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'메모리'통합검색 결과 입니다. (525건)

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엠디바이스, 코스닥 상장 예비심사 승인…"SSD 시장 적극 공략"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 한국거래소로부터 코스닥 상장을 위한 예비심사 승인을 받았다고 21일 밝혔다. 엠디바이스는 증권신고서 제출을 위한 제반 사항을 준비한 뒤 본격적인 공모 절차에 착수할 예정이다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 엠디바이스는 지난 9월 2일 한국거래소에 테슬라 요건(이익 미실현 특례상장)으로 코스닥 예비심사신청서를 제출했다. 테슬라 요건은 성장 잠재력이 큰 기업에게 상장자격을 완화해주는 제도이다. 이에 상장 주관사는 3개월 간 일반 청약자에게 풋백옵션(환매청구권)을 부여하게 된다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 스토리지 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 기반으로 지속적인 성장을 이뤄왔다. 초소형 및 고용량 저장장치 수요가 급증하는 가운데, 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 첨단 반도체 기술과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에 성공한 엠디바이스는 2021년 말부터 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목하며 SSD를 중심으로 저장장치 사업을 본격적으로 확대하고 있다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진의 여파로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적 부진을 겪었지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 기업용 SSD 수요 증가에 힘입어 실적 회복세를 보이고 있다. 특히 올해 3분기 누적 매출액은 360억원, 영업이익은 32억원으로 전년 대비 큰 성장세를 보이며 흑자전환에 성공했다. 엠디바이스는 실적 회복세를 바탕으로 대규모 데이터센터용 고사양 SSD의 양산과 중국 및 유럽 시장 내 수주 확대를 통해 수출 물량을 늘려갈 계획이다. 아울러 매출 구조 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 새롭게 추진 중이며, 내년 양산 체제 구축과 제품 테스트 완료를 목표로 사업을 진행하고 있다고 밝혔다. 엠디바이스의 회사 관계자는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 이어 “엠디바이스는 반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “향후 당사 반도체 스토리지 기술 역량을 기반으로 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업으로 당사 사업의 외연 확장 및 고도화를 진행할 예정"이라고 말했다.

2024.11.22 09:50장경윤

SK하이닉스 투자한 日 키옥시아, 내달 도쿄증시 상장

일본 메모리 반도체 기업 키옥시아홀딩스(옛 도시바 메모리)가 다음 달 중순 상장한다고 일본 경제신문 니혼게이자이신문(닛케이)이 21일(현지시각) 보도했다. 닛케이에 따르면 키옥시아는 22일 도쿄증권거래소로부터 상장 승인을 받을 전망이다. 시가총액은 7천500억엔(약 6조7천600억원)으로 추정된다. 키옥시아가 목표로 삼은 1조5천억엔의 절반이다. 예상보다 적은 시총이지만 키옥시아는 내년부터 메모리 반도체 시장이 나아질 것으로 보고 상장을 추진한다고 닛케이는 전했다. 키옥시아는 인공지능(AI) 관련 데이터센터에서 메모리 반도체 수요가 늘 것으로 기대했다. 상장으로 조달한 자금 역시 AI용 최첨단 메모리 만드는 데 쓰기로 했다. 키옥시아는 이번 주식공개로 많게는 991억엔을 조달한다. 키옥시아 대주주인 미국 사모펀드 베인캐피털과 도시바는 보유 주식을 일부 팔 것으로 닛케이는 내다봤다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각됐다. 베인캐피털을 비롯한 한·미·일 연합이 키옥시아 지분을 56%, 도시바가 41% 들고 있다. SK하이닉스는 2018년 이 연합에 약 4조원을 투자했다.

2024.11.21 15:25유혜진

SK하이닉스, 세계 최고층 '321단 낸드' 양산 시작

SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 발표했다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(1개)-MLC(2개)-TLC(3개)-QLC(4개)-PLC(5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. SK하이닉스는 "2023년 6월에 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해 왔고, 이번에 300단을 넘어서는 낸드도 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며 "내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 '3-플러그(Plug)' 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행 한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬(alignment) 보정 기술을 도입했다. 이와 함께 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또한 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 AI향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다. 최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 “당사는 300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “이를 통해 당사는 HBM으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로 도약할 것”이라고 말했다.

2024.11.21 09:26장경윤

주성 등 반도체 장비업계 3Q 실적 선방…中서 활로 찾아

국내 반도체 전공정 장비업계가 올 3분기 예상보다 견조한 실적을 기록한 것으로 나타났다. 국내 주요 고객사의 투자 지연 및 축소, HBM(고대역폭메모리)용 후공정 투자 집중 등으로 업황이 부진하지만 중국 등 대체 시장을 적극 공략한 데 따른 효과로 풀이된다. 20일 업계에 따르면 피에스케이, 주성엔지니어링, 테스 등은 중국향 장비 공급 확대로 3분기 매출 및 수익성이 개선됐다. 올해 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 제조업체들은 IT 시장의 전반적인 부진, 불확실성 확대 등으로 투자에 보수적인 기조를 보이고 있다. 신규 설비 투자보다는 비용 효율성이 높은 전환투자에 집중하고 있으며, 최선단 D램과 HBM 등 특정 분야에 투자 쏠림 현상이 심화되는 추세다. 특히 삼성전자의 경우, 당초 계획했던 미국 테일러 파운드리 신규 팹에 대한 투자 계획이 일시적으로 보류된 상태다. 국내 제4 평택캠퍼스(P4)도 계획이 지속적으로 조정되고 있다. 파운드리 라인에 대한 투자를 보류했으며, 낸드 전용 라인은 D램을 함께 생산하는 '하이브리드' 라인으로 전향했다. 이에 국내 반도체 전공정 장비업계는 중국 등 대체 시장에서 활로를 찾고 있다. 피에스케이는 올 3분기 매출 1천180억원, 영업이익 291억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 25.6%, 14.4% 늘었다. 영업이익은 증권가 컨센서스(254억원)도 크게 상회했다. 남궁현 신한투자증권 연구원은 "피에스케이의 국내 매출 비중은 29%로, 이전 대비 3%p 축소된 것으로 분석된다"며 "대신 중화권 중심의 해외 고객사 수요가 증가하면서 수익성이 개선됐을 것"이라고 밝혔다. 주성엔지니어링은 올 3분기 매출 1천472억원, 영업이익 522억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 71%, 영업이익은 744% 늘었다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 "주성엔지니어링의 반도체 분야 매출은 942억원으로 수익성이 높은 중국 수출 비중이 이번 분기에도 4분의 3가량을 차지했다"며 "이에 수익성이 호조세를 보였다"고 설명했다. 테스는 올 3분기 매출 507억원, 영업이익 40억원을 기록했다. 증권가 컨센서스(매출 467억원, 영업이익 35억원)를 소폭 상회했다. 국내 주요 고객사의 장비 입고 일정 지연으로 전분기 대비 실적이 감소하기는 했으나, 지난해 말 확보한 중국 신규 고객사향 매출 확대가 본격화된 데 따른 영향으로 풀이된다. 실제로 중국 CXMT 등 메모리 기업들은 올해까지 범용 메모리 생산능력 확대를 위한 적극적인 투자를 진행해 왔다. CXMT 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 크게 성장할 전망이다. 반도체 장비업계 관계자는 "올해 중국 기업들의 적극적인 설비투자로 국내 전공정 장비 기업 중 상당수가 수익성을 확보할 수 있었다"며 "다만 내년에는 국내 기업들의 밀렸던 투자가 재개되고, 중국 메모리 기업들의 투자 속도가 줄어들면서 다시 비중이 조정될 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.11.20 12:53장경윤

구글, '제미나이'에 메모리 기능 추가…개인화 서비스 '강화'

구글이 '제미나이'가 장기 기억력을 가지게 되면서 인공지능(AI) 개인화 분야에서 한 단계 더 진일보했다. 20일 테크크런치에 따르면 구글 딥마인드는 최근 '제미나이' 챗봇에 '메모리' 기능을 탑재해 챗봇이 사용자의 특정 정보를 기억하게 만들었다. 이에 따라 사용자는 자신의 선호도를 기반으로 '제미나이'와 대화를 이어가거나 정보를 제공받게 됐다. 구글은 '메모리' 기능을 자사 프리미엄 서비스인 '구글 원 AI 프리미엄 플랜' 가입자에게 우선 제공하며 현재는 웹 클라이언트에서만 사용할 수 있도록 했다. 향후 iOS와 안드로이드 앱에도 적용될 가능성이 있지만 구체적인 일정은 알려지지 않았다. '메모리' 기능은 직접 켜고 끌 수 있어 사용자가 원하는 정보만을 저장하게 한다. 또 요청 시 언제든지 특정 정보를 삭제할 수 있어 데이터 관리의 유연성을 제공한다. 구글은 이같이 저장된 정보가 모델 훈련에 사용되지 않는다는 점을 강조했다. 사용자의 개인 정보는 외부에 공유되지 않고 AI 기능 개선을 위한 학습에도 활용되지 않는다는 것이다. 그럼에도 불구하고 이러한 '메모리' 기능이 보안 문제를 낳을 가능성도 제기되고 있다. 이 기능을 악용해 사용자의 데이터를 지속적으로 탈취하는 해킹 방법을 발견한 사례가 있기 때문이다. 테크크런치는 "'챗GPT'와 '제미나이'의 메모리 기능은 적절한 안전장치 없이 설계될 경우 악용될 가능성이 있다"며 "올해 초 한 보안 전문가가 이러한 서비스에 가짜 메모리를 은밀히 심어 사용자의 데이터를 지속적으로 훔치는 방법을 발견한 바 있다"고 분석했다.

2024.11.20 09:17조이환

최우진 SK하이닉스 부사장 "'HBM 성공, 혁신-성장 추구 덕분"

최우진 SK하이닉스 P&T(Package & Test) 담당 부사장이 HBM 시장을 선도할 수 있었던 것은 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분이라고 강조했다. 최 부사장은 HBM 경쟁력 향상을 이뤄낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 '제48회 국가생산성대회'에서 진행됐다. 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가생산성대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업 및 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 ▲HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▲소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▲제조·기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다. 최 부사장은 “지난 다운턴을 이겨내고, 세계 최고 수준의 HBM 제품을 위해 함께 헌신하고 노력해 온 회사의 모든 구성원들께 먼저 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 우리 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 밝혔다. 최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 이는 팹(Fab)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트하여 신뢰성까지 확보하는 역할이다. 특히 TSV(실리콘관통전극), MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 등 압도적인 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심이라 해도 과언이 아니다. 최 부사장은 HBM 패키징 기술 개발 및 양산을 책임지며, 회사가 HBM 1등 위상을 얻는 데 중요한 역할을 수행했다. 최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 또한 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 '어드밴스드 MR-MUF' 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다. 어드밴스드 MR-MUF에는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용됐으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다. 이러한 성공 스토리의 바탕에는 시장 변화에 촉각을 곤두세우며 선제적으로 대응해 온 그의 노력이 있었다. 최 부사장은 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 '타임 투 마켓(TTM, Time to Market)'을 꼽으며, 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다고 강조했다. 최 부사장은 “AI 시대의 반도체 산업은 급속히 변하고 있다. 시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악하여 대응하는 것은 기본이며, 무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요하다"며 "SK하이닉스가 HBM을 통해 AI 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 바로 이러한 준비 덕분”이라고 밝혔다.

2024.11.19 10:52장경윤

삼성전자, 기흥 반도체 R&D 단지 설비 반입식…"재도약 발판"

삼성전자는 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K) 설비 반입식을 개최했다고 18일 밝혔다. 기흥 R&D 단지는 내년 중순부터 본격 가동될 예정이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설중인 1만9천㎡(3만3천여 평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯한 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다. 전 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다. 삼성전자 반도체의 역사이자 미래, 다시 기흥에서… 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 반도체 성공 신화의 산실이다. 삼성전자는 반도체 사업 태동지인 기흥에 미래 기술 연구의 핵심인 NRD-K를 건설해 혁신의 전기를 마련하고, 기술력과 조직간 시너지를 극대화할 계획이다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. NRD-K, 첨단 반도체 생태계 중심으로 거듭나 기흥은 삼성전자 반도체 사업장을 중심으로 수많은 국내외 소재∙부품∙설비 회사들이 소재한 대한민국 반도체 산업의 심장과도 같은 곳이다. NRD-K 조성으로 기흥은 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 거듭날 것으로 전망되며, 삼성전자는 협력 회사와 R&D 협력을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 이날 설비 반입식에 참석한 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 어플라이드 머티어리얼즈는 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난 3분기 연구개발 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 8조8천700억원을 투자한 바 있으며, 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.

2024.11.18 13:46장경윤

반도체 수출 12개월 연속 증가...10월 ICT 수출액 200억弗 돌파

반도체 수출이 12개월 연속 전년 대비 증가세를 이어가며 지난달 ICT 수출액이 역대 10월 기준 최고 기록을 달성했다. 14일 과학기술정보통신부가 잠정 집계한 ICT 수출입 통계에 따르면, 10월 ICT 수출은 208억 달러, 수입은 133억3천만 달러, 무역수지는 74억7천만 달러로 흑자를 기록했다. 반도체, 휴대폰, 컴퓨터 및 주변기기 등 주요 품목 전반의 수출 호조 지속으로, 3개월 연속 월 200억불 이상을 달성했다. AI 인프라 투자 시장 성장에 힘입은 반도체 수출은 IT 기기 시장 회복 효과까지 더했다. 지난달 수출액은 125억5천만 달러로 전년 대비 39.9% 증가했다. 지난달 총 ICT 수출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어섰다. 특히 메모리반도체는 AI 서버 투자확대로 인한 HBM 등 고부가 품목 수요 증가로 전년 동월 대비 큰 폭으로 증가하며 반도체 수출 증가폭을 확대했다. 총 73억9천만 달러의 수출액을 기록하며 전년 대비 63.9%의 성장세를 보였다. 디스플레이 수출액은 18억 달러로 TV와 PC 등 가전제품 수요 부진 영향에 따라 지난해 대비 21.5% 감소했다. 휴대폰 수출액은 14억4천만 달러로 15.9% 늘었다. 중국, 베트남 등 주요 휴대폰 제조 지역 중심으로 부분품 수출 호조세 보이며 전년 동월 대비 4개월 연속 두 자릿수 증가율을 유지했다. 컴퓨터 주변기기 수출도 SSD 수출 호조로 10개월 연속 증가 기록을 이어갔다. 총 수출액은 11억2천만 달러다. 통신장비 수출은 1억8천만 달러로 전년 대비 8.4% 감소했으나 중국 수출이 회복되면서 수출 하락폭이 축소됐다.

2024.11.14 11:00박수형

서린씨앤아이, 전자랜드 용산DCS에 입점

서린씨앤아이는 최근 서울 용산구 소재 전자랜드 용산DCS(디지털편의점)에 입점해 PC 메모리와 케이스 전시·판매를 시작한다고 밝혔다. 전자랜드 용산DCS는 전자랜드 용산점 신관 1층에 마련된 컴퓨터와 생활가전 종합 쇼핑 공간으로 PC를 구성하는 다양한 부품을 전시/판매한다. 서린씨앤아이는 에이데이터, 지스킬, 클레브, 팀그룹, 게일 등 글로벌 제조사 PC 메모리와 리안리, 프랙탈디자인, 쿠거 등 PC 케이스를 전시한다. RGB LED를 내장한 일부 제품은 조명 효과를 확인할 수 있는 전용 전시대에 배치했다. 서린씨앤아이 관계자는 "용산DCS는 조립PC 판매와 조립 대행도 겸하는 공간이며 현장에서 메모리와 PC 케이스를 구매 후 시스템 조립까지 원스톱으로 해결할 수 있다"며 "앞으로 용산DCS를 통해 고성능 메모리와 프리미엄 PC 케이스 등 신규 출시 제품을 보다 신속하게 소개할 것"이라고 덧붙였다.

2024.11.12 12:03권봉석

두산전자 등 국내 소부장, 엔비디아 '블랙웰' 양산에 수혜 본격화

국내 소부장 기업들이 엔비디아와 주요 메모리 기업들의 AI칩 양산에 따른 대응에 분주히 나서고 있다. 두산전자의 경우 최근 AI 가속기용 부품 공급을 시작했으며, 넥스틴은 HBM용 신규 검사장비를 주요 고객사에 도입했다. 아이에스시도 내년 상반기를 목표로 HBM 검사용 부품의 상용화를 준비 중이다. 11일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품·장비 기업들은 엔비디아의 '블랙웰' 시리즈 양산에 따라 본격적인 사업 확장에 나서고 있다. 두산전자는 지난달부터 블랙웰용 CCL(동박적층판) 양산에 돌입했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나다. 수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 특히 반도체용 CCL은 기술적 난이도가 매우 높은데, 두산전자는 올해 초 블랙웰 시리즈용 CCL 단일 공급업체로 진입한 바 있다. 기존 주요 CCL 공급업체인 대만 엘리트머티리얼즈(EMC)를 제치고 얻어낸 성과다. 이후 두산전자는 지난 3분기 시제품 공급 등을 거쳐, 지난달부터 블랙웰용 CCL의 본격적인 양산을 시작했다. 업계에서는 올 4분기와 내년까지 적지 않은 매출 규모가 발생할 것으로 보고 있다. 국내 반도체 장비기업 넥스틴은 최근 주요 고객사에 HBM용 검사장비인 '크로키'를 소량 공급했다. 그동안 진행해 온 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 정식 발주를 받았다. 크로키는 적층된 D램 사이에 형성된 미세한 크기의 범프를 계측하는 데 쓰인다. 내년에도 고객사의 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산 확대에 따라 추가 수주를 논의 중인 것으로 알려졌다. 기존 8단 제품 생산라인에 검사장비를 납품하던 캠텍, 온투이노베이션 등을 대체했다는 점에서 의의가 있다. 국내 후공정 부품기업 아이에스시도 내년 상반기 HBM용 테스트 소켓을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 활용되는 부품이다. 기존 메모리 제조기업들은 HBM에 테스트 소켓을 채택하지 않았으나, D램의 적층 수 및 세대가 향상될수록 수율이 하락한다는 문제에 직면하고 있다. 이에 12단 HBM3E부터는 테스트 부품을 양산 공정에 적용하기 위한 준비에 적극 나서고 있다.

2024.11.12 11:26장경윤

SK하이닉스, '제6회 혁신특허포상' 실시…총 상금 2억원

SK하이닉스가 8일 경기도 이천 본사에서 '제6회 혁신특허포상' 시상식을 열었다고 8일 밝혔다. 이날 행사에는 수상자들과 함께 김동섭 사장(대외협력 담당), 송현종 코퍼레이트 센터 사장, 김주선 사장(AI Infra 담당) 등 주요 경영진이 참석했다. 2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다. 회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억750만원의 상금을 지급했다. SK하이닉스는 "혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다"고 강조했다. 올해 최고상인 금상의 영예는 HBM 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다. 윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다. 김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다. 은상은 오상묵·윤태식 TL(AI Infra), 강병인·박낙규·이한규 TL(P&T), 이기홍 담당·백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈·이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지·안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주·사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다. 이날 외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다. 김동섭 대외협력 사장은 “올해 6회째를 맞은 혁신특허포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정되어 사내 여러 인재들이 공로를 인정받았다”며 “앞으로도 이 제도를 지속 운영하며 구성원들의 기술혁신에 대한 동기부여를 강화할 것”이라고 말했다. 송현종 코퍼레이트 센터 사장은 “축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 “앞으로도 구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사의 기술 리더십을 더욱 높여 나갈 것”이라고 했다.

2024.11.08 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

내년 D램 비트 생산량 25% 증가…"메모리 업계 전략 잘 짜야"

용량을 기준으로 한 내년 전 세계 D램 공급량 증가율이 25%에 달할 전망이다. 중국 후발주자들의 생산량 확대, AI 산업 발전에 따른 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 주요 원인으로 지목된다. 다만 중국 기업 및 HBM용을 제외한 D램 용량 증가율은 크지 않을 것으로 보여, D램 제조업체들은 각 산업에 따라 신중한 공급 전략을 짜야 할 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 전 세계 D램 비트(bit) 생산량은 전년대비 25% 증가할 것으로 전망된다. 이는 올해 증가 예상치인 17%보다 8%p 높다. 이 같은 추세는 중국 기업들의 급격한 설비투자 확대, HBM 등 고부가 제품 수요 증가에 따른 효과다. 특히 HBM 사업에 중점을 두고 있는 SK하이닉스가 내년 비트 생산량을 가장 크게 늘릴 것으로 예상된다. 이에 따라 트렌드포스는 D램 공급업체들이 내년 D램 견조한 수익성 유지를 위해 생산량 확대에 신중히 접근해야 한다고 내다봤다. D램 가격 상승세가 올 4분기 약화되고, D램 시장의 구조가 점차 복잡해지고 있기 때문이다. 실제로 내년 전망치에서 중국 기업들을 제외하면, D램 비트 생산량 증가율은 21%로 낮아진다. HBM에 공급되는 물량까지 배제하면 증가율은 15%로 더 떨어진다. 이는 역사적 추세에서 비교적 낮은 수준에 해당된다. 이에 각 D램 제조업체들은 DDR4·LPDDR4와 같은 레거시 제품과, DDR5·LPDR5X와 같은 첨단 제품 생산에 있어 보다 면밀한 전략을 펼칠 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "내년 D램 공급이 풍부할 것으로 예상됨에 따라 가격 하락에 대한 압박이 있을 수 있다"며 "레거시 D램은 중국 기업들을 중심으로 공급이 증가할 것으로 예상되는 반면, HBM은 내년에도 공급이 촉박할 것"이라고 설명했다.

2024.11.07 10:37장경윤

SK하이닉스 "16단 HBM3E, 검증 단계서 12단과 '동등 수율' 확보"

SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과, 검증 단계에서의 16단 HBM3E 패키지 수율은 양산 단계에서의 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다. 16단 HBM3E가 실제 양산되는 경우 수율이 하락할 수는 있으나, 개발 초기부터 제품의 신뢰성을 크게 확보했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다. 5일 권종오 SK하이닉스 PL은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다. 특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다. SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다. 권 PL은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다. 권 PL은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.

2024.11.05 14:50장경윤

SK하이닉스, 커스텀 HBM 수율향상 집중…"TSMC·엔비디아 협력 필수"

"고객사가 HBM에 요구하는 불량품 검출 수는 일반 D램의 10분의 1, 20분의 1에 달할 정도로 매우 높다. 이를 만족하기 위해 SK하이닉스는 뛰어난 기술 개발력과 안정적인 양산 경험을 쌓아 왔다. 또한 커스텀 HBM은 SK하이닉스·TSMC만 잘 해선 안되기 때문에, 고객사를 포함한 3자 협업 관계가 중요하다." 5일 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 5일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 이같이 밝혔다. '새 국면에 접어든 HBM 시장에 대한 SK하이닉스의 준비 현황 및 방향'에 대해 발표한 박 부사장은 향후 HBM 시장에서 안정적인 양산이 중요하다고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 전송 통로인 입출력단자(I/O) 수를 크게 늘린 차세대 메모리다. 5세대 제품인 HBM3E까지는 I/O 수가 1024개다. 내년 양산될 HBM4에서는 I/O 수가 2배로 늘어난 2048개가 된다. 이러한 기술적 진보에서 가장 중요한 요소는 '수율'이다. 수율은 투입한 웨이퍼에서 양품이 나오는 비율이다. HBM의 경우 여러 개 D램 중 하나라도 불량이 나선 안되고, 이후 HBM과 GPU 등 시스템 반도체를 결합하는 SiP(시스템인패키지) 단의 수율도 고려해야 하기 때문에 수율 확보가 어렵다. 박 부사장은 "고객사가 요구하는 HBM 물량을 충족하기 위해선 결국 수율을 끌어올리는 것이 중요하다"며 "dppm(100만 개당 결함 부품 수)을 기준으로 하면 HBM에 요구되는 수준은 기존 D램 대비 10분의 1에서 20분의 1 정도로 매우 까다롭다"고 밝혔다. 그러면서도 박 부사장은 "SK하이닉스는 선단 D램 및 패키징 기술, 정밀한 계측, 선도적인 양산 경험을 토대로 안정적인 개발 및 양산을 진행하고 있다"며 "개발 앞단에서 문제를 최대한 빨리 잡아 내, 개발 기간을 단축하는 체계를 잘 구축한 것도 SK하이닉스의 장점"이라고 덧붙였다. 특히 HBM4에서부터는 HBM의 고객사에 맞춰 사양을 일부 변경하는 '커스텀 HBM'이 각광을 받을 것으로 전망된다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다. 박 부사장은 "커스텀 HBM 시대에서는 기존 SK하이닉스의 IP(설계자산) 외에도 고객사의 IP가 함께 쓰이게 된다"며 "이를 위해 SK하이닉스는 TSMC, 엔비디아와 공고한 '커스텀 메모리 플랫폼'을 구축하고 있다"고 밝혔다. 예를 들어 SK하이닉스는 테스트 과정을 미리 상정한 디자인 설계(DFT), 각 공정을 구분해 문제 요소를 빠르게 특정할 수 있는 시스템, 파운드리·고객사와 원팀 체제로 디자인 단부터 협업을 진행하는 구조 등을 주요 과제로 삼고 있다.

2024.11.05 13:51장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

젠슨 황 "HBM4 더 빨리 달라"…최태원 "6개월 당겨 공급"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스와의 HBM(고대역폭메모리) 분야 협력 강화를 강조했다. SK하이닉스 역시 엔비디아의 요구에 발맞춰 차세대 HBM 적기 공급에 속도를 낼 것으로 관측된다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "엔비디아의 요청에 따라 HBM4(6세대 HBM) 공급을 6개월 앞당길 수 있도록 노력해보겠다"는 뜻을 밝혔다. 이날 SK AI 서밋의 영상 인터뷰에 출연한 젠슨 황 CEO는 "머신러닝 기술 발전에 따라 메모리 대역폭을 늘리고 전력 효율성을 높이는 일이 중요해졌다"며 "이에 SK하이닉스와 협력해 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 할 수 있었고, 앞으로도 SK하이닉스의 HBM이 더 필요하다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 대역폭을 크게 확장한 메모리다. 메모리 대역폭이 확장되면 데이터를 더 많이 주고받을 수 있어, AI와 같은 방대한 양의 데이터 처리에 유리하다. SK하이닉스는 엔비디아에 최선단 HBM을 공급하고 있다. 5세대인 HBM3E까지 상용화에 성공했으며, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기 중에 양산 공급하는 것이 목표다. 당초 2026년 양산을 계획하고 있었으나, SK하이닉스는 엔비디아의 요청에 따라 개발 일정에 속도를 내고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 "젠슨 황 CEO가 HBM4의 공급 일정을 6개월 당겨달라고 요청했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 이에 대해 물어봤는데, '한 번 해보겠다'고 대답하더라"고 밝혔다. 최 회장은 이어 "당초 HBM4를 얼마나 당겨달라는 건지 젠슨 황 CEO에게 물어봤는데, 얼마나 당길 수 있는지를 반문할 정도로 의지가 상당했다"고 덧붙였다.

2024.11.04 11:04장경윤

삼성 HBM '유의미한 진전'의 속뜻…엔비디아 공략 '투 트랙' 가동

삼성전자가 엔비디아에 HBM(고대역폭메모리)을 공급하기 위한 방안으로 '투 트랙' 전략을 구사한다. HBM3E 8단 제품의 경우 소량이라도 빠르게 공급하는 한편, 12단 제품은 경쟁력을 더 높여 내년 재진입을 시도하기로 했다. 1일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 엔비디아향 HBM3E 8단 제품 공급을 확정하기 위한 준비에 나서고 있다. HBM3E 8단 공략 속도전…관건은 '공급 규모' 앞서 삼성전자는 지난달 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 밝힌 바 있다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 해당 발언은 HBM3E 8단 제품을 엔비디아의 AI칩 '호퍼(Hopper) 시리즈'에 공급하는 건과 관련돼 있다. 삼성전자는 지난 9월 평택에서 엔비디아와 HBM3E 8단에 대한 실사(Audit)를 마무리하는 등, 사업 진출을 지속 추진해 왔다. 다만 실제 수주를 위해서는 HBM 자체에 대한 사용 승인 뿐만이 아니라 GPU 등 시스템반도체와 연결하는 패키징 단에서의 퀄(품질) 등도 전부 거쳐야 한다. 삼성전자는 해당 공급 건에서 '조건부' 승인을 단 것으로 파악됐다. 양산을 위한 최종 퀄 테스트의 통과를 전제로, 제품을 소량 납품하는 게 주 골자다. 삼성전자 내부에서는 최종 퀄을 이르면 이달 마무리짓는 것을 목표로 잡았다. 중요한 변수는 공급 물량이다. 엔비디아 수주가 조건부로 이뤄지는 점, 적용처가 엔비디아의 최신 AI칩(그레이스 시리즈)이 아닌 점 등을 고려하면, 실제 공급 규모는 일반적인 양산에는 미치지 못할 것이라는 게 업계 중론이다. 또한 삼성전자 HBM3E 8단은 타 경쟁사 대비 전력소모량 측면에서 성능이 뒤쳐진다는 평가를 받고 있다. 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 '양산 공급', '퀄 승인' 등 명확한 용어를 사용하지 못한 배경에도 이러한 요인들이 작용한 것으로 풀이된다. 개선 제품은 HBM3E 12단에 초점…투트랙 전략 물론 삼성전자가 엔비디아향 HBM 공략에 있어 진전을 이뤘다는 점에서는 의미가 있다. 또한 삼성전자는 HBM3E 12단에 대해, '개선 제품'을 만들어 엔비디아 공급망에 대한 재진입을 노릴 계획이다. 삼성전자는 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 삼서전자의 HBM3E 제품은 5세대 10나노급 1a D램을 채용하고 있다. SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사는 이보다 한 세대 진보된 1b D램을 채택한다. HBM이 D램을 기반으로 제작되는 만큼, D램 자체의 성능도 HBM에 큰 영향을 미친다. 이에 삼성전자는 1a D램의 일부 회로를 재설계하고, 이를 기반으로 HBM3E 12단 개선 제품을 만들 계획이다. 엔비디아의 퀄을 받는 시기는 내년 2분기 중을 목표로 두고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 소량으로라도 엔비디아에 HBM3E 8단 공급을 시작하고, 12단은 내년 2분기 중에 재진입을 시도하는 투 트랙 전략을 구상하고 있다"며 "삼성전자가 올 4분기 HBM3E 비중을 50%까지 공격적으로 늘리겠다고 발표한 만큼, AMD 및 엔비디아 관련 공급 현황을 면밀히 봐야할 것"이라고 설명했다.

2024.11.01 11:38장경윤

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

삼성전자, 다시 뛴다...HBM3E 개선하고 TSMC와 협력

3분기 실망스러운 성적표를 써낸 삼성전자가 다시 뛴다. 선택과 집중은 대내외적으로 위기설이 돌고 있는 반도체 부문에 모아질 전망이다. 삼성전자는 위기 돌파를 위해 기술 개발과 시설투자 계획을 변경했다. 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E를 엔비디아에 공급하기 위해 개선품을 만들어 다시 공략하고, 6세대 HBM인 HBM4에서는 파운드리 경쟁사인 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 시설투자는 증설보다 전환에 초점을 맞춘다. 적자를 지속한 파운드리 시설투자는 축소한다는 방침이다. ■ HBM3E 개선품 만들어 엔비디아 공급 공략…HBM4, TSMC와 협력 삼성전자는 31일 3분기 컨퍼런스콜에서 HBM3E 사업이 순항 중이라고 재차 강조하며, 엔비디아에 공급 가능성을 내비쳤다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중”이라며 “주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝혔다. 이어 “전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했고, HBM3E의 매출 비중은 3분기에 10% 초중반 수준까지 증가했다. 4분기 HBM3E 비중은 50%로 예상된다”고 덧붙였다. 삼성전자는 AMD 등에 HBM3E를 공급하고 있지만 AI 반도체 큰 손인 엔비디아에게는 HBM3E 퀄티스트가 지연되고 있다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b(5세대 10나노급 D램)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목되고 있다. 이에 따라 삼성은 HBM3E 개선 제품을 만들어 엔비디아 공급을 확정 짓는다는 목표다. 김재준 부사장은 “주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다”며 “내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다”고 밝혔다. HBM4에서는 삼성 파운드리 외에도 경쟁사인 TSMC와 협력하는 방향으로 계획을 바꿨다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 이날 삼성전자는 컨콜에서 “베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다”고 말했다. HBM4는 내년 하반기 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. ■ 내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중…파운드리 축소 시설투자 계획도 전면 수정했다. 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 적극 투자한다는 방침이다. 삼성전자는 “내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소하지만, 2나노 공정에는 집중할 계획이다. 회사는 “내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다”고 말했다. 이어 “내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다”며 “4·4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다”고 덧붙였다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 한편 3분기 실적발표에 따르면 삼성전자 전사 영업이익은 9조1천834억원을 기록하며 시장 전망치(10조원대)를 밑도는 실적을 냈다. 이는 전분기 대비 1조2천600억원 감소한 실적이다. 3분기 전사 매출은 79조987억원으로 전년 보다 17.3%, 전기 보다 6.7% 각각 증가하며 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 기존 최대는 2022년 1분기 77조7천800억원이다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문 매출은 29조2천700억원으로 전년 대비 78%, 전분기 대비 3% 각각 증가했다. DS부문 영업이익은 3조8천600억원으로 지난 2분기 영업이익(6조4천500억원) 보다 2조5천900억원이 줄었다. 증권가에 따르면 메모리 사업부 영업이익은 7조원이며, 파운드리·시스템LSI사업부의 적자는 2조원에 육박할 것으로 추정된다. 따라서 일회성 비용과 파운드리·시스템LSI사업부 적자를 감안하면 DS부문 영업이익은 5조원 수준이 예상된다.

2024.10.31 15:39이나리

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