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차세대 뉴로모픽 소자 'ReRAM' 기록·삭제 비밀 풀다

차세대 메모리와 뉴로모픽 컴퓨팅 소자로 주목받는 '산화물 기반 저항 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)'의 작동 원리를 국내 연구진이 처음 밝혀냈다. 'ReRAM'(알이램)은 빠른 속도와 데이터 보존 능력, 단순한 구조로 인해 기존 메모리를 대체할 것으로 예상되는 1순위 후보다. KAIST는 신소재공학과 홍승범 교수 연구팀이 신소재공학과 박상희 교수 연구팀과 차세대 반도체 핵심 기술로 주목받는 산화물 기반 메모리의 작동 원리를 세계 최초로 정밀하게 밝혀냈다고 2일 밝혔다. 연구팀은 '다중모드 주사 탐침 현미경(Multi-modal SPM)'을 활용해, 산화물 박막 내부에 전자가 흐르는 통로와 산소 이온의 움직임, 그리고 표면 전위(재료표면에 전하의 분포) 변화를 동시에 관찰하는 데 성공했다. 이를 통해 메모리에 정보를 기록하고 지우는 과정에서 나타나는 전류 변화와 산소 결함이 어떻게 달라지는지 상관관계를 규명했다. 연구팀은 이산화티타늄(TiO2) 박막에 전기 신호를 주어, 메모리에 정보를 기록하고 지우는 과정을 직접 구현해서 전류가 달라지는 이유가 산소 결함 분포의 변화 때문임을 나노 수준에서 직접 확인했다. 산소 결함이 많아지면 전자 이동 통로가 넓어져 전류가 잘 흐르고, 반대로 흩어지면 전류가 차단되는 등 전류의 흐름이 산소 결함의 양과 위치에 따라 달라진다는 것. 이를 통해 산화물 내의 산소 결함 분포가 메모리의 켜짐(on)/꺼짐(off) 상태를 결정한다는 점을 시각화했다. 연구팀은 또 메모리의 저항이 바뀌는 과정이 단순한 산소 결함 때문만이 아니라 전자 움직임(전자적 거동)과도 긴밀히 얽혀 있다는 사실도 규명했다. 제1저자인 공채원 신소재공학과 박사과정생은 "메모리를 '지우는 과정(소거 과정)'에서 산소 이온이 주입되면, 메모리가 안정적으로 꺼진 상태(고저항 상태)를 오래 유지할 수 있다는 사실도 확인했다"며 "향후 차세대 AI메모리 등에 활용 가능할 것"으로 기대했다. KAIST 홍승범 교수는 “다중모드 현미경을 통해 산소 결함, 이온, 전자의 공간적 상관관계를 직접 관찰할 수 있음을 입증한 사례”라며 “향후 이러한 분석 기법이 다양한 금속 산화물 기반 차세대 반도체 소자의 연구와 개발의 새로운 장을 열 것”이라고 말했다.

2025.09.02 14:21박희범

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

SK하이닉스, 신소재 기반 '고방열' 모바일 D램 공급 개시

SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것을 뜻한다. 열 전도도는 물질이 열을 얼마나 잘 전달하는지를 나타내는 물리적 특성으로, 단위 시간 동안 특정 물질을 통해 얼마나 많은 열이 이동하는지를 뜻한다. 회사 측은 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 적층하는 PoP(패키지온패키지) 방식을 적용하고 있다. PoP는 각각 다른 종류의 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율, 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 방식이다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점을 제공한다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

2025.08.28 09:21장경윤

SSD-프로세서 직결 난항…HBF가 돌파구 될까

“SSD(솔리드스테이트드라이브)를 프로세서에 직접 연결하는 기술은 오랜 시간 꾸준히 연구됐습니다. 그러나 실제 적용에는 다소 난항을 겪는 상황입니다.” 26일 한 반도체 업계 관계자는 현재 SSD 연결 기술에 대해 이 같이 평했다. CPU, GPU 등 프로세서와 SSD를 직접 연결하기 어렵다는 것이다. 이 같은 상황이 발생한 가장 큰 이유는 메모리와 스토리지의 역할 차이에서 기인한다. CPU 등 프로세서는 연산을 하기 위해 매우 빠른 데이터 접근이 필요하다. 그래서 접근 속도가 빠른 D램과 직접 연결돼 동작한다. 반면 SSD는 저장장치라서 접근 속도가 D램 대비 다소 느리다. CPU가 SSD를 주 메모리처럼 쓰면 연산 속도가 크게 떨어질 수 밖에 없다. 그럼에도 불구하고 SSD와 프로세서를 직접 연결하려는 이유는 데이터 이동 비용을 절감하기 위해서다. 현재 반도체 구조에서 프로세서가 SSD 데이터를 사용하려면 SSD-낸드플래시 컨트롤러-D램-프로세서 단계를 거쳐야 한다. 반도체가 데이터 이동에서 발열이 발생한다는 점을 고려하면, 에너지 낭비가 심한 셈이다. 대규모 데이터센터에서는 비용 문제와도 직결된다. 이에 글로벌 반도체 기업들은 프로세서와 SSD를 직접 연결하기 위한 연구를 진행 중이다. 대표적인 기업이 엔비디아다. 엔비디아는 IBM, 여러 대학들과 손을 잡고 GPU를 위한 대용량 가속기 메모리 기술 BaM(Big Accelerator Memory)을 개발하기도 했다. BaM은 차세대 전송 프로토콜 NVMe(비휘발성 기억장치 익스프레스)를 통해 SSD와 GPU를 직접 연결하는 기술이다. HBF, SSD 연결 판도 바꿀 게임체인저될까 업계에서는 HBF(High Bandwidth Flash)가 SSD와 프로세서간 연결을 바꿀 게임체인저로 보고 있다. HBF는 D램과 유사한 방식으로 프로세서에 더 가까이 배치된 플래시 메모리다. HBM(고대역폭메모리)이 D램을 적층한 제품이라면, HBF는 플래시를 쌓아 올린 메모리다. 두 제품 모두 메모리 적층을 통해 대역폭을 대폭 넓혔다는 공통점을 갖고 있다. HBF가 HBM처럼 정보 처리를 빠른 속도로 할 수 있는 것이다. SSD와 프로세서 연결간 문제로 지적되던 속도 문제를 해결한 셈이다. 다만, 아직 넘어야할 장애물이 존재한다. HBF를 구현하기 위한 일종의 인프라 구축이 어렵다는 의견이다. HBF를 오가는 블록 스토리지(일종의 데이터 묶음)의 단위가 크기 때문이다. 정명수 카이스트 교수는 “블록 스토리지가 커서 I/O 그래뉴얼리티(한 번의 입출력으로 접근하거나 전송할 수 있는 데이터 블록의 최소 단위)가 기존과 다르다”며 “큰 정보량을 한 번에 움직일 수 있을만한 소프트웨어 등 인프라가 필요하다”고 말했다.

2025.08.26 16:25전화평

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

SK하이닉스, 321단 QLC 낸드 양산 돌입…"내년 상반기 본격 출시"

SK하이닉스는 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉜다. QLC는 4개의 정보를 저장하며, 이는 상용화된 낸드 중 가장 많은 데이터를 저장하는 수준이다. SK하이닉스는 "세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다"고 강조했다. SK하이닉스는 이번 제품의 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다. 일반적으로 낸드는 용량이 커질수록 하나의 셀에 더 많은 정보를 저장하고, 메모리 관리가 복잡해져 데이터 처리 속도가 느려지는 문제가 발생한다. 회사는 대용량화로 인한 성능 저하를 해결하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 그룹의 단위인 플레인(Plane)을 4개에서 6개로 늘려 더 많은 병렬 작업이 가능하도록 했다. 플레인은 하나의 칩 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 셀과 주변부 회로를 말한다. 이를 4개에서 6개로 늘려 데이터 처리 성능(Data Bandwidth) 중 하나인 동시 읽기 성능이 개선됐다. 그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 데이터 전송 속도는 100% 빨라졌고, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 데이터 쓰기 전력 효율도 23% 이상 증가해 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 등의 분야에서도 경쟁력을 확보했다. 회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한번에 적층하는 독자적인 패키지(32 DP) 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다. 정우표 SK하이닉스 부사장(NAND개발 담당)은 "이번 제품 양산 돌입으로 고용량 제품 포트폴리오를 대폭 강화하고 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다"며 "폭발적으로 성장하는 AI 수요와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서 더 큰 도약을 이뤄내겠다"고 밝혔다.

2025.08.25 10:41장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

곽노정 사장 "존폐 위기 하이닉스, SK 만나 시총 200조원 달성"

“문 닫기 직전까지 갔던 회사가 SK를 만나면서 세계 최초 HBM 개발, 글로벌 D램 시장 1위, 시총 200조원 달성 등 도약을 이뤄냈다. 이 모든 과정은 SK의 과감한 투자, 미래를 내다보는 안목 덕분이었다.” 곽노정 SK하이닉스 사장은 18일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 '이천포럼 2025' 개회사에서 이같이 밝혔다. 이천포럼은 SK그룹의 대표 변화추진 플랫폼으로, 최태원 SK 회장 등 그룹 주요 경영진 및 구성원들은 오는 20일까지 AI 혁신, 디지털전환(DT), SK고유 경영체계인 SKMS 실천 강화 방안 등을 논의할 예정이다. 곽 사장은 지난 2016년 최태원 SK그룹 회장이 “근본적인 변화가 없으면 갑작스러운 죽음(서든 데스)을 맞을 수 있다”고 경고했던 발언을 언급하며, “지난 몇 년은 이 말씀이 얼마나 중요했는지를 입증하는 시간이었다”고 밝혔다. 곽 사장은 “최근 변화의 중심에는 AI가 불러온 혁신이 있다”며 AI가 불러온 변화는 점진적 혁신을 넘어 기존 산업 틀을 근본적으로 바꾸는 '파괴적 혁신'이라고 강조했다. 또한 "오늘날 AI 시대에 주목받는 기업이 바로 SK하이닉스”라며 “20여 년 전 존폐 위기까지 몰렸던 하이닉스가 SK를 만나 완전히 새롭게 바뀌었다”고 밝혔다. 곽노정 사장은 형광등을 하나씩 빼며 전기를 아껴 경비를 줄이고, 임직원들은 무급휴가를 쓰고 급여를 반납해야 했던 과거를 회상하기도 했다. 그는 “세계 최초 HBM 개발은 SK와 손잡은 이듬해 이뤄낸 성과였다”며 “그 과정은 결코 순탄치 않았지만 포기하지 않았고, SK가 단기 성과에 매몰되지 않고 과감히 미래 투자를 지속했기에 오늘의 HBM 신화가 가능했다”고 강조했다. 지난 2012년 당시 최태원 SK 회장은 경영난에 시달리던 하이닉스를 과감하게 인수하며 오늘날 SK하이닉스를 국내 대표 반도체 기업으로 탈바꿈시키는 데 결정적인 역할을 했다. 최 회장은 회사 인수에 이어 적극적인 자금 투입을 통해 투자 여력을 확보했고 채권단 체제 하에서 여의치 않았던 대규모 장비와 설비 투자를 본격화했다. 미래 기술과 시장 변화를 내다보며 장기적 관점의 혁신에 집중하는 최태원 회장의 선구안과 리더십이 있었기에 오늘의 SK하이닉스가 있다는 것이 재계의 평가다. 경쟁사들이 단기 실적에 집착할 때 SK하이닉스는 AI 등 첨단 반도체 분야, 특히 HBM차세대 메모리 개발에 전략적으로 집중하며 글로벌 AI·첨단 반도체 산업의 선두 주자로 확고히 자리매김했다. 이날 곽 사장은 SK그룹 특유의 '수펙스(SUPEX)' 추구 정신을 강조했다. 그는 “수펙스는 인간의 능력으로 도달할 수 있는 최고 수준을 지향한다는 그 자체의 뜻을 넘어 끊임없는 혁신과 개선을 지속하자는 의미를 갖고 있다”며 수펙스 추구 정신이 오늘날의 SK를 만들고 앞으로의 SK를 만들어 나갈 것임을 강조했다. 곽 사장은 이어 사자성어 '지불시도(智不是道)'를 언급했다. 지불시도는 '아는 것이 다 길이 되는 건 아니다'라는 뜻이다. 그는 “아는 것을 깊이 몸속으로 받아들이고 어떠한 어려움 속에서도 한 걸음 한 걸음 앞으로 나아가려는 자세와 노력이 길을 만드는 것”이라고 덧붙였다. 끝으로 곽 사장은 “AI 시대 변화는 이제 시작이며 엄청난 크기의 변화에 두려움을 느낀다”면서도 “문 닫을 위기를 겪어내면서도 HBM을 만든 SK하이닉스는 결국 어려움을 헤쳐 나가고 문제를 풀어나갈 수 있을 것”이라고 강조하며 개회사를 마무리했다. SK그룹은 AI 시대에 맞춰 발 빠른 행보를 보이며 SK하이닉스에 이어 미래 AI 시대의 또 다른 '전략적 결실'을 맺기 위해 분주하게 노력 중이다. 최태원 회장은 연초 신년사에서 그룹 미래 도약의 원동력으로 'AI'를 꼽으며 “AI 산업의 급성장에 따른 글로벌 산업구조와 시장 재편은 거스를 수 없는 대세이며, AI를 활용해 본원적 사업 역량을 높여야 한다”고 강조했다. SK그룹은 지난 6월 아마존웹서비스(AWS)와 협력을 통해 울산 미포 국가산업단지에 국내 최대 규모 초대형 AI 데이터센터 건립을 발표하고 7조원을 투자하겠다고 밝혔다. AI 데이터센터에는 SK하이닉스 HBM 등 첨단 AI 반도체 기술이 적용되고, SK텔레콤과 SK브로드밴드가 지난 25년간 축적한 데이터센터 사업 역량을 바탕으로 구축 총괄과 운영을 담당할 예정이다. 총 6만장 GPU가 투입되는 이 데이터센터는 2027년 말 1단계 준공(41MW 규모), 2029년 2월 완공(103MW 규모)을 목표로 하고 있으며 향후 1GW급까지 확장해 동북아 최대 AI 허브로 성장시키겠다는 목표이다. 대규모 투자로 향후 30년 간 7만8천명 이상의 고용이 창출되고, 25조원 이상 경제 파급효과가 기대된다.

2025.08.18 10:27장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

SK하이닉스, '1c D램' LPDDR5X 개발 성공…SoCAMM 등 AI 메모리 겨냥

SK하이닉스가 올 2분기 차세대 공정 기반의 저전력 D램 개발에 성공했다. SoCAMM(소캠) 등 신규 AI용 메모리가 주요 타겟으로, 향후 엔비디아와 같은 글로벌 빅테크 수요에 적기 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 14일 SK하이닉스 반기보고서에 따르면 이 회사는 올 상반기 1c(6세대 10나노급) 공정 기반의 LPDDR5X 개발에 성공했다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. 스마트폰, 태블릿 등 IT 기기에서 수요가 높다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 1b(5세대 10나노급) LPDDR5X 양산에 성공한 바 있다. 나아가 이번 1c LPDDR5X 개발로 AI용 저전력 D램 시장 확대에 선제적으로 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 1c D램은 아직 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스의 경우 올 하반기부터 1c D램의 전환투자를 시작할 계획이다. SK하이닉스는 "AI 산업을 위한 1c 24Gb(기가비트) LPDDR5X 제품을 개발했으며, 최대 10.7Gbps의 동작속도 구현이 가능하다"며 "SoCAMM 및 LPCAMM 형태로 AI용 서버 및 PC 시장에 대응할 예정"이라고 설명했다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. SOCAMM 역시 LPDDR 기반의 차세대 모듈이다. LPCAMM과 마찬가지로 탈부착이 가능하지만, 데이터를 주고받는 I/O(입출력단자) 수가 694개로 LPCAMM(644개) 대비 소폭 증가했다. LPCAMM 및 SOCAMM은 이 같은 장점을 무기로 글로벌 빅테크와 주요 메모리 기업들의 주목을 받고 있다. 현재 AI 산업을 주도하고 있는 엔비디아도 차세대 AI PC에 이들 제품을 채택할 것으로 알려졌다.

2025.08.14 17:23장경윤

내년 HBM '완판' 자신한 마이크론…성과급 갈등 빚는 SK하이닉스

미국 마이크론이 내년 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 공급물량의 완판 가능성을 언급해 주목된다. 글로벌 메모리 빅3 기업 중에선 처음으로 HBM 수율 개선과 고객사 협의에 강한 자신감을 내비친 셈이다. 반면 성과급 한도를 놓고 노사 갈등을 빚고 있는 SK하이닉스, 여전히 엔비디아에 HBM3E 공급 시점을 잡지 못하고 있는 삼성전자 등 국내 기업이 자칫 협상 선점에서 실기할 수 있어 시장 대응에 속도를 내야 한다는 목소리가 나온다. 13일 업계에 따르면 주요 메모리 공급업체들은 내년 주요 고객사용 HBM 공급 규모를 확정하기 위한 협의를 적극 진행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 내년에는 현재 상용화된 가장 최신 제품인 HBM3E(5세대 HBM) 12단과 이르면 올 하반기부터 양산되는 HBM4(6세대 HBM) 12단이 주력으로 떠오를 전망된다. 특히 AI 반도체 시장을 선도하는 엔비디아가 HBM 핵심 고객사로서의 지위를 유지하고 있는 만큼, 엔비디아와의 내년 공급량 협의가 반도체 빅3에게는 향후 사업을 좌지우지할 매우 중대한 사안으로 떠오르고 있다. 마이크론은 지난 11일(현지시간) 미국 키뱅크가 주최한 기술 리더십 포럼에서 이와 관련한 질문에 "내년 HBM 물량에 대해 고객들과 논의를 진행해 왔으며, 지난 몇달 간 상당한 진전을 이뤘다"며 "이를 바탕으로 내년 HBM 물량을 모두 판매할 수 있을 것으로 확신한다"고 강조했다. 내년 전체 HBM 물량의 판매 가능성을 언급한 건 사실상 마이크론이 처음이다. 이어 HBM3E 12단 수율 역시 상당히 개선됐다고 자평했다. 마이크론은 "HBM3E 12단 수율의 램프업(ramp-up)은 이전 HBM3E 8단보다 훨씬 빠르게 진행됐다"며 "이미 HBM3E 12단 수율이 8단을 넘어섰다"고 밝혔다. 마이크론의 이같은 공격적인 HBM 사업 확장세는 국내 메모리 업계에 경계해야할 위험 요소로 다가온다. 특히 기존 엔비디아에 HBM을 주력으로 공급해 온 SK하이닉스가 가장 많은 영향을 받을 것으로 전망된다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "내년 HBM 공급에 대한 가시성이 확보됐다"고 밝혔으나, 구체적인 현황에 대해서는 말을 아꼈다. 지난해 상반기 "내년 HBM 물량이 이미 솔드아웃(완판) 됐다"고 공언한 것과는 대조적이다. 실제로 SK하이닉스는 당초 올해 중반까지 엔비디아와의 내년 HBM 공급량을 확정짓는 것을 목표로 했으나, 이달까지도 협상이 지연되고 있다. 양사 간 주요 임원진이 수 차례 만남을 가졌음에도 물량 담보와 HBM4 가격 등에서 좀처럼 이견을 좁히지 못하는 것으로 알려졌다. 더구나 이 같은 와중에 SK하이닉스 노사가 성과급 한도와 방식을 놓고 이견을 좁히지 못하고 있는 것도 불안 요소다. 노사는 지난 5월부터 총 10차례에 걸쳐 임금 교섭을 벌이고 있지만 합의점을 찾지 못하고 있다. 사측은 지난달말 성과급 지급률 기준을 1천%에서 1천700%로 상향하고 지급 뒤에도 남은 영업이익 10%의 재원 중 50%를 구성원들의 PS 재원으로 활용하는 방안을 제안했다. 나머지 절반은 미래 투자 등에 사용한다는 방침이다. 그러나 노조는 영업이익 10%를 전액 성과급으로 지급해야 한다며 총파업 투쟁 결의대회를 이어가고 있다. 내년 주력 제품으로 떠오를 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가하고, 코어 다이 면적 증가, 베이스(로직) 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. 때문에 업계는 HBM4 가격이 HBM3E 12단 대비 약 30% 증가한 500달러 수준을 형성해야 한다고 보고 있다.

2025.08.13 10:31장경윤

SK하이닉스 "PIM, 온디바이스 AI 타고 엣지 시장서 뜬다"

SK하이닉스가 차세대 메모리로 주목받는 PIM(프로세스 인 메모리) 기술이 엣지 디바이스 시장에서 급부상할 것으로 내다봤다. PIM이 갖는 높은 에너지 효율성이 온디바이스AI에 적합하기 때문이다. 또 AI 시대 정보 보호에 대한 필요성이 높아지며, 온디바이스AI에 대한 수요도 동반 상승한다는 점도 PIM 시장 개화를 앞당기는 요소로 봤다. 강욱성 SK하이닉스 부사장은 12일 서울 강남구 코엑스에서 개최된 OCP코리아 테크데이에서 '클라우드에서 엣지까지 AI 메모리의 현재와 미래'라는 주제로 기조연설을 진행했다. 강 부사장이 미래 AI메모리로 주목한 제품군은 HBM(고대역폭 메모리), PIM, CXL(컴퓨트익스프레스링크)였다. HBM은 시장 내 품귀 현상까지 일어나고 있는 메모리 반도체로, AI의 속도를 담당한다. CXL은 여러 장치에서 메모리를 공유해, 속도를 대폭 확장시키는 기술이다. "PIM, 온디바이스 AI 타고 엣지 시장서 먼저 열릴 것" 이날 강 부사장은 PIM의 활용성에 주목했다. 에너지 효율성이 높은 PIM이 스마트폰, PC 등 엣지 디바이스에서 시장이 먼저 열릴 것이라는 예측이다. 그는 “PIM은 클라우드보다 스마트폰, PC 등 엣지에서 먼저 상용화가 전망된다”며 “GPU(그래픽처리장치) 개수를 늘릴 수 있는 클라우드와 달리, 엣지 디바이스는 늘릴 수 없기 때문이다”라고 설명했다. 그러면서 “휴머노이드나 로보틱스에서도 활용될 가능성이 높다”고 덧붙였다. PIM은 기존에 저장 기능만을 담당하던 메모리가 연산 기능까지 일부 수행하게 되는 것을 말한다. 데이터가 메모리에서 CPU(중앙처리장치) 등 프로세서로 이동하지 않는 만큼 병목 현상을 줄일 수 있다. 또 데이터 이동이 반도체 구동에서 가장 큰 전력을 소모하는 만큼 칩의 에너지 효율도 상승한다. 강 부사장은 “PIM은 동일한 파워에서 가장 높은 성능을 낸다”며 엣지 디바이스에 적합한 이유를 설명했다. 이에 SK하이닉스는 LPDDR(저전력 D램)에 PIM을 적용할 계획이다. 서버용 제품으로 만들어진 DDR과 달리 LPDDR은 스마트폰, 노트북 등에 활용되는 저전력 메모리다. 그는 기조연설이 끝난 뒤 기자들과 만나 "중장기적으로는 LPDDR에서 더 가능성이 크다고 보고 있다"고 말했다. 앞서 회사는 GDDR(그래픽 D램)에 PIM을 구현한 'AiM'을 선보인 바 있다. PIM을 데이터센터에서 구현하겠다는 시도다. SK하이닉스는 GDDR에서 시도했던 기술들을 토대로 LPDDR에서 PIM을 구현할 계획이다. 강 부사장은 "사실 PIM은 인터페이스가 크게 중요하지 않다. 내부 밴드위스(대역폭)를 활용하는 것이기 때문에 GDDR이든 LPDDR이든 상관없다"며 "단지 성능 관점에서 응용해서 쓰는 일반적인 메모리가 있을 것이다. 응용처에 따라 달라질 것 같다"고 설명했다. 아울러 정보 보호가 중요한 사회 분위기도 PIM 시장 개화를 가속화한다. 오늘날 AI의 확장과 함께, 개인 정보 보안에 대한 우려도 커지고 있다. 클라우드를 통한 연결이 개인 정보를 보호해주지 못한기 때문이다. 강 부사장은 이런 불안함이 온디바이스AI와 PIM 시장 개화를 앞당길 요소라고 봤다. 그는 “프라이빗한 데이터가 클라우드에 왔다 갔다 하는 걸 많은 사람들이 불안해한다”며 온디바이스 AI 시장이 커질 것으로 점쳤다. 그러면서 “(온디바이스 AI가) 요구하는 성능을 LPDDR만으로는 만족시키지 못한다”며 “PIM을 도입하게 되면 에너지 효율과 성능 모두를 다 잡을 수 있다”고 덧붙였다.

2025.08.12 14:42전화평

SK하이닉스 "1c D램서 EUV 적층 수 5개층 이상 적용"

SK하이닉스가 차세대 D램 개발서 EUV(극자외선) 공정을 적극 활용하고 있다. 올 하반기 전환투자가 시작되는 1c(6세대 10나노급) D램의 경우, EUV 적용 층 수를 이전 세대 대비 2개 늘어난 5개 이상까지 적용하기로 했다. 차세대 EUV 기술을 위한 소재 개발도 지속하고 있다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 1c D램에 EUV 레이어 수를 총 5개 이상 적용할 계획이다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 다만 기술적 난이도 및 설비 도입 비용이 높아, 초미세 회로 구현이 필요한 특정 층(레이어)에만 적용되고 있다. 나머지 층에는 DUV(심자외선) 등 기존 레거시(성숙) 공정이 쓰인다. SK하이닉스의 경우, 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했다. 나아가 1c D램에서는 EUV 레이어 수를 5개 이상 늘린다. 1c D램은 아직 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 바 있다. 올 하반기부터는 1c D램의 전환투자를 시작할 예정이다. 박의상 SK하이닉스 TL은 이날 수원컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피+패터닝 학술대회'에서 "1c D램에 EUV 레이어를 5개 이상 적용하고, 1d·0a 등 차세대 제품에도 EUV를 모두 사용할 것"이라며 "이에 맞춰 SK하이닉스는 EUV 공정의 생산성을 증가시킬 수 있는 방안에 초점을 두고 많은 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 향후 도입될 High-NA(고개구수) EUV 기술에 대해서도 적극 대응하고 있다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33 수준이나, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. SK하이닉스는 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 계획이다. 특히 High-NA EUV용 마스크 개발이 주요 난제가 될 것으로 관측된다. 마스크는 웨이퍼에 반도체 회로를 새기기 위해 사용되는 소재다. EUV는 거의 모든 물질에 흡수되는 성질을 지녀, 거울을 통해 웨이퍼에 빛을 반사시키는 방식을 활용한다. 그런데 High-NA에서는 빛이 더 넓은 각도로 퍼져, 입사각과 반사각이 겹치는 문제가 발생하게 된다. 이에 업계는 빛의 세로 방향을 가로 대비 2배 더 축소시켜 빛이 겹치지 않게 하는 '아나모픽' 기술을 고안해냈다. 마스크에서 웨이퍼로 투사되는 빛이 기존에는 가로 세로 모두 4배 축소됐다면, 아나모픽에서는 가로는 4배 그대로, 세로는 8배로 축소하는 방식이다. 웨이퍼에 투사되는 면적이 줄어드는 만큼, 마스크는 2개를 사용해야 한다. 다만 마스크를 2개 사용하는 과정에서, 마스크끼리 맞닿은 부분이 겹치는 문제가 발생하게 된다. SK하이닉스는 이를 '스티칭(Stiching)' 영역이라고 부른다. 박 TL은 "스티칭 영역에 대한 제어가 상당히 어렵기 때문에, 당사도 현재 High-NA EUV용 마스크는 개발을 못한 상황"이라며 "어떠한 물질로 만들어야할 지 계속 시도는 하고 있는 상태"라고 말했다.

2025.08.11 16:53장경윤

트럼프 "수입 반도체에 100% 관세"…삼성·SK 악영향 우려

미국이 수입 반도체에 대해 100%에 달하는 막대한 관세 부과를 예고했다. 구체적인 시기나 세부 조건 등은 밝혀지지 않았으나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들의 대미 수출에 악영향을 끼칠 것이라는 우려가 제기된다. 다만 한국은 최근 미국과의 무역합의 과정에서 반도체와 의약품의 경우 다른 나라와 비교해 불리하지 않은 최혜국 대우를 받도록 요구했고, 미국도 이를 수용한다는 입장이어서 이보다는 낮은 품목 관세만 적용받을 가능성이 있다. 도널드 트럼프 미국 대통령이 수입 반도체에 100%의 관세를 부과하겠다고 밝혔다고 블룸버그통신 등이 7일 보도했다. 다만 미국 내에 생산시설을 이전하는 기업은 관세를 면제 받는다. 트럼프 대통령은 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)와의 대담에서 반도체 관세에 대한 내용을 직접 언급했다. 이날 애플은 미국 내 1천억 달러의 신규 투자 계획을 발표했다. 트럼프 대통령은 "우리는 칩과 반도체에 매우 높은 관세를 부과할 것"이라며 "그러나 애플과 같은 회사들에게 좋은 소식은 미국에서 제품을 생산을 하거나, 의심의 여지 없이 미국에서 생산하기로 약속했다면 아무런 관세도 부과되지 않을 것이라는 것"이라고 말했다. 그동안 트럼프 대통령은 철강 및 알루미늄, 자동차, 반도체 등 주요 산업에 대해 별도의 관세 기준을 고려해 왔다. 반도체 산업에 적용되는 관세는 타 산업 대비 매우 높은 수준으로, 발효 시 전 세계 공급망에 상당한 영향을 줄 것으로 관측된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들도 영향권에 들 것이라는 우려가 제기된다. 현재 삼성전자는 미국 텍사스 오스틴에 파운드리 팹을 두고 있으며, 약 370억 달러(한화 약 48조원)를 들여 테일러 신규 파운드리 팹과 R&D 팹 등을 건설 중이다. SK하이닉스도 미국 애리조나주에 패키징 시설을 들일 계획이다. 다만 이들 기업은 주력 제품인 D램, 낸드 등 메모리반도체를 한국과 중국에서 양산하고 있다. 해당 제품을 미국으로 수출하는 경우 관세가 부과될 가능성이 있다.

2025.08.07 09:18장경윤

샌디스크, FMS 2025서 기업용 256TB NVMe SSD 공개

샌디스크가 미국 캘리포니아 주 산타클라라 실리콘밸리에서 열리는 글로벌 메모리 및 스토리지 기술 전시회 'FMS 2025'에서 서버용 256TB SSD '샌디스크 울트라QLC 256TB NVMe SSD'를 공개했다. 샌디스크 울트라QLC 256TB NVMe SSD는 키오시아가 개발한 218단 BiCS8 QLC(셀당 4비트) CBA 낸드 플래시메모리, 전용 컨트롤러와 고급 시스템 최적화 기술을 적용했다. 낸드 플래시메모리 다이당 용량은 2Tb(약 232.83GB)로 저장 밀도를 최대화했고 동적 주파수 조절을 이용한 전력 최적화, 멀티코어 컨트롤러를 이용한 내구성 강화가 특징이다. 데이터 수집과 전처리, AI 데이터 레이크 등 대용량 스토리지가 필요한 AI 기반 데이터 중심 워크로드에 최적화됐다. 쿠람 이스마일 샌디스크 제품 부문 최고책임자(CPO)는 "울트라QLC 플랫폼은 수 년간 연구와 경험을 집약해 완성한 결과물로, 탁월한 용량과 최고 수준의 성능을 효율적으로 구현한다"고 밝혔다. 이어 "샌디스크는 울트라QLC 플랫폼을 이용해 대규모 AI 수요에 대응하는 포트폴리오 확장은 물론, 고객이 더 빠르게 데이터 처리와 분석을 수행해 실질적인 혁신을 이끌 수 있도록 지원한다"고 덧붙였다. 샌디스크 울트라QLC 256TB NVMe SSD는 서버용 U.2 폼팩터로 우선 공급되며 내년 상반기 출시 예정이다. FMS 2025 행사 기간 중 현장 부스에서 실제 제품도 전시한다.

2025.08.06 11:29권봉석

소니코리아, 전문가용 카메라 주변기기 4종 출시

소니코리아가 오는 13일 전문가용 카메라 주변기기 4종을 국내 출시한다. 신제품은 고성능 XLR 샷건 마이크 ECM-778, 고해상도·대용량 사진/영상 기록을 위한 CF익스프레스 타입A 메모리카드 2종(960GB/1.92TB), CF익스프레스 메모리카드 리더 MRW-G3 등 총 4종이다. ECM-778은 신규 개발한 마이크 캡슐과 황동 음향 튜브로 고음과 중저음을 고품질로 녹음할 수 있는 전면 지향성 마이크다. 길이는 176mm, 무게는 102g이며 마이크 홀더와 스탠드 어댑터로 여러 장비에 장착해 쓸 수 있다. CF익스프레스 타입A 메모리카드 2종은 용량 960GB인 CEA-G960T, 1.92TB인 CEA-G1920T이며 최대 속도는 읽기 1.8GB/s, 쓰기 1.7GB/s로 전 세대 대비 2배 이상 성능이 향상됐다. MRW-G3는 USB-C 단자를 내장해 PC와 모바일 기기에 연결 가능하며 대용량 파일 전송시 발생하는 열을 효과적으로 내보낼 수 있도록 설계됐다. 최대 전송 속도는 40Gbps(5GB/s)로 대용량 데이터를 신속하게 옮길 수 있다. 소니코리아는 6일 오후 2시부터 소니스토어 온라인 홈페이지와 소니스토어 모바일 앱에서 예약 판매를 진행한다. 예약 판매시 구입 가격의 6%를 마일리지로 적립하며 오는 13일 정식 출시된다. 가격은 ECM-778이 149만원, CEA-G960T(960GB)가 66만 9천원, CEA-G1920T(1.92TB)가 109만원, MRW-G3가 21만 9천원.

2025.08.06 11:03권봉석

파운드리 기지개 펴는 삼성전자...남은 과제는 HBM4 성공

반도체 등 핵심사업 부문에서 어려움을 겪던 삼성전자가 최근 모처럼 기지개를 펴고 있다. 이재용 회장이 10년 가까이 이어진 사법 리스크에서 벗어난데 이어 DS(반도체) 부문의 아픈 손가락이던 파운드리(반도체 위탁생산)는 미국 테슬라와 22조원 규모의 위탁생산 계약을 맺었다. 게다가 시스템LSI사업부는 갤럭시Z플립7에 엑시노스 2500을 탑재하며 그간의 부진을 일단락했다. 이제 회사의 마지막 남은 과제는 AI 시대에 성장세가 뚜렷한 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 소기의 성과를 거두는 일이다. 사법리스크 벗은 이재용...관세협상 지원 등 대외 활동 왕성 이재용 회장은 최근 글로벌 경영에서 보폭을 넓히고 있다. 대표적으로 지난 달 29일 미국 워싱턴으로 날아가 한미 관세협상 타결을 위해 측면 지원에 나선 데 이어 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)와 직접 화상 통화를 통해 향후 구체적인 협력 방안에 나서는 등 예전에 없던 왕성한 활동을 벌이고 있다. 이 회장의 이 같은 행보는 그간 업계에서 기대한 모습이다. 그간 삼성은 이 회장을 둘러싼 사법 리스크로 대규모 전략적 투자 등 경영 행보에 제약이 있었다. 이번 협상에서 국내 기업들이 적극적인 투자 의지를 강조했던 점이 주효했다는 걸 고려하면, 관세 협상에 간접적으로 영향을 미친 셈이다. 강석구 대한상공회의소 조사본부장은 “첨단산업 글로벌 경쟁이 치열한 상황에서 해당 기업의 경영 리스크 해소 뿐만 아니라 한국경제 전반에 긍정적인 파급 효과를 가져올 것으로 기대된다”고 말했다. 상향곡선 그리는 시스템 반도체...남은 과제는 HBM4 성공 삼성전자 DS부문은 올해 하반기 당면했던 과제 세 가지 중 두가지를 해결했다. 반도체 업계에서 꼽은 DS부문의 3대 과제는 메모리의 HBM, 파운드리의 2nm(나노미터, 10억분의 1m), 시스템LSI의 엑시노스다. 가장 먼저 해결된 과제는 엑시노스다. 지난달 9일 공개된 갤럭시Z플립7에 엑시노스 2500이 탑재되며 그간의 부진을 만회한 것이다. 당초 업계 안팎에서는 올해 초 출시된 갤럭시S25 시리즈에 해당 칩이 탑재될 것으로 점쳤었다. 그러나 MX사업부(모바일)에서 탑재되는 칩 전량을 퀄컴 스냅드래곤8으로 선택하며, 엑시노스는 쓴맛을 봤었다. 파운드리의 경우 22조7647억원 규모 2나노 공정 대량 반도체위탁 생산물량 수주 소식을 지난 28일 공시했다. 계약 상대는 테슬라로, 삼성전자 파운드리가 염원하던 큰손이다. 그간 삼성 파운드리는 대형 고객사가 없다는 점이 약점이었다. 기술 검증이 되지 않아 찾는 고객이 적었던 것이다. 그러나 이번 수주로 반등의 기회와 함께 생태계 확장 기회까지 마련했다. 시스템 반도체 생태계는 파운드리(제조)를 축으로 IP, 디자인하우스, 후공정 등 다양한 협력사로 이뤄진다. 대형 고객사의 등장이 반도체 업계 전반을 활성화시킬 수 있는 셈이다. 디자인하우스 관계자는 “글로벌 기업이 고객사로 들어오면서 생태계 자체가 갖춰지게 될 것"이라며 "특히 IP가 의미가 있다. 칩 난이도가 높은 글로벌 빅테크 기업들은 최신 기술의 IP가 많이 들어가는데 이번 수주로 인해서 2나노 공정이 준비가 되는 것이기 때문에, 다음에 2나노를 쓸 고객에게 굉장히 큰 도움이 된다”고 말했다. 남은 숙제는 HBM(고대역폭메모리) 사업이다. 삼성전자는 AMD에 HBM3E 12단 공급을 확정하는 등 발전해 가는 모습을 보여주고 있지만, 아직까지 경쟁사인 SK하이닉스에 밀린다는 시장 평가를 뒤집을만한 모멘텀을 만들지 못하고 있는 상황이다. 하지만 하반기부터는 양상이 조금 달라질 전망이다. 올 2분기 삼성전자의 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80% 후반으로, 올 하반기에는 90%를 넘어설 전망이다. 또한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다. 증권가와 반도체 업계에서는 삼성전자가 하반기를 시작은 내년도 HBM 시장에서 긍정적인 성과를 낼 것으로 보고 있다. 김광진 한화투자증권 애널리스트는 “엔비디아향 인증 여부가 여전히 과제이지만 비엔비디아 진영(AMD, 브로드컴 등)에서의 인증 성과가 확인되기 시작한 점을 고려하면 긍정적 관점에서 바라볼 필요가 있다”고 밝혔다. 반도체 장비사 관계자는 “삼성전자 내부에서 HBM3E 12단에 대한 분위기가 좋은 걸로 안다”며 “통과 여부는 모르겠으나 전반적으로 이전과 비교해 좋아지는 분위기인 건 확실한 것 같다”고 말했다.

2025.08.05 17:01전화평

가천대 반도체영재교육생, SK하이닉스 팹 투어 성료

가천대학교 과학영재교육원·반도체교육원은 지난달 30일 초등 6학년과 중학교 1학년 영재 40명을 대상으로 이천 소재 SK하이닉스 반도체 생산라인(Fab)을 탐방하는 특별 프로그램을 진행했다고 1일 밝혔다. 가천대는 올해 국내 최초로 과학영재교육원에 선발된 초등학생·중학생 영재를 대상으로 반도체교육 과정을 개설했다. 이를 통해 반도체에 흥미를 갖게 하고, 영재들을 미래 우수 반도체 인재로 키우겠다는 의도다. 이번 프로그램은 그동안 공부한 이론과 산업현장 체험을 결합해, 학생들이 반도체 제조공정을 더 잘 이해시키고자 마련됐다. 학생들은 SK하이닉스 회사소개를 간단히 듣고, 바로 이어서 옆 건물인 반도체 팹 투어를 시작했다. 이곳에서 학생들은 팹 시설 및 장비 구성에 대한 간략한 설명과 12인치(300mm) 메모리 소자 칩들로 구성된 실물 웨이퍼를 관람했다. 또한 패턴을 형성하는 노광공정부터 여러 공정 단계를 거쳐 최종 반도체 소자가 완성되는 과정을 공부했다. 팹 투어 이후 마련된 SK하이닉스 연구원들과의 대화 시간에서는 학생들의 많은 질문이 이어졌다. 한 학생은 “앞으로 제가 반도체 웨이퍼 재료인 잉곳을 제작한다면 SK하이닉스에서 사줄 의향이 있는지”를 물었다. 또 다른 학생은 반도체 엔지니어를 직업으로 선택한 이유, 필요한 전공과 역량은 무엇인지 등에 대해 물었다. 이에 영재 출신 SK하이닉스 연구원은 "특히 과학과 수학을 좋아해서 화학공학을 전공하고, 반도체 공정(식각)업무를 하게 됐다"고 답변했다. 이날 학생들은 "반도체 제조공정 현장을 직접 보며 그동안 반도체 공정이론과 직접 반도체 제조 과정을 이해하게 됐다. 반도체 공장이 정말 크다"며 "많은 부분이 자동화되어 있는 것도 신기하다. 오늘은 정말 기억에 남는 날이 될 것 같다"고 소감을 밝혔다. 해당 프로그램을 기획한 김용석 가천대 석좌교수(반도체교육원장)은 "이번 SK하이닉스 팹 투어 프로그램이 영재학생들이 반도체를 이해하는데 큰 도움이 될 것"이라며 "반도체에 좀더 관심을 갖는 계기가 되고, 많은 학생들이 대학 진학때에 이공계를 선택하기를 기대한다"고 말했다.

2025.08.01 10:00장경윤

HBM3E '가격 하락' 가능성 언급한 삼성전자…속내는

삼성전자가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 가격이 하락할 수 있음을 암시했다. 공급이 시장 수요를 웃돌면서 수급의 변화가 예상된다는 게 주요 근거다. 다만 업계는 삼성전자가 주요 고객사향 HBM3E 12단 상용화를 위해 펼치고 있는 가격 인하 정책도 적잖은 영향을 끼쳤을 것으로 보고 있다. 31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 제품의 경우 수요 성장속도를 상회하는 공급 증가로 수급의 변화가 예상된다"며 "당분간 시장 가격에도 영향이 있을 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "실제로 하반기 컨벤셔널 D램의 가격 상승세를 감안하면 앞으로 HBM3E와 컨벤셔널 D램 수익률 격차는 가파르게 축소될 것으로 판단된다"고 설명했다. HBM3E는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. D램 적층 수에 따라 8단과 12단으로 나뉜다. 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크가 최신형 AI 가속기를 출시함에 따라, HBM3E 12단에 대한 수요 증가세가 올해 크게 두드러질 전망이다. 그럼에도 삼성전자는 HBM3E의 공급 과잉 가능성을 언급하며 수익성 최적화를 위한 운영 전략의 필요성을 강조했다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E 12단을 적극 양산하고 있다는 점을 반영한 것으로 풀이된다. 삼성전자의 공격적인 HBM3E 마케팅 전략도 큰 영향을 끼칠 것이라는 게 업계의 시각이다. 복수의 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 엔비디아향 HBM3E 12단 상용화가 지연되는 상황에서, 가격 인하 등 다양한 제안을 건넨 것으로 안다"며 "실제 공급 성공 여부에 따라 HBM 시장에 변화가 생길 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 13:23장경윤

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