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'메모리'통합검색 결과 입니다. (557건)

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AI 서버 수요 강세...3분기 낸드 가격 5~10% 인상 전망

인공지능(AI) 시장 성장으로 서버용 메모리 수요에 힘입어 3분기 낸드플래시 평균가격이 5~10% 증가할 전망이다. 다만 3분기 낸드 평균가격은 소비자용 낸드 가격 상승이 주춤하면서 2분기 상승률(15~20%)에 비해 증가률은 다소 둔화될 것으로 보인다. 1일 시장조사업체 트렌드포스는 올 3분기 낸드 제품별 가격은 엔터프라이즈용 SSD 15~20%, 클라이언트 SSD 3~8%, 소비자용(eMMC, UFS) 낸드는 3~8% 가량 증가할 것으로 전망했다. 트렌드포스는 "엔터프라이즈용 SSD는 서버 OEM 기업들이 IT 인프라에 상당한 투자를 단행하면서 주문이 급격히 늘어났다"라며 "대용량 QLC 엔터프라이즈 SSD는 주로 두 개의 주요 모듈 제조업체에서 공급하고 있다. 반면 다른 제조업체는 하반기에 용량 활용도를 최적화하기 위해 엔터프라이즈 SSD 주문을 놓고 치열하게 경쟁하고 있다"고 말했다. 클라이언트 SSD의 경우 하반기 노트북 판매가 전통적인 성수기에 접어들지만 고객 재고는 여전히 보수적이다. PC 최종 제품 가격은 작년의 가격 인상을 완전히 흡수하지 못한 결과, 하반기 낸드 수요가 늘어나지 않을 것으로 전망된다. 이는 클라이언트 SSD의 가격 인상이 억제되고 있는 이유다. eMMC는 3분기 여전히 수요가 부족하지만 모듈 제조업체는 더 높은 가격으로 공급을 추진하고 있다. 이는 최소한의 가격 상승으로 이어질 것으로 예상된다. 아울러 낸드 생산이 눈에 띄게 증가한 반면 소매 수요가 부진하면서 웨이퍼 현물 가격은 현재 계약 가격 보다 20% 이상 낮아질 것으로 전망된다.

2024.07.01 17:19이나리

"내년 메모리 캐파 역성장할 수도"…삼성전자, 생산량 확대 선제 대응

삼성전자가 메모리 생산량을 적극 확대하려는 움직임을 보이고 있다. HBM(고대역폭메모리)와 최선단 제품으로 공정 전환을 적극 추진하면서, 내년 레거시 메모리 생산능력이 매우 이례적으로 감소하는 현상이 나타날 수 있다는 전망 때문이다. 실제로 삼성전자는 메모리 제조라인에 최대 생산, 설비 가동률 상승 등을 적극 주문하고 있는 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 메모리 라인 전반을 최대로 가동하는 방안을 추진하고 있다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다. 정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다. 삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다. 현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다. 삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며, 국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다. 먼저 D램의 경우, 삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다. 삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼, HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다. 또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다. 이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다. 올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다. 시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데, 이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다. 반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다. 최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다. 업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고, 내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.

2024.06.28 11:34장경윤

3분기 D램 가격 8~13% 상승 전망…HBM·DDR5 효과

D램 가격이 2분기에 이어 3분기에도 최선단 제품을 중심으로 가격 상승세를 이어갈 것으로 예상된다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 D램의 ASP(평균판매가격)은 8~13% 증가할 전망이다. 현재 주요 D램 공급업체들은 HBM(고대역폭메모리) 생산량 비중을 확대하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 일반 D램 대비 수율이 낮아 막대한 양의 웨이퍼 투입이 필요하다. 수요 측면에서는 그간 부진한 흐름을 보인 일반 서버에서 DDR5에 대한 주문량이 확대되는 추세다. 또한 스마트폰 고객사들도 성수기를 대비해 재고를 활발히 보충하려는 기조가 나타나고 있다. 그 결과 D램의 ASP는 2분기 13~18% 증가한 데 이어, 3분기에도 8~13%의 상승세가 예견된다. 다만 HBM향을 제외한 레거시 D램 기준으로는 ASP가 5~10%가량 상승할 전망이다. 또한 전체 D램 내에서 HBM이 차지하는 비중은 2분기 4%에서 3분기 6%로 소폭 확대될 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "3대 공급사(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론)가 HBM 등을 이유로 가격 인상에 대한 분명한 의지를 드러내고 있다"며 "4분기에도 이러한 추세가 지속되면서 가격 상승세에 힘을 더할 것"이라고 설명했다.

2024.06.28 09:22장경윤

SK하이닉스 "자체 기술로 HBM 성공…경쟁사 출신 영입설 '사실무근'"

"SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리)는 업계 최고의 속도, 성능을 갖췄습니다. 온전히 회사 개발진들이 오랜 시간 갈고 닦아 온 자체 기술을 기반으로 하고 있죠. 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없었습니다." 27일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 HBM 기술개발의 주역인 박명재 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. SK하이닉스의 경우 지난 3월부터 5세대 HBM 제품인 HBM3E를 양산하고 있으며, 차세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 당초 내후년에서 내년으로 앞당긴 바 있다. SK하이닉스는 "2~3년 전부터 생성형 AI가 업계 판도를 뒤흔들면서 SK하이닉스의 HBM이 '벼락 성공'을 맞았다고 보는 시각도 있다"며 "그러나 회사는 지난 2013년부터 최고의 기술진이 15년 이상 연구·개발에 집중해 얻은 기술력으로 HBM 분야의 정상에 올랐다"고 설명했다. HBM설계 담당을 맡고 있는 박명재 부사장 역시 HBM이 시장의 주목을 받지 못하던 2010년대를 '위기 속에서 기회를 발견한 시기'라고 표현했다. 박 부사장은 "2010년대 중후반 HBM설계 조직은 공공연히 오지로 불렸다"며 "회사가 HBM2를 개발하는 과정에서 어려움을 겪고 있었고, 무엇보다 시장 성장이 예상보다 더뎠던 탓"이라고 설명했다. 그는 이어 "그러나 우리는 HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다"며 "이것이 HBM2E를 비롯해 후속 제품들의 개발을 밀고 나가는 원동력이 됐다"고 강조했다. 박 부사장은 이 과정에서 '성공의 키(Key)는 고객과 시장이 요구하는 것보다 월등히 높은 수준의 1등 성능을 확보하는 것'이라는 교훈을 얻었다. 그리고 이를 위해 절치부심하며 HBM2E 개발에 나섰다고 회상했다. 박 부사장은 "HBM2E부터는 외부 기대치보다 훨씬 높은 수준을 목표로 잡고 협업을 강화했다"며 "덕분에 MR-MUF, HKMG, Low-K IMD 등 주요 요소 기술과 현재의 기틀이 된 설계 및 테스트 기술들이 모두 이때 기반을 다지게 됐다”고 밝혔다. 이후 SK하이닉스는 세계 최고 용량 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 2023년 8월 HBM3E를 공개하며 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간(Time to Market)을 획기적으로 단축했다. 지난 3월에는 HBM3E 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급하기도 했다. 박 부사장은 이 같은 성공의 비결은 '성능, 품질, 시장 대응력'임을 강조했다. 그는 "SK하이닉스의 HBM은 업계 최고의 속도, 성능을 갖췄다"며 "특히 여기에 적용된 당사 고유의 MR-MUF 기술은 고성능으로 인한 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능 구현에 기여했다"고 말했다. 또한 박 부사장은 얼마 전 HBM 개발과 관련돼 항간에 돌았던 루머에 대해 '사실무근' 이라고 명확히 짚으면서 앞으로도 경쟁 우위를 확고히 지켜가겠다는 의지를 다졌다. 앞서 지난해 국내 일부 언론에서는 SK하이닉스가 경쟁사 출신의 개발자들을 영입해 HBM을 개발했다고 주장한 바 있다. 박 부사장은 "얼마 전 경쟁사의 HBM팀이 당사로 넘어와 기술을 개발했다는 사실무근의 루머가 있었는데, 온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"며 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"고 설명했다.

2024.06.27 10:36장경윤

마이크론, 'HBM3E' 매출 발생 시작…삼성·SK와 경쟁 본격화

마이크론이 인공지능(AI) 특수에 힘입어 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. D램과 낸드 모두 ASP(평균거래가격)이 20% 가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 HBM(고대역폭메모리) 부문이 역시 올해 및 내년 제품이 모두 매진되는 등 호조세를 보여 기대를 모았다. HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품은 최근 1억 달러의 매출을 올렸으며, HBM3E 12단 제품은 내년부터 대량 양산될 예정이다. 27일 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 16.9%, 전년동기 대비 81.5% 증가한 수치다. 증권가 컨센서스인 66억7천만 달러도 넘어섰다. 같은 기간 영업이익은 9억4천만 달러다. 전분기 대비 361% 증가했으며, 전년동기 대비 흑자전환했다. 또한 증권가 컨센서스(8억6천만 달러)를 상회했다. 마이크론의 이번 호실적은 각각 20%에 달하는 D램·낸드의 ASP 상승이 영향을 미쳤다. D램 매출은 47억 달러로 전분기 대비 13%, 전년동기 대비 75.9% 증가했다. 낸드는 21억 달러로 각각 32%, 107% 증가했다. 마이크론은 "데이터센터에서 AI 수요가 빠르게 증가하면서 매출이 연속적으로 크게 성장할 수 있었다"며 "HBM, 고용량 DIMM(듀얼 인라인 메모리 모듈), 데이터센터 SSD 등 고부가 AI 메모리 제품의 비중이 확대됐다"고 설명했다. 특히 HBM의 경우 해당 분기부터 출하량이 본격적으로 증가하기 시작했다. 마이크론이 가장 최근 발표한 HBM3E(5세대 HBM)도 이번 분기 1억 달러 이상의 매출을 발생시켰다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 해당 제품은 엔비디아의 최신 GPU인 'H200'용으로 공급됐다. 현재 마이크론은 HBM3E 12단까지 샘플을 진행한 상태로, 내년에 해당 제품의 대량 생산을 계획하고 있다. 마이크론은 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러, 2025년에는 수십억 달러의 매출을 일으킬 것"이라며 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐으며, 2025년에는 전체 D램 시장 점유율에 상승하는 HBM 시장 점유율을 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 회계연도 2024년 4분기(2024년 6월~8월) 매출 전망치로는 중간값 76억 달러를 제시했다. GPM(매출총이익률)은 34.5%다. 증권가 컨센서스인 매출 75억9천만 달러, GPM 34.5%에 부합하는 수준이다. 마이크론은 "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것"이라며 "특히 DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한하고, 향후 있을 HBM4의 거래 비중도 HBM3E보다 높을 것"이라고 예상했다. 한편 마이크론의 회계연도 2024년 설비투자(Capex) 규모는 최대 80억 달러에 이를 것으로 전망된다. 이 중 전공정(WFE) 분야 투자는 전년 대비 줄이기로 했다. 회계연도 2025년 설비투자는 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상되며, 해당 기간 매출의 30% 중반 내에서 자본 지출이 이뤄질 예정이다. 자본은 대부분 미국 아이다호 및 뉴욕 팹 건설, HBM용 설비투자에 집중된다.

2024.06.27 08:36장경윤

'AI 시대' HBM 이을 주자는 QLC 낸드…삼성·SK·엔비디아도 주목

최첨단 낸드 기술을 조망하는 국제 메모리 행사가 오는 8월 미국에서 열린다. 이번 행사는 AI 산업을 위한 낸드 솔루션에 초점을 맞출 예정으로, 삼성전자와 엔비디아 등도 이 같은 주제로 함께 담론을 나눌 것으로 알려졌다. 낸드는 데이터센터에 탑재되는 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에 활용되는 메모리반도체다. 최근 AI 산업의 발달로 D램 기반의 HBM(고대역폭메모리)가 각광받고 있으나, 낸드 역시 고용량 데이터를 효율적으로 저장하기 위한 요소로 떠오르고 있다. 25일 업계에 따르면 8월 6일부터 8일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라시에서는 '플래시 메모리 서밋 2024(FMS 2024)'가 개최될 예정이다. FMS는 낸드 및 낸드 기반의 스토리지(저장장치)를 중심으로 한 세계 최대의 메모리 행사다. 고적층 3D 낸드, NVMe(비휘발성 메모리 익스프레스) 등은 물론, CXL(컴퓨트 익스프레스 링크)나 UCIe 표준 칩렛 인터페이스와 같은 최첨단 기술의 동향도 조망한다. 이번 FMS 2024에는 전 세계 주요 메모리 기업들이 대거 참여할 예정이다. 메모리 소자업체인 삼성전자·SK하이닉스, 팹리스인 파두 등 국내 업체들도 주요 경영진의 기조연설(executive Premier Keynotes)을 진행한다. 이외에도 마이크론, 키오시아, 웨스턴디지털, 마이크로칩 등이 이름을 올리고 있다. 구체적인 연설 주제는 아직 발표되지 않았으나, 이번 행사의 주제는 AI에 초점이 맞춰질 것으로 전망된다. 반도체 업계 관계자는 "낸드는 데이터센터 산업의 핵심 요소로, 지난해 행사에서도 AI가 최대 화두로 오른 바 있다"며 "올해도 각 기업이 AI를 주제로 각종 발표를 준비하고 있는 것으로 안다"고 말했다. 특히 이번 FMS 2024에서 주목할 만한 행사는 주요 경영진의 AI 기술 관련 토의다. 해당 토의는 주요 AI 반도체 팹리스 기업인 엔비디아가 주최를 맡고, 삼성전자와 키오시아, 슈퍼마이크로, VAST가 패널로 참여한다. 토의 주제는 'AI 워크로드를 위한 메모리 및 스토리지 혁신'이다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업에 요구되는 방대한 양의 데이터를 관리하기 위한 최신 낸드 솔루션 개발에 열을 올리고 있다. 삼성전자의 경우 지난 4월 업계 최초로 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀)의 9세대 V낸드 양산을 시작한 바 있다. 290단대의 9세대 낸드는 업계 최소 크기의 셀과 몰드 두께 구현으로 이전 세대 대비 약 1.5배 높은 비트 밀도를 구현한 것이 특징이다. 나아가 삼성전자는 올 하반기 QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드도 본격 양산할 계획이다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. SK하이닉스도 자회사 솔리다임을 통해 데이터센터용 QLC 낸드 사업을 적극 확장하고 있다. 현재 60TB eSSD의 출시를 계획 중인 단계로, 내년에는 300TB 제품 개발을 목표로 하고 있다.

2024.06.25 13:55장경윤

삼성전자, 업계 최초 레드햇 인증 'CXL 인프라' 구축

삼성전자가 업계 최초로 글로벌 오픈소스 솔루션 선도기업 레드햇(Red Hat)이 인증한 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 인프라를 구축했다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 ▲가속기 ▲D램 ▲저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 삼성전자는 이를 통해 CXL 관련 제품부터 소프트웨어까지 서버 전 구성 요소를 화성캠퍼스에 위치한 삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)에서 검증할 수 있게 됐다. 삼성전자는 이달 업계 최초로 CMM-D 제품 레드햇 인증에 성공했으며, 이는 이번 인프라 확보로 이뤄낸 첫 성과다. CMM-D는 삼성전자의 최신 CXL 확장 메모리 디바이스를 뜻한다. CXL 제품 인증을 내부에서 자체 완료한 후 레드햇 등록 절차를 즉시 진행할 수 있어 신속한 제품 개발이 가능해졌으며, 고객들과 개발단계부터 제품 최적화를 진행해 맞춤 솔루션을 제공할 수 있게 됐다. 인증 제품을 사용하는 고객들은 레드햇으로부터 유지·보수 서비스를 받을 수 있어 신뢰성 높은 시스템을 더욱 편리하게 구축 가능하다. 이외에도 고객들은 ▲하드웨어 안정성 보장 ▲리눅스 호환성 보증 ▲전문적인 지원 등을 제공받을 수 있다. 삼성전자와 레드햇은 하드웨어에 이어 소프트웨어 기술까지 협력하며 CXL 생태계를 선도하고 있다. 삼성전자는 지난 5월 미국 덴버에서 진행된 '레드햇 서밋 2024'에서 기업용 리눅스 OS인 '레드햇 엔터프라이즈 리눅스 9.3 (Red Hat Enterprise Linux 9.3)' 기반 서버에 CMM-D를 탑재해 딥러닝 기반 추천 모델(DLRM) 성능을 향상시키는 시연을 진행했다. 해당 시연에는 SMDK의 메모리 인터리빙(복수의 메모리 모듈에 동시에 접근해 데이터 전송속도를 향상하는 기술)으로 차세대 솔루션인 CXL 메모리 동작을 최적화해 메모리 용량과 성능을 모두 높였다. SMDK는 차세대 이종 메모리 시스템 환경에서 기존에 탑재된 메인 메모리와 CXL 메모리가 최적으로 동작하도록 도와주는 오픈소스 소프트웨어 개발 도구다. 이를 바탕으로 빠른 데이터 처리와 AI 학습·추론 가속화가 가능해 고객은 추가 시설 투자 없이 더욱 뛰어난 성능의 AI 모델을 구현할 수 있다. 삼성전자와 레드햇은 CXL 메모리 생태계 확장과 새로운 기술 표준 제시를 목표로 파트너십을 강화해 다양한 사용자 시스템에 적합한 고객 솔루션을 제공할 계획이다. 송택상 삼성전자 메모리사업부 DRAM 솔루션팀 상무는 "이번 레드햇과의 협업으로 고객들에게 더욱 신뢰성 높은 CXL 메모리 제품을 제공할 수 있게 돼 매우 기쁘다"며 "하드웨어와 소프트웨어를 아우르는 양사 간의 지속적인 협업을 통해 혁신적인 메모리 솔루션 개발과 CXL 생태계 발전에 앞장설 것"이라고 말했다. 김경상 레드햇코리아 대표는 "삼성전자와 레드햇의 협력은 CMM-D와 같은 차세대 메모리 솔루션 확장에 오픈소스 기술이 중요함을 보여준다"며 "양사는 CXL 솔루션의 시장 확대를 위해 지속 협력할 것"이라 밝혔다.

2024.06.25 08:49장경윤

SEMI "세계 반도체 생산능력, 올해 6%·내년 7% 성장할 것"

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최근 보고서를 통해 전 세계 반도체 업계 생산능력은 올해 6%, 내년 7% 성장해 내년 기준 월 3천370만 장(8인치 웨이퍼 환산)에 도달할 것이라고 24일 밝혔다. 5나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에 대한 생산능력은 AI를 위한 칩의 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것으로 예상된다. 특히 인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 주요 공급사들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(게이트-올-어라운드)를 도입하고 있다. 이에 따라 내년에는 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력이 17% 증가할 것으로 예상된다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다”며 "이는 결국 AI가 더 많은 반도체 수요를 이끌어내어 반도체 산업에 투자를 장려하고, 다시 이 투자가 더 발전된 AI 칩을 만들 수 있는 선순환 구조를 창출하고 있다”고 말했다. 지역별로는 중국이 올해 15%, 내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 생산능력을 확보할 것으로 전망된다. 과잉 공급의 잠재적 위험에도 불구하고, 중국 제조사들은 지속적으로 생산능력 확대에 투자하고 있다. 특히 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이 이러한 흐름을 주도하고 있다. 대부분의 다른 지역은 내년 5% 이하의 생산 능력 증가세를 보일 것으로 예상된다. 대만은 내년에 4% 성장한 월 580만 장으로 2위를 차지할 것으로 예상되며, 한국은 올해 처음으로 월 5백만 장을 넘긴 후 내년 7% 성장한 월 540만 장으로 3위를 차지할 것으로 보인다. 산업별로는 파운드리 부문의 생산능력이 올해 11%, 내년 10% 성장한 뒤, 2026년에는 월 1천270만 장에 이를 것으로 예상된다. 메모리 부문은 AI 서버의 증가세에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 등에서 대규모 투자가 발생하고 있다. 이에 따라 D램은 올해와 내년 모두 9%의 성장세를 보이겠다. 반면 3D낸드의 시장 회복세는 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에는 5% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.24 11:34장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

김종우 ISC 대표, 자사주 2천주 매입…"회사 성장 자신감"

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 김종우 대표가 지난 18일 장내 매수를 통해 총 1억3천800만 원 규모의 자사주 2천주를 취득했다고 24일 밝혔다. 비메모리 양산 시장 진입, 글로벌 빅테크 고객사 확보와 반도체 경기회복에 따른 실적 성장 및 미래 회사 가치에 대한 자신감을 드러낸 행보로 풀이된다. 또한 ISC는 올해 '선택과 집중'을 성장 방향성으로 잡고 'ISC 2.0' 프로젝트를 발표한 바 있다. 주력 사업인 테스트 소켓에 더욱 집중할 기반을 만들고 차세대 먹거리인 AI 반도체 수요에 대응하는 전략으로 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 데 의의가 있다. 지난 2023년 10월 SKC 편입 시 발행한 유상증자를 통해 2천억 원을 확보한 ISC는 이를 토대로 베트남 공장 CAPA 확대, 글로벌 고객사 대응을 위한 북미 R&D 오피스 개설 등 업황 개선에 맞춘 투자를 진행해 왔다. 비수기 선제적인 투자로 북미 대형 고객사를 다수 확보해 비메모리 양산 매출이 빠르게 증가하고 있는 것으로 알려져 2분기 본격 성장 궤도에 오를 것으로 전망된다. 아이에스시 관계자는 ”글로벌 고객사 양산 소켓 수주가 이어지면서 2분기부터 본격 성장이 예상된다”며 “금번 김종우 대표이사의 자사주 매입을 기점으로 주주가치 제고를 위해 최선을 다하겠다”고 강조했다.

2024.06.24 09:57장경윤

서린씨앤아이, 지스킬 립죠스 M5 RGB 메모리 출시

서린씨앤아이가 20일 데스크톱PC용 립죠스 M5 DDR5 RGB 메모리를 국내 출시했다. 지스킬 립죠스 M5 RGB 메모리는 방열판과 RGB LED를 지원하는 보급형 제품이며 기존 출시 제품군 대비 가격을 낮췄다. 상단 RGB LED와 방열판 디자인에 일체성을 부여해 조명을 이용한 튜닝이 가능하다. 기본 작동 클록은 DDR5-5200MHz, 램타이밍은 CL40-40-40-83이며 32GB(16GB 모듈 2개), 64GB(32GB 모듈 2개) 등 2개 제품군으로 출시된다. 전력 관리 반도체(PMIC)를 내장해 저전력 대비 높은 효율을 내며 비트 단위 오류를 정정하는 온다이 ECC 기술 등 DDR5 메모리 기본 기술을 모두 지원한다. 방열판 색상은 블랙, 화이트 두 종류이며 가격은 32GB 패키지 기준 14만 9천원.

2024.06.20 10:09권봉석

오픈엣지, 日 현지 법인·R&D센터 신설

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지)는 일본 요코하마에 현지 법인인 '오픈엣지스 테크놀로지 재팬(OTJ)' 및 연구개발(R&D) 센터를 설립했다고 18일 밝혔다. 이번 법인 신설은 오픈엣지의 네 번째 글로벌 R&D 조직으로, 미국 및 캐나다에 이어 일본에서도 결성됐다. 앞서 오픈엣지는 지난 10월에도 일본 요코하마에 영업 사무실을 개소한 바 있다. 오픈엣지는 일본 내 팹리스 고객과 디자인하우스 업체를 대상으로 반도체 IP 제품의 적극적인 세일즈 활동을 전개하고 있다. 지난 10월에 개소한 요코하마 사무소는 현지 반도체 IP 수요에 신속하게 대응하고, 고객 요청에 긴밀하게 응대하기 위한 전략적 기지로 기능했다. 이번에 신설된 교토 R&D센터에서는 DDR 메모리 컨트롤러 기술을 중점적으로 개발할 계획이다. 이는 일본 시장의 특성과 수요를 고려한 결정으로, 해당 기술의 혁신을 통해 일본은 물론 글로벌 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다. 이성현 오픈엣지 대표는 “회사 창립 이래로 국내는 물론 글로벌 반도체 IP 시장에서의 입지를 강화하는 것을 목표로 삼고 있다”며 “향후에는 동유럽 등 연구개발 인력이 집중된 지역을 중심으로 글로벌 거점 확대를 지속적으로 검토할 계획”이라고 밝혔다. 한편 오픈엣지의 캐나다 자회사에서는 DDR PHY(물리계층) IP 연구개발을, 미국 자회사에서는 NoC(네트워크-온-칩) IP개발에 주력하고 있다.

2024.06.18 09:45장경윤

낸드 부활에 日 키오시아 '투자 시동'…韓 장비업계 '방긋'

낸드플래시 시장이 완연한 회복세에 접어든 가운데, 일본 주요 제조업체인 키오시아가 내년부터 설비투자를 재개할 전망이다. 이를 위해 국내 장비업계와도 설비 도입을 활발히 논의 중인 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 일본 키오시아는 내년 V8, V9 등 선단 낸드로 공정을 전환하기 위한 설비투자를 진행할 예정이다. 현재 키오시아는 일본 미에현 욧카이치와 이와테현 기타카미 지역에 팹을 운영하고 있다. 두 공장 모두 낸드를 생산하고 있다. 주력 제품은 6세대에 해당하는 112단 낸드 등으로 알려져 있다. 키오시아의 낸드 팹은 메모리 업황의 회복세에 따라 올해부터 가동률을 본격적으로 끌어올리고 있다. 두 팹의 가동률은 1분기 기준 70~80%대로 추산됐으나, 현재는 사실상 '풀가동' 수준에 도달했다. 일본 닛케이아시아는 최근 보도를 통해 "키오시아가 20개월 만에 감산을 종료해 6월 기준으로 주요 공장의 가동률을 100%로 끌어올렸다"며 "올 1분기 103억 엔의 순이익을 기록하면서 6분기 만에 흑자전환에 성공하기도 했다"고 밝혔다. 나아가 키오시아는 V8, V9 등 선단 낸드로의 공정 전환을 위한 투자에 적극 나설 계획이다. 이를 위해 키오시아는 현재 IPO(기업공개)를 추진 중이며, 신규 설비 투자에 따라 일본 정부로부터 2천400억 엔에 달하는 지원금을 받기로 하는 등 재원을 마련하고 있다. 설비투자는 키오시아가 이전부터 추진해 온 프로젝트를 재가동하는 방식으로 진행된다. 앞서 키오시아는 지난 2022년부터 욧카이치와 기타카미에 신규 팹을 하나씩 착공해 왔다. 생산능력은 각각 월 6만장, 2만5천장 수준으로 알려졌다. 그러나 두 팹 모두 낸드 시장의 급격한 부진으로 인해, 투자 일정이 지속 연기된 바 있다. 국내 장비업계와도 투자를 위한 논의를 활발히 진행 중인 것으로 파악됐다. 내년 상반기에는 욧카이치 신규 팹을 위한 마무리 투자가, 하반기에는 기타카미 신규 팹의 본격적인 투자가 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "키오시아 주요 임원진이 올 2분기 초에 국내 장비업체에 방문하기도 하는 등 투자 논의가 적극적으로 진행되는 분위기"라며 "내년 낸드 업황이 더 살아날 수 있다는 신호로 해석된다"고 설명했다.

2024.06.17 11:01장경윤

美 마이크론, 1분기 D램 매출 '껑충'…삼성·SK 추격

미국 주요 메모리 공급업체 마이크론의 1분기 D램 매출이 전분기 대비 두 자릿 수로 상승했다. 이에 따라 업계 1·2위인 삼성전자, SK하이닉스와의 시장 점유율 격차도 좁혀졌다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 1분기 전 세계 D램 매출 규모는 전분기 대비 5.1% 증가한 183억5천만 달러로 집계됐다. 매출 확대의 주요 원인은 ASP(평균거래단가)의 상승이다. 메모리 공급사들이 가격 인상에 적극적인 의지를 보이면서, D램 가격은 지난해 4분기부터 올 1분기까지 꾸준히 상승해 왔다. 특히 모바일 D램이 중국 스마트폰 판매 호조로 가장 높은 가격 상승률을 기록했다. 반면 소비자용 D램 가격은 여전히 높은 고객사의 재고 수준으로 가장 부진한 흐름을 보였다. 기업 별로는 마이크론이 가장 큰 성장세를 기록했다. 1분기 마이크론의 D램 매출은 39억5천만 달러로 전분기 대비 17.8% 증가했다. 시장점유율도 전분기 19.2%에서 1분기 21.5%로 확대됐다. 트렌드포스는 "마이크론은 해당 분기 ASP가 23% 상승한 반면 출하량은 4~5% 감소하는 데 그쳤다"며 "미국 고객사의 주문량 증가, 서버용 D램 출하량 확대 등이 성장을 주도했다"고 설명했다. 삼성전자는 1분기 매출이 80억5천만 달러로 전분기 대비 1.3% 증가했다. 출하량이 한 자릿수 중반 대로 감소했으나, 가격이 20%가량 오르면서 이 같은 영향을 상쇄했다. 다만 시장 점유율은 43.9%로 전분기 대비 1.6%p 하락했다. SK하이닉스는 1분기 매출이 전분기 대비 2.6% 증가한 57억 달러로 집계됐다. 다만 삼성전자와 마찬가지로 시장 점유율은 전분기 대비 0.7%p 감소해 31.1%를 기록했다. 한편 D램 시장은 올 2분기 출하량 면에서도 회복세가 예상된다. 트렌드포스는 "지난 4월 발생한 대만 지진에 따른 불확실성으로 일부 PC OEM 업체들이 당초보다 가격 인상을 수용하는 분위기"라며 "최종 D램 고정거래가격이 13~18% 상승할 것으로 추정된다"고 밝혔다.

2024.06.14 09:52장경윤

차세대 2나노 첨단공정 개발에 'W2W' 웨이퍼 본딩 기술 뜬다

최첨단 패키징 기술인 W2W 하이브리드 본딩이 미래 반도체 시장의 핵심 요소로 떠오를 전망이다. 특히 2나노미터(nm) 이하에서 상용화될 BSPDN, CFET 등이 유력한 적용처로 떠오르고 있다. 한국EV그룹(EVG)는 13일 코트야드 메리어트 서울 판교에서 'EVG 테크놀로지 데이'를 열고 최첨단 본딩 기술의 시장 전망에 대해 밝혔다. 오스트리아에 본사를 둔 EVG는 반도체 및 디스플레이 후공정용 장비를 전문으로 개발하는 업체다. 웨이퍼 본딩장비 및 나노임프린트(NIL), 얼라이너, 코터, 적외선(IR) 계측 시스템 등을 개발해 왔다. 특히 EVG는 W2W 등 첨단 하이브리드 본딩 시장에 주력하고 있다. 하이브리드 본딩은 두 반도체 칩을 구리 배선은 구리 배선끼리, 절연 물질은 절연 물질끼리 각각 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이고, 전기적 특성 및 방열 특성을 높일 수 있다. 하이브리드 본딩은 패키징을 웨이퍼, 혹은 개별 다이(Die)에서 수행하는지에 따라 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼), D2D(다이-투-다이), D2W(다이-투-웨이퍼) 등으로 나뉜다. 이 중 W2W는 웨이퍼끼리의 연결로 생산성이 높다는 장점이 있다. EVG가 전망하는 W2W 하이브리드의 유망한 적용처는 BSPDN(Back Side Power Delivery Network), CFET(Complementary FET) 등 첨단 반도체 공정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자가 내년 양산 예정인 2나노 공정에 BSPDN을 첫 적용하기로 하는 등 주요 반도체 기업들로부터 많은 주목을 받고 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술이다. 향후 1나노급 공정에서 적용될 것으로 점쳐진다. 기존 트랜지스터 내부에는 +극을 인가하면 전류를 발생시키는 p형 반도체(pMOS)와 -극을 인가하면 전류를 발생시키는 n형 반도체(nMOS)가 수평적으로 집적돼 있다. 반면 CFET은 이 nMOS와 pMOS를 수직으로 적층한다. GAA 트랜지스터가 위로 겹겹이 적층되는 셈이다. 토스튼 마티아스 EVG 아시아태평양 세일즈 총괄은 "BSPDN 혹은 새로운 트랜지스터 구조를 구현하려면 첨단 웨이퍼 본딩 공정이 단일, 혹은 복수로 적용돼야 한다"며 "EVG는 이러한 솔루션을 위한 본딩 장비를 적용처별로 보유하고 있다"고 설명했다.

2024.06.13 15:16장경윤

파두, 해외기업 매각·투자설에 "사실무근" 반박

국내 팹리스 파두는 복수의 IT 기업으로부터 기업 매각 및 투자 제안을 받았다는 주장에 대해 "사실무근"이라고 13일 밝혔다. 앞서 일각에서는 파두가 글로벌 기업으로부터 15억 달러(한화 약 2조원) 규모의 투자 제안을 받았으나, 해당 제안을 끝내 반려했다는 주장이 제기됐다. 이와 관련 파두는 "당사 임직원은 해당 사실에 대해 알고 있는 바가 없음을 명확히 고지드린다"며 "해당 보도를 한 언론사가 기사의 내용을 확인하기 위해 당사에 사전 문의한 바도 없었다"고 밝혔다. 회사는 이어 "당사는 기업가치 제고와 주주 이익 제고를 위해 최선의 노력을 다하고 있으며, 향후에도 이러한 자세를 견지할 것임을 다시 한번 약속 드린다"고 강조했다. 파두는 데이터센터용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에 필요한 컨트롤러 칩을 주력으로 개발하는 기업이다. 메인보드 및 운영체제가 낸드플래시를 저장 장치로 인식하고 사용할 수 있도록 지원하는 반도체다. 파두의 주요 거래처는 국내 주요 메모리 기업인 SK하이닉스로, 최근에는 미국 웨스턴디지털(WD)과도 기업용 SSD 관련 협력을 체결하는 등 외연을 확장하고 있다.

2024.06.13 13:43장경윤

반도체, 설비 증설이 경쟁력…"보조금 늘려야 韓 시장 입지 사수"

글로벌 주요국들이 자국내 반도체 생산기지 구축을 위해 다양한 정책을 펴고 있는 가운데, 한국이 반도체 공급 역량과 시장지배력을 지키기 위해선 설비 증설 투자가 필요하다는 주장이 산업계에서 나왔다. 기업들의 설비 증설을 촉진하기 위해선 적극적인 보조금 지원이 따라야 한다는 조언도 나왔다. 기업들이 이에 따라 원가를 절약하고, 이에 따른 영업이익 개선이 법인세로 정부에 돌아온다는 주장이다. 주요 국가들은 이미 천문학적 규모의 보조금을 지급하고 있다. 미국 390억 달러(53조원), EU 430억유로(64조원), 일본 2조엔(17조원) 등 생산시설에 보조금을 지원하는 가운데 한국, 대만은 보조금이 없는 실정이다. 대한상공회의소와 딜로이트 안진회계법인은 한국신용평가 자료 등을 분석해 13일 이같은 내용을 담은 '반도체 공급 역량 및 원가 경쟁력 향상 위한 정책과제 보고서'를 발표했다. 보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 반도체 주요 3사의 D램 반도체 공급 증가 요인에서 '설비 증설'이 차지하는 비중은 2018~2020년 8%에서 2020~2022년 53%로 대폭 늘었다. 같은 기간 '기술발전' 요인의 비중은 92%에서 47%로 크게 줄었다. 낸드플래시 역시 공급 증가 요인에서 설비증설이 차지하는 비중은 3%에서 42%로 크게 증가한 반면, 기술발전의 기여도는 97%에서 58%로 크게 줄었다. 보고서는 “선단공정의 미세화 난이도 상승과 물리적 한계 근접에 따라 기술발전보다는 설비증설을 통한 공급 능력 확대가 반도체 생산 역량 확보에 더 주요한 요인으로 변화하고 있다”며 “결국 라인 증설을 위한 대규모 자본 투입과 자금 확보 여부가 점점 더 중요해질 것이고, 글로벌 주요국들이 천문학적 보조금을 쏟아 붓는 이유나 국내에서 보조금 필요성 얘기가 계속 나오는 이유도 이런 배경 때문”이라고 분석했다. 보고서는 반도체 보조금 지급이 원가경쟁력에 미칠 영향에 대한 분석도 내놓았다. 반도체 설비투자 보조금을 미국과 일본 중간 정도인 30% 정도로 지급하게 될 경우 장치산업 특성상 영업비용 대비 약 40% 중반을 차지하는 감가상각비 감소로, 반도체 생산에 최대 10%의 원가 절감 효과가 발생한다고 분석했다. 보고서는 반도체 업계의 재무제표를 토대로 3나노 파운드리와 5나노 파운드리, D램 웨이퍼 1장 생산에 소요되는 영업비용을 추산한 후 보조금 지급에 따른 원가 절감 효과를 도출했다. 3나노 파운드리를 예로 들면, 웨이퍼 1장 생산에 드는 영업비용이 1만1천459달러인데, 보조금 30% 수령 시 장부상 자산가치가 이에 비례해 하락하고 이는 곧 감가상각비 감소로 이어진다. 영업비용 중 46%를 차지하는 감가상각비는 보조금 지급 전 5천271달러였는데, 보조금 지급 후에는 1천581달러 감소한 3천690달러가 된다. 기업은 감가상각비 감소분만큼 영업이익이 증가하게 돼 417달러의 법인세를 추가로 납부하게 된다. 보조금 지급에 따라 기업 입장에서는 영업비용이 절감되고, 정부입장에서는 법인세로 일부 환류되는 효과를 얻을 수 있다는 지적이다. 대한상의는 “경쟁국들은 막대한 보조금을 투입해 원가경쟁력을 빠르게 키워가고 있다”며 “시장 잠식은 물론, 기업의 수익성 개선 효과로 설비‧R&D 투자 역량이 추가 확보돼 반도체 산업의 미래 주도권이 위협받지 않을까 우려된다”고 말했다. 보고서는 “결국 반도체 산업의 핵심은 생산능력과 원가경쟁력”이라며 “설비투자 보조금 지급을 통해 '규모의 경제'를 조기 실현할 수 있도록 돕는 게 가장 중요하다”고 강조했다. 김문태 대한상의 산업정책팀장은 "최근 정부가 발표한 26조원 규모의 반도체 지원책은 소부장 기업을 포함한 반도체 생태계 전반에 도움을 줄 것"이라며 "다만, 반도체 생산 기업 내부의 규모의 경제 달성을 앞당겨 글로벌 시장지배력을 확장하고, 밸류체인상 기술 혁신을 이루기 위해서는 좀더 직접적인 지원 방안을 강화할 필요가 있다"고 말했다.

2024.06.13 12:00김윤희

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

삼성전자, '1b D램' 양산에 사활…수율 잡을 TF 가동

삼성전자가 데이터센터용 최선단 D램 사업 확대에 사활을 걸고 있다. 최근 1b(5세대 10나노급) D램의 수율을 끌어올리기 위한 조직을 만들고, 연내 생산량을 크게 확대하기 위한 계획을 세운 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자 메모리사업부는 지난달 1b D램의 수율을 높이기 위한 별도의 TF(태스크포스)를 구성했다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준인 5세대 10나노급 D램을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공한 바 있다. 특히 삼성전자는 32Gb 1b D램을 향후 주력 제품으로 내세울 계획이다. 해당 D램이 16Gb 제품과 동일한 패키지 크기로 구현된 것은 물론, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있기 때문이다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. 삼성전자는 32Gb 1b D램의 퀄(품질) 테스트를 지난 3월 완료하고 본격적인 양산 준비를 해왔다. 그러나 해당 계획에 가장 큰 발목을 잡고 있는 요소가 바로 '수율'이다. 수율은 웨이퍼 투입량 대비 산출되는 반도체 양품의 비율을 뜻한다. 현재 삼성전자의 1b D램 수율은 통상적인 D램의 목표 수율인 80~90%에 아직 도달하지 못한 것으로 추산된다. 수율이 일정 수준까지 도달하지 않으면 제조사 입장에서는 생산성 및 수익성을 담보하기가 어렵다. 이에 삼성전자는 지난달 1b D램의 수율을 최대한 빨리 끌어올리기 위한 TF를 만들었다. 해당 조직은 메모리사업부 내 전공정 담당 직원들로 구성된 것으로 알려졌다. 동시에 삼성전자는 1b D램의 생산량도 적극 확대하기로 했다. 올 상반기까지 생산능력을 월 4만장 수준에서 3분기 7만장, 4분기 10만장으로 확대하고, 내년에는 이를 20만장까지 늘릴 계획을 세운 것으로 파악됐다. 1b D램의 주요 생산거점은 평택 P2와 화성 15라인이 될 것으로 관측된다. 특히 P2는 메모리 불황 시절 감산이 적극적으로 진행된 1z(3세대 10나노급 D램) 라인으로, 공정 전환이 활발히 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "경쟁사 대비 생산능력을 충분히 갖출 수 있고, HBM(고대역폭메모리)과 달리 TSV를 활용하지 않기 때문에 삼성전자가 1b D램 확대에 사활을 걸고 있다"며 "새로 부임한 전영현 DS부문장도 1b D램 수율 향상에 주목하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.06.11 14:59장경윤

1Q 반도체 장비 청구액 264억 달러...전년比 2% 하락

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 올해 1분기 반도체 장비 청구액이 전년동기 대비 2% 감소한 264억 달러를 기록했다고 11일 밝혔다. 전분기 대비로는 6% 하락한 수치다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "전 세계 반도체 장비 매출액이 소폭 감소했음에도, 반도체 산업에 대한 주요 지역의 전략적 투자와 첨단 기술에 대한 수요가 반도체 장비 시장의 회복세를 촉진할 것"이라고 말했다. 국가별로는 중국이 125억2천만 달러로 가장 큰 규모를 기록했다. 전년동기 및 전분기 대비 각각 113%, 3% 증가했다. 2위 한국은 52억 달러로 전년동기 대비 7% 감소했다. 다만 전분기 대비로는 8% 늘었다. 3위 대만은 23억4천만 달러로 전년동기 대비 66%, 전분기 대비 22% 감소했다. 한편 SEMI 회원사와 일본 반도체 장비 협회(SEAJ)가 제출한 데이터를 바탕으로 작성된 전 세계 반도체 장비 시장 통계 리포트는 글로벌 반도체 장비 산업의 월간 청구액을 자세히 보여준다.

2024.06.11 11:50장경윤

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