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'메모리반도체'통합검색 결과 입니다. (45건)

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2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

반도체 수출 12개월 연속 증가...10월 ICT 수출액 200억弗 돌파

반도체 수출이 12개월 연속 전년 대비 증가세를 이어가며 지난달 ICT 수출액이 역대 10월 기준 최고 기록을 달성했다. 14일 과학기술정보통신부가 잠정 집계한 ICT 수출입 통계에 따르면, 10월 ICT 수출은 208억 달러, 수입은 133억3천만 달러, 무역수지는 74억7천만 달러로 흑자를 기록했다. 반도체, 휴대폰, 컴퓨터 및 주변기기 등 주요 품목 전반의 수출 호조 지속으로, 3개월 연속 월 200억불 이상을 달성했다. AI 인프라 투자 시장 성장에 힘입은 반도체 수출은 IT 기기 시장 회복 효과까지 더했다. 지난달 수출액은 125억5천만 달러로 전년 대비 39.9% 증가했다. 지난달 총 ICT 수출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어섰다. 특히 메모리반도체는 AI 서버 투자확대로 인한 HBM 등 고부가 품목 수요 증가로 전년 동월 대비 큰 폭으로 증가하며 반도체 수출 증가폭을 확대했다. 총 73억9천만 달러의 수출액을 기록하며 전년 대비 63.9%의 성장세를 보였다. 디스플레이 수출액은 18억 달러로 TV와 PC 등 가전제품 수요 부진 영향에 따라 지난해 대비 21.5% 감소했다. 휴대폰 수출액은 14억4천만 달러로 15.9% 늘었다. 중국, 베트남 등 주요 휴대폰 제조 지역 중심으로 부분품 수출 호조세 보이며 전년 동월 대비 4개월 연속 두 자릿수 증가율을 유지했다. 컴퓨터 주변기기 수출도 SSD 수출 호조로 10개월 연속 증가 기록을 이어갔다. 총 수출액은 11억2천만 달러다. 통신장비 수출은 1억8천만 달러로 전년 대비 8.4% 감소했으나 중국 수출이 회복되면서 수출 하락폭이 축소됐다.

2024.11.14 11:00박수형

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

ICT 수출에서 반도체 비중 60% 넘었다

국내 ICT 수출액에서 반도체 분야가 차지하는 비중이 60%를 넘어섰다. 반도체 수출액이 급증하면서 2022년 3월 이후 역대 두 번째 규모의 수출을 기록하게 됐지만, 그만큼 특정 분야에 대한 수출액 의존도가 높아진 것으로 풀이된다. 과학기술정보통신부가 14일 발표한 지난 9월 ICT 수출입 통계에 따르면 수출액은 223억6천만 달러로 전년 동월보다 24.0% 증가한 수치를 기록했다. 같은 기간 수입액은 124억8천만 달러, ICT 무역수지는 98억8천만 달러로 잠정 집계됐다. 9월 ICT 수출입 성과는 전년 대비 11개월 연속 증가세를 이어갔는데, 반도체 수출의 호황이 뒷받침된 결과다. 특히 반도체 수출액이 역대 1위를 기록했는데 전체 ICT 수출액에서 차지하는 비중이 60.9%까지 치솟았다. 전월 통계에서는 57.7%가 반도체 수출액 비중이었다. 반도체에서는 단연 메모리반도체 분야 수출이 크게 증가했다. 총 87억2천만 달러로 전년 대비 60.7% 증가했다. AI 서버 투자확대로 HBM가 같은 고부가 품목 수요가 증가한 결과다. SSD 수출 증가로 컴퓨터와 주변기기 분야의 수출액도 전년 대비 104.8% 증가한 16억4천만 달러를 기록했다. 디스플레이 수출은 19억 달러로 전년 대비 5.1% 감소했다. 올해 월별 수출 금액은 증가 추세다. 지난해 호실적 기저효과 영향을 피하지 못했다. 스마트폰은 신규 완제품 수출 호조에 따라 3개월 연속 두자릿수 증가한 17억1천만 달러를 기록했다. 통신장비 분야에서는 중국과 베트남 중심으로 교환기 품목의 수출 감소로 전년 대비 28.7% 감소한 1억6천만 달러의 수출액에 그쳤다.

2024.10.14 11:10박수형

솔리다임, 9월 美 IR 행사 첫 참가…상장준비 속도내나

SK하이닉스의 자회사 솔리다임이 다음달 미국 주요 금융업계 행사에 참석할 예정인 것으로 파악됐다. 솔리다임이 관련 행사에 공식적으로 모습을 드러내는 것은 처음으로, 낸드 업황 회복세에 힘입어 상장을 가속화하기 위한 행보로 풀이된다. 19일 업계에 따르면 솔리다임은 9월 4부터 6일까지 미국 뉴욕에서 개최되는 IR 행사에 참석할 예정이다. 해당 행사는 미국 주요 은행인 씨티그룹이 주최하는 TMT(Technology, Media, & Telecom) 컨퍼런스다. 주요 반도체 및 IT 기업이 투자자들에게 자사의 사업 현황 및 유가증권에 대한 정보를 제공하기 위한 자리로 알려져 있다. 솔리다임은 이번 행사에 참가 기업으로 이름을 올렸다. 구체적인 발표 일정이나 연설자는 아직 미정(TBC;To Be Confirmed) 상태로 돼 있다. 하지만 솔리다임이 IR 관련 행사에 처음으로 모습을 드러낸다는 점에서 업계의 주목을 받고 있다. 증권업계 관계자는 "컨퍼런스 참여가 반드시 기업공개(IPO)로 직결되는 것은 아니나, 상장을 위한 물밑작업으로 해석할 수 있다"고 설명했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 미국 인텔의 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국 법인이다. 솔리다임에 대한 총 인수 금액은 90억 달러로, SK하이닉스는 1단계에서 70억 달러를 지급했다. 남은 20억 달러는 2025년 3월경 지급할 예정이다. SK하이닉스는 솔리다임 인수 시점부터 미국 상장을 검토해온 것으로 알려졌다. 이와 관련해 SK하이닉스는 "솔리다임이 발전하고 성장할 수 있는 다양한 방안을 모색 중이며, 확정된 사안은 없다"고 설명해 왔다. 업계가 예상하는 솔리다임의 상장 시점은 내년 하반기 중이다. 그간 불황에 빠져있던 낸드 시장이 호조세로 전환됐고, 주요 비교군인 키오시아 또한 상장을 추진하고 있는 만큼 상장 준비에 속도를 낼 것으로 관측된다. 실제로 솔리다임은 지난 2022년~2023년 누적 적자가 7조 원에 달했으나, 올 2분기 흑자전환에 성공했다. SK하이닉스 반기보고서에 따르면, 회사의 낸드프로덕트솔루션 사업부 매출은 3조9천763억 원, 순손익은 -709억 원으로 집계됐다. 1분기 순손익이 -1천495억 원이었으므로, 2분기 약 786억 원의 순이익을 올린 것으로 분석된다. 솔리다임의 주력 제품인 QLC(쿼드 레벨 셀)이 AI 서버에서 강세를 보이고 있다는 점도 긍정적이다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, TLC(트리플 레벨 셀) 등 타 낸드에 비해 높은 데이터 저장량 구현에 용이하다. 현재 솔리다임은 60TB(테라바이트) eSSD를 상용화했으며, 내년 128TB, 256TB 제품을 지속적으로 출시할 계획이다.

2024.08.19 11:02장경윤

메모리반도체 수출 회복...7월 ICT 수출액 194억달러

지난달 ICT 수출액이 194억 달러를 기록했다. 절반 이상이 반도체 수출액이 차지했다. 지난해 이어진 ICT 수출 부진에 따른 기저 효과로 전년 대비 높은 증가율 추세가 이어졌다. 14일 과학기술정보통신부가 발표한 ICT 수출입 통계에 따르면 지난달 수출액은 전년 동월 대비 32.8% 증가한 194억 달러로 잠정 집계됐다. 같은 기간 수입 121억2천만 달러다, 이에 따라 ICT 무역수지는 72억8천만 달러 흑자를 기록하게 됐다. ICT 수출액 증가는 반도체 분야가 이끌고 있다고 해도 과언이 아니다. 7월 반도체 수출액은 112억3천만 달러로 전년 동월 대비 49% 증가했다. 특히 메모리반도체 수출액이 68억 달러로 전년 동기 대비 89.0% 증가한 수치를 기록했다. 메모리 고정 거래가격 상승과 HBM과 같은 고부가가치 품목 수요 증가에 따른 것으로 풀이된다. 디스플레이 수출액은 19억3천만 달러로 전년 동월 대비 2.0% 증가했다. OLED 중심의 수출 증가가 이뤄지고 있으며, 디스플레이 수출은 12개월 연속 증가를 기록하게 됐다. 휴대폰 수출액은 12억3천만 달러로 69.4% 증가했다. 중국과 베트남 등 주요 글로벌 휴대폰 제조 지역 중심으로 부분품 수출이 늘어난 영향이다. 컴퓨터 주변기기는 전년 동월 대비 51.1% 증가한 13억1천만 달러를 기록했다. 서버돠 데이터센터 투자 확대로 주요 저장장치인 SSD 수요가 지속 확대됐다. 통신장비 수출은 줄어들었다. 1억9천만 달러로 전년 동월 대비 2.4% 감소한 수치다. 지역별로는 고른 성장세가 보이나 일본 대상 수출은 전년 대비 34.7% 감소를 피하지 못했다.

2024.08.15 12:31박수형

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

올해 메모리 시장 커진다…HBM·QLC가 성장 견인

22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 D램과 낸드 매출은 각각 907억 달러, 674억 달러로 전년 대비 각각 75%, 77%가량 크게 증가할 것으로 예상된다. 또한 메모리 시장의 성장세가 내년에도 지속되면서 해당 기간 D램은 51%, 낸드는 29% 증가해 사상 최고 매출을 기록할 전망이다. 특히 D램의 경우 평균판매가격이 올해 53%, 내년 35% 상승할 것으로 보인다. 트렌드포스는 D램 매출이 증가하는 요인을 ▲HBM(고대역폭메모리) 호황 ▲ 범용 D램의 차세대 제품 출시 ▲공급사의 제한된 자본 지출 ▲서버 수요 회복 등 네 가지로 꼽았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. HBM은 올해 전체 D램 비트(bit) 출하량의 5%, 매출의 20% 비중을 차지할 것으로 예상된다. DDR5, 및 LPDDR5·5X 등 고부가 D램 수요도 호조세다. 트렌드포스는 "서버용 D램에서 DDR5가 차지하는 비트 출하량은 올해 40%, 내년 60~65%에 달할 것"이라며 "LPDDR5·5X는 모바일용 D램 출하량에서 올해와 내년 각각 50%, 60% 비중을 차지할 것"이라고 설명했다. 낸드는 QLC(쿼드 레벨 셀)이 매출 증가세를 주도할 것으로 예상된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 덕분에 고용량 데이터를 다루는 서버 시장에서 수요가 증가하는 추세다. QLC가 올해 낸드 전체 비트 출하량에서 차지하는 비중은 20%로, 내년에도 해당 비중은 증가할 전망이다. 트렌드포스는 "내년 서버용 QLC 낸드 수요 증가와 스마트폰 산업에서의 QLC 낸드 채택, 공급사의 생산능력 제약 등으로 낸드 시장이 내년 870억 달러에 도달할 것"이라며 "북미 CSP(클라우드서비스제공업체)는 이미 추론 AI 서버용으로 QLC 낸드를 주문하기 시작했다"고 밝혔다.

2024.07.23 10:21장경윤

삼성전자, 차세대 'LLW D램' 애플 공급망 진입 시도

삼성전자가 애플의 차세대 XR기기에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 애플향으로 LLW D램을 공급하기 위한 제품 개발을 진행하고 있다. LLW D램은 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램이다. 이를 통해 128GB/s의 고성능, 저지연 특성을 갖췄다. 덕분에 기존 LPDDR을 대체해 온디바이스 AI 산업에 적용될 것으로 기대되고 있다. 애플도 LLW D램에 많은 관심을 두고 있는 것으로 전해진다. 실제로 애플은 지난해 6월 최첨단 XR기기인 '비전프로'를 공개하면서, SK하이닉스의 LLW D램을 도입한 바 있다. 삼성전자 역시 애플에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 지속해 온 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "지난 2022년 애플로부터 LLW D램 공급에 대한 제안을 받은 것으로 안다"며 "현재 제품을 소량 제작하는 등 사업화가 진행되고 있는 단계"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 애플 LLW D램 공급망에서 SK하이닉스를 추격하기 위해 노력 중"이라며 "특수 메모리로서 차세대 비전 프로 등에서 쓰일 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 16:36장경윤

삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다." 유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다. D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다. 이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다. 유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 15:41장경윤

삼성전자, 미디어텍 최신 모바일 AP에 'LPDDR5X' 검증 완료

삼성전자는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍과 업계 최고 속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램 동작 검증을 완료했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP '디멘시티(Dimensity) 9400'에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화를 추진한다. LPDDR은 저전력(Low Power)에 특화 설계된 D램을 뜻한다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기에 주로 탑재되고 있다. LPDDR의 규격은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 제정하고 있다. LPDDR5X는 현재 공개된 가장 최신 규격에 해당한다. 삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능 특성이 요구되는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시대에 최적화됐다. 이번 제품을 통해 사용자는 모바일 기기에서 배터리를 더 오래 사용할 수 있으며, 서버나 클라우드에 연결하지 않은 상태에서도 뛰어난 성능의 온디바이스 AI 기능을 활용할 수 있다. JC 수 미디어텍 수석 부사장은 “삼성전자와의 긴밀한 협업을 통해 미디어텍의 차세대 고성능 프로세서인 디멘시티에 삼성전자의 고성능 10.7Gbps LPDDR5X를 탑재해 업계 최초로 동작 검증에 성공했다”며 “앞으로 사용자는 최신 칩셋을 탑재한 기기를 통해 배터리 성능을 최대화하고, 더 많은 AI 기능을 활용할 수 있게 될 것”이라고 밝혔다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 “미디어텍과의 전략적 협업을 통해 업계 최고 속도 LPDDR5X D램의 동작을 검증하고, AI시대에 맞춤형 솔루션임을 입증했다”며 “고객과 유기적인 협력으로 향후 온디바이스 AI 시대에 걸맞은 솔루션을 제공해 AI 스마트폰 시장을 선도해 나갈 것”이라 말했다. 삼성전자는 고객과의 적극적인 협력을 바탕으로 향후 모바일 분야뿐만 아니라 ▲AI 가속기 ▲서버 ▲HPC ▲오토모티브 등 LPDDR D램 응용처를 적극 확장해 나갈 방침이다.

2024.07.16 08:34장경윤

"내년 메모리 캐파 역성장할 수도"…삼성전자, 생산량 확대 선제 대응

삼성전자가 메모리 생산량을 적극 확대하려는 움직임을 보이고 있다. HBM(고대역폭메모리)와 최선단 제품으로 공정 전환을 적극 추진하면서, 내년 레거시 메모리 생산능력이 매우 이례적으로 감소하는 현상이 나타날 수 있다는 전망 때문이다. 실제로 삼성전자는 메모리 제조라인에 최대 생산, 설비 가동률 상승 등을 적극 주문하고 있는 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 메모리 라인 전반을 최대로 가동하는 방안을 추진하고 있다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다. 정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다. 삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다. 현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다. 삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며, 국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다. 먼저 D램의 경우, 삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다. 삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼, HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다. 또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다. 이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다. 올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다. 시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데, 이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다. 반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다. 최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다. 업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고, 내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.

2024.06.28 11:34장경윤

3분기 D램 가격 8~13% 상승 전망…HBM·DDR5 효과

D램 가격이 2분기에 이어 3분기에도 최선단 제품을 중심으로 가격 상승세를 이어갈 것으로 예상된다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 D램의 ASP(평균판매가격)은 8~13% 증가할 전망이다. 현재 주요 D램 공급업체들은 HBM(고대역폭메모리) 생산량 비중을 확대하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 일반 D램 대비 수율이 낮아 막대한 양의 웨이퍼 투입이 필요하다. 수요 측면에서는 그간 부진한 흐름을 보인 일반 서버에서 DDR5에 대한 주문량이 확대되는 추세다. 또한 스마트폰 고객사들도 성수기를 대비해 재고를 활발히 보충하려는 기조가 나타나고 있다. 그 결과 D램의 ASP는 2분기 13~18% 증가한 데 이어, 3분기에도 8~13%의 상승세가 예견된다. 다만 HBM향을 제외한 레거시 D램 기준으로는 ASP가 5~10%가량 상승할 전망이다. 또한 전체 D램 내에서 HBM이 차지하는 비중은 2분기 4%에서 3분기 6%로 소폭 확대될 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "3대 공급사(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론)가 HBM 등을 이유로 가격 인상에 대한 분명한 의지를 드러내고 있다"며 "4분기에도 이러한 추세가 지속되면서 가격 상승세에 힘을 더할 것"이라고 설명했다.

2024.06.28 09:22장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

반도체, 설비 증설이 경쟁력…"보조금 늘려야 韓 시장 입지 사수"

글로벌 주요국들이 자국내 반도체 생산기지 구축을 위해 다양한 정책을 펴고 있는 가운데, 한국이 반도체 공급 역량과 시장지배력을 지키기 위해선 설비 증설 투자가 필요하다는 주장이 산업계에서 나왔다. 기업들의 설비 증설을 촉진하기 위해선 적극적인 보조금 지원이 따라야 한다는 조언도 나왔다. 기업들이 이에 따라 원가를 절약하고, 이에 따른 영업이익 개선이 법인세로 정부에 돌아온다는 주장이다. 주요 국가들은 이미 천문학적 규모의 보조금을 지급하고 있다. 미국 390억 달러(53조원), EU 430억유로(64조원), 일본 2조엔(17조원) 등 생산시설에 보조금을 지원하는 가운데 한국, 대만은 보조금이 없는 실정이다. 대한상공회의소와 딜로이트 안진회계법인은 한국신용평가 자료 등을 분석해 13일 이같은 내용을 담은 '반도체 공급 역량 및 원가 경쟁력 향상 위한 정책과제 보고서'를 발표했다. 보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 반도체 주요 3사의 D램 반도체 공급 증가 요인에서 '설비 증설'이 차지하는 비중은 2018~2020년 8%에서 2020~2022년 53%로 대폭 늘었다. 같은 기간 '기술발전' 요인의 비중은 92%에서 47%로 크게 줄었다. 낸드플래시 역시 공급 증가 요인에서 설비증설이 차지하는 비중은 3%에서 42%로 크게 증가한 반면, 기술발전의 기여도는 97%에서 58%로 크게 줄었다. 보고서는 “선단공정의 미세화 난이도 상승과 물리적 한계 근접에 따라 기술발전보다는 설비증설을 통한 공급 능력 확대가 반도체 생산 역량 확보에 더 주요한 요인으로 변화하고 있다”며 “결국 라인 증설을 위한 대규모 자본 투입과 자금 확보 여부가 점점 더 중요해질 것이고, 글로벌 주요국들이 천문학적 보조금을 쏟아 붓는 이유나 국내에서 보조금 필요성 얘기가 계속 나오는 이유도 이런 배경 때문”이라고 분석했다. 보고서는 반도체 보조금 지급이 원가경쟁력에 미칠 영향에 대한 분석도 내놓았다. 반도체 설비투자 보조금을 미국과 일본 중간 정도인 30% 정도로 지급하게 될 경우 장치산업 특성상 영업비용 대비 약 40% 중반을 차지하는 감가상각비 감소로, 반도체 생산에 최대 10%의 원가 절감 효과가 발생한다고 분석했다. 보고서는 반도체 업계의 재무제표를 토대로 3나노 파운드리와 5나노 파운드리, D램 웨이퍼 1장 생산에 소요되는 영업비용을 추산한 후 보조금 지급에 따른 원가 절감 효과를 도출했다. 3나노 파운드리를 예로 들면, 웨이퍼 1장 생산에 드는 영업비용이 1만1천459달러인데, 보조금 30% 수령 시 장부상 자산가치가 이에 비례해 하락하고 이는 곧 감가상각비 감소로 이어진다. 영업비용 중 46%를 차지하는 감가상각비는 보조금 지급 전 5천271달러였는데, 보조금 지급 후에는 1천581달러 감소한 3천690달러가 된다. 기업은 감가상각비 감소분만큼 영업이익이 증가하게 돼 417달러의 법인세를 추가로 납부하게 된다. 보조금 지급에 따라 기업 입장에서는 영업비용이 절감되고, 정부입장에서는 법인세로 일부 환류되는 효과를 얻을 수 있다는 지적이다. 대한상의는 “경쟁국들은 막대한 보조금을 투입해 원가경쟁력을 빠르게 키워가고 있다”며 “시장 잠식은 물론, 기업의 수익성 개선 효과로 설비‧R&D 투자 역량이 추가 확보돼 반도체 산업의 미래 주도권이 위협받지 않을까 우려된다”고 말했다. 보고서는 “결국 반도체 산업의 핵심은 생산능력과 원가경쟁력”이라며 “설비투자 보조금 지급을 통해 '규모의 경제'를 조기 실현할 수 있도록 돕는 게 가장 중요하다”고 강조했다. 김문태 대한상의 산업정책팀장은 "최근 정부가 발표한 26조원 규모의 반도체 지원책은 소부장 기업을 포함한 반도체 생태계 전반에 도움을 줄 것"이라며 "다만, 반도체 생산 기업 내부의 규모의 경제 달성을 앞당겨 글로벌 시장지배력을 확장하고, 밸류체인상 기술 혁신을 이루기 위해서는 좀더 직접적인 지원 방안을 강화할 필요가 있다"고 말했다.

2024.06.13 12:00김윤희

삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산…속도 33%↑

삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려진다. 또한 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 동시에 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. Toggle DDR은 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원한다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다. 이를 통해 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.

2024.04.23 13:14장경윤

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

2분기 D램 가격 인상폭 완화…"예상보다 수요 부진"

지난해 말부터 이어진 D램 가격의 공격적인 상승세가 올 2분기에는 다소 누그러질 것으로 보인다. 예상보다 약한 고객사 수요가 주 원인으로 지목된다. 26일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램의 평균 고정거래가격은 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 이는 1분기 가격 상승폭(최대 20%)에 비해 크게 줄어든 수치다. D램 공급사들이 점차 가동률을 높이고 있는 데 반해, 고객사들의 재고 수준이 충분히 개선되지 않은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 트렌드포스는 "올해 전반적인 D램 수요 전망이 여전히 미온적"이라며 "또한 지난해 4분기 이후 D램 가격이 크게 상승하면서 재고 비축에 대한 의지가 더욱 약화될 것으로 예상된다"고 설명했다. 2분기 D램 가격 상승세는 PC, 모바일, 서버, 그래픽 등 전 분야에서 고르게 나타날 것으로 관측된다. PC의 경우, DDR5를 지원하는 최신 CPU의 출시에 따른 수혜를 입고 있다. 모바일 D램은 공급사 재고가 낮은 수준이나, 고객사 역시 수요가 크게 늘지 않아 완만한 가격 상승세가 예상된다. 서버 업계는 DDR5 재고 축적에 지속적인 관심을 보이고 있으나, 올해 1분기 수요가 충분히 개선되지 않았다. 이에 따라 공급사가 DDR5 생산량 확대 및 묶음 판매 전략에 나서면서 DDR5 가격 인상의 점진적인 약화를 일으키고 있다.

2024.03.27 09:11장경윤

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