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'메모리'통합검색 결과 입니다. (525건)

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삼성전자 메모리사업부 성과급 200% '역대 최대'

삼성전자가 메모리사업부 직원들에게 하반기 성과급으로 월 기본급의 200%를 성과급으로 지급하기로 결정했다. 이는 기존 제도상 최대한도인 100%를 크게 웃도는 수준으로 직원들에게 사기 진작 차원에서 예외 규정을 적용한 것으로 보인다. 삼성전자는 20일 사내 게시판을 통해 하반기 사업부별 '목표달성 장려금'(TAI) 지급 계획을 공지했다. TAI는 삼성의 성과급 제도 중 하나로 매년 상·하반기 한차례씩 실적을 고려해 월 기본급의 최대 100%까지 지급한다. DS(디바이스솔루션) 부문에서 메모리사업부는 최대 지급률의 2배인 200%를 받게 되며, 반도체 창립 50주년을 기념해 200만원의 특별 지원금도 추가된다. 같은 반도체 부문인 파운드리사업부와 시스템LSI사업부는 각각 기본급의 25%를 받는다. DX(디바이스경험) 부문의 경우 사업부별로 차등 지급된다. TV·모바일·의료기기·전장사업부가 75%로 가장 높고, 생활가전사업부 37.5%, 네트워크사업부가 25%다. 스마트폰을 담당하는 MX사업부는 올해 갤럭시 스마트폰의 판매 호조로 비교적 높은 성과급이 책정된 것으로 분석된다. 업계 관계자는 "DS부문 직원들의 사기 진작을 위해 파격적인 성과급을 결정한 것으로 보인다"고 설명했다. 이전에 삼성전자 DS 부문은 실적 호조로 2025년부터 2021년 상반기까지 TAI 100%를 받아왔다. 그러나 2022년 말부터 글로벌 경기침체로 인한 반도체 수요 부진으로 2022년 하반기 TAI 50%로 반토막이 났으며, 지난해 하반기에는 메모리반도체 12.5%, 파운드리·시스템LSI 0% 등으로 책정되며 업계 불황을 실감케 했다. 이는 TAI 제도 시행 후 8년 만에 역대 최저였다. 올해 상반기에는 ▲메모리 사업부 75% ▲ 파운드리 사업부 37.5% ▲ 시스템LSI 37.5% ▲ 반도체연구소 50% 등으로 책정된 바 있다.

2024.12.20 11:30이나리

美 정부 "SK하이닉스, 세계 최고 HBM 생산 업체"

미국 정부가 SK하이닉스를 세계 최고의 고대역폭메모리(HBM) 생산 업체라고 극찬했다. 외신도 SK하이닉스가 경쟁사를 앞지른다고 치켜세웠다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 차세대 AI 메모리 제품이다. 조 바이든 미국 행정부는 19일(현지시간) SK하이닉스에 4억5천800만 달러(약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러 대출금을 제공하기로 확정 계약했다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에 38억7천만 달러(약 5조6천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징(advanced packaging) 생산 기지와 연구개발(R&D) 시설을 짓겠다고 발표한 바 있다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 “SK하이닉스는 세계적인 고대역폭메모리 칩 생산 업체”라며 “SK하이닉스 덕분에 미국은 지구의 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 AI 하드웨어 공급망을 강화할 것”이라고 말했다. 그러면서 “SK하이닉스가 새로 짓는 공장에서만 일자리가 1천개, 건설 일자리도 수백개 생긴다”며 “SK하이닉스의 투자는 미국 경제와 안보를 발전시키는 데 중요한 역할을 한다”고 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “미국 정부 등과 힘을 모아 미국에서 강력한 AI 반도체 공급망을 구축하겠다”고 말했다고 상무부는 전했다. 미국 블룸버그통신은 “SK하이닉스는 인공지능 소프트웨어를 만드는 컴퓨터에 필수인 HBM 칩을 생산하는 업체”라며 “경쟁사 삼성전자를 앞질러 새로운 칩을 출시해 엔비디아의 주요 공급 업체가 됐다”고 소개했다. 이어 “SK하이닉스는 여전히 아시아에서 칩을 만든다”면서도 “칩을 장치에 연결하기 위해 감싸는 패키징 공정이라도 미국으로 확장해 입지를 다각화하려는 욕구를 나타냈다”고 평가했다. 영국 로이터통신은 “상무부는 세계 5대 반도체 제조 업체에 대규모 보조금을 주기로 했다”며 “미국 인텔과 마이크론, 대만 TSMC, SK하이닉스는 확정했지만 삼성전자만 확약하지 못했다”고 지적했다. 삼성전자는 지난 4월 상무부로부터 64억 달러(약 8조9천억원)의 보조금을 받기로 예비 계약했다. 삼성전자는 미국 텍사스주에 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 2개와 첨단 패키징 공장, R&D 시설을 짓기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다.

2024.12.20 10:39유혜진

中 CXMT 'DDR5' 개발 파급력은…전문가 "수율 80% 수준 가능"

최근 중국 주요 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 최첨단 D램 영역인 DDR5를 독자 개발한 정황이 포착됐다. 그간 중국이 DDR4 이하의 레거시 D램만을 양산해 왔다는 점을 감안하면, 기술의 발전 속도가 업계 예상을 뛰어넘는 것으로 관측된다. 메모리 업계 전문가 역시 "실제 중국이 DDR5 개발에 성공했다면 메모리 시장에 미칠 파급력을 주시할 필요가 있다"며 "CXMT가 DDR5 개발에 활용한 공정 수율은 80% 정도로 상당히 성숙돼 있다"고 진단했다. 19일 업계에 따르면 중국 킹뱅크, 글로웨이 등은 온라인 전자상거래 플랫폼을 통해 32GB(기가바이트) DDR5 D램의 판매를 개시했다. DDR5에 첫 '중국산' 명시…CXMT 유력 두 제조사는 해당 D램의 상품 설명에 '국산 DDR5'라는 문구를 붙였다. 구체적인 제조사를 명시하지는 않았으나, 업계에서는 해당 제품을 CXMT가 제조했을 것으로 보고 있다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 정부의 전폭적인 지원으로 성장한 현지 최대 D램 제조업체다. 기술력 및 생산능력 모두 중국 내에서 최고로 평가받는다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X(저전력 모바일 D램 규격)로, 지난해 11월에는 자국 최초의 LPDDR5를 공개하기도 했다. DDR5는 국내 삼성전자·SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소수의 D램 제조업체만이 양산할 수 있는 첨단의 영역으로 인식돼 왔다. 만약 CXMT가 DDR5를 성공적으로 양산하는 경우, 메모리 시장에 미칠 파장은 꽤나 클 것으로 관측된다. 실제로 레거시 D램인 DDR4·LPDDR4 등은 중국 업체들의 공격적인 출하량 확대로 가격 하락 압박을 받고 있다. 반면 일각에서는 중국산 메모리에 대한 우려가 너무 과도하다는 해석도 제기된다. 중국 기업들이 생산능력을 적극 확대하는 데 비해 아직까지 수율이 낮고, 향후 미국의 추가 규제로 최첨단 D램 개발에 난항을 겪게 될 것이라는 게 주요 근거다. "G3 공정 적용됐을 것…수율 80% 가능" 이와 관련, 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 "곧 해당 DDR5에 대한 분석을 진행할 예정"이라며 "시장에 미칠 파급력에 대해 주시할 필요는 있어 보인다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 반도체 전문 분석기관이다. 지난해 화웨이가 출시한 플래그십 스마트폰 '메이트 60 프로'에 탑재된 AP(어플리케이션프로세서)를 분석해 중국 파운드리 SMIC가 제조했다는 사실을 밝혀내기도 했다. 최 박사는 이곳에서 시니어 테크니컬 펠로우 직책을 맡고 있는 반도체 업계 전문가다. 최 박사는 "CXMT가 외부에 DDR5 개발 계획을 공식적으로 밝히지는 않았으나, G3 공정(선폭 17.5나노)로 DDR5 개발을 진행했던 것으로 안다. LPDDR5에도 G3 공정이 적용됐다"며 "이미 DDR4는 G1(22나노)로 상용화에 성공했고, LPDDR4X는 G1과 G3 두 공정 제품의 기반으로 생산 중"이라고 설명했다. CXMT가 얼마나 안정적인 수율로 DDR5를 양산할 수 있는지도 삼성전자·SK하이닉스 등 업계가 주목하는 사안이다. 현재 CXMT는 업계 예상 대비 높은 수율을 주장하고 있는 것으로 전해진다. 최 박사는 "이미 CXMT가 더 진보된 G5 공정을 개발하고 있는 상황에서, G3 공정은 상당히 성숙(matured) 돼 있다"며 "CXMT의 G1 및 G3 공정은 80% 정도의 수율에 도달한 것으로 알고 있다"고 밝혔다. 최 박사는 이어 "해당 DDR5이 정말 CXMT의 제품일 경우, 시중에서 가장 많이 유통되고 있는 제품이 32GB이기 때문에 중국 내에서 만큼은 상당히 큰 영향이 있을 것"이라며 "D램 모듈의 종류도 다양하기 때문에 앞으로 주시할 필요가 있어 보인다"고 덧붙였다.

2024.12.19 16:29장경윤

中, 첨단 D램 DDR5 온라인 출시...양산 성공?

중국이 첨단 D램으로 분류되는 더블데이터레이트(DDR)5를 국산화한 것으로 알려져 주목된다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 것으로 보인다. DDR은 정보를 읽고 쓰는 데 특화된 고사양 D램이다. 뒤에 붙는 숫자가 클수록 정보를 빠르게 처리한다. DDR5는 이전 세대 DDR4보다 정보 처리 속도가 2배 빠르다. 18일(현지시간) 중국 정보통신 매체 IT홈에 따르면 중국 저장장치 업체 킹뱅크와 글로웨이는 전날 32기가바이트(㎇) 용량 DDR5를 내놨다. 16㎇ 2개가 한 묶음이다. 예약 구매 가격은 499위안(약 9만9천원)이다. 이들 업체는 메모리 반도체 회사로부터 D램을 사서 컴퓨터(PC)나 서버에 꽂을 수 있게 조립해 판다. 이들 업체는 '중국산 DDR5 칩'이라고 제품을 소개했다. 상품 설명서에는 창신메모리가 칩을 만들었다고 쓰였다. IT홈은 중국 기술 경쟁력이 또 한 번 도약했다고 강조했다. 이 제품 성능이 아직 강력하지 않더라도 중국산 첨단 D램이 나왔다는 사실 자체가 중국 반도체 기술이 역사적으로 전진했다는 뜻이라고 평가했다. DDR5는 2020년 SK하이닉스가 세계에서 처음으로 출시했다. 삼성전자는 2021년 처음 들고 나왔다. 중국이 3~4년 만에 따라온 셈이다.

2024.12.19 15:24유혜진

마이크론 "HBM 고객사 3곳으로 확장"…HBM4 양산도 자신감

미국 메모리 제조업체 마이크론이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 자신감을 드러냈다. 내년 초까지 HBM의 대형 고객사를 3곳으로 확대하고, HBM4의 본격적인 양산도 2026년부터 시작하겠다는 계획을 밝혔다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업과의 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 통해 HBM(고대역폭메모리) 사업 현황 및 전망을 공개했다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 이후 지난 9월에는 12단 제품의 샘플 출하를 개시했다. 두 제품 모두 엔비디아에 우선 공급한 것으로 알려졌다. 특히 HBM3E 12단은 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈에 탑재되는 고부가 제품이다. 내년 상반기 HBM 시장을 좌우할 핵심 요소로, 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 출하량 확대에 주력하고 있다. 마이크론은 이와 관련해 자사 제품의 경쟁력을 자신했다. 회사는 "마이크론의 12단 HBM3E는 최적의 전력소모량으로 고객사로부터 긍정적인 반응을 계속 얻고 있다"며 "경쟁사의 8단 HBM3E 대비 소모량이 20% 낮다"고 밝혔다. 또한 마이크론은 "이전에 언급했듯이 내년 HBM 물량은 이미 매진됐으며, 해당 기간 가격이 이미 결정됐다"며 "회계연도 2025년에는 수십억 달러의 HBM 매출을 창출할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 전체 HBM 시장 규모도 예상보다 커질 것으로 내다봤다. 마이크론은 당초 내년 HBM 시장 규모를 250억 달러로 전망했으나, 이번 실적 발표에서는 300억 달러로 상향 조정했다. 고객사 확보 현황에 대해서는 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 대량 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 차세대 HBM 제품인 HBM4의 본격적인 양산 확대는 2026년에 진행할 계획이다. 이를 위해 마이크론은 다수의 고객사와 개발을 준비하고 있으며, 대만 주요 파운드리인 TSMC와도 협력하고 있다. 나아가 HBM4E에 대한 개발 작업도 순조롭게 진행되고 있다고 언급했다.

2024.12.19 09:56장경윤

마이크론, 내년 '메모리 부진' 전망…삼성·SK도 악영향 불가피

미국 메모리 제조업체 마이크론이 다음 분기 실적에 대한 눈높이를 크게 낮췄다. AI를 제외한 IT 수요가 전반적으로 부진한 탓으로, 특히 낸드의 출하량 감소가 예상된다. 내년도 설비투자 역시 보수적으로 집행할 계획이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9월~11월) 매출액이 87억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출액은 전년동기 대비 84%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 마이크론이 전분기에 제시했던 전망치 및 증권가 컨센서스에 부합한다. 주당순이익은 1.79달러로 이 역시 당초 전망과 대체로 일치한다. 제품별 매출 비중은 D램이 64억 달러, 낸드가 22억 달러 수준이다. D램의 경우 ASP(평균판매가격)이 한 자릿수 후반 상승했으나, 낸드의 경우 한 자릿수 초반대로 하락했다. 다만 마이크론은 다음 분기(2024년 12월~2025년 2월) 매출액이 77억~81억 달러로 전분기 크게 감소할 것으로 내다봤다. 해당 전망치는 증권가 컨센서스인 89억9천만 달러에 크게 못 미친다. 주당순이익 전망치도 1.33~1.53달러로 증권가 컨센서스(1.92 달러)를 하회했다. 마이크론이 내년 초 실적 눈높이를 낮춘 이유는 수요 부진에 있다. 마이크론은 이번 실적발표에서 데이터센터용 D램 및 낸드 수요는 계속 성장할 것으로 예상했으나, PC나 오토모티브 등 일부 산업의 수요는 비교적 낮을 것으로 진단했다. 특히 낸드 사업이 약세를 나타낼 것으로 보인다. 마이크론은 회계연도 2025년 낸드의 빗그로스(용량 증가율)를 기존 10% 중반 상승에서 10% 초반 상승으로 하향 조정했다. 소비자용 SSD의 지속적인 재고 조정을 주 요인으로 꼽았다. 이에 따라 설비투자 기조도 최선단 D램에 대한 전환 투자, HBM(고대역폭메모리) 등에 집중될 예정이다. 회계연도 2025년도 총 투자 규모는 135억~145억 달러로 상정했다. 마이크론은 "낸드 설비 투자를 줄이고, 낸드의 공정 전환 속도를 신중하게 관리하고 있다"며 "장기적으로 D램 및 HBM 수요 성장을 지원할 수 있는 투자에 우선순위를 둘 것"이라고 밝혔다.

2024.12.19 09:47장경윤

日 반도체 키옥시아, 상장 첫날 10% 상승

일본 메모리 반도체 기업 키옥시아홀딩스(옛 도시바 메모리)가 증시에 상장된 첫날 10% 넘게 올랐다. 18일(현지시간) 일본 도쿄증권거래소에서 키옥시아는 공모가(1천455엔)보다 146엔(10.03%) 오른 1천601엔으로 장을 마쳤다. 키옥시아는 초과 배정 옵션을 행사해 기업공개(IPO)로 1천200억엔(약 1조1천억원)을 조달했다고 미국 경제방송 CNBC는 전했다. 일본 금융투자업계는 키옥시아 주가가 무섭게 떨어질 수 있다고 봤다. 미쓰비시UFJ자산운용은 메모리 반도체 전망이 좋지 않다며 비싼 주가에 매달릴 이유가 없다고 지적했다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각됐다. 베인캐피털을 비롯한 한·미·일 연합이 키옥시아 지분을 56%, 도시바가 41% 들고 있었다. SK하이닉스는 이 연합에 약 4조원을 투자했다. 키옥시아가 상장하면서 한·미·일 연합의 지분은 51%로, 도시바 지분은 32%로 줄었다.

2024.12.18 17:16유혜진

日 반도체 키옥시아, 18일 도쿄증시 상장...시장 반응 주목

일본 메모리 반도체 기업 키옥시아홀딩스(옛 도시바 메모리)가 18일(현지시간) 일본 도쿄증권거래소에 상장한다. 하지만 시장 반응이 차가울 수 있다는 의견이 나온다. 미국 블룸버그통신은 17일 키옥시아가 기업 가치 52억 달러(약 7조5천억원)를 인정받았다고 보도했다. 이는 미국 사모펀드(PEF) 운용사 베인캐피털이 이끄는 한·미·일 연합이 2018년 투자한 180억 달러의 일부에 불과하다는 지적이다. 블룸버그는 키옥시아가 주식시장에서 냉정한 반응을 받을 수 있다고 내다봤다. 도널드 트럼프 미국 대통령 당선인이 중국 반도체 시장을 공격해 투자자가 일본 반도체 주식을 사길 꺼리기 때문이라는 분석이다. 블룸버그는 중국 반도체 시장은 일본 칩 회사가 가장 많이 찾는 시장이라고 꼽았다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각됐다. 베인캐피털을 비롯한 한·미·일 연합이 키옥시아 지분을 56%, 도시바가 41% 들고 있다. SK하이닉스는 이 연합에 약 4조원을 투자했다.

2024.12.17 17:01유혜진

"올해 반도체 시장 규모 900조원…메모리가 동력"

올해 전 세계 반도체 시장이 아시아 시장을 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라는 분석이 나왔다. 삼정KPMG는 '반도체 산업 6대 이슈 및 대응 방안' 보고서를 통해 올해 전 세계 반도체 시장이 전년 대비 19% 성장한 6천269억 달러(한화 약 900조원)에 이를 것이라고 17일 밝혔다. 보고서에 따르면 지난해 하락세를 보였던 미주와 아시아·태평양 지역의 반도체 시장이 올해부터 급격히 성장세로 전환될 것으로 예상되며, 특히 메모리 반도체가 시장 성장을 견인하는 주요 동력으로 작용하고 있다. 올해 메모리 반도체는 전년 대비 81%의 높은 성장률을 기록하며 반도체 시장의 성장을 이끌고 있으며, 내년에는 반도체 시장에서도 IC(집적회로) 중심의 확장세가 두드러질 전망이다. 한국 반도체 시장 상황 또한 긍정적이다. 지난해 한국 반도체 수출이 글로벌 공급망 불안과 최대 수출국인 중국의 경기 둔화로 인해 전년 대비 감소했지만, 올해 상반기에는 수출이 전년 동기 대비 52.2% 증가하며 반등에 성공했다. 특히 메모리 반도체 수출은 같은 기간 78.9%의 성장세를 보이며, AI(인공지능) 반도체와 같은 신성장동력을 중심으로 국내 반도체 산업의 회복이 이뤄지고 있는 것으로 분석됐다. 삼성KPMG는 보고서를 통해 "반도체 산업의 6대 주요 이슈를 제시하며, AI, 전력 반도체, 첨단 패키징 기술 등의 혁신 요소가 산업 성장을 주도할 것"이라고 밝혔다. 먼저 AI 시대 고성능 반도체의 필요성이 더욱 강조되면서, AI 반도체가 핵심 기술로 주목받고 있다. 챗GPT와 같은 생성형 AI를 운용하기 위해 대규모 데이터 처리 역량이 필수적이며, 병렬형 구조로 더 많은 데이터를 효율적으로 처리하는 GPU 기반 AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리) 기술이 주목받고 있다. 특히 HBM은 적층 기술을 활용하여 메모리 반도체 분야에서 핵심 기술로 자리 잡았으며, 국내 메모리 반도체 기업들은 AI 가속기(AI Accelerator)와 결합된 HBM 제품 개발에 집중하고 있다. 데이터센터와 전기차 등 고전력 소비시설의 증가로 인해 전력 반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 전력 반도체는 전력 흐름을 효율적으로 관리하며, 에너지 소비를 최적화하는 데 핵심적인 역할을 한다. 기존 실리콘(Si) 소재에서 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN(질화갈륨)으로의 전환이 가속화되고 있으며, 이러한 소재 혁신은 전력 손실을 줄이고 고전력 처리 성능을 높이는 데 기여하고 있다. 반도체의 고성능화와 소형화에 대한 수요가 증가하면서 첨단 패키징 기술이 필수적인 요소로 자리 잡았다. 과거와 같이 적층 기술을 통해 생산성 향상을 지속 추구하는 동시에, 현재 각 산업의 요구에 맞춘 맞춤형 패키징 기술을 더해 경쟁력을 확보하고 있다. 효율적인 열 관리와 생산 비용 절감이 중요한 과제로 떠오르며, 기업들은 첨단 패키징 기술 개발에 대규모 투자를 진행 중이다. AI와 고성능 컴퓨팅 애플리케이션 수요가 증가하면서 팹리스(Fabless) 시장도 급격히 변화하고 있다. 국내외 AI 반도체 특화 팹리스 스타트업에 대한 투자가 지속적으로 확대되고 있으며, 빅테크 기업 등 비(非)반도체 기업의 반도체 시장 진출도 가속화되고 있다. 이러한 변화로 반도체 전문 인력 확보 경쟁이 심화되며, 효과적인 인재 유치와 육성을 위한 기업의 전략이 강화되고 있다. 미중 갈등 심화와 보호무역주의 강화로 인해 글로벌 반도체 공급망의 불확실성이 확대되고 있다. 특히 고강도 보호무역주의를 예고한 미국 트럼프 대통령의 재선으로, AI 등 첨단 기술의 핵심인 반도체를 둘러싼 미국의 자국 중심 정책 강화 및 대중국 반도체 규제 범위 및 수준이 확대될 것으로 예상된다. 미국의 대중 규제 동참 압박 등으로 국내 반도체 전후방 산업에 걸쳐 일부 시장 기회 축소 및 불확실성 확대가 우려되나, 새로운 공급망 형성과 시장 재편 과정에서 반사이익을 얻을 가능성 또한 기대된다. 글로벌 반도체 시장에서는 AI 시대의 데이터 수요 증가에 대응하기 위해 AI 반도체, 전력 반도체, 첨단 패키징 분야에서 대규모 M&A(인수∙합병)이 활발히 진행되고 있다. 국내에서도 AI 반도체 스타트업 딥엑스, 퓨리오사AI, 모빌린트 등이 주목받고 있으며, 차세대 메모리 기술인 CXL(Compute Express Link) 전문 IP(지식재산권) 스타트업 파네시아도 국내외 투자를 유치하며 성장하고 있다. 이는 반도체 후공정 밸류체인 강화와 산업 경쟁력 제고로 이어질 전망이다. 염승훈 삼정KPMG 테크놀로지 산업리더 겸 부대표는 "다양한 산업 내 AI 기술의 적용이 본격화되며, 확대되고 있는 첨단 반도체 수요에 빠르게 대응하기 위해 기업 간 파트너십 및 투자 활용 전략을 적극 검토해야 한다”며 “첨단 반도체 기술 역량 강화 및 반도체 전 밸류체인에 걸친 글로벌 경쟁력 강화를 위한 중·장기적인 스케일의 투자 지원책이 마련돼야 한다”고 강조했다.

2024.12.17 13:45장경윤

삼성·SK, 연말 메모리 부진 불안감...마이크론 실적에 '눈길'

미국 주요 메모리 기업 마이크론의 실적 발표가 임박했다. 최근 메모리 시장이 레거시 제품을 중심으로 공급 과잉 우려가 심화된 가운데, 마이크론이 어떠한 전망을 내놓을 지 업계의 귀추가 주목된다. 미국 마이크론은 오는 19일 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 진행할 예정이다. 앞서 마이크론은 지난 6~8월 77억 5천만 달러의 매출로 '어닝 서프라이즈'를 기록한 바 있다. 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 마이크론은 이번 분기에도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 영향으로 매출 성장세가 이어질 것으로 예상하고 있다. 회사가 제시한 이번 분기 매출 전망치 중간값은 87억 달러로, 전년동기 대비 84% 높다. 마이크론은 전분기 실적발표 당시 "회계연도 기준 HBM 시장은 2023년 40억 달러에서 2025년 250억 달러로 성장할 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급 수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 다만 최근 반도체 업계에서는 메모리 시장에 대한 불확실성이 더욱 커졌다는 우려를 제기하고 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리의 수요 부진이 지속되고 있고, CXMT·YMTC 등 중국 후발주자들이 생산량을 공격적으로 확대하고 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 제품의 고정거래가격은 지난 9월 말 전월 대비 17.07% 하락한 데 이어, 지난달 말에도 20.59% 하락한 바 있다. 낸드 가격 역시 9월부터 3개월 연속 두 자릿수로 하락했다. 이러한 상황에서 마이크론의 이번 실적 발표 및 전망은 국내 메모리 업계의 향후 실적을 가늠하는 주요 지표로 활용될 전망이다. 현재 증권가에서는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업의 목표 주가를 하향 조정하는 추세다. NH투자증권은 삼성전자의 목표 주가를 기존 9만 원에서 7만5천원으로 16.67% 하향했다. 예상보다 가파르게 하락하는 레거시 반도체 가격과 중국 메모리 기업의 추격, HBM 비중 등을 반영했다. JP모건은 최근 삼성전자의 목표주가를 8만3천원에서 6만원으로 낮췄다. 투자 의견도 '중립'으로 하향했다. SK하이닉스에 대한 목표주가도 26만 원에서 21만 원으로 낮췄다.

2024.12.15 06:58장경윤

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

삼성전자, '1c D램' 양산 투자 개시…차세대 HBM4 본격화

삼성전자가 '1c D'램 양산 투자를 시작한다. 최근 관련 협력사에 제조설비를 발주해, 내년 2월께 설치 작업에 돌입할 것으로 파악됐다. 1c D램이 삼성전자의 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소인 만큼, 제품을 적기에 양산하기 위한 준비에 나서는 것으로 보인다. 9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 양산라인을 구축하기 위한 장비 발주를 시작했다. 1c D램은 6세대 10나노급 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 1b(5세대) D램보다 한 세대 앞선 제품으로, 내년부터 본격적인 상용화에 이를 것으로 예상된다. 때문에 그동안 삼성전자도 1c D램 개발에 주력해 왔다. 지난 3분기에는 처음으로 1c D램의 '굿 다이'(Good die; 정상적으로 작동하는 칩)를 확보하는 등 가시적인 성과도 얻었다. 나아가 삼성전자는 1c D램을 본격 양산하기 위한 준비에 나섰다. 최근 P4 내 신규 D램 라인에 1c D램 양산용 설비투자를 진행한 것으로 파악됐다. 그간 1c D램은 파일럿(시생산) 라인에서만 제조돼 왔다. 이에 따라 램리서치 등 주요 장비업체의 설비가 내년 1분기부터 반입될 예정이다. 당장의 투자 규모는 전체 D램 생산량 대비 그리 크지 않은 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자 안팎에서는 추가 투자에 대한 논의도 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 2월경 1c D램 양산용 설비 도입을 시작할 것으로 안다"며 "추가 투자는 1c D램의 수율 안정화가 어느 정도 이뤄진 후에 나오게 될 것"이라고 설명했다. 삼성전자의 1c D램은 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4(6세대 HBM) 공급 경쟁에서도 큰 의미를 가진다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E까지 1a(4세대) D램을 채용했으나, HBM4에서는 1c D램을 활용할 계획이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론은 HBM3E에 이어 HBM4에서도 1b D램을 유지한다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. 때문에 코어 다이인 D램의 성능이 HBM의 성능에 큰 영향을 미친다. 삼성전자가 HBM4에 1c D램을 성공적으로 적용하는 경우, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 회복할 수 있다는 기대감이 나오는 이유도 여기에 있다. 다만 삼성전자가 1c D램 및 HBM4를 성공적으로 양산할 수 있을 지는 아직 판단하기 어렵다. 삼성전자가 1c D램 개발에 총력을 기울이고는 있으나, 아직 안정적인 수율을 구현하지는 못했기 때문이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 둔 만큼 이를 위한 설비투자를 진행하는 것으로 보인다"며 "관건은 D램 및 HBM의 수율을 얼마나 빠르게 향상시킬 수 있는가가 될 것"이라고 말했다.

2024.12.09 11:09장경윤

구글, 수억 줄 C++ 코드 보안 혁신... 메모리 취약점 40% 차단

구글이 수억 줄에 달하는 C++ 코드의 보안 취약점을 해결하기 위해 표준 라이브러리의 보안을 강화했다. 9일 뉴스택 등 외신에 따르면 구글 보안 연구팀은 C++의 공간 메모리 (Spatial Memory) 보안 강화를 위해 '강화된 C++라이브러리(hardened libc++)'를 도입했다고 밝혔다. C++는 높은 성능과 유연성으로 모든 산업 분야에서 널리 사용되는 언어다. 하지만 메모리 관리의 어려움으로 인해 공간 메모리 안전성 문제가 자주 발생하는 단점이 지속해서 지목되고 있다. 공간 메모리 안전성 문제는 프로그램이 허용된 메모리 공간 외 잘못된 영역을 읽거나 쓰는 오류를 말한다. 이로 인해 프로그램이 비정상적으로 동작하거나 종료될 수 있다. 사이버범죄자들은 이런 상황을 노려 메모리에 악성 데이터를 삽입하거나 민감한 데이터를 탈취하기 위해 시도한다. 구글의 보안 연구팀인 프로젝트 제로(Project Zero)에서 추적한 데이터에 따르면 지난 10년간 발생한 메모리 안전성 취약점 악용 사례의 40%가 공간 메모리 안전성과 관련된 것으로 나타났다. 또한 해당 문제는 G메일, 유튜브, 구글맵 등 대규모 서비스에서 치명적인 보안 사고로 이어질 가능성이 있어 대안 마련이 시급했다. 하지만 내부에서 사용 중인 C++ 코드가 수억 줄에 달할 정도로 규모가 커 이를 다른 언어로 대체하는 방안을 활용하기에 어려움이 있었다. 이에 구글은 기존의 C++ 코드에서 발생할 수 있는 취약점을 줄이기 위해 '강화된 C++ 라이브러리'라는 보안 기능을 도입했다. 이 기능은 자바, 파이썬, 러스트 등 현대 프로그래밍 언어에서 기본적으로 제공되는 경계 검사를 C++의 표준 라이브러리(libc++)에 추가해 잘못된 메모리 접근을 방지한다. 구글 측은 강화된 C++ 라이브러리를 1년 이상 테스트 환경에서 적용해본 결과 수백 개의 숨겨진 버그를 발견하고 수정할 수 있었다고 밝혔다. 테스트를 마친 후 정식 서비스에 도입한 결과 새로운 취약점 공격을 1천~2천건을 매년 예방하는 성과를 달성했다. 또한 프로그램 오류가 30% 감소했으며 메모리 문제로 인한 데이터 손상 및 예기치 못한 동작도 방지할 수 있었다. 또한 강화된 C++ 라이브러리로 인해 요구되는 추가 성능은 평균 0.3% 불과했으며, 대규모 서비스에서도 거의 체감되지 않는 수준의 워크로드가 증가하는 것으로 나타났다. 구글은 앞으로 더 많은 코드에 경계 검사를 도입하 러스트 등 메모리 안전 언어를 적용해 안전성을 더욱 강화한다는 방침이다 알렉스 리버트 등 구글 보안연구팀은 "강화된 C++ 라이브러리는 최소한의 오버헤드로 C++ 코드의 안전성, 신뢰성 및 디버깅 가능성을 향상시키는 실용적이고 효과적인 방법"이라며 "C++를 사용하는 조직이라면 표준 라이브러리의 강화 모드를 기본적으로 보편적으로 활성화할 것을 권장한다"고 말했다. 이어 "이번 기능은 안전한 C++ 코드베이스를 향한 여정의 첫 단계"라며 "광범위한 C++ 커뮤니티와 적극적으로 협력함으로써 공간적 안전이 표준이 되는 미래를 만들 계획"이라고 강조했다.

2024.12.09 10:24남혁우

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼양엔씨켐, EUV·HBM 시장 잡는다…"PR용 소재 개발"

국내 포토레지스트(PR, 감광액)용 소재 기업 삼양엔씨켐이 최첨단 반도체 시장 진입에 따른 회사 성장을 자신했다. 고난이도 노광 기술인 EUV(극자외선)용 소재의 상용화를 성공했으며, 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 분야에서도 내년 신규 소재를 상용화할 수 있을 것으로 기대된다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 6일 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 회사의 핵심 사업 및 향후 전략에 대해 이같이 밝혔다. 지난 2008년 설립된 삼양엔씨켐은 반도체 포토레지스트용 재료를 전문으로 개발하는 기업이다. 포토레지스트는 반도체 웨이퍼 위에 반도체 회로를 새기는 노광 공정에 필수적으로 활용되는 소재다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키고, 이를 통해 웨이퍼에 특정한 패턴을 만들어낸다. 삼양엔씨켐은 이 포토레지스트를 만드는 데 필요한 폴리머(고분자), PAG(광산발생제)를 양산하고 있다. 두 소재 모두 기존 일본이 주도해 온 시장이었으나, 삼양엔씨켐이 지난 2012년경 국산화에 성공했다. 현재 국내외 복수의 포토레지스트 제조업체를 통해, 삼성전자·SK하이닉스 등에 제품을 공급하고 있다. 정회식 대표는 "삼양엔씨켐은 높은 정제 기술을 기반으로 국내는 물론 국내 시장에 진출한 해외 기업들과도 거래를 확대하고 있다"며 "지난해 986억원 수준의 매출을 오는 2030년까지 3천억원으로 끌어올리고, ArF와 EUV향 비중을 기존 10%에서 30%로 높이는 것이 목표"라고 강조했다. 포토레지스트는 노광 방식에 따라 KrF(불화크립톤), ArF(불화아르곤), EUV 등으로 나뉜다, 후순으로 갈수록 기술적 난이도가 높고, 첨단 반도체 공정에서 활용된다. 특히 EUV는 7나노미터(nm) 이하의 최첨단 공정, 1a(4세대 10나노급) D램 등에서 활용도가 높다. 이를 위해 삼양엔씨켐은 국내 포토레지스트 제조업체와 협력해 EUV용 포토레지스트 소재를 개발했다. 국내 메모리기업 2곳 중 한 곳에는 공급을 시작했고, 다른 한 곳은 공급을 추진 중이다. 또한 해외 협력사와 함께 파운드리용 EUV용 소재를 개발하고 있다. 해당 소재는 내년 양산 공급할 예정이다. 또한 삼양엔씨켐은 차세대 메모리로 각광받는 HBM 분야에도 진출했다. 지난 2020년부터 HBM용 범프 폴리머 협업을 시작해, 주요 고객사와 품질 테스트를 거치고 있다. 이르면 내년부터 상용화에 들어갈 수 있을 것으로 전망된다. 해당 제품 역시 기존에는 일본 기업이 시장을 독과점해 왔었다. 정 대표는 "국내 최대 반도체 PR 소재 전문기업으로서 EUV 및 HBM BUMP 폴리머 등 차세대 반도체 핵심 소재 개발을 진행하고 있다”며 “상장 이후 회사는 시장의 수요에 발맞춘 혁신적인 소재 개발을 통해 반도체 산업의 지속 가능한 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 2025년 1월 6일~10일 5일간 진행, 같은 달 16일~17일 양일간 일반 청약을 거쳐 2월 3일 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다.

2024.12.06 14:29장경윤

SK하이닉스, '5개 C-Level' 경영 체제 도입...'AI 원팀'

SK하이닉스는 5일 발표한 2025년 임원인사에서 곽노정 대표이사 사장 체제를 이어 가기로 했다. 곽 사장은 고대역폭메모리(HBM) 글로벌 1위 리더십과 함께 SK하이닉스의 실적 성장을 이끌었다고 평가받는다. SK하이닉스는 AI 메모리 중심 경영을 강화하기 위해 이번 인사에서 안현 N-S Committee 담당의 사장을 비롯해 신규 임원 33명을 발탁하며 세대교체를 단행했다. 이는 지난해 18명 임원 승진과 비교해 약 1.8배가 늘어난 규모다. 올해 SK하이닉스가 AI 메모리 부분에서 괄목한 성장을 한 만큼, HBM, D램 등 주요 제품 경쟁력을 강화하는데 탁월한 성과를 낸 조직에서 다수의 신규 임원을 선임해 성과에 기반한 인사를 명확히 했다. SK하이닉스는 이날 조직개편도 발표했다. 회사는 이번 조직개편에서 차세대 인공지능(AI) 반도체 등 미래 기술과 시장을 지속 선도하기 위한 '강한 원팀(One Team)' 체제 구축에 중점을 뒀다. 이에 따라 SK하이닉스는 사업부분을 5개 조직으로 개편하고, 핵심 기능별로 책임과 권한을 부여해 신속한 의사결정이 가능한 'C-Level'(C레벨) 중심의 경영 체제를 도입한다. 곽노정 CEO를 중심으로 C-Level 핵심 임원들이 주요 의사결정을 함께 이끌며, 시장과 기술의 변화에 더 민첩하게 대응하겠다는 의지다. 5개 사업부분은 ▲AI Infra(CMO, Chief Marketing Officer) 김주선 사장 ▲미래기술연구원(CTO, Chief Technology Officer) 차선용 부사장 ▲코퍼레이션 센터(Corporate Center) 송현종 사장 ▲개발총괄(CDO, Chief Development Officer) 안현 사장 ▲양산총괄(CPO, Chief Production Officer) 김영식 부사장 등으로 구성된다. 이 중에서 '개발총괄'과 '양산총괄'은 이번에 신설된 조직이다. 개발총괄은 D램과 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품의 개발 역량을 결집해 차세대 AI 메모리 등 미래 제품을 개발하는 조직이며, 전사 시너지를 극대화해 나가기로 했다. 이 자리에는 이번에 사장으로 승진한 안현 N-S Committee 담당이 선임됐다. 안 사장은 미래기술연구원과 경영전략, 솔루션 개발 등 핵심 보직을 거쳤고, 올해 주주총회에서 사내이사에 선임돼 회사의 기술과 전략 관련 주요 의사결정에 참여해왔다. '양산총괄' 조직은 메모리 전(前)공정과 후(後)공정의 양산을 총괄한다. 공정간 시너지를 극대화하고 향후 용인 반도체 클러스터를 포함해 국내외에 건설할 팹(Fab)의 생산기술 고도화를 통합적 관점에서 주도하게 했다. 대외협력과 글로벌 업무 관련 조직에는 외교 통상 전문가를 다수 배치해 세계 주요국의 반도체 정책과 급변하는 지정학 이슈에 기민하게 대응할 수 있는 역량을 강화했다. 한편, SK하이닉스는 젊고 유능한 인재들이 새로운 시각으로 고객 요구와 기술 트렌드에 부합한 미래 성장을 준비할 수 있도록 신규 임원 33명을 발탁해 과감한 세대교체를 단행했다. 이번에 승진한 임원 중 약 70%는 차세대 반도체 개발과 같은 기술 분야에서 선임해 기술회사의 근원적 경쟁력 확보에 주력했다. SK하이닉스는 내년에도 4인 사장체제를 유지한다. 신임 안현 사장을 포함해 곽노정 대표이사 사장 김주선 AI 인프라 담당 사장, 송현종 코퍼레이트 센터 담당 사장, 안현 CDO 담당 사장으로 이뤄진다. 곽노정 대표이사 사장은 "회사 구성원들이 하나가 되어 노력한 결과 올해 HBM, eSSD 등 AI 메모리 분야에서의 기술 경쟁력을 확고히 했다”며 “괄목할만한 성장을 이뤘지만 경영환경이 빠르게 변하고 있는 만큼, 이번 조직개편과 임원 인사를 통해 기존 사업과 미래 성장 기반을 리밸런싱(Rebalancing)해 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.12.05 15:11이나리

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

중국, 올해 반도체 수출액 1조위안 넘었다

중국의 반도체 수출액이 올해 1조 위안(약 194조원)을 넘어선 것으로 추산됐다. 미국의 강력한 규제에도 불구하고 중국이 첨단 반도체 분야에서도 자립의 기반을 닦고 있는 모양새다. 5일 중국 관영 중국중앙텔레비전(CCTV)에 따르면 올들어 10월까지 중국의 반도체 수출액은 9천311억7천만 위안으로 지난해 같은 기간보다 21.4% 늘었다. 이런 추세라면 11월까지 중국 반도체 수출액이 1조 위안을 넘은 것으로 CCTV는 추산했다. CCTV는 미국 정부가 2019년부터 매년 중국 반도체 업계를 압박하는 정책을 내놨지만 중국 반도체 산업은 계속 성장했다고 평가했다. 이어 중국은 자체 개발하며 1조 위안보다 더 먼 곳에 도달할 것이라고 강조했다. 지난 2일 미국 정부가 반도체 중국 수출 제한을 강화하자 중국은 원자재 미국 수출을 막으며 맞불을 놨다. 미국은 중국이 첨단 기술로 군사력을 키울 수 있다며 중국에 반도체 수출하는 기업을 규제하고 있다.

2024.12.05 13:55유혜진

SK하이닉스, 개발·양산총괄 신설…'AI 메모리' 선점 노린다

SK하이닉스가 조직개편을 통해 'AI 메모리' 시장 공략을 가속화한다. 차세대 메모리 경쟁력을 높이기 위한 개발총괄·양산총괄 조직을 새로 만들고, 주요 사업부문의 권한 및 협업 체계를 강화하기로 했다. SK하이닉스는 이사회 보고를 거쳐 2025년 조직개편을 단행했다고 5일 밝혔다. SK하이닉스는 "르네상스 원년으로 삼았던 올해 성과에 안주하지 않고, 차세대 AI 반도체 등 미래 기술과 시장을 지속 선도하기 위한 '강한 One Team(원팀)' 체제 구축에 중점을 두었다“고 강조했다. 우선 SK하이닉스는 핵심 기능별로 책임과 권한을 부여해, 신속한 의사결정이 가능하도록 'C-Level'(C레벨) 중심의 경영 체제를 도입했다. 이에 따라 사업부문을 AI Infra(CMO, 최고마케팅책임자), 미래기술연구원(CTO), 개발총괄(CDO), 양산총괄(CPO), 코퍼레이트 센터 등 5개 조직으로 구성했다. 부문별 관련된 기능을 통합해 '원팀' 의사결정이 가능하도록 한 것이다. 곽노정 CEO를 중심으로 C-Level 핵심 임원들이 주요 의사결정을 함께 이끌며, 시장과 기술의 변화에 더 민첩하게 대응하겠다는 의지다. 특히 D램과 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품의 개발 역량을 결집한 '개발 총괄'을 신설해, 차세대 AI 메모리 등 미래 제품 개발을 위한 전사 시너지를 극대화해 나가기로 했다. 이 자리에는 N-S Committee 안현 담당이 사장으로 승진해 선임됐다. 안 사장은 미래기술연구원과 경영전략, 솔루션 개발 등 핵심 보직을 거쳤고, 올해 주주총회에서 사내이사에 선임돼 회사의 기술과 전략 관련 주요 의사결정에 참여해왔다. 또한 회사는 메모리 전(前)공정과 후(後)공정의 양산을 총괄하는 '양산총괄'을 신설해, 공정간 시너지를 극대화하고 향후 용인 반도체 클러스터를 포함해 국내외에 건설할 팹(Fab)의 생산기술 고도화를 통합적 관점에서 주도하게 했다. 곽노정 대표이사 사장은 "회사 구성원들이 하나가 되어 노력한 결과 올해 HBM, eSSD 등 AI 메모리 분야에서의 기술 경쟁력을 확고히 했다”며 “괄목할만한 성장을 이뤘지만 경영환경이 빠르게 변하고 있는 만큼, 이번 조직개편과 임원 인사를 통해 기존 사업과 미래 성장 기반을 리밸런싱(Rebalancing)해 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.12.05 13:39장경윤

삼성전자 조직개편 마무리…사업 효율성·AI 역량 강화

삼성전자가 연말 조직개편을 통해 사업 운영의 효율성을 강화한다. 기존 분산된 인공지능(AI) 관련 조직을 모아 센터를 신설하고, 메모리 및 파운드리 사업부의 각 특성에 맞춰 조직을 세분화했다. 최근 정기 임원인사를 통해 공석이 됐던 주요 직책들도 후속 인사를 마무리했다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 후속 임원인사와 조직개편안을 확정하고 구성원을 대상으로 설명회를 진행했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 내에 AI 센터를 신설했다. 기존 DS 부문에서 자율 생산 체계, AI 및 데이터 활용 등을 담당하던 조직을 단일 센터로 통합해 만들었다. AI 센터의 신임 센터장으로는 송용호 메모리사업부 솔루션개발실장 부사장이 임명됐다. 또한 삼성전자는 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 각각 나눴다. 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 만큼, 각 사업부의 역량을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 메모리 제조&기술담당은 기존 통합된 제조&기술담당 조직에서 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장이 이끌 예정이다. 파운드리 제조&기술담당의 장은 통합 조직에서 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장이 내정됐다. 한진만 DS부문 파운드리사업부장 사장이 맡았던 미주총괄(DSA) 직책은 조상연 부사장이 담당한다. 조 부사장은 DSA 담당 임원으로, 1999년 삼성전자에 엔지니어로 입사해 2004년 피츠버그대 컴퓨터공학과 교수로 자리를 옮겼다. 이후 2012년 다시 삼성전자에 합류한 바 있다. DX부문 경영지원실 지원팀장을 맡고 있는 박순철 부사장은 박학규 사업지원TF 사장이 맡던 DX부문 경영지원실장을 맡게 됐다. 박 부사장은 삼성전자 미래전략실 출신으로, 네트워크 사업부, MX(모바일경험) 사업부와 사업지원TF를 두루 거쳤다. 지금까지 삼성전자의 CFO 자리는 미래전략실 출신 재무통 임원이 맡아왔다. 한편 연말 인사와 조직개편을 마무리한 삼성전자는 이달 중순부터 글로벌 전략회의에 돌입할 예정이다.

2024.12.04 17:14장경윤

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