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SK하이닉스 "추가 클린룸 필요...올해 투자 규모, 연초 계획보다 증가"

SK하이닉스가 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 시설투자에 나선다. 이에 올해 전체 투자 규모는 연초 계획보다 증가할 계획이다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적 및 컨퍼런스콜에서 "급변하는 시장에 유연하게 대처를 할 수 있도록 메모리 시황에 대한 생산 투자 계획을 정기적으로 검토하고 있다"라며 "24년도의 투자 규모는 연초 계획보다는 증가할 것으로 생각한다"고 말했다. 이어 "연초 대비해서 개선된 HBM(고대역폭메모리) 수요를 반영해서 투자 규모를 계속해서 검토했고, 추가적인 팹에 대한 투자를 결정했다"며 "이는 수요에 대한 어떤 가시성이 뚜렷하고 수익성이 높은 제품의 생산 확대와 중기 인프라 확보를 위한 것"이라고 설명했다. 다만, 단기 범용 제품의 수급 영향은 상당히 제한적일 거으로 판단한다고 밝혔다. 올초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. SK하이닉스는 어제(24일) 청주에 신규 팹 M15X을 건설한다고 발표했다. M15X 팹은 건설비 약 5조2962억원을 포함해 총 20조원이 투입되며, 이달 말부터 건설에 나서 내년 11월에 양산을 시작할 예정이다. 또 이달 초에는 미국 인디에나에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년 차세대 HBM 등을 생산하는 후공정 팹을 건설한다고 밝혔다. 아울러 용인 클러스터 첫 팹은 2027년 오픈을 목표로 한다. 이날 컨콜에서 회사는 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 D램 수요에 적기 대응하기 위해 추가적인 클린룸 공간 확보 필요하다고 판단한다"며 "이에 따라 회사가 경쟁력 갖고 있는 AI 향 메모리 시장에서 위상을 지키고 선제적으로 대응하기 위해 M15X 투자를 결정했다"고 말했다. 이어서 "M15X는 청주 공장의 인프라를 그대로 활용할 수 있고 상대적으로 빠른 일정으로 클린룸을 확보할 수 있을 것으로 본다"며 "지금부터 공사를 시작하면 2025년 말에는 팹을 오픈할 수 있다. 또 M15X는 TSV 캐파를 확장 중인 M15와 인접해있어서 HBM 생산을 최적화할 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또한 "용인은 부지조성 작업이 진행으로 2027년 첫 팹이 오픈을 목표로 차질 없이 진행되고 있다"고 말했다. 또 "미국은 AI 분야 주요 고객들이 집중되어 있고, 첨단 후공정 분야 기술연구도 활발히 진행되고 있어서 미국 본토에 팹을 짓기로 결정했다. 미국 인디애나 어드밴스 패키징 시설은 2028년 하반기를 생산 가동 목표로 하고 있다"고 밝혔다.

2024.04.25 11:28이나리

세미파이브, 메티스엑스와 'CXL 기반 메모리 가속기' 개발 협력

반도체 설계 솔루션 회사 세미파이브는 메티스엑스(MetisX)와 협력해 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 기반 메모리 가속기 칩을 개발한다고 25일 밝혔다. 해당 칩은 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된 삼성 파운드리의 4나노 공정 기술을 적용해 시제품을 설계하고 양산할 계획이다. 메티스엑스는 2022년 1월에 설립된 국내 팹리스 스타트업이다. 대용량 데이터와 인공지능(AI) 모델 크기 증가로 인해 데이터 센터에 발생하는 메모리 문제를 해결하기 위해 설계된 CXL 기반 컴퓨테이셔널 메모리를 개발한다. 메티스엑스의 메모리 솔루션 기술은 CXL 표준을 기반으로 메모리 용량을 확장하고 인텔리전스를 통합해 효율성을 높일 뿐만 아니라 비용 절감 효과까지 볼 수 있다. 데이터 센터의 총 소유비용(TCO)을 크게 낮추는 동시에 벡터 데이터베이스(DB), 스케일아웃 DB, 그래프 DB, DNA 분석과 같은 애플리케이션을 가속화하는 것이 목표다. 세미파이브는 시스템온칩(SoC) 플랫폼 및 ASIC 설계 솔루션 전문 회사로, AI 반도체에 특화된 SoC 설계 플랫폼을 개발한다. 현재까지 3개의 SoC 설계 플랫폼을 개발했으며, 이를 활용한 3개의 제품이 양산에 돌입했다. 세미파이브는 기존 디자인 하우스 역할에서 탈피해 디자인 플랫폼을 표방하고 있다. AI 커스텀 반도체에 특화된 자체 SoC 플랫폼을 개발 및 제공함으로써 고객은 SoC 개발에 드는 비용과 시간을 크게 절감할 수 있다. 김진영 메티스엑스 대표는 "SoC 플랫폼과 포괄적인 ASIC 설계 솔루션을 제공하는 세미파이브와 생산을 위한 첨단 공정 기술을 제공하는 삼성 파운드리와 협력하게 돼 기쁘다"라며 "이번 파트너십을 통해 개발하는 솔루션은 데이터센터 운영 비용과 시간을 획기적으로 절감해 AI 시대에 데이터 폭증으로 인해 발생하는 문제를 효과적으로 해결할 수 있을 것"이라고 말했다. 조명현 세미파이브 대표는 "메티스엑스는 CXL 기술을 활용해 AI 시대의 산업과 문화 전반에 필수적인 대용량 데이터를 관리하는 데 있어서 중추적인 발전을 이뤄왔다"며 "세미파이브의 SoC 플랫폼을 통해 고객의 혁신적인 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 아이디어를 경쟁력 있는 SoC 제품으로 신속하게 실현할 수 있게 돼 기쁘다. 이번 협력을 통해 신속한 개발에 대한 새로운 기준을 제시할 수 있을 것"이라고 자신감을 내비쳤다.

2024.04.25 08:45이나리

SK하이닉스, 1분기 영업익 2.8조 '어닝 서프라이즈'..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 1분기 실적에서 영업이익 2조8860억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 1조8550억원)를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치다. 이번 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 빠르게 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 25일 올해 1분기 매출 12조4296억원으로 전년 동기 대비 144.3%가 증가하고, 전기 대비 9.9% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대다. 1분기 영업이익 2조8860억원(영업이익률 23%)으로 전년 동기(영업손실 3조4023억원) 대비 흑자전환했고, 전기 대비 734% 늘었다. 순이익은 1조9170억원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속돼 온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며 "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하며 흑자 전환에 성공해 큰 의미를 두고 있다"고 강조했다. 회사는 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복돼 올해 메모리 시장은 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 또 일반 D램보다 큰 생산능력(Capacity, 이하 캐파)이 요구되는 HBM과 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소돼, 공급사와 고객이 보유한 재고가 소진될 것으로 업계에서는 보고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E 공급을 늘리는 한편 고객층을 확대해나갈 계획이다. 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화하겠다는 계획이다. 낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 회사가 강한 경쟁력을 보유하고 있는 고성능 16채널 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘리고, AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 cSSD를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응하겠다는 것이다. 한편, SK하이닉스는 24일 발표한 대로 신규 팹(Fab)인 청주 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 건설을 가속화하는 등 캐파 확대를 위한 적기 투자를 해나가기로 했다. 회사는 중장기적으로 용인 반도체 클러스터, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등 미래 투자도 차질없이 진행할 계획이다. 이로 인해 올해 투자 규모는 연초 계획 대비 다소 증가할 것으로 보인다. 이에 대해 회사는 고객 수요 증가 추세에 따라 투자를 확대하기로 한 것이며, 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 것이라고 설명했다. 이 과정에서 글로벌 메모리 시장이 안정적으로 커 나가게 하는 한편, 회사 차원에서는 투자효율성과 재무건전성을 확보할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "HBM을 중심으로 한 글로벌 1위 AI 메모리 기술력을 바탕으로 당사는 반등세를 본격화하게 되었다"며 "앞으로도 최고 성능 제품 적기 공급, 수익성 중심 경영 기조로 실적을 계속 개선하겠다"고 말했다.

2024.04.25 08:34이나리

엘비세미콘, '메모리' 패키징 수주 추진…사업 다각화 노린다

국내 반도체 후공정(OSAT) 기업 엘비세미콘이 사업 영역을 기존 시스템반도체에서 메모리로 확장하기 위한 움직임에 나섰다. 국내 메모리 업체가 HBM(고대역폭메모리) 투자에 집중하면서, 생산능력이 부족해지는 일반 D램의 패키징을 대신 수행하겠다는 전략으로 풀이된다. 김남석 엘비세미콘 대표는 최근 경기 평택 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 엘비세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 고객사로부터 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등을 수주해 패키징 및 테스트를 진행한다. 특히 엘비세미콘의 전체 매출에서 DDI가 차지하는 비중은 지난해 기준 60%에 달한다. DDI는 디지털 신호를 빛 에너지로 변환해 디스플레이 패널이 특정 화면을 출력하도록 만드는 칩으로, 스마트폰·TV 등 IT 시장 수요에 크게 영향을 받는다. 이에 엘비세미콘은 첨단 패키징 기술 개발과 더불어 올해 레거시 메모리 분야로의 진출을 꾀하고 있다. 배경은 국내 메모리 시장의 급격한 변화에 있다. 현재 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 AI(인공지능) 산업에 대응하기 위한 HBM 생산능력 확보에 주력하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리로, 첨단 패키징 기술이 필수적으로 요구된다. 때문에 삼성전자는 천안에, SK하이닉스는 청주를 중심으로 첨단 패키징 설비를 도입해 왔다. 김 대표는 "현재와 같이 제품 생산 및 설비투자가 HBM 분야로 집중되면, 일반 D램에 할당되는 생산능력은 줄어들 수 밖에 없다"며 "때문에 기업이 소화하지 못하는 물량이 OSAT 쪽으로 이관될 가능성이 높다"고 설명했다. 김 대표는 이어 "엘비세미콘이 보유한 범핑, EDS, 패키징 테스트 기술력을 적용하면 사업 규모가 적지 않을 것"이라며 "HBM이 향후 얼마나 빠르게 성장하느냐가 관건"이라고 덧붙였다.

2024.04.24 14:55장경윤

삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산…속도 33%↑

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려진다. 또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 동시에 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. Toggle DDR은 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원한다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

2024.04.23 13:14장경윤

이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

SK하이닉스가 AI 시대를 이끌어 갈 차세대 메모리의 선제적 개발 및 폭넓은 협력 관계 구축의 중요성을 강조했다. 22일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이재연 글로벌 RTC 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직인 '글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)'의 신임임원으로 이재연 부사장을 선임했다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 '이머징 메모리(Emerging Memory)' 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 이 부사장은 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다. ORP는 기술 혁신 파트너십 강화를 통해 선제적 연구·개발 생태계를 구축하기 위한 플랫폼이다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다"며 "구체적으로 보면, 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 이어가고 있다"고 밝혔다. 또한 이 부사장은 이머징 메모리가 AI 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이라는 기대감을 내비쳤다. 이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM, Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다. SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있어, 향후 메모리 반도체 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다. 이와 함께 글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다. 이 부사장은 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 말했다. 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높일 수 있는 방안으로는 세계 각계각층과 협업 체계 강화를 꼽았다. 이 부사장은 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다. 이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다.

2024.04.22 11:00장경윤

SK하이닉스, TSMC와 6세대 HBM 개발...내후년 양산

SK하이닉스가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 파운드리 업체 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다 이를 통해 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로, 인터포저(Interposer)라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D 패키징으로도 불린다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했다. 케빈 장 TSMC 수석부사장담당, 공동 부최고운영책임자(Deputy Co-COO)은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.04.19 10:25이나리

임원 주 6일 근무가 삼성의 위기 타개책인가?

삼성전자가 지난 10여 년 동안 가장 많이 썼던 표현은 아마도 '초격차(超隔差)'일 것이다. 메모리 반도체 분야에서 타의 추종을 불허하는 부동의 1위를 오랫동안 지켜온 자신감이 반영된 구호이자 경영 전략이다. 권오현 전 회장은 지난 2018년 같은 제목의 책을 내기도 했다. 책의 부제는 '넘볼 수 없는 차이를 만드는 격(格)'이었다. 그런데 최근 이 격(格)의 위상이 자못 위태로운 상황으로 보인다. 위기의 진원지는 단연 반도체다. 반도체는 경기 사이클에 민감한 품목이다. 경기가 좋을 때는 한 해 수십조 원의 영업이익을 내기도 하지만 경기가 나쁠 때에는 수조원의 적자를 기록하기도 한다. 지난 1~2년간 삼성전자의 영업이익이 급감한 것은 이 탓이 크다. 그러나 단지 그것 때문만은 아니라는 데 문제가 있다. 경기의 영향일 뿐이라면 그것을 위기라고 진단하기에는 무리가 따르기 때문이다. 삼성 반도체의 진짜 위기는 '격(格)의 훼손'이다. 삼성 반도체의 숙원은 메모리의 초격차를 기반으로 이보다 시장이 훨씬 큰 비메모리 분야에서 지배력을 확대하는 것이었다. 그중에서도 다른 회사의 비메모리 칩을 제조해주는 파운드리 사업을 강화하는 게 핵심이었다. 하지만 이 전략이 뜻대로 되지 않고 있는 듯하다. 그 와중에 메모리 분야에서도 '초격차'라는 말이 이제는 무색한 것처럼 보인다. 메모리 분야에서 급격한 추격을 허용한 것이 특히 뼈아프다. SK하이닉스와의 시장 점유율 격차가 5% 미만으로 좁혀졌다고 한다. 이는 최근 10년 사이 가장 낮은 수준이다. 그 격차가 더 좁혀질 가능성도 배제할 수 없다. 챗GPT 영향으로 인공지능(AI) 반도체에 대한 수요가 폭발하고 여기에 필요한 고대역 메모리 반도체(HBM) 수요도 큰 폭으로 늘었지만 이 흐름에서 선도적 지위를 빼앗긴 탓이다. 챗GPT의 출현은 그야말로 돌풍이었다. 느닷없이 나타나 시장을 휘젓고 있다. 하지만 그것을 돌풍이라고 느낀다면 그 사람을 산업전문가라고 말해서는 안 될 것이다. AI는 알파고가 이세돌을 꺾을 때부터 이미 가파른 성장세를 예고했다고 봐야 할 것이다. 오픈AI의 챗GPT는 그 와중에 비등점을 만든 것이고 이후 시장은 폭발했다. 반도체 기업이라면 먼저 이 시장을 견인하려 했어야만 한 것이다. 이 시장을 견인한 반도체 업계의 주인공은 삼성이 아니라 엔비디아와 SK하이닉스였다. 이 결과를 운(運)이라고 말할 수는 없다. 예고된 미래였던 인공지능 시대에 최적의 반도체를 누가 제공할 것인지 수년전부터 물밑 기술전쟁이 있었을 것이고 그 싸움에서 삼성이 주도권을 쥐지 못했다고 보는 게 옳은 판단일 테다. 삼성전자 경영진의 통찰력과 실행력에 의문을 가져야 할 수도 있는 상황인 것이다. 삼성의 비금융 계열사 임원들이 위기 타개책으로 주 6일 근무를 하기로 했다는 소식을 접하고 고개가 갸웃해진 것도 이 때문이다. 세계 경제의 불확실성이 걷히지 않고 있는 것은 사실이고 기업의 임원들이 이에 대해 경각심을 갖는 게 나쁠 리는 없다. 삼성전자의 경우 개발·지원 등 일부 부서 임원들이 이미 주 6일 근무를 해왔다고 한다. 그런데 이걸 위기 타개책이라고 하기에는 너무 맥없어 보인다. 삼성의 위기는 난공불락의 메모리 반도체 1위라는 격(格)의 훼손이고, 그 원인은 미래를 보는 통찰력과 이를 전개시켜나가는 실행력의 약화라고 봐야 한다. 권오현 전 회장은 그의 책에서 리더, 조직, 전략, 인재 등 4개 챕터로 초격차를 위한 경영 전략을 설명하였다. 리더를 맨 앞에 둔 게 눈에 띄었다. 또 좋은 리더가 되기 위해 통찰력과 결단력 그리고 실행력과 지속력 등 4가지를 특히 강조했다. 삼성전자가 지금 해야 할 일 가운데 가장 중요한 것 중 하나는 리더의 통찰력과 결단력 그리고 실행력이 제대로 작동되고 있는 지 살펴보는 것일 수 있다. 하지만 삼성 위기론이 퍼지는 상황에서도 그에 관한 조치를 취했다는 이야기는 들어본 적이 없다. 지금의 위기를 '격(格)의 훼손'이 아니라 경기 탓으로만 여기기 때문일지도 모른다. 위기의 원인을 제대로 찾지 않으면 처방도 제대로 될 리 없다.

2024.04.18 13:15이균성

삼성전자, 'NRD-K' 구축 본격화…첨단 반도체 R&D 힘준다

삼성전자가 올해부터 최선단 반도체 연구개발을 위한 신규 라인 구축을 본격화한다. 현재 대규모 클린룸 구축이 진행되고 있는 상황으로, 이르면 내년부터 가동이 시작될 수 있을 것으로 전망된다. 업계 역시 삼성전자가 이번 투자로 CXL(컴퓨터 익스프레스 링크), PIM(프로세싱 인 메모리) 등 차세대 반도체 경쟁력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 기흥 'NRD-K' 프로젝트의 R&D(연구개발) 팹용 클린룸 구축을 시작했다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입할 예정이다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)에 대한 클린룸 구축에 나서고 있다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 대기 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 시설이다. 반도체 R&D 및 양산 팹의 필수 요소로, 클린룸이 완비된 이후에야 부대 설비 및 제조장비의 반입이 가능하다. 이에 따라 삼성전자가 NRD-K 라인에 장비를 반입하는 시기는 이르면 올해 말로 예상된다. 설치 시점까지 고려하면 내년부터는 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 관측된다. 업계는 삼성전자가 이번 NRD-K 라인 신설로 최선단 반도체 기술력 확보에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대하고 있다. 일반적인 R&D 팹보다 설비투자 규모가 최소 2배 이상 크고, 페이즈1에 이어 페이즈2 구축도 몇년 내로 시작될 예정이기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "논의되고 있는 클린룸 규모 및 제조장비에 대한 발주량이 R&D 팹 치고는 상당한 수준인 것으로 안다"며 "최선단 반도체 기술력 확보에 대한 삼성전자의 의지가 절실한 것으로 보인다"고 말했다. 최근 삼성전자는 최선단 파운드리 및 메모리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 전체 파운드리 시장에서 삼성전자가 차지하는 매출 비중은 11.3%로 전분기(12.4%) 대비 줄었다. 반면 업계 1위 대만 TSMC는 시장 점유율이 57.9%에서 61.2%로 상승했다. TSMC는 올 1분기에도 거대 팹리스 기업들의 AI 반도체 양산 수주에 힘입어 시장 기대치를 상회하는 실적을 거둔 바 있다. 메모리 시장 역시 최선단 제품의 상용화가 절실한 상황이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스는 주요 AI 반도체 기업 엔비디아와 HBM3(4세대 고대역폭메모리) 독점 공급 체제를 구축해오는 등, 관련 시장에서 가장 앞섰다는 평가를 받는다. 서버용 128GB D램 등 고부가 제품도 SK하이닉스가 강세를 보이고 있다. 이에 삼성전자는 CXL, HBM-PIM 등 차세대 기술로 경쟁력 회복을 꾀하고 있다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 지난해 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발하는 데 성공했다. PIM은 시스템반도체의 데이터 연산 기능을 메모리에 구현한 기술이다. 삼성전자는 이를 HBM에 적용한 HBM-PIM을 업계 최초로 개발해, AMD 등 주요 고객사에 제품을 공급한 바 있다.

2024.04.15 14:34장경윤

SK하이닉스, TSMC 美 행사 참가...'HBM 협력' 과시

SK하이닉스가 대만 TSMC와 고대역폭메모리(HBM) 패키징 협력의 시너지를 알린다. SK하이닉스는 오는 24일 TSMC가 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최하는 '테크놀로지 심포지엄'에 참가해 메모리 업체 중 유일하게 부스를 마련하고 가장 최신 제품인 HBM3E를 소개한다. 회사 측은 "고성능컴퓨팅(HPC), 차세대 AI 메모리 기술을 TSMC와 긴밀한 협력을 통해 선보일 계획"이라고 전했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 8단 HBM3E 양산을 시작했다. 연례 행사인 TSMC 테크놀로지 심포지엄은 TSMC의 최신 파운드리 기술과 공정 로드맵을 소개하는 자리다. TSMC는 미국을 시작으로 유럽, 대만, 중국, 이스라엘, 일본에서 워크샵 또는 심포지엄을 순차적으로 개최할 예정이다. TSMC는 올해 행사 주제를 '실리콘 리더십과 함께하는 고성능 AI(Powering AI with Silicon Leadership)'로 정하고 AI 반도체 생산 기술을 주력으로 소개한다. 파운드리 시장에서 60% 점유율을 차지하는 TSMC는 엔비디아, 애플, AMD, 퀄컴, 구글, 메타 등을 고객사로 두고 있다. SK하이닉스가 TSMC 자체 행사에 부스를 마련하는 것은 양사의 협력을 알리기 위한 것으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. AI 반도체는 완제품이 생산되면 HBM과 결합하는 패키징 단계가 추가로 요구된다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 AI반도체 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. 즉, GPU 코어와 HBM의 연결 최적화가 필요하기에 양사의 패키징 협력이 반드시 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아가 지난해 출시한 GPU H100에 HBM3을 독점 공급한데 이어, 올해 2분기 출시하는 H200에도 HBM3E을 공급하면서 TSMC와 협력을 이어가고 있다. 아울러 양사는 향후 미국에서 현지 고객사를 대상으로 AI 반도체 생산 및 HBM 패키징 협력을 강화할 것으로 보인다. SK하이닉스는 지난 3일 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 미국 인디애나주에 HBM, AI 메모리용 첨단 패키징 공장을 건설해 2028년 하반기부터 생산한다고 발표한 바 있다. TSMC 또한 현재 미국 애리조나 피닉스에 2개의 파운드리 공장을 건설 중이며, 추가로 3공장 건설도 확정했다. 1공장은 4나노 공정으로 내년 상반기에, 2공장은 2028년 2나노, 3나노 공정으로 반도체를 생산할 예정이다.

2024.04.12 15:33이나리

[단독] HBM 투자 나선 美 마이크론, 韓 장비업계 찾아와 '러브콜'

미국 마이크론이 지난달 국내 복수의 반도체 장비기업들을 만나 협업을 논의한 것으로 확인됐다. 현재 마이크론은 미국 등에서 설비투자를 진행 중으로, 국내 신규 공급망 확보와 협력 강화에 적극 나서고 있다. 실례로 한미반도체는 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM(고대역폭메모리) 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 첫 수주했다고 11일 공시한 바 있다. 향후 마이크론과 국내 장비업체 간 장비 수주가 더 확대될지 기대되는 상황이다. 12일 업계에 따르면 마이크론 임원진은 지난달 방한해 국내 반도체 장비업체들과 접촉했다. 이번 방문단은 부사장급 임원을 비롯한 마이크론 주요 관계자들로 구성됐다. 이들은 국내 반도체 장비 기업들을 찾아 협업 및 공급망 구축에 대해 논의했으며, 기존 거래 관계가 없던 기업들도 최소 2~3곳 포함된 것으로 파악됐다. 반도체 장비업계 관계자는 "마이크론이 지난달 말 국내 장비업계를 찾아 공장을 구경하는 등 적극적인 움직임을 보였다"며 "메모리 제조와 관련해 인프라부터 제조공정까지 다양한 분야에 관심을 둔 것으로 안다"고 설명했다. 마이크론은 미국의 주요 메모리 제조업체다. 전 세계 D램 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 차지하고 있다. 또한 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 HBM를 양산할 수 있는 3개 기업 중 한 곳이기도 하다. 현재 마이크론은 본사를 둔 미국을 비롯해 일본, 대만, 싱가포르 등 아시아 지역에도 생산거점을 두고 있다. 올해에는 설비투자(CAPEX)에 약 80억 달러(10조9천435억원)를 투자할 계획으로, 주로 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 생산능력 확대에 집중하고 있다. 미국 뉴욕주에 건설할 예정인 신규 메모리반도체 제조공장도 국내 장비기업들과 협력과 성장을 촉진할 수 있는 기대 요소다. 현재 협력사들과 장비 납품 계획을 논의 중인 것으로 알려졌다. 앞서 마이크론은 2030년까지 총 200억 달러를 투입해, 뉴욕에 대규모 생산 거점을 마련하기로 했다. 업계 또 다른 관계자는 "최근 마이크론이 뉴욕 신규 팹 구축에 어느 정도로 대응이 가능한 지 문의한 상황"이라며 "마이크론이 미국 설비투자를 본격화하고 있어, 협력사들도 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.04.12 15:07장경윤

대만 팹, 지진 피해 정상화...삼성·SK하이닉스 반사익 '제한적'

대만에서 이달 3일에 발생한 지진이 글로벌 D램 가격 상승에 미치는 영향이 제한적이라는 전망이 나왔다. 아울러 삼성전자와 SK하이닉스에 반사익 가능성 또한 낮을 것이란 전망이다. 11일 시장조사업체 트렌드포스는 대만에 위치한 마이크론, 난야, PSMC, 윈본드 등 D램 기업들이 지난 8일 팹 운영을 정상 수준으로 회복했다고 밝혔다. 업계에서는 대만 지진으로 생산량이 줄어들어 D램 평균 가격이 상승할 것으로 예상했지만, 공장 가동이 예상보다 빠르게 회복하면 2분기 D램 가격에 주는 영향은 1%로 제한될 전망이다. 이는 대만에 위치한 팹 중에서 마이크론을 제외한 D램 제조업체들은 여전히 25나노미터(nm)~38나노 공정을 사용하면서 전체 생산량에서 기여도가 낮기 때문이다. 트렌드포스는 "대만 지진 이후 D램 계약 및 현물 가격 견적이 일시 중단됐다가, 최근 현물가격 시장이 재개됐고, 계약가격 시장은 완전히 재개되지 않은 상태다"고 전했다. 2분기 모바일 D램의 계약 가격은 약 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 지진 발생 당일 마이크론과 삼성전자는 모바일 D램 견적 발행을 완전히 중단했으며, 지난 8일 기준으로 업데이트가 제공되지 않았다. 반면 SK하이닉스는 지진 발생 당일 스마트폰 고객을 대상으로 견적을 재개하는 등 선제적인 조치를 취했다. SK하이닉스가 제안한 2분기 모바일 D램 가격 조정은 다른 공급업체에 비해 눈에 띄게 완만하며, 이는 업계 전반의 가격 전략을 완화할 가능성이 높다. 서버 D램 시장에서는 이번 지진이 마이크론의 첨단 제조 공정에 영향을 미친 것으로 파악된다. 결과적으로 마이크론의 서버 D램의 최종 판매 가격이 상승할 수 있다. 다만, 마이크론의 고대역폭메모리(HBM)은 가격 변동이 없을 것으로 보인다. 마이크론은 HBM 1베타 및 TSV(실리콘관통전극) 생산 대부분을 일본 히로시마에 기반을 두고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "DDR3 재고 부족을 감안할 때 가격 상승 가능성은 여전히 남아 있는 반면, DDR4와 DDR5의 풍부한 재고 수준과 부진한 수요는 지진으로 인한 소폭의 가격 상승이 빠르게 정상화될 것으로 예상된다"고 전했다.

2024.04.11 11:40이나리

SK하이닉스 "美 인디애나팹, AI 메모리 리더십 강화하는데 기여"

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 건설 예정인 반도체 패키징 팹(공장)이 글로벌 HBM 시장 경쟁력을 높이고 어드밴스드 패키징 분야 R&D 역량을 강화할 것이라고 밝혔다. 최우진 SK하이닉스 패키징·테스트(P&T) 담당 부사장은 11일 뉴스룸을 통해 "앞으로 미국 패키징 공장은 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 완제품을 생산하고, 글로벌 기업과 활발한 개발 협력을 이어가는 공간으로 구축될 예정이다"고 말했다. 이어서 최 부사장은 "현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고, 글로벌 기업과의 R&D 협력 생태계를 구축하기 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화되면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십을 강화하는 데 크게 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 최우진 부사장은 지난 30년간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 이 분야를 이끌어 가는 총괄자다. P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직으로, 팹(Fab)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징(Packaging)하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트(Test)하는 역할을 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4일 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 미국 인디애나주웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 공장을 건설한다고 발표했다. 인디애나 팹은 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. 또 SK하이닉스는 인디애나주에 위치한 퍼듀대학과 반도체 기술 개발도 협력하기로 했다. 최 부사장이 언급한 '글로벌 기업과 R&D 협력'은 파운드리 업체 TSMC와 고객사인 엔비디아로 풀이된다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 TSMC 팹으로 보내지고, TSMC는 생산한 엔비디아 GPU에 HBM을 붙이는 방식으로 진행되기 때문이다. 최 부사장은 "P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로 부상하고 있다"라며 "고성능 칩 수요가 폭증하는 AI 시대에 우리는 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여할 것"이라고 전했다. AI 시대에 발맞춰 SK하이닉스는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 '시그니처 메모리'에 집중하고 있다. 이를 구현하기 위해 HBM 성능의 키 역할을 하는 TSV, MR-MUF 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다. 최 부사장은 P&T의 주요 임무로 수익성 극대화, 그리고 'Beyond HBM'을 언급했다. 그는 "단기적으로는 국내 생산 역량을 강화해 HBM 수요에 대응하고, 글로벌 기지를 잘 활용해 수익성을 극대화하겠다"며, "장기적으로는 지금 HBM의 핵심인 MR-MUF처럼 혁신적인 패키징 기술을 확보하는 것이 목표"라고 강조했다. 이어서 그는 "우리 회사는 국내외 대학 및 연구소와 활발하게 교류하고 있다"라며 "이를 적극 활용해 P&T 구성원들이 다양한 글로벌 경험을 쌓고 R&D 역량을 더 키울 수 있도록 지원할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.04.11 10:00이나리

尹 대통령 "622조 반도체 메가 클러스터 신속 조성...AI 집중 투자"

정부가 반도체 메가 클러스터를 신속 조성에 나서고 AI G3로 도약하기 위해 'AI-반도체 이니셔티브'를 추진한다. 윤석열 대통령은 9일 오전 10시 용산 대통령실(자유홀)에서 '반도체 현안 점검회의'를 주재했다. 오늘 회의는 대만 지진 등에 따른 글로벌 반도체 공급망 리스크를 확인하고, 지난 3차 민생토론회에서 발표한 반도체 메가 클러스터 추진 현황과 신속 구축, AI 반도체 이니셔티브 방향에 대해 논의하기 위해 마련됐다. 회의에는 이정배 삼성전자 사장, 곽노정 SK하이닉스 대표, 최수연 네이버 대표, 류수정 사피온코리아 대표 등이 참석했으며, 정부에서는 최상목 부총리 겸 기획재정부 장관, 안덕근 산업통상자원부 장관, 이종호 과학기술정보통신부 장관, 한화진 환경부 장관, 박상우 국토교통부 장관 등이 참석한 가운데 논의가 이뤄졌다. 윤석열 대통령은 "TSMC 반도체 일부 라인 가동 중지의 영향이 아직까지 크지 않지만, 불확실성이 큰 만큼 관계부처는 상황을 예의주시하면서 우리 반도체 공급망에 취약 요소는 없는지 다시 한번 살피고 정부의 조치가 필요하면 지체 없이 즉각 대응할 것"을 주문했다. 이어서 윤 대통령은 "반도체 경쟁이 '산업전쟁'이자 '국가 총력전'이라고 강조하면서 전시 상황에 맞먹는 수준의 총력 대응 체계를 갖추기 위해 정부는 반도체 산업 유치를 위한 투자 인센티브부터 전면 재점검하겠다"라며 "특히, 주요국의 투자 환경과 지원제도를 종합적으로 비교, 분석해 우리나라 실정에 맞는 과감한 지원책을 마련하겠다"고 약속했다. 반도체 메가 클러스터 신속 추진...예산 지원 확대 정부는 지난 1월 민생토론회에서 622조원 투자, 16기 신규 팹 건설을 위한 '반도체 메가 클러스터 조성계획'을 확정한 바 있다. 이를 통해 정부는 반도체 메가 클러스터가 본격 가동되기 시작하는 2030년 세계 시스템반도체 시장 점유율을 10% 이상 달성하겠다는 목표를 세웠다. 정부는 용인 국가산단을 2026년까지 착공하고 반도체 메가 클러스터에 필수적인 전기와 공업용수를 책임지고 공급하겠다고 약속했다. 또 10GW 이상의 전력수요에 대응해 작년 12월에 전력공급계획을 확정했다. 아울러 팔당댐에서 용인까지 48km에 이르는 관로는 지난 2월 예비타당성조사를 면제해 곧 설치 작업에 착수할 예정이다. 메가 클러스터 내 전력ㆍ용수 등 기반시설은 작년 10월 10조원 이상 규모의 공공기관 예비타당성 조사가 면제됐다. 이에 공공기관이 최대한 구축하고, 기업 부담 부분에 대해서는 그간 적용됐던 재정 지원 건수 제한(2건)을 폐지한다. 또 특화단지별 지원 비율을 기존 5~30%에서 15~30%로 상향하는 등 예산 지원을 확대할 예정이다. 삼성전자가 2047년까지 360조원을 투자할 용인 시스템반도체 클러스터는 환경영향평가 사전컨설팅 제도 활용, 신속한 토지보상 등을 통해 당초 계획보다 조성 기간을 대폭 단축할 계획이다. SK하이닉스가 2045년까지 122조원을 투자할 용인 반도체 클러스터는 기존에 확보한 용수 27만톤에 더해 유사한 수준의 추가 용수가 필요한 상황이다. 따라서 기업ㆍ지자체의 용수 공급시설 설치계획이 수립되는 대로 최대한 신속하게 용수 공급방안을 확정할 계획이다. 또한 전력ㆍ용수 등 기반시설 설치시 인근 지자체의 반대로 건설이 지연되는 것을 방지하기 위해 '첨단산업법'을 개정한다. 기반시설 설치로 혜택을 보는 지자체가 기반시설 설치에 협조하는 지자체에 재정적 지원을 추진할 수 있는 법적 근거를 마련하기로 했다. 경쟁국 반도체 보조금 전쟁에 대응해 국내 투자를 진행하는 첨단기업들의 투자를 지원하기 위한 국내 투자 인센티브를 조속히 강구한다. 이에 더해 현재 최대 25%의 공제율이 적용되고 있지만 올해 말 일몰되는 국가전략기술 투자세액공제의 적용기한 연장도 추진한다. 반도체 소부장 기업과 칩 제조 기업간 협력을 지원하는 '양산 연계형 실증 테스트베드(용인 반도체 클러스터 미니팹)' 조기 구축을 지원한다. 팹리스 기업이 필요로 하는 초미세공정 시제품 제작을 지원하고, 검증지원센터 구축을 통한 칩 성능 시험ㆍ검증 서비스도 올해부터 실시한다. 반도체 산업을 지원하는 정책자금(3년간 약 24조원 규모)과 반도체 생태계 펀드(3천억원 규모)를 활용해 소부장ㆍ팹리스의 스케일업도 지원한다. 'AI-반도체 이니셔티브' 추진...'국가AI위원회' 신설 계획 윤 대통령은 "최근 반도체 시장은 'AI 반도체'로 무게 중심이 급속히 옮겨가고 있고, 반도체 산업의 미래가 AI에 달려있다고 해도 과언이 아니다"라며 "우리가 지난 30년 간 메모리 반도체로 세계를 제패했듯이 앞으로 30년은 AI 반도체로 새로운 반도체 신화를 써 나갈 것"이라고 전했다. 정부는 AI 기술에서 G3로 도약하기 위해 9대 혁신 기술을 바탕으로 'AI-반도체 이니셔티브'를 추진할 계획이다. 이를 위해 AI와 AI 반도체 분야에 R&D 투자를 대폭 확대하고, AI 반도체 혁신기업들의 성장을 돕는 대규모 펀드도 조성할 것을 밝혔다. AI 9대 혁신 기술에는 ▲차세대 범용 AI(AGI) 기술 ▲경량ㆍ저전력 AI인 소형거대언어모델(sLLM) 원천기술▲AI 안전 기술▲서버용 고대역폭메모리(HBM)와 온디바이스AI용 저전력 메모리(LPDDR) 등에 AI연산 기능을 적용하는 PIM(Processing in Memory)▲한국형 NPU와 뉴로모픽 AI반도체 등 저전력 K-AP ▲신소자&첨단 패키징▲AI슈퍼컴퓨팅을 지향하는 K-클라우드2.0▲온디바이스 AI ▲차세대 개방형 AI아키텍처‧SW 기술 등이 포함된다. 앞서 정부는 AI-반도체 이니셔티브 실현을 위해 가장 중요한 민관의 유기적이고 긴밀한 협력을 위해 'AI전략최고위협의회'를 지난 4월 4일 출범한 바 있다. 대통령은 올해 5월 AI 안전‧혁신‧포용을 논의하는 'AI 서울 정상회의'의 성공적 개최를 통해 AI 윤리 규범에서 대한민국의 글로벌 리더십을 공고히 해나갈 계획이다. 아울러 향후 '국가AI위원회'를 신설해 AI 국가전략을 직접 챙기겠다는 의지를 표명했다. 이어진 토론에서 반도체 분야 주요 기업, 관계부처 장관 등 참석자들은 글로벌 반도체 공급망, 반도체 클러스터, AI 반도체 등을 주제로 심도 있는 논의를 진행했다. 산업부와 과기정통부는 "앞으로도 반도체 분야 주요 후속조치에 대한 주기별 점검을 통해 지연을 최소화하고, 주요 성과와 협업 사례 등은 관계기관과 공유해 나갈 계획이다"고 전했다.

2024.04.09 12:21이나리

ISC, 인터페이스 보드 사업부 매각…"선택과 집중 전략"

아이에스시(ISC)는 반도체디스플레이 검사 부품·장비 제조기업 루켄테크놀러지스에 인터페이스 보드 및 커넥터 사업부를 약 27억원에 매각하는 계약을 체결했다고 9일 밝혔다. 인터페이스 보드는 메모리반도체 테스트 장비에 들어가는 부품으로, ISC는 지난 2019년 매출 다각화를 위해 관련 사업부를 신설하고 사업을 영위해 왔다. 그러나 전체 매출 비중이 2% 내외로 주력 사업인 소켓과 시너지 효과가 높지 않다고 평가해 이번 매각을 결정했다. 이번 매각은 지난 2월 ISC가 국내 주요 애널리스트 대상으로 공개한 'ISC 2.0 전략'의 일환인 '선택과 집중'을 위한 행보다, 업계에서는 ISC가 매각을 통해 테스트 소켓에 더욱 집중할 것으로 예상하고 있다. ISC 2.0 전략은 주력 사업의 글로벌 초 격차 달성을 위해 과감한 포트폴리오 재편을 진행하는 데 의의가 있다. ISC는 "비주력 사업 매각 및 최적화 작업을 통해 주력 사업에 집중할 기반을 만드는 것을 '선택'으로, 글로벌 고객사가 자리한 북미 현지의 반도체 패키징 및 테스트 학술대회에서 차세대 먹거리인 AI 반도체 테스트 솔루션을 잇달아 발표하고 양산 대응하는 것을 '집중'이라고 볼 수 있다"고 밝혔다.

2024.04.09 09:21장경윤

반도체 반등 시작...삼성電年매출 300조원대 회복 전망

삼성전자가 1분기 잠정실적에서 어닝 서프라이즈를 기록면서 연간 실적에 대한 기대감이 커졌다. 연간 매출은 2년만에 300조원대로 회복하고, 영업이익은 34조원대로 올라설 전망이다. 특히 지난해 반도체 업황 한파를 겪은 디바이스솔루션(DS) 부문은 1분기 흑자전환을 시작으로 지속 성장이 예상된다. 5일 에프앤가이드의 컨센서스(증권사 전망치 평균)에 따르면 삼성전자는 올해 매출 304조4198억원, 영업이익 34조7273억원을 기록할 것으로 전망된다. 이는 전년 매출(258조원)과 비교해 17.5% 증가하고 영업이익(2023년 6조5700억원)은 438% 증가한 전망치다. 이날 삼성전자의 1분기 잠정실적이 시장 예상을 상회함에 따라 전망치는 더 올라갈 가능성이 높다. 올해 메모리 시장은 회복세에 들어섰다는 의견이 우세하다. 증권 업계에서는 삼성전자의 DS부문(반도체)은 올해 1분기 영업이익 7400억원 흑자전환을 시작으로 2분기 2조원대, 3분기 4조원대, 4분기 5조원대로 증가한다고 내다보고 있다. 지난해 삼성전자 DS부문은 4개 분기 연속 적자로 연간 영업손실 14조8000억원을 기록했다. 또 파운드리 사업은 3분기 또는 4분기에 흑자전환될 전망이다. 김동원 KB증권 연구원은 "삼성전자의 올해 연간 메모리 영업이익은 18조원으로 전년대비 30조원 개선되고, 연간 파운드리 사업은 3분기부터 흑자 전환하며 전년대비 2조원 실적 개선이 기대된다"고 전망했다. 그는 또 "올해 연간 DS 영업이익은 17조원으로 전년대비 32조원이 개선될 전망이다"고 말했다. 박강호 대신증권 연구원은 "삼성전자 파운드리 사업부의 연간 매출액은 26조8천억원, 영업적자 마이너스 1.3조원으로 예상되나, 수주 증가 및 수율 개선으로 4분기 흑자전환으로 돌아설 것으로 전망한다"고 말했다. AI 반도체향 차세대 고대역폭메모리(HBM) 양산에 따른 실적 상승도 기대된다. 송명섭 하이투자증권 연구원은 "엔디비아향 HBM3 공급이 2분기에 개시될 가능성이 있으며 HBM3E 자체 양산 준비도 2분기 내 완료될 것"이라며 "엔비디아의 삼성전자 12단 HBM3E에 대한 인증도 조만간 완료될 예정"이라고 분석했다. 그는 "성공적인 통과 여부는 아직 미지수이나 삼성전자 HBM 제품의 경쟁력이 지난해 대비 크게 개선되고 있는 것은 사실"이라며 "삼성전자 주가에 가장 중요한 단기 포인트는 HBM3E 12단 제품의 엔비디아 인증 성공 여부"라고 짚었다. 메모리 사업에서는 D램의 웨이퍼 기준 최선단 공정(1a, 1b) 비중이 올해 하반기 50%까지 확대될 것으로 전망되고, 향후 모바일, PC 수요 회복 시 수익성 개선에 긍정적 영향이 예상된다. 낸드는 공급축소 효과에 따른 큰 폭의 평균판매가격(ASP) 상승 효과로 영업이익 2조5000억원을 기록하며 흑자전환될 전망이다. 이 밖에 지난해 경기 불황과 수요 둔화에 부진했던 TV와 가전 사업도 프리미엄 시장 공략을 강화함에 따라 전년 보다 실적 개선이 예상된다. 한편, 삼성전자는 2023년 1분기 잠정실적 발표를 통해 연결기준으로 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원을 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가하면서 1분기 매출은 5개 분기만에 70조원대를 회복했다. 삼성전자는 오는 30일 1분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 사업부별 세부 내용을 포함한 1분기 경영 실적을 확정 발표한다.

2024.04.05 10:16이나리

삼성전자, 1분기 '어닝 서프라이즈'…반도체 兆단위 흑자 전환

삼성전자가 올 1분기 수익성 부문에서 업계 예상을 뛰어넘는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리 시장이 회복세에 접어들면서 D램과 낸드 가격이 모두 크게 상승한 것이 실적 개선의 주된 영향으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 1분기 연결 기준 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했고, 전년 동기 대비 매출은 11.37%, 영업이익은 931.25% 증가했다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 당초 예상을 뛰어넘는 호실적을 기록할 것이라는 관측을 제기해 왔다. 최근 증권가 평균 전망치는 매출 71조8천억원, 영업이익 5조4천억 원 수준이었다. 삼성전자는 수익성 부분에서 예상치를 크게 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 주요 사업인 메모리반도체 시장이 지난해 말부터 급격한 회복세에 접어들었고, 스마트폰 판매량이 견조한 흐름을 보인 데 따른 효과로 풀이된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 D램의 평균고정거래가격은 지난해 4분기와 올 1분기에 각각 13~18%가량 상승했다. 낸드 가격 역시 지난해 4분기 13~18%, 올 1분기 15~20% 수준의 상승세를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 김선우 메리츠증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "HBM(고대역폭메모리) 등에서는 여전히 의미 있는 결과가 도출되지 않고 있으나, 레거시 메모리 판가 상승이 실적 개선 및 재고평가손실 충당금 환입까지 발생시켰다"며 "스마트폰·갤럭시S24 출하량도 기존 5천700만·1천320만 대에서 6천만·1천350만 대로 상향 조정한다"고 설명했다. 이승우 유진투자증권 연구원도 "D램과 낸드의 평균거래가격이 각각 10%대 후반, 20%대 후반 상승했을 것으로 보인다"며 "메모리 손익은 4개 분기 연속 적자에서 벗어나 조 단위의 흑자를 기록할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 1분기 이후에도 삼성전자가 호실적을 지속할 것이라는 전망이 나온다. HBM3E(5세대 HBM)의 본격적인 양산, 파운드리 사업의 흑자 전환 등이 실적을 가를 핵심 요소로 떠오른다. 신석환, 박강호 대신증권 연구원은 "12단 HBM3E는 퀄 테스트가 진행되고 있어 올 하반기 본격 양산에 돌입할 것으로 예상된다"며 "파운드리 사업은 지난해 대규모 적자를 기록했으나 올해 최대 수주 달성 및 하반기 흑자 전환이 예상된다"고 밝혔다.

2024.04.05 09:12장경윤

[1보] 삼성전자, 1분기 영업이익 6.6조원…전년比 931% 증가

삼성전자가 연결기준 올해 1분기 매출 71조원, 영업이익 6조6천억원의 잠정 실적을 기록했다고 5일 공시했다. 전분기 대비 매출은 4.75%, 영업이익은 134.04% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출이 11.37%, 영업이익은 931.25% 늘었다.

2024.04.05 08:41장경윤

KAIST "뉴로모픽 AI용 반도체 소자 개발, 네이처 게재"

KAIST 연구진이 기존 낸드 메모리를 대체할 뉴로모픽 AI용 반도체 메모리 소자를 개발했다. 이 소자개발과 관련한 논문은 세계적인 과학기술계 학술지 네이처의 4월호 4일자에 게재됐다. KAIST(총장 이광형)는 최신현 전기및전자공학부 교수 연구팀이 DRAM 및 NAND 플래시 메모리를 대체할 수 있는 초저전력 차세대 상변화 메모리 소자를 개발했다고 4일 밝혔다. 이 메모리 소자는 차세대 인공지능(AI) 하드웨어를 위한 뉴로모픽 컴퓨팅 구현에 사용 가능하다. 현재 널리 사용되고 있는 메모리인 DRAM은 속도가 매우 빠르지만, 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 특징을 갖고 있다. 저장장치로 사용되는 낸드 플래시 메모리는 읽기·쓰기 속도는 상대적으로 느린 대신 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 비휘발성이다. 이에 반해 상변화 메모리(Phase Change Memory)는 열을 사용해 물질의 상태 변경을 이용해 정보를 저장하거나 처리하는 메모리 소자다. 디램과 낸드 플래시 메모리의 장점을 모두 가졌다. 빠른 속도와 비휘발성 특성을 동시에 지녀 기존 메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목 받는다. 특히, 메모리 기술 또는 인간의 두뇌를 모방하는 뉴로모픽 컴퓨팅 기술로 활발히 연구되고 있다. 다만, 비용이 많이 드는 초미세 반도체 노광공정을 통해 제작해 왔다. 소비 전력도 높다. 이로 인해 실용적인 대용량 메모리 제품이나 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템을 구현하기에는 한계가 있었다. 최신현 교수 연구팀, 소비전력 15배 줄여 난제 해결 연구팀은 상변화 물질을 전기적으로 극소 형성하는 방식으로 초저전력 상변화 메모리 소자를 제작했다. 노광공정 없이 매우 작은 나노미터급 스케일의 상변화 필라멘트를 자체 형성하는데 성공했다. 상변화 물질을 전기적 포밍 방식으로 생성한 나노 필라멘트 활용법을 찾은 것. 기존의 값비싼 초미세 노광공정을 이용한 상변화 메모리 소자보다 소비 전력을 15배 이상 줄인 초저전력 상변화 메모리 소자를 구현했다. 박시온 석박사통합과정생은 "공정 비용이 매우 적게 들 뿐 아니라 초저전력 동작이 가능하다"며 "획기적인 장점"이라고 설명했다. 홍석만 박사과정생은 "상변화 메모리는 차세대 메모리뿐만 아니라 사람의 뇌를 모사해 인공지능을 구현하는 뉴로모픽 컴퓨팅에 적합하다"며 "단순한 이미지나 음성 인식 뿐만 아니라 적은 전력으로 방대한 양의 데이터를 처리할 수 있는 고성능 인공지능 칩을 구현할 수 있을 것"으로 예상했다. 이 연구에는 KAIST 전기및전자공학부 박시온 석박사통합과정생 및 홍석만 박사과정생이 관련 논문 제1 저자로 참여했다. 최신현 교수는 "이번에 개발한 초저전력 상변화 메모리 소자는 기존의 연구 방향과는 완전히 다른 방식"이라며 "기존에 풀지 못했던 큰 난제인 제조비용과 에너지 효율 문제를 해결했다"고 말했다. 최 교수는 또 "물질 선택이 자유로워 고집적 3차원 수직 메모리 및 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템 등 다양한 분야 응용이 가능하다"며 "미래 전자공학의 기반이 될 것"으로 기대했다. 한편 이 연구 예산은 △한국연구재단 차세대 지능형반도체기술개발사업 △PIM인공지능반도체핵심기술개발(소자)사업 △우수신진연구사업 △나노종합기술원 반도체공정기반 나노메디컬 디바이스개발 사업의 지원을 받아 수행됐다.

2024.04.04 18:05박희범

AMAT, 삼성·인텔 등 초미세공정 공략…"2나노서 검증 중"

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 삼성전자, 인텔 등 고객사의 반도체 초미세공정 개발을 위한 혁신 솔루션을 공개했다. 최신 제품의 경우 2나노미터(nm) 공정에서 검증을 진행 중으로, 회사는 올해 및 내년에 강력한 매출 성장을 이뤄낼 것으로 자신했다. 4일 AMAT코리아는 경기 성남 소재의 본사에서 패터닝 솔루션 미디어 라운드테이블을 개최했다. AMAT는 이번 간담회를 통해 옹스트롬(Angstrom; 1A=0.1나노미터) 시대를 위한 첨단 반도체 기술 4종을 소개했다. 현재 삼성전자·TSMC·인텔과 같은 주요 반도체 기업들은 2나노 공정 상용화를 준비하는 등, 옹스트롬의 영역 진입을 위한 치열한 기술 경쟁을 벌이고 있다. 이에 AMAT는 초미세 공정을 위한 첨단 패터닝 솔루션을 개발해 왔다. 패터닝은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기기 위한 공정으로 증착, 노광, 식각 등 다양한 과정을 거친다. 대표적인 솔루션은 AMAT가 지난해 발표한 '스컬프타(Sclupta)'다. 스컬프타는 최첨단 EUV(극자외선) 및 High-NA EUV 노광 공정에 적용할 수 있는 패터닝 시스템으로, 싱글 패터닝 이후 패턴을 원하는 방향으로 늘려 소자 간 간격을 줄이고 패턴 밀도를 높일 수 있다. 이를 활용하면 반도체 제조업체들은 패터닝을 두 번 진행하지 않고도 원하는 회로를 새길 수 있게 된다. 패터닝 공정이 줄어들면 비용 및 생산 효율성이 증대되고, 공정 복잡성이 줄어들기 때문에 수율 안정화에도 유리하다. 현재 스컬프타는 삼성전자 4나노 공정, 인텔의 최신 공정 등에 도입되고 있다. 이길용 AMAT코리아 기술마케팅 및 전략프로그램 총괄은 "현재 스컬프타는 고객사의 EUV 공정에 쓰이고 있으며, High-NA EUV 기술이 도입되는 시점에서도 연계 적용될 것"이라며 "스컬프타 매출이 올해 2억 달러, 내년에는 5억 달러로 성장할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 나아가 AMAT는 올해 스컬프타에 '브릿지 결함'을 제거할 수 있는 기능을 추가했다. 브릿지 결함은 회로 간 간격이 너무 좁아 서로 붙게 되는 문제다. AMAT는 현재 최선단 파운드리 고객사의 2나노 공정에서 평가를 진행하고 있다. 또한 AMAT는 동일 챔버에서 증착·식각을 모두 지원하는 'Sym3 Y 매그넘' 식각 시스템을 공개했다. 해당 기술은 식각 과정에서 EUV 회로 표면을 더 매끄럽게 만들어, 수율 및 전력 효율성을 높인다. 일례로, Sym3 Y 매그넘을 AMAT의 또 다른 신규 솔루션인 '프로듀서 XP 파이오니어 CVD' 패터닝 필름과 결합 시, 라인 표면 거칠기를 25%가량 개선할 수 있는 것으로 나타났다. 해당 필름은 패턴 형태의 균일도를 높이는 데 기여한다. 현재 Sym3 Y 매그넘, 프로듀서 XP 파이오니어 CVD 패터닝 필름은 주요 고객사의 EUV D램 공정에서 활용되고 있다. 이외에도 AMAT는 첨단 전자빔(eBeam) 계측 시스템인 '아셀타'를 공개했다. 아셀타는 노이즈 발생이 두드러지는 초미세공정 회로 계측에서도 선명한 이미지를 구현해, 패턴이 얼마나 의도대로 구현됐는 지 파악할 수 있게 만들어 준다. 박광선 AMAT코리아 대표는 "최근 고객사들이 2나노, 1나노 등의 기술을 발표하고 있는데, EUV를 실제로 잘 구현하기 위해서는 여러 공정 기술이 필요하다"며 "AMAT는 10여년 전부터 이에 대응하기 위한 준비를 해 왔고, 매년 많은 투자를 해오고 있다"고 강조했다.

2024.04.04 14:24장경윤

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