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삼성 "지금 반도체 산업은 전쟁 상황...더 늦출 수 없어"

경기도가 K-반도체의 골든타임을 지키기 위한 대규모 클러스터 구축에 속도를 낸다. 반도체 기업들의 투자 지원을 위한 전담조직 가동, 인허가 단축 목표제 등을 추진할 계획이다. 삼성전자 역시 반도체 클러스터 구축을 가속화해야 한다는 점에 적극 공감하고 나섰다. 김용관 삼성전자 DS부문 경영전략담당 사장은 "지금 반도체 산업은 전쟁 상황이고, 시간이 제일 중요하다. 더 이상 늦출 수 없다"고 말했다. 김동연 경기지사는 27일 오전 단국대학교 용인 글로컬 산학협력관에서 'K-반도체 메가클러스터 상생 타운홀 미팅'을 개최했다. 행사에는 김동연 지사를 비롯해 반도체 기업 관계자, 지역 주민, 대학 관계자, 대학생, 시군 공무원 등 100여 명이 참석했다. 김용관 삼성전자 DS부문 경영전략담당 사장도 함꼐 자리했다. 김 지사는 “반도체 산단은 전기나 물, 교통 문제, 일하는 분들의 정주 여건 등에 대한 사전 준비가 필수적”이라며 “경기도는 선제적으로 하이닉스 전력 문제 해결을 위해 지방도 318호 지하로 전력망을 깔 계획으로, 국가산단 안에 있는 국지도 82호선에 대한 확충 계획도 중앙정부와 도가 입주할 삼성과 협의해서 좋은 방향을 찾도록 하겠다”고 말했다. 그는 이어 "전세계적인 반도체 산업 경쟁에서 우리가 고지를 선점할 수 있도록 모든 노력을 경주하겠다는 뜻에서 '반도체 올케어'라는 말을 썼다"며 "반도체메가클러스터는 조금도 흔들림 없이 추진한다는 것을 분명히 말씀드린다”고 덧붙였다. 이날 행사에서 기업 관계자들도 인허가 신속 처리와 기반시설 조기 구축을 요청했다. 삼성전자 DS부문 김용관 사장은 "지금 반도체는 여러 국가들이 정부에서부터 기업까지 전면에 나서고 있는 전쟁 상황으로, 저희도 전쟁을 하고 있다"며 "반도체 올케어를 위해 시간이 중요하다는 데 대해 깊이 공감한다"고 강조했다. 한편 경기도는 '반도체산업 경쟁력 강화 및 지원에 관한 특별법'(이하 반도체특별법) 제정을 앞둔 지난해 11월 '반도체특별법 대응 전담조직(TF)'을 가동해 특별법 제정 이후 달라질 정책 환경에 대응하기 위한 도 차원의 전략과 실행 과제를 논의해 왔다. 이후 지난달 29일 반도체특별법이 국회 본회의를 통과함에 따라 이를 '반도체 올케어(All-Care) 전담조직(TF)'으로 개편해 운영하기로 했다. 전담조직은 경제부지사를 단장으로 기획·기반조성·인력기술지원 등 3개 팀으로 구성돼 있으며, 차세대융합기술연구원 등 전문 자문기관과 연계해 현안을 전담 처리한다.

2026.02.27 17:23장경윤 기자

삼성 HBM4 자신감의 근원 '1c D램'…다음 목표는 수율 개선

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자가 AI 산업 인프라의 핵심 메모리인 6세대 HBM4(고대역폭메모리) 시장 경쟁에서 강한 자신감을 내보이고 있다. HBM의 핵심 기술요소에 경쟁사 대비 진일보된 공정을 사용하면서, 최대 고객사인 엔비디아(NVIDIA)가 요구하는 최고 성능을 가장 최적으로 달성했다는 평가가 나오고 있다. 특히 삼성전자는 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 키우는 결단을 내린 바 있다. 칩 사이즈가 커지면 D램 및 HBM4의 안정성을 동시에 높일 수 있다. 반면 이 같은 결정은 웨이퍼 당 생산 가능한 칩 수량을 줄어들기 때문에 수익성 측면에서는 불리하게 작용한다. 또한 1c D램의 수율이 아직 60% 내외인 만큼, 삼성전자가 최대한 빠르게 공정 고도화에 나서야 한다는 의견도 제기된다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아향 HBM4 선제 양산 출하와 더불어 1c D램 수율 고도화에 집중하고 있다. HBM4는 올해 본격적인 상용화가 예상되는 차세대 HBM이다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '루빈' 칩에 본격 채용되며, 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가한 2048개로 성능을 크게 높였다. 특히 엔비디아는 메모리 공급사에 HBM4에 요구되는 성능 기준을 꾸준히 높일 것을 요청해 왔다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)의 HBM4 성능 표준은 8Gbps 급이었으나, 최근 메모리 공급사는 이를 11.7Gbps까지 높여 엔비디아와 테스트를 진행한 바 있다. 삼성 HBM4 자신감의 근원 1c D램…"칩 사이즈 키워 안정화" 아직 정식 퀄테스트 일정이 최종적으로 완료된 것은 아니지만, 삼성전자는 내부적으로 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 지난 12일 HBM4 양산 출하식을 선제적으로 진행한 것이 대표적인 예시다. 당시 삼성전자는 "HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정했다"며 "재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 강조했다. 이같은 자신감의 근간은 HBM4에 적용된 최선단 공정이다. 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채용했다. 또한 HBM의 컨트롤러 역할을 담당하는 베이스(로직) 다이를 자사 파운드리의 4나노미터(nm) 공정으로 양산했다. TSMC의 12나노 공정을 적용한 SK하이닉스 대비 상당히 미세화된 공정이다. 당초 업계는 삼성전자의 이같은 기술 승부수에 적잖은 우려를 나타냈다. HBM3E와 동일한 코어 다이(1b D램)를 HBM4에 탑재한 SK하이닉스·마이크론 대비, 수율 측면에서 안정성이 크게 떨어질 수 있어서다. 실제로 삼성전자는 1c D램 개발 초기 단계에서 수율 저조로 문제를 겪은 바 있다. 삼성전자의 돌파구는 1c D램의 '칩 사이즈 확대'였다. 삼성전자는 지난 2024년 말께 1c D램의 설계 일부를 수정하기로 결정했다. 핵심 회로의 선폭은 유지하되, 주변부 회로의 선폭 기준은 일부 완화해 양산 난이도를 낮춘 것이 주 골자다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 1c D램 사이즈 확대는 크게 두 가지 효과를 거뒀다. 먼저 1c D램의 수율 향상이다. 주변부 회로의 구현이 이전 대비 수월해지면서, 삼성전자의 1c D램 수율은 비교적 견조한 속도로 개선되고 있다. 업계가 추산하는 삼성전자의 HBM4용 1c D램 수율은 이달 기준 50~60%대다. 또한 칩 사이즈 확대로 HBM 제조에 필수적인 TSV(실리콘관통전극) 공정에서 안정성을 확보했다는 평가다. HBM4는 이전 대비 I/O 수가 늘어나면서 D램에 TSV 홀(구멍)을 더 많이 뚫어야 한다. 삼성전자 1c D램은 가용 면적이 넓어 TSV를 비교적 여유롭게 배치할 수 있는데, 이 경우 TSV 밀도를 완화해 열 관리와 신뢰성 확보에 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4의 적기 상용화를 위해 1c D램 칩 사이즈 확대 등 여러 안전 장치를 마련해 온 것으로 안다"며 "덕분에 내부적으로도, 고객사 기준으로도 HBM4에 대한 평가가 좋은 상황"이라고 설명했다. 수익성 측면은 다소 불리…수율 고도화 필요 다만 삼성전자 HBM4의 수익성이 경쟁사 대비 부족하다는 평가도 나온다. 통상 D램 공정이 고도화되면 칩 사이즈가 줄어들어, 동일한 웨이퍼에서 생산량이 더 많아진다. 그러나 삼성전자의 HBM4용 1c D램은 당초 계획 대비 칩 사이즈가 커져 수익성 측면에서 불리하다. 수율 역시 현재 기준으로는 HBM3E와 동일한 코어 다이를 활용하는 경쟁사 대비 낮을 수 밖에 없다. 여기에 각 D램을 쌓고 연결하는 패키징(TC-NCF; 열압착-비전도성 접착 필름)공정 적용 시 수율은 구조적으로 낮아지게 된다. 삼성전자가 HBM4에 적용한 4나노 공정의 가격도 TSMC 12나노 공정 대비 단가가 비싸다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용된 코어 다이 및 베이스 다이의 원가 모두 경쟁사보다는 높기 때문에, 빠르게 수율을 높이는 것이 관건"이라고 말했다. 맥쿼리 증권도 최근 리포트를 통해 "삼성전자의 HBM 영업이익률은 낸드보다 낮은 50% 미만으로, 불리한 거래 조건과 낮은 생산 수율, 작은 생산규모로 인한 것"이라며 "추가적인 가격 인상과 수율, 규모 개선을 통해 HBM 마진을 높일 필요가 있다"고 평가했다.

2026.02.27 14:42장경윤 기자

가트너 "올해 PC·스마트폰 출하량 10년만에 최저치 전망"

올해 PC와 스마트폰 출하량이 작년 대비 각각 10.4%p, 8.4%p 줄고 소비자들의 교체 주기도 상대적으로 길어질 것이라는 전망이 나왔다. 시장조사업체 가트너가 27일 이런 전망치를 내놨다. 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자 확대로 작년 말부터 D램과 SSD(낸드 플래시메모리) 가격 상승과 수급난이 본격화됐다. 가트너는 "D램과 SSD 가격이 올해 말까지 2.3배(130%) 상승하며 PC 가격은 17%, 스마트폰 가격은 13% 오르며 수요도 프리미엄 제품군에 집중될 것"이라고 예상했다. 란짓 아트왈 가트너 시니어 디렉터 애널리스트는 "올해 PC, 스마트폰 출하량은 지난 10여 년간 가장 낮은 수준이 될 것"이라며 "가격 상승은 선택 가능 제품 범위를 좁히고 기기 사용 기간을 늘려 업그레이드 주기에 변화를 줄 것"이라고 설명했다. 특히 PC에서 메모리가 차지하는 원가 비중도 작년 16%에서 올해 23%까지 높아질 것으로 보인다. 란짓 아트왈 애널리스트는 "비용 증가에 따른 부담을 제조사가 자체 흡수하기 어려워지면서 500달러(약 70만원) 미만 보급형 PC 시장은 사라질 것"이라고 밝혔다. 가트너는 올해 보급형 스마트폰 구매자가 프리미엄 구매자 대비 5배 빠른 속도로 시장을 이탈할 것으로 예상했다. 란짓 아트왈 애널리스트는 "기기 제조사와 유통 채널은 올 상반기 동안 가격을 최적화하고 마진을 방어할 수 있는 중요한 시기를 맞이하게 될 것"이라며 "2분기 이후 부품 가격 상승이 수익성을 압박하기 전에 선제적 대응이 필요하다"고 강조했다.

2026.02.27 10:34권봉석 기자

SK하이닉스, 샌디스크와 'HBF' 글로벌 표준화 작업 본격 착수

SK하이닉스와 샌디스크(Sandisk)가 25일(현지시간) 미국 샌디스크 본사에서 'HBF 스펙(Spec.) 표준화 컨소시엄' 킥오프 행사를 열고, AI 추론 시대를 겨냥한 고대역폭플래시(HBF)의 글로벌 표준화 전략을 발표했다. SK하이닉스는 "샌디스크와 함께 HBF를 업계 표준으로 마련해 AI 생태계 전체가 함께 성장할 수 있는 기반을 구축하겠다"며 "오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 산하에 핵심 과제 전담 워크스트림을 샌디스크와 함께 구성해 본격적인 표준화 작업에 착수한다"고 밝혔다. OCP는 세계 최대의 개방형 데이터센터 기술 협력체다. 워크스트림은 특정 기술 주제를 중심으로 운영되는 OCP 산하 협업 체계를 뜻한다. 최근 AI 산업은 거대언어모델(LLM)을 만드는 '학습(Training)' 단계에서, 실제 서비스를 제공하는 '추론(Inference)' 단계로 무게중심이 빠르게 이동하고 있다. AI 서비스를 동시에 사용하는 이용자가 급증하면서 빠르고 효율적인 메모리가 필수적이지만, 기존 메모리 구조만으로는 추론 단계에서 요구되는 대용량 데이터 처리와 전력 효율성을 동시에 충족하기 어렵다. 이러한 한계를 해결할 수 있는 대안으로 등장한 것이 HBF다. HBF는 초고속 메모리인 HBM과 대용량 저장장치인 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM의 뛰어난 성능과 SSD의 대용량 특성 사이의 공백을 메우며, 추론 영역에서 요구되는 용량 확장과 전력 효율성을 동시에 확보한다. 기존 HBM이 최고 수준의 대역폭을 담당하는 가운데, HBF가 이를 보완하는 구조다. 특히 HBF는 AI 시스템의 확장성을 높이면서도 전체 운영 비용(TCO)을 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 업계는 HBF를 포함한 복합 메모리 설루션에 대한 수요가 2030년 전후로 본격 확대될 것으로 보고 있다. AI 추론 시장에서는 단일 칩의 성능보다 CPU·GPU·메모리·스토리지를 아우르는 시스템 레벨 최적화가 경쟁력을 좌우한다. 이로 인해 HBM과 HBF를 모두 제공할 수 있는 종합 메모리 설루션 기업의 역할이 더욱 중요해지고 있다. SK하이닉스와 샌디스크는 HBM과 낸드 분야에서 쌓은 설계·패키징 기술과 대량 양산 경험을 바탕으로 HBF의 빠른 표준화, 제품화를 선제적으로 추진할 계획이다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "AI 인프라의 핵심은 단일 기술의 성능 경쟁을 넘어, 생태계 전체를 최적화하는 것"이라며 "HBF 표준화를 통해 협력 체계를 구축하고, AI시대 고객·파트너를 위한 최적화된 메모리 아키텍처를 제시함으로써 새로운 가치를 창출하겠다"고 밝혔다.

2026.02.26 08:49장경윤 기자

SK하이닉스, 용인 1기팹에 21.6조원 추가 투자…고객사 수요 선제 대응

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 21조6000억원 규모의 추가 투자를 확정지었다. 빠르게 증가하는 글로벌 고객사 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 투자금은 팹 전체 클린룸 구축에 활용될 예정이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 페이즈2~6을 건설한다고 25일 밝혔다. 총 투자규모는 약 21조6000억원이다. 회사의 전체 자기자본 대비 29.23%에 해당한다. 투지기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2024년 7월 용인 클러스터 1기 팹 건설에 약 9조4000억원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려한 전체 투자 규모는 31조원에 달한다. 이번 투자는 빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정이다. AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업의 확산으로 고성능·고집적 반도체에 대한 수요는 구조적으로 확대되고 있다. SK하이닉스는 "변화에 발맞춰 생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련하고자 한다"고 설명했다. 구체적으로 이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈 2부터 페이즈 6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는데 활용될 예정이다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 이를 통해 물리적 생산 기반을 선제적으로 확보해 고객 대응 역량을 강화할 수 있을 것으로 기대된다. 클린룸 오픈 시점도 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 것으로 예상된다.

2026.02.25 18:32장경윤 기자

파네시아, PCIe 6.4 지원 링크반도체 기술 주요 연구기관에 공급

파네시아는 최근 PCIe 6세대(Gen6)를 지원하는 고속 인터페이스 링크반도체 기술로 유수연구기관 대상 계약을 체결하고 납품을 완료했다고 25일 밝혔다. 파네시아는 AI 인프라를 더욱 효율적으로 만들기 위한 링크솔루션을 개발하는 팹리스 기업이다. 링크 컨트롤러/IP부터 시작하여 스위치를 포함한 하드웨어, 커스텀 실리콘(맞춤 제작형 반도체), 시스템/소프트웨어 등 풀스택 링크반도체 기술을 개발∙제공한다. 이번 계약은 특히 PCIe Gen6 표준을 지원하는 링크반도체와 관련된 건으로, 차세대 AI 인프라 환경에서 요구되는 초고속 데이터 전송 기술 역량을 인정받은 성과로 볼 수 있다. PCIe(PCI 익스프레스)는 서버에서 CPU와 GPU∙AI가속기∙스토리지∙메모리확장장치 등 시스템 장치를 연결하는 데 주로 활용되는 핵심 인터페이스 기술로, 6세대 표준은 이전 세대인 5세대 표준 대비 두 배 향상된 전송 속도(레인당 64GT/s)를 지원한다. AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템이 주요 수요처다. 한편, 파네시아는 지난해 다양한 국제 협력을 진행한 공로를 인정받아 산업부 장관 표창을 수상한 바 있다. 이 외에도 세계 최초로 PCIe 6.4 및 CXL 3.2 표준을 지원하는 스위치 샘플 공개를 계기로 업계의 많은 관심을 받는 등, 선도적인 기술력을 바탕으로 글로벌 시장에서의 입지를 지속적으로 확대해나가고 있다. 정명수 파네시아 대표는 "올해 하반기부터 스위치 칩 양산에 돌입하고 협력 네트워크를 확대해 나가면서 매출 성장과 사업 확장이 더욱 가속화될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2026.02.25 09:38장경윤 기자

"韓, 로봇·자동차·배터리 中에 열세…반도체만 경합"

중국은 반도체를 제외한 로봇, 전기차, 배터리, 자율주행 등 주요 첨단산업 밸류체인 전반에서 한국 대비 경쟁 우위를 확보한 것으로 나타났다. 특히 인공지능(AI) 기반 제조, 자율주행, 휴머노이드 로봇 등 신산업 분야에서 중국이 빠른 실증과 산업 확산을 통해 기술과 시장 경쟁력을 동시에 강화하고 있는 것으로 분석됐다. 24일 산업연구원(KIET) '첨단 산업의 한·중 경쟁력 분석과 정책 방향' 보고서는 전문가 설문조사와 FGI를 실시해 R&D, 조달(공급망), 생산, 서비스, 수요시장(국내·해외시장) 등 밸류체인 부문별 평가를 종합한 결과를 이같이 내놨다. 산업용(제조용) 로봇 산업의 경우 R&D 역량, 즉 제품 개발 및 설계 능력에서는 한국이 근소하게 앞섰다. 조달·생산·해외 시장 창출 부문에서는 중국이 우위를 차지하면서 밸류체인 종합경쟁력은 중국이 앞선 것으로 평가됐다. 한국은 메모리 반도체 분야에서 세계 최고 수준의 경쟁력을 보유하고 있으나, 비메모리 분야에서 중국이 상대적으로 높은 경쟁력을 보유하면서 양국의 밸류체인 경쟁력은 우위와 열위가 혼재하는 것으로 조사됐다. AI 칩 설계 또는 반도체 설계 플랫폼 등 비메모리 관련 분야에서 중국이 한국보다 우위라는 전문가 의견이 다수를 차지했다. 전기차 분야에서는 해외 시장 창출 능력과 배터리 서비스(사후 유지보수 등) 부문에서 한국이 우위를 보이고 있으나, 자율주행 분야에서는 모든 밸류체인 부문에서 중국이 우위를 점하고 있는 것으로 나타났다. 보고서는 "중국의 가격경쟁력 우위와 AI 기반 신시장 전반에서의 글로벌 시장지배력 확대 등은 우리 산업 전반에 공통적인 위협요인으로 작용하고 있다"면서도 "한국은 제품·소재·부품 전반에서 축적해 온 기술력과 신뢰를 바탕으로 글로벌 프리미엄 시장을 공략할 여지가 여전히 존재한다"고 짚었다. 특히 "중국 제품에 대한 경계가 높은 미국, 유럽연합(EU) 등 선진시장에서는 안정성과 신뢰성을 기반으로 한 시장 진출 기회가 남아 있다"고 평가했다. 우리나라 산업이 이를 공략하려면 초격차 기술 확보뿐만 아니라 가치사슬 전반에서 AI 시대에 맞춰 특화된 전략 기술을 발굴하고, 신뢰 기반의 글로벌 공급망을 선도하는 전략을 추진해야 한다고도 제언했다. 수요 시장 창출로 산업 생태계를 신속히 구축하고, 글로벌 시장에서 중국과의 경합성을 고려한 새로운 비즈니스 모델과 제품을 개발하는 것도 과제로 꼽았다. 보고서는 "중국을 단순한 경쟁자로 인식하며 추격과 추월의 대상으로만 볼 것이 아니라, 제조강국으로 인정하고 업종별 밸류체인을 면밀히 분석해 우리의 기술적 우위를 확인하는 동시에 중국 내 수요를 발굴하고 협력 방안을 모색해야 할 필요가 있다"고 봤다. 나아가 "이 과정에서 중국의 첨단산업 및 기술 생태계를 전략적으로 활용하려는 접근도 요구된다"고 덧붙였다. 조은교 산업연구원 중국산업분석팀장은 “한·중 산업 경쟁은 이제 단순한 기술 추격 단계를 넘어 산업 생태계와 공급망, 시장을 포함한 구조적 경쟁 단계로 진입했다”면서 “한국은 초격차 기술 확보와 함께 중국의 산업 생태계를 전략적으로 활용해 새로운 제조 경쟁력을 축적하는 방향으로 산업 전략을 전환할 필요가 있다”고 강조했다.

2026.02.24 11:00김윤희 기자

제주반도체, 지난해 매출 3022억원…전년比 89.8% 증가

제주반도체는 2025년 실적 변경 공시를 통해 매출액 3022억원, 영업이익 358억원을 기록했다고 23일 밝혔다. 이는 전년 대비 각각 89.8%, 274.8% 증가한 수치다. 최근 이어진 반도체 슈퍼사이클의 수혜를 본 것으로 평가된다. 다만 올해 사업 전망은 불확실성이 크다는 분석이 나온다. 제주반도체는 메모리반도체를 설계하는 팹리스(Fabless) 기업으로, 웨이퍼 생산을 비롯해 조립·테스트 등 주요 공정을 외부에 위탁하는 사업 구조를 갖고 있다. 이에 따라 웨이퍼 매입 단가, 파운드리 비용, 조립 및 테스트 비용 등의 변동이 원가에 직접적으로 영향을 미치는 구조로, 이 같은 구조는 업황 호황기에도 수익성 확대에 제약 요인으로 작용할 수 있다. 결과적으로 반도체 가격이 큰 폭으로 상승하더라도 해당 기업의 수익성 개선으로 직접 연결되지 않을 수 있다. 웨이퍼 매입 단가 상승, 파운드리 비용 증가, 조립 및 테스트 비용 인상 등이 원가에 반영되는 구조이기 때문이다. 실제로 2025년 매출은 전년 대비 1430억원 증가했으나, 영업이익률은 전년과 유사한 수준을 유지했다. 이는 사상 최대 이익을 기록한 국내 대형 메모리반도체 기업들과 비교할 때 수익 구조 측면에서 차이를 보이는 부분으로 해석된다. 또한 메모리 공급 부족(shortage) 국면이 제주반도체에 반드시 호재로 작용하지 않을 수 있다. 파운드리, 조립, 테스트 등 생산에 필요한 캐파(CAPA) 확보가 제한적일 수밖에 없으며, 외부에서 조달해야 하는 물량 확보 역시 더욱 어려워질 가능성이 높기 때문이다. 회사 관계자는 “팹리스 구조상 메모리반도체 가격 상승이 곧바로 수익성 개선으로 이어지기 어렵다”며 “공급망 확보 능력과 원가 관리 역량이 향후 실적의 핵심 변수가 될 것으로 보여, 지속적으로 연구개발 및 공급망을 확보하기 위해 노력하고 있다"고 말했다.

2026.02.23 16:15장경윤 기자

삼성전자, 6세대 SSD 양산준비 본격화…상반기 테스터 도입

삼성전자가 6세대(Gen6) SSD 상용화를 위한 본격적인 준비에 나선다. 올 상반기부터 전용 테스트 장비를 도입할 것으로 파악됐다. AI 인프라에서 고성능 스토리지의 역할이 점차 중요해지고 있는 만큼, 시장을 빠르게 선점하기 위한 전략으로 풀이된다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 올 상반기 Gen6 SSD용 테스터를 도입할 계획이다. SSD는 낸드플래시 기반의 데이터 저장장치다. 현재 Gen5까지 상용화가 이뤄졌다. Gen5란, SSD와 컴퓨터 메인보드·프로세서(CPU·GPU 등)을 연결하기 위한 인터페이스 표준인 PCIe(PCI 익스프레스) 5.0 세대가 적용됐음을 뜻한다. Gen6의 기반이 되는 PCIe 6.0는 지난 2022년 표준이 제정된 바 있다. 삼성전자는 올 상반기부터 Gen6 SSD 전용 테스트 장비를 도입할 예정이다. 초기 발주 규모는 소량으로, 연구개발(R&D) 및 초도 생산에 대응할 것으로 관측된다. 본격적인 양산용 발주는 올 하반기에 진행될 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "Gen6 SSD 양산을 위해서는 전송 속도를 검사하는 테스터 장비가 선제적으로 도입돼야 한다"며 "현재 AI 산업 주도로 고성능 SSD 수요가 높아지는 만큼, 삼성전자가 상용화를 적극 준비하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 실제로 삼성전자는 올해 회사의 첫 Gen6 SSD인 'PM1763' 출시를 목표로 하고 있다. 앞서 삼성전자는 지난해 8월 미국 캘리포니아주에서 열린 FMS(퓨처 메모리 앤 스토리지) 행사에서 해당 제품을 첫 선보인 바 있다. PCIe 6.0의 데이터 전송 통로 당 속도는 최대 8GB/s로, 이전 세대 대비 2배 향상됐다. 총 16개 레인 활용 시에는 초당 최대 128GB/s를 전송할 수 있어, 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 데이터센터에서 수요가 강력할 것으로 기대된다. 주요 경쟁사인 마이크론도 지난 13일(현지시간) 업계 최초로 Gen6 SSD(모델명 마이크론 9650) 양산을 발표하는 등 시장 선점에 나서고 있다. 마이크론은 "마이크론 9650이 양산에 들어가 주요 OEM 및 AI 데이터센터 고객사로부터 인증을 받았다"며 "고성능 스토리지는 더 이상 선택이 아닌 필수 요소가 됐고, 데이터 전송과 관련된 아키텍쳐 설계가 AI 워크로드에 있어 매우 중요해지는 전환점을 맞았다"고 강조했다.

2026.02.23 11:02장경윤 기자

LPDDR6' 시대 성큼…AI·HPC 수요 확대 기대감↑

차세대 저전력 D램(LPDDR)인 'LPDDR6'가 당초 업계 예상보다 빠르게 시장에 안착될 것으로 전망된다. 서버 및 엣지 AI 분야에서 고성능·고효율 D램에 대한 필요성이 급격히 높아졌기 때문이다. 실제로 여러 최첨단 반도체 설계 기업이 현재 LPDDR5X와 LPDDR6 IP(설계자산)를 병행 채택하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자와 퀄컴 등 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 설계 기업들도 차세대 제품부터 LPDDR6를 지원할 계획이다. 20일 업계에 따르면 고성능 반도체 설계 기업들은 자사 칩에 선제적인 LPDDR6 IP 탑재를 검토하고 있다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램 표준이다. 현재 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 차세대 제품인 LPDDR6는 지난해 7월 표준이 제정됐다. LPDDR6의 경우 대역폭이 10.6Gbps에서 14.4Gbps까지 구현 가능하다. 이전 세대인 LPDDR5X가 8.5Gbps에서 최대 10.7Gbps까지 지원한다는 점을 고려하면, 성능이 약 1.5배 가량 향상되는 셈이다. LPDDR6가 본격적으로 상용화되는 시점은 빨라야 올해 하반기로 예상된다. 기본적인 표준은 제정됐으나, LPDDR6와 관련한 물리계층(PHY)·컨트롤러·인터페이스 IP(설계자산) 등 제반 사항이 아직 제대로 갖춰지지 않았기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 LPDDR6는 12.8Gbps 정도까지 실제적으로 구현이 가능하고, 내년이 되면 14.4Gbps까지 성능을 끌어올릴 수 있을 것"이라며 "이를 위해 국내외 주요 기업들이 IP 개발에 매진하고 있다"고 설명했다. 그럼에도 상당수 인공지능(AI) 및 고성능컴퓨팅(HPC) 반도체 설계 기업들이 LPDDR6 탑재를 이미 추진 중인 것으로 파악된다. 당장은 LPDDR5X를 탑재하되, LPDDR6가 대량 양산되는 시점에 맞춰 성능을 한 차례 끌어올리겠다는 전략이다. LPDDR6 도입이 가속화되고 있는 가장 큰 요인은 AI에 있다. 당초 LPDDR의 주요 적용처였던 스마트폰은 온디바이스 AI 탑재로 더 뛰어난 성능의 LPDDR 제품을 요구하고 있다. 이에 삼성전자, 퀄컴 등 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 개발하는 기업들이 차세대 칩에 LPDDR6 IP를 탑재할 계획이다. 동시에 방대한 양의 데이터를 상시 처리해야 하는 AI 데이터센터가 도입되면서, 서버 부문에서도 고성능 LPDDR에 대한 필요성이 급격히 대두됐다. 글로벌 빅테크인 엔비디아 역시 LPDDR 수급에 적극적으로 나서고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 고성능 반도체 설계 기업 중 절반 이상이 LPDDR5X 및 LPDDR6 IP를 병행 탑재하는 방안을 검토하고 있다"며 "특히 4나노미터(nm) 및 그 이하의 최첨단 반도체를 설계하는 기업들에게서 수요가 예상보다 빠르게 나타나고 있다"고 설명했다.

2026.02.20 10:17장경윤 기자

삼성전자, 차세대 반도체 생산기지 P5 클린룸 구축 앞당겨…'쉘 퍼스트' 전략

삼성전자가 선제적으로 클린룸을 확보하는 '쉘 퍼스트(shell First)' 전략을 이어간다. 최근 차세대 반도체 생산기지인 P5의 클린룸 구축 시점을 당초 내년 초에서 올해 중반께로 앞당긴 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택캠퍼스 5공장(P5)의 클린룸 구축 시기를 6개월가량 앞당겼다. 삼성전자는 내년 초부터 클린룸 구축을 본격적으로 진행할 계획이었다. 이를 위한 인서트(구조물 설치 전 지지 역할의 철물을 삽입하는 과정) 등 사전 작업이 오는 4분기 초로 예정돼 있었다. 그러나 최근 삼성전자는 시공 관련 협력사에 해당 일정을 2분기에 조기 진행해달라고 요청한 것으로 파악됐다. 이에 따라 클린룸 구축 일정도 3분기 초부터 이뤄질 예정이다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 인프라 시설이다. 반도체 제조장비를 투입하기 전에 필수적으로 설치해야 한다. 클린룸 설치 뒤 진행되는 배관 설치도 내년에서 올해 연말로 일정이 앞당겨졌다. 업계 관계자는 "현재 P5 공사 현장은 크레인이 다 투입된 상태로 매우 분주한 분위기"라며 "클린룸 및 배관 협력사들도 삼성전자의 갑작스러운 요청에 대응을 준비하는 상황"이라고 설명했다. P5는 오는 2028년 가동을 목표로 하는 삼성전자의 차세대 반도체 생산기지다. 총 3개 층에 6개의 클린룸이 구축돼, 평택캠퍼스 내 다른 공장(2개 층, 4개 클린룸) 대비 규모가 더 큰 것으로 알려져 있다. P5의 주 생산 제품은 AI 산업의 필수 요소인 고대역폭메모리(HBM)가 될 전망이다. 삼성전자는 최근 보도자료를 통해 "P5는 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정"이라며 "AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정"이라고 설명한 바 있다. 이번 삼성전자의 결정은 회사가 추진 중인 쉘 퍼스트 전략의 일환으로 풀이된다. 쉘 퍼스트란 클린룸을 선제적으로 건설한 뒤, 실제 생산능력 확대를 위한 설비투자는 시장 수요와 연계해 탄력적으로 운영하는 전략을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난달 30일 진행한 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 이후에도 선제 투자 전략을 유지할 예정"이라며 "신규 팹 공간 투자를 선행해 클린룸을 확보하고, 이후 수요 추이에 따라 증설이 필요한 시점에 설비투자를 빠르게 실행하는 방식으로 투자할 예정"이라고 설명한 바 있다.

2026.02.17 10:11장경윤 기자

삼성·SK·마이크론, 엔비디아향 HBM4 퀄 2분기 완료

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들이 HBM4 상용화를 앞두고 있다. 3사 모두 올 2분기 엔비디아향 HBM4 최종 퀄테스트를 마무리할 것으로 전망된다. 특히 삼성전자는 가장 높은 제품 안정성으로 가장 빠른 성과를 나타낼 가능성이 높다고 평가 받고 있다. 올해 출하량 역시 전년 대비 가장 큰 폭의 성장이 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 주요 메모리 기업들은 올해 HBM4 상용화와 함께 전체 HBM 시장 점유율에 변동을 보일 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 가장 최신 세대인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화 준비에 매진하고 있다. 해당 HBM은 엔비디아가 올해 하반기 출시하는 AI 가속기 '루빈' 칩에 탑재된다. 트렌드포스는 "메모리 기업들은 HBM4 검증의 최종 단계에 있고, 올해 2분기 검증 완료를 목표로 하고 있다"며 "삼성전자는 뛰어난 제품 안정성을 바탕으로 가장 먼저 인증을 획득할 것으로 예상된다. 나머지 기업들도 곧이어 인증을 획득해 엔비디아향 HBM4 공급망은 3개 기업이 생태계를 구축할 것"이라고 밝혔다. 이와 관련, 삼성전자는 지난 12일 메모리 기업 중 가장 먼저 HBM4 양산 출하를 발표한 바 있다. 세부적으로, 최종 검증을 완료하기 전 선제적으로 제품을 양산하는 '리스크 양산'에 해당한다. SK하이닉스 등도 이달 리스크 양산 제품을 엔비디아향으로 출하할 것으로 알려졌다. 업계는 삼성전자의 HBM4 제품이 11.7Gbps 이상의 높은 성능을 가장 안정적으로 구현한다고 평가하고 있다. 트렌드포스가 삼성전자의 인증 속도가 가장 빠를 것이라고 분석한 이유다. 다만 엔비디아는 루빈 칩을 적기 출시하기 위해 많은 양의 HBM4 물량이 필요한 상황이다. 때문에 엔비디아는 HBM4에 요구되는 성능 완화 등을 통해 3개 메모리 공급사 모두를 HBM4 공급망에 포함시킬 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "단일 공급업체가 루빈향 HBM4 요구 사항을 완전히 충족할 수 없다는 점 등 전략적 필요성을 고려해, 엔비디아가 주요 메모리 공급사를 모두 HBM4 공급망에 포함시킬 것"이라며 "선두를 달리는 삼성전자는 2분기 검증 완료 후 단계적으로 양산에 들어갈 것으로 예상된다"고 말했다. 이에 따라 HBM4를 포함한 전체 HBM 시장에서 삼성전자의 점유율은 지난해 20%에서 올해 28%로 상승할 전망이다. 마이크론도 지난해 20%에서 올해 22%로 소폭 상세가 예상된다. 반면 SK하이닉스는 경쟁사 진입 확대로 HBM 시장 내 점유율이 지난해 59%에서 올해 50%로 감소할 것으로 관측된다.

2026.02.16 07:45장경윤 기자

마이크론, AI 수요 겨냥한 서버용 PCIe 6.0 SSD 양산

미국 메모리 반도체 업체인 마이크론이 서버·데이터센터용 PCI 익스프레스 6.0 SSD 양산에 돌입했다. AI 확산으로 초고속 데이터 처리 수요가 급증하는 가운데 차세대 인터페이스 기반 스토리지 시장 선점 경쟁이 본격화하는 양상이다. 마이크론이 공개한 9650 SSD는 PCI 익스프레스 6.0 규격을 적용한 서버용 SSD 중 가장 먼저 나온 제품이다. 최대 읽기·쓰기 속도를 이전 규격 제품 대비 최대 두 배 끌어올렸다. 마이크론은 9650 SSD가 대량생산 단계에 들어가 주요 제조사와 AI 데이터센터 고객사 검증 작업을 진행중이라고 밝혔다. 단 이는 서버용 제품이며 일반 소비자용 PCI 익스프레스 6.0 제품이 나오기까지는 상당한 시간이 걸릴 것으로 보인다. PCI-SIG, 2022년 1월 PCIe 6.0 규격 확정 PCI 익스프레스는 프로세서와 그래픽카드, NVMe SSD와 AI 가속기 등 PC·서버 주요 부품을 빠르게 잇는 다리 역할을 한다. 이를 관리하는 곳은 Arm, AMD, 퀄컴, 엔비디아, 인텔, 델테크놀로지스 등 PC와 서버, 반도체 업계 주요 관계사 1천여 개 이상이 참여한 표준화 단체인 PCI-SIG다. PCI-SIG는 2022년 1월 각 회원사 의견 수렴을 거쳐 PCI 익스프레스 6.0 규격을 최종 확정했다. 신호 전송 방식을 바꿔 1개 레인(PCI 익스프레스 데이터 전송 경로)당 전송 속도를 최대 8GB/s까지 끌어올렸다. 이는 PCI 익스프레스 4.0(2GB/s) 대비 네 배, PCI 익스프레스 5.0(4GB/s) 대비 두 배 향상된 것이다. 16개 레인을 모두 활용하면 초당 최대 128GB/s를 전송할 수 있어 데이터센터나 서버의 병목현상 제거에 활용될 것으로 예상됐다. 마이크론, 지난해 발표 후 1년 반만에 상용화 마이크론은 2024년 8월 FMS 2024에서 PCI 익스프레스 6.0 기반 SSD 개발 계획을 처음 공개했다. 이후 1년 반이 지난 올 2월부터 제품 대량생산에 나선다고 밝혔다. 마이크론이 13일(현지시간) 공개한 9650 SSD는 E1.S, E3.S 등 서버 규격 제품이며 PCI 익스프레스 6.0 레인 4개와 마이크론 TLC(3비트) 낸드 플래시메모리로 구성됐다. 최대 읽기 속도는 28GB/s, 최대 쓰기 속도는 14GB/s로 현재 판매되는 PCI 익스프레스 5.0 기반 NVMe SSD의 두 배 수준이다. 9650 프로는 저장된 데이터를 읽는 작업에 중점을 뒀고 최대 용량은 30.72TB다. 9650 맥스는 읽기와 쓰기가 모두 중요한 제품 대상이며 최대 용량은 25.6TB다. 작동시 발생하는 열을 식힐 수 있는 냉각 옵션은 공랭식, 수랭식을 모두 지원한다. 차세대 SSD, 데이터센터 중심 성장 전망 마이크론은 "9650 SSD 출시를 통해 고성능 스토리지가 선택이 아닌 필수로 자리 잡고 데이터 이동 구조가 AI 워크로드의 핵심 요소가 되는 미래로 업계가 한 걸음 더 나아가고 있다"고 자평했다. 단 마이크론을 포함한 주요 SSD 제조사는 일반 소비자용 PCI 익스프레스 6.0 SSD에 적극적으로 나서지 않을 것으로 보인다. 신호 전송을 제어하기 까다로워 생산 원가가 높고 성능을 온전히 이끌어 낼 용도가 아직까지 미비하기 때문이다. PCI 익스프레스 5.0 SSD는 2023년 3분기부터 일반 소비자용 시장에 나왔지만 발열과 전력소모 문제로 보급이 더뎠다. SSD 컨트롤러 시장을 양분하는 대만 팹리스인 파이슨과 실리콘모션이 작년 상반기부터 저전력 컨트롤러를 공급하며 이 문제가 해결됐다. PCI 익스프레스 5.0 제품의 성장 여지도 여전히 남아있다. 주요 제조사에 따르면 지난 해 일반 소비자용 SSD 시장에서 PCI 익스프레스 5.0 제품 비중은 약 5% 내외다. 새 규격 기반 제품 투입보다는 기존 시장 확대가 더 쉬운 상황에서 신제품 개발과 출시를 굳이 서두를 필요가 없다.

2026.02.14 09:49권봉석 기자

HBM4 출하 경쟁 '과열'...엔비디아 수급 전략이 공급망 핵심 변수

HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 놓고 글로벌 메모리 반도체 빅3간 경쟁이 과열되고 있다. 삼성전자는 바로 전날(12일) SK하이닉스·마이크론에 한 발 앞서 "HBM4 양산 출하를 발표하며, 경쟁사 대비 개발 속도와 성능 우위를 강조했다. 다만 올해 HBM4 공급망 판도는 최종 고객사인 엔비디아의 HBM4 수급 전략에 가장 큰 영향을 받을 전망이다. HBM4의 성능도 중요하지만, 최신 AI 가속기의 적기 출시를 위해서는 HBM4의 수율 및 공급 안정성 등을 함께 고려해야 하기 때문이다. 실제로 업계는 엔비디아가 HBM4의 성능 조건을 완화하거나 차상위 제품을 함께 공급받을 가능성에 주목하고 있다. 삼성전자, 출하 소식 앞당겨…SK하이닉스·마이크론과 주도권 싸움 13일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들은 이달 엔비디아향 HBM4에 대한 리스크 양산 출하를 진행할 예정이다. HBM4는 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올해 출시할 예정인 AI 가속기 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수를 2배 늘린 2048개로 구현한 것이 특징이다. 앞서 삼성전자는 지난 12일 HBM4 양산 출하를 가장 먼저 공식 발표했다. 회사는 "HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준화기구(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔다"며 "이번 제품에는 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 설명했다. 업계는 삼성전자가 HBM4 양산 출하 소식을 예상 대비 빠르게 발표했다는 점에 주목하고 있다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 당초 회사가 HBM4 양산 출하를 계획하던 시기는 오는 19일이었던 것으로 파악된다. 그러나 경쟁사들도 HBM4의 양산을 최근 공식적으로 발표한 만큼, 주도권 확보를 위해 제품 출하를 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. 실제로 SK하이닉스도 이달 HBM4 제품을 엔비디아향으로 출하할 계획이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 28일 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝힌 바 있다. 마이크론 역시 지난 11일(현지시간) 한 증권사 컨퍼런스콜을 통해 최근 불거진 HBM4 공급망 탈락 논란에 대해 정면 반박하면서, 출하 소식을 공식적으로 알렸다. 이날 마이크론은 "HBM4는 이미 대량 생산에 박차를 가하고 있고, 고객사 출하를 시작했다"며 "지난해 말 실적발표에서 언급한 가이던스보다 1개 분기 가량 시기가 앞당겨진 것"이라고 강조했다. 메모리 3사 모두 리스크 양산…물량 확대는 하반기부터 최근 이들 메모리 3사는 HBM4 상용화를 둘러싸고 주도권을 쥐기 위해 날선 신경전을 벌여 왔다. 업계는 이 과정에서 시장에 불필요한 혼선과 확대 해석이 발생하는 것을 우려하고 있다. 대표적으로, 메모리 3사가 표현하는 '양산'은 일반적인 양산의 개념과 차이점이 있다. 통상 제조산업은 샘플을 통해 고객사와 퀄(품질) 테스트를 진행하고, 일정 기준을 통과하면 정식으로 구매주문(PO)을 받게 된다. 반면 현재 메모리 3사의 HBM4는 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산은 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해서는 코어 다이 양산에만 4개월이 필요하다. 만약 정식 PO를 받고 양산을 시작하게 되면, 최종 고객사인 엔비디아 입장에서는 AI 가속기를 적기에 출시하기 어려워진다. 때문에 메모리 3사는 정식 PO 전부터 HBM4를 고객사에 공급하기 위해 이달 제품 출하를 목표로 양산을 진행해왔다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "엔비디아가 제시한 공식적인 퀄테스트 종료 시점은 올 1분기 말로, 이후 공식적인 PO가 나올 것으로 안다"며 "현재 메모리사들이 대외적으로 양산이라는 표현을 쓰지만, 엄연히는 리스크 양산 개념에 해당한다"고 설명했다. 이를 고려하면 삼성전자, SK하이닉스의 HBM4 출하량이 본격적으로 확대되는 시점은 빨라야 올 하반기로 추산된다. 엔비디아 HBM 수급 전략 주목…성능·수급 안정성 저울질 현재 업계에서는 삼성전자가 엔비디아향 HBM4 퀄테스트를 가장 순조롭게 마무리할 것이라는 전망이 우세하다. 삼성전자의 경우 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램을 적용했다. HBM을 제어하는 베이스 다이도 가장 첨단 공정인 4나노미터(nm)를 기반으로 제작됐다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 자료를 통해 "당사의 HBM4는 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 새로운 기준을 제시했다"며 "이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다"고 밝혔다. 다만 업계는 HBM4의 출하 속도보다 엔비디아의 제품 수급 전략에 더 큰 관심을 두고 있다. 엔비디아가 메모리 공급사에 요구한 11.7Gbps 급의 성능을 무조건적으로 고집할 경우, 루빈 칩 양산에 필요한 HBM4 물량을 충분히 확보할 수 없다는 이유에서다. 우선 삼성전자는 HBM4 출하량을 급격하게 확대할 여력이 없다. 삼성전자의 1c D램 수율은 이달 기준 60%내외로 추산된다. 이후 진행되는 후공정까지 고려하면 HBM 수율은 더 낮아진다. 또한 1c D램 생산능력은 지난해 말 기준 월 6만~7만장 수준으로, 엔비디아의 총 HBM4 요구량에 대응하기엔 턱없이 모자란 규모다. 현재도 1c D램에 대한 신규 및 전환 투자가 진행되고는 있으나, 실제 생산능력에 반영되려면 아직 시간이 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아와의 협의에서 가장 많은 HBM4 물량(점유율 60%가량)을 배정받았다. 그러나 초기 HBM4에 대한 신뢰성 평가에서는 11Gbps급의 성능을 구현하기 힘들다는 평가를 받았다. 이에 SK하이닉스는 최근까지 HBM4의 하드웨어적인 개선을 진행했으나, 100% 성공을 담보하기는 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 수급할 것으로 보고 있다. 이 경우 메모리 3사 모두 기술적으로 HBM4 공급이 한층 수월해진다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순히 성능만이 아니라 전력 효율성, 발열, 비용, 공급 안정성 등이 모두 한꺼번에 고려돼야 한다"며 "지난해와는 비교도 할 수 없는 메모리 쇼티지 속에서, 엔비디아가 수급 안정성을 위해 HBM4의 성능 조건을 완화할 가능성이 사실상 확정된 상황"이라고 설명했다.

2026.02.13 10:46장경윤 기자

삼성전자, AI 메모리 혁신 'PIM' 상용화 박차… "LPDDR6 표준 논의 중"

삼성전자가 AI 시대의 고질적인 문제인 '메모리 벽'을 허물기 위해 PIM(Process In Memory) 기술 상용화 로드맵을 구체화했다. 특히 온디바이스 AI 시장을 겨냥해 LPDDR6 기반의 PIM 표준 논의에 착수하며 차세대 시장 선점에 나선다. 손교민 삼성전자 마스터는 11일 삼성동 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 "현재 AI 성능은 메모리 대역폭의 부족으로 인해 GPU의 성능을 100% 발휘하지 못하고 있다"며 PIM 기술의 필요성을 강조했다. PIM은 메모리 내부 뱅크(Bank) 레벨에 연산 유닛(ALU)을 배치하는 기술이다. 기존 방식이 데이터를 CPU나 GPU로 옮겨 연산했다면, PIM은 메모리 안에서 직접 연산을 수행한다. 이를 통해 대역폭에서 크게 이득을 얻으면서도, 전력 효율성 또한 크게 상승한다는 게 손 마스터의 설명이다. HBM에서 LPDDR로, 상용화 무게중심 이동 삼성전자는 그간 HBM-PIM 등을 통해 기술 검증(PoC)을 마쳤으며, 이제는 실제 양산이 가능한 커머셜 제품 단계로 진입하고 있다. 그 중심에는 스마트폰 및 온디바이스 AI 기기에 최적화된 LPDDR 시리즈가 있다. 손 마스터는 "LPDDR은 DDR 대비 스피드가 빠르게 발전하고 있으며, 온디바이스 AI에 가장 적합한 용처를 가지고 있다"며 상용화 로드맵을 공개했다. 발표에 따르면 삼성전자는 LPDDR5X에 PIM을 적용할 계획이다. LPDDR5X PIM은 현재 주요 고객사들과 협력해 개발 중이며, 올해 하반기 샘플링이 가능할 전망이다. 아울러 차세대 규격인 LPDDR6에 PIM을 적용하기 위한 스펙 논의가 현재 활발히 진행 중이다. "시스템 생태계와 협력해 '메모리 그 이상' 추구" PIM의 성공적인 안착을 위해서는 소프트웨어 및 시스템 생태계의 변화가 필수적이다. 손 마스터는 "PIM은 NPU나 GPU를 대체하는 것이 아니라, 이들과 협력해 시스템 전체의 성능을 높이는 솔루션"이라며 "과거에는 소프트웨어 지원 문제로 PIM이 어렵다는 인식이 있었으나, 현재는 많은 기업이 이를 도입하려는 의지를 가지고 있다"고 말했다. 삼성전자는 향후 하이브리드 본딩 등 고도의 패키징 기술을 결합하여, PIM이 AI 연산의 필수 요소로 자리 잡도록 개발을 지속할 계획이다.

2026.02.11 17:08전화평 기자

송재혁 삼성전자 CTO "커스텀 HBM으로 AI 메모리 벽 깬다"

삼성전자가 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 총집결한 '커스텀 HBM(고대역폭메모리)을 앞세워 AI 반도체의 고질적 난제인 '메모리 벽' 돌파에 나선다. 메모리 칩 내부에 직접 연산 기능을 넣는 파격적인 설계와 최첨단 로직 공정을 결합해, 단순한 부품 공급자를 넘어 AI 아키텍처의 설계자로서 주도권을 잡겠다는 전략이다. 송재혁 삼성전자 CTO(사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 '비욘드(Beyond) ZFLOPS: AI 시스템의 미래 아키텍팅'을 주제로 삼성의 차세대 반도체 로드맵을 발표했다. 송 사장은 "현재 GPU(그래픽처리장치) 성능은 비약적으로 성장하고 있지만, 메모리 대역폭의 증가 속도는 이를 따라가지 못해 AI 시스템 발전의 허들이 되고 있다"고 진단했다. 이러한 불균형을 해결할 삼성전자의 핵심 병기는 '커스텀 HBM'이다. 기존 HBM이 데이터를 전달하는 통로 역할에 충실했다면, 삼성의 커스텀 HBM은 메모리 하단부인 '베이스 다이' 내부에 '컴퓨트 코어'를 이식하는 '컴퓨트 인 베이스 다이' 아키텍처를 채택했다. 이 기술을 적용하면 GPU와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동이 최소화되어 연산 효율이 극대화된다. 삼성전자에 따르면 커스텀 HBM 기반 시스템은 기존 GPU 구조 대비 전력 대비 성능이 약 2.8배 향상되는 것으로 확인됐다. "메모리+파운드리" 원팀 시너지… "삼성만이 가능한 영역" 송 사장은 삼성 커스텀 HBM의 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 동력으로 삼성전자의 '토탈 솔루션' 역량을 강조했다. 회사는 최첨단 D램, 초미세 로직 공정 파운드리(반도체 위탁생산), 어드밴스드 패키징 기술을 전 세계에서 유일하게 보유했다. 이러한 강점을 살려 시장 리더십을 차지하겠다는 계획이다. 송 사장은 "단일 기업 내에서 메모리와 로직의 시너지를 극대화함으로써 AI 시장이 요구하는 폭발적인 기능을 가장 효율적으로 지원할 것"이라고 자신했다. HBM4 넘어 'zHBM'으로…3D 메모리 시대 예고 삼성전자는 이날 기조연설에서 HBM4(6세대) 이후의 미래형 아키텍처인 'zHBM'의 세부 사양도 처음으로 공개했다. zHBM은 기존 평면적인 배치를 넘어 완전한 3D 적층 구조를 지향한다. 제품의 명칭이 zHBM인 것도, HBM을 패키징할 때 z축(수직)으로 쌓았기 때문이다. zHBM은 멀티 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 기술을 통해 수만 개의 I/O(입출력 단자)를 확보하며, 이를 통해 차세대 HBM 대비 대역폭은 4배 이상 높이고 전력 소비는 75% 절감하는 혁신적인 성능을 목표로 하고 있다. 또한 소자 레벨에서 혁신도 가속화한다. 삼성은 차세대 트랜지스터 구조인 CFET 연구 결과를 공유하며, 기존 구조 대비 채널 반응 속도가 20% 이상 빨라졌음을 확인했다고 밝혔다. 아울러 저전력 구현을 위한 산화물 반도체 채널 적용 등 미세 공정의 한계를 넘기 위한 기술 개발도 순항 중임을 시사했다. 송 사장은 "가상 세계를 넘어 현실을 인식하고 행동하는 '피지컬 AI(Physical AI)' 시대가 머지않았다"며 "삼성 반도체는 최적화된 시너지 솔루션을 통해 인류의 진화에 기여할 준비가 되어 있다"고 말했다.

2026.02.11 15:07전화평 기자

SK하이닉스, 차세대 낸드 판도 흔든다…'AIP' 기술 적용 검토

SK하이닉스가 차세대 고적층 낸드를 구현하기 위한 혁신 기술로 'AIP(All-In-Plug)'를 개발하고 있다. 기존 낸드가 핵심 공정을 세 번에 걸쳐 진행했다면, AIP는 해당 공정을 단 한번만 진행해 제조비용을 크게 줄이는 것이 골자다. 이성훈 SK하이닉스 부사장은 11일 서울 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 3번 진행하던 낸드 핵심 공정, 단 한번에 이 부사장은 "반도체 공정의 기술 난이도가 굉장히 가파르게 올라가면서, 지난 10년간 해왔던 방식으로는 이를 따라기 힘들 것이라 판단하고 있다"며 "이에 SK하이닉스는 축적된 기술을 바탕으로 다음 세대의 공정 난이도를 예측하는 플랫폼을 구축했다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 차세대 D램 및 낸드 구현을 위한 선행기술을 검토하고 있다. 특히 낸드 분야에서는 적층 수 향상에 따른 비용 증가를 낮추기 위한 'AIP'와 같은 혁신 기술을 검토 중인 것으로 알려졌다. AIP는 낸드 구현의 핵심인 HARC(고종횡비; High Aspect Ratio Contact) 식각 공정과 관련돼 있다. 식각은 반도체 제조공정에서 특정 물질을 깎는 과정을 뜻한다. 낸드를 만들기 위해서는 메모리의 최소 저장 단위인 셀을 수백 층 쌓고, 각 층을 연결하는 채널 홀(구멍)을 뚫어야 한다. 이 채널 홀을 일정한 너비로 더 좁게, 더 깊게 뚫을수록 낸드 성능을 높일 수 있다. 다만 식각 공정은 난이도가 높아, 전체 낸드 층에 한 번에 구멍을 뚫는 것이 불가능했다. 이에 업계는 낸드의 식각 공정을 2번, 혹은 3번으로 나눠 진행한 뒤, 이를 묶는 기술을 채택해 왔다. 예를 들어, 300단 낸드를 100단+100단+100단으로 나눠 각각 구멍을 뚫고, 다시 본딩 공정을 통해 연결하는 방식이다. SK하이닉스의 가장 최신 세대인 321단 낸드도 3번 식각을 진행하는 '트리플 스택'을 채용하고 있다. 이 경우 낸드를 안정적으로 제조 가능하지만, 식각 공정을 3번이나 진행해야하기 때문에 제조 비용 및 쓰루풋(생산성) 면에서는 효율이 좋지 못하다. 때문에 SK하이닉스는 300단 이상의 고적층 낸드도 한 번에 HARC 식각을 진행하는 AIP 기술에 관심을 쏟고 있다. 해당 기술이 실제 양산 공정에 적용되면, V11 등 차세대 낸드에서부터 HARC 공정 수와 비용이 크게 감소할 것으로 전망된다. 이 부사장은 "고적층 낸드를 구현하기 위해 HARC 식각 공정 수가 늘어나것이 제조비용 증가의 가장 큰 요인"이라며 "이를 억제하기 위해 HARC 공정들을 합쳐서 한 번에 구현할 수 있을지를 고민하고 있다"고 말했다.

2026.02.11 13:41장경윤 기자

D램 구조적 공급 부족 직면…"생산능력 매년 5% 미만 성장"

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 주도하는 D램 시장이 중장기적인 공급 부족 현상에 직면할 전망이다. AI 인프라 투자 규모가 매년 빠르게 확대되는 반면, D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 지난해부터 오는 2030년까지 연평균 4.8% 수준으로 비교적 낮은 성장세가 예상되기 때문이다. 클락 청 세미(SEMI) 연구위원은 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기자간담회에서 향후 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 클락 청 위원은 "전세계 빅테크 기업들이 AI를 중심으로 투자 속도를 앞당기고 있다"며 "특히 메모리 반도체와 패키징이 AI 인프라에서 중요해지고 있어, 한국의 반도체 생태계가 강점을 지닐 것"이라고 밝혔다. 실제로 마이크로소프트, 구글, 아마존, 메타 등 4대 CSP(클라우드서비스제공자)의 AI 인프라 지출은 크게 늘어나는 추세다. 지난 2024년에서 오는 2028년까지 연간 지출 규모 성장률은 38%에 이를 전망이다. 클락 청 위원은 "오는 2027년에는 글로벌 반도체 매출 규모와 4대 CSP를 포함한 전체 기업들의 AI 인프라 투자가 각각 1조 달러를 넘어서게 될 것"이라고 강조했다. 당초 업계는 글로벌 반도체 매출이 1조 달러를 기록하는 시점을 2030년으로 전망해 왔는데, 크게 앞당겨진 셈이다. 거대한 AI 수요로 D램 시장은 장기적인 공급 부족 현상에 직면할 가능성이 크다. SEMI에 따르면, 연간 D램 생산능력 증가율은 지난해부터 오는 2030년까지 4.8%로 전망된다. AI 인프라 투자 성장률을 고려하면 낮은 수준이다. 클락 청 위원은 "메모리 공급사들이 원칙적으로 신규 투자를 보수적으로 하고 있고, 캐파 증가분도 상당량을 고대역폭메모리(HBM)가 흡수할 것"이라며 "또한 공정 기준으로는 15나노미터(nm) 이하의 선단 분야에 투자가 집중돼, 레거시 및 특수 목적의 D램 공급은 더 제한될 예정"이라고 설명했다. 다만 AI 수요가 예상보다 빠르게 증가함에 따라, 향후 3년간 D램 생산능력 전망이 상향 조정될 가능성도 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업들의 팹 투자 규모는 확대될 전망이다. 클락 청 위원은 "한국의 팹 투자 규모는 2026~2028년 연간 400억 달러 수준으로 크게 확대될 것"이라며 "80% 이상이 D램과 낸드와 관련한 투자로, 일부 첨단 로직 투자는 미국에서 진행될 것"이라고 말했다.

2026.02.11 10:17장경윤 기자

美 출장길 오른 최태원 SK 회장…엔비디아 등 빅테크와 AI 회동

최태원 SK그룹 회장과 SK하이닉스 주요 경영진이 지난주 초 미국 출장길에 오른 것으로 파악돼 관심이 모아진다. 업계는 SK 핵심 경영진들이 현지에서 엔비디아를 비롯한 주요 빅테크 기업들과 인공지능(AI) 인프라 구축 및 메모리 분야에 대해 폭넓은 협력을 논의할 것 기대하고 있다. 9일 지디넷코리아 취재에 따르면 최태원 회장은 이달 초인 지난 3일 미국 현지 빅테크 기업과의 회동을 위해 미국으로 출국한 것으로 확인됐다. 이번 출장에는 SK하이닉스 주요 경영진도 동행한 것으로 전해진다. 최 회장은 이번 방미 일정을 최소 약 2주간 소화할 계획이다. 엔비디아, 메타 등 글로벌 빅테크 기업들과 순차적으로 회동을 진행하기 위해서다. 특히 AI 산업에서 긴밀한 협력 관계를 이어오고 있는 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와의 만남도 예정된 것으로 전해진다. 사안에 정통한 관계자는 “최태원 회장과 SK하이닉스 톱 레벨 인사들이 최근 미국에 함께 출장을 간 것으로 안다”며 “최 회장이 AI를 둘러싼 글로벌 생태계 강화에 매우 깊은 관심을 두고 있어, 2주가량 미국에 머무르며 다양한 파트너사들과 협력 방안을 논의할 것”이라고 말했다. 업계에서는 최 회장의 이번 출장이 최근 SK그룹이 현지에 설립을 추진 중인 'AI 컴퍼니(가칭)' 구상과 맞물려 있다는 관측을 내놓고 있다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 28일 미국에 AI 투자를 총괄하고 협력을 도모하는 AI 솔루션 회사를 설립한다고 공식 발표한 바 있다. 이 회사는 현지 AI 기업들과 전략적 투자 및 협업을 추진하고, AI 데이터센터와 관련한 기술·사업 역량을 강화하는 것을 목표로 한다. 복수의 관계자에 따르면 AI 컴퍼니는 최 회장이 직접 전면에 나서 추진하는 프로젝트로, SK텔레콤을 중심으로 한 AI 기술·솔루션 역량과 SK하이닉스의 HBM 등 반도체·자금력을 결합하는 구조로 설계되고 있다. 아직 대표이사 선임 전 단계로 구체적인 사업 내용과 조직 구성은 현재 조율 중인 것으로 전해진다. 다만 AI 컴퍼니 관련 논의가 언론을 통해 먼저 알려지면서, SK하이닉스는 최근 사내 채널을 통해 “AI 컴퍼니는 AI 투자와 관련 솔루션 사업을 전담하는 미국 법인”이라는 점을 공식화했다. AI 컴퍼니 설립을 위해 투입될 자금 규모도 상당한 것으로 전해진다. SK그룹은 해당 법인에 총 100억 달러(약 14조6000억원) 수준의 출자를 검토 중인 것으로 알려졌다. 이를 통해 AI 스타트업 육성 및 투자, 기술 협업, 데이터센터 관련 솔루션 사업을 본격화한다는 구상이다. 특히 기존 SK하이닉스 자회사인 솔리다임을 적극 활용하는 방안이 추진되고 있다. 기존 솔리다임을 AI 컴퍼니 체제로 전환하고, AI 컴퍼니 산하 자회사로 재편하는 방식이다. 이를 통해 SK하이닉스가 보유한 낸드플래시, eSSD, 고대역폭메모리(HBM) 등 AI용 메모리 기술을 AI 솔루션 사업과 보다 긴밀하게 연계하겠다는 전략이다. SK그룹 내부 시너지 강화도 이번 AI 컴퍼니 구상의 핵심 축이다. SK하이닉스는 HBM, 기업용 SSD(eSSD) 등 AI 데이터센터에 필수적인 고부가 메모리 제품을 공급하고 있으며, 향후 빅테크 기업들과의 협업을 통해 차세대 AI 데이터센터용 제품 개발을 더욱 가속화할 수 있다. 업계 관계자는 “최태원 회장은 단순히 AI 인프라를 구축하는 사업이 아니라, AI 인프라의 구조 자체를 바꾸고 생태계를 주도하는 사업을 원하고 있다”며 “AI 컴퍼니는 SK하이닉스가 자금 출자를 담당하고, SK텔레콤이 AI 솔루션과 기술 개발을 주도하는 형태로 운영될 가능성이 크다”고 설명했다.

2026.02.09 10:19장경윤 기자

한미반도체, 지난해 매출 5767억원…창사 이래 최대

한미반도체는 지난해 연간 매출 5767억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 1980년 창사 이래 최대 매출 실적을 달성했다고 9일 밝혔다. 영업이익률은 43.6%를 기록하며 업계 최고 수준의 수익성을 유지했다. 2024년에 이어 2년 연속 창사 최대 매출을 경신한 배경은 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 인정받은 결과로 분석된다. 특히 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) TC 본더가 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 매출 성장을 견인했다. 올해 역시 글로벌 AI 반도체 시장은 하이엔드 HBM 수요 급증으로 글로벌 메모리 기업들의 설비투자가 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상된다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 약 13.0% 증가한다고 전망했다. 실제로 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산하고, 올해 말과 내년 초 HBM4E 양산 준비를 앞두고 있어 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 크게 확대될 전망이다. 그 중심에는 삼성전자, SK하이닉스,마이크론, 중국 업체들이 있다. 특히 마이크론은 2025년 12월 실적 발표를 통해 2026년 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4000억원)에서 200억 달러(약 29조3000억원)로 상향 조정하고 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 실제로 마이크론은 2024년 8월 대만 AUO의 디스플레이 팹을 인수한데 이어, 2025년부터 싱가포르 우드랜즈지역에 D램, 낸드 첨단 웨이퍼 제조공장 건설에 착수했다. 이와 함께 일본 히로시마에 증설 확대, 미국에 축구장 800개 규모의 메가팩토리 증설 계획을 연이어 발표했다. 특히 싱가포르를 AI 반도체(HBM,HBF) 생산거점으로 구축하며, 향후 5년간 글로벌 AI 반도체 주도권 확보를 위한 공격적인 행보를 이어 나가고 있다. 이 같은 마이크론의 공격적인 HBM 생산설비 투자 확대는 지난해 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받으며 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상한 한미반도체 TC 본더의 매출 증가에 크게 영향을 미칠 것으로 전망된다. 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 고객사와 소통하고 있다. 한미반도체는 올해 AI 시스템반도체 분야에서도 신규 장비 출시를 예고했다. 이는 부가가치가 높은 AI 패키지 분야에 채택되는 다양한 본딩 장비로 HBM 코어다이, 베이스다이 그리고 GPU·CPU를 통합하는 AI 반도체 패키지와 CPO(Co Packaged Optics) 패키징 분야에 활용되는 핵심 장비(빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더, 다이 본더)이며, 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 우주항공 분야 핵심 장비 판매에도 적극 나서고 있다. EMI 쉴드 장비는 우주탐사용 로켓, 저궤도 위성통신(LEO), 방산용 드론에 적용되는 필수장비다. 한미반도체는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 선보인 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 계속 유지하고 있으며, 최근 4년 연속 글로벌 항공우주 업체에 EMI 쉴드 장비 라인를 독점 공급하며 기술 경쟁력을 입증했다. 한미반도체 관계자는 “AI 반도체 시장의 지속적인 성장과 글로벌 반도체 기업의 적극적인 투자 확대로 HBM 수요는 그 어느 때보다 높을 것으로 예상하고 있다. 이에 힘입어 한미반도체는 2026년과 2027년에도 창사 최고 실적을 경신할 것으로 전망한다”며 “차세대 제품 개발과 생산능력 확충을 통해 글로벌 반도체 장비 시장에서 리더십을 더욱 강화해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

2026.02.09 10:00장경윤 기자

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