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'메모리'통합검색 결과 입니다. (525건)

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파네시아 "내년 하반기 CXL 3.1 스위치 칩 고객사에 제공"

파네시아가 내년 하반기에 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 3.1 기반 스위치 시스템온칩(SoC)을 생산해 고객사에게 제공한다고 밝혔다. 이 칩은 LLM(대규모언어모델) 등 대규모 AI 응용을 처리하는 차세대 데이터센터 구조 설계에 활용될 수 있다. 정명수 파네시아 대표는 지난 16일 부산에서 개최된 반도체공학회 포럼의 메인 키노트에서 CXL 핵심 제품군의 개발현황과 로드맵을 발표했다. CXL 스위치는 CPU, 메모리, 가속기 등 여러 시스템 장치들을 연결하고 이들 사이의 종단간(end-to-end) 통신을 관리하는 핵심 장치다. 이날 정명수 대표는 올해 파네시아가 실리콘 공정을 마친 CXL 3.1 컨트롤러 칩의 실물을 공개했다. 정 대표는 제품을 꺼내들며 "본 실리콘 칩에는 파네시아가 기존에 순수 국내 기술력만으로 개발한 세계에서 가장 빠른 CXL 3.1 IP 가 내재됐다"고 강조했다. 파네시아의 CXL 3.1 IP는 세계 최초로 두 자리 나노초(nanosecond)의 지연시간을 달성한 바 있다. 파네시아의 CXL 스위치는 최신 표준인 CXL 3.1에 정의된 기능 지원뿐 아니라 이전 표준을 지원하는 장치와도 상호 동작 가능하다. 또 고확장성도 특징이다. 여러 대의 스위치를 다수의 계층으로 연결하거나, 섬유와 같은 구조(패브릭 구조)를 구성함으로써 여러 개의 서버에 장착된 수백대 이상의 장치들을 연결할 수 있다. 파네시아는 CXL.mem, CXL.cache, CXL.io 까지 모든 CXL 프로토콜의 IP를 확보해뒀기에 메모리, AI가속기, GPU등 스위치에 연결할 수 있는 장치 종류가 특정 타입에 제한되지 않는다. 파네시아는 CXL 3.1 스위치의 활용 예시로, 챗GPT와 같은 대규모 AI 응용을 가속하는 차세대 데이터센터 구조를 소개했다. 정 대표는 "파네시아가 제안하는 것은 GPU 풀(GPU로 구성된 서버), 메모리 풀(메모리로 구성된 서버) 처럼 특정 시스템 장치를 한데 연결한 서버를 각각 구성하고, 이 서버들을 CXL로 연결해 통합된 시스템을 구성하는 것"이라며 "이후 각각의 시스템 장치 풀에서 잘 처리할 수 있게하면, 다양한 모델·연산을 가장효율적인 형태로 처리하는 것이 가능해진다"고 말했다. 이어서 그는 "이를 위해서는 CXL 스위치가 다양한 종류의 장치를 연결하고, 여러 서버를 하나의 시스템으로 연결해야 하는데, 범용적이며 고확장성을 지원하는 파네시아의 스위치가 적합하게 활용될 수 있다"고 설명했다. 한편, 파네시아는 2022년 USENIX 연례회의에서 전세계 최초로 CXL 스위치를 포함한 CXL 2.0 전체 시스템을 공개하며 주목 받았으며, 이듬해는 앞선 시스템을 발전시켜 CXL 3.0, CXL 3.1 표준을 지원하는 전체 시스템을 국제 전시회에서 공개하며 이름을 알렸다. 올해 초에는 CXL 탑재 AI 가속기를 공개하여 CES 2024 혁신상을 수상했다.

2024.07.23 10:30이나리

올해 메모리 시장 커진다…HBM·QLC가 성장 견인

22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 D램과 낸드 매출은 각각 907억 달러, 674억 달러로 전년 대비 각각 75%, 77%가량 크게 증가할 것으로 예상된다. 또한 메모리 시장의 성장세가 내년에도 지속되면서 해당 기간 D램은 51%, 낸드는 29% 증가해 사상 최고 매출을 기록할 전망이다. 특히 D램의 경우 평균판매가격이 올해 53%, 내년 35% 상승할 것으로 보인다. 트렌드포스는 D램 매출이 증가하는 요인을 ▲HBM(고대역폭메모리) 호황 ▲ 범용 D램의 차세대 제품 출시 ▲공급사의 제한된 자본 지출 ▲서버 수요 회복 등 네 가지로 꼽았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. HBM은 올해 전체 D램 비트(bit) 출하량의 5%, 매출의 20% 비중을 차지할 것으로 예상된다. DDR5, 및 LPDDR5·5X 등 고부가 D램 수요도 호조세다. 트렌드포스는 "서버용 D램에서 DDR5가 차지하는 비트 출하량은 올해 40%, 내년 60~65%에 달할 것"이라며 "LPDDR5·5X는 모바일용 D램 출하량에서 올해와 내년 각각 50%, 60% 비중을 차지할 것"이라고 설명했다. 낸드는 QLC(쿼드 레벨 셀)이 매출 증가세를 주도할 것으로 예상된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 덕분에 고용량 데이터를 다루는 서버 시장에서 수요가 증가하는 추세다. QLC가 올해 낸드 전체 비트 출하량에서 차지하는 비중은 20%로, 내년에도 해당 비중은 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "내년 서버용 QLC 낸드 수요 증가와 스마트폰 산업에서의 QLC 낸드 채택, 공급사의 생산능력 제약 등으로 낸드 시장이 내년 870억 달러에 도달할 것"이라며 "북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 이미 추론 AI 서버용으로 QLC 낸드를 주문하기 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.23 10:21장경윤

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

파두, 메타·WD와 '美 FMS'서 공동 기조연설 진행

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 8월 초 열리는 '2024 FMS(Future of Memory and Storage)'에서 인공지능(AI) 데이터센터에 최적화한 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 컨트롤러 및 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 솔루션을 선보인다고 22일 밝혔다. 2024 FMS는 현지시간 기준 오는 8월 6일부터 8일까지 미국 캘리포니아 실리콘밸리 산타클라라컨벤션 센터에서 열리는 세계 최대규모 반도체 전시회다. 기존 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)에서 올해부터 퓨처 오브 메모리 앤드 스토리지(Future of Memory and Storage)로 명칭이 변경됐다. 이 행사 개막일인 6일(현지시간) 파두 이지효 대표는 로스 스텐포트 메타 스토리지 엔지니어인와 에릭 스패넛 웨스턴디지털 마케팅 부사장과 함께 3사 공동 기조 연설에 나선다. 개막일 기조연설은 파두 외에도 삼성전자, SK하이닉스, 키옥시아 등 업계 대표 기업들이 참여하는 행사의 백미다. 이 대표는 “AI 혁명을 이끌다”라는 주제로 AI 시대에 요구되는 플래시 메모리 저장장치의 미래와 이에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 및 컨트롤러 기술 변화에 대해 진단하고 저전력 고효율 중심의 표준화를 제안할 예정이다. 이를 통해 ▲AI 시대 맞춤형 차세대 SSD 개발 ▲5세대(Gen5) 컨트롤러 리딩 기업 및 6세대(Gen 6) 컨트롤러 선도 기업으로 자리매김 ▲CXL을 중심으로 한 차세대 데이터센터 시스템 등 파두가 개척해 나아가야 할 미래를 제시할 계획이다. 파두는 이번 FMS를 통해 최근 데이터센터의 화두가 되고 있는 총 소요비용(TCO) 절감을 위한 저전력, 고효율 관점의 차별점을 중심으로 업계 최고 성능을 갖춘 5세대 및 6세대 컨트롤러와 함께 FDP(Flexible Data Placement), ATS(Address Translation Service) 등 차세대 SSD에 요구되는 혁신기술들을 대거 선보일 예정이다. 또한 CXL 스위치를 통해 GPU와 DRAM, SSD를 보다 효율적으로 연결함으로써 AI시대에 맞는 데이터센터 시스템을 제안한다. 이 대표는 “이번 FMS에서는 이미 경쟁우위가 확인된 5세대 SSD 컨트롤러에 이어 초고성능 6세대 컨트롤러 및 고효율 전력관리 반도체(PMIC)를 FDP와 같은 차세대 기술과 묶어 선보일 것"이라며 "본격 성장기에 들어서는 기업용 SSD 시장을 제패함은 물론 CXL 스위치를 통해 시스템 차원의 종합 반도체 업체로 발돋움하는 계기로 삼겠다”고 밝혔다.

2024.07.22 09:17장경윤

"건축허가 45일만에"…용인 반도체산단에 韓 소부장도 '깊은 관심'

용인특례시가 주요 반도체 기업들의 투자 유치를 위한 지원책 마련에 분주하다. 최근 대규모 제조시설 건립에 필요한 상수보호구역 해제, 산업단지 심의 통과 등을 진행했으며, 논란이 된 전력·용수 문제도 적극 해결할 계획이다. 특히 해외 주요 반도체 장비기업 램리서치에 건축허가를 45일만에 내주는 등, 소부장 생태계 활성화에도 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 동진쎄미켐 등 국내 소부장 기업들도 투자에 깊은 관심을 기울이고 있다. 이상일 용인특례시장은 19일 용인미디어센터에서 열린 '제6회 소부장미래포럼'에서 용인 반도체 클러스터 구축 현황 및 향후 계획에 대해 발표했다. 현재 용인시는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 제조기업과 함께 '용인 L자형 반도체 벨트'를 조성하고 있다. 삼성전자는 해당 지역에 총 360조 원을 투자해, 첨단 시스템반도체 클러스터 국가산업단지를 조성하고 있다. 부지 규모는 220만 평이다. 또한 20조 원을 들여 37만 평 규모의 첨단 반도체 R&D(연구개발) 산업단지를 조성하고 있다. SK하이닉스는 총 122조 원을 투자해 용인 반도체 클러스터 일반산업단지를 만들고 있다. 현재 토목공사가 잘 진행된 상태로, 내년 1분기 말 팹 착공에 들어가 오는 2027년 하반기 첫 가동을 시작할 예정이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스와 협력 관계를 맺고 있는 주요 협력사들도 용인에 지속적으로 투자하는 추세다. AMAT(어플라이드머티어리얼즈)·램리서치·TEL(도쿄일렉트론)이 국내에 공장 및 R&D 센터를 확장하고 있으며, 국내 최대 반도체 장비기업 세메스도 최근 용인 R&D 센터 건립을 승인받았다. 이 시장은 "램리서치의 경우 판교에서 용인으로 본사 및 R&D센터를 확장 이전하기로 했는데, 45일 만에 건축허가를 내줬다"며 "이는 기록적인 사례로, 훌륭한 기업이 오면 레드카펫을 깔고 환영하겠다는 메시지"라고 말했다. 이를 위해 용인시는 대규모 반도체 제조시설에 필요한 토지·전력·용수 문제 해결에 집중하고 있다. 대표적으로 용인시는 평택시와 논의해 1천950만 평에 달하는 송탄 상수원보호구역을 지난 4월 해제하기로 했다. 삼성전자의 신규 R&D 산업단지에 대한 경기도 심의도 비슷한 시기에 통과 시켰다. 이 시장은 "SK하이닉스 산업단지는 전력 시설이 75% 정도 진행됐고, 용수 분야는 30% 정도 진행됐다"며 "다만 삼성전자 산업단지는 전력 문제 해결이 관건으로, 필요한 전력의 총량이 9.3GW(기가와트)에 달할 것으로 예상돼 송배전망 공사 예타 면제 등으로 대응하고 있다"고 밝혔다. 한편 국내 소부장 기업들도 용인 반도체 클러스터에 관심을 표했다. 김성일 동진쎄미켐 사장은 "경기 화성에 있는 기업으로서 용인 반도체 클러스터에 굉장히 관심이 많다"며 "용인 클러스터 입주 비용 및 시 차원의 지원 규모 등이 궁금한 상황"이라고 말했다. 이에 대해 이 시장은 "50여개 소부장 기업이 입주 가능한 SK하이닉스 산업단지는 거의 분양이 끝났다"며 "150여개사가 입주 가능한 삼성전자 산업단지는 내년 1월 산업단지 승인이 나오면 LH 등과 논의해 비용 등이 정해지게 될 것"이라고 설명했다.

2024.07.19 14:06장경윤

삼성전자, CXL 2.0 D램 하반기 양산 시작…"1y D램 탑재"

삼성전자가 차세대 메모리 솔루션으로 주목받는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 2.0 D램의 양산을 연내 시작한다. 해당 제품은 1y D램(10나노급 2세대)을 기반으로, 256GB(기가바이트)의 고용량을 구현한 것이 특징이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 18일 서울 중구 소재의 삼성전자 기자실에서 열린 'CXL 기술 및 삼성전자 CXL 솔루션 설명회'에서 "올해 하반기부터 CXL 시장이 열릴 것이고, 삼성전자의 제품은 준비가 돼 있다"고 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU, CPU, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 기존 각각의 칩들은 별도의 인터페이스가 존재해 빠른 상호연결이 어렵다는 문제점이 있었다. 반면 CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 정해진 아키텍쳐에 따라 서버 내 칩을 구성해야 하는 기존 시스템과 달리, 용도에 따라 유연하게 서버를 설계할 수 있다는 것도 장점이다. 또한 CXL은 시스템 반도체와 메모리의 거리가 멀어져도 원활한 통신을 가능하게 해, 더 많은 메모리 모듈을 연결할 수 있게 만든다. 삼성전자는 이 CXL 인터페이스를 갖춘 D램, 'CMM-D(CXL 메모리 모듈 D램' 개발에 주력해 왔다. 최 상무는 "CMM은 한마디로 SSD를 장착할 자리에 메모리를 추가할 수 있는 제품"이라며 "기존 D램 등 메인 메모리의 주변에서 CPU의 고용량 데이터 전송을 도와주는 역할을 하게될 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 지난 2021년 업계 최초로 CXL 기반 D램 제품을 개발했으며, 이후 업계 최고 용량 512GB CMM-D 개발, 업계 최초 CMM-D 2.0 개발 등에 성공한 바 있다. 특히 지난해 5월 개발 완료한 삼성전자의 'CXL 2.0 D램'은 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 다수의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 각각의 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나누어 사용할 수 있는 기술이다. 이를 이용하면 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있어 데이터 전송 병목현상이 줄어든다. 또한 삼성전자는 올해 2분기 CXL 2.0을 지원하는 256GB(기가바이트) CMM-D 제품을 출시하고, 주요 고객사들과 검증을 진행하고 있다. 실제 양산은 연내 시작할 계획이다. 적용되는 D램은 1y D램으로, 가장 최신 세대인 1b(10나노급 6세대)와 비교하면 레거시 메모리에 해당한다. 최 상무는 "금년 256GB CMM-D 2.0 양산을 시작하고, CXL 3.1 버전과 풀링 기술이 지원되는 2028년 정도가 되면 CXL 시장이 본격적으로 개화할 것"이라며 "이번 CXL 2.0 D램은 고용량 구현 및 즉시 적용에 용이한 1y D램을 채용했다. 향후에는 탑재 D램을 바꿀 수 있다"고 밝혔다. 또한 최 상무는 CXL이 HBM(고대역폭메모리)을 대체하는 것이냐는 질문에 "서버 내 SoC(시스템온칩)에 최적화된 메모리 솔루션이 각각 다르기 때문에, AI 산업에서 두 제품의 쓰임새가 다를 것"이라며 "HBM의 다음 제품이 아닌 AI용 솔루션들 중 하나라고 보면 된다"고 답변했다. CXL 제품의 향후 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 CMM-D를 박스 형태로 만든 CMM-B, CMM-D에 컴퓨팅 기능을 더한 CMM-DC, CMM-D에 낸드를 결합하는 CMM-H 등 다양한 응용 제품을 연구하고 있다. 최 상무는 "CMM-DC 등은 당장 상용화 단계는 아니지만 연구 단계에서 프로젝트를 진행 중"이라며 "CMM-D을 시작으로 여기에 낸드, 컴퓨팅 기능 등을 어떻게 붙여야할 지 고민도 하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 CXL 컨소시엄을 결성한 15개 이사회 회원사 중 하나로, 메모리 업체 중 유일하게 이사회 멤버로 선정되어 CXL 기술의 고도화 및 표준화를 위한 역할을 수행하고 있다. CXL 컨소시엄은 CXL 표준화와 인터페이스의 진화 방향 등에 대해 논의하는 협회다. 삼성전자, 알리바바 그룹, AMD, Arm, 델, 구글, 화웨이, IBM, 인텔, 메타, MS, 엔비디아 등 빅테크 기업들이 이사회 회원사로 참여하고 있다.

2024.07.18 14:00장경윤

美, 中 반도체 수출 규제 강화한다…TEL·ASML 등 압박

미국 정부가 중국에 대한 최첨단 반도체 제조장비 수출 규제 수위를 높이는 방안을 고려하고 있다고 블룸버그통신이 17일(현지시간) 보도했다. 해당 방안은 네덜란드 ASML, 일본 도쿄일렉트론(TEL) 등 동맹국의 반도체 장비기업이 중국과 지속 거래할 경우, 해외직접생산품규칙(FDPR)을 부과하겠다는 것이 주 골자다. FDPR은 미국이 통제 대상으로 정한 미국산 소프트웨어 및 기술을 사용한 외국 기업에 대해 수출을 금지할 수 있도록 하는 규제다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국이 일본 및 네덜란드 관료들을 만나 중국에 대한 규제 조치를 자체적으로 강화하지 않고 있음을 지적했다"며 "핵심 목표는 동맹국을 설득해 중국의 첨단 반도체 제조에 대한 접근을 막는 것"이라고 밝혔다. 현재 미국은 네덜란드 정부 및 ASML이 중국에 첨단 반도체 제조장비를 수출하지 못하도록 규제하고 있다. EUV 장비는 2019년부터 규제 대상에 올랐다. 이후 미국 정부는 지난해 3월 고성능 DUV(이머전 DUV) 장비에 대해서도 수출 규제를 적용하기로 했다. 그러나 이러한 조치에도 ASML은 여전히 중국향 매출 의존도가 높은 것으로 나타났다. ASML의 올 2분기 반도체 장비 매출액은 47억6천만 유로로, 이 중 중국이 차지하는 비중은 49%에 달한다. TEL 역시 지난 1분기 전체 매출에서 중국향 매출 비중이 44.4%로 매우 높은 수준을 기록했다.

2024.07.18 09:34장경윤

"엔비디아 천하 영원하지 않아…韓 반도체 기회 잡아야"

"현재 AI 반도체 시장은 엔비디아가 주도하고 있지만, 전력소모 등의 문제로 NPU가 향후 대체재로 떠오를 것이다. 차세대 메모리 시장에도 많은 변화가 올 것이다. 국내 업계도 이러한 이러한 흐름에서 기회를 잡을 수 있다." 유회준 반도체공학회 회장은 최근 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 국내 반도체 산업이 나아가야 할 방향을 이 같이 평가했다. 유 회장은 서울대 전자공학과를 졸업한 후 한국과학기술원(KAIST)에서 전기전자공학 박사 학위를 취득했다. 이후 미국 벨사 연구원, SK하이닉스 반도체연구소 D램설계실장을 거쳐, 현재 KAIST 전기전자공학과 교수로 재직 중이다. ■ "엔비디아의 독과점 지속되지 않을 것…차세대 기술 대비해야" 현재 반도체 업계는 AI 시대의 부흥에 따라, HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 반도체 기술을 대거 개발하고 있다. CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 뉴로모픽, 실리콘 포토닉스 등이 대표적이다. 유 회장은 이 중 CXL이 가장 먼저 상용화 단계에 도달할 것으로 내다봤다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 유 회장은 "현재 전세계의 몇몇 기업들이 CXL 관련 칩을 개발하고 있는데 여러 차세대 기술 중 가장 빨리 상용화될 것"이라며 "특히 삼성전자도 CXL 시장이 이미 개화됐다고 이야기하면서, 실리콘밸리를 중심으로 연구를 활발히 진행하고 있다"고 밝혔다. 메모리 업계도 커스텀 방식이 대세가 될 것으로 전망된다. 기존 메모리는 공급사 중심의 소품종 대량 생산의 성격이 강했다. 그러나 향후에는 다양한 AI 애플리케이션이 출시되면서, 각 고객사의 요구에 맞춘 특수 메모리에 대한 수요가 증가하고 있다. 유 회장은 "HBM을 시작으로, 고객사의 시스템반도체 및 적용처에 맞춘 커스텀 메모리가 대세가 될 것"이라며 "범용 D램 등도 커스텀화가 될 가능성이 있다고 본다. 삼성전자와 SK하이닉스도 이러한 추세에 대비해야 할 것"이라고 말했다. 또한 유 회장은 "현재 업계를 뒤흔들고 있는 엔비디아의 AI 반도체는 범용 GPU이기 때문에 전력소모 등의 문제로 NPU(신경망처리장치)에 자리를 내줄 수 있다"며 "이 경우 메모리 업계도 HBM이 아닌 최신형 LPDDR, 3D 메모리 등이 더 각광받게 될 가능성이 있다"고 내다봤다. ■ "K-반도체 키우려면…인적 네트워크 강화·원천기술 확보 시급" 유 회장은 최근 미국과 중국을 둘러싼 반도체 패권 경쟁에 대해 "미국 제재에 협력하는 전략이 필요하지만, 동시에 중국 시장의 유지 및 진입에도 신경을 쓰는 전략이 필요하다"며 "미국 기업들도 중국향 매출이 30%가 넘는다. 이 상황에서 우리 기업들의 중국 입지는 반대로 좁아지고 있다"고 꼬집었다. 다만 이러한 전략은 개별 기업들의 대응만으로는 한계가 있다. 때문에 정부가 원칙적으로 미국을 따르돼 경제적으로는 중국과 연계하는 '정경분리'의 큰 가이드라인을 마련해야 한다는 게 유 회장의 시각이다. 또한 유 회장은 국내 기업들이 글로벌 경쟁력 확보를 위해 보완해야 할 가장 시급한 사항으로 ▲해외 인적 네트워크 강화 ▲원천기술 확보 등 두 가지를 꼽았다. 유 회장은 "예를 들어 일본은 미국과의 협력 강화를 위해 고위 관료가 미국 인사를 직접 만나 '탑-다운' 형식으로 계약을 맺어오거나, IBM과 같은 주요 기업과 관계를 튼다"며 "반면 우리나라 정부는 이러한 부분이 미흡하다. 국내 AI 반도체 스타트업들도 해외 유수의 학술행사에서 직접 네트워킹을 하지, 정부의 지원이 있었다는 말은 들은 바 없다"고 강조했다. 그는 이어 "반도체 업계는 항상 승자가 독식하는 구조로, 한국만의 독자적인 기술을 가지고 있어야 비로소 경쟁력을 갖출 수 있다"며 "개인적으로는 우리나라가 빠르게 대응할 수 있는 분야가 기존 강점인 메모리와 프로세서까지 함께 아우를 수 있는 AI SoC(시스템온칩)이라고 생각한다"고 덧붙였다. ■ "반도체공학회, 업계 경쟁력 강화에 집중할 것" 반도체공학회를 이끄는 리더로서, 유 회장은 국내 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 크게 네 가지의 활동을 중점적으로 전개할 계획이다. 유 회장은 "첫째로 반도체 업계의 15년 뒤를 내다보는 비전과 전략을 짜야한다. 그래야 기술 발전 및 투자에 대한 방향을 정할 수 있다"며 "두 번째는 외국과의 협력 체계 강화로, 현재 일본 전자공학회와 협약을 맺고 워크샵을 진행하는 등의 활동을 하고 있다"고 밝혔다. 세 번째는 실무적인 반도체 인재 양성 교육이다. 이와 관련, 반도체공학회는 최근 홍익대학교를 중심으로 200명의 학생들에게 케이던스의 소프트웨어 툴 교육을 시행한 바 있다. 네 번째는 산·학 협력 강화다. 반도체공학회는 향후 국내 기업이 제작한 NPU를 기반으로 학회에서 소프트웨어 제작, 경진대회 개최 등의 전략을 구상하고 있다. 유 회장은 "앞의 3개는 진척사항이 꽤 이뤄졌고, 산학 협력은 이제 막 시작한 단계"라며 "특히 반도체 인력양성이 시급하기 때문에, 관련 학생들의 취업을 위한 인턴 프로그램이나 경진대회 등을 진행할 생각"이라고 말했다.

2024.07.18 06:00장경윤

"現 반도체 한계 뛰어넘자"…소니드, R&D 컨소시엄 구성

소니드가 인공지능(AI) 반도체 메모리 용량 한계를 극복하기 위해 나섰다. 소니드는 '컴퓨터익스프레스링크-그래픽처리장치(CXL-GPU)' 기술 개발을 위해 서울대학교 컴퓨터공학부·스타랩스와 컨소시엄을 구성했다고 17일 밝혔다. 소니드가 이처럼 나선 것은 생성형 AI 서비스로 인해 기하급수적으로 늘어난 데이터 처리 용량 때문이다. '챗GPT' 등 생성형 AI 데이터 처리에는 수십 테라바이트(TB) 용량이 필요한 반면 엔비디아 'H100'과 같은 첨단 그래픽처리장치(GPU)는 메모리 용량이 수십 기가바이트(GB)에 그친다. 이에 반도체 업계는 용량 문제를 지속적으로 제기해 왔다. 소니드는 CXL-GPU 기술로 기존 메모리 확장 기술보다 2배 이상 높은 성능을 구현할 방침이다. 특히 CPU와 GPU, 저장장치를 CXL 인터페이스로 직접 연결해 메모리 비용을 줄이고 성능을 올릴 예정이다. 이곳은 클라우드프리(Cloud-free) AI 플랫폼도 보급형과 고성능형으로 나눠 양산할 방침이다. 또 AI 애플리케이션 통합 알고리즘을 개발하고 CXL 보드를 총 3종 시험생산할 계획이다. 이미 AI 분야에서는 다양한 성과를 거뒀다. 특히 지난 2월 자회사 소니드로보틱스를 통해 AI '브레인 봇'을 개발·양산했다. 이 제품은 알고리즘을 통한 영상 데이터 분석으로 특정 이벤트나 인물을 자동 감지한다. 오중건 소니드 대표는 "이번 기술 개발을 통해 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 갖출 것"이라며 "CXL을 활용해 혁신적인 메모리 확장 솔루션을 제공하려고 노력하겠다"고 강조했다.

2024.07.17 16:20조이환

ASML, 2분기도 中 매출 '절반' 육박…고성능 DUV 수요 여전

세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 올 2분기 기대치를 웃도는 실적을 거뒀다. 지난해부터 급증한 중국향 고성능 DUV(심자외선) 장비 수요가 지속된 데 따른 영향으로 풀이된다. 이 회사의 중국 매출 비중은 1분기와 2분기 모두 49%에 육박한다. 17일 ASML은 올 2분기 순매출 62억 유로(9조 3천325억원), 당기순이익 16억 유로(2조 4천억원)를 기록했다고 밝혔다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 “ASML의 2분기 순매출은 전망 범위 상단인 62억 유로를 기록했고, 매출총이익률은 전망치를 웃도는 51.5%였다"며 "이머전 장비의 매출 증대가 이러한 결과를 견인했다"고 밝혔다. 이머전 장비는 ArF(불화아르곤) 광원을 활용하는 이머전 DUV 기술을 뜻한다. 이머전은 렌즈와 웨이퍼 표면 사이의 공간을 굴절률이 큰 액체의 매질로 대체해 해상력을 높이는 기술로, 고성능 DUV를 구현한다. EUV 만큼의 성능은 아니지만, 이머전 DUV는 멀티 패터닝을 통해 미세 공정 영역인 7나노미터(nm)까지 구현할 수 있다. 때문에 미국의 수출 규제로 EUV 장비를 수입할 수 없는 중국에서 수요가 증가해 왔다. 실제로 ASML의 이번 2분기 매출에서 중국이 차지하는 비중은 49%로 가장 높았다. 지난 1분기(49%)와 동일한 수치다. 특히 이머전 DUV가 포함되는 ArF 장비 매출이 1분기 39%에서 2분기 50%로 급증했다. ArF 장비 판매 수량도 1분기 20대에서 2분기 32대로 증가했다. 반면 EUV 장비는 1분기 11대에서 2분기 8대로 줄어들었다. 다만 ASML의 높은 중국 매출 의존도는 향후에도 지속되기 어려울 전망이다. 앞서 미국 정부는 올해 1월 이머전 DUV 장비에 대해서도 중국 수출을 사실상 금지시켰다. 이번 중국향 매출은 규제 이전에 발생한 '사재기' 효과로 풀이된다. 한편 ASML은 3분기 실적 전망에 대해서는 순매출 70억 유로(중간값), 매출총이익률 50~51%를 제시했다. 올해 연간 순매출은 기존 전망대로 "지난해와 비슷한 수준이 될 것"이라고 밝혔다. 문준호 삼성증권 연구원은 "2분기 실적은 기대치를 상회했으나 3분기 전망치가 다소 아쉬운 상황"이라며 "로직, 파운드리 분야에서 주문이 강하게 나오며 수주 잔고가 다시 증가한 점은 긍정적"이라고 설명했다. 기존 주력 매출원이었던 EUV 장비 사업도 회복세가 나타나는 추세다. ASML의 2분기 말 기준 신규 장비 수주액은 총 55억7천만 유로다. 전분기 대비 54%, 전년동기 대비 23.7% 증가했다. 이 중 EUV 장비 수주 규모는 25억 유로다. 전분기 대비 281%, 전년동기 대비 56% 증가한 수치다.

2024.07.17 14:59장경윤

삼성전자, 차세대 'LLW D램' 애플 공급망 진입 시도

삼성전자가 애플의 차세대 XR기기에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 애플향으로 LLW D램을 공급하기 위한 제품 개발을 진행하고 있다. LLW D램은 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램이다. 이를 통해 128GB/s의 고성능, 저지연 특성을 갖췄다. 덕분에 기존 LPDDR을 대체해 온디바이스 AI 산업에 적용될 것으로 기대되고 있다. 애플도 LLW D램에 많은 관심을 두고 있는 것으로 전해진다. 실제로 애플은 지난해 6월 최첨단 XR기기인 '비전프로'를 공개하면서, SK하이닉스의 LLW D램을 도입한 바 있다. 삼성전자 역시 애플에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 지속해 온 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "지난 2022년 애플로부터 LLW D램 공급에 대한 제안을 받은 것으로 안다"며 "현재 제품을 소량 제작하는 등 사업화가 진행되고 있는 단계"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 애플 LLW D램 공급망에서 SK하이닉스를 추격하기 위해 노력 중"이라며 "특수 메모리로서 차세대 비전 프로 등에서 쓰일 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 16:36장경윤

삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다." 유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다. D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다. 이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다. 유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 15:41장경윤

삼성전자, 미디어텍 최신 모바일 AP에 'LPDDR5X' 검증 완료

삼성전자는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍과 업계 최고 속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램 동작 검증을 완료했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP '디멘시티(Dimensity) 9400'에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화를 추진한다. LPDDR은 저전력(Low Power)에 특화 설계된 D램을 뜻한다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기에 주로 탑재되고 있다. LPDDR의 규격은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 제정하고 있다. LPDDR5X는 현재 공개된 가장 최신 규격에 해당한다. 삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능 특성이 요구되는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시대에 최적화됐다. 이번 제품을 통해 사용자는 모바일 기기에서 배터리를 더 오래 사용할 수 있으며, 서버나 클라우드에 연결하지 않은 상태에서도 뛰어난 성능의 온디바이스 AI 기능을 활용할 수 있다. JC 수 미디어텍 수석 부사장은 “삼성전자와의 긴밀한 협업을 통해 미디어텍의 차세대 고성능 프로세서인 디멘시티에 삼성전자의 고성능 10.7Gbps LPDDR5X를 탑재해 업계 최초로 동작 검증에 성공했다”며 “앞으로 사용자는 최신 칩셋을 탑재한 기기를 통해 배터리 성능을 최대화하고, 더 많은 AI 기능을 활용할 수 있게 될 것”이라고 밝혔다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 “미디어텍과의 전략적 협업을 통해 업계 최고 속도 LPDDR5X D램의 동작을 검증하고, AI시대에 맞춤형 솔루션임을 입증했다”며 “고객과 유기적인 협력으로 향후 온디바이스 AI 시대에 걸맞은 솔루션을 제공해 AI 스마트폰 시장을 선도해 나갈 것”이라 말했다. 삼성전자는 고객과의 적극적인 협력을 바탕으로 향후 모바일 분야뿐만 아니라 ▲AI 가속기 ▲서버 ▲HPC ▲오토모티브 등 LPDDR D램 응용처를 적극 확장해 나갈 방침이다.

2024.07.16 08:34장경윤

오픈엣지, HBM3 검증용 7나노 테스트 칩 출시

오픈엣지테크놀로지는 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 지원하는 PHY(물리계층) IP(설계자산) 테스트 칩을 성공적으로 출시 및 검증했다고 15일 밝혔다. 이번 검증은 오픈엣지의 자회사 더식스세미컨덕터(TSS)를 통해 진행됐다. 7나노미터(nm) 공정을 기반으로 한 HBM3 PHY IP 테스트 칩은 6.4Gbps로 출시됐으며, 추가 튜닝을 통해 현재 7.2Gbps의 오버클럭까지 검증을 마쳤다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. PHY는 메모리와 시스템반도체 사이에서 고속으로 데이터를 송수신할 수 있게 만드는 인터페이스다. 오픈엣지는 "현재까지 HBM3 메모리 서브시스템을 설계하고 시연해 낸 IP 공급업체는 극소수에 불과하다"며 "해당 반도체를 테스트할 수 있는 환경이 매우 제한적이기 때문"이라고 설명했다. 한편 오픈엣지가 HBM3 PHY IP 테스트 칩을 개발하는 데 활용된 접근법은 향후 칩렛 설계에도 활용될 전망이다. 칩렛이란 각기 다른 기능을 가진 반도체를 하나의 칩으로 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 오픈엣지는 "HBP3 PHY IP 테스트 칩의 성공적인 검증과 완벽한 메모리 서브시스템 IP를 바탕으로, 회사는 칩렛 기술용 IP 공급업체로도 자리매김하고 있다"고 밝혔다. 한편, 해당 PHY IP는 과학기술정보통신부가 지원한 차세대지능형반도체기술개발사업 '고성능 AI 서버용 HBM3급 이상 인터페이스 기술 개발 과제'를 통해 개발한 결과물이다.

2024.07.15 18:11장경윤

GST, 주고객사에 '냉매식 칠러' 데모 공급…극저온 추세 합류

국내 반도체 장비업체 GST가 최근 주요 고객사에 냉매식 칠러 데모 장비를 납품한 것으로 파악됐다. 차세대 낸드 공정이 극저온 환경으로 나아가는 추세에 맞춰, 기존 전기식에서 냉매식으로 사업 영역을 확장하기 위한 전략이다. 15일 업계에 따르면 GST는 지닌달 주요 메모리 제조업체에 낸드용 극저온 칠러 데모 장비를 공급했다. 칠러는 제조 환경의 온도를 낮추는 장비다. 반도체 공정 전반에 활용되며, 특히 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 필요없는 물질을 제거하는 식각 공정에 활발히 쓰인다. 기존 낸드용 식각공정은 영상 20°C 내외에서 진행되며, 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 과정에서는 온도를 영하 -20~30°C까지 낮추기도 한다. 이에 칠러도 해당 온도에만 대응하면 성능적으로는 문제가 없었다. 그러나 올해부터는 칠러 업계에 급격한 변화가 일어날 것으로 전망된다. 일본 주요 장비업체 TEL(도쿄일렉트론)이 -70°C 내외의 환경에서 더 정밀하고 빠른 식각을 구현하는 신규 장비 'Cryo(크라이오)'를 개발했기 때문이다. 현재 해당 장비는 국내 주요 메모리 제조업체의 공정에서 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 이에 칠러도 -80°C 수준까지 온도를 낮출 수 있도록 요구되고 있다. 이러한 추세에 선제적으로 대응한 기업은 유니셈과 에프에스티로, 두 기업 모두 냉매(쿨런트)식 칠러를 주력으로 공급하고 있다. 반면 GST는 전기식 칠러를 전문으로 개발해 왔다. 전기식 칠러는 냉매식 대비 에너지 효율이 높고 친환경적이지만, 기술적으로 -20°C 이하의 온도를 구현할 수 없다는 한계가 있다. 이에 GST도 경쟁사와 동일한 냉매식 칠러 개발을 진행해 왔다. 이후 지난달 국내 주요 메모리 제조업체에 데모 장비를 공급하는 데 성공한 것으로 파악됐다. 향후 퀄테스트 등 실제 상용화를 위한 과제가 남아있으나, 칠러 사업의 외연을 확장할 수 있는 기회를 잡았다는 점에서는 의미가 있다는 평가가 나온다.

2024.07.15 11:24장경윤

마이크론 HBM 불량 이슈, 사실은..."성능 우수" vs "수율 불안" 엇갈려

올해 HBM(고대역폭메모리) 시장 진입을 본격화한 미국 마이크론에 국내 메모리 업계의 시선이 쏠리고 있다. 주요 경쟁사 대비 전력 소모량 등 특성이 우수하다는 긍정적인 평가와 수율 문제가 발생하는 등 안정성을 지켜볼 필요가 있다는 지적이 동시에 제기된다. 12일 업계에 따르면 마이크론은 지난달 HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품의 불량 이슈가 발생해 문제 해결에 나서고 있다. 마이크론은 미국 주요 메모리 반도체 제조업체로, 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E D램 양산을 공식 발표한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, HBM3E는 가장 최신 제품에 해당한다. 마이크론의 HBM3E는 엔비디아가 올해 중반 상용화하는 고성능 GPU H200과 결합된다. 이를 위해 마이크론은 지난 2분기부터 HBM3E의 양산을 본격화한 바 있다. 그러나 마이크론은 지난달 HBM3E의 패키징 과정에서 불량 문제가 발생한 것으로 알려졌다. 이 사안에 정통한 관계자는 "마이크론의 HBM3E 제품이 발열 등에서 문제를 일으켜 지난달 양산에 큰 차질을 겪게 됐다"며 "패키징 단의 문제로, 현재 대응에 총력을 기울이고 있는 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 이번 불량이 HBM 제품 자체가 아닌 패키징 단에서 발생한 만큼, 마이크론의 책임은 훨씬 덜할 것이라는 시각도 있다. 엔비디아의 AI 가속기는 HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 TSMC의 2.5D 패키징 기술인 'CoWos'로 연결해 만들어진다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 또 다른 관계자는 "여전히 문제를 파악하고 있으나, TSMC 패키징 공정에서 활용된 소재 일부가 오류를 일으킨 것이라는 분석이 나오고 있다"며 "마이크론 측이 우려 대비 빨리 제품 인증을 받을 가능성도 있다"고 설명했다. 마이크론의 HBM3E 사업 확대는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 경쟁사에게는 경계 1호로 작용한다. 특히 마이크론은 경쟁사 대비 전력소모량이 적다는 점을 무기로 적극 내세우고 있다. 업계 관계자는 "최근 평가 기준으로 마이크론의 HBM3E 제품이 경쟁사 대비 전력소모량이 20% 가량 적은 것으로 기록됐다"며 "당장 마이크론의 HBM 생산능력이 적기는 하지만, HBM3E 상용화 초입부터 공급망에 발빠르게 진입할 수 있다는 점에서는 큰 의미"라고 평가했다. 한편 마이크론은 지난달 27일 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 실적을 발표하면서 처음으로 HBM 매출을 별도로 집계했다. 당시 마이크론은 "해당 분기 HBM3E 매출이 1억 달러 이상 발생했다"며 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러의 매출을 일으킬 것"이라고 발표했다.

2024.07.12 14:10장경윤

SK하이닉스, 美서 'AI 반도체' 인재 확보 총력

SK하이닉스가 오는 12일부터 14일까지(미국시간) 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 그룹 주요 관계사들과 함께 '2024 SK 글로벌 포럼'을 연다고 11일 밝혔다. 이 포럼은 SK가 반도체, AI, 에너지 등 사업 분야에서 일하는 미국 내 인재들을 초청해 그룹의 성장 전략을 공유하고, 최신 기술과 글로벌 시장 동향을 논의하는 자리로, 2012년부터 매년 열리고 있다. 그룹 관계사들은 이 포럼을 현지에서 우수 인재를 발굴하는 기회로도 활용하고 있다. 올해 행사에는 SK하이닉스, SK이노베이션, SK텔레콤 등 3개사가 참여한다. SK하이닉스는 "HBM 기술개발을 선도하면서 'AI 메모리 글로벌 리더'로 회사의 위상이 높아지고, 미국 인디애나에 첨단 후공정 투자를 하기로 하면서 현지 우수 인재들로부터 큰 관심을 받고 있다”며 “이에 따라 올해는 포럼 초청 대상을 반도체 및 AI 분야에서 일하는 전문 인력은 물론, 미국 대학에서 박사 과정을 밟고 있는 인재들로까지 확대했다”고 설명했다. 이번 포럼에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 최정달 부사장(NAND개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 대거 참석한다. 곽노정 사장은 12일 포럼 개막 기조연설에 나선다. 이 자리에서 그는 회사의 세계 1위 AI 메모리 기술력을 소개하고, 미래 시장을 이끌어 갈 비전을 제시할 예정이다. 곽 사장은 또, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장을 비롯, 용인 반도체 클러스터, 청주 M15X 등 회사가 추진하고 있는 국내외 차세대 생산기지 구축 계획도 공유하기로 했다. 이어 김주선 사장 등 경영진은 ▲첨단 메모리 설계(Advanced Memory Design) ▲첨단 패키지(Advanced Package) ▲공정과 소자(Process & Device) ▲낸드 기술과 솔루션(NAND Tech. & Solution) 등 회사의 핵심 사업별로 세션을 열고 미래 메모리 반도체 기술 발전 방향에 대해 포럼 참석자들과 논의할 계획이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “회사가 글로벌 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 하기 위해서는 이와 같은 포럼을 통해 현지 우수 인재들을 확보하는 일이 매우 중요하다”며 “이에 따라 CEO를 포함한 다수 경영진이 참여할 만큼 이번 포럼에 공을 들였고, 매년 정례적으로, 그리고 수시로 이런 기회를 만들어 갈 것”이라고 말했다.

2024.07.11 09:26장경윤

삼성전자, HBM4 맞춤형 최적화로 승부수...예상 스펙 첫 공개

삼성전자가 내년 출시 예정인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에 맞춤형(커스터마이징) 서비스를 강화한다고 강조했다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징을 모두 수행할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이라는 장점을 앞세우고 있다. 이를 통해 경쟁사와 HBM 기술에서 차별화를 둔다는 목표다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 삼성전자는 9일 삼성동 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼'과 '세이프 포럼(SAFE) 2024'를 개최하고 AI를 주제로 향후 지원 계획을 발표했다. 이날 'AI 솔루션' 세션에서 최장석 메모리사업부 신사업기획팀장 부사장은 "HBM4는 HBM3 대비 성능이 대폭 향상됐다"라며 "48GB(기가바이트) 용량까지 확대해 내년 생산목표로 개발 중이다"고 밝혔다. 삼성전자는 HBM3E까지 MOSFET 공정을 적용했다면, HBM4부터 핀펫(FinFET) 공정을 적용을 긍정적으로 검토 중이다. 이에 따라 HBM4는 MOSFET 적용 대비 속도가 200% 빠르고, 면적은 70% 줄어들며, 성능은 50% 이상 향상된다고 밝혔다. 삼성전자가 HBM4 스펙에 대해 밝힌 것은 이번이 처음이다. 최 부사장은 "HBM 아키텍처에도 큰 변화가 오고 있다. 많은 고객들은 기존의 범용성 보다 맞춤형 최적화를 지향하고 있다"라며 "한가지 예로 HBM D램과 고객맞춤용 로직 칩의 3D 형태 적층은 전력과 면접을 크게 줄일 수 있고, 범용 HBM의 인터포저와 수많은 입출력(I/O)으로 인한 성능 확장에 대한 장벽을 제거할 것"이라고 설명했다. 그는 이어 "HBM은 성능과 용량뿐 아니라 전력과 열효율성도 간과할 수 없다. 이를 위해서 16단 HBM4는 NCF(비전도성접착필름) 조립 기술 외에도 HCB(하이브리드 본딩) 기술 등 여러 최첨단 패키징 기술뿐만 아니라 신규 공정까지 다양한 새로운 기술을 적절히 구현하는 것이 필수적이며 삼성은 계획된 일정에 맞춰서 준비 중이다"고 덧붙였다. 하이브리드 본딩은 반도체(다이) 위아래를 구리로 직접 연결하기 때문에 신호 전송 속도를 비약적으로 높일 수 있으며, HBM 높이도 줄일 수 있다. 최 부사장은 "수십 년간 삼성은 메모리 기술 혁신에 전념하며 끊임없이 진화했고, 지난 30년 동안 크고 작은 수많은 역경 속에서도 굳건히 리더십을 유지할 수 있었다"라며 "현재 큰 변화가 불고 있는 인공지능 시대에 경쟁력 있는 리더십을 지속해서 유지하겠다"고 전했다. 한편, 삼성전자는 HBM4 기술 개발을 강화한다는 방침이다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문은 HBM 개발팀 신설을 골자로 하는 조직개편을 단행했다. 전영현 부회장이 DS부문장에 취임한 지 한 달여 만이다. 신임 HBM 개발팀장에는 손영수 부사장이 선임됐다.

2024.07.09 17:18이나리

파두, 해외 고객사로부터 68억 규모 eSSD 컨트롤러 추가 수주

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두는 해외 낸드 플래시 메모리 제조사로부터 68억원 규모의 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 컨트롤러를 추가 수주했다고 9일 공시했다. 이번 수주는 지난 6월 14일 동일 고객사로부터 47억원 규모의 SSD 컨트롤러를 수주한데 이어 두번째로 이뤄진 것이다. 이로써 해당 고객사로의 현재까지 수주 규모는 115억원에 달하게 됐다. 최근 두 차례의 공급 계약은 파두와 해외 낸드 플래시 메모리 제조사 간의 협업과 공동 시장 공략이 본격화 되고 있음을 보여준다. 또한 파두는 올해 연이은 수주를 통해 기업용 SSD 시장 회복에 따른 실적 회복이 가시화할 것으로 기대하고 있다. 파두는 SSD 컨트롤러 매출 외에도 SSD 완제품 매출에서도 회복세를 보이고 있다. 지난 5월 말에는 192억원 규모의 기업용 SSD 완제품 공급계약을 체결했으며 현재 복수의 고객사와도 공급계약 논의를 진행 중이다. 파두는 글로벌 데이터센터의 투자 재개와 인공지능(AI) 확산에 따른 저전력 고성능 SSD의 중요성이 커짐에 따라 자사 SSD 컨트롤러와 이를 탑재한 SSD가 크게 주목받을 것으로 예상하고 있다. 이에 따라 최근 적극 추진 중인 고객군 다양화도 탄력을 받을 것으로 보고 있다. 제품군 측면에서도 다변화에 박차를 가하고 있다. 미국 실리콘밸리 자회사 '이음(EEUM)'을 통해 차세대 데이터센터 표준으로 각광받는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 반도체 제품 사업을 차세대 성장 동력으로 적극 육성하고 있다. 또한 1차 제품 개발을 완료하고 해외 업체와의 협업을 통해 본격 상업화 단계에 들어선 전력관리반도체 사업 등을 통해 주력 사업인 기업용 SSD 분야에서의 경쟁력을 바탕으로 종합 반도체 팹리스 기업으로 입지를 다지고 있다. 이지효 파두 대표는 “최근 연이은 수주로 기술력을 입증한 파두는 앞으로도 글로벌 시장에서의 입지를 더욱 확고히 다져나갈 계획“이라고 말했다.

2024.07.09 13:51장경윤

삼성전자 노조 총파업 이틀째…장기화되면 생산 차질 우려

전국삼성전자노동조합(전삼노)이 8일부터 10일까지 창사 이래 55년 만에 첫 총파업에 돌입했다. 파업 이틀째 들어선 가운데 아직까지 삼성전자 반도체 생산에 큰 피해는 없지만, 파업이 장기화되면 어려움이 가중될 수 있다는 우려의 목소리가 나온다. 무엇보다 지난해 반도체 사업에서만 15조원 적자를 기록한 삼성전자가 올해 실적 개선에 들어섰지만 총파업 장기화에 따른 생산 차질 가능성이 주목된다. ■ 반도체 반등했는데, 3일간 총파업…노조 "생산차질이 파업 목적" 전삼노는 오늘과 내일 파업에 참여하는 조합원 선착순 1000명을 대상으로 강성노조인 민주노총의 교육을 실시할 예정이라고 밝혔다. 전삼노는 이번 1차 파업에 이어 다음주에 5일간 2차 행동에 나설 계획이다. 앞서 전삼노는 어제 오전 11시경에 1시간가량 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스 H1 정문 앞에서 열린 총파업 집회에 참석했다. 전삼노는 지난 1월부터 사측과 교섭을 벌여 온 결과 의견을 좁히지 못하고 지난 5월 29일 사상 처음 파업을 선언한데 이어 지난달 7일 단체 연차소진 방식의 집단행동, 이번에 단체 파업까지 나선 것이다. 이날 비가 오는 궂은 날씨에도 전삼노 4000여명은 '투쟁' 구호를 외치며 집회에 참석했다. 파업 집회가 열린 화성캠퍼스는 삼성 반도체의 핵심부이자 2019년 이재용 삼성전자 회장이 2030년 시스템 반도체 세계 1위에 오르겠다는 '시스템 반도체 비전 선포식'을 열기도 한 곳이어서 상황이 대비된다. 전삼노에 따르면 파업 설문조사에 8천115명이 참여했으며, 이중 6천540명이 파업에 참여하겠다는 의사를 밝혔다. 이는 전체 직원의(12만4천804명·지난해 말 기준) 5% 수준이다. 전삼노 조합원수는 8일 오후 3시기준으로 3만855명으로 전체 직원의 24.7%, 4분의 1에 해당된다. 상당수의 조합원은 24시간 생산라인이 가동되는 반도체 사업을 맡는 DS부문 소속이다. 전삼노는 "생산차질이 파업의 목적이다"라며 "총파업을 통해 이 모든 책임을 사측에 묻는다"며 "이번 파업으로 발생하는 모든 경영 손실의 책임은 전적으로 사측에 있다"고 말했다. 이어 조합원들에게 "파업 기간 절대로 출근하지 말고, 업무 연락을 받으면 안 된다"라고 독려했다. ■ 삼성 "사전 대비로 생산라인 피해 없어"…장기화될 경우 피해 우려 이번 파업으로 아직까지 삼성전자 생산라인에 피해는 없는 것으로 파악된다. 삼성전자 관계자는 "사전 대비를 통해 파업으로 인한 생산 차질은 없다"라며 "수만 명이 근무하는 삼성전자 반도체 생산라인은 매일 휴가를 쓰는 인원만 수천 명에 달하기 때문에 이번 파업으로 휴가 쓰는 인원이 조금 더 늘었다고 해도 생산에 피해주는 규모는 아니다"라고 말했다. 외신도 삼성전자의 파업에 주목했다. 로이터통신은 8일(현지시간) "이번 파업은 참여도가 낮고 삼성전자의 생산이 자동화돼 있어서 메모리 칩 생산량에 큰 영향을 미치지 않을 것"이라며 "그러나 AI 시장 성장으로 메모리가 반도체 시장에서 중요한 시점에서 직원들의 사기가 저하됐다는 점이 우려된다"고 말했다. 하지만 업계에서는 파업이 장기화될 경우에는 생산에 피해를 줄 수 있다고 우려하고 있다. 반도체 산업 애널리스트는 "통상 메모리 팹은 3교대로 돌아가다 보니 인원이 비면 유지보수가 밀리게 된다"며 "설비유지가 밀리면 향후에는 가동률이 떨어질 수밖에 없다. 유지보수가 끊임없이 빠르게 돌아가야 최고 수율이 나오는 데, 그렇게 못하게 되기 때문"이라고 설명했다. 사안에 정통한 관계자는 "파업 이후로 메모리 제조라인 내 유지보수(PM)를 해야하는 챔버 수가 늘어났고, 내일도 더 늘어날 예정인 것으로 안다"며 "제조라인이 교대근무로 이뤄지는 만큼, 인원이 비면 운영에 영향이 생길 수 있다"고 우려했다. 협력업체들도 이번 사태를 예의주시하고 있다. 삼성전자 협력사 관계자는 "최근 며칠간 삼성전자 라인에 투입돼야 하는 유지보수 일정이 조금 뒤로 밀렸다"며 "라인 내에서 협력사들과 협업할 삼성전자 근로자들이 빠졌기 때문"이라고 밝혔다. 그는 이어 "당장 설비에 문제가 있을 만큼 중대한 수준은 아닌 것으로 파악된다"면서도 "다만 협력사들도 삼성전자의 파업을 처음 겪었고, 사태가 장기화될 수 있는 만큼 상황을 지켜보고 있다"고 말했다. 삼성전자 파업에 대해 지나친 노조 이기주의라는 업계의 비판도 나온다. 반도체 업계 관계자는 "실적이 바닥이 났는데도 성과를 가지고 불평하는 노조의 행동이 이해가 안 된다"라며 "임원과 성과급 차별대우라고 말하는데, 임원 성과급은 직전 3년치 평가해서 받는 것이고 직원은 아니다. 회사가 잘 되면 직원 덕분이고, 안되면 임원 탓이라는 논리는 맞지 않는다"라며 "실익도 명분도 없는 파업"이라고 말했다. 한편, 전삼노는 총파업에 따른 요구안으로 ▲전 조합원에 대한 높은 임금 인상률 적용 ▲유급휴가 약속 이행 ▲경제적 부가가치(EVA) 기준으로 지급하는 초과이익성과급(OPI) 기준 개선 ▲파업으로 인해 발생하는 임금 손실에 대한 보상 등을 내세웠다.

2024.07.09 11:29이나리

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