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SK하이닉스, 작년 설비투자 30조…메모리 호황에 '사상 최대'

SK하이닉스가 지난해 설비투자(CAPEX)에 30조원 이상을 투입했다. 역대 최대 수준으로, 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 메모리 생산능력 확대에 집중한 데 따른 효과로 풀이된다. 17일 SK하이닉스는 2025년도 사업보고서에서 지난해 설비투자에 30조1730억원을 투입했다고 밝혔다. 이는 전년비 68% 증가한 규모다. 앞서 SK하이닉스는 2024년 17조9560억원 규모 투자를 집행한 바 있다. SK하이닉스의 투자 규모 확대는 청주 M15X, P&T(패키징&테스트) 팹 등 신규 팹 추가와 최선단 메모리 생산능력 확대를 위한 전환투자를 활발히 진행한 결과로 풀이된다. 현재 반도체 산업은 전세계 IT 기업의 공격적인 AI 인프라 투자로 전례없는 호황을 맞았다. AI 가속기에 필요한 HBM을 비롯해, 서버용 D램과 eSSD(기업용 SSD) 수요가 크게 증가했다. 범용 메모리 재고 수준도 덩달아 낮아졌다. SK하이닉스는 반도체 호황 지속에 따라 올해도 설비투자 규모를 크게 확대할 계획이다. M15X와 P&T팹의 설비 도입 외에도, SK하이닉스는 용인 1기 팹 건설과 미국 인디애나주 신규 팹 설립 등 국내외 투자 프로젝트를 추진 중이다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1월 2025년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 투자 규모는 전년비 상당 수준 증가를 예상한다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수하겠다"고 밝힌 바 있다.

2026.03.17 17:14장경윤 기자

게임산업은 AI 열풍 최대 피해자…근거는

전 세계적인 램 부족 사태로 게임 콘솔 가격이 상승하고 일자리까지 감소하면서 게임 산업이 인공지능(AI) 열풍 최대 희생자 중 하나로 떠오르고 있다는 분석이 나왔다. IT매체 와이어드는 이러한 흐름을 조명하며 게임 산업이 AI 확산의 영향 속에서 구조적 변화를 겪고 있다고 최근 보도했다. 지난주 게임 업계는 엑스박스 공동 개발자인 새머스 블랙클리(Seamus Blackley)의 발언으로 큰 파장을 겪었다. 그는 한 인터뷰에서 “마이크로소프트(MS)의 핵심 사업이 된 AI에 밀려 엑스박스 사업이 서서히 저물고 있다”고 말해 게임 업계가 들썩였다. 논란이 확산되자 블랙클리는 “엑스박스가 완전히 죽었다는 뜻은 아니다”라고 해명했지만, 엑스박스 사업이 '곤경'에 처해 있다는 점을 시사한 발언으로 해석되고 있다. 코로나19 팬데믹 기간 동안 게임 산업은 전례 없는 호황을 누렸다. 하지만 이후 AI 기술이 빠르게 확산되면서 상황이 달라졌다. 특히 게임 개발 과정에 AI가 도입되면서 업계 전반에서 일자리 감소 현상이 나타나고 있다. 메모리 가격 상승으로 콘솔 가격 상승 데이터센터 급증도 영향을 미치고 있다. AI 연산을 위한 데이터센터가 막대한 메모리를 소비하면서 전 세계적으로 메모리 부족 현상이 발생했고, 이는 콘솔 제조에 필요한 하드웨어 비용 상승으로 이어졌다. 그 결과 게임콘솔 신제품 출시 일정이 지연되고, 한때 입문용 게이머들의 필수 관문이었던 가정용 PC 조립 역시 부담이 커졌다. 실제로 밸브는 지난해 말 2022년에 출시된 스팀 덱 LCD 256GB 모델의 단종을 발표했다. 2023년형 업그레이드 모델 역시 사실상 출시되지 않았다. 주요 콘솔 제품이 후속 업그레이드 모델 없이 단종된 사례는 이례적이다. 밸브는 스팀 덱보다 약 6배 강력한 성능을 갖춘 '스팀 머신'을 올해 출시할 예정이지만, 정확한 출시 시기와 가격은 아직 공개되지 않았다. 차세대 콘솔 가격 전망도 부담을 키우고 있다. 업계에서는 엑스박스 차기 콘솔로 알려진 '프로젝트 헬릭스'의 출시 가격이 900달러(약 134만원)에서 1200달러(약 180만원)에 이를 것으로 예상하고 있다. 이는 이전 엑스박스 시리즈 X 가격의 2배 수준이다. 개발 과정에 AI 도입으로 일자리 줄어 개발 현장에서는 생성형 AI 도입이 빠르게 진행되고 있다. 게임사들은 대화 작성, 아트워크 제작, 반복적인 개발 작업 자동화 등을 위해 AI 도구를 실험하고 있다. 기업들은 해당 기술이 제작 속도를 높이고 비용을 절감할 수 있다고 주장하지만, 많은 개발자들은 창의성과 일자리 측면에서 장기적인 부작용을 우려하고 있다. 보고서에 인용된 업계 추산에 따르면 자동화와 업계 구조조정으로 인해 2022년부터 2025년 사이 약 4만5000명 이상의 게임 업계 종사자가 일자리를 잃은 것으로 나타났다. 특히 경력이 짧은 직원들이 큰 영향을 받았다는 지적이다. 신입 채용이 줄어들 경우 업계가 차세대 인재를 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. AI 활용 확대에 대한 게이머들의 반발도 이어지고 있다. 일부 스튜디오가 프로젝트 일부에 생성형 AI를 사용했다고 밝힌 이후 비판에 직면하기도 했다. 개발자들은 많은 플레이어들이 AI가 생성한 콘텐츠를 거부하는 경향이 있으며, 수작업으로 구축된 세계관과 대화, 스토리텔링이 여전히 게임의 핵심 매력이라고 강조한다. 실제로 최근 게임 '아크 레이더스'는 AI 기반 텍스트 음성 변환(TTS)을 활용한 캐릭터 음성이 몰입감을 해친다는 비판을 받았고, 이에 일부 AI 생성 음성을 성우의 실제 녹음으로 다시 제작했다고 밝히기도 했다. 이처럼 AI가 게임 산업 전반에 빠르게 확산되는 가운데, 업계와 이용자들의 관심은 AI가 게임을 혁신할지 여부보다는 향후 몇 년 동안 게임 산업을 얼마나 깊이 재편할 것인지에 쏠리고 있다고 와이어드는 전했다.

2026.03.17 16:19이정현 미디어연구소

삼성전자, 엔비디아 '4나노' 새 추론 칩 만든다

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 삼성전자 파운드리와의 협력을 공식적으로 언급했다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '베라 루빈' 기반 시스템과 결합되는 그록(Grok)의 언어처리장치(LPU)를 삼성 파운드리에서 양산하는 구조다. 젠슨 황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 'GTC 2026' 기조연설에서 AI 칩 생산 파트너를 소개하는 과정에서 "삼성전자가 그록3 LPU 칩을 제조하고 있다"고 밝혔다. 그록은 엔비디아가 지난해 말 약 29조원을 들여 우회 인수한 팹리스 스타트업이다. 거대언어모델(LLM)의 추론 작업 속도를 높이는 LPU를 전문으로 개발해 왔다. 그록3 LPU는 이 기업의 최신 칩으로, 4나노미터(nm) 공정 기반으로 알려졌다. 젠슨 황 CEO는 "삼성이 우리를 위해 그록3 LPU 칩을 제조하고 있다. 지금 가능한 한 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다"며 "삼성에게 정말 감사드린다"고 강조했다. 그록3 LPU는 현재 양산 단계에 들어갔다. 젠슨 황 CEO가 예상한 출하 시점은 오는 3분기다. 이번 발언은 삼성 파운드리가 엔비디아의 차세대 AI 칩 생산에 참여하고 있음을 공개적으로 언급한 것으로, AI 반도체 공급망에서 양사의 협력이 긴밀하게 이어지고 있음을 보여주는 대목으로 평가된다. 또한 삼성전자는 지난 2월 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산 출하를 공식 발표한 바 있다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아 AI 생태계 확장을 위한 메모리·파운드리 공급사로서 협력 영역을 더 확장할 수 있게 됐다.

2026.03.17 09:34장경윤 기자

SK하이닉스, 엔비디아와 AI 메모리 협력…최태원·곽노정 출동

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 인공지능(AI) 메모리 제품군을 엔비디아 연례 행사 'GTC(GPU Technology Conference) 2026'에서 공개한다. 최태원 SK 회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등이 직접 참석해, 글로벌 빅테크 기업들과 중장기 협력 방안을 논의할 계획이다. SK하이닉스는 16~19일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리는 GTC 2026에 참가한다고 17일 밝혔다. SK하이닉스는 "AI 학습과 추론 분야에서 데이터 병목을 최소화하고 성능을 극대화할 수 있는 메모리 제품을 엔비디아 AI 인프라에 탑재했다"며 "이번 행사에서 엔비디아와 파트너십을 기반으로 AI 시대 핵심 인프라인 메모리 기술 경쟁력을 선보이겠다"고 말했다. SK하이닉스는 이번 행사에서 '스포트라이트 온 AI 메모리'(Spotlight on AI Memory)를 주제로 전시 공간을 구성해 AI 메모리 기술과 설루션을 소개한다. 전시관은 ▲엔비디아 협업 존 ▲제품 포트폴리오 존 ▲이벤트 존 등으로 구성된다. 관람객이 AI 메모리 기술을 직관적으로 이해하도록 체험형 콘텐츠 중심으로 운영한다. 전시장 입구에 위치한 '엔비디아 협업 존'은 SK하이닉스와 엔비디아의 협업 성과를 집약적으로 보여주는 핵심 공간이다. 회사는 이곳에서 HBM4와 HBM3E, SOCAMM2 등 SK하이닉스의 메모리 제품들이 엔비디아의 다양한 AI 플랫폼에 실제 적용된 사례를 중심으로, GPU 기반 AI 가속기에 탑재된 메모리 구성을 모형과 실물 형태로 구현한다. 엔비디와와 협업해 만든 액체 냉각식 eSSD를 비롯해 회사의 LPDDR5X가 탑재된 엔비디아의 AI 슈퍼컴퓨터 'DGX 스파크(Spark)'도 함께 전시한다. '제품 포트폴리오 존'에서는 AI 인프라 핵심인 HBM4와 HBM3E를 비롯해, 고용량 서버용 D램 모듈과 LPDDR6, GDDR7, eSSD, 자동차용 메모리 솔루션 등 AI 시대를 겨냥한 메모리 제품 라인업을 볼 수 있다. SK하이닉스는 GTC 2026 기간 동안 글로벌 AI 산업 현장 흐름에 맞는 협력 방향을 모색할 계획이다. 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 곽노정 SK하이닉스 CEO 등 주요 경영진은 글로벌 빅테크 기업들과 만나 AI 기술 발전과 인프라 구조 변화에 대한 인사이트를 공유하고, 중장기 협력 방안을 논의할 예정이다. 기술 세션에서 AI 기반 제조업 발전 방향과 고성능 AI 구현을 위한 메모리 기술 역할을 설명할 계획이다. SK하이닉스는 "AI 기술이 발전할수록 메모리는 단순 부품을 넘어 AI 인프라 전반의 구조와 성능을 좌우하는 핵심 요소로 자리잡고 있다"며 "데이터센터부터 온디바이스에 이르기까지 AI 전 영역을 아우르는 메모리 기술 역량을 기반으로, 글로벌 파트너들과 함께 AI의 미래를 만들겠다"고 밝혔다.

2026.03.17 07:45장경윤 기자

삼성전자, GTC서 'HBM4E' 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 강화

삼성전자가 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력을 강화한다. 엔비디아 연례 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 실물을 첫 공개할 계획이다. 해당 칩은 핀당 속도 16Gbps·대역폭 4TB/s을 지원한다. 삼성전자는 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가한다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이번 전시에서 차세대 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세운다. 먼저 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. '엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온-디바이스 AI), 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다. 한편 행사 둘째 날인 3월 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다. 차세대 HBM4E 칩 및 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월'을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(열압착본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다. 하이브리드 본딩은 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리하다. 한편 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다. 삼성전자 "베라 루빈 플랫폼용 모든 메모리 솔루션 공급" 특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 삼성전자는 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다. 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다. SCADA는 GPU가 CPU 병목 현상을 우회해 스토리지 I/O를 직접 시작하고 제어할 수 있어 AI 워크로드 성능을 극대화할 수 있도록 설계된 기술이다. 뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서 제품을 확인할 수 있다.

2026.03.17 05:30장경윤 기자

메모리 자성제어 '스핀'대신 '오비탈'로…"읽는속도 1만배 빨라져"

국내 연구진이 전자의 스핀 교환상호작용 대신, 오비탈(궤도)을 통해 자성을 자유자재로 조절할 수 있는 가능성을 제시했다. 이 같은 방법으로 메모리를 만들 경우 읽는 속도를 기존대비 1,000배에서 최대 1만배까지 끌어올릴 수 있다. KAIST는 이경진 물리학과 교수와 김경환 연세대학교 물리학과 교수 연구팀이 전자의 오비탈 원리로 차세대 자성소자 및 교자성 소자를 설계할 수 있는 새로운 이론 체계를 정립했다고 16일 밝혔다. 연구 결과는 국제 학술지 네이처 커뮤니케이션즈에 게재됐다. 오비탈 교환상호작용은 전자가 원자핵 주위를 돌며 형성하는 궤도(오비탈)가 서로 영향을 주고받아 자석 방향이나 성질을 조절하는 현상이다. 차세대 메모리 연구는 전자 '스핀'에 주로 집중해 왔다. 스핀은 전자가 마치 작은 팽이처럼 스스로 회전하며 만들어내는 성질로, 이 회전 방향을 이용해 정보를 저장하는 방식이다. 그러나 전자는 동시에 원자의 중심에 있는 원자핵 주위를 돌며 '오비탈'이라는 궤도 운동도 한다. 이준희 박사는 "전류가 흐를 때 발생하는 전자의 오비탈 에너지가 자성체 오비탈과 직접 상호작용하며 정보를 전달한다는 원리를 이론적으로 규명했다"며 "이를 통해 기존 스핀 방식보다 훨씬 효율적으로 자석의 성질을 바꿀 수 있음을 확인했다"고 말했다. 전류가 단순히 자석 방향만 바꾸는 것이 아니라, 자석이 특정 방향을 선호하는 성질이나 회전 특성 등 고유한 물성 자체를 조절할 수 있다는 점을 규명한 것. 특히 연구팀은 오비탈을 이용한 제어 효과가 기존 스핀 기반 방식보다 훨씬 강력할 수 있음을 확인됐다. 향후 반도체 소자에서 스핀 대신 오비탈이 핵심 역할을 하는 '오비탈 기반 전자소자' 시대의 가능성을 제시했다. 연구팀은 이론에 그치지 않고 실제 실험에서 이러한 효과를 측정할 수 있는 방법까지 함께 제시했다. 이준희 박사는 "최근 학계에서 큰 관심을 받고 있는 교자성 물질에서도 이 원리가 적용될 수 있다"며 "미래형 논리 소자와 메모리 소자 개발을 위한 강력한 이론적 토대가 마련될 것"으로 기대했다. 교자성은 원자 속 전자 스핀이 서로 다른 방향으로 규칙적으로 배열된 새로운 자성 물질이다. 겉으로는 자석처럼 보이지 않지만 전자 움직임에는 큰 영향을 준다. 이러한 특성 덕분에 전자 상태를 정밀하게 제어할 수 있어 메모리 제어와 고속·저전력 반도체 소자를 위한 소재로 주목받고 있다. 이근희 박사는 “이번 연구 결과는 전류로 자성을 제어할 때 반드시 '스핀'에만 의존할 필요가 없다는 사실을 보여준 사례”라며 “전자의 궤도 운동인 오비탈을 활용해 자성을 이해하고 제어하는 새로운 관점은 차세대 초고속·저전력 메모리 개발에 중요한 이정표가 될 것”이라고 말했다.

2026.03.16 15:16박희범 기자

IDC "올해 PC 출하량, 전년比 11.3% 감소 전망"

시장조사업체 IDC가 12일(현지시간) 메모리 공급 부족과 부품 가격 상승, 공급망 차질 등의 영향으로 올해 PC 출하량 전망치를 크게 낮췄다. IDC는 작년 11월 메모리 반도체 수급난이 시작되자 올해 PC 출하량을 2.4% 낮춰 잡았다. 그러나 IDC는 이날 작년 대비 하락폭을 11.3%까지 늘려 잡았다. IDC는 메모리 부족과 부품 가격 상승, 전반적인 공급 제약이 맞물리며 생산 차질이 내년까지 이어질 것으로 전망했다. 라이언 레이스 IDC 디바이스·컨슈머 부문 그룹 부사장은 "현재 여러 변수들이 계속 늘어나며 기업들의 의사결정은 물론 일부 분야에서는 생존 자체가 어려운 상황"이라고 설명했다. 다만 평균단가 상승 영향으로 올해 PC 시장 규모는 작년 대비 1.6% 늘어난 2740억 달러(약 408조 1230억원)까지 확대될 것으로 보인다. 지테시 우브라니 IDC 모바일 디바이스 트래커 담당 매니저는 "저가 PC와 태블릿 시대는 당분간 끝났다. 제품 가격은 2028년부터 조금씩 내릴 수 있지만 2025년 수준으로 돌아가기 어렵다"고 전망했다. IDC는 앞으로 PC 제조사가 공급망 안정성 강화, 핵심 부품 조달처 다변화와 함께 메모리나 SSD 용량 등 제품 제원을 낮추면서 비용을 낮추기 위해 노력할 것으로 전망했다.

2026.03.13 10:03권봉석 기자

"메모리 반도체, 가격 급등에도 수요 여전"

메모리 반도체 시장이 과거 사이클과 확연히 다른 '구조적 공급부족' 상태를 맞아 끝을 알 수 없는 가격 급등세가 이어지고 있다는 진단이 나왔다. 인공지능(AI) 인프라 투자라는 강력한 수요가 시장을 지배하면서, 가격 상승이 곧바로 수요 감소로 이어지지 않는 '비탄력적' 시장 상황이 연출되고 있다. 황민성 카운터포인트리서치 팀장은 12일 온라인 웨비나에서 "현재 메모리 시장은 과거 사이클과 달리 가격이 올라도 수요가 줄지 않는 상황"이라며 "공급부족 사태가 의미 있게 해소되는 시점은 빨라야 2027년 하반기가 될 것"이라고 전망했다. 이는 AI 데이터센터 구축을 위한 서버용 D램과 고대역폭메모리(HBM) 수요가 시장 전체를 압도하고 있기 때문이다. 일반 IT 기기 제조사는 극심한 원가 압박에 시달리고 있다. 스마트폰과 PC 등 완제품 제조사의 제조원가에서 메모리 비중이 절반에 육박할 정도로 커졌기 때문이다. 업계에서는 원가 부담이 결국 소비자 판매가 인상으로 이어질 수밖에 없는 구조적 한계에 봉착했다고 보고 있다. 시장 변화 속에서 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁 구도도 변화하고 있다. 과거에는 매출 규모를 중심으로 경쟁했지만 올해는 '이익률(마진) 경쟁'이 핵심 화두다. 현재 원가 경쟁력 면에서는 SK하이닉스가 다소 우위를 점한 것으로 평가받으며, 삼성전자가 이를 따라잡기 위해 총력을 다하는 형국이다. 또 다른 시장 변수는 중국 업체의 거센 추격이다. CXMT와 YMTC 등은 자국 정부 보조금을 바탕으로 레거시(구형) 제품부터 점유율을 확대하고 있다. 특히 글로벌 PC OEM들이 중국 업체 물량을 구매하기 시작하면서, 단순히 중국 시장을 넘어 글로벌 시장에서의 영향력을 키우고 있다는 분석이다. 황 팀장은 "중국의 공급 증가는 시장의 큰 부담 요소"라면서도 "중국 업체들이 AI용 첨단 메모리 시장까지 빠르게 진입하기에는 아직 기술격차가 있다"고 평가했다.

2026.03.12 16:06전화평 기자

"서버도 온디바이스도 해답은 LPDDR...전력 장벽 뚫는다"

"이제 저전력은 모바일만의 전유물이 아닙니다. 서버와 온디바이스 인공지능(AI), 어느 영역에서도 전력효율을 확보하지 못하면 생존할 수 없는 시대가 왔습니다. 그 중심에 저전력 D램(LPDDR)이 있습니다." 반도체 설계 자산(IP) 기업 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지) 이성현 대표는 최근 지디넷코리아 인터뷰에서 AI 시장 흐름이 '전력 효율'로 수렴한다고 진단했다. 과거 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 쓰이던 LPDDR이 이제는 차세대 LPDDR6 표준 등장과 함께 데이터센터 서버와 로봇, 자동차 등 AI가 탑재되는 모든 곳의 핵심 메모리 표준으로 부상했다는 설명이다. 서버의 전력 병목 현상과 온디바이스의 배터리 및 발열 한계를 동시에 해결할 수 있는 유일한 열쇠가 바로 LPDDR이기 때문이다. 전력 병목에 갇힌 AI… 서버·엣지 가리지 않는 LPDDR 확산 최근 반도체 업계에서 눈에 띄는 변화는 LPDDR 메모리의 전방위 확산이다. 과거 스마트폰의 전유물이었던 LPDDR은 이제 데이터센터 서버와 온디바이스 AI 기기의 핵심 규격으로 자리 잡았다. 해법으로 등장한 것이 서버용 LPDDR 솔루션이다. 특히 최근 주목받는 쏘캠(SOCAMM) 같은 규격은 LPDDR의 저전력 특성을 서버 환경에 이식해 전력 소모는 낮추면서도 데이터 처리 대역폭은 극대화한다. 동시에 온디바이스 AI 시장 성장도 LPDDR 수요를 견인하고 있다. 이 대표는 "자율주행차, 로봇, 휴머노이드 등 물리적 제약이 큰 엣지 디바이스에서는 배터리 효율과 발열 관리가 제품 완성도를 결정한다"며 "트랜스포머 기반 대형 AI 모델을 기기 내부에서 구동하기 위해 LPDDR6 같은 고성능·저전력 IP 역할이 그 어느 때보다 중요해졌다"고 분석했다. "면적 50% 절감 혁신"… 9년 준비로 일군 메모리 시스템 통합 IP 오픈엣지는 창업 초기부터 LPDDR 시대 도래를 예견하고 꾸준히 준비해왔다. 메모리 컨트롤러와 물리 계층(PHY)을 아우르는 '메모리 시스템 IP'를 계속 연구한 것이 대표적이다. 현재 전세계에서 두 가지 핵심 IP를 통합 솔루션으로 제공하며 최적화할 수 있는 기업은 시높시스, 케이던스 등 글로벌 IP 거인을 포함해도 손에 꼽는다. 특히 오픈엣지 기술력은 PPA(전력·성능·면적) 측면에서 강점이 있다. 오픈엣지의 PHY IP는 동일 성능 대비 면적을 최대 50%까지 줄였다. 팹리스(반도체 설계전문) 입장에서는 생산 단가를 획기적으로 낮추면서도 고성능을 유지할 수 있는 최적 솔루션인 셈이다. 경쟁력은 글로벌 시장에서 실적으로 증명되고 있다. 전체 매출 70% 이상이 해외에서 나온다. 그 중에는 일본 르네사스, 미국 마이크론 등 글로벌 반도체 거인도 있다. 오픈엣지는 차세대 LPDDR6 표준 개발 단계부터 참여하며 기술 표준을 선도하는 전략을 취하고 있다. "구매 전 가상설계 환경 제공"… 팹리스 리스크 지우는 '칩 스케치' 전략 오픈엣지의 또 다른 성장축은 고객사 설계 문턱을 낮추는 플랫폼 전략이다. IP 산업의 특성상 단 한 번의 설계 오류는 칩 개발 실패와 막대한 손실로 이어진다. 진입장벽이 높은 이유다. 이를 방지하기 위해 구축한 플랫폼이 '오픈엣지스퀘어'다. 오픈엣지스퀘어는 일종의 디지털 영업 플랫폼이다. 일반적으로 팹리스가 새로운 IP를 검토하려면 내부 서버에 복잡한 EDA 환경을 구축하고 인력을 투입해야 한다. 오픈엣지스퀘어는 이를 클라우드로 옮겨왔다. 로그인만 하면 어디서든 오픈엣지의 최신 IP를 칩 설계안에 대입해 볼 수 있다. 이때 핵심 기능이 '칩 스케치'다. 칩 스케치는 사실상 시스템온칩 (SoC) 반도체 설계 및 성능 최적화 툴로, 명칭처럼 칩을 그리기 전에 밑그림을 그려보는 기능이다. EDA와 비슷하다. 팹리스로선 비싼 EDA 라이선스를 쓰기 전에 이 IP가 내 설계에 맞는지 확인해 볼 수 있다. 이 대표는 "고객사가 우리 IP를 도입했을 때 얻을 수 있는 이점을 데이터로 직접 확인하게 함으로써 설계 리스크를 낮춘다"며 "이는 단순한 IP 공급자를 넘어 고객의 제품 성공을 돕는 전략 파트너로서 위치를 공고히 하는 전략"이라고 설명했다. IP 업계, 요행은 없다 2026년은 오픈엣지에 수익성 개선 분수령이 될 전망이다. 지난해 미중 갈등과 업황 부진으로 지연됐던 글로벌 프로젝트가 본격화되고 있고, 국내에서도 'K-온디바이스 AI 반도체' 과제 등으로 새로운 수요가 창출되고 있다. 이 대표는 "지난 2년간 오픈엣지에 우호적이지 않은 시장 환경이었음에도 연구개발(R&D) 투자를 확대해, 기회가 왔을 때 대응할 수 있는 잠재력을 길렀다"고 밝혔다. 그러면서 "IP 업계에 갑작스러운 행운이나 신데렐라는 없다"며 "오직 검증된 트랙 레코드(실적)만 고객 신뢰를 얻는 유일한 길"이라고 강조했다.

2026.03.12 15:22전화평 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

中 스마트폰 가격 인상 '도미노'…오포, 최대 500위안 상향

중국 스마트폰 시장에 가격 인상 바람이 불기 시작했다. 오포(OPPO)가 주요 모델의 가격 인상을 공식화한 가운데, 핵심 부품 공급망의 단가 상승이 소비자 가격 전가로 이어지는 양상이다. 시장조사업체 트렌드포스는 오포가 오는 16일부터 스마트폰 판매 가격을 모델별로 최대 500위안(약 10만6천800원)까지 인상할 계획이라고 10일 밝혔다. 이번 가격 인상의 주요 원인은 모바일용 프로세서(AP)와 메모리 반도체 등 핵심 부품의 원가 상승이다. 특히 최신 AI 기능을 지원하기 위한 고성능 칩셋과 고용량 LPDDR5X 메모리 채택이 늘어나면서 제조원가 부담이 임계점에 도달했다는 분석이다. 보도에 따르면 오포는 주력 모델인 파인드 시리즈와 리노 시리즈를 중심으로 가격을 조정한다. 인상 폭은 모델과 사양에 따라 다르며, 가장 인기가 높은 중상급형 모델의 경우 300위안(약 6만4천원)에서 500위안 사이로 추정된다. 업계에서는 오포의 이번 결정이 중국 스마트폰 시장 전체의 가격 도미노 인상을 촉발할 것으로 내다보고 있다. 따라서 비보(vivo), 샤오미(Xiaomi), 아너(Honor) 등 경쟁 업체들 역시 유사한 비용 압박을 겪고 있어, 올 상반기 내 줄지어 가격 인상 대열에 합류할 것으로 관측된다.

2026.03.11 10:07전화평 기자

트렌드포스 "노트북 가격 최대 40% 인상 가능성"

노트북 핵심 부품인 메모리와 SSD(낸드 플래시메모리), 프로세서 등 가격이 빠르게 상승중이며 이로 인해 소비자가 체감하는 노트북 가격이 최대 40% 가까이 상승할 수 있다는 전망이 나왔다. 시장조사업체 트렌드포스는 10일 "메모리 가격 급등과 CPU 가격 인상이 동시에 진행되면서 올해 노트북 시장이 비용 상승 압박에 직면할 것"이라고 설명했다. 트렌드포스는 "올해 들어 노트북용 메모리와 SSD 수량 부족, 단가 상승이 진행중이며 제조사의 부품 조달 부담도 커지고 있다"며 "노트북 전체 부품 원가에서 메모리 비중은 약 15%였지만 올 1분기에는 30%까지 상승할 것"이라고 설명했다. 예를 들어 소비자 권장가(MSRP) 900달러(약 132만원)인 노트북의 경우 최종 판매 가격은 1170달러(약 172만원)까지 상승할 수 있다는 것이다. 메모리 뿐만 아니라 각종 프로세서 가격도 오르고 있다. 최근 AI 관련 컴퓨팅 수요가 급증하면서 첨단 공정 및 패키징 생산 능력이 고성능 컴퓨팅(HPC) 제품으로 우선 배분되고 있다. 트렌드포스는 자체 공급망 조사 결과를 토대로 "인텔이 일부 보급형·전 세대 제품 가격을 15% 가량 올렸고 오는 2분기에는 중고가 제품 공급가도 올릴 것"이라고 내다봤다. 이어 "메모리와 프로세서 공급가가 동시에 오르면 생산 원가에서 차지하는 비중은 기존 45%에서 58%까지 확대될 것"이라고 설명했다. 결국 제조 원가 상승 속에서 제조사와 유통사가 수익 감소를 어디까지 감내할 수 있는가가 문제다. 트렌드포스는 "제조사와 유통사가 기존 수익 구조를 그대로 유지할 경우 실제 가격은 40% 가량 오를 수 있다"고 분석했다.

2026.03.11 09:18권봉석 기자

美어플라이드-SK하이닉스, AI 최적화 차세대 D램·HBM 개발 장기 협력

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(이하 어플라이드)는 SK하이닉스와 AI 및 고성능 컴퓨팅에 필수적인 차세대 D램과 HBM(고대역폭메모리)의 개발 및 도입을 가속화하기 위한 장기 협력 계약을 체결했다고 11일 밝혔다. 이번 협력에 따라 양사 엔지니어들은 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 직접 협업한다. 메모리 아키텍처가 현재의 양산 공정을 넘어 차세대 노드로 발전함에 따라 재료 혁신과 공정 통합, 3D 첨단 패키징 전반에서 혁신을 추진할 계획이다. 게리 디커슨 어플라이드 회장 겸 최고경영자(CEO)는 "어플라이드 머티어리얼즈와 SK하이닉스는 재료공학 혁신을 통해 첨단 메모리 칩의 에너지 효율 성능을 개선해 온 오랜 협력의 역사를 공유하고 있다"며 "SK하이닉스를 EPIC 센터의 창립 파트너로 맞이하게 되어 기쁘며, AI 시대를 위한 차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다"고 말했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장(CEO)은 "AI 시스템의 지속적인 확장은 에너지 효율적인 메모리 기술에 대한 전례 없는 수요를 만들어내고 있다"며 "AI 발전의 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점”이라고 밝혔다. 그는 이어 “이러한 한계를 극복하기 위해 SK하이닉스의 첨단 메모리 기술은 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 가능하게 하고 있으며, 새로운 EPIC 센터에서 어플라이드 머티어리얼즈와의 협력을 통해 AI에 최적화된 차세대 메모리 솔루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있기를 기대한다"고 덧붙였다. 어플라이드와 SK하이닉스는 차세대 메모리를 위한 장기 반도체 R&D(연구개발) 과제를 공동으로 해결하기 위해 포괄적인 기술 개발 계약을 체결했다. 초기 공동 혁신 프로그램은 신소재 탐색, 복합 공정 통합 방식, HBM급 첨단 패키징 구현에 초점을 맞추며, 이를 통해 미래 메모리 아키텍처의 성능과 양산성을 동시에 향상시키는 것을 목표로 한다. 이번 협력은 EPIC 센터의 '고속 공동 혁신(High-velocity co-innovation)' 모델을 기반으로 진행된다. SK하이닉스 엔지니어들은 어플라이드 기술진과 함께 직접 협업하며 신기술 개발을 가속할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 업계 선도적인 어플라이드의 첨단 패키징 R&D 역량을 활용해 디바이스 수준의 혁신과 이종 집적(Heterogeneous integration)을 연계하며 3D 첨단 패키징 분야의 새로운 과제에 대응할 계획이다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 "메모리 기술의 지속적인 발전은 디바이스와 패키징 전반에 걸친 재료공학 혁신에 점점 더 의존하고 있다"며 "실리콘밸리 EPIC 센터와 싱가포르의 첨단 패키징 역량을 결합함으로써 SK하이닉스와의 협력은 전체 기술 스택을 공동 최적화하고 양산이 가능한 메모리 혁신으로 가는 길을 더욱 빠르게 열어줄 것"이라고 말했다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 "AI 시대 메모리 기술 발전을 위해서는 웨이퍼 팹 장비 개발에 대한 새로운 접근이 필요하다"며 "어플라이드 머티어리얼즈와의 공동 혁신 프로그램은 디바이스 엔지니어링과 첨단 패키징 전반에 걸쳐 신소재, 공정 통합, 열 관리 기술에 초점을 맞출 계획이다. EPIC 센터에서 어플라이드 엔지니어들과 작업함으로써 더 빠른 학습 주기와 양산 수준의 기술 검증을 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것"이라고 설명했다. 올해 가동을 앞둔 EPIC 센터에 업계 주요 기업들의 참여가 이어지고 있으며, SK하이닉스는 창립 파트너로 합류한다. 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자다. 초기 연구 단계부터 대규모 양산에 이르기까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐으며, 칩 제조사들은 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 보다 이른 시점부터 접근하고 빠른 학습 주기를 확보해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높이는 역할을 한다.

2026.03.11 09:18장경윤 기자

SK하이닉스, 1c D램 'LPDDR6' 개발…하반기 공급 시작

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램을 개발하는 데 성공했다고 10일 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있다. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR6로 1-2-3-4-4X-5-5X-6 순으로 개발돼 왔다. 회사는 지난 1월 CES 전시에서 해당 제품을 공개한 이후 최근 세계 최초로 1c LPDDR6 제품 개발 인증을 완료했다. SK하이닉스는 “상반기 내 양산 준비를 마치고, 하반기부터 제품을 공급해 AI 구현에 최적화된 범용 메모리 제품 라인업을 구축해 나갈 것”이라고 강조했다. 1c LPDDR6는 온디바이스 AI가 탑재된 스마트폰이나 태블릿 같은 모바일 제품에 주로 활용된다. 온디바이스 AI 구현에 최적화하기 위해 기존 제품인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 개선했다. 이 제품의 데이터 처리 속도는 대역폭 확장을 통해 단위 시간당 전송 데이터량을 늘려 이전 세대 보다 33% 향상했다. 동작속도는 기본 10.7Gbps(초당 10.7기가비트) 이상이며, 이는 기존 제품 최대치를 상회한다. 전력은 서브 채널 구조와 DVFS 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 20% 이상 절감했다. DVFS는 칩의 동작 상황에 따라 전압(Voltage)과 주파수(Frequency)를 조절해 전력 소모와 성능을 최적화하는 전력 관리 기술이다. 서브 채널 구조는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 동작하도록 하고, 모바일 환경에 따라 주파수와 전압을 조절하는 것이 DVFS 기술의 특징이다. 게임 구동과 같이 고사양이 요구되는 환경에서는 DVFS를 높여 최고 대역폭 동작을 만들어내고, 평상시에는 주파수와 전압을 낮춰 전력 소비를 줄이도록 설계했다. 이에 회사는 소비자들이 이전보다 길어진 배터리 사용 시간은 물론, 최적의 멀티태스킹을 경험하게 될 것으로 기대하며, 시장 수요에 따라 글로벌 모바일 고객사의 요구에 맞춰 준비할 계획이다. SK하이닉스는 “앞으로도 고객과 함께 AI 메모리 솔루션을 시장에 적시 공급해 온디바이스 AI 사용자들에게 차별화된 가치를 제공할 것“이라고 말했다.

2026.03.10 09:13장경윤 기자

삼성전자, '5월 총파업' 찬반투표 시작…경쟁력 타격 우려

삼성전자 노조가 오늘(9일)부터 쟁의권 확보를 위한 투표에 본격 돌입한다. 투표 결과에 따라 5월 총파업 일정에 돌입할 예정이다. 이에 최근 살아나고 있던 삼성전자 HBM(고대역폭메모리) 기술 경쟁력 회복과 전 세계 메모리 공급난을 심화시킬 수 있다는 우려가 제기된다. 회사 내부에서도 이번 파업을 두고 갈등이 깊어지는 분위기다. 9일 업계에 따르면 삼성전자 초기업노동조합은 이날 오전 11시부터 오는 18일 14시까지 쟁의 행위 결의에 대한 찬반투표를 실시한다. 앞서 노조는 사측에 초과이익성과급(OPI) 상한 폐지를 요구해 왔다. OPI는 삼성전자의 대표적인 성과급 제도로, 회사 실적이 목표를 초과할 경우 초과 이익의 20% 범위에서 연봉의 최대 50%까지 지급한다. 이에 사측은 50% 상한을 유지하되, EVA(경제적 부가가치) 20%와 영업이익 10% 중 OPI 재원에 대한 선택권을 부여하는 방안을 제시했다. 나아가 DS(반도체) 부문 한정으로 영업이익 100조원 달성 시 OPI 100%를 추가 지급하는 등의 특별보상 프로그램, 총 임금 인상률 6.2% 인상, 전 직원 대상 자사주 20주 지급 등을 제안했다. 그러나 노조가 성과급 상한 폐지안을 강력히 요구하면서 노사간 협상은 결렬됐다. 이에 노조는 쟁의권 확보 절차에 돌입하고, 구체적인 쟁의 계획을 수립했다. 투표 이후 쟁의권이 확보되면 4월 전 조합원 집회, 5월 총파업 등을 실시할 예정이다. SK하이닉스 '통큰' 성과급에 상대적 박탈감…파업 의지 강경 이번 노사갈등 쟁점의 핵심인 성과급 상한 폐지 안건은 경쟁사인 SK하이닉스가 선례적인 영향을 미쳤다는 평가다. 앞서 SK하이닉스 노사는 '초과이익분배금(PS)' 지급 한도(기본급의 최대 1000%)를 폐지하고, 전년 영업이익의 10% 전체를 재원으로 상정하는 데 합의했다. 개인별 성과급 산정 금액의 80%를 당해 지급하고, 이후 2년간 매년 10%씩 이연 지급하는 것이 주 골자다. 이에 따라 SK하이닉스는 지난달 임직원 성과급 지급률을 2964%로 책정했다. 연봉이 1억원일 경우 1억4800만원을 받게 되는 셈으로, 올해 성과급 규모는 AI 중심의 메모리 슈퍼사이클 효과로 더 확대될 전망이다. 삼성전자 DS부문 역시 올해 최대 영업이익 달성이 유력하다. 한국투자증권의 최신 보고서에 따르면, 삼성전자 DS부문의 연간 영업이익은 올해 189조6300억원 수준으로 전년 대비 7배 이상 증가할 것으로 분석된다. 이에 삼성전자 DS 내부에서는 SK하이닉스와의 성과급 격차를 우려하는 목소리가 꾸준히 제기돼 왔다. 노조 역시 이 같은 관점에서 파업에 대한 강경한 의지를 보이고 있다. 초기업노조의 조합원은 6만6000명으로, 회사 첫 과반 노조에 해당한다. 이 중 약 5만명이 DS부문 소속인 것으로 알려져 있다. 노노 갈등 악화·메모리 공급 우려까지…명분 흔들려 특히 최승호 초기업노동조합 삼성전자지부 위원장은 최근 유튜브 방송에서 “만약 회사를 위해 근무하는 자가 있다면, 명단을 관리해 추후 조합과의 협의가 필요한 강제 전배나 해고에 이들을 우선적으로 안내할 것”이라고 말하기도 했다. 다만 이는 파업 미참여자에 대한 불이익을 줄 수 있다는 의도로 해석돼, 회사 안팎에서 발언 적정성 여부에 대한 논란이 일고 있다. 성과급 상한 폐지안을 두고 DS와 DX(모바일·가전) 등 타 부서간 갈등도 깊어지는 분위기다. 사업 특성 상 DX부문은 현재 상한을 크게 상회하는 성과급을 받기 어렵다. 노조가 성과급 상한 폐지 후 타 사업부를 위한 추가 조정안을 제시하겠다고 밝혔지만, 노노갈등은 쉽사리 진정되지 않고 있다. 실제로 삼성전자 사내 커뮤니티에서는 "이번 조정에서 DX 부문에 대한 논의가 부족하다"는 등 사업 부문간 성과 격차를 고려해야 한다는 의견이 지속적으로 제기되고 있다. 또한 삼성전자 경쟁력 저하는 물론 세계 메모리 공급난을 심화시킬 수 있다는 우려도 제기된다. 최근 메모리 시장은 극심한 공급난에 시달리고 있다. 글로벌 기업들의 공격적인 AI 인프라 투자가 진행되는 한편, 그간 메모리 빅3가 생산능력 확대에 보수적으로 나서면서 불균형이 심화됐다. 이에 D램과 낸드 가격 모두 급격한 상승세를 보이고 있다. 특히 삼성전자는 올해 상반기 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 생산량을 크게 확대할 계획이다. 대체 인력으로 교대 근무 투입이 가능한 반도체 산업 특성 상 파업에 따른 여파는 제한적일 가능성이 크지만, 고객사 입장에서는 메모리 수급난에 대한 우려가 커질 수밖에 없는 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 성과급 문제는 경쟁사만이 아닌 내부에서도 상대적 박탈감 논란에 휩싸여 있다"며 "파업 이슈로 메모리 공급 문제가 심화되지는 않을지 우려되는 상황"이라고 말했다.

2026.03.09 10:43장경윤 기자

브로드컴, AI칩 고성장 자신…삼성·SK 메모리 수요 견인

브로드컴이 주문형 인공지능(AI) 반도체 사업 성장세를 자신했다. 구글·오픈AI 등 글로벌 기업들의 자체 AI 가속기 출하량 확대에 따른 효과다. 오는 2027년에는 관련 매출이 연 1000억 달러(약 146조원)에 달할 것으로 내다봤다. 해당 칩에 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리를 공급하는 삼성전자·SK하이닉스도 견조한 수요가 지속될 전망이다. 브로드컴은 4일(현지시간) 회계연도 2026년 1분기(2026년 2월 1일 마감) 매출액 193억 1100만 달러(약 28조원)를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 29%, 전분기 대비 7% 증가했다. 특히 AI 반도체 매출은 86억 달러로 전년동기 대비 106%, 전분기 대비 29% 증가했다. 전체 사업군 중 가장 가파른 성장세다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타·앤트로픽 등 고객사의 AI 반도체를 위탁 개발하고 있다. 향후 전망도 긍정적이다. 브로드컴은 회계연도 2026년 2분기 AI 반도체 매출액 예상치를 107억 달러로 제시했다. 전년동기 대비 143%, 전분기 대비 27% 증가한 수준이다. 증권가 컨센서스(약 92억 달러) 역시 크게 웃돌았다. 성장세의 주요 배경은 글로벌 기업들의 적극적인 AI 인프라 투자다. 현재 브로드컴은 AI 반도체 사업에서 5개 고객사를 확보한 상황으로, 각 고객사들은 맞춤형 AI 가속기(XPU) 도입을 가속화하고 있다. 최근에는 6번째 고객사도 추가로 확보했다. 특히 브로드컴의 핵심 고객사인 구글의 텐서처리장치(TPU)가 강력한 수요를 보일 것으로 예상된다. TPU는 대규모 학습 및 추론 분야에서 범용 GPU 대비 높은 효율을 보인다. 현재 7세대 칩인 '아이언우드'까지 상용화가 이뤄졌다. 호크 탄 브로드컴 최고경영자(CEO)는 "구글은 물론 메타의 AI 가속기 출하량이 확대될 예정"이라며 "또다른 고객사들도 출하량이 호조세를 보여, 2027년에는 규모가 2배 이상 증가할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 그는 이어 "여섯 번째 고객으로 오픈AI가 2027년에 1GW(기가와트) 이상의 컴퓨팅 용량을 갖춘 1세대 AI XPU를 대량으로 도입할 것으로 기대한다"며 "AI XPU 개발을 위한 협력은 다년간 지속될 것임을 강조하고 싶다"고 덧붙였다. 브로드컴의 AI 반도체 매출 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 실적과도 연계된다. 브로드컴이 설계하는 XPU에 HBM 등 고부가 메모리가 탑재되기 때문이다. 올해만 해도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3사의 HBM3E 물량 30%가 구글 TPU에 할당될 것으로 알려졌다. 오픈AI 역시 삼성전자, SK하이닉스 메모리 사업의 '큰손' 고객사로 떠오를 전망이다. 앞서 오픈AI는 지난해 하반기 삼성전자·SK하이닉스와 핵심 AI 인프라 구축을 위한 전방위적 협력 체계를 맺은 바 있다. 호크 탄 CEO는 "당사는 오는 2027년 XPU, 스위치 칩 등을 포함한 AI 반도체 매출액이 1000억 달러를 넘어설 것으로 예상하고 있다"며 "이를 달성하는 데 필요한 공급망도 확보했다"고 강조했다.

2026.03.05 17:24장경윤 기자

유니테스트, SK하이닉스 HBM4용 '번인 테스터' 양산 검증 완료

반도체 검사장비 전문기업 유니테스트가 SK하이닉스 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 번인 테스터(Burn-in Tester) 공급망에 합류한 것으로 파악됐다. 5일 업계에 따르면 유니테스트는 지난달 SK하이닉스와의 HBM4용 번인 테스터 양산 퀄(품질) 테스트를 완료했다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도 상승, D램 적층 수 증가해 이에 대응하는 신규 테스트가 필요하다. 이에 SK하이닉스는 국내 복수의 후공정 장비기업들로부터 HBM4용 번인 테스터 검증을 진행해 왔다. 유니테스트의 경우 지난해 데모 장비로 성능 평가를 통과해, 지난달 양산용 퀄테스트까지 성공적으로 마무리한 것으로 파악됐다. 회사가 HBM 공급망 진입하는 것은 이번이 처음이다. 관건은 실제 수주량이다. SK하이닉스는 올해부터 HBM4 양산을 본격적으로 확대할 계획으로, 지난해 말부터 HBM4 번인 테스터에 대한 초도 발주에 나섰다. 청주 P&T(패키징&테스트), M15X 등 팹 투자도 적극 진행하고 있어, 연간으로 지속적인 투자가 진행될 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스 HBM4용 번인 테스터 공급망은 또 다른 장비기업인 디아이가 자회사 디지털프론티어를 통해 지난해 말 선제적으로 진입한 바 있다. 유니테스트는 세컨 벤더의 지위다. 반도체 업계 관계자는 "최근 유니테스트가 HBM4 공급망에 합류한 만큼, 조만간 가시적인 수주 성과가 나타날 가능성이 있다"며 "물론 이미 경쟁사가 진입해 있기 때문에 공급 비중을 최대한 빠르게 확보해야할 것"이라고 말했다.

2026.03.05 10:29장경윤 기자

SK하이닉스, HBM4 '성능 점프' 비책 짰다…新패키징 기술 도입 추진

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)용 패키징 기술 변혁을 꾀한다. 대대적인 공정 전환 없이 HBM의 안정성과 성능을 강화할 수 있는 기술을 고안해, 현재 검증을 진행 중인 것으로 파악됐다. 실제 상용화가 이뤄지는 경우, 엔비디아가 요구하는 HBM4(6세대)의 최고 성능 달성은 물론 차세대 제품에서의 성능 강화도 한층 수월해질 것으로 예상된다. 이에 해당 기술의 성패에 업계의 이목이 쏠린다. 3일 지디넷코리아 취재를 종합하면 SK하이닉스는 HBM 성능 강화를 위한 새로운 패키징 기술 적용을 추진하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)를 뚫어 연결한 메모리다. 각 D램은 미세한 돌기의 마이크로 범프를 접합해 붙인다. HBM4의 경우 12단 적층 제품부터 상용화된다. SK하이닉스는 현재 HBM4의 초도 양산을 시작했다. HBM4의 리드타임(제품 양산, 공급에 필요한 전체 시간)이 6개월 내외인 만큼, 엔비디아와의 공식적인 퀄(품질) 테스트 마무리에 앞서 선제적으로 제품을 양산하는 개념이다. HBM4 공급은 문제 없지만…최고 성능 구현 고심 그간 업계에서는 SK하이닉스 HBM4의 성능 및 안정성 저하를 우려해 왔다. 엔비디아가 HBM4의 최대 성능(핀 당 속도)을 당초 제품 표준인 8Gbps를 크게 상회하는 11.7Gbps까지 요구하면서, 개발 난이도가 급격히 상승한 탓이다. 실제로 SK하이닉스 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 어려움을 겪어, 올해 초까지 일부 회로의 개선 작업을 거쳐 왔다. 이에 따라 본격적인 램프업(대량 양산) 시점도 당초 업계 예상보다 일정이 늦춰진 상황이다. 다만 업계 이야기를 종합하면, SK하이닉스가 엔비디아향 HBM4 공급에 큰 차질을 겪을 가능성은 현재로선 매우 낮은 수준이다. 주요 배경은 공급망에 있다. 엔비디아가 HBM4에 높은 사양을 요구하고 있긴 하지만, 이를 고집하는 경우 올 하반기 최신형 AI 가속기 '루빈'을 충분히 공급하는 데 제약이 생길 수 있다. 현재 HBM4에서 가장 좋은 피드백을 받고 있는 삼성전자도 수율, 1c D램 투자 현황 등을 고려하면 당장 공급량을 확대하기 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 초기 수급하는 HBM4의 성능 조건을 10Gbps대로 완화할 가능성이 유력하다고 보고 있다. 반도체 전문 분석기관 세미애널리시스는 최근 보고서를 통해 "엔비디아가 루빈 칩의 총 대역폭을 당초 22TB/s로 목표했으나, 메모리 공급사들은 엔비디아의 요구 사항을 충족하는 데 어려움을 겪고 있는 것으로 파악된다"며 "초기 출하량은 이보다 낮은 20TB/s(역산하면 HBM4 핀 당 속도가 10Gbps급)에 가까울 것으로 예상한다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순 속도가 아니라 수율·공급망 안정성 등 어려 요소가 고려돼야 하기 때문에, SK하이닉스가 가장 많은 물량을 공급할 것이라는 전망은 여전히 유효하다"며 "다만 최고 성능 도달을 위한 개선 작업도 지속적으로 병행하는 등 기술적으로 안주할 수 없는 상황"이라고 말했다. HBM 성능 한계 돌파할 '신무기' 준비…현재 검증 단계 이와 관련, 현재 SK하이닉스는 HBM4 및 차세대 제품에 적용하는 것을 목표로 새로운 패키징 공법 도입을 시도하고 있다. 업계가 지목하는 HBM4 성능 제약의 가장 큰 요인은 입출력단자(I/O) 수의 확장이다. I/O는 데이터 송수신 통로로, HBM4의 경우 이전 세대 대비 2배 증가한 2048개가 구현된다. 그런데 I/O 수가 2배로 늘면 밀집된 I/O끼리 간섭 현상이 발생할 수 있다. 또한 전압 문제로 하부층의 로직 다이(HBM 밑에서 컨트롤러 역할을 담당하는 칩)에서 가장 높은 상부층까지 전력이 충분히 전달되기가 어렵다. 특히 SK하이닉스는 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 한 세대 이전의 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한다. 로직 다이도 TSMC의 12나노미터(nm) 공정으로, 삼성전자(삼성 파운드리 4나노) 대비 집적도가 낮다. 때문에 기술적으로 I/O 수 증가에 따른 문제에 취약하다. 대대적 공정 전환 없이 HBM 성능·안정성 향상…상용화 여부 주목 이에 SK하이닉스는 새로운 패키징 공법으로 새로운 비책을 마련하고 있는 것으로 파악됐다. 핵심은 ▲코어 다이 두께 향상, 그리고 ▲D램 간 간격(Gap) 축소다. 우선 일부 상부층 D램의 두께를 이전보다 두껍게 만든다. 기존엔 HBM4의 패키징 규격(높이 775마이크로미터)을 맞추기 위해 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정이 적용된다. 다만 D램이 너무 얇아지면 칩 성능이 저하되거나 외부 충격에 쉽게 손상을 받을 수 있다. 때문에 SK하이닉스는 D램의 두께 향상으로 HBM4의 안정성을 강화하려는 것으로 풀이된다. 또한 D램 간 간격을 더 줄여, 전체 패키징 두께가 늘어나지 않도록 하는 동시에 전력 효율성을 높였다. 각 D램의 거리가 가까워지면 데이터가 더 빠르게 도달하게 되고, D램 최상층으로 전력이 도달하는 데 필요한 전력이 줄어들게 된다. 관건은 구현 난이도다. D램 간 간격이 줄어들면 MUF(몰디드언더필) 소재를 틈에 안정적으로 주입하기 힘들어진다. MUF는 D램의 보호재·절연체 등의 역할을 담당하는 소재로, 고르게 도포되지 않고 공백(Void)가 생기면 칩의 불량을 야기할 수 있다. SK하이닉스는 이를 해결할 수 있는 새로운 패키징 기술을 고안해냈다. 구체적인 사안은 밝혀지지 않았으나, 대대적인 공정 및 설비 변화 없이 D램 간격을 안정적인 수율로 줄일 수 있는 것이 주 골자다. 최근 진행된 내부 테스트 결과 역시 긍정적인 것으로 알려졌다. 만약 SK하이닉스가 해당 기술을 빠르게 상용화하는 경우, HBM4 및 차세대 제품에서 D램 간격을 효과적으로 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 반대로 해당 기술이 양산 적용에 난항을 겪을 가능성도 남아 있다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 기존 HBM의 한계를 극복하기 위한 새로운 패키징 공법을 고안해, 현재 검증 작업을 활발히 거치고 있다"며 "대규모 설비투자 없이 HBM 성능을 개선할 수 있기 때문에 상용화 시에는 파급 효과가 적지 않을 것"이라고 설명했다.

2026.03.03 14:29장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 印 반도체 공장 오픈식 참석...핵심 협력사 지위 굳건

한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석했다고 3일 밝혔다. 이번 마이크론 인도 공장 오픈식에는 나렌드라 모디 인도 총리가 참석해 기념사를 발표했으며, 인도 정부 관계자, 마이크론 산자이 메로트라 회장과 주요 임원진 등이 대거 참석했다. 한미반도체는 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사로 초청받으며 핵심 협력사의 위상을 확립했다. 마이크론 인도 공장은 총 27억5000만 달러(약 4조원)가 투자된 첨단 패키징 공장이다. 인도 반도체 산업 육성을 위해 인도 정부가 50%, 구자라트주가 20%의 보조금을 각각 지원하며 국가 전략 프로젝트로 추진됐다. 50만 평방피트(약 1만4000평)에 달하는 세계 최대 규모의 단일층 클린룸을 갖추고 있으며, 이는 축구장 7개 규모에 달하는 면적이다. 앞으로 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 기업용 eSSD(기업용 SSD) 등 고성능 AI 메모리의 테스트, 패키징 거점으로 운영될 계획이다. 현재 인도 구자라트에서 생산하고 있는 DDR5 D램은 마이크론 최첨단 D램 공정이 적용된 최신의 1감마 공정 제품으로 올해 수천만 개의 칩을 패키징·테스트를 시작하고 내년에는 수억 개로 생산량을 확대할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 AI 메모리 반도체칩을 적층 생산하는 TC본더와 같은 첨단 반도체 패키징 장비에 약 1조원에서 2조원이 투자될 예정이다. 인도 반도체 미션의 승인을 받은 첫 번째 프로젝트이자 인도 최초의 반도체 공장이라는 역사적 의미도 지닌다. 이는 인도가 글로벌 반도체 공급망에서 핵심 제조 거점으로 도약하는 중요한 이정표로 평가받는다. 인도 정부는 '세미콘 인디아' 정책을 통해 약 100억 달러(약 14조5000억원) 규모의 보조금을 가동하며 글로벌 반도체 제조 허브로 도약을 추진하고 있다. 신규 공장의 안정적 가동을 위해서는 첨단 정밀 본딩 기술과 신속한 기술 지원이 필수적이다. 한미반도체는 마이크론의 핵심 협력사로서 인도 현지에 엔지니어를 파견해 밀착형 기술을 지원하고, 교육 프로그램을 운영하는 등 장기적 협력을 이어나갈 방침이다. 지난해 한미반도체는 마이크론으로부터 '탑 서플라이어'상을 수상하며 최우수 협력사로 선정된 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 인도 공장 오픈식과 라운드 테이블 참석은 한미반도체가 글로벌 반도체 공급망의 핵심 협력사로서 위상을 다시 한번 인정받는 계기”라며 “인도 현지에 엔지니어를 파견하고 적극적인 기술을 지원으로 고객 만족을 위해 노력하겠다”고 밝혔다.

2026.03.03 08:51장경윤 기자

반도체 고공행진…2월 수출 '훨훨' 날았다

2월 수출이 역대급 반도체 호황에 힘입어 역대 2월 최고 실적을 기록했다. 산업통상자원부는 2월 수출이 지난해 같은 달보다 29% 증가한 674억5000만 달러, 수입은 7.5% 증가한 519억4000만 달러로 무역수지가 역대 최대인 155억1000만 달러를 기록했다고 1일 밝혔다. 2월 수출은 설 연휴로 인해 지난해 같은 달보다 조업일수가 3일 줄었음에도 역대 2월 중 최대 실적인 674억5000만 달러를 기록했다. 조업일수를 고려한 하루 평균 수출도 49.3% 증가한 35억5000만 달러로 사상 처음으로 30억 달러 이상 실적을 기록했다. 13개월 연속 흑자를 보인 무역수지는 월간으로는 역대 최대 흑자규모를 보였다. 2월에는 15대 주력 수출품목 가운데 반도체, 컴퓨터, 선박, 무선통신, 바이오 등 5개 품목 수출이 증가했다. 반도체 수출(251억6000만 달러, 160.8% 증가)은 AI 투자 확대로 인한 초과 수요와 이에 따른 메모리 가격 급등이 지속되며 월 기준 전기간 역대 최대 실적 기록과 3개월 연속 200억 달러 이상 수출을 이어갔다. 무선통신기기(14억7000만 달러, 12.7% 증가)는 신규 모델 출시 영향으로 휴대폰 완제품(5억3000만 달러, 131.6% 증가)을 중심으로 4개월 연속 플러스를, 컴퓨터(25억6천만 달러, 221.6% 증가)는 SSD 수출 호조가 지속되며 5개월 연속 플러스를 기록했다. 자동차(48억1000만 달러, 20.8% 감소)와 자동차부품(14억5000 달러, 22.4% 감소) 수출은 설 연휴가 지난해 1월에서 올해 2월로 이동하면서 조업일수가 3일 감소해 생산 물량이 줄어들며 감소를 기록했다. 석유제품 수출은 가동률 상승으로 수출 물량은 확대됐으나, 글로벌 저유가 지속에 따른 수출단가 하락으로 3.9% 감소한 37억3000만 달러를 기록했고, 바이오헬스(13억1000만 달러, 7.1% 증가)는 기존·신규 제품 매출이 안정적인 성장세를 보이며 4개월 연속 플러스가 지속됐다. 한편, 석유화학(33억3000만 달러, 15.4% 감소)과 철강(23억6000만 달러, 7.8% 감소) 수출은 글로벌 공급과잉에 따른 수출단가 하락 영향으로 감소했다. 일반기계 수출은 조업일수 감소와 주요국의 설비투자 부진 등으로 16.3% 감소한 32억6000만 달러를 기록했다. 2월에는 9대 주요 수출지역 가운데 미국·중국·아세안·EU·일본·중동·인도 등 7개 지역 수출이 증가했다. 미국 수출(128억5000만 달러, 29.9% 증가)은 반도체와 컴퓨터 수출이 세자릿수의 높은 증가율을 기록한 가운데, 바이오헬스·석유제품·이차전지 등 품목이 고른 증가세를 보이면서 역대 2월 중 최대 실적을 경신했다. 중국 수출은 설 연휴와 춘절 영향으로 조업일수가 감소하며 다수 품목이 부진했으나, 반도체·컴퓨터·석유제품 등 수출이 큰 폭으로 증가하면서 전체적으로 34.1% 증가한 127억5000만 달러를 기록했다. 아세안 수출(124억7000만 달러, 30.4% 증가)은 최대 품목인 반도체·디스플레이·선박 등 주요 품목이 높은 성장세를 보이면서 역대 2월 중 1위 실적을 기록했다. EU 수출(56억 달러, 10.3% 증가)도 반도체·바이오헬스·선박 등 주력 품목이 고르게 증가하며 호실적을 기록했다. 2월 수입은 7.5% 증가한 519.4억 달러로, 에너지 수입(92억9000만 달러, 1.4% 감소)은 감소했으나, 에너지 외 수입(426억4000만 달러)은 9.6% 증가했다. 에너지 수입은 유가하락으로 원유(54억3000만 달러, 11.4% 증가) 수입은 감소했으나, 가스(26억4000만 달러, 15.9% 증가)는 증가했으며, 비에너지는 반도체(67억6000만 달러, 19.1% 증가), 반도체장비(25억6000만 달러, 43.4% 증가), 전화기(10억3000만 달러, 80.2 증가) 등 품목의 수입이 증가했다. 2월 무역수지는 전년대비 115억5000만 달러 증가한 155억1000만 달러 흑자로 전기간 역대 최대치를 경신함과 동시에 2025년 2월부터 13개월 연속 흑자를 기록했다. 김정관 산업부 장관은 “2월 수출은 설 연휴에 따른 조업일수 감소에도 반도체·컴퓨터·선박 등 주력 품목이 전체 수출을 견인하며 9개월 연속 증가세를 이어갔다”고 평가했다. 김 장관은 이어 “최근 중동 지역 긴장 고조와 미국 관세정책 등으로 우리 수출을 둘러싼 대외 불확실성이 확대되고 있다”며 “중동발 지정학적 리스크에 따른 영향을 최소화하기 위해 수출입 동향을 면밀히 점검하고 필요한 지원 대책을 차질 없이 추진하는 한편, 한-미 관세 합의를 통해 확보한 이익의 균형과 대미 수출 여건이 훼손되지 않도록 미국과의 긴밀한 소통을 지속하고 대미투자특별법의 조속한 국회 통과에도 만전을 기하겠다”고 밝혔다.

2026.03.01 12:08주문정 기자

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