TSMC 독주 속 삼성 파운드리 투자 '안갯속'
삼성전자가 진행 중인 신규 파운드리 공장 건설 계획이 더뎌지고 있다. 현재 국내 제4 평택캠퍼스(P4)는 파운드리 라인을 생략하는 방안이 유력하며, 미국 테일러 파운드리 팹 역시 설비투자 일정이 또 다시 연기될 가능성이 높은 것으로 파악됐다. 최선단 공정에서 핵심 고객사의 주문을 확보하기가 어렵기 때문으로, 선두업체인 TSMC의 '승자독식' 구조가 지속될 수 있다는 우려가 제기된다. 9일 업계에 따르면 삼성전자의 국내외 파운드리 설비투자가 당초 예상보다 지연될 수 있다는 전망이 나오고 있다. 현재 삼성전자가 투자를 계획한 신규 파운드리 생산거점은 국내 P4와 미국 텍사스주 테일러시 두 곳이다. 두 팹 모두 4나노미터(nm) 및 그 이하의 3·2나노 등 업계 최첨단 공정의 양산을 담당할 것으로 알려졌다. ■ P4 파운드리 라인 생략…테일러 팹 추가 지연 가능성도 다만 삼성전자의 파운드리향 설비투자는 지연되고 축소되는 추세다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹으로, P3와 동일하게 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인으로 할당됐다. 그러나 이후 삼성전자는 P4의 구축 순서를 낸드·D램 등 메모리반도체 라인을 우선하는 방향으로 바꿨으며, 최근에는 아예 파운드리 라인을 D램으로 전환하는 논의를 진행 중이다. 업계 관계자는 "P4 파운드리 라인은 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 양산용으로 변경되는 방안이 거의 확실시되는 분위기"라며 "고객사 확보가 불확실한 상황에서 선제적인 투자가 부담스럽다는 판단이 작용하고 있다"고 설명했다. 테일러 파운드리 팹도 상황은 비슷하다. 당초 삼성전자 는 테일러 파운드리 팹 페이즈1에서 올해 말 4나노 공정을 주력 양산할 예정이었으나, 이를 위한 투자 규모를 대폭 축소했다. 지난해 하반기 진행된 장비 발주는 생산능력 기준 월 5천장으로 파일럿(시생산) 라인에 해당한다. 대신 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 양산 시기를 2026년으로 미루고, 4나노 대신 2나노 공정 투자를 진행하기로 했다. 이를 위한 설비투자는 내년 1분기 클린룸 설치, 2분기 초기 인프라 장비 도입 등으로 예정돼 있었다. 그러나 최근 업계에서는 테일러 파운드리 팹 투자 일정이 또 다시 늦춰질 수 있다는 관측이 제기되고 있다. 지연 기간은 길지는 않지만 1개 분기 정도다. 또 다른 업계 관계자는 "내년 상반기 테일러 파운드리 팹 투자를 집행하려면, 삼성전자가 이미 관련 계획을 협력사에 어느 정도 설명했어야 한다"며 "그러나 현재까지 논의된 내용이 없어, 두세달 정도 투자 계획이 밀릴 가능성이 높아진 상황"이라고 밝혔다. ■ 인텔도 파운드리 난항…TSMC 최선단 공정 '독식' 한편 삼성전자의 주요 경쟁사였던 인텔도 최근 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 앞서 인텔은 지난 2021년 파운드리 재진출을 선언하고, 막대한 투자금을 통한 최선단 공정 연구개발(R&D) 및 양산을 추진해 왔다. 그러나 인텔 파운드리 사업부는 지난해에만 영업손실 70억 달러(한화 약 9조5천억원)를 기록했다. 올 상반기 적자 규모도 이미 53억 달러를 기록했다. 이에 미국 주요 은행인 씨티그룹은 최근 "인텔이 파운드리 사업을 중단하는 방안을 적극 추진해야 한다"는 권고를 보내기도 했다. 반면 파운드리 선두업체인 대만 TSMC는 AI 수요에 따른 호황을 맞고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 올 2분기 매출은 208억 2천만 달러로 전분기 대비 10.5% 증가했다. 주요 고객사인 애플의 재고 보충과 AI 서버용 고성능 칩의 강력한 수요 덕분으로, 시장 점유율 또한 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 이에 TSMC는 올 2분기 실적발표와 동시에 올해 연간 실적 전망치를 상향 조정했다. 당초 TSMC는 올해 연 매출이 전년 대비 20% 초중반대 상향될 것으로 내다봤으나, 이를 "20% 중반"으로 변경했다.
