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'메모리'통합검색 결과 입니다. (525건)

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엔비디아, AI 칩 '블랙웰' 설계 결함 발견...공급 내년으로 지연

엔비디아가 차세대 AI 가속기 '블랙웰(코드명)'이 설계 결함으로 공급이 내년 1분기로 지연된다는 보도가 나왔다. 3일(현지시간) 미국 테크 전문매체인 디인포메이션은 소식통 2명을 인용해 "블랙웰이 설계 결함으로 인해 3개월 이상 출시가 지연될 수 있다"고 보도했다. 같은날 블룸버그 또한 해당 소식을 인용 보도하며 큰 이슈로 다뤘다. 디인포메이션은 "블랙웰 GPU를 연결하는 프로세서 다이에서 문제가 발생했다"라며 "엔비디아는 칩 생산을 담당하는 TSMC와 문제를 해결하고 있는 중이다. 2025년 1분기까지 블랙웰의 대량 양산이 쉽지 않을 것으로 보인다"고 덧붙였다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 GTC 행사에서 공개한 차세대 AI 가속기다. 제품명은 'B100', 'B200'으로 올 하반기부터 순차적 출시를 앞두고 있었다. 블랙웰은 2080억개 트랜지스터가 집적돼 있어 전작인 'H100' 보다 AI 성능이 4배 개선되고 에너지 비용을 절감할 수 있어 데이트센터의 업체의 주문이 쏟아졌다. 그러나 이번 공급 지연으로 브랙웰을 선주문한 마이크로소프트, 메타, 구글 등이 큰 피해를 입을 것으로 보인다. 익명을 요청한 마이크로소프트 직원은 "엔비디아가 이번주에 블랙웰 시리즈가 결함으로 생산이 지연됐음을 알렸다"고 전했다. 이번 생산 지연은 고대역폭메모리(HBM)을 공급하는 메모리 업계에도 영향을 줄 것으로 보인다. AI 가속기는 그래픽처리장치(GPU)에 HBM을 패키징해서 만드는 반도체다. 블랙웰 출시 지연은 메모리 업체의 HBM 공급 물량 계획에 차질을 초래할 수 있기 때문이다. 블랙웰은 엔비디아의 AI 가속기 중에서 처음으로 5세대 HBM(HBME3E) 8단 제품이 탑재될 예정이었다. 엔비디아에 가장 많은 물량을 공급하는 SK하이닉스는 올해 상반기부터 HBM3E 8단을 공급해 왔으며, 삼성전자는 하반기 공급 확정을 목표로 현재 퀄테스트(품질테스트)를 받는 중이다. 이번 사건은 엔비디아의 주가에도 부정적 영향을 미칠 것으로 예상된다. 아울러 엔비디아는 미국 범무부로부터 독점금지법 위반 혐의에 대해 조사받고 있어 업계의 주목을 받고 있다. 이번 조사에서 법무부는 엔비디아가 AMD 같은 경쟁사로부터 AI 칩을 구매하기를 원하는 고객들에게는 더 높은 가격을 부과했는지 여부에 초점을 맞추고 있다.

2024.08.04 08:51이나리

日 키옥시아, 낸드 신공장 완공...내년 가동 시작

일본 메모리 기업 키옥시아가 최첨단 낸드플래시를 생산하는 이와테현 기타카미 공장 'K2'을 지난달 7월 완공, 내년 가을부터 가동을 시작한다고 2일 밝혔다. 키옥시아는 "낸드 메모리 시장 동향을 면밀히 모니터링하면서 점진적으로 자본 투자를 하겠다"라며 "일부 행정 및 엔지니어링 부서는 11월부터 K2에 인접한 새로운 행정 건물로 이전해 K2의 운영을 감독할 예정이다"고 전했다. 이어 "K2에 대한 투자의 일부는 지난 2월에 승인된 계획에 따라 일본 정부로부터 보조금을 지원받을 예정이다"고 덧붙였다. 키옥시아 키타카미 공장은 최첨단 8세대 낸드를 월 2만5000개의 웨이퍼로 생산할 계획이다. 닛케이에 따르면 키옥시아는 웨스턴디지털(WD)과 협력해 기타카미 공장에 총 7천290억엔을 투자했으며 일본 정부는 최대 2천430억엔의 보조금을 지원한다. K2 팹은 일본 이와테현 기타카미에 위치하는 두 번째 낸드플래시 제조 시설이다. 키옥시아의 기타카미 1공장 K1은 2020년에 생산을 시작했고, K2의 건설은 2022년에 시작돼 당초 2023년에 생산을 시작할 예정이었다. 하지만 메모리 시장 침체와 스마트폰 및 PC에 사용되는 낸드에 대한 수요 감소로 인해 키옥시아는 2022년 10월부터 생산 감축을 시작했으며, 생산 감축 규모는 30%를 넘었다. 이런 생산 감축 조치의 일환으로 키옥시아는 K2 생산 시작을 연기했다. 닛케이 보도에 따르면 낸드 시장 상황이 회복되면서 키옥시아는 올해 6월에 감산을 종료했고, 현재 생산라인 가동률은 100%로 회복됐다. 한편, 키옥시아는 도쿄 증권거래소에 8월 말까지 신규 주식공모(IPO) 신청서를 제출해 10월 상장을 목표로 하고 있다.

2024.08.02 13:42이나리

美, 중국에 HBM 공급 금지 검토...삼성·SK 괜찮나?

미국 정부가 중국에 AI 메모리 '고대역폭메모리(HBM)'와 이를 생산할 수 있는 장비의 반입 제한을 검토 중이다. 블룸버그는 31일(현지시간) "미국이 이르면 다음달에 발표하는 대중 반도체 통제 조치에 AI 메모리와 이를 생산하는 반도체 제조 장비를 포함하는 방안을 고려하고 있다"고 보도했다. 소식통에 따르면 "이 조치는 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론이 중국 기업에 HBM 칩을 공급하지 못하도록 하기 위한 것"이라며 "아직 최종 결정은 내려지지 않았다"고 말했다. 바이든 정부는 중국 제조업체에 중요한 첨단 기술을 넘기지 않기 위한 여러가지 수출 통제를 추진하고 있다. 이 조치가 시행된다면 HBM2, HBM3, HBM3E를 포함한 더 진보된 칩과 현재 생산되고 있는 최첨단 AI 메모리와 장비 등이 포함된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 8단 제품이 공급되고 있다. 블룸버그는 추가 제재가 해외직접제품규칙(FDPR)을 기반으로 이뤄질 가능성이 있다고 전했다. FDPR은 해외 기업이 만든 제품이더라도 미국 기술이 사용됐다면 수출을 금지할 수 있는 게 특징이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 어플라이드머티어리얼즈와 같은 미국의 반도체 장비와 케이던스, 시놉시스 등 EDA(전자설계자동화)를 주로 사용해서 반도체를 만들고 있다는 점에서 수출 통제를 받을 수 있다. 그러나 이 조치가 시행된다고 해도 당분간 3사 메모리 업체는 큰 피해를 받지 않을 것으로 보인다. HBM은 주로 최대 고객사인 미국 엔비디아, AMD 등의 AI 가속기에 공급되고 있기 때문이다. 엔비디아는 AI 반도체 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지하고 있어, 대부분의 HBM 물량을 소화하고 있는 상황이다. SK하이닉스는 엔비디아 HBM3과 HBM3E 8단을 사실상 엔비디아에 독점 공급하고 있다. 삼성전자는 엔비디아가 중국 수출용으로 성능을 낮춰 개발한 GPU H20에 HBM3을 공급하고 있다. 그러나 업계에서는 이번 규제가 H20 GPU까지 포함될 가능성은 작다고 전망한다. 또 이번 수출 통제는 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 HBM 개발을 막는 것을 목표로 한다는 분석도 나온다. CXMT는 현재 HBM2를 상업 생산 중인 것으로 알려졌다. 블룸버그에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 논평 요청에 응답하지 않다고 밝혔다.

2024.08.01 14:01이나리

램리서치, 1000단 3D 낸드 지원...극저온 식각 기술 'Lam Cryo 3.0' 출시

램리서치가 3세대 극저온 유전체 식각 기술인 'Lam Cryo 3.0'을 출시하며 3D 낸드 플래시 메모리(이하 3D 낸드) 개발을 지원한다. Lam Cryo 3.0은 극저온의 공정 온도, 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터 기술과, 표면 화학의 혁신이 결합된 결과물로 업계 최고 수준의 정밀도와 프로파일 제어를 달성했다. 세샤 바라다라잔(Sesha Varadarajan) 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 "Lam Cryo 3.0을 제공해 고객들의 3D 낸드 1000단 달성을 지원하고 있다"라며 "램리서치의 극저온 식각 장비를 통해 이미 500만 장이 넘는 웨이퍼가 제조됐으며, 이번에 소개하는 최신 기술은 3D 낸드 생산에 있어 또 다른 혁신의 기점이다"고 말했다. 오늘날까지 3D 낸드 스케일링은 주로 메모리 셀을 수직으로 적층하는 방식으로 이루어져 왔으며 이를 위해 깊고 좁게 파는 고종횡비 메모리 채널 식각 기술이 사용됐다. 이 과정에서 구조의 목표 프로파일에 원자 수준의 미세한 편차가 발생하면 소자의 전기적 특성은 물론 수율에까지 부정적인 영향을 미쳤다. Lam Cryo 3.0은 스케일링에 있어서 이러한 문제를 포함한 식각 공정에서의 다양한 난제들을 극복하는데 최적화됐다. 3D 낸드 제조사들은 Lam Cryo 3.0 사용으로 상단부에서 하단부까지 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며 최대 10마이크론(µm) 깊이의 메모리 채널을 식각할 수 있다. 또 기존 유전체 공정 대비 2.5배의 식각률을 달성하고, 옹스트롬(angstrom) 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현한다. Lam Cryo 3.0은 램 고유의 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터와 공정 개선, 새로운 식각 가스 사용이 가능한 초저온 환경을 제공한다. 기존 식각 공정보다 웨이퍼당 에너지 소비를 40% 절감하고 새로운 식각 가스를 사용해 탄소 배출량을 최대 90%까지 감축하는 등 지속가능성 측면에서도 개선됐다. 글로벌 리서치 기업 카운터포인트리서치의 공동 설립자이자 연구 담당 부사장인 닐 샤(Neil Shah)는 "AI는 클라우드와 엣지 컴퓨팅은 플래시 메모리 성능과 용량의 수요를 폭발적으로 증가시키고 있다. 칩 제조사들은 2030년까지 3D 낸드 1000단 도달 경쟁에서 낸드 플래시를 확장하고 있다"며 "램리서치의 Lam Cryo 3.0은 첨단 3D 낸드의 수율과 전반적 성능을 크게 개선하고 AI 시대 칩 제조사들의 경쟁력을 강화시킬 것"이라고 강조했다.

2024.08.01 12:27이나리

SK하이닉스, 'FMS 2024'서 321단 낸드·HBM3E 12단 실물 공개

SK하이닉스가 오는 6~8일(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사인 'FMS 2024'에 참가해 321단 낸드, HBM3E 12단 등 최신 AI 메모리 기술과 제품을 선보이고 미래 비전을 제시한다. FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사로 진행됐으나, AI 시대가 본격화되면서 주최 측이 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 이에 따라 행사명이 기존 'Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)'에서 'Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)'로 리브랜딩(Re-branding)됐다. SK하이닉스는 "FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다"며 "AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다"고 강조했다. 회사는 지난해 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개하는 등 이 행사를 통한 글로벌 소통에 공을 들여왔다. 행사 첫날인 6일 SK하이닉스 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 'AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)'을 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하며, 권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡는다. 회사는 발표 주제에 맞춰 이번 행사에서 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품들을 선보인다. 그 밖에 ▲온디바이스AI용 낸드 솔루션 'ZUFS 4.0' ▲온디바이스 AI PC용 SSD 'PCB01' ▲PCIe Gen5 E3.S, PCIe Gen4 U.2 기반 서버향 SSD 'PS1010' ▲모바일용 D램 'LPDDR5T' ▲머신러닝, 빅데이터 연산에 활용되는 PiM 메모리 'GDDR6-AiM' ▲고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 머신러닝 및 데이터 필터링 연산 기능이 포함된 'CMS 2.0' 등을 공개한다. 이와 함께 SK하이닉스는 자사 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시, 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다. 회사는 또, 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 'FMS 슈퍼우먼 컨퍼런스'에 올해 공동 스폰서로 참여하기로 했다. 이에 따라, 7일 오후 열리는 컨퍼런스에서 회사의 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장(Advanced PI 담당)이 'SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성에 대한 이해'를 주제로 발표를 진행한다. SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra 담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며,“이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것”이라고 말했다.

2024.08.01 09:48이나리

삼성전자, HBM 사업 본궤도 오른다...하반기에 매출 3.5배 확대

삼성전자 반도체 사업을 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문이 2분기 영업이익에서 6조4천600억원을 기록하며 시장 전망치(5조원대)를 넘어선 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 이는 지난 1분기 영업이익 1조9천억원으로 5개 분기 만에 흑자전환 달성에 이어 괄목할 만한 성장세다. 2분기 DS 부문 매출은 28조5천600억원으로 전분기 대비 23% 증가했다. 2분기 반도체 실적은 고부가가치 제품인 AI향 메모리 공급으로 인한 결과다. 삼성전자는 하반기에 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 8단 양산을 시작하면서 매출 상승을 이어갈 계획이다. 아울러 파운드리 사업에서도 AI향 고객사 수주를 이어간다. 삼성전자는 31일 연결기준으로 올해 2분기 매출 74조683억원, 영업이익 10조4천439억원으로 깜짝 실적을 냈다. 전사 영업이익은 증권가 컨센서스 8조원대를 훌쩍 넘는 실적이다. 매출은 전년(60조100억원) 보다 23% 증가하고, 전분기(71조9천200억원) 3% 증가했다. 영업이익은 지난 1분기(6조6천100억원) 보다 3조8천400억원 증가한 실적이다. 아울러 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 건 2022년 3분기(10조8천520억원) 이후 7분기 만이다. ■ HBM3E 8~9월 양산...매출 비중 4분기 60% 차지 삼성전자는 2분기 ▲DDR5 ▲서버SSD ▲HBM(고대역폭메모리) 등 서버 응용 중심의 제품 판매 확대와 생성형 AI 서버용 고부가가치 제품 수요에 적극 대응해 실적이 전분기 대비 대폭 호전됐다. 특히 삼성전자는 HBM 판매에 주력 중이다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “2분기 HBM 매출은 전 분기 대비 50% 중반대 성장했고, 하반기에는 상반기 대비 3.5배를 상회하는 규모까지 확대될 것으로 예상된다"고 말했다. 하반기에는 4세대 HBM3과 5세대 HBM3E 매추리 증가할 전마이다. 김 부사장은 “HBM3는 모든 주요 GPU 고객사들에게 양산 공급을 확대 중으로 2분기에는 전분기 대비 매출이 3배에 가까운 성장을 기록했다”고 밝혔다. 최근 삼성전자가 엔비디아에 HBM3 공급을 시작했다는 주요 외신의 보도를 인정함 셈이다. 이어서 김 부사장은 “HBM3E 8단 제품은 지난 2분기 초 양산 램프업 준비와 함께 주요 고객사에 샘플을 제공했고, 현재 고객사 평가가 정상적으로 진행되고 있으며, 3분기 중 양산 공급이 본격화될 예정이다"며 "HBM3E 12단 또한 양산 램프업 준비는 마쳤고 복수의 고객사들 요청 일정에 맞춰 하반기 공급 확대 예정이다"고 설명했다. 이에 따라 삼성전자 HBM 내 HBM3E의 매출 비중은 3분기 10% 중반을 넘어서고, 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 전망이다. 그 밖에 2분기 서버향 DDR5 제품은 출하량 증가와 평균판매가격(ASP) 상승으로 80% 중반의 매출 상승폭을 기록했다. 서버향 SSD의 경우 전분기 높았던 출하량의 기저 효과에도 불구하고 매출이 전분기 대비 40% 중반 증가한 실적이다. 삼성전자는 업계 최초로 개발한 1b나노 32Gb DDR5 기반의 128GB 제품 양산 판매를 개시해 DDR5 시장 리더십을 강화한다는 목표다. ■ 서버용 SSD 매출 4배 이상 성장…파운드리 2028년까지 매출 9배 확대 삼성전자는 올 하반기 서버용 SSD 매출이 전년 대비 4배 이상 성장한다고 전망했다. 멀티 모델 AI가 확산되고 AI 모델의 연산량이 늘어남에 따라 고성능·고용량 SSD 수요는 지속 강세를 보이면 서다. 김 부사장은 “서버용 SSD 매출은 ASP 개선과 출하량 증가, 프리미엄 제품 비중 확대에 힘입어 하반기에도 가파른 실적 개선이 이어지면서 전년 동기 대비 4배를 넘어서는 성장이 가능할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 특히 프리미엄 제품인 TLC 기반의 16테라바이트(TB) 이상 16채널 SSD 판매는 올해 급격히 증가 중으로 하반기 매출액 기준 전년 동기 대비 10배 이상 성장할 것으로 예상된다. 반면, QLC 제품의 경우 올해 전체 서버 SSD 시장 내 비중이 10% 초중반 수준으로 제한적이다. 파운드리 사업은 메모리와 비교해 실적이 다소 부진한 상황이다. 다만 2분기에는 5나노 이하 선단 공정 수주 확대로 전년 대비 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야 고객수가 약 2배로 증가했다. 송태중 파운드리 사업부 상무는 “파운드리 사업은 2028년까지 2023년 대비 AI와 HPC 응용처용 고객 수를 4배, 매출을 9배 이상 확대하는 것이 목표다”라고 밝혔다. 삼성전자는 2025년 2나노 양산을 위해 현재 GAA(Gate All Around) 2나노 공정 프로세스 설계 키트 개발·배포를 통해 고객사들이 본격적으로 제품 설계를 진행 중이다. ■ AI 기능 탑재된 폰 수요 확대로 프리미엄이 시장 주도 DX(디바이스 경험)부문은 매출 42조700억원, 영업이익 2조7천200억원을 기록했다. 그 중 MX(모바일 경험)및 네트워크 매출은 27조3천800억원, 영업이익은 2조2천300억원이 포함된다. 갤럭시S24 시리즈는 2분기 출하량·매출 모두 전년 대비 두 자릿수 성장을 달성했지만, 주요 원자재 가격 상승으로 인한 수익성 악화 요인이 있었다. 2분기 스마트폰 출하량은 5400만대, 태블릿은 700만대를 기록했고, 스마트폰 ASP는 279달러로 전년 동기(325달러) 대비 하락했다. 올해 하반기 스마트폰 시장 전망에 대해서는 “3분기에는 스마트폰 출하량이 성장하고 ASP가 인상될 것”이라며 “AI 수요 확대와 신기능이 적용된 갤럭시Z6 시리즈 등 신제품 출시 등에 힘입어 프리미엄 제품 수요가 시장 성장을 견인할 것”이라고 내다봤다. 이어서 “이번에 출시한 스마트링은 수면·건강관리 제품에 대한 관심 증가와 당사 신제품 출시 영향으로 시장이 큰 폭으로 성장할 것으로 전망된다”고 밝혔다. 그 밖에 하만 매출은 3조6천200억원, 영업이익 3천200억원을 기록했다. 하만은 포터블과 TWS(True Wireless Stereo) 중심의 소비자 오디오 제품 판매 확대로 실적이 개선됐다. 삼성디스플레이 매출은 7조6천500억원, 영업이익 1조100억원을 기록하며 성장세를 보였다. 한편, 2분기 시설투자는 12조1천억원으로 전분기 대비 8천억원 증가했다. 세부적으로 반도체 9조9천억원, 디스플레이 1조8천억원이 투자됐다. 아울러 삼성전자는 미래 성장 동력을 위한 적극적인 연구개발 투자를 지속하며 2분기 8조500억원의 연구개발비를 집행했다.

2024.07.31 13:19이나리

삼성전자 "하반기 서버용 SSD 매출 4배 이상 성장 전망"

삼성전자가 생성형AI 확산에 따른 영향으로 올 하반기 서버용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 매출이 전년 대비 4배 이상 성장한다고 전망했다. 삼성전자는 31일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 서버형 SSD 시장은 전년 대비 가파른 성장을 보이고 있다. 특히 멀티 모델 AI가 확산되고 AI 모델의 연산량이 늘어남에 따라 고성능·고용량 SSD 수요는 지속 강세를 보일 것으로 예상된다"고 말했다. 이어서 "당사 서버용 SSD 매출은 평균판매가격(ASP) 개선과 출하량 증가, 프리미엄 제품 비중 확대에 힘입어 하반기에도 가파른 실적 개선이 이어지면서 전년 동기 대비 4배를 넘어서는 성장이 가능할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 특히 프리미엄 제품인 TLC 기반의 16테라바이트(TB) 이상 16채널 SSD 판매는 올해 급격히 증가 중으로 하반기 매출액 기준 전년 동기 대비 10배 이상 성장할 것으로 예상된다. 반면, QLC 제품의 경우 올해 전체 서버 SSD 시장 내 비중이 10% 초중반 수준으로 제한적이다. 삼성전자는 "미래 수요 잠재력을 감안해 QLC 제품 개발 및 사업화를 병행함에 따라 서버형 QSC 시장의 메인 볼륨인 16TB 및 32TB SSD는 이미 양산 공급 중이며, 고객 승인 중인 64TB SSD도 하반기 양산 판매 예정이다"고 말했다. 아울러 "128TB 제품 또한 4분기 내 당사 라인업에 추가해 고용량 QLC SSD 수요에도 적기 대응할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.07.31 11:59이나리

삼성전자 "HBM3E 8~9월 양산...매출 비중 4분기 60% 차지"

삼성전자가 5세대 HBM(고대역폭메모리) 'HBM3E'이 3분기부터 양산을 시작하면서 매출이 본격적으로 발생한다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM 매출에서 HBM3E이 차지하는 비중은 3분기 10% 중반에서 4분기 60%로 증가할 전망이다. 삼성전자는 31일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 김재준 부사장은 "4세대 HBM 제품인 HBM3는 모든 주요 GPU 고객사들에게 양산 공급을 확대 중으로 2분기에는 전분기 대비 매출이 3배에 가까운 성장을 기록했다"고 밝혔다. 최근 삼성전자가 엔비디아에 HBM3 공급을 시작했다는 주요 외신의 보도를 인정함 셈이다. 이어서 김 부사장은 "HBM3E 8단 제품은 지난 2분기 초 양산 램프업 준비와 함께 주요 고객사에 샘플을 제공했고, 현재 고객사 평가가 정상적으로 진행되고 있다. 3분기 중 양산 공급이 본격화될 예정이다"며 "HBM3E 12단 또한 양산 램프업 준비는 마쳤고 복수의 고객사들 요청 일정에 맞춰 하반기 공급 확대 예정이다"고 설명했다. 삼성전자는 올해 상반기 HBM3 내 12단 제품의 판매 비중이 3분의 2 수준을 기록했던 만큼, 누적된 12단 패키징 경험을 바탕으로 HBM3E에서도 이미 성숙 수준의 패키징 수요를 구현했다고 강조했다. 이날 삼성전자는 HBM 내 HBM3E의 매출 비중이 3분기 10% 중반을 넘어서고, 4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 것으로 전망된다고 밝혔다. 김 부사장은 "HBM3E의 본격적인 램프업과 함께 캐파 확대 영향이 맞물리면서 하반기에는 당사 HBM 매출이 더욱 가파르게 늘어날 것으로 예상된다"라며 "2분기 전분기 대비 50% 중반 증가했던 당사 HBM 매출은 매분기 2배 내외 수준의 가파른 증가에 힘입어서 하반기에는 상반기 대비 3.5배를 상회하는 규모까지 확대될 것으로 예상된다"고 말했다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다. 삼성전자의 HBM4는 2025년 하반기 출하될 예정이며, 이미 고객사들과 협의 중이다. 김 부사장은 "당사는 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구에 대응하기 위해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중이며, 현재 복수의 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의를 이미 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.31 11:42이나리

삼성전자, 하반기도 메모리가 이끈다..."AI 서버향 적극 대응"

삼성전자가 올해 2분기 반도체를 담당하는 DS 부문의 영업이익이 6조4천600억원으로 시장 전망치를 웃도는 실적을 낸 가운데, 하반기에도 메모리 수요 강세가 지속됨에 따라 실적 향상을 보일 전망이다. 삼성전자는 "메모리는 주요 클라우드 서비스 공급자와 일반 기업체의 AI 서버 투자가 확대되면서 시장 내 AI 서버 구축을 위해 HBM·DDR5·SSD 등 서버용 메모리 제품의 수요 강세가 지속될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 회사는 AI 서버용 고부가가치 제품 수요에 적극 대응하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 생산 능력 확충을 통해 HBM3E 판매 비중을 확대할 예정이다. 서버용 D램 분야에서도 1b나노 32Gb DDR5 기반의 128GB, 256GB 모듈 등 고용량 제품을 기반으로 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 낸드의 경우 서버·PC·모바일 전 분야에 최적화된 QLC SSD 라인업을 기반으로 고객 수요에 적기 대응할 계획이다. 시스템LSI는 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 플래그십 제품용 '엑시노스 2500'의 안정적 공급을 위해 사업부 역량을 집중할 계획이다. 업계 최초 3나노 SoC가 적용된 웨어러블 제품의 초기 시장 반응이 호조를 보이고 있고, 하반기 주요 거래선의 시스템온칩(SoC) 채용 모델 확대가 예상된다. 파운드리는 모바일 제품군의 수요 회복세에 따라 AI와 고성능 컴퓨팅 분야 제품 수요가 증가할 것으로 예상된다. 선단 노드 중심으로 시장이 성장할 전망이다. 삼성전자는 선단 공정 사업 확대와 게이트올어라운드(GAA) 3나노 2세대 공정 본격 양산을 통해 올해 시장 성장률을 상회하는 매출 신장을 기대하고 있다. 하반기에도 AI와 고성능 컴퓨팅 분야 수주를 지속 확대할 계획이다. DX(디바이스 경험)부문에서 MX(모바일 경험) 사업부는 AI 수요 확대와 신규 폼팩터 제품 출시 등에 힘입어 프리미엄 제품을 중심으로 시장 성장세를 견인할 것으로 전망된다. 파리 올림픽 연계 마케팅 전략으로 시장과 고객의 초기 관심을 이끌어내고, 폴더블과 웨어러블 신제품 경쟁력을 바탕으로 특화된 갤럭시 AI 경험을 적용한 갤럭시 생태계 중심의 매출 성장을 추진할 계획이다. VD(비쥬얼 디스플레이)는 프리미엄 제품의 수요 성장과 대형화 트렌드 지속으로 전체 TV 시장 수요가 회복될 것으로 전망한다. 이에 삼성전자는 Neo QLED와 OLED 등 주력 제품 판매를 중심으로 시장 성장세를 주도할 계획이다. 삼성전자는 AI·보안·디자인과 연계한 당사만의 특장점과 스마트싱스(SmartThings) 기반의 차별화된 고객 경험을 집중 소구해 시장 성장을 주도하고, 서비스 플랫폼 사업을 강화해 사업 성장 동력을 지속 강화해 나갈 방침이다. 생활가전은 비스포크 AI 신제품 글로벌 판매 확대를 추진해 AI 가전 리더십을 강화하는 동시에, 시스템에어컨과 빌트인 등 B2B 매출 확대를 바탕으로 사업 구조 개선을 지속해 나갈 계획이다. 하만은 전장 부문 신규 분야 수주 확대를 통해 사업 역량을 강화할 예정이다. 소비자 오디오 시장에서는 성수기에 대응해 제품 포트폴리오를 강화하고 차별화된 제품을 선보여 시장 리더십을 공고히 할 계획이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 주요 고객사인 삼성전자, 애플의 신제품 출시와 최근 증가 중인 AI 스마트폰 교체 수요로 판매 확대가 기대되지만, 업체 간 경쟁은 상반기보다 심화될 전망이다. 대형은 고수익 제품 중심의 운영과 생산성 향상을 통해 매출 확대와 손익 개선을 추진하고 다양한 모니터 신제품을 라인업에 추가해 판매를 확대할 계획이다.

2024.07.31 09:54이나리

FHD 영화 300편 1초에...SK하이닉스, 세계 최고성능 그래픽D램 3분기 양산

SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDD은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 진화해 왔다. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 반도체 후공정 필수 재료다. 이상권 SK하이닉스 부사장(D램 PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 SK하이닉스의 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.07.30 09:30장경윤

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

드림텍, 인도 메모리 모듈 팹 준공…4분기 양산 시작

드림텍은 종속회사인 '드림텍 인디아'가 그레이터 노이다에 제1공장을 건설하고 준공식을 개최했다고 28일 밝혔다. 이날 준공식에는 박찬홍 드림텍 대표이사, 장재복 주 인도대사, Ravi Kumar N.G 인도 GNIDA 대표, 우타르 프라데시주 관계자 및 삼성전자 인도법인 관계자 등이 참석했다. '북인도의 디트로이트'로 불리는 그레이터 노이다는 글로벌 제조업의 허브로 부상하고 있는 지역이다. 드림텍 인도공장은 수도 뉴델리에서 52km, 삼성전자 인도 법인(SIEL)에서는 27km 거리에 위치해 있다. 드림텍은 글로벌 기업이 포스트 차이나 제조 허브로 인도를 주목하는 흐름에 발맞춰 제조 경쟁력을 갖춘 인도 생산거점을 조기에 확보, 고객사 수요에 적시 대응하고자 인도 진출을 결정한 바 있다. 이를 위해 드림텍은 851억원을 투입해 축구장 11개 규모인 8만942㎡의 부지 및 설비 시설을 마련했다. 이 중 제1공장은 2만4천472㎡ 규모다. 드림텍은 지난 20여년간 축적해 온 '맞춤형 대량생산' 노하우와 경제 성장률 7%를 웃도는 인도의 잠재력이 시너지를 낼 것으로 기대하고 있다. 연간 매출액은 5천억 원에 이를 것으로 전망된다. 드림텍은 인도에 진출한 글로벌 제조 기업들과의 협력을 강화하고 신규 고객을 확보, 다양한 세트 업체의 IT부품 수요에 대응하면서 사업 다각화를 추진한다는 방침이다. 특히 인도공장은 드림텍의 메모리 모듈 사업을 전담하게 된다는 측면에서 주목받는다. 4차 산업혁명과 함께 급증하고 있는 AI 반도체 수요에 대응하기 위한 것으로, 드림텍은 반도체 생산 라인에 인도법인 전체 투자금의 40%을 들였다. 오는 4분기부터 메모리 반도체 D램 모듈과 SSD 완제품을 생산할 계획이며 전체 양산 라인이 가동되는 내년부터는 연간 1000억원 수준의 매출이 발생하게 될 것으로 기대된다. 스마트폰 모듈 부문에서는 삼성전자 인도 법인 물량을 대응, 삼성전자의 스마트폰 물량 증가에 맞춰 연간 물량의 20~25%를 생산하는 것을 목표로 한다. 드림텍 인도공장은 생산 라인을 100% 가동할 경우, 연간 최대 1억개의 스마트폰 부품 모듈을 생산할 수 있는 규모로, 삼성전자의 물량 확대에 유연한 대응이 가능하다. 또한 드림텍은 인도 내 바이오센서 수요 증가에 발맞춰 인도 현지에서 '바이오센서 1Ax, 2A' 등을 생산·공급해 2030년 500억 달러(68.8조원) 규모로 전망되는 인도 의료기기 시장도 공략할 계획이다. 인도 의료기기 시장은 의료 서비스와 인프라가 열악한 데다 지역간 접근성 격차가 커 환자의 건강 상태를 모니터링하고 분석, 진단할 수 있는 웨어러블·빅데이터·로봇공학 분야가 선도하고 있다. 드림텍의 바이오센서는 환자의 가슴 부위에 부착해 심전도, 심박수 등 주요 생체 정보들을 실시간으로 모니터링하는 의료기기로 향후 인도공장을 통해 월 1백만개 수준의 생산능력을 구축, 병원을 중심으로 한 인도 의료시장을 대상으로 제품을 공급한다는 목표다. 이 외에도 인도공장에는 자동화 시스템 및 AI 딥러닝을 적용한 검사 장비가 도입될 예정으로, 생산 효율성 향상과 균일한 품질 수준 유지가 기대된다. 특히, 검사 공정에는 드림텍의 자회사인 '에이아이매틱스'와 협업해 개발한 AI 딥러닝 기반 자동화 검사 장비가 도입된다. 사람이 놓칠 수 있는 불량까지 잡아내 불량 검출력을 획기적으로 향상시킬 뿐만 아니라, 공정 검사 인력을 절감하는 데 크게 기여할 것으로 기대된다. 이창직 드림텍 관리본부장은 “드림텍은 현지의 인프라와 정책적 지원을 바탕으로 글로벌 고객사 요구에 적시에 대응, 신속하고 안정적인 공급망을 제공해 글로벌 ODM기업으로서의 경쟁력과 입지를 강화하겠다”며 “궁극적으로는 다양한 산업군에서의 성장 잠재력을 보유한 인도에서 고부가가치 산업을 중심으로 밸류업 할 것”이라고 말했다.

2024.07.29 06:00장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

'낸드냐 D램이냐' 삼성電, P4 설비투자 전략 고심...QLC에 달렸다

삼성전자가 최선단 메모리 투자 방향을 두고 고심하고 있다. 데이터센터·스마트폰 등에서 수요가 강한 9세대 'QLC(쿼드 레벨 셀)' 낸드용 설비 투자 계획이 불투명해졌기 때문이다. 이에 삼성전자 내부에서는 낸드가 아닌 D램향 투자를 늘리는 방안까지 거론되고 있다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 반도체 제4공장(P4)의 향후 투자 방향을 두고 여러 전략을 검토하고 있다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹이다. 기존 P3와 동일하게 D램·낸드 등 메모리, 파운드리를 동시에 생산하는 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인에 해당한다. 그러나 올해 상반기에 들어 P4 투자 계획에 변동이 생겼다. 삼성전자가 7나노미터(nm) 이하의 대형 파운드리 고객사 확보에 부침을 겪으면서, 최선단 파운드리 공정 투자를 서둘러 진행할 필요가 없어졌기 때문이다. 이에 삼성전자는 페이즈2 대신 메모리 투자에 우선순위를 두기로 했다. 다만 이 계획마저도 현재로선 변동성이 상당히 큰 상황이다. 당초 삼성전자는 P4 페이즈1을 순수 낸드 제조라인으로 구성하려고 했으나, 최근 여기에서도 D램을 양산하자는 논의가 제기된 것으로 파악됐다. 가장 큰 원인은 P4 페이즈1의 주력 생산제품이 될 'V9' 낸드다. V9는 280단대로 추정되며, 삼성전자의 경우 지난 4월에 TLC(트리플 레벨 셀) 제품의 본격적인 양산에 들어갔다. TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 구조를 뜻한다. 반면 최선단 낸드 시장은 TLC 대비 고용량 스토리지 구현에 용이한 QLC(셀 하나에 4비트 저장)에 대한 수요가 증가하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 QLC가 올해 낸드 출하량에서 차지하는 비중은 20%에 육박할 것으로 관측된다. AI 서버는 물론, 모바일 시장에서도 QLC 제품 채택이 활발히 일어나고 있다. 삼성전자 역시 이 같은 추세에 맞춰 올 하반기 내로 QLC V9 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 이달 기준으로 QLC에 대한 PRA(양산승인)은 아직 떨어지지 않았다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 V9 양산 소식을 알리기 위해 TLC를 전면적으로 내세우긴 했으나, 실제 최선단 낸드 수요는 TLC가 아닌 QLC에 집중돼 있다"며 "삼성전자가 PRA가 확정되지 않은 이상 낸드에 당장 투자를 진행하기는 어렵다는 판단을 하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "구체적인 사유는 밝히지 않았지만, 삼성전자는 이전 세대인 V8에서도 QLC 낸드 출시를 취소한 바 있다"며 "급하게 QLC 낸드를 준비해야 하는 상황인 만큼 개발이 원활히 진행될 것이라고 장담하기 어렵다"고 평가했다. 실제로 삼성전자는 P4 페이즈1의 낸드 설비 투자를 현재까지 월 1만장 규모로만 확정했다. 물론 이를 내년 4만5천장 수준으로 키우기 위한 투자 전략을 내부적으로 수립한 상황이나, QLC V9 낸드가 적기에 양산승인을 받지 못한다면 D램에 자리를 뺏기는 상황을 맞게 될 수도 있다. 한편 이와는 별개로, 삼성전자의 P4 내 D램 생산능력이 당초 예상보다 확대될 가능성은 매우 높은 것으로 관측된다. QLC가 주요 변수로 작용하고 있는 페이즈1과 달리, 당초 파운드리 라인이었던 페이즈2는 D램으로의 전환 가능성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "D램은 범용 제품의 공급량 부족, HBM 활황 등으로 D램 증설에 대한 목소리가 높다"며 "현실화되는 경우 1a·1b 등 선단 D램의 생산능력이 확대될 수 있다"고 말했다.

2024.07.26 10:26장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 6년만 역대급 실적...하반기도 기대

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 공급 증가에 힘입어 2분기 영업이익이 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 이후 6년만에 5조원대에 진입했다. 매출 또한 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 이 같은 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 메모리 수요 개선에 따라 하반기에도 실적 상승세를 이어갈 전망이다. 회사는 올해 HBM 매출은 전년 보다 300% 성장하고, 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD) 매출은 전년 보다 4배 성장이 예상된다고 밝혔다. ■ SK하이닉스, 영업이익 5.5조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 2분기 매출 16조4천233억원으로 전년 보다 125% 증가하고, 전기 대비 32% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 2분기 실적 중 최대다. 기존 기록인 2022년 2분기 13조8천110억 원을 크게 뛰어넘었다. 2분기 영업이익은 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 지난해와 비교하면 흑자전환이고, 전 분기 대비 89% 증가했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원), 3분기(6조4천724억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진에 성공했다. 2분기 영업이익률은 33%로 1분기(23%) 보다 10%포인트(P) 올랐다. ■ 올해 HBM 매출 전년比 300% 상승…내년 HBM3E 12단 공급량 8단 넘어설 것 SK하이닉스는 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E(5세대)와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 2분기 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 이런 상승세에 SK하이닉스는 HBM 올해 매출이 전년 보다 300% 증가한다고 밝혔다. 또 HBM3E 출하량이 자사 전체 HBM 출하량의 절반을 차지할 것을 예상했다. SK하이닉스는 “오는 3분기에 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것"이라며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3E 12단 제품은 2분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했고, 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. 이어서6세대 HBM4는 내년 하반기에 출시할 계획이다. 회사는 “HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 적용한 12단 제품부터 출하할 것”이라며 “HBM4 16단에는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓸 계획"이라고 전했다. 서버용 D램 또한 성장세를 보인다. 회사는 “일반 서버 교체 수요가 본격적으로 시작될 것임을 고려하면 올해와 내년 HBM를 제외한 서버용 D램의 성장률은 약 20% 중반 정도로 전망하고 있다”고 말했다. 그 밖에 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리도 하반기 판매가 늘어날 전망이다. ■ 올초 계획보다 투자 늘린다…HBM에 집중 SK하이닉스는 폭발적인 HBM 수요에 대응하기 위해 올초 계획보다 투자를 늘린다고 밝혔다. 회사는 늘어나는 AI형 메모리 수요에 대응하기 위해 지난 4월 착공한 청주 M15X 팹은 내년 하반기 양산을 목표로 공사를 진행 중이다. 또 차세대 반도체 생산기지인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. SK하이닉스는 “과거에 비해서 인프라 투자 규모가 증가하고 있는 가운데 일반 D램에 비해 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요한 HBM과 일반 D램의 수요에 적절하게 대응하기 위해 필요한 투자 규모도 증가하고 있다”라며 “올해 투자 규모는 연초 계획 대비 증가할 예정이다”고 밝혔다. 이어서 “다만 당사의 투자 계획은 철저히 고객의 수요와 수익성에 근거해 신중히 결정해 나갈 것”이라며, “최대한 영업 활동을 통해 창출되는 현금 흐름 범위 내에서 집행하며 투자 효율성과 재무 건전성을 동시에 확보해 나갈 계획”을 강조했다. 이어 “HBM은 1년 이상 고객 계약 물량을 기반으로 투자를 결정하기 때문에 투자 증가는 곧 제품 주문량의 증가를 의미한다”며 “향후 다양한 응용처에서 AI 기술이 적용되면 PIM(프로레싱인메모리) 등 수요가 늘어날 것”이라고 덧붙였다. 메모리 산업이 소품종 대량생산 구조에서 다품종 소량생산 구조로 변화하면서 고객사가 원하는 제품을 공급하는 주문형 산업으로 진화하는데 따른 판단이다. 한편, 올 초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. ■ 낸드 출하량 4분기부터 반등…eSSD 매출 4배 성장 예상 SK하이닉스는 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 분야에서는 수요가 상승되고 있으나, 스마트폰 PC 등 일반 응용체의 전방적인 수요는 회복이 느리기 때문이다. 반면 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD)의 올해 매출은 전년 보다 4배 성장하고, 전체 낸드 매출에서 eSSD의 비중이 절반 가까이 차지할 것으로 내다봤다. 회사는 “엔터프라이즈 SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50%가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대한다”라며 “수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나가겠다”고 말했다. SK하이닉스는 현재 QLC 기반의 60TB(테라바이트) 이상 엔터프라이즈 SSD 제품을 공급하고 있으며, 내년 초에는 128TB, 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 고용량 제품 리더십을 계속 유지한다는 목표다.

2024.07.25 13:49이나리

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

SK하이닉스 "낸드 출하량 3분기 한자릿수 중반 감소...4분기 성장세"

SK하이닉스가 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "3분기 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 중심으로 판매를 확대하고 있으나, 일반 응용체의 전방적인 수요 환경, 그리고 고객 재고 상황 등을 고려해서 한 자릿수 중반에 출하량 감소를 계획하고 있다"고 말했다. 단, SK하이닉스는 3분기 낸드 매출은 지속적으로 성장이 예상된다. 회사는 "당사는 수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나간다는 방침을 가지고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 낸드 출하량은 4분기에 다시 상승할 전망이다. 회사는 "4분기에는 내부적으로는 생산 비트도 늘어나고 외부적으로는 일부 수요 환경 개선되면서 저의 전체 출하량은 다시 성장세로 전환될 것으로 예상한다"라며 "내년에도 당사는 투자 최적화와 수익성 개선 기조를 유지하면서 향후 시장 변동에도 수익성을 확보할 수 있는 사업 체제를 확보하겠다"고 밝혔다. 회사는 "올해는 일반 서버에 대한 투자가 작년에 비해 늘어나고 있고 그동안 D램에 국한된 AI 관련 수요가 낸드 스토리지 영역으로도 확산되면서 고용량 제품 중심으로 한 엔터프라이즈 SSD 수요가 연초 예상을 크게 크게 상회하는 수준으로 성장하고 있다"라며 "이러한 성장세에 맞춰서 다양한 엔터프라이즈 제품 라인업을 제공해 고객 수요에 대응하겠다"고 말했다.

2024.07.25 10:51이나리

SK하이닉스 "HBM3E 12단 공급량, 내년 상반기 8단 앞지를 것"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품의 출하량이 내년 상반기부터 8단 제품을 앞지를 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM3E(5세대 HBM) 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 올해부터 5세대 제품인 HBM3E의 양산이 시작되며, 8단과 12단 적층 제품이 순차적으로 상용화될 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. SK하이닉스는 "12단 제품은 이번 분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4에 대한 전망도 제시했다. SK하이닉스는 "HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 12단 제품부터 출하할 것"이라며 "16단은 2026년 수요가 발생할 것으로 예상돼, 이에 맞춰 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.07.25 10:35장경윤

[1보]SK하이닉스, 2분기 영업익 5.4조원…6년 만에 5조원대 진입

SK하이닉스는 2024년 2분기 연결기준 매출 16조4천233억 원, 영업이익 5조4천685억 원, 순이익 4조1천200억 원을 기록했다고 25일 밝혔다. 영업이익률은 33%다. 매출은 전분기 대비 32%, 전년동기 대비 125% 증가했다. 영업이익은 전분기 대비 89% 증가했으며, 전년동기 대비로는 흑자전환했다. 특히 영업이익은 지난 2018년 2분기(5조5천739억 원), 3분기(6조4천724억 원) 이후 6년 만에 5조 원대 실적을 달성했다.

2024.07.25 08:21장경윤

中 반도체 굴기에…핵심부품 '블랭크마스크' 가격 상승 조짐

중국이 레거시(성숙) 반도체에 대한 생산량 확대를 지속 추진하고 있다. 최근 국내 기업으로부터 반도체 제조의 핵심 부품인 '블랭크마스크'를 적극 구입한 것으로 파악됐다. 이에 따라 올 하반기 일부 블랭크마스크 가격이 크게 인상되는 조짐까지 나타나고 있다. 23일 업계에 따르면 국내 블랭크마스크 제조기업 에스앤에스텍은 중국 고객사들로부터 올해 11월까지의 DUV 블랭크마스크 물량 구매주문(PO)을 받았다. 블랭크마스크는 반도체 제조의 핵심 공정인 노광공정에 쓰이는 부품이다. 블랭크마스크에 반도체 회로를 새기면 포토마스크가 되는데, 포토마스크에 빛을 투사해 웨이퍼에 회로를 새길 수 있다. 현재 에스앤에스텍은 국내에서 유일하게 DUV(심자외선) 블랭크마스크를 생산하고 있다. DUV는 ArF(불화아르곤)이라는 광원을 활용하는 노광 기술이다. 단일 패터닝으로는 최소 38나노미터(nm) 공정까지, 멀티 패터닝으로는 7nm까지 구현할 수 있다. 중국은 반도체 생산능력 확장에 따라 블랭크마스크에 대한 수요를 꾸준히 늘리는 추세다. 반도체 관련 협회 SEMI에 따르면, 중국의 반도체 생산능력은 올해 15%·내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 증가할 것으로 전망된다. 특히 중국은 DUV 공정 활용에 초점을 맞추고 있다. DUV보다 진보된 EUV(극자외선) 기술이 TSMC·삼성전자·인텔 등 주요 반도체 기업을 중심으로 보편화되고 있으나, 중국은 해당 기술에 접근하는 것이 사실상 불가능하다. 지난 2019년부터 미국이 전 세계 유일의 EUV 노광장비 업체인 ASML의 중국향 수출을 규제하고 있기 때문이다. 이는 에스앤에스텍과 같은 블랭크마스크 제조업체에게는 수혜로 작용한다. 최근 중국 고객사들은 에스앤에스텍의 로우엔드, 미들엔드급 DUV 블랭크마스크에 대한 구매주문을 11월 물량까지 완료했다. 또한 중국 내 수요 증가로 공급 제한이 예상되면서 특정 제품의 경우 올 하반기부터 가격을 50% 이상 인상하기로 한 것으로 알려졌다. 에스앤에스텍 관계자는 "고객사에 대한 구체적 사안을 언급할 수는 없지만 중국 내 로우엔드, 미들엔드 급의 블랭크마스크 수요가 지속적으로 오르고 있는 것은 사실"이라고 밝혔다. 한편 에스앤에스텍은 EUV 블랭크마스크에 대한 개발도 지속하고 있다. EUV 블랭크마스크는 개발 난이도가 매우 높은 분야로, 일본 호야 등이 시장을 독과점하고 있다.

2024.07.23 11:26장경윤

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