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파운드리 기지개 펴는 삼성전자...남은 과제는 HBM4 성공

반도체 등 핵심사업 부문에서 어려움을 겪던 삼성전자가 최근 모처럼 기지개를 펴고 있다. 이재용 회장이 10년 가까이 이어진 사법 리스크에서 벗어난데 이어 DS(반도체) 부문의 아픈 손가락이던 파운드리(반도체 위탁생산)는 미국 테슬라와 22조원 규모의 위탁생산 계약을 맺었다. 게다가 시스템LSI사업부는 갤럭시Z플립7에 엑시노스 2500을 탑재하며 그간의 부진을 일단락했다. 이제 회사의 마지막 남은 과제는 AI 시대에 성장세가 뚜렷한 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 소기의 성과를 거두는 일이다. 사법리스크 벗은 이재용...관세협상 지원 등 대외 활동 왕성 이재용 회장은 최근 글로벌 경영에서 보폭을 넓히고 있다. 대표적으로 지난 달 29일 미국 워싱턴으로 날아가 한미 관세협상 타결을 위해 측면 지원에 나선 데 이어 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)와 직접 화상 통화를 통해 향후 구체적인 협력 방안에 나서는 등 예전에 없던 왕성한 활동을 벌이고 있다. 이 회장의 이 같은 행보는 그간 업계에서 기대한 모습이다. 그간 삼성은 이 회장을 둘러싼 사법 리스크로 대규모 전략적 투자 등 경영 행보에 제약이 있었다. 이번 협상에서 국내 기업들이 적극적인 투자 의지를 강조했던 점이 주효했다는 걸 고려하면, 관세 협상에 간접적으로 영향을 미친 셈이다. 강석구 대한상공회의소 조사본부장은 “첨단산업 글로벌 경쟁이 치열한 상황에서 해당 기업의 경영 리스크 해소 뿐만 아니라 한국경제 전반에 긍정적인 파급 효과를 가져올 것으로 기대된다”고 말했다. 상향곡선 그리는 시스템 반도체...남은 과제는 HBM4 성공 삼성전자 DS부문은 올해 하반기 당면했던 과제 세 가지 중 두가지를 해결했다. 반도체 업계에서 꼽은 DS부문의 3대 과제는 메모리의 HBM, 파운드리의 2nm(나노미터, 10억분의 1m), 시스템LSI의 엑시노스다. 가장 먼저 해결된 과제는 엑시노스다. 지난달 9일 공개된 갤럭시Z플립7에 엑시노스 2500이 탑재되며 그간의 부진을 만회한 것이다. 당초 업계 안팎에서는 올해 초 출시된 갤럭시S25 시리즈에 해당 칩이 탑재될 것으로 점쳤었다. 그러나 MX사업부(모바일)에서 탑재되는 칩 전량을 퀄컴 스냅드래곤8으로 선택하며, 엑시노스는 쓴맛을 봤었다. 파운드리의 경우 22조7647억원 규모 2나노 공정 대량 반도체위탁 생산물량 수주 소식을 지난 28일 공시했다. 계약 상대는 테슬라로, 삼성전자 파운드리가 염원하던 큰손이다. 그간 삼성 파운드리는 대형 고객사가 없다는 점이 약점이었다. 기술 검증이 되지 않아 찾는 고객이 적었던 것이다. 그러나 이번 수주로 반등의 기회와 함께 생태계 확장 기회까지 마련했다. 시스템 반도체 생태계는 파운드리(제조)를 축으로 IP, 디자인하우스, 후공정 등 다양한 협력사로 이뤄진다. 대형 고객사의 등장이 반도체 업계 전반을 활성화시킬 수 있는 셈이다. 디자인하우스 관계자는 “글로벌 기업이 고객사로 들어오면서 생태계 자체가 갖춰지게 될 것"이라며 "특히 IP가 의미가 있다. 칩 난이도가 높은 글로벌 빅테크 기업들은 최신 기술의 IP가 많이 들어가는데 이번 수주로 인해서 2나노 공정이 준비가 되는 것이기 때문에, 다음에 2나노를 쓸 고객에게 굉장히 큰 도움이 된다”고 말했다. 남은 숙제는 HBM(고대역폭메모리) 사업이다. 삼성전자는 AMD에 HBM3E 12단 공급을 확정하는 등 발전해 가는 모습을 보여주고 있지만, 아직까지 경쟁사인 SK하이닉스에 밀린다는 시장 평가를 뒤집을만한 모멘텀을 만들지 못하고 있는 상황이다. 하지만 하반기부터는 양상이 조금 달라질 전망이다. 올 2분기 삼성전자의 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80% 후반으로, 올 하반기에는 90%를 넘어설 전망이다. 또한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다. 증권가와 반도체 업계에서는 삼성전자가 하반기를 시작은 내년도 HBM 시장에서 긍정적인 성과를 낼 것으로 보고 있다. 김광진 한화투자증권 애널리스트는 “엔비디아향 인증 여부가 여전히 과제이지만 비엔비디아 진영(AMD, 브로드컴 등)에서의 인증 성과가 확인되기 시작한 점을 고려하면 긍정적 관점에서 바라볼 필요가 있다”고 밝혔다. 반도체 장비사 관계자는 “삼성전자 내부에서 HBM3E 12단에 대한 분위기가 좋은 걸로 안다”며 “통과 여부는 모르겠으나 전반적으로 이전과 비교해 좋아지는 분위기인 건 확실한 것 같다”고 말했다.

2025.08.05 17:01전화평

가천대 반도체영재교육생, SK하이닉스 팹 투어 성료

가천대학교 과학영재교육원·반도체교육원은 지난달 30일 초등 6학년과 중학교 1학년 영재 40명을 대상으로 이천 소재 SK하이닉스 반도체 생산라인(Fab)을 탐방하는 특별 프로그램을 진행했다고 1일 밝혔다. 가천대는 올해 국내 최초로 과학영재교육원에 선발된 초등학생·중학생 영재를 대상으로 반도체교육 과정을 개설했다. 이를 통해 반도체에 흥미를 갖게 하고, 영재들을 미래 우수 반도체 인재로 키우겠다는 의도다. 이번 프로그램은 그동안 공부한 이론과 산업현장 체험을 결합해, 학생들이 반도체 제조공정을 더 잘 이해시키고자 마련됐다. 학생들은 SK하이닉스 회사소개를 간단히 듣고, 바로 이어서 옆 건물인 반도체 팹 투어를 시작했다. 이곳에서 학생들은 팹 시설 및 장비 구성에 대한 간략한 설명과 12인치(300mm) 메모리 소자 칩들로 구성된 실물 웨이퍼를 관람했다. 또한 패턴을 형성하는 노광공정부터 여러 공정 단계를 거쳐 최종 반도체 소자가 완성되는 과정을 공부했다. 팹 투어 이후 마련된 SK하이닉스 연구원들과의 대화 시간에서는 학생들의 많은 질문이 이어졌다. 한 학생은 “앞으로 제가 반도체 웨이퍼 재료인 잉곳을 제작한다면 SK하이닉스에서 사줄 의향이 있는지”를 물었다. 또 다른 학생은 반도체 엔지니어를 직업으로 선택한 이유, 필요한 전공과 역량은 무엇인지 등에 대해 물었다. 이에 영재 출신 SK하이닉스 연구원은 "특히 과학과 수학을 좋아해서 화학공학을 전공하고, 반도체 공정(식각)업무를 하게 됐다"고 답변했다. 이날 학생들은 "반도체 제조공정 현장을 직접 보며 그동안 반도체 공정이론과 직접 반도체 제조 과정을 이해하게 됐다. 반도체 공장이 정말 크다"며 "많은 부분이 자동화되어 있는 것도 신기하다. 오늘은 정말 기억에 남는 날이 될 것 같다"고 소감을 밝혔다. 해당 프로그램을 기획한 김용석 가천대 석좌교수(반도체교육원장)은 "이번 SK하이닉스 팹 투어 프로그램이 영재학생들이 반도체를 이해하는데 큰 도움이 될 것"이라며 "반도체에 좀더 관심을 갖는 계기가 되고, 많은 학생들이 대학 진학때에 이공계를 선택하기를 기대한다"고 말했다.

2025.08.01 10:00장경윤

HBM3E '가격 하락' 가능성 언급한 삼성전자…속내는

삼성전자가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 가격이 하락할 수 있음을 암시했다. 공급이 시장 수요를 웃돌면서 수급의 변화가 예상된다는 게 주요 근거다. 다만 업계는 삼성전자가 주요 고객사향 HBM3E 12단 상용화를 위해 펼치고 있는 가격 인하 정책도 적잖은 영향을 끼쳤을 것으로 보고 있다. 31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 제품의 경우 수요 성장속도를 상회하는 공급 증가로 수급의 변화가 예상된다"며 "당분간 시장 가격에도 영향이 있을 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "실제로 하반기 컨벤셔널 D램의 가격 상승세를 감안하면 앞으로 HBM3E와 컨벤셔널 D램 수익률 격차는 가파르게 축소될 것으로 판단된다"고 설명했다. HBM3E는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. D램 적층 수에 따라 8단과 12단으로 나뉜다. 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크가 최신형 AI 가속기를 출시함에 따라, HBM3E 12단에 대한 수요 증가세가 올해 크게 두드러질 전망이다. 그럼에도 삼성전자는 HBM3E의 공급 과잉 가능성을 언급하며 수익성 최적화를 위한 운영 전략의 필요성을 강조했다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E 12단을 적극 양산하고 있다는 점을 반영한 것으로 풀이된다. 삼성전자의 공격적인 HBM3E 마케팅 전략도 큰 영향을 끼칠 것이라는 게 업계의 시각이다. 복수의 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 엔비디아향 HBM3E 12단 상용화가 지연되는 상황에서, 가격 인하 등 다양한 제안을 건넨 것으로 안다"며 "실제 공급 성공 여부에 따라 HBM 시장에 변화가 생길 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 13:23장경윤

삼성전자 "HBM4 샘플 이미 출하…내년 수요에 적기 대응"

31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4 제품은 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다"며 "내년 HBM4 수요가 본격 확대되는 추세에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자는 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4를 개발해 왔다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 앞선 D램을 채용해 성능 경쟁력 확보를 추진하고 있다. 삼성전자는 "당사 HBM4는 베이스다이에 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해, HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"고 설명했다. 1c D램의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 진행 중이다. 삼성전자는 올 상반기부터 평택 및 화성캠퍼스에서 1c D램용 양산라인을 구축하고 있다. 올해만 최소 월 7~8만장 규모의 생산능력 확보가 기대된다. 한편 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 판매 확대도 계획하고 있다. 삼성전자는 "올 2분기 HBM 출하량이 전분기 대비 30% 증가했고, 전체 HBM 수량에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80%까지 확대됐다"며 "추가적으로 수요를 지속 확보하고 있어 올 하반기 HBM3E 판매 비중은 90%를 상회할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 11:29장경윤

ISC, 2분기 매출 517억원…전분기 대비 63% 증가

글로벌 반도체 테스트 솔루션 전문기업 아이에스시(ISC)는 2025년 2분기 연결기준 매출 517억원, 영업이익 137억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 63% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 8% 하락했으나, 전분기 대비로는 96% 증가했다. 아이에스시는 "2분기 실적 호조는 ▲AI 데이터센터향 고속·고신뢰성 테스트 소켓 수요 급증, ▲비메모리 고객 대상 양산 수요 확대에 따른 주문 증가에 기인한다"며 "특히 고속 인터페이스와 열 신뢰성이 요구되는 하이엔드 테스트 소켓의 평균판매단가(ASP)와 출하 물량이 모두 동반 성장하며 실적 성장을 견인했다"고 설명했다. 3분기에는 사상 최대 실적 경신이 유력하다고 내다봤다. AI 가속기 및 고성능 GPU 수요 확산과 더불어 자회사 아이세미가 공급하는 하이스피드 번인 테스터 및 모듈 테스터의 본격 출하가 예정돼 있기 때문이다. 또한 국내 주요 파운드리 고객사와의 견고한 협력 관계를 바탕으로 자율주행 및 차량용, 휴머노이드 칩 테스트 영역에서도 수혜가 기대된다. 또한 아이에스시는 기존 테스트 소켓 중심에서 벗어나, 장비·소켓을 아우르는 수직 통합형 테스트 플랫폼 기업으로의 전환을 본격화하고 있다. 자회사 아이세미는 글로벌 메모리 고객사와 공동 개발한 차세대 메모리용 하이스피드 번인테스터를 3분기 중 첫 출하할 예정이며, AI 반도체 실장 테스트용 장비 공급도 동시에 진행된다. 이를 통해 고객사는 테스트 효율성과 부품 호환성, 장비 전환 속도 등의 측면에서 최적화된 운영이 가능해지며, 아이에스시는 가격경쟁에서 벗어난 고수익 구조로의 전환 기반을 마련하게 될 전망이다. 아이에스시 관계자는 “AI 반도체, 고대역폭 메모리(HBM), 고성능 GPU 등 고부가 테스트 시장이 빠르게 확대되는 가운데, 아이에스시는 장비-소켓 간 통합 솔루션을 통해 고객 밀착도를 강화하고 있다”며 “3분기에는 장비 및 소켓 동시 출하가 본격화되며, 창사 이래 최대 분기 실적 달성이 기대된다”고 밝혔다. 관계자는 이어 “최근 글로벌 고객사의 자율주행 칩 수주와 같은 글로벌 공급망 변화는 아이에스시에 새로운 기회를 제공하고 있다”며 “엔드-투-엔드(End-to-End) 테스트 플랫폼 전략과 기술우위를 바탕으로, 차세대 반도체 테스트 시장의 주도권을 강화해 나가겠다”고 덧붙였다.

2025.07.30 11:21장경윤

"엔비디아, TSMC에 'H20' 30만개 주문"…HBM3E 수요 촉진 기대

엔비디아가 중국향 AI 반도체 'H20'의 생산량을 확대할 것으로 관측된다. 이에 따라 H20에 탑재되는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품의 수요도 당초 예상보다 늘어날 것으로 기대된다. 29일 로이터통신은 엔비디아가 파운드리 협력사 TSMC에 H20 반도체를 30만개 가량 추가 주문했다고 보도했다. H20은 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 제작한 맞춤형 AI 반도체다. 주력 제품 대비 컴퓨팅 성능을 크게 낮춘 것이 특징이다. 다만 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아의 계획에도 차질이 생겼다. 그러나 트럼프 행정부는 이달 중순 엔비디아의 중국향 H20 수출 재개를 허락했다. 당시 엔비디아는 회사 공식 블로그를 통해 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 밝힌 바 있다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 내 강력한 수요로 인해 엔비디아가 기존 재고에만 의존하지 않기로 결정을 바꾸면서, TSMC에 H20을 30만개 주문했다"며 "기존 H20 재고인 60만~70만개에 추가될 예정"이라고 밝혔다. 업계에서는 엔비디아가 H20 공급량을 늘리기 어렵다는 의견도 제기돼 왔다. 엔비디아가 수출 규제에 따라 당초 TSMC에 의뢰했던 물량을 취소했기 때문이다. 생산 재개를 위해서는 최소 9개월이 걸릴 것으로 알려졌다. 그럼에도 엔비디아가 H20 공급량 확대에 나서면서, HBM 수요 확대에도 긍정적인 영향이 예상된다. 실제로 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 추가 생산을 검토해온 것으로 파악된다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 상황이다.

2025.07.29 13:41장경윤

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤

SK하이닉스, 올 하반기 차세대 '1c D램' 전환투자 개시

SK하이닉스가 차세대 D램에 대한 전환투자를 올 하반기부터 시작해 내년 본격화할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 2분기 실적발표를 통해 1c(6세대 10나노급) D램의 전환투자를 올 하반기부터 진행한다고 밝혔다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램인 1b D램의 차세대 제품이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝힌 바 있다. 당시 SK하이닉스는 "이미 입증된 1b D램 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며 “2024년 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 다만 SK하이닉스의 이 같은 계획은 당초 예상 대비 지연돼 왔다. SK하이닉스가 올해 출시를 목표로 한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에서도 이전 세대와 같은 1b D램 채용을 유지하는 등 1c D램에 대한 수요가 크지 않았기 때문이다. 그러나 올 하반기부터는 1c D램의 양산 준비가 구체화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 10:04장경윤

SK하이닉스, SoCAMM 연내 공급 개시…AI 메모리 공략 가속화

SK하이닉스가 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 매진하고 있다. 서버용 저전력 D램 모듈로 각광받는 소캠(SoCAMM)의 연내 공급을 시작하고, 최신형 그래픽 D램의 용량도 늘릴 계획이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 나아가 회사는 AI 메모리 시장 공략을 가속화하기 위한 신제품을 지속 출시할 예정이다. SK하이닉스는 "서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb 제품도 준비할 것"이라며 "이같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망"이라고 밝혔다. 서버용 LPDDR 기반 모듈은 SoCAMM을 뜻하는 것으로 알려졌다. SoCAMM은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였다. 특히 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 크게 늘어나 고성능 컴퓨팅 분야에 적합하다.

2025.07.24 08:57장경윤

"HBM3E 12단 본격 확대"…SK하이닉스, 2분기 역대 최대 매출·영업익 달성

SK하이닉스가 올 2분기 매출·영업이익 모두 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 증권가 예상 역시 상회했다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 AI 메모리 판매가 본격적으로 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. 증권가 컨센서스(영업이익 9조원) 또한 상회했다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 회사는 이어 “D램은 HBM3E 12단 판매를 본격 확대했고, 낸드는 전 응용처에서 판매가 늘어났다”며 “업계 최고 수준의 AI 메모리 경쟁력과 수익성 중심 경영을 바탕으로 좋은 실적 흐름을 이어왔다”고 덧붙였다. 이 같은 호실적으로 2분기 말 현금성 자산은 17조원으로 전분기 대비 2조7천억원 늘었다. 차입금 비율은 25%, 순차입금 비율은 6%를 기록했으며, 순차입금은 1분기 말보다 4조1천억원이나 크게 줄었다. SK하이닉스는 고객들이 2분기 중 메모리 구매를 늘리면서 세트 완제품 생산도 함께 증가시켜 재고 수준이 안정적으로 유지됐고, 하반기에는 고객들의 신제품 출시도 앞두고 있어 메모리 수요 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. AI 모델 추론 기능 강화를 위한 빅테크 기업들의 경쟁도 고성능, 고용량 메모리 수요를 더욱 확대할 것으로 전망했다. 아울러 각국의 소버린 AI 구축 투자가 장기적으로 메모리 수요 증가의 새로운 성장 동력이 될 것으로 예측했다. 이에 회사는 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로 HBM을 전년 대비 약 2배로 성장시켜 안정적인 실적을 창출한다는 방침이다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 더불어 서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb(기가비트) 제품도 준비할 계획이다. 이 같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망이다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조와 수익성 중심 운영을 이어가며 향후 시장 상황 개선에 대비한 제품 개발도 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장(Corporate Center)은 “내년 수요 가시성이 확보된 HBM 등 주요 제품의 원활한 공급을 위해 올해 일부 선제적인 투자를 집행하겠다”며 “AI 생태계가 요구하는 최고 품질과 성능의 제품을 적시 출시해 고객 만족과 시장 성장을 동시에 이끌어 나가는 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'로 성장하겠다”고 말했다.

2025.07.24 08:49장경윤

파두, 美 'FMS 2025'서 메타 공동 기조연설…SSD 혁신 방안 제시

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 오는 8월 5일부터 7일까지 미국 산타클라라 실리콘밸리에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2025' 행사에서 메타와 공동 기조연설을 진행한다고 23일 밝혔다. FMS 2025는 글로벌 메모리 및 스토리지 기술 전시회로 세계 유수 반도체 기업들이 대거 참여하는 행사다. 낸드플래시(NAND flash) 메모리를 비롯한 SSD 산업 분야에서 단일 최대 규모다. 양사의 연설 주제는 '스토리지의 경계를 확장하다: AI 데이터센터를 위한 차세대 SSD'다. 이지효 파두 대표와 로스 스텐포트 메타 하드웨어 시스템 엔지니어가 연사로 나서, 인공지능(AI) 데이터센터 시대에 부합하는 차세대 SSD 혁신 방안을 제시한다. 특히 이번 기조연설에는 파두 창립 10주년을 맞아 지난 10년간의 주요 성과와 향후 10년을 향한 비전을 공유하는 내용이 담겼다. 이지효 대표는 AI 시대에 대응하기 위한 파두의 기술 로드맵과 중장기 전략을 제시할 예정이다. 또한 파두는 이번 FMS 2025에서 글로벌 기업과 대등한 규모의 대형 행사 부스를 운영해 기존 고객과의 파트너십 강화 및 신규 고객 발굴에 적극 나설 계획이다. 행사 부스에서는 파두의 주력 제품인 PCIe 5.0 기반 SSD 컨트롤러 및 차세대 전략 제품인 Gen6 컨트롤러도 함께 선보인다. 특히 기업용 SSD의 수명과 성능을 획기적으로 늘린 FDP(Flexible Data Placement) 및 AI 시대에 요구되는 초고집적 스토리지를 위한 QLC(Quad-Level Cell) 기술 등 혁신 기술 전시와 데모를 통해 AI 데이터센터에 최적화한 솔루션도 소개한다. 또한 고객 맞춤형 기업용 SSD 구축 수요에 가장 효과적으로 대응할 수 있는 비즈니스모델 '플렉스 SSD(FlexssD)'를 통해 잠재 고객 발굴 효과도 함께 노린다는 전략이다. 이지효 대표는 “기술 차별화와 고객 맞춤형 솔루션을 통해 AI 시대에 최적화한 저전력, 고효율을 추구하는 글로벌 고객사들의 니즈에 부합할 계획”이라며 “이번 FMS 2025를 통해 차세대 AI 데이터센터 스토리지 생태계를 이끄는 핵심 기업으로 도약하겠다”고 밝혔다.

2025.07.23 09:58장경윤

삼성전자, 'HBM4E 16단'서 하이브리드 본딩 도입 검토…샘플 평가 中

삼성전자가 이르면 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 16단부터 하이브리드 본딩 기술을 적용하겠다는 계획을 밝혔다. 이를 위해 샘플 테스트를 진행 중인 상황으로, 사업성과 투자 비용 등이 상용화의 주요 관건이 될 것으로 관측된다. 김대우 삼성전자 상무는 22일 '2025 상용반도체개발 기술워크숍'에서 차세대 반도체를 위한 패키징 기술 로드맵에 대해 소개했다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 기존 HBM 제조에는 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 사용됐다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 각 D램을 더 얇게 갈아내거나, D램 사이를 좁히는 대응법도 한계가 있다는 분석이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 다만 하이브리드 본딩은 높은 기술적 난이도, 기존 TC본딩에서의 전환 투자에 따른 비용 상승 압박 등을 이유로 도입 시점이 불투명했다. 삼성전자 역시 하이브리드 본딩의 구체적인 도입 시점을 확정하지 않고 상당한 고심을 거듭하고 있는 것으로 알려졌다. 이날 공개된 로드맵에 따르면, 삼성전자는 이르면 HBM4E(7세대)부터 하이브리드 본딩을 도입할 계획이다. 이를 위해 삼성전자는 하이브리드 본딩 기반의 16단 HBM 샘플을 개발해 평가를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 김 상무는 "HBM이 16단 적층만 돼도 발열을 잡기가 어려워, 여기에서부터 하이브리드 본딩을 조금씩 써보려는 준비를 하고 있다"며 "HBM4E에서 하이브리드 본딩이 상용화될 지는 시장적인 부분과 투자비 등을 생각해야 된다"고 설명했다. 차후 수요가 증가할 것으로 예상되는 커스텀(맞춤형) HBM 사업도 준비하고 있다. 현재 구글, 엔비디아, AMD 등 복수의 글로벌 빅테크 기업들은 자신들의 AI 반도체에 특화된 성능을 갖춘 HBM을 요구하고 있다. 김 상무는 "커스텀 HBM에 대한 문의가 많이 오고 있어, 베이스 다이에 연산 기능을 집어넣는 등 삼성전자만의 특별한 커스텀 HBM을 만들기 위한 준비를 하고 있다"고 말했다.

2025.07.22 14:55장경윤

SK하이닉스, 엔비디아 H20향 'HBM3E' 대응 분주…추가 생산 검토

SK하이닉스가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 출하량을 당초 예상 대비 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 최근 엔비디아의 중국향 AI 반도체 'H20'에 가해진 수출 규제가 해제된 덕분이다. H20은 당초 HBM3를 활용했으나, 올해부터 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품을 주력으로 탑재한다. 이에 SK하이닉스는 우선 올 3분기까지 H20향 HBM3E 8단 양산을 진행할 계획이다. 나아가 추가적인 수요가 발생할 가능성을 고려해, 해당 HBM 생산량 확대를 위한 소재·부품 발주를 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 생산을 당초 예상보다 확대하는 방안을 논의 중이다. 앞서 엔비디아는 지난 15일 공식 블로그를 통해 중국 시장에 H20 GPU 판매를 재개할 계획이라고 밝혔다. 당시 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 설명했다. H20은 엔비디아의 기존 주력 제품에서 성능을 하향 조정한 AI 가속기다. 미국의 대중(對中) AI 반도체 수출 규제를 우회하기 위해 출시됐다. 그러나 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아는 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원) 수준의 비용이 발생할 것으로 예상돼 왔다. 이번 미국 정부의 결정으로 H20 수출길이 다시 열리면서, SK하이닉스도 HBM3E 8단 사업 매출을 확대될 수 있는 기회를 잡게 됐다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 올해 1분기부터 H20용 HBM3E 8단 공급을 시작해, 3분기까지 제품을 지속 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 나아가 올 4분기 혹은 내년에도 제품을 추가 양산하는 방안을 내부적으로 논의하고 있다. 이를 위한 관련 소재·부품의 추가 주문 계획을 구체화하는 중이다. 중국이 H20 등 엔비디아 AI칩 수급에 적극 나서고 있는 분위기를 고려한 전략으로 풀이된다. 실제로 엔비디아가 중국향 AI 반도체 공급량을 늘리는 경우, HBME 8단의 양산 비중은 당초 예상 대비 확대될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 하반기 HBM3E 생산 비중에서 12단 제품을 80%, 8단 제품을 20% 수준으로 계획해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 H20의 중국 수출 재개 움직임과 맞물려 HBM3E 8단 양산을 확대하는 분위기"라며 "추가 수요에 대비해 관련 소재·부품을 확보하는 방안을 논의하고 있다"고 설명했다. 변수는 엔비디아의 공급망 대책이다. 엔비디아는 H20 수출 규제 당시 TSMC에 위탁했던 양산을 취소했으며, 해당 양산 라인은 타 고객사에 할당된 것으로 알려졌다. H20을 다시 양산하기 위해선 9개월의 시간이 필요하다. 결과적으로, H20 양산에 대한 병목현상을 해결해야만 사업 확대가 가능할 전망이다. 최근 미국 IT매체 디인포메이션은 소식통을 인용해 "성능이 높아진 엔비디아 H20은 주로 SK하이닉스의 HBM을 탑재하고 있으나, 이번 주 SK하이닉스가 엔비디아에 H20용 추가 메모리 공급 여력이 제한적일 것이라고 통보했다"며 "엔비디아는 최근 몇 주간 중국 내 주요 고객들과 접촉해 H20 및 블랙웰 칩에 대한 수요 및 반응을 파악하고 있다"고 보도했다.

2025.07.21 10:53장경윤

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤

삼성전자 "D램, 3D 시대 온다…핀펫 기술 적용 가속"

“BCAT 기반 기존 D램은 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 미만에서 한계에 달할 것으로 전망됩니다.” 오정훈 삼성전자 마스터는 15일 소노캄 여수에서 진행 중인 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 이같이 전망했다. BCAT(Buried Channel Array Transistor)은 메모리 셀의 누설 전류를 줄이기 위해 개발된 트랜지스터 구조다. 채널 길이를 줄여 D램 셀의 크기를 줄이고 집적도를 높인다. 10나노 이하의 극미세 공정에서는 트랜지스터 크기를 줄여도 소자 간 간격이 좁아져 소자 간 연결을 위한 메탈의 저항이 커지고, 발열 문제가 발생할 수 있다. 오 마스터는 “셀 트랜지스터 공간을 다른 형태로 확장해서 써야한다”며 3D D램을 대안으로 제시했다. 3D D램은 메로리를 수직으로 쌓은 제품이다. 기존 D램은 셀이 수평으로 배치됐다. 기존 D램 대비 더 많은 셀을 집적할 수 있기 때문에 용량을 늘리고, 성능도 상승한다. 삼성전자는 3D D램 구현에 핀펫(FinFET) 공정을 적용한다. 핀펫은 반도체 소자의 성능 향상을 위해 개발된 3차원 구조 공정 기술이다. 평면(2D) 구조 한계를 극복하고 채널을 3면으로 둘러싼 게이트를 통해 전류 흐름을 효과적으로 제어한다. 과거 주로 파운드리(반도체 위탁생산)에 활용되던 기술이다. 오 마스터는 “컨벤셔널 D램에서도 핀펫을 전 제품에 쓰는 시대가 찾아올 것”이라고 말했다. 그러면서 “핀펫이 적용된 칩이 언젠가는 나오겠지만 시점에 대해서는 언급할 수 없다”며 “열심히 개발하고 있는 단계”라고 전했다. 다만 핀펫 공정은 페리 트랜지스터에만 적용된다. 페리는 D램에서 셀 주변의 회로를 제어하는 트랜지스터다. 4F스퀘어 적용 여부에 대해서는 발표하지 않았다. 4F스퀘어는 현재 시장 주류 기술인 6F 스퀘어에서 셀 면적을 더 줄인 구조로, 집적도를 높일 수 있는 차세대 기술로 평가받는다. 그러나 삼성전자가 4F스퀘어를 기반으로 D램 구조를 바꾼 뒤, 3D D램을 개발한다는 점을 고려하면 4F스퀘어부터 핀펫 공정이 적용될 가능성이 크다. 그는 파운드리 기술이 메모리 공정으로 적용이 가속화되는 상황이냐는 질문에 “그렇다”고 긍정했다.

2025.07.15 16:14전화평

POSTECH "쓸수록 성능 떨어지는 '강유전체 메모리' 문제 해결"

강유전체 메모리는 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 갖춘 차세대 기술이다. 그러나 반복적인 작동은 메모리 '피로현상'을 일으키며 기능 저하를 초래한다. 이 때문에 강유전체 메모리가 미래 반도체 대안으로 불리지만, 상용화는 어려웠다. 국내 연구진이 이 같은 '피로현상'의 핵심 열쇠를 찾아, 해결 방안을 제시해 관심이다. POSTECH(포항공과대학교)은 반도체공학과 이장식 교수, 도현서 연구생(학부 3년) 연구팀이 오랜 사용으로 성능이 저하되는 '피로현상'을 겪는 반도체 부품을 다시 원래 상태로 되돌리는 혁신적인 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 이 연구결과는 'IEEE 전자 소자 학회 저널(IEEE Journal of the Electron Devices Society)' 최근호에 게재됐다. 연구팀은 반도체의 핵심 부품인 '강유전체 커패시터(전기를 저장하는 장치)'에서 일어나는 미세한 변화에 주목했다. 이 부품 안에는 원자 수준의 작은 '산소 빈자리'가 있는데, 이것이 반도체 피로현상의 핵심 요인이라는 것을 확인했다. 산소 빈자리는 양(+)전하를 띠고 있어 반도체를 오래 사용하면 이들이 중앙으로 몰리게 된다는 것. 마치 사람이 피곤할 때 특정 부위에 통증이 몰리듯 산소 빈자리가 한곳에 뭉치면 반도체 성능이 점차 떨어졌다. 이장식 교수는 "주목할 점은 이 '피로 상태'에 있는 반도체에 순간적으로 높은 전압을 걸어주면 반도체 내부 구조가 재정렬된다는 것"이라며 "산소 빈자리가 다시 중성 상태로 바뀌고 고르게 분산된다"고 설명했다. 이 과정을 통해 반도체는 마치 새것처럼 성능을 회복하게 되는데, 연구팀은 이러한 현상을 '회복(recovery)' 상태라고 명명했다. 이 교수는 "이 기술을 활용하면 반도체 소자를 더 오래 쓰면서도 안정적인 성능을 유지할 수 있게 된다"며 "특히 빠른 동작 속도와 신뢰성이 생명인 인공지능, 자율주행차, 사물인터넷 기기 등 첨단 기술 분야에서 더욱 중요한 역할을 할 것"으로 기대했다. 이 교수는 또 “이번 성과가 강유전체 소재를 이용한 차세대 반도체 개발에 중요한 이정표가 될 것”이라고 덧붙였다. POSTECH 반도체공학과 3+3 학사·석박사 연계 집중교육과정을 이수 중인 제1저자 도현서 연구생은 “반도체 분야에서 실질적인 변화를 이끄는 연구자로 성장하고 싶다”라는 포부를 밝혔다. 연구는 과학기술정보통신부(한국연구재단) 차세대지능형반도체 기술개발사업과 삼성전자 지원으로 수행됐다.

2025.07.11 11:29박희범

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤

SK하이닉스, 2분기 메모리 매출 삼성전자와 '동률'…HBM에 엇갈린 희비

올 2분기 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 사업 격차가 크게 줄어든 것으로 나타났다. 기업별로 극명하게 나뉜 HBM(고대역폭메모리) 사업의 성패 여부가 가장 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 8일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 2분기 메모리 사업 매출은 각각 155억 달러(한화 약 21조2천억원)로 동일한 수준을 기록한 것으로 분석된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기 D램 사업에서 사상 처음으로 삼성전자의 매출을 추월한 바 있다. 당시 양사의 D램 매출 점유율은 SK하이닉스가 36%, 삼성전자가 34%로 집계됐다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 최초로 매출 1위를 기록한 데 이어, 2분기에는 전체 메모리 시장에서 삼성전자와 1위 자리를 놓고 경쟁하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 높은 성장세에는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대가 중대한 영향을 끼쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 최신형 HBM을 주요 고객사인 엔비디아에 선제적으로 공급하는 등 성과를 거두고 있다. 삼성전자 역시 올 하반기 D램 가격 상승, HBM 출하량 증가에 따른 회복세가 전망되나, 성장 폭은 제한적일 수 있다는 의견이 제기된다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자는 하반기 AMD와 브로드컴에 HBM3E 제품을 공급하면서 실적 개선이 예상되나, 엔디비아로의 출하는 여전히 불투명하다"며 "강화된 대중국 판매 규제 영향으로 올해 HBM 판매량 증가는 전년 대비 제한될 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 16:15장경윤

삼성전자, 저점 통과해 3분기 반등 준비…HBM 등 출하량 확대

삼성전자가 반도체 부문 어닝쇼크로 올 2분기 실망스런 성적표를 받았다. 다만 올 3분기부터는 반등세에 들어설 전망으로, 범용 메모리 가격 상승과 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대, 계절적 성수기로 인한 디스플레이·가전 사업의 호조세 등이 맞물릴 것으로 분석된다. 8일 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌았다. 주요 원인은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 부진이다. 메모리 분야에서는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 상용화 지연으로 인한 재고 충당, 시스템반도체 사업에서는 최선단 파운드리 고객사 확보 난항 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 다만 이번 삼성전자 2분기 실적은 '바닥'에 해당하는 것으로, 올 하반기에는 회복세에 접어들 가능성이 유력하다. 현재 삼성전자의 3분기 증권가 컨센서스는 매출 82조4천억원, 영업이익 8조8천억원 수준이다. 현재 D램 시장은 PC·서버 등 산업 전반에서 가격이 상승하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 지난 2분기 5~10% 상승했으며, 올 3분기에도 10~15% 수준의 성장세가 전망된다. HBM 출하량도 올 하반기 반등이 예상된다. MI325X·MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기용 HBM3E 12단 공급이 확대되고, 브로드컴 등 ASIC(주문형반도체) 고객사의 주문이 본격화되기 때문이다. 시스템반도체 역시 적자 폭이 기존 마이너스 2조원대에서 마이너스 1조원대로 줄어들 전망이다. 디스플레이의 경우 아이폰17용 OLED 패널 공급의 본격적인 확대로 올 3분기 영업이익이 1조원을 넘어설 것으로 예상된다. 박유악 키움증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "삼성전자는 3분기 DS 부문의 실적 턴어라운드와 디스플레이, DX 부문의 계절적 성수기 진입 효과로 턴어라운드할 전망"이라며 "D램은 HBM 판매량 증가로 인해 출하량과 평균판매가격이 모두 전분기 대비 증가할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 10:59장경윤

삼성전자, 반도체 쇼크에 '휘청'…"재고 충당·AI칩 대중 수출 규제 탓"

삼성전자가 2분기 시장 기대치를 크게 밑도는 '어닝 쇼크'를 기록했다. 반도체 사업이 당초 예상 대비 부진한 탓으로, 메모리·비메모리 모두 고부가 제품의 판매가 부진했던 것으로 풀이된다. 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 8일 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌면서 예상치를 한참 벗어났다. 2분기 실적에는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)의 부진이 가장 큰 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 삼성전자는 설명자료를 통해 "DS는 재고 충당 및 첨단 AI칩에 대한 대중 제재 영향 등으로 전분기 대비 이익이 하락했다"며 "메모리 사업은 재고자산 평가 충당금과 같은 1회성 비용 등으로 실적이 하락했으나, 개선된 HBM(고대역폭메모리) 제품은 고객별로 평가 및 출하가 진행 중"이라고 밝혔다. 그간 삼성전자는 HBM3E 제품을 엔비디아 등 주요 고객사에 납품하기 위한 평가를 진행해 왔다. 다만 퀄(품질) 테스트가 당초 예상보다 지연되면서 판매 확대에 난항을 겪고 있다. 또한 삼성전자는 "비메모리 사업은 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재로 판매 제약 및 관련 재고 충당이 발생했다"며 "라인 가동률 저하가 지속돼 실적이 하락하나, 하반기는 점진적 수요 회복에 따른 가동률 개선으로 적자 축소를 기대한다"고 덧붙였다.

2025.07.08 08:33장경윤

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