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'망 투자'통합검색 결과 입니다. (62건)

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中 BOE, OLED 이어 반도체도 손 뻗는다…제조공장 설립 추진

중국 최대 디스플레이 업체 BOE가 OLED에 이어 '반도체' 사업 진출을 타진하고 있어 관심이 쏠린다. 최근 협력사들을 대상으로 시스템반도체 팹(공장) 설립을 위한 설비 도입을 문의한 것으로 파악됐다. 그간 반도체 산업에 대한 간접적 투자는 있었으나, BOE가 직접 반도체 팹을 지으려는 시도는 처음으로 알려졌다. 당장은 레거시(성숙) 공정에 국한될 것으로 보이나, BOE가 중국 정부로부터 막대한 지원을 받고 있는 만큼 국내를 비롯한 반도체 공급망에 적잖은 여파를 미칠 수 있다는 관측도 제기된다. 16일 업계에 따르면 BOE는 시스템반도체를 직접 양산하기 위한 설비투자 계획을 논의하고 있다. BOE는 중국 최대 디스플레이 제조업체다. LCD 시장에서 전 세계 점유율 1위를 기록하고 있으며, OLED 분야 역시 삼성디스플레이·LG디스플레이 등 국내 주요 기업들과의 점유율 격차를 빠르게 좁혀나가고 있다. 화웨이 등 현지 대형 세트업체들을 등에 업은 효과다. 나아가 BOE는 28~65나노미터(nm) 급의 시스템반도체 공장을 설립할 계획이다. 이를 위해 올해 상반기 복수의 장비업체와 물밑 접촉을 진행한 것으로 파악됐다. 아직은 초기 단계의 논의지만, 협력사에 관련 설비 도입을 적극적으로 문의하고 있는 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 한 관계자는 "BOE가 베이징 정부, 현지 소규모 레거시 반도체 기업들과 협업해 12인치 반도체 팹 신설 프로젝트를 진행하고 있다"며 "디스플레이용 칩만이 아닌 다양한 제품을 생산하는 것이 목적으로, 현재 공급망을 구축 중"이라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "중국이 AI·자율주행 등 첨단 산업을 적극적으로 키우는 상황에서 BOE도 시스템반도체 공급망 자립화에 동참하기 위한 투자를 준비 중"이라며 "초기 투자는 레거시 분야로 진행하지만, 그 이상의 공정도 목표로 하고 있는 것으로 안다"고 말했다. BOE가 실제로 시스템반도체 팹을 신설하는 경우, 중장기적으로 세계 반도체 공급망에 적잖은 변화가 일어날 것으로 예상된다. BOE의 최대 주주는 베이징시 소유의 기금인 만큼 현지 정부로부터 설비투자 및 R&D(연구개발)과 관련한 막대한 지원을 받을 수 있기 때문이다. 일례로 BOE가 청두시에 설립 중인 8.6세대 OLED 제조라인 투자금만 해도 삼성디스플레이(4조1천억원)의 3배 수준인 630억 위안(약 12조원)에 달한다. 이 중 청두시 투자플랫폼이 BOE에 투자한 금액은 180억 위안(약 3조4천억원)이다. BOE가 투입한 자기자본은 200억 위안에 불과하다. BOE가 과거 반도체 공급망에 투자한 사례도 이미 존재한다. 이 회사는 지난해 말 중국 국유기업인 베이징전자(BEC)의 자회사 베이징전자IC제조가 진행하는 12인치 웨이퍼 팹 프로젝트에 직접 투자했다. 투자 규모는 약 20억 위안으로, 프로젝트 전체 지분의 10%에 해당한다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 지난해 발표한 자료에 따르면, 중국의 12인치 반도체 생산능력 점유율은 지난 2021년 19%에서 2026년 29%로 증가할 것으로 예상된다. 시스템반도체와 연계된 파운드리 산업의 경우 점유율이 2021년 23%에서 2026년 42%로 성장세가 더 가파를 전망이다.

2025.05.16 15:39장경윤

빅테크, AI 인프라에 공격적 투자…삼성·SK도 서버용 메모리 집중

글로벌 빅테크들이 최근 실적발표를 통해 공격적인 AI 인프라 투자 계획을 밝혔다. 최근 대외적 불확실성이 높아진 상황에서도 AI 서버에 대한 수요가 여전히 높다는 판단에서다. 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들도 올해 서버용 메모리 사업 확대에 나설 것으로 관측된다. 4일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 확대하기로 했다. 메타는 지난 1일 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 자본 지출액 전망치를 기존 600억~650억 달러에서 640억~720억 달러로 상향했다. 데이터센터 및 AI 인프라 관련 파드웨어의 예상되는 비용 증가를 반영했다. 전년 투자규모(392억) 대비 크게 늘어난 수치다. 경쟁사들 역시 올해 AI 인프라 투자 비용을 당초 계획대로 전년 대비 크게 늘리기로 했다. 최근 도날드 트럼프 미국 행정부의 관세 정책에 따른 시장 위축 우려에도, 여전히 AI 데이터센터 수요가 공급을 웃돌고 있다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 같은 날 실적을 발표한 아마존은 올해 1천억 달러를 투자한다. 전년 대비 20%가량 증가한 규모다. 회사는 컨퍼런스콜에서 "투자의 대부분은 AWS(아마존웹서비스) 성장을 지원하기 위한 인프라에 쓰일 것으로 예상한다"고 밝혔다. 마이크로소프트도 올해 AI 데이터센터에 전년 대비 약 44% 증가한 800억 달러를 투자하겠다는 기존 계획을 견지했다. 구글(알파벳)도 전년 대비 43% 증가한 750억 달러를 AI 인프라에 쏟는다. 이에 따라 국내 주요 반도체 기업들도 AI 서버용 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. 현재 이들 기업은 최선단 공정 기반의 DDR5와 HBM(고대역폭메모리), 서버용 eSSD 비중을 크게 늘려나가고 있다. 삼성전자는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올 하반기 신규 GPU 출시와 맞물려 AI 서버향 수요 견조세가 지속될 전망"이라며 "순연됐던 데이터센터 프로젝트들이 재개되면서 서버용 SSD 수요도 반등을 기대한다"고 밝혔다. 구체적으로, 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 12단 개선품과 128GB(기가바이트) 이상의 고용량 DDR5 판매를 늘릴 예정이다. 낸드에서는 가장 진보된 PCIe Gen5 SSD 수요에 대응하기로 했다. SK하이닉스도 고용량 서버 시장의 중장기적 성장 가능성을 높게 평가하고 있다. 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델 역시 메모리 수요를 견인할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "올해 생성형 AI 서비스에 대한 요구가 증대되면서 추가적인 메모리 및 인프라가 필요해지고 있다"며 "D램 및 HBM 뿐만 아니라 고성능 TLC(트리플레벨셀) eSSD 수요가 증가할 것으로 기대되고, 고용량 QLC(쿼드레벨셀) eSDD 시장에서도 유의미한 변화가 예상된다"고 강조했다.

2025.05.04 10:30장경윤

"반도체 매년 5.5조 지원하면 GDP 7.2조 상승 효과"

최근 1분기 경제성장률이 마이너스를 기록한 가운데, 반도체 등 전략산업 지원을 통해 성장률을 끌어올려야 한다는 주장이 나왔다. 정부가 매년 5조5천억원을 반도체에 지원하면, 지원하지 않는 경우와 비교해 GDP가 매년 7조2천억원 이상씩 추가 상승하는 효과가 있다는 것이다. 28일 대한상공회의소는 의원연구단체인 '국가 미래비전 포럼', 한국경제학회와 함께 의원회관에서 '한국형 반도체 지원정책의 방향과 과제 토론회'를 개최했다. 이 자리에는 조정식(대표의원), 정태호(연구책임의원), 이학영(고문 겸 국회부의장), 안호영, 권영진, 김주영, 이기헌, 임광현, 정진욱 의원 등 포럼 소속 의원들과 박일준 대한상의 상근부회장, 이근 한국경제학회장 등이 참석했다. "반도체에 매년 5.5조원 지원 시, GDP 매년 7.2조원 이상 추가 상승 효과" 경제효과 분석을 수행한 고려대 경제연구소를 대표해 발표에 나선 김덕파 교수는 “정부가 반도체에 실질 GDP 0.25%(5조 5천억원 정도)를 매년 지원하면 연간 성장률이 매년 0.17%포인트(약 3조7천억원)씩 성장한다”며 “지원이 없을 경우 R&D 투자 감소 등으로 연간성장률이 매년 0.16%포인트(약 3조5천억원)씩 감소하게 되는 것을 고려하면, GDP에 기여하는 실질 효과는 매년 7조2천억원 이상에 달한다”고 말했다. 이유에 대해 김 교수는 “재정지원으로 ▲민간투자 유발 뿐 아니라 ▲반도체 기술 발전에 따른 산업경쟁력 강화 ▲반도체산업 성장이 다른 관련 산업의 성장도 유발하기 때문”이라며 “이제 우리 정부도 경쟁국처럼 직접보조금 지급 방식을 고려해야 한다”고 말했다. 실제로 이번 연구에서 팹 1기 건설에 21조원이 소요되고 그 중 8조원을 공장건설과 국산장비에 5:3의 비율로 분할 투입할 경우, 전후방산업에 미치는 생산유발효과는 15조6천억원으로 나타났다. 이에 더해서 완공된 반도체 생산설비 가동을 통해 연간 약 10조원의 최종수요를 충당할 생산이 이루어질 때 전후방 생산유발효과는 총 13조7천억원으로 집계됐다. 반도체 지원금의 재정환류 효과도 제시했다. 김 교수는 “GDP 1%(22조원)를 반도체에 지원할 경우 추가적인 경제성장으로 인해 국세 수입이 매년 약 4~6조원 증가하는 것으로 분석됐다”고 말했다. 반도체 지원 후 5~6년이 지나면 지원금이 모두 환류된다는 얘기다. 이어 “HBM 기반 반도체 설비투자에 지원하는 경우 재정환류 시점이 더욱 앞당겨질 수 있다”며 “HBM은 기존 DRAM 대비 시장가격이 3~5배 높아 수익성이 더 높고, 경제성장에 기여하는 효과도 더 크기 때문에 같은 금액을 지원하게 된다면, 재정환류 효과는 더 크다”고 덧붙였다. HBM은 2~3년이 지나면 지원금에 상응하는 금액을 국고로 거둬들일 수 있는 것으로 분석됐다. 패널토론에 나선 김창욱 BCG MD파트너도 “한국은 직접 지원보다는 세제 지원 중심의 간접적 지원”이라며 “대기업 특혜 관념에서 벗어나 고부가가치 산업에 집중해 글로벌 첨단기술 경쟁에 본격적으로 뛰어들 필요가 있다”고 말했다. "정부의 반도체 인프라 지원 시급…고급 인재도 유치해야" 반도체 필수인프라 지원에 대해 고종완 한국반도체산업협회 실장은 “그동안 수요자 부담 원칙에 따라 기업이 직접 구축하는 과정에서 비용 증가와 인허가 지연 등의 부담이 가중됐다”며 “대외 불확실성이 지속되는 현시점에서는 기업이 첨단 제조 시설 구축 등 본연의 사업에 집중할 수 있게끔 정부가 더 책임있게 인프라를 구축해 줘야 한다”고 강조했다. 반도체 인재 확보에 대한 조언도 있었다. 최재혁 서울대 교수는 “국내에서 양성된 우수인재의 이탈 방지와 해외 고급두뇌의 국내유치 등 병행 전략이 필요하다”며 “이를 위해 기업은 성과에 대한 파격적인 보상 체계를, 정부와 대학은 우수 연구자들이 안정적으로 활동할 수 있는 제도적 기반을 마련해야 한다”고 강조했다. 이규봉 산업부 반도체과장은 “반도체 산업에 대한 지원을 33조원으로 대폭 확대하고 재정 지원도 '26년까지 4조원 이상 투입할 계획”이라며 “정부는 앞으로 업계와 긴밀히 소통하면서 관세에 따른 영향이 최소화되도록 대미(對美) 협의를 적극 추진할 계획”이라고 말했다. 조정식 국가 미래비전 포럼 대표의원은 인사말에서 “반도체는 단순한 산업을 넘어 우리 경제의 근간을 이루고, 국가 안보와 경쟁력을 좌우하는 핵심 전략자산”이라며 “입법과 예산, 제도 설계 전반에서 국회가 주도적으로 역할을 해나가야 할 때”라고 말했다. 박일준 대한상의 상근부회장은 환영사에서 “1분기 역성장 소식에 산업계도 큰 충격을 받았는데, 전략산업인 반도체에 역량을 집중해 경제적 효과를 끌어올릴 수 있도록 정치권에서도 많이 노력해 주시길 당부 드린다”고 말했다.

2025.04.28 14:52장경윤

"관세 실현 시 美 AI 학습 비용 33% 증가…韓 기회 될 수도"

트럼프 2기 행정부의 신규 관세 정책이 인공지능(AI)·반도체 산업의 최대 변수로 떠올랐다. 예고된 관세가 실제로 적용되는 경우, 미국 내 AI 학습 비용이 기존 대비 33% 수준까지 증가할 수 있다는 분석이 제기된다. 다만 이번 관세 정책은 국내 AI·반도체 산업의 기회로도 작용할 전망이다. 미국 내 투자 비용 상승에 따라 국내 투자 요인이 증가하기 때문으로, 전문가들은 미국과의 산업 및 투자 협력을 강화해야 한다는 제언을 내놨다. 15일 대한상의는 '한미 산업협력 컨퍼런스'를 개최하고 한·미 산업협력이 유력한 조선·방산, 에너지, AI·반도체 분야의 구체적 협력방안이 논의했다. 현재 국내 AI 및 반도체 산업은 미국 정부가 발표한 신규 관세 정책으로 매우 높은 불확실성에 직면해 있다. 도날드 트럼프 미국 대통령은 최근 "반도체 산업에 대한 구체적인 관세율을 곧 발표할 계획"이라고 밝히기도 했다. 영상으로 패널토론에 참여한 마틴 초르젬파 피터슨국제경제연구소 선임연구원은 "예고된 관세들이 실제로 시행된다면 미국 내에서 AI를 학습시키는 비용이 약 25%에서 33%까지 증가하게 될 것"이라며 "원자재 및 부품 가격 상승으로 미국 내 반도체 제조 시설 구축 비용도 높아져, 결국 미국 내 투자에 대한 경제적 타당성 자체를 흔드는 요소가 될 수 있다"고 짚었다. 다만 전문가들은 국내 AI 및 반도체 산업이 위기 속에서 새로운 기회를 찾을 수 있다는 점도 강조했다. 마틴 연구원은 "미국 내 AI 학습 비용이나 반도체 공장 건설 비용이 높아지게 된다면, 투자의 일부를 한국에서 수행하려는 움직임을 보일 수 있다"며 "한국은 관세 측면에서 타 국가 대비 훨씬 더 우호적이고 건설적인 환경을 갖추고 있기 때문"이라고 말했다. 김창욱 BCG MD파트너는 “미국이 선도하고 있는 AI 모델을 한국 기업들이 활용할 수 있게끔 협력하는 것이 중요하다”며 “반대급부로 AI 빅테크 기업들이 한국에 데이터센터를 설립할 때 설비투자 비용을 분담하거나, GPU를 임대해주는 방식(GPUaaS)을 검토해 볼 수 있다”고 말했다. 마이크 예 마이크로소프트 정책협력법무실 아시아 총괄대표 역시 “트럼프 2기 행정부의 AI 정책 기조는 '규제 완화'와 '혁신'인 반면, 중국은 AI 자립, 유럽은 엄격한 AI 규제로 각기 다른 접근방식을 보이고 있다”며 “이런 상황에서 한국은 미국과 상호보완적인 경쟁력을 갖춘 매우 유력한 AI 파트너가 될 수 있다”고 말했다.

2025.04.15 10:47장경윤

안덕근 산업장관 "관세 전쟁에 민관 역량 총결집해 지원할 것"

안덕근 산업통상자원부 장관은 미국 정부의 상호관세 발표 및 반도체 품목 관세 예상에 대응해 10일 서울 한국무역보험공사에서 업계 간담회를 개최했다. 이번 간담회에는 종합 반도체 기업, 팹리스 기업, 소재·부품·장비(소부장) 기업, 반도체산업협회가 참석했다. 미국 정부는 지난 2일 국가별 상호관세(우리나라는 25%*, 다만 90일간 기본관세 10%만 적용)를 발표했으며, 반도체에 대한 품목 관세 도입도 예정하고 있어 반도체산업을 둘러싼 불확실성이 큰 상황이다. 또한 상호관세에 따른 IT 제품의 수요 위축으로 반도체 수출 여건에 영향이 있을 것으로 우려된다. 오늘 간담회에서 정부와 업계는 美 정부의 관세 조치에 따른 우리 기업의 영향과 대응방안을 논의했다. 업계는 미국 내 생산에 한계가 있고 고부가 제품(HBM 등) 시장에서 우리 기업의 높은 점유율 등을 고려할 때, 단기적으로 관세 영향은 제한적일 것으로 전망하면서도 통상환경 급변에 따른 불확실성 등을 우려하며 정부에 적극적인 대미(對美) 협의를 요청했다. 아울러 업계는 국내에서 안정적으로 투자할 수 있도록 기반시설에 대한 재정지원을 확대하고 세제·금융지원 강화, 분산에너지 설비 설치 의무 규제 개선 등 정부의 전폭적인 지원과 관심을 요청했다. 이에 정부는 통상리스크에 대응해 ▲수출애로 긴급대응 ▲투자 인센티브 강화 ▲생태계 강화 등을 중심으로 반도체 지원방안을 마련하고 있으며, 관계부처 협의를 거쳐 조만간 수립·발표할 계획이라고 강조했다. 우선, 기업이 당면한 수출 애로를 신속히 해소할 수 있도록 코트라 '관세대응 119', 관세대응 바우처 등을 통해 관세·원산지 등의 컨설팅을 지원한다. 또한 수입에 의존하는 소재·부품에 대한 비용부담을 경감할 수 있는 다양한 대책을 검토할 계획이다. 기업의 투자를 촉진하기 위한 기반시설 지원과 규제개선에도 속도를 높인다. 용인 1호 팹 착공을 시작으로 반도체 클러스터의 성공적인 조성을 위해 전력·폐수 등 기반시설에 대한 정부 지원한도 상향, 송전망지중화 비용분담 등 추가 재정지원을 추진한다. 관세전쟁 등 글로벌 공급망 불안 속에서 반도체 생태계 전반의 경쟁력도 키운다. 우선 '트리니티 팹' 운영법인을 상반기 중 설립해 팹 구축에 본격 착수한다. 이를 통해 소부장 개발제품이 빠르게 실제 양산으로 이어질 수 있도록 뒷받침하고, 트리니티 팹이 R&D·인력양성의 거점으로 역할을 확대할 수 있도록 추진할 계획이다. 팹리스 기업의 성장을 돕는 노력도 지속한다. 국내 AI 생태계 조성이 시급한 만큼, 자동차·로봇·방산·IoT 등 4대 분야 중심으로 1조원 규모의 온디바이스(제품 탑재용) AI 반도체 개발 사업을 신속하게 추진하기 위해 산·학·연 드림팀을 구성하고, 예비타당성 면제를 신청할 계획이다. 정부는 반도체 전문인력 양성을 위한 투자를 계속 확대하는 한편, 국회와 긴밀히 협의하여 '반도체 특별법'의 조속한 입법을 추진한다. 안 장관은 “우리가 직면한 통상·공급망 리스크는 민-관이 온 힘을 합쳐 대응해야 한다”며 “정부는 각급에서 긴밀한 대미 협의를 지속 전개해나가는 한편, 관세 전쟁은 기업 유치를 둘러싼 투자 전쟁이기도 한 만큼 국가적 역량을 총결집해 반도체 지원방안을 조속히 마련하겠다”고 밝혔다.

2025.04.10 09:58장경윤

ISC, 450억원 규모 베트남 사업장 신규 투자 결정

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 약 450억 원 규모의 베트남 사업장 신규 투자를 결정했다고 3일 밝혔다. 아이에스시 베트남 공장은 전체 생산량의 80% 이상을 차지하고 있는 핵심 생산거점이다. 이번 투자는 글로벌 빅테크 고객사들의 AI 반도체 테스트 소켓 수요 증가에 따라 생산 역량을 선제적으로 확보하고 공급 안정성을 강화하기 위한 것으로 풀이된다. 투자금은 공장 증설과 함께 자동화 설비 도입 등 스마트 팩토리 구축에 집중될 전망이다. 아이에스시는 2020년 베트남 사업장 신설 이후 초정밀 자동화 조립 공정 도입 및 공장 설비 현대화 등 베트남 사업장에 아낌없는 투자를 이어왔다. 유지한 아이에스시 공동대표는 선임 후 첫 행보로 쩐 쭈이동(Tran Duy Dong) 베트남 빈푹성 인민위원회 인민위원장과 만나 사업 전략을 논의하기도 했다. 아이에스시와 베트남 빈푹성 정부는 지난 2일 SKC 광화문 사옥에서 투자 협정식을 진행해 더욱 공고한 파트너십을 구축했다. 아이에스시는 투자 협정식을 통해 베트남 내 반도체 테스트 소켓 생산 인프라 확장에 대한 정부 차원의 지원을 확보하고, 향후 베트남 사업 확장을 위한 기반을 다질 계획이다. 아이에스시 관계자는 “AI 반도체 시대의 도래에 맞춰 글로벌 고객사의 수요에 유연하게 대응할 수 있도록 생산라인을 고도화할 예정”이라며 “이번 투자를 통해 베트남 사업장을 아이에스시의 핵심 생산기지로서 한 단계 더 성장시키겠다”고 강조했다.

2025.04.03 11:06장경윤

TSMC, 美에 145조원 추가 투자...트럼프 "놀라운 일"

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국에 1천억 달러(약 145조원)를 추가 투자할 계획이라고 CNBC 등 외신이 3일(현지시간) 보도했다. 추가 투자분은 세부적으로 반도체 공장 3곳, 반도체 패키징(조립 및 테스트) 공장 2곳, 연구개발(R&D) 센터 1곳 건설에 쓰인다. 이날 웨이저자 TSMC 회장은 백악관에서 도널트 트럼프 미국 대통령과 만남을 가진 뒤, 이 같은 계획을 발표했다. 앞서 TSMC는 지난 2020년 미국 애리조나주에 120억 달러를 투자해 파운드리 팹을 신설하기로 한 바 있다. 이후 신규 공장 증설을 위해 투자 규모를 650억 달러로 확대했다. 이를 고려하며 TSMC의 총 투자규모는 1천650억 달러로 늘어나게 된다. 이에 대해 트럼프 대통령은 "TSMC의 신규 투자는 애리조나주에 총 5개의 제조시설을 건설하는 데 쓰이고, 수천개의 고임금 일자리를 창출하게 될 것"이라며 "세계에서 가장 강력한 기업의 놀라운 움직임"이라고 극찬했다. CNBC는 "이번 TSMC의 발표는 트럼프 행정부가 미국을 인공지능 허브로 만드려는 노력을 지원한다"며 "트럼프 대통령은 과거 대만이 미국의 반도체 제조 산업을 훔치고 있다고 거듭 비판하면서, 반도체 수입에 대한 관세를 부과하겠다고 주장한 바 있다"고 논평했다.

2025.03.04 08:13장경윤

트럼프 정부, 반도체 보조금 재협상 추진…삼성·SK 영향 '촉각'

미국 도널드 트럼프 행정부가 바이든 정부 시절 실시한 반도체지원법(칩스법)의 보조금 지급과 관련해 재협상을 검토하고 있다고 로이터통신이 13일 보도했다. 이에 따라 일부 반도체 보조금 지급 일정이 연기될 가능성도 제기되고 있다. 국내 삼성전자, SK하이닉스 등에도 어떤 영향을 미칠 지 귀추가 주목된다. 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "트럼프 정부가 보조금 수령을 위해 필요한 사항을 평가하고 변경한 뒤, 일부 지급을 재협상할 계획"이라며 "변경 가능한 사항의 범위와 이미 확정된 협정에 어떤 영향을 미칠지는 아직 명확하지 않다"고 밝혔다. 이와 관련, 대만 웨이퍼 제조업체 글로벌웨이퍼스는 "칩스법 프로그램 사무국은 트럼프 대통령의 행정 명령 및 정책과 일치하지 않는 조건들을 재검토하고 있다고 당사에 알려 왔다"고 답변했다. 트럼프 행정부는 반도체 기업이 보조금을 받기 위해 노동조합 소속 근로자를 채용하고, 근로자를 위한 보육지원을 실시해야 하는 등 여러 요구사항에 우려를 표하고 있는 것으로 전해졌다. 또한 보조금을 수령한 뒤에도 중국을 포함한 해외에 상당한 규모의 생산능력 확장 계획을 발표한 기업들에게도 불만을 가진 것으로 알려졌다. 예를 들어 인텔은 지난해 3월 미국 상무부와 85억 달러의 보조금을 받기로 합의한 뒤, 10월에 중국 패키징 설비에 3억 달러를 투자한다고 발표했다. 로이터통신은 "현재 칩스법은 중국 내 일부 투자를 허용하고 있다"며 "인텔, TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 보조금을 가장 많이 받는 기업 중 대다수가 중국에 주요 제조 시설을 두고 있다"고 전했다. 한편 미국 텍사스주 테일러시에 대규모 반도체 공장을 짓고 있는 삼성전자는 지난해 말 미국 정부로부터 47억4천500만 달러의 보조금 지급을 확정 받았다. SK하이닉스 역시 미국내 반도체 패키징 공장 설립과 관련 4억5천800만 달러의 보조금과 대출 지원 5억 달러, 투자 금액의 최대 25%의 세제혜택을 받기로 했다.

2025.02.14 09:47장경윤

전 세계 반도체 투자, 올해도 '첨단 패키징' 뜬다

올해 반도체 산업에서 첨단 패키징의 존재감이 더욱 커질 전망이다. TSMC는 올해 전체 설비투자에서 첨단 패키징이 차지하는 비중을 높이기로 했으며, 주요 메모리 기업들도 HBM의 생산능력 확대를 위한 패키징 투자에 집중할 것으로 관측된다. 19일 업계에 따르면 전 세계 주요 반도체 기업들은 최첨단 패키징 기술 및 생산능력 확대에 적극 투자할 계획이다. 첨단 패키징은 기존 웨이퍼 회로의 선폭을 줄이는 전공정을 대신해 칩 성능을 끌어올릴 대안으로 떠오르고 있다. 이에 기업들은 칩을 수직으로 적층하는 3D, 기존 플라스틱 대비 전력 효율성이 높은 유리기판, 다수의 D램을 적층하는 HBM(고대역폭메모리)용 본딩 등 첨단 패키징 기술 개발에 주력하고 있다. 일례로 TSMC는 지난 16일 진행한 2024년 4분기 실적발표에서 올해 총 설비투자 규모를 380억~420억 달러(한화 약 55조~61조원)으로 제시했다. 지난해 투자 규모가 약 43조원임을 고려하면 최대 18조원이 늘어난다. 해당 투자 중 15%는 첨단 패키징에 할당된다. 지난해 10%의 비중에서 5%p 상승한 수치다. 금액 기준으로는 전년 대비 2배 증가할 것으로 분석된다. 실제로 TSMC의 CoWoS 패키징은 엔비디아 등 글로벌 빅테크 기업들의 적극적인 주문으로 공급이 부족한 상태다. CoWoS는 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 칩 성능을 끌어올리는 2.5D 패키징 기술이다. 미국 내 첨단 패키징 투자도 더욱 강화될 전망이다. 미국 상무부는 지난 16일 첨단 패키징 관련 투자에 14억 달러를 지원하겠다고 발표했다. 이에 따라 SKC 자회사 앱솔릭스는 1억 달러를 지원받게 됐다. 앱솔릭스는 미국 조지아주 코빙턴시에서 AI 등 첨단 반도체용 유리기판 양산을 준비하고 있다. 회사는 지난달에도 생산 보조금 7천500만 달러를 지급받은 바 있다. 전세계 1위 규모의 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)도 차세대 패키징용 실리콘 기판 기술 개발에 1억 달러의 보조금을 지급받는다. 이외에도 국립 반도체 기술진흥센터가 12억 달러를, 애리조나 주립대가 1억 달러를 지원받는다. 메모리 업계도 AI 산업에서 각광받는 HBM의 생산능력 확대를 위해 첨단 패키징 분야에 힘을 쏟는다. 이미 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들은 지난해 설비투자 계획을 최선단 D램과 HBM에 집중하겠다고 밝힌 바 있다. 마이크론도 지난달 진행한 실적발표에서 "회계연도 2025년(2024년 9월~2025년 8월) 설비투자 규모는 135억~145억 달러 수준"이라며 "설비투자는 최선단 D램 및 HBM에 우선순위를 둘 것"이라고 발표했다.

2025.01.19 12:00장경윤

마이크론, 새해에도 D램 설비투자 활발…삼성·SK '추격'

미국 마이크론이 지난해에 이어 올해에도 D램 생산능력 확대에 적극적으로 나설 것으로 전망된다. 미국 정부로부터 확정한 막대한 보조금을 기반으로, 최근 기존 D램 공장의 전환 투자 계획을 구체화했다. 5일 업계에 따르면 마이크론은 지난해 말 미국 버지니아주 매나사스 지역에 최대 21억7천만 달러(한화 약 3조1천900만원)을 투자한다고 발표했다. 마이크론의 매나사스 반도체 공장은 2000년대 초반부터 가동을 시작한 메모리 공장이다. 이후 지난 2018년 신규 라인 및 R&D 센터 건립에 대한 투자가 진행됐으며 약 7년만에 추가 투자가 이뤄지게 됐다. 마이크론은 이번 투자로 기존 매나사스 팹의 설비를 최신화하고 자동차, 항공우주, 방위 등 특수 산업을 위한 첨단 D램을 양산할 계획이다. 다만 마이크론은 구체적인 전환 투자 계획, 증가하는 생산능력 규모 등에 대해서는 언급하지 않았다. 미국 상무부는 해당 투자에 총 2억7천500만 달러를 지원할 예정이다. 미 상무부와 마이크론은 지난해 12월 이 같은 내용의 예비거래각서를 체결한 바 있다. 동시에 마이크론은 아이다호주와 뉴욕주에서도 D램 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있다. 뉴욕에는 약 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투입한다. 미국 상무부는 해당 투자에 대해 61억6천500만 달러 규모의 반도체 보조금을 지급하기로 확정했다. 미국은 마이크론을 앞세워 자국 내 메모리 공급망 강화에 적극 나서고 있다. 미 상무부는 "마이크론의 투자로 오는 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝히기도 했다. 대만 지역에서는 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 초점을 맞추고 있다. 마이크론은 지난해 8월 대만 AUO로부터 타이중과 타이난에 위치한 2개 공장을 81억 대만달러(약 3천500억원)에 인수하고, 해당 공장을 HBM 등 최첨단 산업을 위한 D램 라인으로 전환하기로 했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 최선단 D램 및 HBM 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있다. 삼성전자는 지난해부터 평택 P2·P3 라인과 화성 15·16라인 등에서 기존 레거시(성숙) D램을 1b(5세대 10나노급) D램으로 전환하기 위한 투자를 진행하고 있다. 차세대 제품인 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 라인 구축도 최근 시작됐다. SK하이닉스는 지난해부터 이천 M14·M16 등에서 1a 및 1b D램을 위한 전환 투자를 진행해 왔다. 특히 M16 팹의 경우 하부층 투자가 대부분 마무리돼, 상부층에 대한 투자 논의가 오가고 있는 것으로 알려졌다.

2025.01.05 13:00장경윤

韓, 올해도 반도체 경쟁력 강화 초점…투자세액공제율 5%p 상향 추진

정부가 반도체 투자세액공제율을 기존 15%에서 20%로 높이는 방안을 재추진한다. 또한 대규모 반도체 클러스터 구축을 위한 인프라 투자에 대해서도 기업의 부담을 줄이기로 했다. 2일 기획재정부의 '2025년 경제정책방향'에 따르면 올해 정부는 반도체 생태계 지원을 가속화하기 위한 방안을 구체화할 계획이다. 먼저 재정·세제 분야에서는 '반도체특별법' 제정을 지원하고, 기반시설과 연구개발 등에 대한 추가 재정, 세제 지원방안을 마련한다. 일례로 용인·평택 반도체 클러스터 송전선로 지중화 비용(총 1조8천억원 수준) 중, 기업부담분에 대해 국가에서 절반 이상을 적극 분담하기로 했다. 특화단지 인프라 지원한도도 기존(500억원) 대비 상향한다. 반도체 기업에 대한 국가전략기술 투자세액공제 공제율은 5%p 상향한다. 앞서 정부는 기존 15%인 반도체 투자세액공제율을 20%로 높이는 'K칩스법(조세특례제한법 개정안)'을 추진했으나, 지난해 말 비상계엄 여파 등으로 본회의에서 무산된 바 있다. 금융 부문에서는 최저 2%대 국고채 금리 수준으로 산업은행 저리 대출 4조2천500억원을 지원하는 등, 올해 14조원 이상의 정책금융을 지원한다. 인프라 부문에서는 투자 단계별로 진행 상황을 밀착 관리해, 현장애로를 해소하고 전력·용수·도로 클러스터 기반시설의 신속조성을 추진한다. 용인 국가산단 계획은 올해부터 보상 절차에 착수해 내년 하반기 중으로 부지조성 착공을 시작할 계획이다.

2025.01.02 18:40장경윤

日 '반도체 르네상스' 개막…TSMC 구마모토 팹 양산 돌입

일본이 현지 반도체 공급망 강화에 속도를 낸다. 대만 주요 파운드리 TSMC와의 협업으로 구축해 온 구마모토 신규 공장이 최근 본격적인 가동을 시작했다. 이에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 볼 전망이다. 27일 아사히신문 등에 따르면 TSMC의 구마모토 신규 파운드리 공장은 이달 말 양산에 돌입했다. 앞서 TSMC는 지난 2021년 일본 소니그룹, 덴소와 합작사 JASM를 설립하고, 구마모토 현에 반도체 제1공장을 건설해 왔다. 제1공장의 투자 규모는 70억 달러(한화 약 10조원)에 달한다. 제1공장의 클린룸은 총 4만5천㎡ 규모로 조성됐다. 생산능력은 월 5만5천장 수준이다. 주력 생산 공정은 12~28나노미터(nm)로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 해당한다. 다만 일본이 그간 40나노 이상의 공정을 주로 다뤄왔다는 점을 고려하면 기술적 진보를 이뤄냈다. 제1공장은 지난 2월 개소식을 진행했다. 이후 양산 설비 반입 및 설치를 거쳐, 이달 본격적인 양산을 시작했다. TSMC는 "구마모토 제1공장이 모든 프로세스 인증을 완료하고 당초 계획대로 이달 양산에 들어갔다"며 "JASM은 일본의 안정된 첨단 반도체 생산 거점으로 글로벌 반도체 생태계에 공헌할 것"이라고 밝혔다. 제1공장의 양산에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 입을 것으로 전망된다. 일본은 포토레지스트(감광액), 폴리이미드, 불화수소, 실리콘 웨이퍼 등 반도체 양산에 필요한 각종 소재·부품 시장에서 상당한 점유율을 차지하고 있다. 한일경제협회가 올해 발간한 '일본정부의 반도체 정책과 반도체 산업의 현주소'에 따르면, JASM은 경영계획에 "간접재료를 현지 공급망으로부터 50% 이상 구입하는 것을 추구한다"는 조항을 명시했다. 한편 TSMC는 지난 6월 구마모토 제2공장 착공에도 돌입했다. 제2공장은 비교적 첨단 공정에 속하는 6·7나노를 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 공장 규모도 제1공장 대비 1.5배 크다. 이에 일본 정부는 제1공장에 4천760억엔, 제2공장에 7천300억엔의 보조금을 지급하기로 했다. 이를 합친 보조금 규모만 1조2천억엔(한화 약 10조7천억원)에 이른다.

2024.12.28 11:40장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

SK하이닉스, 美 반도체 보조금 6600억원 수령 확정

SK하이닉스가 미국 내 첨단 패키징 설비투자에 속도를 낼 수 있을 것으로 전망된다. 19일 조 바이든 미국 행정부는 SK하이닉스에 최대 4억5천800만 달러(한화 약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러의 대출금을 제공하는 계약을 확정했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표한 바 있다. 이에 미 상무부는 지난 8월 SK하이닉스에 4억5천만 달러 및 5억 달러의 대출금을 지원하는 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 블룸버그는 "지난 8월에 발표된 예비계약 보다 소폭 많은 금액으로 최종 계약이 체결된 것은 한국 기업의 프로젝트가 협상 기준에 도달함에 따라 자금을 받기 시작할 수 있다는 것을 의미한다"고 논평했다. 이에 대해 SK하이닉스는 "당사는 미 정부, 인디애나주, 퍼듀대를 비롯 미국 내 파트너들과 협력해 AI 반도체 공급망 활성화에 기여할 수 있을 것으로 기대한다"고 밝혔다. 한편 삼성전자도 지난 4월 미 상무부로부터 반도체 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)의 지원금을 받기로 했다. 이에 삼성전자는 텍사스주에 지난 2022년부터 건설 중인 파운드리 1공장 외에도 추가로 2공장을 건설하고, 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 짓기로 결정했다. 다만 삼성전자의 최종 계약 소식은 아직 전해지지 않고 있다.

2024.12.19 20:10장경윤

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

반도체 세액공제 '3년' 늘린다지만…"美·日 등은 최대 10년"

정부가 반도체 등 국가전략기술에 대한 세액공제 적용기한을 올해 말에서 2027년 말로 3년 연장한다. 다만 미국·일본 등 주요 국가에서는 각각 5년·10년에 달하는 지원책을 펼치고 있어, 우리나라도 반도체 산업의 특성을 고려한 중장기적 대책이 필요하다는 목소리가 나오고 있다. 30일 업계에 따르면 반도체 산·학·연 전문가들은 국내 기업들의 장기적 투자를 지원하기 위한 대응책이 필요하다는 분석을 내놓고 있다. 앞서 정부는 지난 2022년 반도체 등 첨단 산업을 국가전략기술로 지정하고, 연구개발비 및 설비투자에 대해 높은 세액공제율을 적용한 바 있다. 설비투자의 경우 삼성전자·SK하이닉스 등 대기업은 최대 25%의 세액공제 혜택을 받을 수 있다. 다만 국가전략기술 세액공제율 적용 기간은 3년으로, 올해 말이 되면 일몰기한이 도래한다. 이에 정부는 지난 6월 세법개정안을 통해 기간을 3년 연장하기로 했다. 그러나 업계에서는 보다 장기적인 시각의 지원이 필요하다는 지적이 꾸준히 제기되고 있다. 초기 투자부터 공장 가동까지 최소 3~4년의 시간이 소모되는 반도체 업계 특성 상, 최소 10년 이상의 일관된 투자 지원 정책이 필요하기 때문이다. 일례로 삼성전자는 경기 용인시 남사읍에 약 300조원을 투입해 710만 제곱미터 규모의 시스템반도체 클러스터를 구축한다. 해당 클러스터에는 파운드리 팹이 총 6개 지어지며, 관련 생태계 기업도 150여곳이 들어선다. 투자 기간은 지난해부터 오는 2043년까지다. SK하이닉스도 용인시 원삼면에 415만 제곱미터 규모의 반도체 클러스터를 구축하고 있다. 약 122조원을 투입해 메모리 팹 4기를 구축하고 소부장 협력사 50여곳을 유치한다. 해당 클러스터의 구축지난 2022년부터 시작돼, 오는 2046년까지 진행될 예정이다. 반도체 업계 고위 관계자는 "반도체 산업은 장기적이고 지속적인 전략적 투자가 필요한데, 투자에 대한 불확실성을 없애야만 실질적 움직임이 가능하다"며 "반도체 공급망 확보에 힘쓰고 있는 미국 일본 등도 최대 10년 이상의 장기적인 지원책을 시행 중"이라고 설명했다. 한국반도체산업협회가 최근 추산한 자료에 따르면, 미국은 지난 2022년 8월 '칩스법'을 통해 반도체 또는 반도체 장비 제조용 첨단제조시설에 필수적인 자산 도입 투자액의 25%에 세액공제를 적용하고 있다. 세액공제는 2022년 12월 31일 이후 가동이 시작됐거나, 2027년 1월 1일 이전에 착공이 시작된 공장을 대상으로 한다. 이를 고려하면 지원 기간이 5년 가까이 되는 셈이다. 일본 역시 2024년 세제개정안에 '전략분야 국내생산 촉진세제'를 신설했다. 반도체를 비롯한 5개 전략분야의 현지 설비투자 시 최대 20%의 법인세를 공제해주는 것이 주 골자다. 해당 법안은 오는 2027년 3월 말까지 승인된 사업계획을 대상으로 한다. 세액공제 혜택은 사업계획 승인일 이후 10년 이내의 각 회계연도에 적용된다.

2024.12.01 14:45장경윤

낸드 불황 심화 우려에…삼성·SK 투자 '신중론'

최근 범용 낸드 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 우려가 제기되고 있다. 모바일과 PC향 제품 수요가 부진하고, 공급업체 간 경쟁이 심화되고 있기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등도 내년 설비투자를 줄이려는 움직임을 보이고 있는 것으로 파악됐다. 24일 업계에 따르면 국내 주요 메모리 제조업체들은 낸드플래시 시장의 불확실성에 따라 내년 설비투자에 대해 보수적으로 접근하고 있다. 낸드 시장은 PC 등 소비자용 IT 산업의 수요 부진으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 또 범용 낸드는 후발주자들의 공격적인 시장 확대로 공급 과잉에 대한 우려가 심화되는 상황이다. 박유악 키움증권 연구원은 "4분기 낸드 시장에서 eSSD(기업용 SSD) 가격은 안정세를 보이나, 모바일은 전분기 대비 15%, 소비자용 SSD는 10%, 낸드 단품은 11%의 가격 하락을 예상한다"며 "키오시아 등과의 경쟁 심화 때문"이라고 설명했다. 씨티은행은 최근 리포트를 통해 내년 낸드의 ASP(평균판매가격)를 기존 12% 상승에서 5% 상승으로 하향 조정하기도 했다. 예상보다 모바일 및 PC 시장에서의 낸드 수요가 약하다는 게 주요 근거다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 소자업체는 내년도 낸드향 설비투자에 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)의 첫 라인인 'P4F(플래시)'를 'P4H(하이브리드)'로 변경했다. 해당 라인을 낸드 전용이 아닌, 낸드와 D램을 동시에 양산하는 라인으로 운용하겠다는 전략이다. 이로 인해 낸드 생산능력 확장 계획도 축소됐다. 당초 삼성전자는 P4의 첫 라인에서 낸드 생산능력을 최대 월 4만5천장 가량 확보할 예정이었으나, 라인 용도 변경 이후에는 이를 월 3만5천장 수준으로 줄인 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자가 최선단 D램 전환투자에 집중하면서 낸드 투자에 소극적으로 나서고 있다"며 "업황에 따라 추가적으로 투자 속도를 늦출 가능성도 존재한다"고 설명했다. SK하이닉스도 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "업계의 재고가 정상 수준으로 회복되고 본격적인 수요 개선세가 나타나기 전까지는 보수적인 낸드 투자 기조를 유지할 계획"이라며 "수익성 확보가 담보되는 제품의 공정 전환에만 투자를 집행할 것"이라고 밝힌 바 있다.

2024.11.24 08:31장경윤

주성 등 반도체 장비업계 3Q 실적 선방…中서 활로 찾아

국내 반도체 전공정 장비업계가 올 3분기 예상보다 견조한 실적을 기록한 것으로 나타났다. 국내 주요 고객사의 투자 지연 및 축소, HBM(고대역폭메모리)용 후공정 투자 집중 등으로 업황이 부진하지만 중국 등 대체 시장을 적극 공략한 데 따른 효과로 풀이된다. 20일 업계에 따르면 피에스케이, 주성엔지니어링, 테스 등은 중국향 장비 공급 확대로 3분기 매출 및 수익성이 개선됐다. 올해 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 제조업체들은 IT 시장의 전반적인 부진, 불확실성 확대 등으로 투자에 보수적인 기조를 보이고 있다. 신규 설비 투자보다는 비용 효율성이 높은 전환투자에 집중하고 있으며, 최선단 D램과 HBM 등 특정 분야에 투자 쏠림 현상이 심화되는 추세다. 특히 삼성전자의 경우, 당초 계획했던 미국 테일러 파운드리 신규 팹에 대한 투자 계획이 일시적으로 보류된 상태다. 국내 제4 평택캠퍼스(P4)도 계획이 지속적으로 조정되고 있다. 파운드리 라인에 대한 투자를 보류했으며, 낸드 전용 라인은 D램을 함께 생산하는 '하이브리드' 라인으로 전향했다. 이에 국내 반도체 전공정 장비업계는 중국 등 대체 시장에서 활로를 찾고 있다. 피에스케이는 올 3분기 매출 1천180억원, 영업이익 291억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 25.6%, 14.4% 늘었다. 영업이익은 증권가 컨센서스(254억원)도 크게 상회했다. 남궁현 신한투자증권 연구원은 "피에스케이의 국내 매출 비중은 29%로, 이전 대비 3%p 축소된 것으로 분석된다"며 "대신 중화권 중심의 해외 고객사 수요가 증가하면서 수익성이 개선됐을 것"이라고 밝혔다. 주성엔지니어링은 올 3분기 매출 1천472억원, 영업이익 522억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 71%, 영업이익은 744% 늘었다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 "주성엔지니어링의 반도체 분야 매출은 942억원으로 수익성이 높은 중국 수출 비중이 이번 분기에도 4분의 3가량을 차지했다"며 "이에 수익성이 호조세를 보였다"고 설명했다. 테스는 올 3분기 매출 507억원, 영업이익 40억원을 기록했다. 증권가 컨센서스(매출 467억원, 영업이익 35억원)를 소폭 상회했다. 국내 주요 고객사의 장비 입고 일정 지연으로 전분기 대비 실적이 감소하기는 했으나, 지난해 말 확보한 중국 신규 고객사향 매출 확대가 본격화된 데 따른 영향으로 풀이된다. 실제로 중국 CXMT 등 메모리 기업들은 올해까지 범용 메모리 생산능력 확대를 위한 적극적인 투자를 진행해 왔다. CXMT 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 크게 성장할 전망이다. 반도체 장비업계 관계자는 "올해 중국 기업들의 적극적인 설비투자로 국내 전공정 장비 기업 중 상당수가 수익성을 확보할 수 있었다"며 "다만 내년에는 국내 기업들의 밀렸던 투자가 재개되고, 중국 메모리 기업들의 투자 속도가 줄어들면서 다시 비중이 조정될 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.11.20 12:53장경윤

美, 내년부터 반도체·AI·양자 등 첨단산업 對中 투자 통제

조 바이든 미국 행정부가 중국의 반도체, 양자컴퓨팅, AI 등 첨단 기술과 관련해 미국 자본의 투자를 통제하는 조치를 확정했다. 28일(현지시간) 블룸버그통신 등 현지 외신에 따르면 해당 조치는 내년 1월 2일부터 시행된다. 규제 대상국은 중국과 홍콩, 마카오다. 이에 따라 미국에 본사를 둔 기업·시민은 중국의 첨단 기술에 투자하기 위해서는 미국 재무부에 미리 신고해야 하며, 재무부는 경우에 따라 투자를 제한할 수 있다. 이번 규제는 바이든 대통령이 지난해 8월 발표한 행정 명령 14105호를 이행하기 위한 후속 조치다. 당시 바이든 대통령은 중국의 첨단 기술에 대해 미국 자본의 투자를 제한하겠다고 밝힌 바 있다. 미 행정부는 "반도체와 마이크로 전자공학, 양자컴퓨팅, AI 등은 차세대 군사, 사이버 보안, 감시 및 보안 산업 등의 핵심 요소"라며 "이번 조치는 미국의 수출 규제를 보완해, 미국 자본이 관심 국가의 민감한 기술과 제품 개발을 돕는 것을 방지한다"고 설명했다. 구체적으로 반도체 분야에서는 설계자동화(EDA) 소프트웨어와 첨단 반도체 제조 및 패키징 장비 등이 포함된다. 양자컴퓨팅 분야에서는 양자컴퓨터 개발 및 핵심 부품 등이 거래 금지 대상에 적용됐다. AI 분야에서는 특정 용도의 AI 시스템 개발과 관련한 투자가 금지된다. 컴퓨팅 파워에 따라 통지 의무, 전면 금지 등 규제 수위가 달라질 예정이다. 폴 로젠 재무부 투자 보안 담당 차관보는 “최종 규칙은 미국의 대중 투자가 국가안보를 위협할 수 있는 핵심 기술 개발을 진전시키는 데 악용되지 않도록 보장하기 위한 것"이라고 밝혔다. 한편 규제가 발표되자 중국은 강한 유감을 표명했다. 우리 정부는 이날 오전 "준수 의무자, 투자제한 대상 등을 볼 때 우리 경제에 미치는 직접적인 영향은 제한적일 것으로 전망되지만, 정부는 국내 업계 및 전문가들과 면밀히 소통하면서 향후 우리 경제에 미치는 영향을 다각도로 분석하고 대응방안을 적극 모색할 계획이다"고 밝혔다.

2024.10.29 09:09장경윤

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

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