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'메모리반도체'통합검색 결과 입니다. (137건)

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풀HD 영화 15편 1초에 처리...SKH 'LPDDR5T' D램 첫 상용화

SK하이닉스가 초당 9.6Gb(기가비트)의 데이터를 전송할 수 있는 현존 최고속 모바일용 D램인 'LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)'의 16GB(기가바이트) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 13일 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 일반 D램 대비 저전압 동작 특성에 집중돼 있다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전이다. 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 높인 제품이다. SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발에 성공한 직후부터 글로벌 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 기업들과 성능 검증을 진행하며 제품 상용화를 준비해 왔다. SK하이닉스는 "역대 최고 속도가 구현된 LPDDR5T는 스마트폰의 성능을 극대화할 수 있는 최적의 메모리"라며 "당사는 앞으로 이 제품 활용 범위를 넓히면서 모바일 D램의 세대 교체를 이끌겠다"고 강조했다. LPDDR5T 16GB 패키지는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 또, 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. 최근 회사는 이 제품을 글로벌 스마트폰 제조사인 비보(vivo)에 납품하기 시작했다. 비보는 자사 최신 플래그십(Flagship) 스마트폰인 'X100'과 'X100 프로(Pro)'에 SK하이닉스의 최신 메모리 패키지를 탑재해 출시한다고 같은 날 발표했다. 이 스마트폰에는 LPDDR5T와 함께 미디어텍(MediaTek)의 최상위 모바일 AP 제품인 '디멘시티(Dimensity) 9300'이 탑재됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난 8월 LPDDR5T를 미디어텍의 모바일 AP에 적용해 진행한 성능 검증을 성공적으로 완료했다고 발표한 바 있다. 박명수 SK하이닉스 부사장(DRAM마케팅담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 스마트폰은 온디바이스 AI 기술이 구현되는 필수 기기로 부상하고 있다”며 “이에 따라 모바일 시장에서 고성능, 고용량 모바일 D램에 대한 수요가 늘고 있다”고 말했다. 박 부사장은 이어 “당사는 시장 수요를 잘 맞춰가는 한편, AI 메모리에서 확보한 기술 리더십을 바탕으로 프리미엄 D램 시장을 지속적으로 선도해 갈 것”이라고 덧붙였다.

2023.11.13 10:48장경윤

'어닝쇼크' 논란 파두 "고객사 거래 중단 아냐…4분기 발주 재개"

SSD 컨트롤러 전문 팹리스 파두는 13일 공식 홈페이지를 통해 올해 2, 3분기 실적 '어닝쇼크'와 관련한 설명문을 게재했다. 파두는 "예상을 뛰어넘은 낸드 및 SSD 시장의 침체로 당사의 실적 침체가 발생했다"며 "그러나 기존 고객사들이 파두 제품을 타 제품으로 교체했다는 우려는 사실과 전혀 다르다"고 밝혔다. 또, "4분기에는 기존 고객사들로부터의 발주가 이미 재개됐음을 명확히 말씀드린다"고 강조했다. 지난 2015년 설립된 파두는 데이터센터용 SSD 내부의 핵심 시스템반도체인 컨트롤러를 개발해, 주로 SK하이닉스와 거래해 왔다. 낸드를 자체 개발하지 않는 기업들을 위한 SSD 사업도 진행하고 있다. 지난 8월 기술특례상장을 통해 증시에 입성했다. 그런데 파두가 이달 기업설명회를 통해 처음으로 분기 매출을 공개하면서, 업계에 큰 논란을 불러 일으켰다. 자료에 따르면 파두는 올 1분기 176억 원의 매출을 올린 뒤, 2분기 5천900만 원, 3분기 3억2천100만 원으로 실적이 급락했다. 이는 당초 파두가 IPO 기자간담회에서 제시한 올해 매출 전망치인 1천200억 원에 도달하기에는 한참 모자라는 실적이다. 때문에 일각에서는 파두가 주요 고객사와의 거래가 완전히 끊어진 것이 아니냐는 의구심을 제기하기도 했다. 파두는 이에 대해 "기존 고객사 2곳과 더불어 2023년 하반기부터 중소형 SSD 업체향 공급이 시작될 것으로 기대했었다"며 "그러나 서버 업체들의 발주 중단 여파로 파두의 올 2~3분기 매출 역시 예상치 못한 중단 상태에 이르게 됐다"고 설명했다. 파두는 이어 "이는 낸드 고객사가 파두가 아닌 경쟁 제품으로 교체를 해서가 아니고, 최종고객사로부터의 발주 자체가 중단되었기 때문"이라며 "지금도 기존 고객들과의 협업관계는 매우 돈독하게 유지되고 있으며, 4분기는 소량이지만 고객사로부터 발주가 재개되어 일부 매출을 이미 확보한 상태"라고 덧붙였다. 향후 사업 계획에 대해서도 밝혔다. 파두는 "올해 컨트롤러 고객사 1곳, SSD 사업 고객사 2곳이 추가 확보됐다"며 "특히 컨트롤러 사업의 신규 고객은 글로벌 대형 메모리 업체로서, 다양한 프로젝트들을 파두와 공동 진행하기 위한 계약이 체결됐다"고 말했다. 해당 고객사로 인한 매출 발생은 2024년 하반기 중에 시작될 것으로 내다봤다. SSD 사업은 2023년 하반기 진행될 예정이었던 프로젝트들이 대부분 연기됐으나, 2024년 상반기부터 일부 매출 발생이 이뤄지기 시작할 것으로 전망했다. 신사업인 PCIe Gen5 SSD(현재 상용화된 가장 최신 표준의 SSD)는 2024년 4분기부터 일부 초도 물량에 대한 납품이 시작될 예정이다.

2023.11.13 09:52장경윤

한미반도체, 창사 이래 최대 407억원 규모 배당 발표

한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 2023회계년도 현금배당으로 주당 420원, 총 약407억원 배당을 실시한다고 13일 밝혔다. 이는 현재까지 최대 매출을 기록했던 2021년의 배당 총액(약 297억원)을 뛰어넘는 회사 창사 최대규모다. 배당은 한미반도체의 올해 3월 정관 개정에 따라 배당기준일이 매년 3월 7일 기준으로 개정되었으며, 배당을 받고자 하는 주주들은 2024년 3월 7일 한미반도체 주식을 보유하고 있어야 한다. 한미반도체 곽동신 부회장은 “이번 407억원의 창사 최대 배당 발표를 시작으로 앞으로 배당 성향을 계속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한미반도체는 올해 9월 한달 만에 SK하이닉스로부터 약 1천12억원 수주받았으며, AI 메모리 반도체, HBM 필수 생산 장비인 3세대 하이퍼 모델 '듀얼 TC 본더 그리핀'의 수주로 향후 매출 증대를 크게 기대하고 있다고 말했다. 곽동신 부회장은 “2024년 연매출 4천500억원을 목표로 하고 있으며, 2025년에는 연매출 6천500억원을 기록할 것으로 전망하고 있다”고 강조했다. HBM 시장의 큰 손인 엔비디아, AMD 등 대형 팹리스 기업들도 HBM 주문을 늘리고 있다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM 설비 증설을 위해 2024년 10조원의 투자를 진행할 것으로 알려졌다. 삼성전자도 HBM 수요 폭증에 대비해 패키징 라인 증설 투자를 앞당기고 2.5배 이상 생산량을 늘리기로 발표했다. 미국 마이크론 역시 HBM3E 양산 준비를 마쳐 내년 1분기 안으로 대량 생산 준비를 완료한다는 계획이다. 인공지능, 데이터센터 확대로 HBM 수요가 급증할 예정이며 이로 인한 SK하이닉스 외 다른 글로벌 HBM 제조사로의 장비 판매 가능성을 확대하고 있다.

2023.11.13 09:51장경윤

D램·낸드 가격, 10월 동시 상승…2년 하락세 끝났다

2년 이상 하락세를 면치 못했던 메모리반도체 가격이 마침내 반등하기 시작했다. 10월 기준 D램 및 낸드 범용제품의 평균 가격이 모두 상승한 것으로 나타났다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 10월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월 대비 15.38% 증가한 1.50달러로 집계됐다. 마찬가지로 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 10월 고정거래가격이 3.88달러로 전월 대비 1.59% 증가했다. 메모리반도체의 두 축인 D램과 낸드 가격은 지난 2021년 7월 고점을 기록한 뒤, 거시경제 및 IT 시장 악화로 가격이 지속 하락해 왔다. 두 메모리 가격이 상승한 건 2년 4개월 만이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 D램 가격이 4분기에도 계속 상승할 것으로 전망했다. 제품 별로는 DDR4가 전분기 대비 8~13%, DDR5가 10~15% 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "메모리 시장의 분위기가 바뀌면서 예상보다 빨리 고객사들이 D램에 대한 가격 인상안을 받아들였다"며 "4분기는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 업체들의 전략에 따라 시장 점유율에 변화가 있을 것"이라고 설명했다. 트렌드포스에 따르면, 삼성전자는 4분기 1a 나노미터(nm) 기반의 5600MT/s D램 출하로 시장 점유율을 확대할 전망이다. SK하이닉스는 DDR5의 가격을 전분기 대비 15~30%가량 높이려는 등 가격 인상을 적극 주도하고 있다. 마이크론 역시 고객사들과 15~20% 수준의 가격 인상안을 논의 중인 것으로 알려졌다.

2023.11.01 10:42장경윤

[컨콜] 삼성전자 "V9 낸드, '더블 스택' 기술로 원가 경쟁력 확보"

삼성전자는 31일 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 차세대 낸드인 V9의 기술력 및 원가 경쟁력을 적극 확보하겠다고 밝혔다. 현재 삼성전자는 176단 V7 낸드에서 236단 V8 낸드로의 전환을 꾀하고 있다. V8 낸드는 삼성전자가 지난해 11월 양산을 시작한 가장 최신 세대의 낸드다. 삼성전자는 "현재 V8 낸드로의 선단공정 전환을 가속화하고 있다"며 "특히 최근 미 정부로부터 VEU(검증된 최종 사용자)를 통보받아 중국 시안 팹의 공정 전환에 대한 불확실성도 상당 부분 해소됐다"고 밝혔다. 나아가 삼성전자는 300단 수준의 차세대 V9 낸드에 대한 기술력 확보에도 적극 나서겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자의 V9 낸드는 이전 세대 대비 성능은 최대 20% 높으면서도, 소모 전력은 15% 줄어들었다. 삼성전자는 "V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 공정으로 높은 단수를 쌓아올리는 것이 핵심"이라며 "더블 스택만으로 300단 수준의 V낸드 제품을 양산할 수 있는 기술을 성공적으로 확보해, 원가 경쟁력과 시장 대응력이 더 강화될 것으로 기대한다"고 강조했다. 스택은 낸드를 총 몇개로 나눠 적층하는 지를 나타내는 지표다. 예를 들어 200단 낸드를 더블 스택으로 만든다면, 100단+100단으로 이어 붙이는 형식이다. 스택이 적을수록 거쳐야 하는 공정 수도 줄어들기 때문에, 시간 및 비용을 줄일 수 있다는 장점이 있다.

2023.10.31 12:03장경윤

[컨콜] 삼성전자 "4분기 시장 D램 수요 10% 증가 전망"

삼성전자는 31일 3분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올 4분기 D램의 시장 수요가 10% 증가하고, 회사의 실적은 이를 뛰어넘을 것으로 전망했다. 삼성전자에 따르면 3분기 D램 빗그로스(메모리 생산량 증가율)은 약 10%다. ASP(평균판매가격)은 한 자릿 수 중반 정도로 증가했다. 4분기 시장의 D램 수요 빗그로스는 10% 수준을 예상했다. 다만 삼성전자는 이 같은 시장 전망을 상회할 것으로 내다봤다. 삼성전자의 3분기 낸드 빗그로스는 한 자릿 수 초반 감소했으나, ASP는 한 자릿 수 초반 증가했다. 4분기 낸드 수요 빗그로스는 전분기와 비슷할 것으로 예상했다. 한편 삼성전자는 내년 메모리 시장 전망에 대해 "고객사의 재고 수준 정상화, AI 및 PC 시장에서의 고용량 제품 수요 증가 등으로 내년 시장 회복세가 지속될 것"이라며 "특히 HBM을 제외한 선단 공정 제품의 빗그로스 성장률은 시장 수요 대비 적어, 업황이 조기 회복될 것"이라고 내다봤다.

2023.10.31 11:28장경윤

메모리 전문가가 본 D램 '빅3' 기술 우위…"여전히 삼성"

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 업체들의 최신 D램 개발 경쟁이 치열하다. 특히 마이크론의 경우 올 하반기 출시된 애플의 최신형 스마트폰에 가장 최신 세대의 D램을 양산 공급하는 성과를 거뒀다. 다만 D램의 경쟁력은 단순히 세대로 가늠할 수는 없다는 게 업계 전문가의 견해다. D램의 실제 특성 및 집적도 면에서는 삼성전자가 가장 뛰어난 기술력을 보유하고 있는 것으로 알려졌다. 최정동 테크인사이츠 박사는 지난 11일 수원컨벤션센터에서 열린 'SEMI 회원사의 날' 행사에서 삼성전자·애플의 최신 스마트폰 내 메모리반도체 탑재 현황 및 기술력에 대해 이같이 밝혔다. 전 세계 주요 스마트폰 업체인 삼성전자는 올해 2월부터 플래그십 제품인 '갤럭시S23' 시리즈를, 애플은 올해 9월부터 '아이폰15' 시리즈를 출시한 바 있다. 테크인사이츠는 세계 각국에서 판매된 제품을 입수해 티어다운(기기를 분해한 뒤 내용물을 분석하는 것)을 실시했다. 그 결과 아이폰15 시리즈 내에서 주요 메모리업체들의 최신형 D램 제품이 탑재된 것이 확인됐다. 최 박사는 "마이크론과 SK하이닉스의 D램 제품이 확인됐고, 아직 찾지는 못했으나 삼성전자의 제품도 있을 것"이라며 "특히 마이크론은 'D1β(D1b)'라는 가장 진보된 제품이 아이폰15에 다수 적용됐다"고 설명했다. D램은 회로 선폭에 따라 세대를 나눈다. D1b는 10나노미터(nm)급 5세대 기술로, 업계에서는 12~13나노로 표현된다. 현재 양산된 D램의 세대 중 가장 최신 세대에 속한다. 아이폰15에서 발견된 SK하이닉스의 D램은 이보다 2세대 전인 D1z다. D1z는 3세대 10나노급으로 16나노로 표현된다. 삼성전자는 갤럭시 시리즈에 자사의 D램 및 낸드를 전량 활용한다. 이번 갤럭시S23 시리즈에는 15~14나노의 D1a D램이 활용됐다. 다만 주요 메모리업체들의 D램 경쟁력을 단순히 세대로 판단해서는 안 된다는 게 최 박사의 설명이다. 최 박사는 "마이크론이 아이폰15에 D1b를 적용하고, 경쟁사 대비 앞서 최신 세대 D램 제품을 출시한 바 있지만 실제 기술적 측면에서의 혁신은 삼성전자가 주도한 것들이 꽤 많다"면서 "같은 세대 D램 제품을 비교해보면 항상 삼성전자가 마이크론보다 셀 크기가 더 작다"고 설명했다. 셀은 메모리에서 1비트(정보의 최소 단위)를 저장하는 소자다. 셀의 크기가 줄어들면 메모리 칩의 집적도를 높이는 데 유리하다. 칩 설계의 효율성을 높이기 위한 디자인 룰 역시 삼성전자가 경쟁사를 앞선 것으로 평가 받는다. 최 박사는 "예를 들어 삼성전자는 최신 D램에서 EUV(극자외선), HKMG(하이케이메탈게이트) 등 첨단 기술을 주도하면서 셀 크기를 줄였다"며 "물론 SK하이닉스와 마이크론도 특성 향상을 위해 각자 신기술을 적극 도입하는 추세"라고 밝혔다.

2023.10.12 09:46장경윤

국내 AI칩 스타트업, 삼성·SK 'HBM' 불꽃 경쟁 점화

해외 대형 업체들이 주도해 온 HBM(고대역폭메모리) 수요가 국내에서도 증가할 전망이다. 국내 AI(인공지능) 반도체 스타트업 3개사가 모두 삼성전자·SK하이닉스의 HBM을 탑재한 차세대 칩을 시장에 선보이기로 했다. 각 스타트업의 성장세가 향후 삼성전자·SK하이닉스의 HBM 시장 판도에 어떠한 영향을 미칠 수 있을 지 귀추가 주목된다. 10일 업계에 따르면 국내 서버용 AI 반도체 스타트업은 차세대 제품에 삼성전자, SK하이닉스의 HBM을 탑재할 계획이다. AI 반도체는 방대한 양의 데이터를 빠르게 처리하기 위한 고성능 시스템반도체다. 현재 엔비디아, AMD 등 글로벌 업체들이 데이터 병렬 처리에 유리한 GPU(그래픽처리장치)로 시장을 주도하고 있다. 이에 리벨리온, 퓨리오사AI, 사피온 등 국내 팹리스 스타트업은 NPU(신경망처리장치) 개발로 점유율 확보를 꾀하고 있다. NPU는 GPU 대비 범용성은 떨어지나, 딥 러닝 연산에 최적화돼 있어 더 빠른 속도와 전력 효율성을 구현한다. AI 반도체의 성능을 뒷받침해 줄 메모리반도체 역시 최신형 HBM(고대역폭메모리)을 활용할 계획을 세우고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. 기존 D램보다 데이터 처리 성능이 월등히 높아 AI 반도체에서 그 중요성이 높아지고 있다. 일례로 리벨리온은 최근 삼성전자와 협력해 4나노미터(nm) 공정 기반의 차세대 AI 반도체 '리벨' 제작 계획을 밝혔다. 리벨에는 삼성전자의 HBM3E가 탑재된다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 내년 양산을 앞둔 최신형 제품이다. 현재 시장에 상용화된 가장 최신 제품은 4세대인 HBM3다. 리벨리온은 첫 HBM 탑재를 통해 제품 경쟁력을 끌어 올리겠다는 전략이다. 이전 세대인 아톰의 경우 그래픽 D램(GDDR)을 활용한 바 있다. 신성규 리벨리온 CFO는 “리벨은 생성형 AI를 본격적으로 공략하기 위한 제품이기 때문에 메모리에서도 경쟁력을 확보하는 게 매우 중요하다고 생각했다”며 “그 중에서도 가장 프리미엄급인 HBM3E를 탑재하기 위해 삼성전자와 긴밀히 협력했다”고 설명했다. 퓨리오사AI, 사피온 등 동종 업체는 차세대 제품에서 SK하이닉스와 손을 잡기로 한 것으로 알려졌다. 퓨리오사AI는 내년 상반기 양산을 목표로 하고 있는 2세대 AI 반도체 '레니게이드'에 HBM3을 탑재하기로 했다. 양산은 대만 주요 파운드리인 TSMC의 5나노 공정을 기반으로 한다. SK그룹 계열사인 사피온은 오는 2026년 차세대 AI 반도체인 'X430' 출시를 계획하고 있다. X430에는 HBM3가 탑재될 예정으로, 사피온이 자사 AI칩에 HBM을 채택하는 첫 번째 사례가 된다. 이처럼 국내 AI 반도체 스타트업들이 국산 HBM 탑재 계획을 앞다퉈 발표함에 따라, 삼성전자·SK하이닉스도 미래 HBM 시장 확대를 위한 동력을 확보할 것으로 전망된다. 현재 삼성전자는 AMD를, SK하이닉스는 엔비디아를 주요 고객사로 두고 지배력 확장을 위해 치열한 신경전을 벌여왔다. 지난 7월 경계현 사장은 임직원과 진행한 '위톡'에서 "최근 자사의 HBM3 제품이 고객사들로부터 우수하다는 평가를 받고 있다"며 "삼성 고대역폭 메모리(HBM) 제품의 시장 점유율은 여전히 50% 이상"이라고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 역시 지난달 공식 뉴스룸을 통해 HBM3E의 주요 개발진들과의 인터뷰를 공개하고 "회사는 HBM 제품 시장에서 꾸준히 '퍼스트 무버' 역할을 하며 기술 리더십을 공고히 하고 있다"고 강조했다.

2023.10.10 13:54장경윤

곽노정 SK하이닉스 사장, 메모리 핵심 전략으로 '스페셜티' 지목

10일 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 창립 40주년을 맞아 "그동안 범용 제품(Commodity)으로 인식돼 왔던 메모리 반도체를 고객별 차별화된(Customized) 스페셜티(Specialty) 제품으로 혁신해 가겠다"고 회사의 미래 전략을 제시했다. 이날 곽 사장은 사내방송을 통해 방영된 'SK하이닉스 창립 40주년 특별대담'에서 이같이 밝히며, "(범용 제품 중심의) 과거 방식을 벗어나서 고객을 만족시키는 회사만이 살아남을 것"이라고 진단했다. 본격적인 AI 시대로 접어들면서 인공지능의 학습 범위가 확장되고, 빅테크 기업들이 메모리 반도체에 요구하는 스펙이 다변화되고 있다. 이런 가운데 SK하이닉스는 HBM3를 세계 최초로 양산하고, 세계 최고 사양 HBM3E도 개발하면서 AI 메모리 분야를 주도하고 있다. 그동안 메모리 사업은 D램과 낸드플래시 모두 기술 개발을 해내고, 빠르게 양산 체제를 갖춰 고객에게 대량으로 제품을 공급하는 소품종 대량생산 체제였다. 최근 메모리 솔루션 분야가 발전하면서 일부 영역에서 고객 맞춤형 기술 개발을 해오긴 했지만, 산업의 주류는 여전히 범용 제품 중심으로 이루어져 왔다. 하지만 챗GPT 등 생성형 AI가 등장하면서 인공지능의 기술 발전 속도가 빨라지는 가운데, 빅테크 기업들의 AI 서비스는 회사별로 차별화될 것이라는 게 업계 중론이다. 고객마다 자사가 목표로 하는 인공지능 서비스의 형태가 다양해지고, 이에 따라 AI 학습을 진행하는 방식도 제각각 달라지므로 회사마다 필요로 하는 메모리의 스펙도 다변화될 수밖에 없다는 것이다. 이런 흐름에 맞춰 내년에 양산될 예정인 HBM3E 이후에는 초기 단계부터 AI 사업을 하는 고객과 긴밀한 협업 속에 메모리 스펙을 구성해야 하고, 설계 및 생산 방식은 물론 마케팅 등 산업 전반에 큰 변화가 수반될 것이라고 곽 사장은 내다봤다. 곽 사장은 "메모리는 계속해서 고객의 요구에 맞춰 차별화돼야 하고, 이것이 우리를 성장시키는 원동력이 될 것"이라며 "앞으로는 고객이 원하는 스페셜티를 먼저 파악해야 하며, 이러한 변화가 우리에게 큰 기회가 될 것"이라고 강조했다. 한편 창립 40주년 대담에는 곽 사장과 함께, 세대별로 상징성을 가지는 구성원 3명이 참여했다. 회사에 30년 이상 근속하면서 올해 'SK하이닉스 1호 마스터'에 오른 마경수 기성(제조·기술 소속), 1983년 10월 회사 창립과 함께 태어난 손애리 TL(D램개발 소속), 그리고 2023년 신입사원 임서현 TL(낸드개발 소속)이 곽 사장과 회사의 과거, 현재, 미래에 대한 이야기를 나눴다. 회사의 미래에 대한 질문을 받은 곽 사장은 '이·청·용(이천, 청주, 용인) 시대'에 대해 먼저 언급했다. 기존 이천, 청주 사업장과 함께 2027년 SK하이닉스의 용인 클러스터 첫 번째 팹이 가동에 들어가면 회사는 세 지역을 삼각축으로 지역별 생산 최적화 체제를 갖추면서 사업 효율성을 높여 가겠다는 전략이다. 곽 사장은 "삼각축이 완성되면 SK하이닉스는 이·청·용을 기반으로 세계적인 반도체 메카가 될 것"이라고 포부를 드러냈다. 반도체 미래 기술과 관련해서는 메모리와 CPU, 시스템 반도체 간 경계가 없어지고 기술적인 융합이 이루어질 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 앞으로 "메모리 자체에 연산 기능을 넣는 PIM(프로세싱 인 메모리) 같은 제품들이 고도화되면서 향후 양자 컴퓨팅 쪽으로도 들어갈 것으로 보인다"며 "우리가 이를 얼마나 성숙하게 리드해갈 수 있는지가 미래를 결정짓는 요소가 될 것"이라고 말했다.

2023.10.10 10:09장경윤

상용화 실패했던 차세대 3DXP 낸드, 재기 성공할까

SK하이닉스가 차세대 낸드의 일종인 '3DXP'에 주목하면서 재기 가능성에 관심이 쏠리고 있다. 3DXP는 낸드의 성능을 향상시키면서 D램의 강점까지 갖고 있는 기술로 큰 기대를 모았다. 하지만 기술 및 비용 문제로 상용화에 한 차례 실패한 전력이 있는 기술이다. 그럼에도 불구하고 중장기적 관점에서 3DXP의 상용화 가능성은 여전히 남아 있다. SK하이닉스 역시 같은 관점에서 3DXP 기술 고도화에 힘을 쏟고 있는 것으로 풀이된다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 최신 '3DXP' 낸드플래시 제조 기술에 대해 소개했다. 3DXP는 3D 크로스포인트(Xpoint)의 준말로, 차세대 낸드로 주목받아 온 기술이다. 낸드의 비휘발성과 D램의 빠른 데이터 처리 속도를 동시에 갖춘 것이 특징이다. 비휘발성이란 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 성질을 뜻한다. 3DXP 낸드는 비휘발성이면서도 D램보다 소자 밀도가 10배 높다. 데이터 처리 속도 역시 낸드보다 1천배 이상 빠르다. 수명 역시 1천 배 수준으로 알려져 있다. 그 동안 3DXP 낸드 개발에 가장 적극적인 기업은 인텔이다. 인텔은 지난 2015년 마이크론과 협업을 통해 개발한 3DXP 기술을 첫 공개하고 '옵테인(Optane) 메모리'란 이름을 붙였다. 인텔은 이후 옵테인 메모리와 옵테인 메모리 기반 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 연이어 상용화하면서 관련 사업을 키워 왔다. 그러나 인텔은 지난해 7월 옵테인 사업에서 철수했다. 낸드·D램의 강점을 모두 갖췄음에도 불구하고 시장에서 뚜렷한 입지를 확보하지 못한 탓이다. 옵테인 메모리는 낸드에 비해서 가격이 크게 비쌌으며, D램의 성능을 완전히 따라잡지도 못했다는 평가를 받는다. 인텔이 사업 철수 직전 추산한 옵테인 사업부의 누적 영업손실은 5억5천900만 달러에 달한다. 인텔의 사업 철수를 계기로 3DXP에 대한 시장 전망은 더 어두워졌으나, 기술 개발에 대한 반도체 업계의 열의는 여전한 것으로 관측된다. SK하이닉스는 올해 중순 열린 '2023 VLSI 심포지엄' 행사에서 20나노미터(nm) 공정을 적용한 '4-Deck(데크) 3DXP' 테스트 칩 개발 성과를 시연했다. 4-데크는 전체 낸드 제품을 총 4개의 층으로 나눠 쌓는 기술이다. SK하이닉스는 지난 2019년 128Gb(기가비트)의 2-데크 3DXP를 개발한 데 이어, 이번엔 4-데크 3DXP로 256Gb 용량 구현에 성공했다. 읽기 지연시간은 100ns(나노세컨드; 10억분의 1초)로, 40~50µs(마이크로세컨드; 100만분의 1초)인 낸드 지연 시간을 크게 개선시켰다. 또한 SK하이닉스는 3DXP 제조 관련 기술에도 공을 들이고 있다. 자체 식각·세정·증착 기술 등을 포함한 신규 공정 통합 방식, 전기적 특성 향상을 위한 신규 저저항 도체 소재 등을 개발해냈다. 이재연 SK하이닉스 연구원은 "지난 몇 년간 SK하이닉스는 3DXP 메모리 솔루션 개발에 상당한 성과를 이뤄냈다"며 "3DXP에 더 미세한 공정을 적용하기 위한 차세대 솔루션도 준비하고 있다"고 밝혔다. 업계 관계자는 "인텔이 낸드 사업을 SK하이닉스에 매각할 당시 옵테인 사업부는 제외하기로 하는 등, 중장기적 관점에서는 3DXP 시장이 커질 수 있다는 시각을 유지하고 있는 것으로 안다"며 "SK하이닉스 역시 동일한 관점에서 연구개발을 지속하는 것"이라고 설명했다.

2023.10.04 13:52장경윤

D램 가격, 보합세로 전환…4분기엔 본격 '반등'

메모리 반도체 시장 부진으로 근 5개월 간 하락세를 이어 온 D램 가격이 지난달 보합세로 전환됐다. 4분기에는 DDR5를 중심으로 가격 반등세를 이뤄낼 것으로 전망된다. 4일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월과 동일한 1.30 달러로 집계됐다. D램 가격은 지난 2021년 7월 4.1달러로 최고점을 기록한 뒤, 메모리반도체 시장 부진으로 가격이 지속 하락해왔다. 올해에도 지난 4월부터 8월까지 5개월 연속 가격 하락세를 겪은 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조업체들이 7월과 8월 가격 협상을 대부분 마무리해 9월에는 보합세를 유지했다"며 "4분기에도 가격이 추가적으로 하락할 여지는 거의 없고, 예상보다 일찍 가격이 반등할 것"이라고 설명했다. 실제로 DDR5 모듈은 올 3분기 가격이 소폭 상승한 것으로 나타났다. 3분기 8GB DDR4 평균 고정거래가격은 12.5 달러로 전분기 대비 5.3% 감소했으나, 8GB DDR5 모듈은 15.3 달러로 0.7% 상승했다. 트렌드포스는 "재고 수준이 낮은 건 아니지만 고객사들은 4분기 공급업체들의 가격 인상안을 더 수월하게 받아들일 것"이라며 "DDR4는 전분기 대비 0~5%, DDR5는 3~8%의 상승을 예상한다"고 밝혔다. 낸드는 메모리카드·USB용 범용 제품(128Gb 16Gx8 MLC) 기준 9월 평균 고정거래가격이 3.82 달러로 집계됐다. 지난 5월부터 5개월 연속 가격에 변동이 없다. 낸드 역시 D램과 마찬가지로 지난 2021년 7월 최고가를 기록한 뒤 가격이 줄곧 하락해왔다. 트렌드포스는 "낸드 시장은 공급업체의 가격 인상 노력에도 시황에 따른 제약에 별다른 움직임을 보이지 않았다"며 "연말 협상에서는 고용량 제품을 중심으로 가격 상승이 실현될 수 있으나 전체적인 상승폭은 미비할 것"이라고 내다봤다.

2023.10.04 09:49장경윤

삼성전자, 업계 최초 'LPCAMM' 개발해 인텔 검증 완료…"내년 상용화"

삼성전자가 모바일 시장 경쟁력 강화를 위해 혁신 기술을 적용한 D램을 선보였다. 해당 D램은 주요 고객사인 인텔과의 검증을 마친 상황으로, 이르면 내년 상용화될 예정이다. 삼성전자는 LPDDR D램 기반 7.5Gbps(1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터) LPCAMM(Low Power Compression Attached Memory Module)을 업계 최초로 개발했다고 26일 밝혔다. LPDDR은 저소비전력 D램으로, 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 모바일 장치 등에 탑재된다. LPCAMM은 이 LPDDR 패키지 기반 모듈 제품이다. 삼성전자는 "기존 DDR 기반 So-DIMM 대비 성능·저전력·디자인 효율성 측면에서 기술 혁신을 이뤄냈다"며 "차세대 PC·노트북 시장에 새로운 폼팩터 패러다임을 제시할 것으로 기대된다"고 밝혔다. 기존 PC나 노트북에는 LPDDR 패키지 제품을 메인보드에 직접 탑재한 온보드(On-board) 방식 혹은 DDR 기반 모듈 형태의 So-DIMM이 사용되고 있다. So-DIMM은 PCB 기판 양면에 D램이 장착되어 있는 모듈로, 일반적인 DIMM보다 크기가 작다. 온보드 방식은 소형화, 저전력 등의 장점이 있지만 메인보드에 직접 탑재돼 교체가 어렵다. 또한 So-DIMM은 모듈 형태로 탈부착이 가능하지만 전송 속도, 공간 효율화 등에서 물리적 개발 한계가 있다. 삼성전자는 LPDDR을 모듈에 탑재해 고성능, 저전력을 구현함과 동시에 탈부착을 가능하게 함으로써 제조사에게는 제조 유연성을, 사용자에게는 교체·업그레이드 등의 편의성을 증대시켰다. LPCAMM은 So-DIMM 대비 탑재 면적을 최대 60% 이상 감소시켜 PC나 노트북의 부품 구성 자유도를 높여 배터리 용량 추가 확보 등 내부 공간을 보다 효율적으로 사용할 수 있다. 특히 LPCAMM은 So-DIMM 대비 성능은 최대 50%, 전력효율은 최대 70%까지 향상시켜, 인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅(HPC)·서버·데이터센터 등 응용처가 확대될 것으로 기대하고 있다. 최근 데이터센터 고객들은 LPDDR 탑재를 고려한 전력 운영 및 총 소유 비용(TCO) 효율화를 검토 중으로, 온보드 방식의 경우 사양 업그레이드 및 문제 발생시 메인보드를 전부 교체해야 하는 어려움이 있다. 그러나 LPCAMM을 서버에 적용할 경우 원하는 성능으로 제품을 교체하여 업그레이드가 가능할 뿐만 아니라, 전력 운영 관점에서도 비용 절감 효과를 가져올 수 있다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 "다양한 분야에 걸쳐 고성능, 저전력, 제조 융통성에 대한 요구가 증가함에 따라 LPCAMM은 PC·노트북과 데이터센터 등으로 점차 응용처가 늘어날 전망"이라며 "앞으로 삼성전자는 LPCAMM 솔루션 시장 확대 기회를 적극 타진해 신규 시장을 개척하여 메모리 산업을 이끌어 갈 것"이라고 말했다. 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 인텔 메모리 & IO 테크놀로지 VP는 "LPCAMM은 에너지 효율성과 교체·수리 용이성이 강점으로, 이 새로운 폼팩터는 오늘날 PC시장의 게임 체인저가 될 것"이라며 "클라이언트 PC 생태계의 원동력이 되고, 보다 넓은 시장 응용처에서 혁신을 이끌어 나갈 새로운 표준화에 참여할 수 있게 되어 기쁘다"고 말했다. 삼성전자는 인텔 플랫폼에서 7.5Gbps LPCAMM 동작 검증을 마쳤으며, 2024년 상용화를 위해 연내 인텔을 포함한 주요 고객사와 차세대 시스템에서 검증할 예정이다.

2023.09.26 11:00장경윤

삼성·SK, 낸드 불황 속 수율 개선·신기술 도입 '총력'

국내 주요 메모리업체인 삼성전자, SK하이닉스가 메모리 시장의 불황으로 낸드 사업 적자를 지속하고 있다. 이에 양사는 적극적인 감산과 더불어 수율 상승, 신기술 도입 등에 집중하고 있는 것으로 알려졌다. 15일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 고부가 낸드 제품의 제조비용 효율화를 추진하고 있다. 낸드 시장은 IT 및 거시경제 악화로 가격이 지속 하락해왔다. 일부 제품의 경우 4분기 가격 반등이 예상되나, 상승폭이 크지 않고 D램 대비 수요 부진이 심한 것으로 전해진다. 주요 제조업체들의 적자 기조도 지속될 전망이다. 이에 삼성전자는 최신형 낸드인 V8(236단)의 수율 향상에 집중하고 있다. 수율은 웨이퍼 한 장에 설계된 최대 칩(IC)의 개수 대비 실제 생산된 정상 칩의 개수를 백분율로 나타낸 수치로, 생산성과 직결된다. 예를 들어 웨이퍼 상의 100개의 칩이 공정을 거쳐 30개만 양품 판정을 받으면 수율은 30%다. 삼성전자는 지난해 11월부터 V8 낸드 양산을 본격화했다. 양산 초기에는 수율이 좋지 않았으나 점차 수율을 끌어 올리고 있는 것으로 알려졌다. 통상 낸드는 일부 층에서 불량을 일으켜도 무리없이 동작하기 때문에, 작동 성능에 따라 제품을 A~D급 등으로 나눈다. 업계는 삼성전자의 V8 낸드 수율은 하이그레이드(A·B급) 기준 올해 상반기 50%를 밑돌다가 현재 60%대까지 상승한 것으로 추산하고 있다. 삼성전자 내부 사안에 밝은 한 관계자는 "제품 테스트를 진행해보면 월 단위로 수율이 꾸준히 올라가고 있다"며 "수율이 정상 궤도에 오르는 것으로 평가받는 80~90%급에는 못 미치지만, 개선 속도는 빠른 분위기"라고 말했다. SK하이닉스 역시 낸드 수율을 끌어올리기 위한 노력과 더불어, 차세대 낸드의 제조 시간·비용 등을 줄일 수 있는 신기술을 도입할 계획이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 세계 첫 300단 이상 낸드에 해당하는 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드플래시 샘플을 공개한 바 있다. 해당 제품의 목표 양산 시점은 2025년 상반기다. SK하이닉스의 321단 낸드에는 '트리플 스택'이 적용된다. 낸드를 총 3개층으로 나눠 각기 제작한 뒤, 이를 쌓아 321단을 구현한다는 의미다. 트리플 스택을 활용하면 기존에 활용되던 더블 스택(2개층으로 나눠 쌓는 것) 대비 낸드를 더 높게 쌓는 데 유리하다. 다만 트리플 스택은 더블 스택 대비 더 많은 공정을 거쳐야 하기 때문에, 비용 효율화 측면에서는 불리하다. 삼성전자가 다음 양산할 V9 낸드(286단 추정)까지 더블 스택을 고수하는 이유도 이와 같다. 이에 SK하이닉스는 트리플 스택에 비용 효율성을 높이는 '3 플러그 통합' 기술을 적용하기로 했다. 해당 기술은 낸드를 3분할로 제작해 쌓는 과정은 동일하나, 이후에 필요한 코팅·증착·식각 등의 공정을 각 낸드가 아닌 일괄적으로 처리하는 기술이다. 이를 통해 전체 공정 수를 최소화할 수 있다는 게 SK하이닉스의 설명이다.

2023.09.14 17:08장경윤

SK하이닉스 "화웨이와 거래한 적 없어...신고 후 자체 경위 파악 중"

블룸버그통신은 7일 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠를 인용해 화웨이 '메이트 60 프로'에 SK하이닉스의 메모리반도체가 사용됐다고 보도했다. 메이트60 프로는 화웨이가 이달 초 중국에 출시한 최신형 플래그십 스마트폰이다. 테크인사이츠 분석에 따르면 메이트 60 프로에는 SK하이닉스의 LPDDR5(저전력 D램) 및 낸드플래시 제품이 탑재됐다. 이 보도에 대해 SK하이닉스는 "화웨이와 반도체 거래를 한 적 없다"면서 경위를 파악 중이라고 밝혔다. 현재 화웨이는 미국의 수출 규제를 받고 있어, SK하이닉스의 메모리반도체를 구매하는 것이 원칙적으로 불가능하다. 블룸버그통신은 "메이트 60 프로의 구성품 대부분이 중국 현지 조달품인 가운데, 이례적으로 해외 기업인 SK하이닉스의 메모리 반도체가 탑재됐다"며 "미국의 제재를 전면적으로 받기 전인 2020년까지 비축한 재고를 활용했을 가능성이 있다"고 설명했다. 이와 관련해 SK하이닉스는 "당사는 화웨이와 거래한 사실이 없고, 미국의 수출 규제를 철저하게 준수한다는 것이 확고한 방침"이라며 "당사 메모리 칩이 쓰였다는 사실을 인지하고 바로 미국 산업안보국에 신고했고, 자체적으로 경위를 파악하고 있다"고 밝혔다.

2023.09.07 18:17장경윤

삼성전자, 8세대 V낸드 고성능 SSD '990 PRO' 4TB 제품 출시

삼성전자는 초고속 데이터 처리와 높은 전력 효율로 고사양 게이밍에 최적화된 고성능 SSD '990 PRO' 시리즈의 4TB 제품을 출시한다고 7일 밝혔다. 990 PRO 시리즈 4TB 제품은 2종으로, '990 PRO 4TB'와 방열 기능을 더욱 강화한 '990 PRO with Heatsink 4TB'이다. 삼성전자는 작년 10월 990 PRO 1TB, 2TB 제품을 출시한데 이어, 올해 10월 고용량 4TB 제품을 새롭게 출시하게 됐다. 이를 통해 대용량의 저장 공간이 필요한 게이머, 크리에이터, 테크 전문가에게 폭넓은 선택지를 제공한다. 990 PRO 시리즈 4TB의 연속 읽기·연속 쓰기 성능은 각각 최대 7천450MB/s, 6천900 MB/s이며, 임의 읽기·임의 쓰기 속도는 각각 최대 1천600K IOPS, 1천550K IOPS다. IOPS는 초당 입력, 출력 명령어 처리 수를 뜻한다. 특히 PCle 4.0 인터페이스의 소비자용 SSD 제품 중 가장 빠른 임의 읽기 속도를 제공하여 게이밍 시 끊김 현상을 줄이고, 고사양 게임의 로딩 시간을 줄여준다. 990 PRO 시리즈는 전력 효율이 이전 제품 대비 최대 50% 향상됐다. 또한 니켈로 코팅된 컨트롤러를 적용해 효율적인 발열 제어 기능을 제공한다. 990 PRO에는 열 분산 시트를, 990 PRO with Heatsink에는 히트싱크를 부착해 다양한 사용 환경에서 최적의 온도를 유지시킨다. 990 PRO시리즈 4TB는 삼성전자의 '1Tb 8세대 V낸드' 고밀도 적층 공정으로 단면으로 설계돼, 다른 양면 SSD 보다 두께가 얇다. 단면 SSD는 양면 SSD 적용이 어려웠던 일부 슬림형 노트북을 포함한 모든 노트북에 장착이 가능하다. 삼성전자는 SSD 사용자를 위한 서비스도 강화한다. 삼성 매지션 소프트웨어는 SSD의 펌웨어, 드라이브 등의 설정을 최신 버전으로 유지하고, 사용자에게 맞는 전력·성능을 최적화한다. 990 PRO with Heatsink의 경우 매지션의 RGB 옵션을 통해 컬러와 LED 효과로 나만의 감성을 더할 수 있다. 한편 삼성 매지션은 올해 9월 SSD, 포터블 SSD, 메모리카드 및 USB 플래시 드라이브를 통합한 8.0버전으로 업데이트 될 예정이다.

2023.09.07 10:06장경윤

삼성전자, 차세대 HBM 수주 확대 정조준 '아이큐브' 가동

삼성전자가 차세대 메모리반도체인 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대에 적극 나서고 있는 가운데 최근 북미 주요 GPU 고객사와 HBM3 테스트를 완료한 데 이어, HBM과 함께 공급 가능한 최선단 패키징 기술도 적극 개발 중인 것으로 파악됐다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM 공급 물량 확대를 위해 회사의 2.5D 패키징 기술인 '아이큐브' 상용화를 추진하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 월등히 높아 AI 반도체와 같은 고성능 칩과 함께 탑재되고 있다. ■ 2.5D 패키징 기술 함께 제공...수주량 3~4배 확대 기대 HBM 시장에서 선두를 달리고 있는 기업은 경쟁사인 SK하이닉스다. SK하이닉스는 가장 최근 상용화된 HBM3(4세대)를 AI 반도체 시장의 주요 플레이어인 엔비디아에 단독으로 공급해왔다. 다만 삼성전자 역시 HBM3 분야에서 뚜렷한 성과를 나타내고 있다. 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 "HBM3에서 업계 최고 수준의 성능과 용량으로 고객사와 테스트를 진행 중"이라며 "이미 8단 16GB와 12단 24GB 제품을 주요 AI SoC 업체와 클라우드 업체에 출하하기 시작했다"고 밝힌 바 있다. AMD를 비롯한 핵심 고객사에도 HBM3를 납품할 예정이다. 최근 HBM3 모듈에 대한 퀄테스트를 통과해, 양산을 준비 중인 것으로 알려졌다. 다만 업계는 삼성전자가 HBM3 공급 물량을 크게 확대하기 위해서는 2.5D 패키징 기술의 중요성이 더 높다고 보고 있다. 현재 삼성전자는 HBM 제품 자체만이 아니라, HBM을 로직 반도체와 완결하기 위한 2.5D 패키징 기술도 함께 제공하는 방안을 추진 중이다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)들을 수평 배치하는 구조로 구성된다. 삼성전자는 이 2.5D 패키징을 '아이큐브'라는 브랜드로 기술력을 자체적으로 강화하고 있다. HBM 모듈을 몇 개 탑재하느냐에 따라 아이큐브2(HBM 2개 탑재), 아이큐브4(HBM 4개 탑재) 등으로 발전해오고 있다. 특히 삼성전자가 최근 주요 고객사와의 테스트에서 중점적으로 보고 있는 기술은 아이큐브6, 아이큐브8다. 업계 내 최신 HPC(고성능컴퓨팅) 가속기인 엔비디아 'GH100', AMD 'MI300' 등이 HBM을 6~8개 탑재하고 있기 때문이다. 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 상용화를 목표로 주요 GPU 고객사들과 아이큐브6, 아이큐브8에 대한 품질 테스트를 진행 중"이라며 "특히 아이큐브8이 테스트를 통과하면 하위 버전 인증이 자동으로 완료되기 때문에 아이큐브8에 더 많은 힘을 싣고 있는 상황으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 HBM 및 2.5D 패키징을 고객사에 함께 제공하는 경우, HBM을 단품으로 넣는 것보다 공급 물량을 크게 늘릴 수 있을 것으로도 기대된다. HBM에서 패키징의 중요성이 대두된 이유는 생산능력(CAPA)의 한계 때문이다. 현재 AI 반도체 시장을 선점하고 있는 엔비디아는 대만 TSMC의 파운드리 및 패키징 기술을 활용한다. TSMC는 자체 개발한 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 이름을 붙였다. 그런데 엔비디아·AMD 등 주요 고객사들이 TSMC에 패키징을 상당 부분 의존하면서, TSMC의 패키징 생산능력이 한계에 도달했다는 우려가 지속적으로 제기돼 왔다. 이에 TSMC도 CoWoS 용량을 올해 월 8천장에서 내년 말까지 1만6천장 수준으로 늘릴 계획인 것으로 전해진다. 다만 투자 시기를 고려하면 당장의 생산능력이 빠듯하다는 게 업계 중론이다. 업계 관계자는 "HBM 물량이 충분해도 패키징 부족 때문에 AI 반도체 확보가 어려워지는 상황이 올 수 있다"며 "HBM과 패키징을 함께 제공하면 수주량을 3~4배 가량 크게 늘릴 수 있어 삼성전자도 2.5D 패키징 투자에 적극 나서고 있는 중"이라고 밝혔다.

2023.09.04 15:07장경윤

삼성전자, 최대 용량 12나노급 32Gb D램 개발…연내 양산

삼성전자가 현존 최대 용량을 갖춘 12나노미터급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 세계 최초로 개발했다고 1일 밝혔다. 해당 제품은 연내 양산될 예정이다. 지난 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 올해 32Gb D램을 개발함으로써 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 또 삼성전자는 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어 이번에 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다. 회사는 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다고 평가했다. 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 됐다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수였다. TSV는 실리콘 관통 전극으로, 복수의 칩에 구멍을 뚫어 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능하다. 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또한 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.

2023.09.01 11:00장경윤

한미반도체, SK하이닉스서 'HBM' 핵심장비 416억원 규모 수주

반도체 후공정 장비업체 한미반도체가 SK하이닉스로부터 416억원 규모의 '듀얼 TC 본더 1.0 드래곤' 장비 수주를 받았다고 1일 공시했다. 이번 수주 규모는 한미반도체 창사 이래 최대 규모다. 듀얼 TC 본더 1.0 드래곤은 인공지능(AI) 반도체에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 제조의 필수 공정 장비에 해당한다. 한미반도체는 "지금까지 106건 (출원 예정건 포함)의 본딩 장비 특허를 출원했다고 발표했다"며 "이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 예상한다"고 밝혔다. 한편 올해 5월 글로벌 시장 조사업체 가트너에 따르면 인공지능 반도체 시장은 2022년부터 연평균 17.3% 성장해 오는 2030년 1170억 달러(한화 약 154조원)에 달할 전망이다.

2023.09.01 09:29장경윤

"中, AI칩 탑재 위한 HBM 자체개발 추진"

중국이 인공지능(AI) 반도체를 위한 고대역폭메모리(HBM)를 자체 생산하는 방안을 모색하고 있다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 30일 정통한 소식통을 인용 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리반도체다. 데이터 처리 성능이 D램보다 월등히 높아, 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 반도체에서 탑재량이 증가하는 추세다. 현재 HBM은 국내 주요 메모리 제조업체인 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 3개사만이 개발에 성공했다. 중국으로서는 전적으로 해외에 의존할 수 밖에 없는 시장 구조다. SCMP는 "중국이 반도체 공급망 자립을 추진하면서 HBM을 자체 생산하는 방법을 찾고 있다"며 "미국 제재 여파로 매우 힘든 싸움이 되겠으나, 중국 정부는 수년이 걸리더라도 HBM을 자급자족해야 한다고 판단했다"고 밝혔다. 현재 중국 내 주요 D램 제조업체로는 CXMT(창신메모리)가 있다. 중국 정부의 지원 하에 빠르게 사업을 확장해 온 CMXT는 DDR4 제품을 주력으로 생산하고 있다. 올해 상하이 증권거래소 상장을 추진 중이기도 하다. 복수의 소식통은 SCMP에 "CXMT는 중국 내에서 HBM 상용화 성공이 가장 유력한 기업으로, 제품을 시장에 출시하는 데 최대 4년이 걸릴 수 있다"며 "다만 미국의 제재를 피하기 위해 보다 낮은 단계의 기술을 활용하게 될 것"이라고 말했다

2023.08.31 09:03장경윤

SK하이닉스, 성과관리제 '실력' 중심으로…부장급 승진 11년만에 가능

SK하이닉스가 임직원의 동기부여를 위해 실력, 성과 중심의 승진제도 개선을 추진한다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이달 사내 설명회를 통해 임직원들의 성과 관리제도 개편에 대한 변경 사항을 공유하고 있다. 이번 개편안의 핵심 내용은 승진에 필요한 최소한의 근속 연수를 줄이는 데 있다. 현재 SK하이닉스의 대졸 기술사무직 기준 직급 체계는 CL2(사원), CL3 선임(대리), CL4 책임(과장·차장) CL5 수석(부장) 등으로 구성돼 있다. 각 직급은 근속 연차와 승진 마일리지를 누적하면 자동 진급 대상자에 오른다. 직급별 필요한 최소 근속 연차는 CL2·CL3가 4년, CL4가 10년이었다. 이번 개편안에서는 이 최소 근속 연차가 CL2는 4년, CL3는 2년, CL4는 5년으로 변경됐다. 기존 CL2가 CL5로 승진하는 데 최소 18년이 필요했다면, 개편안에서는 역량에 따라 11년 만에 승진이 가능해진다. 기존 임직원을 5개 범주로 나눠 평가하던 등급 평가 시스템도 폐지될 예정이다. 대신 SK하이닉스는 비등급 절대 평가 체계를 통해 피드백 중심의 성과관리를 진행한다. SK하이닉스는 이러한 내용을 담은 성과관리 제도 개편안을 임직원들에게 공유하고, 의견을 수렴하는 과정을 거치고 있다. 이후 개선 방향 등을 검토해 오는 11월부터 시작되는 인사 평가 시즌에 이를 적용할 계획이다.

2023.08.30 18:54장경윤

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