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"최대 월 120만장인데"...오픈AI, 삼성·SK에 HBM용 D램 90만장 요청

글로벌 빅테크 기업 오픈AI가 삼성전자·SK하이닉스와 핵심 AI 인프라 구축을 위한 전방위적 협력 체계를 구축했다. 오픈AI의 핵심 프로젝트인 '스타게이트'에 고성능 메모리를 공급하는 것이 주 골자로, D램 및 HBM(고대역폭메모리) 수요를 강하게 촉진할 것으로 기대된다. 1일 샘 알트만 오픈AI 대표는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장 등과 만나 메모리 공급과 관련한 LOI(의향서)를 체결했다. 삼성·SK에 손 내민 오픈AI…K-메모리 성장동력 '기대감' 오픈AI는 미국 클라우드 기업 오라클, 일본 투자 회사 소프트뱅크와 함께 초거대 데이터센터를 건설하는 스타게이트 프로젝트를 추진하고 있다. 오는 2029년까지 약 5천억 달러(한화 약 700조원)의 거금이 투입될 예정이다. 데이터센터 구축에는 방대한 양의 데이터 처리를 위한 고성능·고효율 메모리가 필수적으로 탑재된다. 기업용 낸드인 eSSD는 물론, 서버용 D램과 HBM(고대역폭메모리) 등 제품 전반이 필요하다. 특히 HBM의 경우, 기존 D램 대비 메모리를 전송하는 통로인 대역폭이 높아 고부가 제품으로 각광받고 있다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 중장기적 매출 성장을 위한 추가 동력을 확보하게 됐다. 삼성전자는 "회사는 스타게이트 프로젝트를 진행하고 있는 오픈AI가 고성능·저전력 메모리를 원활하게 공급받을 수 있도록 지원할 계획"이라며 "오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 "스타게이트 프로젝트에서 HBM 반도체 공급 파트너로 참여한다"며 "이번 메모리 공급 의향서 체결은 올해 상반기 기준 D램 글로벌 매출 1위인 SK하이닉스의 AI 전용 메모리반도체 기술력과 공급 역량을 인정받은 결과"라고 설명했다. D램 최대 월 90만장 요구…삼성·SK 총 생산능력 120만에 필적 업계의 이목을 끈 또 하나의 대목은 오픈AI가 요구한 D램 물량이다. 샘 알트만 오픈AI 대표는 양사와의 만남에서 월 90만장에 이르는 D램 공급량을 요구한 것으로 알려졌다. 삼성·SK 역시 각사 보도자료에 해당 물량을 명시했다. 현재 삼성전자의 전체 D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 월 60만~65만장으로 추산된다. SK하이닉스는 월 50만장 수준이다. 이를 고려하면 오픈AI는 양사의 도합 D램 생산능력에 필적하는 수준의 물량을 요청한 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "오픈AI가 자체 AI 가속기 등을 개발하면서 국내 메모리사에 HBM 샘플을 요청하는 등 메모리 수급에 지대한 관심을 가지고 있는 것으로 안다"며 "당장 오픈AI가 요구한 메모리 물량은 양사의 총 생산능력과 맞먹어 현실과는 괴리가 있다"며 "중장기적 관점에서 AI 인프라 구축에 상당한 메모리가 필요하다는 관점으로 보는 것이 더 적절할 것"이라고 말했다.

2025.10.01 18:47장경윤

삼성, 오픈AI와 'AI 인프라' 구축…메모리·데이터센터 전방위 협력

삼성은 오픈AI와 삼성전자 서초사옥에서 글로벌 AI 핵심 인프라 구축을 위해 상호 협력하는 LOI(Letter of Intent, 의향서) 체결식을 거행했다고 1일 밝혔다. 오픈AI와 LOI를 체결한 삼성 관계사는 삼성전자, 삼성SDS, 삼성물산, 삼성중공업 등 4개사다. 삼성은 오픈AI의 전략적 파트너사로서 반도체, 데이터센터, 클라우드, 해양 기술 등 각사의 핵심 역량을 결집시켜 전방위적인 협력 체계를 구축할 예정이다. LOI 체결식에는 ▲전영현 삼성전자 부회장 ▲최성안 삼성중공업 부회장 ▲오세철 삼성물산 사장 ▲이준희 삼성SDS 사장이 참석했다. 오픈AI 고성능 D램 '월 90만장' 필요…삼성 반도체 역량 총동원 삼성전자는 스타게이트 프로젝트를 진행하고 있는 오픈AI가 고성능· 저전력 메모리를 원활하게 공급받을 수 있도록 지원할 계획이다. 스타게이트 프로젝트는 오픈AI가 글로벌 기술·투자 기업들과 함께 슈퍼컴퓨터와 데이터센터를 건설하는 대규모 프로젝트다. 삼성전자는 오픈AI의 전략적 파트너로서 오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침이다. 오픈AI는 웨이퍼 기준 월 90만 장의 대량의 고성능 D램이 필요할 것으로 전망하고 있다. 삼성전자는 ▲메모리 반도체 ▲시스템반도체 ▲파운드리 사업 역량을 모두 보유하고 있는 종합반도체 회사로, AI 학습과 추론 전 과정에 필요한 다양한 제품 포트폴리오를 갖추고 있다. 또한 패키징 기술, 메모리·시스템반도체 융복합 기술 측면에도 오픈AI에 차별화된 솔루션을 제공할 수 있다. 삼성SDS는 오픈AI와 AI 데이터센터 공동 개발, 기업용 AI 서비스 제공에 대한 파트너십을 맺었다. 삼성SDS는 첨단 데이터센터 기술을 기반으로 오픈AI 스타게이트 AI 데이터센터의 ▲설계 ▲구축 ▲운영 분야에서 협력할 예정이다. LOI를 통해 삼성SDS는 오픈AI 모델을 사내 업무시스템에 도입하길 원하는 기업들을 대상으로 ▲컨설팅 ▲구축 ▲운영 사업을 진행할 수 있게 됐다. 또한 삼성SDS는 국내 최초로 OpenAI 기업용 서비스를 판매하고 기술지원할 수 있는 리셀러 파트너십을 체결해, 향후 국내 기업들이 오픈AI 챗GPT 엔터프라이즈 서비스를 사용할 수 있도록 지원할 예정이다. 차세대 플로팅 데이터센터 분야 개발 협력 삼성물산과 삼성중공업은 글로벌 AI 데이터센터의 진보와 발전을 위해 오픈AI와 협업하고, 특히 플로팅 데이터센터 공동 개발을 위해 협력할 예정이다. 플로팅 데이터센터는 해상에 설치하는 첨단 데이터센터로, 육지에 데이터센터를 설치할 때보다 공간 제약이 적고 열 냉각 비용을 절감할 수 있으며 탄소 배출량도 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 다만 기술적 난도가 높아 몇몇 국가에서 상용화를 위한 연구 개발이 진행되고 있는 단계다. 삼성물산과 삼성중공업은 독자 기술을 바탕으로 ▲플로팅 데이터센터 ▲부유식 발전설비 ▲관제센터 개발을 추진할 예정이다. 삼성은 오픈AI와의 협력을 시작으로 한국이 글로벌 인공지능 분야에서 3대 강국으로 도약하는 데 핵심적인 역할을 수행할 계획이다. 삼성전자는 ▲메모리 기술력 ▲글로벌 반도체업계 1위 생산능력 ▲안정적인 글로벌 생산 거점을 기반으로 OpenAI와 같은 글로벌 AI 선도 기업과의 협력을 강화할 예정이다. 또한 미래 AI 경쟁력을 제고하기 위해 ▲대규모 R&D 투자 ▲선제적 국내외 시설 투자 ▲국내외 우수인재 육성과 유치를 지속할 방침이다. 삼성SDS, 삼성물산, 삼성중공업도 AI 사업 기회를 확대해 한국이 AI 분야에서 글로벌 인공지능 3대 강국으로 도약하는 데 기여할 계획이다. 한편, 삼성은 임직원들의 기술 개발 생산성을 높이고 혁신 속도에 박차를 가하기 위해 챗GPT 사내 확대 도입도 검토하고 있다.

2025.10.01 18:42장경윤

美 마이크론, 4분기 매출·영업익 '껑충'…"HBM4 11Gbps 속도 구현"

미국 마이크론이 인공지능(AI) 확산에 따른 수요 증가로 시장 기대치를 웃도는 실적을 기록했다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 매출 급증이 실적 개선을 견인한 것으로 분석된다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(6~8월) 매출이 113억2천만달러(약 15조7천914억원)를 기록했다고 23일(현지시간) 밝혔다. 이는 전년 동기 대비 46% 증가한 수치이며, 금융정보업체 LSEG가 집계한 시장 전망치 약 112억달러를 웃도는 실적이다. 영업이익은 전년 동기 대비 126.6% 상승한 39억6천만달러(약 5조5천242억원)를 기록했다. 영업이익률은 35%에 달한다. 조정 주당순이익(EPS)은 3.03달러로 집계됐다. 애널리스트 예상치인 2.93달러를 상회하며 수익성 개선세를 입증했다. 마이크론은 "AI 데이터센터 확산과 고성능 서버용 메모리 수요 증가가 매출과 이익률 개선을 이끈 핵심 요인"이라고 설명했다. 특히 HBM 부문에서 뚜렷한 성장세가 확인됐다. 마이크론은 4분기 HBM 매출이 20억 달러에 달했다고 밝혔다. 이는 분기 기준 최고 실적이며, 연간 환산 시 약 80억달러 규모에 해당한다. AI용 GPU 및 데이터센터 인프라 확장세가 이어지면서 HBM 가격과 수요 모두 상승세를 유지하고 있기 때문이다. D램 매출은 90억달러를 기록했다. 전년 동기 대비 69% 올랐으며, 전 분기와 비교해 27% 상승한 규모다. 비트 기준 출하량과 ASP(평균판매단가) 모두 두 자릿수대의 상승폭을 보인 결과다. 낸드플래시의 경우 전 분기 대비 5% 상승했으나, 전년 동기 대비 5% 감소한 23억 달러의 매출을 기록했다. 출하량은 감소했지만 가격 상승이 실적을 보완했다. 사업 부문별로는 클라우드 메모리(CMBU) 부문이 회사 실적을 견인했다. CMBU 부문 매출은 45억4300만 달러로 전년 대비 213.6% 급상승했다. 모바일&클라이언트 부문은 37억6000만 달러로 24.5% 증가, 자동차&임베디드 부문은 14억3400만 달러로 16.6% 증가했다. 반면 코어 데이터센터 부문 매출은 15억7700만 달러로 23% 쪼그라들었다. 마이크론은 오는 2026 회계연도 1분기 122억~128억달러 매출을 올릴 것으로 전망했다. 이는 월가 예상치인 119억1천만달러를 상회하는 수준이다. 산제이 메트로트라 최고경영자(CEO)는 “2025 회계연도에 데이터센터 사업 부문에서 사상 최고 실적을 달성했으며, 강력한 성장 모멘텀과 역대 가장 경쟁력 있는 포트폴리오를 바탕으로 2026 회계연도를 맞이하고 있다”고 밝혔다.이어 “미국에 기반을 둔 유일한 메모리 제조사로서 마이크론은 다가올 기회를 활용할 수 있도록 독보적인 입지를 확보하고 있다”고 덧붙였다. 마이크론, HBM4로 반전…예상 뛰어넘은 11Gbps 성능 공개 HBM4 성능에 대한 시장 우려도 일축했다. 최근 업계 안팎에서는 마이크론의 HBM4 속도가 8Gbps(초당 10기가비트)로 설계됐다는 분석이 나왔다. 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스가 파운드리(반도체 위탁생산)를 통해 10Gbps 이상의 성능 우위를 꾀한 반면, 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정으로 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수했다는 관측 때문이다. 그러나 마이크론은 “최근 업계 최고 수준의 2.8TBps를 초과하는 대역폭과 11Gbps 이상의 핀 속도를 갖춘 HBM4 고객 샘플을 출하했다”고 밝혔다. 그러면서 “마이크론의 HBM4는 모든 경쟁사 HBM4 제품을 능가하는 성능과 업계 최고 수준의 전력 효율성을 제공한다”며 “▲검증된 1b D램 ▲첨단 패키징 기술을 조합해 전력 효율적인 HBM4 설계 ▲자체 개발 고급 CMOS 베이스 다이 및 첨단 패키징 기술이 이 최고 수준의 제품을 가능케 하는 핵심 차별화 요소”라고 설명했다.

2025.09.24 06:56전화평

"AI·자동차가 메모리 시장 성장 이끈다"

전통적인 PC·모바일 메모리 시장이 정체 국면에 머무는 반면, 데이터센터와 자동차용 메모리가 차세대 성장 동력으로 부상하고 있다. 22일 업계에 따르면 글로벌 D램 시장이 데이터센터와 자동차를 중심으로 성장할 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠는 글로벌 D램 수요가 지난 2023년 203Eb(엑사비트, 1Eb는 100만 테라비트)에서 2030년 722Eb까지 3.5배 이상 확대될 것으로 전망했다. 연평균성장률(CAGR)은 19.9%로 자동차와 데이터센터가 각각 27.6%, 26.6% 성장률 기록하며 전체 성장을 주도할 것으로 관측된다. 데이터센터 수요 급증...D램 시장 연평균 28.2% 성장 특히 데이터센터 수요는 AI 서버 확산에 힘입어 폭발적으로 증가할 전망이다. AI가 다양한 산업에 깊숙이 침투하면서, 이를 뒷받침할 고성능 AI 서버 시장이 가파른 성장세를 기록하고 있기 때문이다. 시장조사기관 글로벌 마켓인사이츠에 따르면 2024년 기준 1천280억달러(약 178조7천264억원)였던 전 세계 AI 서버 시장 규모는 올해 1천672억달러(약 233조5천억원)으로 급상승할 것으로 예상된다. 이후 2034년까지 연평균 28.2%의 성장세를 기록하며 1조5천600억달러(약 2천178조원)를 기록할 전망이다. 특히 주목할만한 점은 서버당 D램 탑재 용량이다. 테크인사이츠는 2024년에서 2030년까지 D램 탑재 용량이 평균 1TB(테라바이트)에서 2.5TB(테라바이트)로 2.5배 이상 확대되면서 전체 비트 수요를 끌어올릴 것으로 봤다. 이에 따라 데이터센터 DRAM 매출은 2024년 480억 달러에서 2030년 1천540억달러로 급증, 전체 D램 매출의 70%를 차지할 것으로 전망된다. 차량용 메모리, 전장·자율주행 타고 급상승 차량용 메모리 수요 역시 고도화된 전장 시스템과 자율주행 기술 확산으로 빠르게 확대되고 있다. 차량 한 대당 탑재되는 메모리 용량이 늘어나면서, 자동차는 데이터센터와 함께 향후 메모리 시장의 '쌍두마차'로 부상할 것으로 보인다. 시장조사기관들은 차량용 메모리 시장이 상승할 것으로 내다봤다. 리서치앤마케츠는 2025년부터 2033년까지 연평균 11.11% 성장할 것으로 관측했으며, 그로우스마케츠리포츠는 같은 기간 13.2% 성장세를 기록할 것으로 점쳤다. 데이터인텔로는 2024년부터 2032년까지 10.9% 성장할 것으로 예상했다. 리서치앤마케츠는 “자동차가 스마트 기술과 더욱 긴밀하게 연결됨에 따라 고용량 메모리 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있다”며 “이는 시장 성장에 긍정적인 요인”이라고 분석했다. 그러면서 “배터리 관리 및 에너지 효율 향상을 위한 첨단 메모리 시스템이 필요한 전기차(EV) 및 하이브리드 자동차의 보급 확대 또한 시장 성장을 촉진하고 있다”고 덧붙였다. 모바일·PC, 전체 D램 평균 밑돌아...”2030년 전후가 분수령” 반면 모바일, PC는 낮은 성장률을 기록할 전망이다. 테크인사이츠는 모바일과 PC가 2023년부터 2030년까지 연평균 13%, 10.8%씩 성장세를 보일 것으로 봤다. 전체 D램 시장 연평균 성장률인 19.9%를 밑도는 규모다. 이는 시장이 성숙기에 접어들며 정체 양상을 보이고 있기 때문이다. 이는 신규 수요보다는 교체 수요에 의존하는 구조가 고착화되고 있음을 보여주는 셈이다. 업계 관계자는 “메모리 시장의 무게 중심이 PC와 모바일에서 데이터센터와 자동차로 이동하는 추세가 뚜렷하다”며 “AI와 자율주행이 본격화되는 2030년 전후가 메모리 산업의 분수령이 될 것”이라고 말했다.

2025.09.22 13:57전화평

삼성전자, 'V9 QLC 낸드' 사업 고전…최첨단 제품 상용화 지연

삼성전자가 9세대(V9) 낸드 고용량 제품 상용화에 난항을 겪고 있다. 당초 지난해 하반기 첫 양산을 발표했으나, 현재 성능 상의 문제로 설계 및 공정 단의 보완 작업이 진행되고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업의 발달로 고용량 낸드에 대한 수요가 늘고 있는 만큼, 시장 대응에 발빠르게 나서야 한다는 지적이 제기된다. 16일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 V9 QLC 낸드에 대한 본격적인 상용화 시점을 최소 내년 상반기로 연기했다. V9 QLC 개선 필요…내년 안정화 및 설비투자 전망 삼성전자 V9 낸드는 280단대로, 지난해 4월 첫 양산이 개시됐다. 당시 제품은 TLC(트리플 레벨 셀) 구조를 기반으로 총 1Tb(테라비트) 용량을 구현해냈다. TLC는 메모리의 최소 저장 단위인 셀(Cell) 하나에 3비트를 저장할 수 있다는 뜻이다. 나아가 삼성전자는 지난해 9월 V9 QLC 낸드 양산 소식을 발표했다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, TLC 대비 고용량 저장장치 구현에 유리하다. 다만 삼성전자는 V9 QLC 낸드의 상용화에 어려움을 겪고 있는 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 삼성전자 V9 QLC 낸드의 초기 제품은 설계 상의 문제로 성능이 저하되는 현상이 발생했다. 이에 삼성전자는 V9 QLC 낸드에 대한 설계 및 공정 단의 개선 작업을 진행 중이다. 업계에서는 이르면 내년 상반기께 개선 작업이 마무리될 것으로 보고 있다. V9 낸드의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 비슷한 시점에 진행될 예정이다. 현재 삼성전자는 평택과 중국 시안 팹에서 내년 상반기 V9 낸드 전환투자를 진행하는 방안을 논의 중이다. 구체적인 투자 규모는 확정되지 않았으나, 평택과 시안이 이미 소규모로 V9 낸드 양산라인을 도입하고 있는 만큼 총 생산능력은 크게 늘어날 전망이다. 내년 QLC 낸드서 비중 '9%' 불과 전망…AI 시장 공략 시급 삼성전자의 V9 QLC 낸드는 회사의 고부가 메모리 사업에 큰 영향을 끼칠 수 있다는 점에서 업계의 주목받아 왔다. 현재 낸드 시장은 방대한 양의 데이터 처리를 요구하는 AI 산업의 발달로 고용량 제품에 대한 수요가 크게 증가하는 추세다. 그러나 삼성전자의 주력 QLC 낸드 제품은 V7에 머물러 있다. 다음 세대인 V8 낸드에서는 QLC 제품이 출시되지 않았다. 때문에 삼성전자는 전체 낸드 시장에서는 점유율 1위의 자리를 공고히 하고 있으나, QLC 낸드 시장에서는 비교적 열세에 놓인 형국이다. 트렌드포스와 모건스탠리 조사에 따르면, 내년 전체 QLC 낸드 출하량에서 삼성전자가 차지하는 비중은 9% 가량으로 예상된다. SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 36%, 키오시아 및 샌디스크는 29%, 마이크론은 17% 수준이다. 반도체 업계 관계자는 "글로벌 빅테크의 투자 및 기존 레거시(성숙) 낸드에 대한 교체 수요로 QLC 낸드의 중요성이 대두되는 시점"이라며 "삼성전자가 수혜를 보려면 최첨단 제품의 안정적인 양산 확대가 필요하다"고 말했다.

2025.09.16 14:45장경윤

AI 연산 폭증에 반도체 새 판 짠다…삼성 'DTCO', SK '풀스택 메모리'

인공지능(AI)의 폭발적 성장이 반도체 산업의 판도를 흔들고 있다. 데이터센터부터 모바일 기기까지 AI 연산 수요가 기하급수적으로 늘어나면서, 반도체 업계는 설계 최적화와 메모리 혁신을 해법으로 제시하고 있다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 서울 롯데호텔월드에서 개최된 '케이던스라이브 코리아 2025(CadenceLIVE Korea 2025)'에서 AI 시대 대응 방안을 제시했다. 삼성전자, AI 시대의 한계를 뛰어넘기 위한 기술 'DTCO' 먼저 백상훈 삼성전자 부사장은 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 AI 시대의 한계를 뛰어넘기 위한 기술 대안으로 발표했다. DTCO는 반도체 설계와 공정 기술을 동시에 최적화해 PPA(전력·성능·면적), 생산 수율, 제조 비용 등 반도체 칩의 성능을 극대화하는 기술이다. 단순 설계 개선을 넘어 설계와 공정 기술을 하나의 유기체처럼 함께 최적화하는 게 필수다. 설계 과정에서 발생하는 문제점을 공정 단계에서 예측하고, 공정 기술 발전을 고려해 설계를 개선하는 상호 협력 과정이 중요하다. 발표에 따르면 DTCO의 핵심은 하이퍼셀(Hyper cell), 퓨전셀(Fusion cell) 등 차세대 셀 구조다. 하이퍼셀은 인접 채널을 병합해 고밀도 셀에서 발생하는 속도 저하 문제를 해결한다. 물리적으로는 면적 효율성을 유지하면서도 전류 구동 능력(Ion)을 개선할 수 있다. 퓨전셀은 서로 다른 특성을 가진 셀 구조를 통합(Fusion)해 상황에 따라 성능과 전력을 동시에 최적화하는 방식이다. 설계자가 공정 노드 내에서 고성능(HP)셀과 저전력(ULP)셀을 별도 선택할 필요 없이, 융합된 셀 라이브러리를 통해 균형 잡힌 설계가 가능해진다. 백 부사장은 “설계와 공정을 유기적으로 결합하는 DTCO 방식이 전력·성능·면적(PPA) 문제를 동시에 풀어낼 수 있는 해법”이라고 강조했다. 그러면서 "케이던스와의 협업을 통해 이 기술이 실제 제품에서 성과를 내고 있다"고 전했다. SK하이닉스, 풀스택 메모리로 AI 미래 설계 오늘날 AI 산업은 훈련 단계에서 추론 단계로 빠르게 이동하고 있다. 이에 따라 메모리는 단순한 저장 수단을 넘어, 고성능과 전력 효율을 동시에 만족시켜야 하는 핵심 인프라로 자리매김했다. SK하이닉스는 풀스택 메모리 포트폴리오로 이 같은 AI 환경 전반에 대응한다는 전략이다. 발표자로 나선 김천성 SK하이닉스 사장은 HBM(고대역폭메모리), D램, SSD까지 아우르는 풀스택 메모리 포트폴리오를 공개하며, AI 학습뿐 아니라 추론 환경에서도 효율적이고 확장성 높은 솔루션을 제공하겠다고 밝혔다. 그는 “AI 산업이 AI 학습에서 추론으로 빠르게 전환됨에 따라 메모리 기술의 진화가 필수적”이라고 전하며 “SK하이닉스의 스토리지 솔루션은 AI 추론 시나리오에서 데이터 집약적인 워크로드에 빠르고 안정적으로 액세스할 수 있도록 설계되어 있다”고 자신했다. 특히 HBM과 스토리지 SSD의 역할에 대해 강조했다. HBM이 전력 효율과 데이터 처리 속도라는 구조적 장점을 통해 고객 요구를 충족할 수 있다는 주장이다. 스토리지 SSD 등 스토리지 기술은 AI 추론 워크로드에서 요구되는 데이터 집약적인 연산 처리를 가능한 빠르고 안정적으로 지원하는 역할을 담당할 것으로 기대했다. 한편 행사에는 삼성전자 파운드리(위탁생산) 관계사인 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 디자인하우스들도 참가했다. 이들 업체는 부스를 통해 고객과 만났다. 특히 코아시아의 경우 연사로 참가해 칩렛, SiP(시스템인패키지) 등에 대한 회사의 기술력을 소개했다.

2025.09.11 15:16전화평

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

삼성서 SK하이닉스로 갈아탄 네이버, 차세대 AI 솔루션 개발 가속

한 때 삼성전자와 인공지능(AI) 반도체 '마하'를 개발하다 중단했던 네이버클라우드가 이번엔 메모리 반도체 1위로 올라선 SK하이닉스와 협업에 나선다. '제2의 HBM(고대역폭메모리)'로 불리는 차세대 AI 메모리 솔루션 개발 역량 강화에 나설 예정으로, 양사 덕에 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 등의 상용화가 빨라질 지 주목된다. 네이버클라우드는 SK하이닉스와 AI 서비스 성능과 효율 혁신을 위한 협력을 진행하기로 했다고 10일 밝혔다. 자사 대규모 데이터센터에 SK하이닉스의 최신 하드웨어를 적용하고 데이터센터 소프트웨어 최적화를 병행함으로써 AI 서비스 응답 속도 향상과 서비스 원가 절감을 동시에 달성한다는 목표다. 네이버클라우드는 이번 협력을 통해 SK하이닉스의 CXL, PIM 등 차세대 메모리 솔루션을 실제 AI 서비스에 적용해 그래픽처리장치(GPU) 활용 효율을 높이고 전력 소모를 줄이는 등 실질적 성과를 도출할 예정이다. CXL은 컴퓨팅 시스템 내 중앙처리장치(CPU)와 GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량·초고속 연산을 지원하는 차세대 설루션이다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 AI와 빅데이터 처리 분야에서 데이터 병목 문제를 해결하는 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 GDDR(그래픽 D램)에 PIM을 접목한 'GDDR6-AiM'을 선보이고 PIM 기술 상용화에 앞장서고 있다. 네이버클라우드는 "최근 생성형 AI의 급속한 확산으로 서비스 운영 비용 절감과 응답 속도 최적화가 핵심 과제로 떠오르고 있다"며 "GPU 성능을 뒷받침하는 메모리·스토리지 효율은 AI 경쟁력의 중요한 차별화 요소로 부각되고 있다"고 설명했다. 이번 협력을 통해 네이버클라우드는 데이터센터 인프라와 소프트웨어를 아우르는 최적화 경험을 확보해 풀스택 AI 기업으로서의 경쟁력을 한층 보완하게 됐다. 나아가 국내 기술 기반의 소버린 AI 인프라 강화에도 기여할 계획이다. 또 양사는 공동 연구, 특허 출원, 국제 AI 컨퍼런스 참여 등 다양한 협력 활동도 추진한다. 이를 통해 기술적 성과를 글로벌 시장에 적극 알리고 산업 전반의 AI 생태계 확산을 가속화한다는 계획이다. 김유원 네이버클라우드 대표는 "AI 서비스 경쟁력은 소프트웨어를 넘어 데이터센터 인프라 전반의 최적화에서 결정된다"며 "글로벌 AI 메모리 대표 반도체 기업과의 협업을 통해 인프라부터 서비스까지 아우르는 경쟁력을 강화하고, 고객에게 보다 혁신적인 AI 경험을 제공하겠다"고 밝혔다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 "실제 상용 환경에서의 엄격한 검증을 거쳐 글로벌 AI 생태계가 요구하는 최고 수준의 메모리 솔루션을 제공해 AI 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 하겠다"며 "이번 협력을 시작으로 글로벌 CSP(Cloud Service Provider) 고객들과의 기술 파트너십도 적극 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.09.10 10:12장유미

"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

SK하이닉스, 임금협상 타결…매년 영업익 10% 성과급 지급

SK하이닉스는 임금인상률 6%와 새로운 PS(성과급) 기준을 담은 임금 교섭 잠정 합의안이 노동조합 대의원 투표를 통해 타결됐다고 4일 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난 5월부터 진행된 임금 교섭을 마무리 했다. 이날 투표는 95.4%의 역대 최고 찬성률로 통과됐다. 이번에 타결된 합의안은 매년 영업이익의 10%를 성과급으로 지급하되, 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해년도 지급, 나머지 20%는 2년에 걸쳐 매년 10%씩 지급하는 방식을 골자로 한다. 특히 10년간 기준을 유지하기로 정한 새로운 성과급 기준의 의미를 살펴보면, 회사의 경영 성과와 개인의 보상 간 직접적 연계를 명확하고 투명한 기준으로 정립함으로써 시스템 경영을 통한 보상의 내적 동기부여를 극대화했다. 또한 성과급의 일부는 2년에 걸쳐 이연 지급해 회사의 재무건전성과 보상 안정성을 동시에 추구하는 윈-윈(Win-Win) 효과를 얻게 됐고, 이는 회사와 구성원 모두가 장기적 성장 관점에서 접근한 사례다. 10년간 기준을 유지한다는 원칙으로 제도의 장기적인 지속가능성과 회사와 구성원 간 신뢰도 확보했다. 이를 통해 매년 반복되는 논란을 원천적으로 제거하고 구성원이 일에 몰입할 수 있는 환경을 조성할 수 있게 됐다. 이번 합의는 내부적으로 회사 성과의 파이(규모)를 키우자는 동기 부여 효과와 더불어 고성과자에 대한 보상 확대 등 성과주의에 기반한 보상 체제를 강화해, 우리 사회의 의대 선호 현상을 전환시키며 국내외 이공계 우수 인재를 확보, 유지하는 계기를 마련했다는 평가가 나오고 있다. SK의 성과에 대한 보상 철학은 성과급 수준 자체에 집중하거나 회사가 일방적으로 결정해서 지급하는 것이 아닌, 기준에 합의해 함께 파이를 키워서 공유하는 것이라는 의미로 해석된다. 한편 SK하이닉스 노사는 5일 임금협상 조인식을 진행할 예정이다.

2025.09.04 10:11장경윤

오픈엣지, NoC IP로 자동차 기능안전 표준 인증 획득

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문기업 오픈엣지테크놀로지는 자사의 Network-on-Chip(NoC) IP가 자동차 기능 안전 글로벌 표준인 ISO 26262 ASIL-B 등급 인증을 획득했다고 3일 밝혔다. 이번 성과는 지난해 메모리 컨트롤러와 DDR PHY IP에 이어 추가로 확보한 것으로, 국내 반도체 IP 전문기업 최초로 주요 차량용 메모리 서브시스템 IP 전반에 걸쳐 ISO 26262 인증을 완성하게 됐다. 인증은 글로벌 인증기관 DNV의 공인 평가를 통해 이루어졌으며, 이를 통해 오픈엣지의 NoC IP가 차량 내 복잡한 데이터 흐름과 연산을 안전하게 처리할 수 있음을 입증했다. 특히 NoC IP는 차량용 반도체의 인포테인먼트, 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 자율주행 등에서 고속·대용량 데이터 전송을 관리하는 핵심 인프라다. 이번 인증은 오픈엣지가 글로벌 자동차 산업에서 요구하는 최고 수준의 안전 기준을 충족했음을 보여준다. 이성현 오픈엣지 대표는 “이번 NoC IP ISO 26262 ASIL-B 인증은 오픈엣지가 글로벌 차량용 반도체 설계 시장에서 요구되는 최고 수준의 안전성과 신뢰성을 갖춘 IP 포트폴리오를 보유했음을 공식적으로 입증한 성과”라며 “앞으로도 혁신적이고 신뢰도 높은 반도체 IP 솔루션을 지속적으로 제공해 글로벌 차량용 반도체 시장에서의 경쟁력과 입지를 한층 강화해 나가겠다”고 말했다. 오픈엣지는 이번 인증을 통해 메모리 서브시스템 전반에 걸친 안전 인증 IP 포트폴리오를 확보하게 되었으며, 이를 기반으로 글로벌 팹리스 기업들의 증가하는 차량용 반도체 IP 수요에 적극 대응할 계획이다. 한편 오픈엣지는 향후 칩렛 인터페이스 IP(UCIe Controller 및 PHY)까지 ISO 26262 인증 범위를 확대해, 보다 강화된 차량용 IP 솔루션을 제공할 방침이다.

2025.09.03 09:58장경윤

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

SSD-프로세서 직결 난항…HBF가 돌파구 될까

“SSD(솔리드스테이트드라이브)를 프로세서에 직접 연결하는 기술은 오랜 시간 꾸준히 연구됐습니다. 그러나 실제 적용에는 다소 난항을 겪는 상황입니다.” 26일 한 반도체 업계 관계자는 현재 SSD 연결 기술에 대해 이 같이 평했다. CPU, GPU 등 프로세서와 SSD를 직접 연결하기 어렵다는 것이다. 이 같은 상황이 발생한 가장 큰 이유는 메모리와 스토리지의 역할 차이에서 기인한다. CPU 등 프로세서는 연산을 하기 위해 매우 빠른 데이터 접근이 필요하다. 그래서 접근 속도가 빠른 D램과 직접 연결돼 동작한다. 반면 SSD는 저장장치라서 접근 속도가 D램 대비 다소 느리다. CPU가 SSD를 주 메모리처럼 쓰면 연산 속도가 크게 떨어질 수 밖에 없다. 그럼에도 불구하고 SSD와 프로세서를 직접 연결하려는 이유는 데이터 이동 비용을 절감하기 위해서다. 현재 반도체 구조에서 프로세서가 SSD 데이터를 사용하려면 SSD-낸드플래시 컨트롤러-D램-프로세서 단계를 거쳐야 한다. 반도체가 데이터 이동에서 발열이 발생한다는 점을 고려하면, 에너지 낭비가 심한 셈이다. 대규모 데이터센터에서는 비용 문제와도 직결된다. 이에 글로벌 반도체 기업들은 프로세서와 SSD를 직접 연결하기 위한 연구를 진행 중이다. 대표적인 기업이 엔비디아다. 엔비디아는 IBM, 여러 대학들과 손을 잡고 GPU를 위한 대용량 가속기 메모리 기술 BaM(Big Accelerator Memory)을 개발하기도 했다. BaM은 차세대 전송 프로토콜 NVMe(비휘발성 기억장치 익스프레스)를 통해 SSD와 GPU를 직접 연결하는 기술이다. HBF, SSD 연결 판도 바꿀 게임체인저될까 업계에서는 HBF(High Bandwidth Flash)가 SSD와 프로세서간 연결을 바꿀 게임체인저로 보고 있다. HBF는 D램과 유사한 방식으로 프로세서에 더 가까이 배치된 플래시 메모리다. HBM(고대역폭메모리)이 D램을 적층한 제품이라면, HBF는 플래시를 쌓아 올린 메모리다. 두 제품 모두 메모리 적층을 통해 대역폭을 대폭 넓혔다는 공통점을 갖고 있다. HBF가 HBM처럼 정보 처리를 빠른 속도로 할 수 있는 것이다. SSD와 프로세서 연결간 문제로 지적되던 속도 문제를 해결한 셈이다. 다만, 아직 넘어야할 장애물이 존재한다. HBF를 구현하기 위한 일종의 인프라 구축이 어렵다는 의견이다. HBF를 오가는 블록 스토리지(일종의 데이터 묶음)의 단위가 크기 때문이다. 정명수 카이스트 교수는 “블록 스토리지가 커서 I/O 그래뉴얼리티(한 번의 입출력으로 접근하거나 전송할 수 있는 데이터 블록의 최소 단위)가 기존과 다르다”며 “큰 정보량을 한 번에 움직일 수 있을만한 소프트웨어 등 인프라가 필요하다”고 말했다.

2025.08.26 16:25전화평

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

SK하이닉스, 321단 QLC 낸드 양산 돌입…"내년 상반기 본격 출시"

SK하이닉스는 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉜다. QLC는 4개의 정보를 저장하며, 이는 상용화된 낸드 중 가장 많은 데이터를 저장하는 수준이다. SK하이닉스는 "세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다"고 강조했다. SK하이닉스는 이번 제품의 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다. 일반적으로 낸드는 용량이 커질수록 하나의 셀에 더 많은 정보를 저장하고, 메모리 관리가 복잡해져 데이터 처리 속도가 느려지는 문제가 발생한다. 회사는 대용량화로 인한 성능 저하를 해결하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 그룹의 단위인 플레인(Plane)을 4개에서 6개로 늘려 더 많은 병렬 작업이 가능하도록 했다. 플레인은 하나의 칩 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 셀과 주변부 회로를 말한다. 이를 4개에서 6개로 늘려 데이터 처리 성능(Data Bandwidth) 중 하나인 동시 읽기 성능이 개선됐다. 그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 데이터 전송 속도는 100% 빨라졌고, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 데이터 쓰기 전력 효율도 23% 이상 증가해 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 등의 분야에서도 경쟁력을 확보했다. 회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한번에 적층하는 독자적인 패키지(32 DP) 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다. 정우표 SK하이닉스 부사장(NAND개발 담당)은 "이번 제품 양산 돌입으로 고용량 제품 포트폴리오를 대폭 강화하고 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다"며 "폭발적으로 성장하는 AI 수요와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서 더 큰 도약을 이뤄내겠다"고 밝혔다.

2025.08.25 10:41장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

곽노정 사장 "존폐 위기 하이닉스, SK 만나 시총 200조원 달성"

“문 닫기 직전까지 갔던 회사가 SK를 만나면서 세계 최초 HBM 개발, 글로벌 D램 시장 1위, 시총 200조원 달성 등 도약을 이뤄냈다. 이 모든 과정은 SK의 과감한 투자, 미래를 내다보는 안목 덕분이었다.” 곽노정 SK하이닉스 사장은 18일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 '이천포럼 2025' 개회사에서 이같이 밝혔다. 이천포럼은 SK그룹의 대표 변화추진 플랫폼으로, 최태원 SK 회장 등 그룹 주요 경영진 및 구성원들은 오는 20일까지 AI 혁신, 디지털전환(DT), SK고유 경영체계인 SKMS 실천 강화 방안 등을 논의할 예정이다. 곽 사장은 지난 2016년 최태원 SK그룹 회장이 “근본적인 변화가 없으면 갑작스러운 죽음(서든 데스)을 맞을 수 있다”고 경고했던 발언을 언급하며, “지난 몇 년은 이 말씀이 얼마나 중요했는지를 입증하는 시간이었다”고 밝혔다. 곽 사장은 “최근 변화의 중심에는 AI가 불러온 혁신이 있다”며 AI가 불러온 변화는 점진적 혁신을 넘어 기존 산업 틀을 근본적으로 바꾸는 '파괴적 혁신'이라고 강조했다. 또한 "오늘날 AI 시대에 주목받는 기업이 바로 SK하이닉스”라며 “20여 년 전 존폐 위기까지 몰렸던 하이닉스가 SK를 만나 완전히 새롭게 바뀌었다”고 밝혔다. 곽노정 사장은 형광등을 하나씩 빼며 전기를 아껴 경비를 줄이고, 임직원들은 무급휴가를 쓰고 급여를 반납해야 했던 과거를 회상하기도 했다. 그는 “세계 최초 HBM 개발은 SK와 손잡은 이듬해 이뤄낸 성과였다”며 “그 과정은 결코 순탄치 않았지만 포기하지 않았고, SK가 단기 성과에 매몰되지 않고 과감히 미래 투자를 지속했기에 오늘의 HBM 신화가 가능했다”고 강조했다. 지난 2012년 당시 최태원 SK 회장은 경영난에 시달리던 하이닉스를 과감하게 인수하며 오늘날 SK하이닉스를 국내 대표 반도체 기업으로 탈바꿈시키는 데 결정적인 역할을 했다. 최 회장은 회사 인수에 이어 적극적인 자금 투입을 통해 투자 여력을 확보했고 채권단 체제 하에서 여의치 않았던 대규모 장비와 설비 투자를 본격화했다. 미래 기술과 시장 변화를 내다보며 장기적 관점의 혁신에 집중하는 최태원 회장의 선구안과 리더십이 있었기에 오늘의 SK하이닉스가 있다는 것이 재계의 평가다. 경쟁사들이 단기 실적에 집착할 때 SK하이닉스는 AI 등 첨단 반도체 분야, 특히 HBM차세대 메모리 개발에 전략적으로 집중하며 글로벌 AI·첨단 반도체 산업의 선두 주자로 확고히 자리매김했다. 이날 곽 사장은 SK그룹 특유의 '수펙스(SUPEX)' 추구 정신을 강조했다. 그는 “수펙스는 인간의 능력으로 도달할 수 있는 최고 수준을 지향한다는 그 자체의 뜻을 넘어 끊임없는 혁신과 개선을 지속하자는 의미를 갖고 있다”며 수펙스 추구 정신이 오늘날의 SK를 만들고 앞으로의 SK를 만들어 나갈 것임을 강조했다. 곽 사장은 이어 사자성어 '지불시도(智不是道)'를 언급했다. 지불시도는 '아는 것이 다 길이 되는 건 아니다'라는 뜻이다. 그는 “아는 것을 깊이 몸속으로 받아들이고 어떠한 어려움 속에서도 한 걸음 한 걸음 앞으로 나아가려는 자세와 노력이 길을 만드는 것”이라고 덧붙였다. 끝으로 곽 사장은 “AI 시대 변화는 이제 시작이며 엄청난 크기의 변화에 두려움을 느낀다”면서도 “문 닫을 위기를 겪어내면서도 HBM을 만든 SK하이닉스는 결국 어려움을 헤쳐 나가고 문제를 풀어나갈 수 있을 것”이라고 강조하며 개회사를 마무리했다. SK그룹은 AI 시대에 맞춰 발 빠른 행보를 보이며 SK하이닉스에 이어 미래 AI 시대의 또 다른 '전략적 결실'을 맺기 위해 분주하게 노력 중이다. 최태원 회장은 연초 신년사에서 그룹 미래 도약의 원동력으로 'AI'를 꼽으며 “AI 산업의 급성장에 따른 글로벌 산업구조와 시장 재편은 거스를 수 없는 대세이며, AI를 활용해 본원적 사업 역량을 높여야 한다”고 강조했다. SK그룹은 지난 6월 아마존웹서비스(AWS)와 협력을 통해 울산 미포 국가산업단지에 국내 최대 규모 초대형 AI 데이터센터 건립을 발표하고 7조원을 투자하겠다고 밝혔다. AI 데이터센터에는 SK하이닉스 HBM 등 첨단 AI 반도체 기술이 적용되고, SK텔레콤과 SK브로드밴드가 지난 25년간 축적한 데이터센터 사업 역량을 바탕으로 구축 총괄과 운영을 담당할 예정이다. 총 6만장 GPU가 투입되는 이 데이터센터는 2027년 말 1단계 준공(41MW 규모), 2029년 2월 완공(103MW 규모)을 목표로 하고 있으며 향후 1GW급까지 확장해 동북아 최대 AI 허브로 성장시키겠다는 목표이다. 대규모 투자로 향후 30년 간 7만8천명 이상의 고용이 창출되고, 25조원 이상 경제 파급효과가 기대된다.

2025.08.18 10:27장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

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