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송재혁 삼성전자 CTO "AI, 인간 뇌에 아직 배울 점 많아…반도체 진화 계속"

"34억년간 생존을 위해 에너지 효율을 높인 우리 인간의 뇌는 AI 기술보다 엄청나게 앞서 있다. AI 기술을 지탱하려면 반도체 기술이 필수이고, 반도체 역시 성능 향상과 전력 소모 저감 두 요소를 그대로 추구하며 발전하고 있다" 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장은 19일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 반도체 혁신'을 주제로 발표를 진행한 송재혁 사장은 "80년간 AI가 발전하면서, 거대언어모델(LLM)의 정확도는 2019년 32%에서 불과 5년만에 92%로 성장했다"며 "그럼에도 AI는 34억년간 발전해 온 사람의 뇌(휴먼 브레인)에 비해 연산 속도, 에너지 효율 등이 크게 떨어져, 여전히 배울 점이 있다"고 말했다. 때문에 반도체 기술은 연산 속도를 높이는 동시에 전력 소모량을 줄이는 방향으로 지속 발전해 왔다. 기존에는 회로의 선폭을 줄이는 전공정 기술이 주류를 이뤘으나, 최근에는 후공정 역시 반도체 성능을 높일 수 있는 대안점으로 떠올랐다. 특히 송 사장은 칩렛 플랫폼을 예로 들며 협업의 중요성을 강조했다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술로, 수많은 반도체 전공정, 후공정 기술이 융합돼야 한다. 송 사장은 "칩렛 플랫폼을 잘 구현하기 위해서는 반도체 소자업체는 물론 설비, 소재, 소프트웨어 툴 기업들과 전 세계 연구소, 학교, 컨소시엄 등의 역할도 모두 중요하다"며 "포스트 AI 시대에서 반도체 기술이 여전히 중요한 만큼, 협업을 통해 더 나은 삶을 이뤄낼 수 있을 것이라고 보여진다"고 강조했다.

2025.02.19 12:15장경윤

HBM 올해도 큰 폭 성장…"3년 뒤 전체 D램서 매출 비중 30% 돌파"

고대역폭메모리(HBM) 시장 규모가 올해 60% 이상 증가하는 등 견조한 성장세를 보일 전망이다. 또한 오는 2028년까지 매출이 꾸준히 증가하면서, 전체 D램에서 차지하는 매출 비중이 30.6%에 달할 것으로 관측된다. 가우라브 굽타 가트너 애널리스트는 19일 오전 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 올해 전 세계 반도체 시장은 7천50억 달러로 전년 대비 12.5% 성장할 전망이다. 2028년에는 시장 규모가 8천290억 달러에 달할 것으로 예상되다. 해당 기간 동안 시장 성장세를 주도할 분야로는 서버, 가속기 등 AI와 자율주행이 꼽힌다. 가우라브 굽타 가트너 수석 애널리스트는 "지난해 반도체 시장은 GPU와 메모리가 주도했고, 올해에는 이들 분야 외에도 아날로그 분야도 골고루 성장할 것"이라며" "반도체 시장은 지속 성장해, 규모가 1조 달러를 초과하는 시점은 2030~2031년이 될 것으로 관측된다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 시장은 올해와 내년 각각 13.0%, 11.6% 성장할 전망이다. 그러나 2027년과 2028년에는 각각 4.6%, 7.5%의 감소가 예상된다. 굽타 애널리스트는 "중국 YMTC가 지난해 생산량을 50% 늘리고, 올해에도 더 성장하는 등 낸드 시장은 장기적으로 도전을 받고 있다"며 "D램 역시 올해까지는 가격이 상승했다가 내년부터 ASP(평균판매가격)이 꾸준히 하락하는 등 주기를 탈 것"이라고 설명했다. 다만 HBM(고대역폭메모리)는 공급 부족으로 성장세가 지속될 것으로 보인다. 올해 HBM 매출액은 198억 달러로 전년 대비 66.9% 성장한 뒤, 2028년에는 316억 달러에 도달할 전망이다. 2023년부터 2028년까지의 연평균 성장률은 62.0%에 달한다. 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 13.6%로 집계됐다. 오는 2028년에는 이 비중이 30.6%를 기록할 것으로 관측된다. 웨이퍼 출하량 기준으로는 비중이 지난해 8.0%에서 2028년 11.0%에 도달할 전망이다.

2025.02.19 09:47장경윤

웨스턴디지털-샌디스크, '8년 동행' 마침표... 22일 재분사

개인/기업용 하드디스크 드라이브(HDD)·SSD 등 스토리지 업체인 미국 웨스턴디지털이 2016년 인수한 플래시메모리 기반 저장장치 업체 샌디스크(Sandisk)를 재분사한다. 두 회사는 오는 22일(이하 미국 현지시간)부터 별도 회사로 운영된다. 샌디스크는 2016년 이후 9년만에 미국 나스닥 등 재상장을 추진 예정이다. 웨스턴디지털은 생성 AI 등 등장으로 데이터가 폭증하는 스토리지와 데이터센터 등을 겨냥한 고성능 HDD 등 제품에 주력하겠다고 밝혔다. 샌디스크는 QLC 낸드 플래시메모리와 자체 개발 컨트롤러로 최대 1PB 용량 SSD를 개발중이다. 웨스턴디지털, 2016년 16조에 샌디스크 인수 2015년 이전만 해도 웨스턴디지털은 일반 소비자와 기업체, 데이터센터 등에 HDD(하드디스크 드라이브)만 생산해 공급해 왔다. 샌디스크는 2002년 도시바메모리코퍼레이션(현 키오시아)과 합작법인(JV)을 세워 일본 미에현 욧카이치 시에서 생산한 낸드 플래시메모리 기반 고성능 메모리카드와 SSD를 공급했다. 웨스턴디지털은 2015년 10월 당시 플래시 메모리 저장장치업체인 샌디스크 인수를 발표하고 1년 뒤인 2016년 5월 마무리했다. 당시 웨스턴디지털이 들인 비용은 현금과 주식을 합해 총 160억 달러(약 16조원)이며 '샌디스크'는 브랜드로만 활용됐다. 2016년 5월 합병 이후 9년만에 재분사 웨스턴디지털은 2023년 10월 경 회사를 소비자·기업용 HDD 관련 기업과 낸드 플래시메모리 기반 기업으로 분할할 것이라고 밝혔다. HDD 수요 감소로 성장이 정체되자 주주 가치를 제고하겠다는 것이 이유다. 웨스턴디지털은 지난 해 10월 초 낸드 플래시메모리 기반 제품 정보와 판매 관련 웹사이트를 샌디스크닷컴으로 분리했다. 이어 지난 해 말에는 샌디스크 새 로고도 함께 공개했다. 데이비드 게클러(David Goeckeler) 웨스턴디지털 CEO가 샌디스크 CEO로 이동했고 어빙 탄(Irving Tan) 글로벌 부문 수석부사장이 은 HDD 회사인 웨스턴디지털 CEO가 될 예정이다. 웨스턴디지털 "향후 고용량 기업용 HDD에 주력" 양사는 본격 분할을 1주일 앞둔 지난 주 각자 투자설명회를 진행했다. 13일 진행된 웨스텉디지털 투자설명회에서 어빙 탄 차기 CEO 내정자는 "ePMR CMR HDD, 울트라SMR, 열보조자기기록(HAMR) 등 기술을 활용해 총소유비용(TCO) 절감 등 가치를 제공할 것"이라고 밝혔다. 이어 "생성 AI 워크로드와 AI 모델 학습을 위한 데이터 저장소 구축이 늘어나며 오는 2028년까지 HDD 출하 총 용량이 매년 23% 증가, 전 세계 데이터 생산량이 3배 증가할 것"이라고 전망했다. 이날 웨스턴디지털은 HAMR 방식 고용량 HDD 대량생산을 위해 주요 하이퍼스케일러 고객사 두 곳과 테스트를 진행하고 있다는 사실도 함께 공개했다. 이들 제품의 상용화 시점은 미정이다. 샌디스크 "QLC 낸드 기반 고용량 SSD 개발중" 같은 시기 진행된 투자 설명회에서 쿠람 이스마일 샌디스크 제품 관리 총괄은 "QLC 낸드 플래시 메모리를 활용해 최대 용량이 1PB(페타바이트, 1천 TB)에 이르는 SSD 출시를 위해 연구를 지속할 예정"이라고 밝혔다. 샌디스크가 연구하는 울트라QLC 플랫폼은 키오시아와 공동 개발한 BICS 8 QLC 3D 낸드플래시와 64채널 처리를 지원하는 컨트롤러, 펌웨어로 구성된다. 가령 2Tb(250GB) QLC 낸드 플래시메모리 64개를 조합하면 16TB를 구성 가능하다. 샌디스크는 향후 낸드 플래시메모리 단위 용량을 점차 늘려 최대 1PB를 저장할 수 있는 SSD를 출시할 것이라고 밝혔다. 단 이들 제품은 일반 소비자보다 데이터센터 등 기업용으로 먼저 공급될 예정이다. 샌디스크가 예상한 출시 시점은 2028년 경이다.

2025.02.18 16:29권봉석

유럽 최대 반도체연구소 회장 "이재용 만날 것…삼성·SK 협력 강화"

유럽 최대 반도체 연구소인 아이멕(imec)이 국내 반도체 생태계와의 협력을 강화한다. 이재용 삼성전자 회장, 곽노정 SK하이닉스 사장 등 주요 기업들을 만나는 한편, 나노종합기술원과 함께 국내 반도체 인재 양성도 지원할 예정이다. 루크 반 덴 호브 아이멕 회장 겸 최고경영자(CEO)는 18일 서울 파르나스 호텔에서 열린 'IMEC 테크놀로지 포럼(ITF) 코리아' 기자간담회에서 국내 반도체 생태계와의 협업 계획에 대해 이같이 밝혔다. 지난 1984년 설립된 아이멕은 유럽 최대 규모의 종합 반도체 연구소다. 첨단 반도체 기술과 실리콘 포토닉스, 인공지능, 5G 등 다양한 분야에서 개발을 진행하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업과도 활발히 협력 중이다. 이날 반 덴 호브 아이멕 회장은 "반도체 산업의 혁신적 성과를 실현하기 위해서는 협업과 상호 교류가 핵심"이라며 "한국 파트너들과 함께 미래를 논의하고 혁신을 이끌어갈 만남을 기대한다”고 말했다. 특히 아이멕은 최첨단 반도체 노광기술인 EUV(극자외선) 분야에서 주목받고 있다. 아이멕은 EU 반도체법의 지원 하에 6천 평방미터 이상의 클린룸과 ASML의 차세대 EXE:5200 High-NA EUV 장비를 포함한 첨단 설비에 투자할 예정이다. 국내 기업들과도 첨단 반도체 기술과 관련한 협업을 진행할 예정이다. 반 덴 호브 회장은 "2년 전 이재용 회장을 만난 후 현재 뿐만 아니라 미래 협력 방안에 대해서도 지속적으로 논의하고 있다"며 "이 회장과 이번에도 만날 예정이고, 곽노정 SK하이닉스 사장도 만날 것"이라고 밝혔다. 그는 또 "한국 주요 기업들과 향후 5~10년 뒤 상용화할 차세대 반도체 기술을 연구하고 있다"며 "차세대 소자 및 트랜지스터, CFET 등이 주요 협력 분야"라고 덧붙였다. 한편 아이멕은 국내 나노인프라 기관인 나노종합기술원과도 협력각서(MOC)를 체결할 예정이다. 이를 통해 한국 반도체 생태계와의 협력을 더욱 강화한다는 방침이다. 박흥수 나노종합기술원 원장은 “아이멕과 협력각서 체결로 지난해 시작한 인턴십 프로그램을 공식화하고 뛰어난 국내 인재들이 아이멕 본사에서 귀중한 경험을 쌓을 기회를 제공하게 됐다”며 “이번 협약은 국제 협력이 차세대 반도체 전문가 육성에 중요한 역할을 한다는 것을 보여주는 사례”라고 말했다.

2025.02.18 15:06장경윤

"습도 제어로 반도체 수율 향상"…저스템, 고객사·제품군 확대 박차

저스템이 반도체 수율 향상에 기여하는 습도 제어 시스템으로 회사 성장을 가속화한다. 현재 미국 고객사와 1세대 제품 공급을 위한 평가를 진행 중이며, 최근 출시한 2세대 제품도 국내 고객사의 첨단 메모리 전환 추세에 맞춰 공급량을 본격 확대할 계획이다. 임영진 저스템 대표는 최근 서울 강남 모처에서 기자들과 만나 회사의 올해 핵심 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 습도 제어로 반도체 수율 향상…미국 고객사 확보 목전 저스템은 지난 2016년 설립된 반도체·디스플레이 장비업체다. 삼성전자, 주성엔지니어링 등에서 기술력을 쌓은 임 대표가 설립했다. 질소(N2)를 통한 공정 내 습도제어가 회사의 핵심 기술로 꼽힌다. 반도체의 주 소재인 웨이퍼는 공정 내에서 용기(풉; POUP)에 담겨 진공·대기 환경을 오간다. 그런데 대기 환경에서 습도가 너무 높을 경우, 웨이퍼에 잔존한 가스 물질이 습도와 반응해 부식 반응을 일으킬 수 있다. 이는 반도체 수율 저하로 직결된다. 때문에 선폭 20나노미터(nm) 이하의 미세 공정에서는 습도 제어의 필요성이 높아진다. 저스템은 질소를 기반으로 습도를 45%에서 5% 이하로 감소시키는 기술을 국내 최초로 개발해, 모듈 형식으로 반도체 소자업체에 공급해 왔다. 1세대 제품은 국내를 비롯해 대만, 일본, 싱가포르 등 해외 시장에도 상용화됐다. 임 대표는 "저스템의 습도 제어 시스템을 도입하면 생산성이 약 2% 정도 향상되고, 이를 금액적으로 환산하면 1기 팹에서 연간 1천억원 정도의 이득이 있다"며 "이에 주요 IDM(종합반도체기업) 3개사가 저스템 시스템을 채용 중으로, 시장 점유율은 85~90% 수준"이라고 설명했다. 미국 주요 메모리 기업과의 협업도 기대된다. 현재 해당 기업에 모듈을 공급해 퀄(품질) 테스트를 진행 중으로, 올해 상반기 양산 공급을 확정짓는 것이 목표다. 2·3세대 모듈로 성장 본격화…하이브리드 본딩 시대도 준비 나아가 저스템은 지난해 양산을 시작한 2세대 제품 'JFS'의 시장 확대를 추진 중이다. JFS는 습도를 최대 1%까지 낮출 수 있어 10나노급 반도체에 대응할 수 있다. 특히 국내 주요 고객사가 1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램 전환을 가속화하고 있어, 수요가 크게 늘어날 것이라는 게 저스템의 시각이다. 임 대표는 "JFS는 지난해에만 600개를 출하했고, 국내 주요 고객사 중 한 곳에도 실장됐다. 1세대가 6천개가량 도입된 걸 감안하면 2세대도 최소 그 이상의 성장 잠재력이 있다"며 "다른 한 곳도 실장 협의가 끝나 올해 상반기 중으로 본격적인 도입이 가능할 전망"이라고 밝혔다. 오는 19일부터 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서는 3세대 제품도 공개한다. 3세대는 이전 세대 대비 습도 제어 범위를 넓혀, 풉의 뚜껑을 열어도 웨이퍼 주변의 습도를 1%로 유지할 수 있도록 하는 것이 특징이다. 임 대표는 "3세대 제품은 내부 개발이 끝나, 일부 고객사 평가를 준비하고 있다"며 "이르면 내년 하반기나 내후년부터 본격적으로 시장에 공급될 것"이라고 강조했다. 한편 저스템은 차세대 HBM(고대역폭메모리)에 적용될 하이브리드 본딩 관련 장비도 준비하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩을 직접 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 저스템은 칩 간의 연결성을 높일 수 있도록, 플라즈마로 웨이퍼 표면에 미세한 굴곡을 만드는 장비를 개발하고 있다.

2025.02.17 13:51장경윤

[단독] 두산테스나, 평택 신공장 건설 전면 '보류'…삼성電 부진 여파

국내 주요 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 두산테스나가 평택 내 신공장 건설 속도를 늦춘다. 두산테스나는 최근 관련 시설투자 계획을 취소한 것으로 파악됐다. 주요 고객사인 삼성전자의 시스템반도체 사업 부진이 악영향을 끼쳤다는 분석이다. 16일 업계에 따르면 두산테스나는 본사 인근에 신설하기로 했던 평택 제2공장의 착공 계획을 잠정 보류하기로 했다. 앞서 두산테스나는 경기 평택시 브레인시티 일반산업단지 내에 제2공장을 건설하기로 한 바 있다. 공장 규모는 총 4만8천㎡로, 기존 두산테스나의 평택 및 안성시 소재 공장 3개를 합친 것보다 넓다. 이에 따라 두산테스나는 지난 2023년부터 공장 건설을 위한 기초 공사를 진행해 왔다. 지난해에는 일차적으로 2천200억원을 투자해, 1만5천870㎡ 규모의 공장 및 클린룸을 건설하겠다는 구체적인 계획도 발표했다. 그러나 두산테스나는 최근 내부 회의를 통해 평택 신공장의 착공 일정을 연기하는 방향으로 가닥을 잡았다. 이와 관련된 건설 업무 의뢰 및 설비 투자도 모두 중단된 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "두산테스나가 지난해 말까지 평택 신공장을 착공하기로 했었으나, 뚜렷한 재개 일정 없이 계획을 보류시킨 것으로 안다"며 "핵심 협력사인 삼성전자의 부진이 여파를 미친 것으로 보인다"고 말했다. 두산테스나는 국내 주요 OSAT 기업 중 하나다. 이미지센서(CIS), AP(애플리케이션 프로세서), 메모리 컨트롤러 등 주로 시스템반도체의 후공정 처리를 담당하고 있다. 평택 신공장 역시 각종 시스템반도체 패키징용으로 설계됐다. 핵심 고객사는 삼성전자다. 그러나 삼성전자의 시스템반도체 사업은 IT 시장의 전반적인 수요 부진, 최첨단 AP인 '엑시노스 2500'의 최신형 갤럭시 스마트폰 탑재 불발 등으로 지난해 큰 부진을 겪었다. 이로 인해 두산테스나를 비롯한 OSAT 업계들의 실적도 당초 예상 대비 감소했다. 실제로 두산테스나의 지난해 4분기 실적은 매출 822억원, 영업손실 11억원으로 집계됐다. 증권가 컨센서스인 매출액 950억원, 영업이익 146억원을 크게 하회한 수준이다. 올 1분기에도 적자를 지속할 가능성이 높다. 때문에 두산테스나는 시황 및 주요 고객사의 사업 현황을 고려해 설비투자 속도를 늦추려는 것으로 관측된다. 한편 두산그룹은 반도체 사업 강화에 적극적인 투자 의지를 밝혔으나, 최근 당초 계획에 난항을 겪고 있다. 두산은 지난 2022년 4월 테스나 최대주주인 에이아이트리 유한회사의 지분 전량(38.7%)을 4천600억원에 인수하며 반도체 사업을 회사 포트폴리오에 추가했다. 이후 2023년 삼성전자의 디자인하우스 협력사인 세미파이브에 전략적 투자자로 합류했다. 나아가 지난해에는 두산테스나를 통해 이미지센서 후공정 전문업체인 엔지온을 인수하고, 회사와의 흡수합병을 결정했다. 지난 2월 두산테스나는 세미파이브를 인수하려고도 했으나, 시황 등의 이유로 성사되지는 않았다.

2025.02.16 09:11장경윤

이강욱 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM용 패키징 고도화·칩렛 기술 확보"

SK하이닉스가 미래 메모리 시장을 주도하기 위한 핵심 과제로 HBM(고대역폭메모리) 패키징 기술 고도화, 칩렛 기반의 이종 결합 기술 확보 등을 제시했다. 14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 지난 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다고 밝혔다. 모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 故 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여돼 왔다. 올해는 후공정인 '반도체 패키징 분야의 기업인'에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다. 이 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다. 2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대 고대역폭메모리)에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하며 'AI 메모리 성공 신화'의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 이 부사장은 "SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 MR-MUF는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선해 줬다"며 "HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 밝혔다. 그는 굵직한 공적만큼 특출한 수상 이력도 자랑한다. 지난해에는 한국인 최초로 'IEEE EPS 어워드 전자제조기술상'을 받기도 했다. 올해는 강대원상이라는 이력을 추가했는데, 그는 이번 수상이 특히 각별하다는 소감을 전했다. 이 부사장은 “업계에서도 의미가 큰 상을 받게 돼 영광이다. 무엇보다 SK하이닉스의 위상 그리고 PKG개발 조직의 높은 역량을 인정받은 듯해 보람차다"며 "과분한 상이지만 반도체 산업 발전에 더 많이 기여하라는 뜻으로 생각하고, 함께 노력해 준 PKG개발 구성원분들에게도 감사 인사를 전한다"고 말했다. 한편 이 부사장은 미래 시장에 대응하기 위해 두 가지 계획을 마련해 뒀다. ▲HBM 패키징 기술 고도화 ▲칩렛 기반 이종 결합 기술의 확보 등이다. 이 부사장은 “AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다. 이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다"며 "중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP(시스템-인-패키지) 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것"이라고 강조했다. 그는 이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 '첨단 패키징 기술'을 확보해 나가고자 한다"고 덧붙였다.

2025.02.14 14:34장경윤

ICT 수출 부진...메모리 반도체만 고공 성장

지난달 ICT 분야 전반적인 수출 부진 속에 반도체와 컴퓨터 주변기기가 꾸준한 수출 증가세를 이어갔다. 13일 과학기술정보통신부의 ICT 수출입통계에 따르면 1월 ICT 수출은 162억9천만 달러, 수입은 134억5천만 달러, 무역수지 28억3천만 달러로 잠정 집계됐다. 이같은 ICT 수출액 규모는 전년 동월 대비 0.4% 후퇴한 수치다. AI 시장 성장 영향으로 반도체 분야 수출 실적은 꾸준히 크게 늘어 지난달 101억4천만 달러를 기록했다. AI 서버 투자 확대에 따라 고부가가치 품목인 HBM 수요 증가가 결정적인 요인이다. 메모리 반도체와 달리 시스템 반도체 수출은 감소했다. SSD 수출 확대로 컴퓨터 주변기기 수출액은 9억3천만 달러를 기록, 전년 동월 대비 10.0% 증가했다. 디스플레이 수출액은 16.1% 감소한 12억6천만 달러를 기록했다. TV와 PC 등의 완제품 수요 부진으로 10억 달러 수준도 위협받고 있다. 휴대폰 수출액은 8.8% 감소한 10억1천만 달러를 기록했다. 카메라 모듈과 같은 부분품 수출이 중국 대상으로 늘었지만 다른 지역에서는 수출이 감소했다. 통신장비 수출액은 20.9% 감소한 1억6천만 달러를 기록했다. 중소기업과 중견기업의 ICT 수출은 전 분야가 줄어들며 전년 동월 대비 12.7% 감소한 41억6천만 달러에 그쳤다.

2025.02.13 11:00박수형

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

SK하이닉스, 업계 최초 글로벌 자동차 정보 보안 인증 'TISAX' 획득

SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 글로벌 자동차산업 정보 보안 인증인 TISAX(Trusted Information Security Assessment Exchange)를 획득했다고 6일 밝혔다. TISAX는 독일 자동차산업협회(VDA)가 만든 평가 기준을 기반으로 유럽자동차제조·공급협회(ENX)가 운영하는 글로벌 정보 보안 인증 체계다. SK하이닉스는 "경기도 이천과 분당, 충북 청주에 위치한 국내 모든 사업장이 TISAX 인증을 받아 글로벌 자동차업계가 요구하는 보안 역량을 국제적으로 인정받았다"며 "이를 계기로 AI 기반의 미래 자동차 기술 구현에 필수적인 고성능 메모리 설루션 개발을 가속화하겠다"고 말했다. 글로벌 자동차산업은 전기차 시장 확대와 자율주행, 커넥티드카 기술 발전에 따라 전장 비중이 급격히 커지고 있다. 이러한 변화에 맞춰 차량용 반도체는 미래 모빌리티 산업의 핵심 부품으로 주목받고 있다. 특히 차량용 반도체는 ADAS(첨단 운전자 지원 시스템) 브레이크 시스템, 엔진 제어 등 자동차 안전 시스템에 적용되고 있어, 일반 반도체보다 높은 수준의 신뢰성이 요구된다. 최근 자동차를 대상으로 한 해킹, 악성코드 공격도 증가하면서 반도체 자체의 성능은 물론, 제조 과정에서의 체계적인 보안 관리가 강조되고 있다. 이에 SK하이닉스는 글로벌 완성차 고객들이 필수 요건으로 제시하고 있는 TISAX 인증을 전문 기관 검증을 거쳐 확보했다. 회사는 이번 인증 결과를 여러 협력사와 공유할 수 있어 중복 비용을 최소화하고, 협력사들과 장기적인 비즈니스 추진에도 도움이 될 것으로 전망했다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM개발 담당)은 "이번 인증 획득을 계기로 글로벌 자동차 제조사 및 주요 부품사들과의 협력을 더욱 강화해 나가겠다"며, "철저한 보안 체계를 바탕으로 고객과 신뢰 관계를 구축해 차세대 자동차용 메모리 반도체 시장을 선도해 나가겠다"고 말했다.

2025.02.06 08:46이나리

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

삼성전자, HBM 공급량 2배 확대...'AI 반도체'에 사활

삼성전자가 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 전년 대비 2배 확대하겠다는 목표를 제시했다. 또한 메모리 및 IT 시장을 둘러싼 불확실성이 높은 상황 속에서도, 최첨단 메모리를 중심으로 투자를 이어나가겠다는 뜻을 밝혔다. 삼성전자는 2024년 4분기 연결 기준 매출 75조8천억원, 영업이익 6조5천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 11.82% 증가했으나, 전기 대비 4.19% 감소했다. 영업이익도 전년동기 대비 129.85% 증가했으나 전기 대비로는 29.30% 감소했다. 이로써 삼성전자의 지난해 연 매출은 300조8천709억원으로 집계됐다. 전년 대비 16.2% 증가한 규모로, 지난 2022년에 이어 역대 두 번째로 높은 매출을 기록했다. 연간 영업이익은 32조7천억원으로 전년보다 398.34% 증가했다. 다만 증권 전망치(34조원)를 하회하는 실적으로, 반도체 사업의 전반적인 부진 및 연구개발비용 증가 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. ■ 올해 HBM·2나노 등 첨단 반도체 양산 집중 삼성전자는 올 1분기에도 반도체 사업이 약세를 보일 것으로 전망했다. 대외적인 불확실성이 지속되고 있고, PC·스마트폰 등 IT 시장 전반에서 수요 회복이 더디기 때문이다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 상용화도 당초 계획 대비 속도가 더디다. 다만 2분기부터는 메모리 수요가 회복될 것으로 전망된다. 고객사 재고 조정이 마무리되면 온디바이스 AI 기반의 신제품이 출시되고, 서버 업계의 인프라 투자 역시 지속될 전망이다. AI 산업 발전에 따른 고성능 시스템반도체 수요도 견조할 것으로 보인다. 이에 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리 비중 확대, GAA(게이트-올-어라운드) 기반의 2나노 공정 상용화 등의 전략을 추진할 계획이다. 특히 올해 HBM 공급량을 전년 대비 2배 늘리겠다는 목표를 세웠다. 삼성전자는 "D램은 HBM3E 개선제품 판매를 확대하고, 올 하반기 내 HBM4를 개발 및 양산해 AI 시장 내 경쟁력을 강화할 것"이라며 "DDR5는 128·256Gb(기가비트) 등으로 고용량화 추세에 대응하고, 낸드는 고용량 eSSD 수요 대응 및 V8·V9로의 전환을 통해 경쟁력을 재고할 것"이라고 밝혔다. 이에 따라 삼성전자의 레거시 메모리 비중은 올해 들어 크게 축소될 것으로 관측된다. 삼성전자는 지난해 DDR4, LPDDR4 매출 비중이 30%대에 달했으나, 올해에는 이를 한 자릿수까지 축소할 계획이다. 최첨단 파운드리 사업을 이끌 2나노 공정은 올해 양산을 시작한다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 2나노 1세대 공정의 1.0 버전 PDK(프로세스 설계 키트)를 고객사에 배포한 바 있다. 나아가 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다. ■ 美 트럼프, 中 딥시크 등 변수에 긴밀하게 대응 삼성전자는 전 세계 IT 시장의 최대 변수로 떠오르는 주요 이슈에 대해서도 발빠르게 대응하겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 "트럼프 행정부 출범으로 글로벌 통상 환경에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다"며 "당사는 전 세계 각지에서 비즈니스를 영위하고 공급망을 운영하는 만큼 이러한 변화에 영향을 받을 수밖에 없다"고 말했다. 회사는 이어 "당사는 미국 대선뿐만 아니라 다양한 지정학적 환경 변화에 따른 기회와 리스크에 대해 다양한 시나리오를 기반으로 분석하고 대비해 왔다"며 "트럼프 행정부 출범 첫날 수십 개의 행정명령과 메모가 발표되는 등 다양한 정책 아젠다와 방향이 제시되고 있는데 당사는 향후 구체적인 정책 입안 과정을 면밀히 지켜보면서 사업 방향을 사업 영향을 분석하고 대응 방안을 마련할 예정이다"고 강조했다. 최근 높은 효율로 주목받은 중국의 AI 모델 '딥시크(Deepseek)'에 대해서는 "당사도 GPU에 들어가는 HBM을 여러 고객사들에게 공급하고 있는 만큼 다양한 시나리오를 두고 업계 동향을 살피고 있다"고 밝혔다. 회사는 "신기술 도입에 따른 업계의 다이나믹스는 항상 변화 가능성이 있고, 현재 제한된 정보로 판단하기는 이르나 시장 내 장기적 기회 요인 및 단기적 위험 요인이 공존할 것으로 예상된다"며 "이에 당사는 업계 동향을 주시하며 급변하는 AI 시장에 적기 대응할 수 있도록 하겠다"고 덧붙였다. ■ 올해도 메모리에 적극 투자…로봇 등 신사업도 준비 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입했다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어선 규모다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 특히 첨단 메모리와 중소형 OLED 디스플레이 경쟁력 강화에 투자가 집중된 것으로 풀이된다. 삼성전자는 HBM에 대한 연구개발 및 생산능력 확대에 주력하고 있으며, 기존 레거시 메모리 공정을 1b(6세대 10나노급) D램, V8·V9 등 첨단 제품으로 전환하고 있다. 삼성전자는 올해에도 메모리에 적극적인 투자를 이어간다는 방침이다. 회사는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 것"이라고 밝혔다. 로봇 등 미래 신사업 준비에도 만전을 기하고 있다. 삼성전자는 지난해 12월 31일 국내 최초로 2족 보행 로봇 '휴보'를 개발한 레인보우로보틱스의 최대주주 지위를 확보한 바 있다. 삼성전자는 "레인보우로보틱스를 연결 재무제표상 자회사로 편입해 미래 로봇 개발 가속화를 위한 기반을 구축하게 됐으며, 당사의 AI 및 소프트웨어 기술과 레인보우로보틱스의 로봇 기술을 접목해 지능형 휴머노이드와 같은 첨단 미래 로봇 개발을 신속하고 체계적으로 준비해 나갈 예정"이라고 밝혔다. 회사는 이어 "당사의 젊고 유능한 로봇 인력을 배치해 글로벌 탑티어 수준의 휴머노이드 개발에 박차를 가하고 있다"며 "로봇 AI가 핵심 기술로 부상하며 미래 로봇의 경쟁력을 좌우할 가능성이 높아짐에 따라 당사 자체적으로 역량을 강화함과 동시에 국내 유망 로봇 AI 플랫폼 업체에 대한 투자 협력을 통해 기술 역량을 확보하고 지속적으로 고도화해 나갈 계획"이라고 강조했다.

2025.01.31 14:57장경윤

삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표

삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 HBM(고대역폭메모리) 공급량을 용량 기준으로 전년 대비 2배 수준으로 확대하겠다고 밝혔다. 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 판매량은 전분기 대비 1.9배 성장했다. 삼성전자의 당초 전망치를 소폭 하회한 수준이다. 다만 최선단 HBM 제품인 HBM3E(5세대 HBM)의 매출 비중이 해당 분기 HBM3를 앞지르는 등의 성과도 거뒀다. 삼성전자는 올해에도 첨단 HBM 전환에 집중할 계획이다. 지난해 하반기부터 준비 중인 HBM3E 12단 개선품을 일부 고객사에 1분기 말부터 양산 공급해, 2분기부터 판매를 본격화할 계획이다. 또한 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사에 발맞춰 HBM3E 16단 샘플을 제작해 고객사에 전달했다. 실제 고객사의 상용화 수요는 없을 것으로 보이나, 기술적 검증 차원에서다. 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM)는 기존 계획대로 올 하반기 양산을 목표로 하고 있다. 나아가 고객사와 차세대 제품인 HBM4E의 상용화를 위한 기술적 협의도 지속하고 있다. 다만 올 1분기 삼성전자의 HBM 사업은 당초 예상 대비 부진한 모습을 보일 가능성도 제기된다. 삼성전자는 "올 2분기 이후 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 수요가 전환되면서, 올해 HBM의 비트(Bit) 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 것"이라며 "다만 미국의 첨단 반도체 수출 통제와 HBM3E 12단 개선품 발표 이후 기존 고객사의 수요 이동으로 1분기 일시적이 수요 공백이 발생할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.31 11:15장경윤

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

삼성전자, 지난해 설비투자 53.6조원…업황 부진에도 역대 '최대'

삼성전자가 지난해 역대 최대 규모의 시설투자를 진행했다. HBM(고대역폭메모리) 등 첨단 메모리와 중소형 디스플레이 사업 경쟁력 강화에 집중한 것으로 풀이된다. 삼성전자는 지난해 4분기 시설투자에 17조8천억원을 투자했다고 31일 밝혔다. 전분기 대비로는 5조4천억원 증가한 규모다. 사업별로는 DS(반도체) 부문이 16조원, 디스플레이 사업에 1조원이 할당됐다. 이로써 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입하게 됐다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어섰다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 메모리는 미래 기술 리더십 확보를 위한 연구개발비 집행과 HBM 등 첨단 공정 생산능력 확대를 위한 투자를 지속해 지난 분기 및 연간 대비 투자가 모두 증가했다. 반면 파운드리는 시황 악화로 전년 대비 연간 투자 규모가 감소했다. 디스플레이는 중소형 디스플레이를 중심으로 경쟁력 우위 확보를 위한 투자를 지속하며 전년 대비 연간 투자 규모가 증가했다. 삼성전자는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 밝혔다.

2025.01.31 09:33장경윤

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다. 특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다. 호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속 다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다. 특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다. SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다. 지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다. 올해도 HBM 등 AI 메모리 전환 집중 이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다. 최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다. SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다. 설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점 SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다. 올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다. M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다. SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 12:06장경윤

SK하이닉스, 'HBM4' 상용화 자신…16단도 내년 하반기 공급 예상

SK하이닉스가 내년 인공지능(AI) 메모리 시장의 주류가 될 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 안정적인 개발 및 상용화 준비를 자신했다. 올 하반기 12단 제품 양산 준비를 마무리하는 한편, 16단 제품은 내년 하반기 공급을 내다보고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년도 4분기 실적발표에서 내년 하반기부터 HBM4 16단 제품 양산이 진행될 것으로 예상된다고 밝혔다. 현재 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)를 중심으로 사업 확대에 나서고 있다. 올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다. 나아가 SK하이닉스는 내년 주력 제품이 될 HBM4 상용화 준비도 착실히 진행하고 있다. HBM4는 12단 및 16단 제품으로 구성된다. SK하이닉스는 "HBM4는 기술 안정성과 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용해 개발하고 있고, 올 하반기 중에 개발 및 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표"라며 "12단 제품으로 공급을 시작해, 16단 제품은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다"고 밝혔다.

2025.01.23 11:03장경윤

SK하이닉스, 올해 설비투자 소폭 늘린다…HBM 수요에 '선제 대응'

SK하이닉스가 올해 10조원대 후반의 설비투자를 집행할 것으로 예상된다. 현재 회사는 HBM(고대역폭메모리) 수요에 대응하기 위한 신규 공장 설립에 주력하고 있다. SK하이닉스는 23일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 늘리겠다고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 총 설비투자 규모를 10조원 중후반대로 책정한 바 있다. 이를 고려하면 올해 설비투자는 10조원 후반대에 근접할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 "신규 팹 건설로 올해 인프라 투자비가 크게 증가한다"며 "M15X는 현재 청주에 건설 중으로, 올해 4분기 오픈할 예정"이라고 밝혔다. M15X는 SK하이닉스가 지난해 상반기 본격적으로 착공한 반도체 생산 공장이다. 향후 증가할 것으로 예상되는 HBM 수요에 대비해 최선단 D램을 생산하기로 했다. 초기 건설에만 약 5조3천억원이 투자되며, 장기적으로는 총 20조원 이상의 투자가 집행된다. 또한 SK하이닉스는 용인 클러스터 1기 팹을 오는 2027년 2분기 오픈하기 위해, 올해부터 공사를 시작한다는 방침이다. 지난해 말에는 미국 정부와 반도체 지원법에 따른 보조금 약 6천600억원 규모의 계약을 체결하기도 했다. SK하이닉스는 "수익성이 확보되 제품에 한해 투자를 지속한다는 원칙을 유지한다"며 "시황 변화에 따라 유연하게 투자할 것"이라고 밝혔다.

2025.01.23 08:55장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.