으로 최선단 D램 및 HBM에 대한 수요가 늘어날 것으로 기대되는 만큼, SK하이닉스는 M15X 투자에 공세적으로 나서왔다. 올해 초에는 M15X의 클린룸 등 인프라 투자 일정을 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 바 있다. 이에 따라 팹 내 장비 반입 시점도 당초 예상 대비 1~2개월 빠른 9~10월경으로 전망돼 왔다. 그러나 최근 SK하이닉스의 기조가 변했다. M15X의 투자를 앞당기는 계획을 늦추기로 하고, 팹 내 장비 반입 시점을 10~11월경으로 되돌린 것으로 파악됐다. 올해 M15X에 들어서는 최선단 D램도 월 1만5천장 수준에서 1만장 아래의 생산능력으로, 사실상 시생산 용도의 원패스(One path) 라인이 구축될 가능성이 유력하다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 연말부터 M15X에서 D램 양산을 시작하기 위해 설비투자를 앞당기는 방안을 논의해 왔으나, 실제 투자심의 및 발주 일정이 밀리고 있는 것으로 안다"며 "투자를 무작정 앞당기기보다는 내년부터 본격적으로 투자를 집행하겠다는 의도"라고 설명했다. SK하이닉스의 올해 전체 설비투자 계획이 확정되는 시점도 지속 미뤄지고 있는 것으로 알려졌다. 엔비디아향 최선단 HBM 공급으로 견조한 수익성을 유지하고는 있으나, 여러 경영 여건을 고려해 투자 속도 조절에 나선 것으로 풀이된다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자에 17조9천650억원을 집행했다. 올해에는 이보다 많은 규모를 투자하겠다고 밝힌 바 있어, 20조원 중반대의 투자가 이뤄질 것으로 예상된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 20조원 중후반대의 공격적인 투자를 진행할 것이라는 기대감도 있으나, 최근 진행되고 있는 실제 투자 계획을 고려하면 이에 미치지 못할 가능성이 크다"며 "SK그룹 내부적으로도 투자 계획의 타당성, 효용성 등을 깐깐히 살펴보면서 실제 투자 집행 승인이 미뤄지고 있는 것으로 안다"고 말했다.

2025.06.16 15:18장경윤

삼성전자, 차세대 'V10 낸드' 양산 투자 고심…내년 상반기로 늦출 듯

삼성전자가 차세대 낸드인 V10(10세대) 양산 전략을 두고 고심하고 있다. 올 하반기까지 공급망 구성을 위한 평가가 진행될 예정으로, 당초 예상보다 늦은 내년 상반기에나 본격적인 양산 투자가 가능할 전망이다. 고적층 낸드 수요의 불확실성, 신기술 도입 및 비용에 대한 부담감이 발목을 잡는 것으로 풀이된다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 V10 낸드용 양산 설비투자를 내년 상반기로 미루는 방안을 논의 중이다. 삼성전자의 V10 낸드는 셀(Cell; 데이터를 저장하는 최소 단위)을 430단대로 쌓은 차세대 제품이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 V9(290단대 추정) 대비 100단 이상 높다. 업계는 삼성전자가 이르면 올 하반기 V10 낸드에 대한 양산 투자를 진행할 것으로 전망해 왔다. 다만 삼성전자는 이달까지 식각 등 낸드용 핵심 장비에 대한 공급망을 확정짓지 못했다. 고적층 낸드에 대한 수요 불확실하고, 신규 공정 도입에 따른 비용 효율성 문제가 투자의 발목을 잡고 있어서다. 식각이란 웨이퍼 상에서 불필요한 물질을 제거하는 공정이다. 기존에는 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫기 위해 -20~-30°C 수준의 저온 환경이 필요했으나, V10 낸드에 들어서는 -60~-70°C 수준의 극저온 환경이 구축될 것으로 예상돼 왔다. 온도가 낮을수록 화학적 반응성이 낮아져, 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 이를 위해 삼성전자는 주요 전공정 장비업체인 미국 램리서치·일본 TEL(도쿄일렉트론) 등으로부터 극저온 식각 장비를 도입해, 시생산 등 품질 평가를 진행해 왔다. 그러나 실제 평가 결과 극저온 식각을 곧바로 양산 적용하기에는 어렵다는 결론이 지배적인 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 램리서치, TEL와 식각 온도를 일부 높여 다시 장비 평가를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 식각 및 관련 장비에 대한 추가 평가는 올 하반기경 진행될 예정이다. 평가 일정을 고려하면, 공급망 확정 및 실제 양산 투자가 진행되는 시기는 빨라야 내년 1분기가 될 것으로 전망된다. 신규 장비 도입에 따른 투자 비용 역시 삼성전자가 V10 낸드 양산 투자를 늦추는 주요 요인으로 지목된다. 삼성전자는 기존 낸드용 식각 공정에 대부분 램리서치 장비를 활용해 왔다. TEL을 공급망에 편입하면 장비 이원화를 추진할 수 있으나, 기존 램리서치의 장비 활용도가 감소하고 양사 장비 간의 호환성을 높여야 한다는 문제점이 발생한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 V10, V11 등 차세대 낸드의 양산 수율 확보, 투자 비용, 시장 상황 등 다방면에서 고심을 겪고 있는 것으로 안다"며 "공급망이 확정되는 시점을 고려하면 빨라야 내년 중반에 양산이 시작될 것으로 보인다"고 말했다.

2025.06.13 14:43장경윤

韓 HBM에 도전장 낸 日 사이메모리, 기본 구조 베일 벗었다

한 때 반도체 왕국을 건설하며 세계 시장을 호령하던 일본이 HBM(고대역폭메모리)을 뛰어넘는 차세대 메모리 반도체 개발에 돌입했다. 이 칩은 연산(프로세서)과 저장(메모리) 장치를 하나의 패키지 안에 수직으로 통합해 속도를 획기적으로 끌어올린 게 특징이다. 13일 반도체 업계 및 외신에 따르면 일본 소프트뱅크와 미국 인텔이 손을 잡고 '사이메모리(Saimemory)'를 설립했다. 회사는 저전력 AI용 메모리를 개발하는 기업이다. HBM과 비교해 전력 소모량이 절반 수준에 불과한 메모리를 개발하는 게 목적이다. HBM 시장의 90% 이상을 한국이 점유율하고 있는 만큼, 한국을 중심으로 편성된 메모리 시장의 지형도를 바꾸겠다는 의도로 해석된다. 사이메모리는 도쿄대학교 등 일본 학계의 특허와 인텔의 기술을 접목한 3D 스택형 D램 기반 메모리 시제품을 2027년까지 완성하는 것을 목표로 하고 있다. 상용화 시점은 2030년 이전으로 예상된다. AI칩까지 한번에 3D 패키징...뉴로모픽과 유사해 사이메모리는 기존 컴퓨터 구조와 다르다. 일반적으로 컴퓨터는 프로세서, 메모리, 프로그램 3가지로 구성된다. 이를 폰 노이만 구조라고 한다. 폰 노이만 구조의 컴퓨터는 연산과 저장의 역할을 각각 프로세서(CPU, GPU, NPU 등)와 메모리로 나눈다. 역할이 다른 만큼 물리적 위치도 떨어져 있다. 프로세서와 메모리 사이의 신호 전송 거리를 단축시키는 인터포저가 필요한 이유다. 반면 사이메모리는 메모리와 프로세서를 함께 적층했다. HBM이 D램만 적층한 뒤 GPU 옆에 놓은 칩이라면, 사이메모리는 GPU와 HBM을 함께 쌓은 걸로 이해하면 쉽다. 연산과 저장 장치가 붙어 있는 만큼 데이터 복사 없이 연산이 가능하다. 고성능 컴퓨팅의 고질적인 문제였던 병목 현상을 완화시킬 수 있는 셈이다. 이를 가능하게 해주는 기술이 일본 도쿄대의 특허다. 도쿄대는 지난 2019년 3월 '3D 스택 메모리를 포함한 AI 프로세서(Artificial intelligence processor with 3D stack memory)'라는 명칭의 특허를 등록했다. 사실상 패키징 기술로, TSV(실리콘 관통 전극) 등 기술을 통해 계층 간 초고속 연결을 실현한다. 전체적인 콘셉트는 뉴로모픽 반도체와 유사하다. 뉴로모픽은 인간의 뇌를 본따 만든 반도체로, 폰 노이만 구조에서 완전 벗어난 게 특징이다. 두 칩의 차이는 뉴로모픽이 연산과 저장이 하나의 소자에서 이뤄지는 반면, 사이메모리는 칩을 붙였을 뿐 하나의 소자에서 연산과 저장이 이뤄지지는 않는다. 부분적으로 폰 노이만 구조를 벗어났지만 완전한 탈피는 아닌 것이다. 신현철 반도체공학회 학회장 겸 광운대 반도체시스템공학부 교수는 “사이메모리는 프로세서와 메모리가 어쨌든 각각 다른 칩”이라며 “뉴로모픽은 연산과 기억을 하나의 소자에서 해야 한다. 뉴로모픽 반도체는 아닌 것 같다”고 설명했다. 이종한 상명대학교 시스템반도체공학과 교수는 “폰 노이만 구조는 메모리와 비메모리(시스템)이 데이터를 주고 받는 것인데 사이메모리도 이를 크게 벗어나진 않는 것 같다”며 “기존 구조는 유지하되 부분적으로 성능을 꾀하는 것”이라고 말했다. 이종 연결 기술이 어려워...양산이 장애물 상용화에 가장 큰 장애물은 이종 간 연결로 평가된다. 메모리와 프로세서는 칩의 구조 자체가 완전 다르다. 단순히 서로 다른 칩을 연결하는 문제가 아니라 재료, 전기, 열, 신호 처리 등 복잡한 문제가 엉켜있다. 만약 전기적 특성이 다르면 제대로 동작하지 않거나 장치에 손상이 일어날 가능성이 높다. 현재 파운드리(반도체 위탁생산) 업계에서는 이 같은 이종 반도체 간 연결을 하나의 패키지로 통합하는 기술을 개발하고 있다. 삼성전자에서는 아이큐브(I-Cube), TSMC는 인포(InFO), 인텔은 포베로스(Foveros)라고 부른다. 다만 프로세서 명가 인텔이 사이메모리에 참여한 만큼 이종간 칩 연결이 가능할 것이라는 의견도 나온다. 신현철 학회장은 “서로 다른 칩을 연결하는 건 마치 볼트가 구멍에 맞지 않는데 연결하는 그런 느낌”이라면서도 “인텔이 워낙 프로세스를 잘하는 업체니까 이쪽 부분에서 해결할 수 있는 기술이 있을 것 같다”고 예상했다. 다른 장애물로는 양산이 꼽힌다. 연구를 마치고 양산에 들어갈 때 칩의 수율을 확보하기 어려울 수 있다는 의견이다. 아울러 사이메모리가 메모리 팹리스(반도체 설계전문)를 표방하는 만큼, 지금까지 메모리의 생산 방식과 다를 가능성이 높다. 지금까지 메모리 반도체 업체들은 설계와 제조를 같이 하는 IDM(종합반도체기업)이었다. 메모리 팹리스라는 사업을 얘기한 곳은 사이메모리가 처음이다. 이종한 교수는 “뉴로모픽도 개발은 어느 정도 됐는데 양산은 또 다른 이야기인 것처럼, 실제로 양산하는 건 다른 문제”라고 말했다.

2025.06.13 10:07전화평

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤

해성디에스, 美 TI '최우수 공급업체 상' 수상

반도체 부품 전문 제조기업 해성디에스는 텍사스 인스트루먼트(TI)로부터 '최우수 공급업체 상(Supplier Excellence Award)'을 수상했다고 11일 밝혔다. 이번 수상은 2022년에 이은 두 번째로, 해성디에스의 지속적인 품질 개선과 공급 안정성 및 기술 협력에 대한 노력을 인정받은 결과다. TI는 전 세계 1만여 개 이상의 공급업체 중 철저한 평가 기준을 바탕으로 소수의 우수 업체를 선정해 매년 이 상을 수여하고 있다. 올해는 전 세계에서 단 19개 업체만이 수상의 영예를 안았다. 해성디에스는 그중 하나로, 기술력과 품질, 원가 경쟁력뿐만 아니라 환경 및 사회적 책임 분야에서도 뛰어난 성과를 인정받았다. 특히 이번 수상은 해성디에스가 고객사와의 장기적 신뢰 관계를 기반으로 안정적인 공급망을 유지하고, 기술 경쟁력을 강화하며 글로벌 시장에서 입지를 지속적으로 확대해 나가고 있다는 점에서 의미가 크다. 해성디에스 관계자는 “이번 수상은 품질 개선과 고객 신뢰 확보를 위한 끊임없는 노력에 대한 값진 보상이라고 생각한다”며 “앞으로도 TI와의 건강하고 신뢰할 수 있는 관계를 유지하고, 지속적인 혁신과 성장을 통해 우수성을 이어가겠다”고 전했다.

2025.06.11 10:09장경윤

마이크론, 저전력 D램서 삼성·SK '선제 타격'…1c 공정 샘플 최초 출하

마이크론이 6세대 10나노급 D램 기반의 최신 저전력 D램 샘플을 출하했다. 해당 제품의 샘플 출하를 공개한 것은 마이크론이 처음으로, 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사와의 차세대 D램 경쟁에 박차를 가하고 있다. 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 LPDDR5X 샘플을 세계 최초로 고객사에 출하한다고 3일(현지시간) 밝혔다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 1c D램이라고 표현한다. LPDDR5X는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 저전력 D램으로, 주로 모바일에 활용된다. 마이크론에 따르면 이번 LPDDR5X는 10.7Gbps(초당 10.7기가비트)의 데이터 처리 속도와 최대 20%의 전력 저감 효과를 갖췄다. 패키지 두께는 0.61mm다. 마이크론은 "업계에서 가장 얇은 크기로, 경젱 제품에 비해 6% 더 얇아졌고, 이전 세대 대비 높이도 14% 줄었다"며 "이러한 소형 칩은 스마트폰 제조업체가 초슬림, 혹은 폴더블 스마트폰을 설계할 수 있는 더 많은 가능성을 열어준다"고 설명했다. 마이크론은 현재 일부 파트너사를 대상으로 1γ LPDDR5X 16GB(기가바이트) 제품 샘플링을 진행 중이다. 이르면 내년 플래그십 스마트폰에 탑재될 예정이다. 마이크론은 지난 2월에도 차세대 CPU용 1γ DDR5의 샘플을 출하한 바 있다. 주요 잠재 고객사는 AMD, 인텔 등으로 알려졌다. 한편 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 1c D램 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최초로 1c D램 기반의 16Gb(기가비트) DDR5를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 올해 중반 및 하반기 1c D램 기반의 LPDDR과 DDR5를 순차적으로 개발하는 것을 목표로 하고 있다.

2025.06.04 10:28장경윤

삼성전자, 1c D램 상용화에 '올인'…성과와 과제는

삼성전자가 1c(6세대 10나노급) D램을 성공적으로 양산하기 위한 만반의 준비에 나섰다. 컴퓨팅·서버 모바일용 제품을 동시다발적으로 개발하는 것은 물론, 수율 향상에 따른 설비투자 확대도 추진하고 있다. 다만 1c D램의 개발 상황과 양산성 확보는 '별개의 문제'라는 지적도 나온다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 ▲재설계에 따른 생산성 저하 ▲제조 공정에서 허용되는 공정 변동의 폭이 좁다는 점 등이 향후 해결해야 할 핵심 과제로 지목된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램의 상용화를 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 제품이다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 탑재할 예정이기 때문에, 차세대 메모리 사업에 있어 매우 중요한 의미를 가지고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어 올린 메모리다. 현재 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 이르렀다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4에 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 삼성전자는 이보다 한 단계 앞선 1c D램을 활용한다. D램이 HBM의 성능을 좌우하는 핵심 요소인 만큼, HBM4 시장에서 경쟁사 대비 강점을 드러내겠다는 전략으로 풀이된다. 다만 1c D램은 이제 막 개발이 진행되고 있는 제품으로, 수율이나 양산 효율성이 떨어진다는 단점을 동시에 품고 있다. DDR·LPDDR 동시 개발…1c D램 상용화 속도 의지 이에 삼성전자는 1c D램의 성공적인 시장 진입을 위해 다양한 전략을 구사하고 있다. 먼저 LPDDR(저전력 D램)을 포함한 제품의 동시다발적인 개발이다. 1c D램이 HBM에 초점이 맞춰져 있긴 하지만 삼성전자는 현재 1c D램 기반의 LPDDR 개발도 상당 부분 진척된 것으로 파악됐다. 통상 D램은 DDR, LPDDR, GDDR(그래픽 D램) 순으로 개발된 뒤 HBM에 적용한다. 삼성전자는 이 같은 관례를 깨기 위한 혁신을 시도 중이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 그래픽을 제외한 모든 영역에서 1c D램을 거의 동시 개발하고 적용하는 전략을 추진하고 있다"며 "주요 기업들과의 경쟁에서 우위를 다시 선점하려는 의도"라고 설명했다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 이 회사가 1c D램의 내부 양산 승인(PRA)을 목표로 둔 시점은 LPDDR이 올해 중순, HBM용으로 재설계를 진행한 DDR은 올 3분기께로 관측된다. 앞서 삼성전자는 HBM4용 1c D램의 높은 수율 확보를 위해 지난해 하반기부터 주변 회로의 크기를 키우는 재설계를 단행한 바 있다. 주변 회로가 커지면 칩 사이즈도 커져 웨이퍼 당 생산할 수 있는 칩의 수는 줄어들지만, 개발 난이도를 낮출 수 있다. 수율 높였지만…양산성 확보 결과 지켜봐야 덕분에 삼성전자는 내부적으로 수율 향상에 대한 자신감을 얻은 분위기다. 올해 초 1c D램의 첫 양산 라인 구축을 위한 투자를 진행한 데 이어, 최근에는 평택·화성을 중심으로 추가 설비투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 다만 삼성전자가 1c D램의 수율을 끌어올려 PRA를 마무리 하더라도, 양산 관점에서는 여전히 해결해야 할 과제들이 남아있다. 개발단에서는 소수의 특정 장비로 시제품을 생산한다. 이를 양산 공정으로 이관할 경우, 다수의 장비를 운용해야 하기 때문에 균일한 제조 환경을 구현해줘야 한다. 만약 각 장비 별로 설정이 크게 상이하면 양품을 균일하게 생산할 수 없게 된다. 때문에 양산 공정에서는 공정 변동(Process Variation)의 폭이 넓어야 양산에 유리하다. 그러나 삼성전자 1c D램은 공정 변동 폭이 이전 대비 좁은 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 1c D램은 공정 변동 폭이 좁아 일반적인 환경 대비 설정이 조금만 빗겨가도 불량이 발생해 마진을 확보하기 어렵다는 한계가 있다"며 "재설계에 따른 PRA를 비교적 수월하게 통과하더라도 양산성 확보는 다른 문제"라고 설명했다.

2025.06.02 15:02장경윤

엔비디아 '블랙웰' 칩 수요 쾌청…삼성·SK HBM 성장 기회

엔비디아가 AI 반도체 산업의 성장세를 자신했다. 미국의 대중 수출 규제 여파에도 최첨단 AI 반도체인 '블랙웰'의 수요가 강력하고, 전 세계 AI 인프라 투자가 활발히 진행되고 있기 때문이다. 초고성능 AI 반도체인 'GB300' 역시 올 3분기 초 차질없이 양산이 시작될 것으로 전망된다. 이에 따라 국내 주요 메모리 업체인 삼성전자, SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 지속적인 성장의 기회를 잡을 수 있을 것으로 기대된다. 中 수출 규제, AI 산업 성장세 등 불확실성 '해소' 이날 엔비디아는 2026년 회계연도 1분기(올해 2~4월) 매출액 440억6천만 달러를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 69%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 영업이익도 232억7천만 달러(Non-GAAP 기준)로 전년동기 대비 43%, 전분기 대비 6% 증가했다. 다만 데이터센터 매출액은 391억1천만 달러로 증권가 컨센서스(약 393억 달러)를 소폭 하회했다. 미국 트럼프 2기 행정부의 수출 규제 강화로 중국향 AI 반도체 'H20'의 판매가 전면 금지된 데 따른 영향이다. 엔비디아는 해당 규제로 1분기 45억 달러의 손실이 발생했으며, 2분기에도 80억 달러의 추가 손실이 있을 것으로 추산했다. 그럼에도 엔비디아는 2분기(5~7월) 매출 가이던스를 약 450억 달러로, 기존 증권가 컨센서스인 455억에 근접한 수준을 제시했다. H20의 수출 금지에도 최신형 AI 반도체인 블랙웰 시리즈의 수요가 견조한 덕분이다. 문준호 삼성증권 연구원은 "엔비디아의 2분기 매출 전망치는 전분기 대비 2% 증가에 그치나, H20의 손실 반영을 제외하면 14%의 성장세"라며 "그만큼 블랙웰의 수요는 같은 기간 더 좋아졌고, 이번 실적 발표에서 불확실성 요인이 다수 해소된 것도 중요한 대목"이라고 설명했다. GB300 양산 임박…SK하이닉스 HBM 훈풍 나아가 엔비디아는 올 하반기에도 전 세계 AI 인프라 투자로 인한 지속적인 성장을 자신했다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 ▲ 추론형 AI의 수요 증가 ▲ AI 확산 규정의 철폐 ▲ 엔터프라이즈 AI 시장의 본격적인 성장 ▲ 리쇼어리 정책 대두로 인한 '옴니버스' 등 산업용 AI 수요 증가 등 네 가지를 주요 배경으로 꼽았다. 견조한 AI 산업의 성장세는 국내 메모리 제조업체인 삼성전자, SK하이닉스에게도 긍정적이다. 특히, AI 반도체의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)를 엔비디아 주력으로 공급하는 SK하이닉스의 매출 확대가 두드러질 전망이다. 엔비디아는 올 하반기 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재한 최신형 AI 반도체 'GB300'를 출시할 예정이다. GB300은 이달 초 주요 CSP(클라우드서비스제공자)에게 샘플이 공급됐으며, 오는 7월께 양산이 시작될 것으로 예상된다. 엔비디아 역시 GB300에 당초 적용하기로 했던 신규 보드 플랫폼의 채용을 미루는 등 제품 안정성 강화에 만전을 기하는 분위기다. SK하이닉스와 엔비디아간 내년 HBM 공급량 협의도 마무리 단계에 접어들었다. 이르면 다음달 최종 결정이 내려질 것으로 알려졌다. 특히, 엔비디아의 차세대 AI 반도체인 '루빈'에 탑재되는 HBM4(6세대 HBM)의 가격 및 물량이 주요 변수로 작용하고 있다.

2025.05.29 14:07장경윤

K-반도체 육성, 기존 틀 깨야 불확실성 돌파…새 정부 과제 '산적'

윤석열 전 대통령의 탄핵 이후 들어서는 새 정부는 정치 혼란 속에서도 산업과 기술의 방향성을 다시 세울 중대한 책임을 떠안게 됐다. 동시에 전 세계는 기술의 또 다른 거대한 전환점을 맞이하고 있다. AI가 특정 산업의 기술을 넘어, 모든 산업에 스며드는 '기반 인프라'로 자리 잡고 있는 것. 자동차에서 헬스케어, 게임, 미디어, 금융에 이르기까지 AI는 이미 산업 생태계의 기초 체력으로 작동하기 시작했다. 지디넷코리아는 창간 25주년을 맞아 이 격변의 시점에서 AI 기반 산업 대전환기에 진입한 대한민국의 산업 현장을 진단하고, 각 산업 분야 전문가들과 함께 'AI시대, 새 정부가 해야 할 일'을 짚어본다. [편집자주] 국내 반도체 산업이 어느 때보다 높은 불확실성에 휩싸였다. 거시경제의 악화로 전방산업 수요가 빠르게 회복되지 않는 가운데, 중국 후발주자들의 거센 추격으로 탄탄했던 경쟁력을 잃어가고 있다는 우려가 제기된다. 최근 심화된 미·중간 패권 다툼도 국내 반도체 생태계를 위협하는 요소 중 하나다. 이 같은 글로벌 국면에서 다음 달 출범하는 새 정부는 수 많은 과제들을 시급히 해결해야 하는 과제를 떠안고 있다. 전문가들은 엄중한 현실에 맞춘 실용적인 반도체 설비투자 및 R&D(연구개발) 지원 정책, 근원적인 시스템반도체 경쟁력 회복을 위한 전략 및 인력 양성 계획 수립이 필요하다고 지적한다. 자유무역 시대 지나가…"기존 틀 깨고 반도체 육성에 집중해야" 미국은 지난해부터 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위를 꾸준히 높여가고 있다. 지난해 말에는 국내 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 기업이 시장을 주도하는 HBM(고대역폭메모리)에 대한 수출 제한과 함께, 반도체 제조장비에 대한 수출 규제 범위를 대폭 넓혔다. 올해 트럼프 2기 행정부에 들어서는 전 세계 무역질서 변화와 IT 수요 감소를 야기하는 관세 정책이 발효됐다. 나아가 트럼프 대통령은 반도체 분야에 대한 별도의 관세율 부과를 계획하고 있으며, 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업들에 대한 보조금(Chips Act) 지급도 재검토에 나서는 등 업계의 불안감을 키우고 있다. 중국은 이에 맞서 자국 내 반도체 공급망 자립화에 속도를 내는 분위기다. 지난해 5월 발표된 3기 반도체 투자기금의 경우 자본금 규모가 3천440억 위안(한화 약 64조원)으로 2기(약 2천억 위안) 대비 크게 늘어났다. 덕분에 현지 주요 파운드리인 SMIC와 메모리 기업인 CXMT·YMTC 등은 물론, 나우라·AMEC 등 장비기업들도 기술력을 빠르게 끌어 올렸다. 이처럼 반도체 산업은 단순히 시장경제를 넘어 국가 안보의 핵심 수단으로서 주목받고 있다. 우리나라 정부 역시 국제 정세를 반영해, 반도체 산업을 집중 육성하기 위한 정책을 펼쳐야 한다는 주장이 나온다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장은 "자유무역 시대가 지나가면서, 정부에서도 기존 정책적인 틀 자체를 바꿔서 새로운 시도를 해야 한다"며 "이전에는 개별 업종에 대한 보조금 지급에 대해 정부나 WTO 등에서 거부감을 드러냈으나, 물리적 환경이 바뀐 지금은 반도체 산업에 초점을 맞춘 지원책이 필요하다"고 말했다. 반도체 정책 진두지휘할 '컨트롤 타워' 절실 보다 과감한 국가 반도체 육성 전략을 위해서는 두 가지 선별 과제가 제시된다. 먼저 김형준 차세대지능형반도체사업단장은 국내 반도체 산업 정책을 총괄할 수 있는 컨트롤 타워의 필요성을 강조했다. 김 단장은 "현재 반도체 투자에 대한 지원은 산자부, 과기부, 중기부 등에서 각각 관리하고, 인력은 교육부가 담당하는 등 분산 및 중복이 되는 사례들이 있다"며 "장치산업으로서 대규모 투자가 필요한 반도체를 지원하려면 범부처 성격의 통합적인 컨트롤 타워가 세워져야 한다"고 강조했다. 정부의 반도체 산업 육성 전략도 현실성과 속도에 무게를 둬야 한다는 게 전문가들의 시각이다. 최근 반도체 시장의 부진으로 기업들의 수익성 확보가 어렵고, AI 등 첨단 산업에 대한 생태계 구축이 시급한 만큼 단기적으로 성과를 낼 수 있는 분야에 주력해야 한다는 이슈에서다. 김 단장은 "최근 출범한 양자전략위원회처럼 장기적 관점에서의 성장 동력을 확보하는 것도 물론 중요하지만, 지금 당장 국내 반도체 산업은 대내외적으로 위기를 맞고 있다"며 "반도체가 우리나라 전체 수출에 20% 이상을 기여하고 있음에도, 매출액 대비 지원 규모는 미국·중국에 비해 떨어지는 것이 현실"이라고 꼬집었다. 김용석 가천대 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문은 "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다"며 "R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다"고 강조했다. 시스템반도체 육성도 중요…토종 팹리스서도 '한강 작가' 나와야 국내 반도체 시장이 강세를 보이는 분야는 단연 D램·낸드 등 메모리반도체다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 기업들을 중심으로 한국은 전 세계 메모리 시장에서 60% 수준의 점유율을 기록하고 있다. 반면 시스템반도체 시장 점유율은 3%대에 불과하다. 시스템반도체의 핵심인 양질의 설계 인력이 부족하고, 팹리스·디자인하우스·파운드리 등 관련 생태계가 주요 경쟁국 대비 미흡한 탓이 크다. 한 팹리스 기업 대표는 "(대만)엔비디아가 세계에서 기업 가치가 가장 높은 것 처럼, 시스템반도체 설계를 잘 하면 빠른 시간 내에 부가가치를 올릴 수 있다"며 "한강 작가의 책이 전 세계에서 사랑을 받았듯이, 뛰어난 아이디어와 설계 실력을 갖춘 팹리스가 한국에서 나온다면 시스템반도체 시장에 변혁을 가져올 수 있다"고 말했다. 때문에 새 정부는 시스템반도체와 관련한 소프트웨어 기술력 및 인재 육성에 집중할 필요가 있다. 팹리스 기업들을 위한 체계적인 인력 양성 정책, 원활한 R&D 환경 구축을 위한 기금 조성 등이 선결 과제로 꼽힌다. AI 산업의 주요 트렌드로 자리잡고 있는 온디바이스AI에 대해서도 발빠른 준비가 필요하다. 온디바이스 AI는 서버 및 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술로, 가전과 로봇, 드론 등에 활발히 채용될 것으로 전망된다. 김용석 원장은 "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능할 것"이라고 말했다. "반도체 육성 결국 자금과 R&D, 주52시간제 근무 예외 적용 더 지체 안돼" [전문가 인터뷰] 김용석 가천대학교 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문 -차기 정부의 시급한 반도체 육성 정책은 무엇인가. "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다. R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다." -한국 반도체 산업에서 시스템 반도체 분야가 가장 취약한데. "국내 시스템반도체 산업을 키우려면 시스템 아키텍트, 시스템 소프트웨어 인재를 육성하고, 산업체 출신을 전임, 정년보장 트랙 교수로 채용해 기업이 원하는 수준으로 실무 교육을 강화해야 한다. 많은 기업 경영자를 만나보면, 대학에서 배운 지식이 실제 산업계에 활용되지 않는다는 것에 아쉬움이 많다. 이를 개선하기 위해서는 교육 커리큘럼을 이론 중심에서 벗어나 실습 위주로 전면 개편해야 한다." -한국 반도체 산업에 미래를 걸어야 하는 이유는. "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능하다." ■김용석 원장은 김용석 가천대학교 반도체대학 석좌교수이자, 가천반도체교육원 초대 원장은 삼성전자에 1983년 입사해 31년간 시스템반도체, 이동통신 소프트웨어, 갤럭시 스마트폰 개발 등 다양한 분야에서 경력을 쌓은 시스템반도체 전문가다. 최근 김 교수는 반도체 전쟁과 신제조업 경쟁을 다룬 'AI 반도체 전쟁'이란 책을 출간했다.

2025.05.16 13:37장경윤

국내 최대 반도체 소재 컨퍼런스 'SMC 코리아 2025' 14일 개최

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회 SEMI는 국내 최대 규모의 반도체 소재 컨퍼런스인 'SMC(Strategic Materials Conference) Korea 2025'를 이달 14일 수원컨벤션센터에서 개최한다고 7일 밝혔다. 올해로 10회째를 맞이한 이번 행사에서는 국내외 주요 칩 메이커, 반도체 장비·재료 기업, 그리고 전문 리서치 기관이 한데 모여 업계의 최신 기술 이슈와 시장 전망 등을 심도 있게 논의할 예정이다. 올해 행사는 총 2개의 세션으로 나뉘어 진행된다. 첫 번째 세션에서는 3D DRAM, CFET 등 차세대 메모리 반도체 기술의 발전에 따른 소재 혁신을 다룬다. 삼성전자, imec, 한양대학교, 에어리퀴드 등 업계를 선도하는 기업 및 기관 전문가들이 최신 기술 트렌드와 과제를 공유할 예정이다. 두 번째 세션에서는 HBM(고대역폭메모리)과 같은 첨단 메모리 제조 공정에 요구되는 반도체 재료의 기술 혁신 로드맵에 대해 심도 있는 발표가 이어진다. 어플라이드 머티어리얼즈, Linx Consulting, 인테그리스, Chipmetrics, SK하이닉스 등 글로벌 주요 반도체 기업의 연사들이 AI 애플리케이션을 위한 소재 혁신, 웨이퍼 결함 제어, ALD 장비 검증, 차세대 공정 소재 등 다양한 주제를 다룬다. 행사의 하이라이트 중 하나는 '패널 토의' 시간이다. 첫 번째 세션 후반부에 진행되는 해당 토론에서는 연사가 직접 참여, 청중과의 질의응답을 통해 더욱 풍부한 인사이트를 제공할 예정이다. 또한 이 날 마련된 참석자 및 연사 간 교류의 장을 통해 소재 공급망 생태계 내 소통과 협력의 기회를 넓힐 수 있는 시간도 마련된다. 이번 행사는 SEMI Korea가 주관하고, 동우화인켐, 듀폰, TEMC, JSR, 동진쎄미켐, 인테그리스, 헌츠맨, SK트리켐, 에어리퀴드, 유피케미칼이 후원한다.

2025.05.07 15:06장경윤

삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

美·中 관세 전쟁에 휩싸인 반도체…"내년 시장 전망 최대 34% 하향"

전 세계 반도체 시장이 미국 관세 정책에 따른 불확실성에 휩싸였다. 미·중 갈등 심화로 평균 관세율이 40%를 넘어서는 경우, 내년 반도체 시장 규모가 당초 예상 대비 34%가량 감소할 수 있다는 분석도 제기된다. 26일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 전 세계 반도체 시장의 성장세는 미국 관세 영향에 따라 크게 변동될 것으로 예상된다. 앞서 테크인사이츠는 이달 중순 미국의 관세 정책 발표에 따라 전 세계 반도체 시장 규모를 하향 조정한 바 있다. 적용되는 관세율을 10% 수준으로 가정했을 경우의 시장 규모는 올해 7천770억 달러, 내년 8천440억 달러 수준이다. 그러나 중국에 대한 관세율이 30~40% 수준으로 상향되고, 전 세계 관세율이 20~40% 정도로 올라가게 되면 반도체 시장 규모는 크게 하락할 것으로 전망된다. 예상치는 올해 7천360억 달러, 내년 6천990억 달러다. 테크인사이츠는 "해당 가정 시 올해 상반기에는 스마트폰, PC, 반도체 등 고객사의 재고 확보 추세가 두드러질 것"이라며 "하반기에는 데이터센터용 반도체는 여전히 강세를 유지하겠지만, 전자제품 출하량이 둔화될 것"이라고 설명했다. 미중간 부과되는 관세가 100%를 넘어가면서, 관세율 전반이 40%를 넘어서는 경우 반도체 장비 시장의 하락세는 더욱 가파라질 전망이다. 예상치는 올해 6천960억 달러, 내년 5천570억 달러 수준이다. 관세율 10%의 기본 가정과 비교하면 최대 낙폭이 올해 10%, 내년 34%에 이를 수 있다는 분석이 나온다. 테크인사이츠는 "이 경우 하이퍼스케일러 수익이 압박을 받아 데이터센터 자본지출이 감소하게 되고, 올 하반기부터 GPU 및 HBM 수요가 감소하게 될 것"이라며 "미국과 EU 등도 전자제품에 대한 소비자 수요가 감소하게 된다"고 밝혔다.

2025.04.27 07:13장경윤

SK하이닉스, 2분기도 D램·낸드 출하량 확대…"美 관세 영향 제한적"

SK하이닉스가 대외적인 경제 불확실성이 높아진 상황에서도 메모리 업계에 미칠 영향은 아직 제한적일 것으로 내다봤다. HBM(고대역폭메모리) 역시 수요 변동성이 없어, 기존 계획대로 올해 사업을 진행할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 메모리 사업에 대한 전망 및 대응 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2분기 D램·낸드 출하량 확대…HBM 사업도 굳건 SK하이닉스가 제시한 2분기 메모리 빗그로스(비트 생산량 증가율)는 D램이 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 20% 이상이다. 올 1분기 D램 및 낸드의 출하량이 전분기 대비 감소했던 데 따른 기조 효과와 더불어, 단기적인 메모리 수요 증가가 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 1분기에는 중국 이구환신 정책에 따른 시장 활성화, 미국 관세 정책을 우려한 일부 고객사들의 재고 축적 효과가 발생했다. HBM(고대역폭메모리) 역시 기존 전망대로 견조한 수요가 예상된다. SK하이닉스는 "올해 HBM 수요 전망은 전년대비 약 2배 성장할 것"이라며 "HBM3E 12단 전환도 순조롭게 진행되고 있어, 2분기에는 기존 계획대로 HBM3E 출하량의 절반 이상이 12단으로 판매될 예정"이라고 밝혔다. 미국 관세 정책, 저비용 AI 모델 확대 등 악영향 제한적 현재 업계는 중국 딥시크와 같은 고효율·저비용 AI 모델의 등장, 미국의 관세 정책에 따른 수요 불확실성 등을 우려하고 있다. 다만 SK하이닉스는 영향력이 제한것일 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "오픈AI o3나 딥시크 R1은 정교한 결과 도출을 위해 더 많은 메모리를 요구하기 때문에, 추가적인 고용량 메모리 수요를 창출하는 원인 중 하나"라며 "당사도 DDR5 기반 96GB 모듈의 수요 증가를 경험했고, 올해 고용량 DIMM 수요는 지속 증가할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "관세의 경우 세부 내용이 정해지지 않아, 2분기 풀-인 수요가 하반기 재고조정 리스크를 야기할만큼 크지는 않을 것"이라며 "공급사들도 시장 불확실성을 반영해 계획을 조절하므로 팬데믹 때와 같은 변동성은 없을 것"이라고 덧붙였다.

2025.04.24 10:45장경윤

SK하이닉스, 1분기 영업익 7.4조원 '어닝 서프라이즈'…HBM 효과

SK하이닉스가 올 1분기 증권가 컨센서스(영업이익 6조5천929억원)를 크게 웃도는 성적표를 내놨다. 메모리 시장이 예상보다 빠르게 회복되고 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 등 고부가 제품 판매가 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원(영업이익률 42%), 순이익 8조1천082억원을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 분기 기준으로 역대 최고 실적을 달성했던 지난 분기에 이어 두 번째로 높은 성과다. 영업이익률도 전 분기 대비 1%p 개선된 42%를 기록하며 8개 분기 연속 개선 추세를 이어갔다. SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 회사는 이어 “계절적 비수기임에도 과거와 확연히 달라진 당사 경쟁력을 입증하는 실적을 달성했다”며 “앞으로 시장 상황이 조정기에 진입하더라도 차별화된 실적을 달성할 수 있도록 사업 체질 개선에 더욱 매진하겠다”고 강조했다. 이 같은 실적 달성에 힘입어 1분기 말 기준 회사의 현금성 자산은 14조3천억원으로, 지난해 말보다 2천억원 늘었다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 29%와 11%로 개선됐다. SK하이닉스는 "글로벌 불확실성 확대로 수요 전망의 변동성이 커지고 있다"며 "이러한 환경 변화에도 고객 요구를 충족시킬 수 있도록 공급망 내 협력을 강화하기로 했다"고 밝혔다. 회사는 HBM 수요에 대해 고객과 1년 전 공급 물량을 합의하는 제품 특성상 올해는 변함없이 전년 대비 약 2배 성장할 것으로 내다봤다. 이에 HBM3E 12단 판매를 순조롭게 확대해 2분기에는 이 제품의 매출 비중이 HBM3E 전체 매출의 절반 이상이 될 것으로 전망했다. 또한 AI PC용 고성능 메모리 모듈인 LPCAMM2를 올 1분기부터 일부 PC 고객에게 공급했고, AI 서버용 저전력 D램 모듈인 SOCAMM은 고객과 긴밀히 협업해 수요가 본격화되는 시점에 공급을 추진할 계획이다. 낸드에서도 회사는 고용량 eSSD 수요에 적극 대응하는 한편, 신중한 투자 기조를 유지하며 수익성 중심의 운영을 지속할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "설비투자 원칙(Capex Discipline)을 준수하며 수요 가시성이 높고 수익성이 확보된 제품 중심으로 투자효율성을 한층 더 강화할 것"이라며 "AI 메모리 리더로서 파트너들과 협력을 강화하고 기술 한계를 돌파해, 업계 1등 경쟁력을 바탕으로 한 지속적인 이익 창출을 위해 노력하겠다"고 말했다.

2025.04.24 08:14장경윤

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