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中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 20억원 자사주 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주를 취득한다고 10일 공시했다. 취득 단가는 10만6천원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득하게 되며, 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC본더 시장점유율 1위를 기록하고 있는 후공정 장비업체다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM의 제조에 필수적으로 활용된다. 특히 한미반도체의 TC본더는 현재 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단 제품에 적극 채용되고 있다. 주요 고객사는 SK하이닉스, 마이크론이다. 이 시각 현재 한미반도체는 전일 대비 5.85% 하락한 99만800원에 거래 중이다.

2025.02.10 14:10장경윤

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

디아이 등 HBM4 대응 분주...내달 새 장비 고객사 도입

올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화를 앞두고, 디아이·유니테스트 등 국내 테스트 장비업체들의 대응이 분주해졌다. 이들은 올 1분기 SK하이닉스에 HBM4용 신규 테스터 샘플을 납품해 양산 적용을 위한 테스트를 진행할 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업계는 주요 고객사와 이르면 다음달 HBM4용 신규 장비에 대한 테스트를 진행할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. HBM4는 이르면 올 하반기 상용화되는 최신 HBM 제품으로, 데이터를 송수신하는 입출력단자(I/O) 수가 2024개로 이전 세대 대비 2배 많다. HBM4는 글로벌 팹리스인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 이에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업들은 HBM4 시장 선점을 위한 기술 개발에 주력하고 있다. 국내 테스트 장비업계도 준비에 한창이다. 디아이의 자회사 디지털프론티어, 유니테스트 등은 내달 SK하이닉스에 HBM4용 신규 번-인(Burn-in) 테스터를 도입해 퀄(품질) 테스트를 진행할 예정이다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. 현재 SK하이닉스는 메모리 기업 중 HBM4 개발 속도가 가장 빠른 것으로 평가받는다. SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 샘플을 엔비디아에 출하하고, 이르면 10월께 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스를 비롯한 메모리 기업들이 HBM의 안정적인 양산을 위해 테스트 분야에 보다 많은 관심을 기울이고 있다"며 "SK하이닉스의 경우 올 3분기에는 HBM4용 테스터에 대한 공급망 구성을 마무리할 것"이라고 밝혔다. 이번 디아이, 유니테스트의 HBM4용 신규 번-인 테스터는 국산화 측면에서도 의미가 있다. HBM 테스트 시장은 일본 어드반테스트가 주도해 왔으나, 최근에는 디아이, 테크윙, 와이씨 등 국내 기업들이 HBM3E용 장비를 납품하는 등 저변을 확대하고 있다. 어드반테스트는 번-인 외에도 HBM의 데이터 전송 속도를 확인하는 고속 검사 등 다양한 테스터를 개발하고 있다. 그만큼 개별 장비에 대한 대응이 느려, 국내 기업들이 진입할 수 있는 틈이 있다는 평가다.

2025.01.21 10:40장경윤

SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM4' 조기 공급...6월 샘플·10월 양산할 듯

SK하이닉스가 이르면 올해 6월 엔비디아에 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 이르면 3분기말께부터 제품 공급이 시작될 것으로 관측된다. 당초 하반기 공급에서 일정을 다소 앞당긴 것으로, SK하이닉스는 차세대 HBM 시장을 선점하기 위해 양산화 준비를 서두르고 있다. 15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 커스터머 샘플(CS)을 고객사에 조기 공급하는 것을 목표로 세웠다. HBM4는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 이르렀다. HBM4는 이르면 내년 하반기 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개로 집적해 성능을 극대화했다. 엔비디아의 경우 당초 2026년 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 탑재하기로 했었으나, 계획을 앞당겨 올 하반기 출시를 목표로 하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스도 HBM4 개발에 속도를 내고 있다. 회사는 엔비디아향 HBM4 공급을 위한 전담 개발팀을 꾸리고, 지난해 4분기 HBM4 테이프아웃을 완료했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 과정이다. 이후 SK하이닉스는 HBM4의 샘플을 고객사에 보내는 일정도 당초 올 하반기에서 6월로 앞당겼다. 해당 샘플은 고객사에 제품을 양산 공급하기 전 인증을 거치기 위한 커스터머 샘플로 알려졌다. HBM4 양산화를 위한 마지막 단계에 돌입한다는 점에서 의미가 있다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아도 올해 하반기로 시험 양산을 당길만큼 루빈에 대한 초기 출시 의지가 생각보다 강한 것으로 보인다"며 "이에 맞춰 SK하이닉스 등 메모리 기업도 샘플의 조기 공급을 추진하고 있다. 이르면 3분기 말께는 제품 공급이 가능할 것"이라고 설명했다. HBM4는 주요 메모리 기업들의 차세대 고부가 메모리 시장의 격전지가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM4에 탑재되는 D램에 1c(6세대 10나노급 D램)을 탑재할 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b D램을 기반으로 하는 것과 달리, 한 세대 앞선 D램으로 성능에서 차별점을 두겠다는 전략으로 풀이된다. 마이크론 역시 최근 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서 "오는 2026년 HBM4의 본격적인 양산 확대를 진행할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.01.15 13:29장경윤

삼성·SK, CES서 불붙은 HBM 경쟁…젠슨 황 한마디에 주가 출렁

인고지능(AI) 강자 엔비디아를 두고 메모리 업계가 고대역폭 메모리(HBM) 공급을 위한 자존심 대결을 벌이고 있다. 미국 라스베이거스에서 열리고 있는 세계 최대 IT 전시회 'CES 2025'에서 가장 주목받은 인물은 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)이다. AI 반도체 시장의 80% 이상 점유하고 있는 엔비디아 수장인 젠슨의 발언은 관련 기업들의 주가에 즉각적인 영향을 미친다. 최태원 SK 회장 "HBM 개발 속도, 엔비디아 요구보다 빠르다" 최태원 SK그룹 회장은 8일(현지시간) 라스베이거스 전시장에서 진행된 국내 언론과 기자간담회에서 “젠슨 황 엔비디아 CEO를 만나 HBM 공급 일정을 포함해 AI 사업 관련 협력 방안을 논의했다”며 “지금까지는 상대(엔비디아)의 요구가 더 빨리 (HBM 다음 세대를) 개발해달라고 했는데, 최근 SK하이닉스의 개발 속도가 엔비디아의 요구를 조금 넘어서는 것을 확인했다”고 기술력에 자신감을 드러냈다. 앞서 최 회장은 지난해 11월 SK AI 서밋에서 “젠슨 황 CEO가 차세대 HBM 출시 시기를 앞당겨 달라고 재촉한다”며 파트너십 언급에서 한걸음 더 나아가, SK하이닉스의 기술적 우위를 강조한 발언으로 해석된다. 이 같은 소식이 전해지자 9일(한국시간) SK하이닉스 주가는 전일 대비 5% 상승한 20만5천원에 장을 마쳤다. 최태원 회장이 지난해부터 직접 SK하이닉스의 제품을 공식석상에서 적극 알리는 것은 이례적이며, 이는 기술력에 대한 자신감을 보여주는 대목이다. SK하이닉스는 지난해 60% 이상의 점유율로 HBM 시장에서 선두를 달리고 있다. 회사는 지난해부터 HBM3E 8단과 12단 제품을 업계 최초로 양산해 엔비디아 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 기반 AI 서버에 공급했다. 현재 엔비디아에 HBM3E 8단, 12단 제품 모두 공급하는 업체는 SK하이닉스가 유일하다. 미국 마이크론은 두번째로 엔비디아에 HBM3E 8단 제품을 양산해 공급하고 있으며, 12단 공급도 준비 중이다. 반면 삼성전자는 HBM3E 8단, 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 품질(퀄) 테스트를 지난해부터 진행하고 있으나, 아직까지 공급 소식이 들려오지 않고 있다. 젠슨 황 CEO "삼성 HBM 설계 다시 해야…곧 성공할 것" 이번 CES에서는 삼성전자의 HBM 제품에 대한 관심도 주목됐다. 젠슨 황 CEO는 7일(현지시간) 엔비디아 기자간담회에서 삼성전자의 HBM3E 퀄 테스트 통과에 대한 질문에 “삼성전자는 HBM 설계를 다시 해야한다”고 언급해 화제가 됐다. 이는 삼성전자가 여전히 테스트 중이며, 제품에 대해 만족스럽지 못하고 있다는 점을 내비쳤다. 그러면서 황 CEO는 “삼성전자는 HBM을 열심히 개발하고 있고 성공할 것”이라며 “삼성전자는 원래 엔비디아가 사용했던 HBM을 만들었고, 그들은 회복할 것”이라고 밝히며 희망적인 메시지도 전했다. 젠슨 황 CEO의 발언으로 8일 삼성전자의 주가는 3.4% 오르며 거래를 마쳤다. 이날 4분기 잠정실적에서 시장 기대치를 하회하는 실망스러 성적표를 냈음에도 황 CEO의 발언으로 주가에 긍정적으로 영향을 미친 것이다. 젠슨 황 CEO의 전략적 발언…K-메모리 견제하나 일각에서는 젠슨 황 CEO가 전략적으로 발언하고 있다고 해석한다. 엔비디아는 HBM 수급과 관련 여러 파트너사를 확보해야 가격 협상력을 높일 수 있다. 따라서 젠슨 황은 삼성전자의 기술이 향상을 기대하며 쓴 소리와 함께 SK하이닉스에 긴장감을 주는 전략을 구사한 것으로 보인다. 앞서 6일(현지시간) 젠슨 황 CEO는 CES 기조연설에서 새로운 아키텍처 블랙웰 기반 지포스 'RTX50' 시리즈를 공개하며, 미국 마이크론의 GPDDR7을 탑재했다고 밝히기도 했다. 이를 두고 황 CEO가 오는 20일 미국 대통령 트럼프 2기 취임을 앞두고 자국 기업을 챙기기 위해 K-메모리(삼성전자, SK하이닉스)를 의식하고 발언했다는 해석이 나왔다. GDDR7은 마이크론뿐 아니라 D램 3사 모두 공급하고 있기 때문이다. 이날 마이크론 주가는 뉴욕 거래 시장에서 시간 외로 10% 이상 급등했다. 반면 SK하이닉스 주가는 19만5천원으로 전날 보다 2.4% 감소했고, 삼성전자는 전날 보다 0.89% 감소한 5만5천400원으로 마감했다. 다음날 기자간담회에서 마이크론만 언급한 이유에 대한 질문에 젠슨황 CEO는 “실수했다”라며 "특별한 이유가 없다, SK하이닉스와 삼성전자는 우리에게 가장 큰 공급업체"라고 설득력 없는 해명을 했다. 한편, 지난 8일 미국 마이크론은 싱가포르에서 HBM 패키징 신규 팹 기공식을 개최하며 시장 공략을 가속화하고 있다. 신규 팹은 2027년 가동할 계획이다.

2025.01.09 17:07이나리

'저전력' AI칩에 힘 주는 엔비디아…삼성·SK, LPDDR 성장 기대감

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 시장 영역을 자율주행·로봇·개인용 PC 등으로 적극 확장하기로 하면서 고성능 데이터 연산과 동시에 '저전력' 특성이 중요한 삼성전자, SK하이닉스의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 관측된다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT 박람회 'CES 2025′ 기조연설을 진행했다. 이날 젠슨 황 CEO는 ▲ 휴머노이드 로봇 및 자율주행용 컴퓨터인 '젯슨 토르' ▲ 물리적 AI 개발 플랫폼인 '코스모스' ▲ 개인용 AI 슈퍼컴퓨터를 위한 'GB10' 슈퍼칩 등 차세대 AI 시장을 선점하기 위한 솔루션을 대거 공개했다. 엔비디아 신규 솔루션, 물리적 AI 등 '저전력' 초점 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행과 로봇 등이 대표적인 응용처다. 기존 서버 중심의 LLM(거대언어모델) 대비 빠른 응답 속도와 다양한 환경 변수 처리 성능이 필요하다. 물리적 AI를 제대로 구현하기 위해서는 기기 자체에서 AI 연산을 처리하는 온디바이스 AI가 필수적이다. 이에 일반 메모리 대비 전력 효율성이 높은 LPDDR(저전력 D램)의 수요가 촉진될 것으로 관측된다. 구체적으로 엔비디아는 올 상반기 중 젯슨 시리즈의 신규 제품 '토르'를 출시할 예정이다. 젯슨은 엔비디아가 로보틱스 및 엣지 컴퓨팅 시장을 겨냥해 개발한 제품군이다. 토르의 경우 최대 800테라플롭스(1테라플롭스는 초당 1조번 연산 수행)의 AI 처리 성능과 엔비디아의 차세대 GPU인 블랙웰을 탑재한다. 젯슨 시리즈가 LPDDR을 채용해온 만큼, 토르 역시 최첨단 LPDDR 제품이 쓰일 것으로 전망된다. GB(그레이스블랙웰)10 슈퍼칩은 엔비디아가 대만 주요 팹리스 미디어텍과 개발한 개인용 AI 슈퍼컴퓨터 '프로젝트 디지트(Digits)'에 채용된다. 프로젝트 디지트는 오는 5월 출시 예정이다. GB10 슈퍼칩은 FP4 정밀도에서 최대 1페타플롭스(1초당 1천조번 연산)의 AI 성능을 제공한다. 또한 GB10 내부의 '그레이스' CPU는 128GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 채용했다. 그레이스는 엔비디아가 서버 시장을 겨냥해 자체 개발한 CPU다. 향후 노트북 등 개인용 PC에도 적용될 예정이다. 메모리반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 이전부터 AI 시장의 영역을 슈퍼컴퓨팅에서 온디바이스AI, 물리적 AI 등 에지 영역으로 확장하겠다는 계획을 발표해 왔다"며 "현재로선 저전력 구동에 LPDDR 제품이 필수불가결하기 때문에 수요가 늘어날 것이고, 향후 AI 기술이 고도화되면 이에 맞춰 차세대 메모리가 상용화될 것"이라고 설명했다. LPDDR·LPCAMM 중요성 높아져…삼성·SK 기회 이 같은 추세는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 전망이다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔다. 가장 최근 상용화된 7세대 LPDDR5X은 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론만이 상용화에 성공한 고부가 제품에 해당한다. CXMT(창신메모리) 등 후발 주자들은 지난 2023년 말 기준 LPDDR5 양산에 돌입했다. LPCAMM도 차세대 메모리로서 상용화가 기대된다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. 이에 주요 메모리 기업들은 지난 2023년께 2세대 LPCAMM인 LPCAMM2을 앞다퉈 개발하는 등 시장 선점을 준비해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "젠슨 황 CEO의 이번 발표는 엔비디아가 GB 플랫폼의 중심을 저전력으로 변화시키고 있다는 것을 보여준다"며 "엔비디아도 PC 시장을 위한 차세대 솔루션에서 LPCAMM을 채용하는 방안을 검토하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2025.01.09 13:57장경윤

한미반도체, 마이크론 HBM 팹 기공식 참석..."협력 강화"

곽동신 한미반도체 회장이 미국 반도체 기업인 마이크론 테크놀로지 싱가포르 신규 HBM(고대역폭메모리) 패키징 공장 기공식에 참석하며 협력을 다졌다. 한미반도체 곽동신 회장과 주요 임원은 8일 오전 싱가포르 우드랜즈 (Woodlands)에서 진행한 마이크론 신규 HBM 패키징 공장 기공식에 초청을 받아 참석했다. 자세한 규모는 공개되지 않았지만 이번에 착공하는 마이크론의 신공장은 AI 반도체 성장의 중심인 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 하이스펙 HBM의 생산 공장으로 2027년경 완공될 것으로 예상하고 있다. 현재 마이크론은 대만 공장에서 HBM을 생산하고 있으며, 이번에 착공하는 싱가포르 HBM 전용 공장과 2026년 미국 아이다호주 그리고 2027년 미국 뉴욕주와 일본 히로시마 공장에서도 HBM 생산 시설을 가동할 예정이다. 산자이 메로트라 마이크론 사장은 지난해 3분기 설적 콘퍼런스콜에서 “2025년 HBM 시장점유율을 20%대로 끌어올리겠다”고 언급했는데, 이는 2024년 약 9%대인 HBM 점유율의 2배가 넘는 수치다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 말 기준 마이크론의 HBM 생산캐파는 약 월 2만 장으로 올해 말까지 월 6만 장 규모로 확대할 것으로 전해졌다. 이를 통해 마이크론은 경쟁사를 따라잡으며 시장 점유율을 늘린다는 계획이다. 한편 한미반도체는 HBM 생산용 TC 본더 세계 1위로 지난해 4월부터 마이크론에도 납품을 시작했다. 이번 마이크론의 HBM 캐파 증설과 향후 한미반도체 TC 본더 매출이 증가할 것으로 기대하고 있다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 최근 10년 동안 매출 대비 수출 비중이 평균 76%가 넘으며 전 세계 약 320개 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 창설 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 생산용 장비 특허를 출원했다.

2025.01.08 12:31이나리

엔비디아 젠슨황 "삼성 HBM 성공 확신...설계는 새로 해야"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 미국 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자 고대역폭메모리(HBM)에 대해 “새로 설계해야 한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 메모리 반도체다. SK하이닉스와 미국 마이크론이 엔비디아에 공급하고 있다. 삼성전자는 납품에 앞서 품질 테스트 중이다. 황 CEO는 7일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 'CES 2025'가 개막한 미국 라스베이거스 퐁텐블루호텔에서 열린 기자간담회에서 '삼성전자 HBM을 왜 이리 오래 시험하느냐'는 물음에 “오래 걸리는 게 아니다”라며 “한국은 서두르려 한다”고 답했다. 황 CEO가 삼성전자 HBM을 공개적으로 지적한 일은 이번이 처음이다. 다만 그는 “엔비디아가 처음 쓴 HBM은 삼성전자가 만든 것이었다”며 “내일(8일)이 수요일이라고 확신할 수 있듯 삼성전자 성공을 확신한다”고 덧붙였다. 황 CEO는 소비자용 그래픽처리장치(GPU) 신제품 '지포스 RTX 50'에 마이크론 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7을 쓴다고 밝힌 이유도 언급했다. 그는 “삼성전자와 SK하이닉스는 그래픽 메모리가 없는 것으로 안다”며 “그들도 하느냐”고 되물었다. 이어 “삼성전자와 SK하이닉스는 엔비디아의 가장 큰 공급업체 중 두 곳”이라며 “매우 훌륭한 메모리 반도체 기업”이라고 평가했다. GDDR7은 영상과 그래픽을 처리하는 초고속 D램이다. 마이크론뿐 아니라 삼성전자와 SK하이닉스도 생산한다. 한편 황 CEO는 곧 최태원 SK그룹 회장과 만날 것으로 보인다. '이번 CES 기간 최 회장을 만나느냐'는 질문에 황 CEO는 “만날 예정”이라며 “기대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 11:13유혜진

마이크론, 새해에도 D램 설비투자 활발…삼성·SK '추격'

미국 마이크론이 지난해에 이어 올해에도 D램 생산능력 확대에 적극적으로 나설 것으로 전망된다. 미국 정부로부터 확정한 막대한 보조금을 기반으로, 최근 기존 D램 공장의 전환 투자 계획을 구체화했다. 5일 업계에 따르면 마이크론은 지난해 말 미국 버지니아주 매나사스 지역에 최대 21억7천만 달러(한화 약 3조1천900만원)을 투자한다고 발표했다. 마이크론의 매나사스 반도체 공장은 2000년대 초반부터 가동을 시작한 메모리 공장이다. 이후 지난 2018년 신규 라인 및 R&D 센터 건립에 대한 투자가 진행됐으며 약 7년만에 추가 투자가 이뤄지게 됐다. 마이크론은 이번 투자로 기존 매나사스 팹의 설비를 최신화하고 자동차, 항공우주, 방위 등 특수 산업을 위한 첨단 D램을 양산할 계획이다. 다만 마이크론은 구체적인 전환 투자 계획, 증가하는 생산능력 규모 등에 대해서는 언급하지 않았다. 미국 상무부는 해당 투자에 총 2억7천500만 달러를 지원할 예정이다. 미 상무부와 마이크론은 지난해 12월 이 같은 내용의 예비거래각서를 체결한 바 있다. 동시에 마이크론은 아이다호주와 뉴욕주에서도 D램 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있다. 뉴욕에는 약 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투입한다. 미국 상무부는 해당 투자에 대해 61억6천500만 달러 규모의 반도체 보조금을 지급하기로 확정했다. 미국은 마이크론을 앞세워 자국 내 메모리 공급망 강화에 적극 나서고 있다. 미 상무부는 "마이크론의 투자로 오는 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝히기도 했다. 대만 지역에서는 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 초점을 맞추고 있다. 마이크론은 지난해 8월 대만 AUO로부터 타이중과 타이난에 위치한 2개 공장을 81억 대만달러(약 3천500억원)에 인수하고, 해당 공장을 HBM 등 최첨단 산업을 위한 D램 라인으로 전환하기로 했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 최선단 D램 및 HBM 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있다. 삼성전자는 지난해부터 평택 P2·P3 라인과 화성 15·16라인 등에서 기존 레거시(성숙) D램을 1b(5세대 10나노급) D램으로 전환하기 위한 투자를 진행하고 있다. 차세대 제품인 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 라인 구축도 최근 시작됐다. SK하이닉스는 지난해부터 이천 M14·M16 등에서 1a 및 1b D램을 위한 전환 투자를 진행해 왔다. 특히 M16 팹의 경우 하부층 투자가 대부분 마무리돼, 상부층에 대한 투자 논의가 오가고 있는 것으로 알려졌다.

2025.01.05 13:00장경윤

"새해 AI 수요 준비"…반도체 기판업계 라인 증설 속도

삼성전기를 비롯한 전 세계 주요 기판 업체들이 향후 높은 성장세가 예상되는 AI 수요에 선제 대응한다. IT기기 및 데이터센터용 칩셋 고객사를 지속 확보하는 한편, 생산능력 확대를 위한 설비투자에도 적극 나서고 있다. 1일 업계에 따르면 다수의 반도체 기판업체들은 올 하반기 신규 반도체 기판 생산라인을 잇따라 건설하고 있다. 삼성전기는 AMD에 이어 복수의 글로벌 CSP(클라우드서비스제공자)와 AI 서버용 FC-BGA 공급을 추진하고 있다. FC-BGA는 반도체 칩과 기판을 '플립칩 범프(칩을 뒤집는 방식)'로 연결하는 패키지기판이다. 기존 패키지에 주로 쓰이던 와이어 본딩 대비 전기적·열적 특성이 높다는 장점이 있다. 현재 삼성전기는 부산, 베트남 등에서 서버용 FC-BGA를 생산 중이다. 특히 총 1조9천억원을 투자하기로 한 베트남 FC-BGA 공장은 지난 6월 양산을 시작해, 현재 생산량 확대를 위한 준비에 분주한 것으로 알려졌다. 아울러 삼성전기는 작년 하반기부터 세종사업장 내에 신규 FC-BGA 라인을 증축하고 있다. 올해 하반기 완공이 목표다. 해당 투자는 글로벌 IT 기업의 AI PC용 AP(애플리케이션프로세서) 신제품에 대응하기 위한 것으로, FC-BGA의 성능 및 수율을 한층 끌어올릴 수 있을 것으로 기대된다. 주요 경쟁사인 일본 이비덴도 AI 산업에 대한 긍정적인 전망을 토대로 설비투자에 속도를 낼 것으로 전망된다. 이비덴은 AI 반도체 시장을 주도하는 엔비디아의 주요 기판 공급사다. 현재 이비덴은 일본 기후현에 총 2천500억엔(한화 약 2조3천억원)을 들여 신규 FC-BGA 생산라인을 구축하고 있다. 내년 말 전체 생산능력 중 25% 수준으로 가동을 시작해, 2026년 1분기 생산능력을 50%까지 확대할 계획이다. 카와시마 코지 이비덴 최고경영자(CEO)는 지난 30일 블룸버그와의 인터뷰에서 "신규 라인 가동 계획에도 고객들은 충분하지 않다는 우려를 표하고 있다"며 "우리는 이미 향후의 투자와 생산능력 확장에 대한 질문을 받고 있다"고 밝혔다. 대만 유니마이크론도 이달 17일 이사회를 열고 150억 위안(약 3조원) 규모의 전환사채를 발행하기로 했다. 자금 조달의 목적은 신규 공장 설립이다. 업계에서는 유니마이크론이 해당 공장을 통해 AI 서버용 HDI(고밀도 상호연결기판) 생산능력을 확대할 계획이라고 분석하고 있다. 유니마이크론 역시 엔비디아에 고성능 기판을 납품하고 있기 때문이다. HDI는 기존 PCB(인쇄회로기판) 대비 미세한 회로를 구현한 기판으로, 소형 IT 기기와 AI 서버 등에 두루 쓰인다.

2025.01.01 07:00장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

비(非) 엔비디아 고객사 뜬다…내년 HBM 시장 변화 예고

엔비디아가 주도하던 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년 변혁을 맞는다. 자체 AI 반도체를 개발해 온 글로벌 빅테크 기업들이 최첨단 HBM 채용을 적극 늘리는 데 따른 영향이다. 이에 따라 TSMC·브로드컴 등 관련 생태계도 분주히 움직이는 추세로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 수혜를 볼 것으로 관측된다. 22일 업계에 따르면 내년 초부터 구글·메타·아마존웹서비스(AWS) 등 글로벌 빅테크의 HBM 수요가 증가할 전망이다. ■ 마이크론 "3번째 대형 고객사" 언급…AWS·구글 등 떠올라 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 HPC(고성능컴퓨팅)용 프로세서를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 이들 기업은 자사의 GPU(그래픽처리장치)와 HBM을 결합해 AI 가속기를 만든다. 다만 구글·메타·AWS 등도 내년부터 최첨단 HBM 채용을 늘릴 계획이다. AI 산업이 고도화되면서, GPU 대비 전력효율성이 높고 비용 절감이 가능한 자체 AI ASIC(주문형반도체)의 필요성이 높아졌기 때문이다. 이 같은 추세는 마이크론이 지난 19일 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서도 확인할 수 있다. 마이크론은 기존 HBM의 공급처로 엔비디아만을 언급해 왔으나, 이번 실적발표를 통해 추가 고객사를 확보했다고 밝혔다. 마이크론은 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 내년 HBM 시장 규모 또한 당초 250억 달러에서 300억 달러로 상향 조정했다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론이 언급한 2, 3번째 고객사는 구글과 아마존으로 분석하고 있다"며 "이들 기업이 올 연말부터 자체 AI칩 출하량을 늘리면서 HBM3E(5세대 HBM)을적극 주문하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 일례로 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E를 탑재한다. AWS는 AI 학습용으로 자체 개발한 '트레이니엄(Trainium)2' 칩셋에 HBM3 및 HBM3E를 활용할 것으로 알려져 있다. 두 칩 모두 올해 연말에 출시됐다. ■ TSMC·브로드컴 등 관련 생태계, 이미 움직였다 반도체 업계 고위 관계자는 "TSMC의 CoWoS 고객사 비중에 변동이 생겼다. 기존에는 엔비디아가 1위, AMD가 2위였으나, 최근에는 AWS가 2위로 올라섰다"고 밝혔다. CoWoS는 대만 주요 파운드리 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 2.5D 패키징이란 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입하는 기술로, HBM 기반의 AI 가속기 제작의 필수 요소 중 하나다. 브로드컴 역시 최근 AI 및 HBM 관련 시장에서 존재감을 키우고 있다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체 및 데이터센터 네트워크 사업과 더불어, 특정 고객사에 맞춘 서버 인프라 구축 사업을 영위하고 있다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타 등의 AI 반도체 설계를 지원하고 있다. 이에 따라 올 상반기에는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 D램 제조업체와 HBM3E 8단에 대한 품질 테스트를 진행해 왔다. 현재 SK하이닉스와 마이크론이 진입에 성공한 것으로 파악된다. 최근 실적발표에서는 "대형 클라우드 고객사 3곳과 AI 반도체를 개발 중"이라고 밝히기도 했다. 해당 기업은 구글과 메타, 중국 바이트댄스로 알려져 있다. 국내 반도체 업계 관계자는 "구글의 경우 이전 5세대 TPU까지는 물량이 미미해 별다른 대응을 하지 않았다"며 "다만 6세대부터는 물량을 크게 늘릴 계획으로, 이에 따라 국내 협력사 공장을 직접 둘러보는 등 만반의 준비를 하고 있다"고 설명했다.

2024.12.22 09:35장경윤

美 정부 "SK하이닉스, 세계 최고 HBM 생산 업체"

미국 정부가 SK하이닉스를 세계 최고의 고대역폭메모리(HBM) 생산 업체라고 극찬했다. 외신도 SK하이닉스가 경쟁사를 앞지른다고 치켜세웠다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 차세대 AI 메모리 제품이다. 조 바이든 미국 행정부는 19일(현지시간) SK하이닉스에 4억5천800만 달러(약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러 대출금을 제공하기로 확정 계약했다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에 38억7천만 달러(약 5조6천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징(advanced packaging) 생산 기지와 연구개발(R&D) 시설을 짓겠다고 발표한 바 있다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 “SK하이닉스는 세계적인 고대역폭메모리 칩 생산 업체”라며 “SK하이닉스 덕분에 미국은 지구의 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 AI 하드웨어 공급망을 강화할 것”이라고 말했다. 그러면서 “SK하이닉스가 새로 짓는 공장에서만 일자리가 1천개, 건설 일자리도 수백개 생긴다”며 “SK하이닉스의 투자는 미국 경제와 안보를 발전시키는 데 중요한 역할을 한다”고 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “미국 정부 등과 힘을 모아 미국에서 강력한 AI 반도체 공급망을 구축하겠다”고 말했다고 상무부는 전했다. 미국 블룸버그통신은 “SK하이닉스는 인공지능 소프트웨어를 만드는 컴퓨터에 필수인 HBM 칩을 생산하는 업체”라며 “경쟁사 삼성전자를 앞질러 새로운 칩을 출시해 엔비디아의 주요 공급 업체가 됐다”고 소개했다. 이어 “SK하이닉스는 여전히 아시아에서 칩을 만든다”면서도 “칩을 장치에 연결하기 위해 감싸는 패키징 공정이라도 미국으로 확장해 입지를 다각화하려는 욕구를 나타냈다”고 평가했다. 영국 로이터통신은 “상무부는 세계 5대 반도체 제조 업체에 대규모 보조금을 주기로 했다”며 “미국 인텔과 마이크론, 대만 TSMC, SK하이닉스는 확정했지만 삼성전자만 확약하지 못했다”고 지적했다. 삼성전자는 지난 4월 상무부로부터 64억 달러(약 8조9천억원)의 보조금을 받기로 예비 계약했다. 삼성전자는 미국 텍사스주에 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 2개와 첨단 패키징 공장, R&D 시설을 짓기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다.

2024.12.20 10:39유혜진

마이크론 "HBM 고객사 3곳으로 확장"…HBM4 양산도 자신감

미국 메모리 제조업체 마이크론이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 자신감을 드러냈다. 내년 초까지 HBM의 대형 고객사를 3곳으로 확대하고, HBM4의 본격적인 양산도 2026년부터 시작하겠다는 계획을 밝혔다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업과의 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 통해 HBM(고대역폭메모리) 사업 현황 및 전망을 공개했다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 이후 지난 9월에는 12단 제품의 샘플 출하를 개시했다. 두 제품 모두 엔비디아에 우선 공급한 것으로 알려졌다. 특히 HBM3E 12단은 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈에 탑재되는 고부가 제품이다. 내년 상반기 HBM 시장을 좌우할 핵심 요소로, 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 출하량 확대에 주력하고 있다. 마이크론은 이와 관련해 자사 제품의 경쟁력을 자신했다. 회사는 "마이크론의 12단 HBM3E는 최적의 전력소모량으로 고객사로부터 긍정적인 반응을 계속 얻고 있다"며 "경쟁사의 8단 HBM3E 대비 소모량이 20% 낮다"고 밝혔다. 또한 마이크론은 "이전에 언급했듯이 내년 HBM 물량은 이미 매진됐으며, 해당 기간 가격이 이미 결정됐다"며 "회계연도 2025년에는 수십억 달러의 HBM 매출을 창출할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 전체 HBM 시장 규모도 예상보다 커질 것으로 내다봤다. 마이크론은 당초 내년 HBM 시장 규모를 250억 달러로 전망했으나, 이번 실적 발표에서는 300억 달러로 상향 조정했다. 고객사 확보 현황에 대해서는 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 대량 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 차세대 HBM 제품인 HBM4의 본격적인 양산 확대는 2026년에 진행할 계획이다. 이를 위해 마이크론은 다수의 고객사와 개발을 준비하고 있으며, 대만 주요 파운드리인 TSMC와도 협력하고 있다. 나아가 HBM4E에 대한 개발 작업도 순조롭게 진행되고 있다고 언급했다.

2024.12.19 09:56장경윤

마이크론, 내년 '메모리 부진' 전망…삼성·SK도 악영향 불가피

미국 메모리 제조업체 마이크론이 다음 분기 실적에 대한 눈높이를 크게 낮췄다. AI를 제외한 IT 수요가 전반적으로 부진한 탓으로, 특히 낸드의 출하량 감소가 예상된다. 내년도 설비투자 역시 보수적으로 집행할 계획이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9월~11월) 매출액이 87억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출액은 전년동기 대비 84%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 마이크론이 전분기에 제시했던 전망치 및 증권가 컨센서스에 부합한다. 주당순이익은 1.79달러로 이 역시 당초 전망과 대체로 일치한다. 제품별 매출 비중은 D램이 64억 달러, 낸드가 22억 달러 수준이다. D램의 경우 ASP(평균판매가격)이 한 자릿수 후반 상승했으나, 낸드의 경우 한 자릿수 초반대로 하락했다. 다만 마이크론은 다음 분기(2024년 12월~2025년 2월) 매출액이 77억~81억 달러로 전분기 크게 감소할 것으로 내다봤다. 해당 전망치는 증권가 컨센서스인 89억9천만 달러에 크게 못 미친다. 주당순이익 전망치도 1.33~1.53달러로 증권가 컨센서스(1.92 달러)를 하회했다. 마이크론이 내년 초 실적 눈높이를 낮춘 이유는 수요 부진에 있다. 마이크론은 이번 실적발표에서 데이터센터용 D램 및 낸드 수요는 계속 성장할 것으로 예상했으나, PC나 오토모티브 등 일부 산업의 수요는 비교적 낮을 것으로 진단했다. 특히 낸드 사업이 약세를 나타낼 것으로 보인다. 마이크론은 회계연도 2025년 낸드의 빗그로스(용량 증가율)를 기존 10% 중반 상승에서 10% 초반 상승으로 하향 조정했다. 소비자용 SSD의 지속적인 재고 조정을 주 요인으로 꼽았다. 이에 따라 설비투자 기조도 최선단 D램에 대한 전환 투자, HBM(고대역폭메모리) 등에 집중될 예정이다. 회계연도 2025년도 총 투자 규모는 135억~145억 달러로 상정했다. 마이크론은 "낸드 설비 투자를 줄이고, 낸드의 공정 전환 속도를 신중하게 관리하고 있다"며 "장기적으로 D램 및 HBM 수요 성장을 지원할 수 있는 투자에 우선순위를 둘 것"이라고 밝혔다.

2024.12.19 09:47장경윤

삼성·SK, 연말 메모리 부진 불안감...마이크론 실적에 '눈길'

미국 주요 메모리 기업 마이크론의 실적 발표가 임박했다. 최근 메모리 시장이 레거시 제품을 중심으로 공급 과잉 우려가 심화된 가운데, 마이크론이 어떠한 전망을 내놓을 지 업계의 귀추가 주목된다. 미국 마이크론은 오는 19일 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 진행할 예정이다. 앞서 마이크론은 지난 6~8월 77억 5천만 달러의 매출로 '어닝 서프라이즈'를 기록한 바 있다. 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 마이크론은 이번 분기에도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 영향으로 매출 성장세가 이어질 것으로 예상하고 있다. 회사가 제시한 이번 분기 매출 전망치 중간값은 87억 달러로, 전년동기 대비 84% 높다. 마이크론은 전분기 실적발표 당시 "회계연도 기준 HBM 시장은 2023년 40억 달러에서 2025년 250억 달러로 성장할 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급 수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 다만 최근 반도체 업계에서는 메모리 시장에 대한 불확실성이 더욱 커졌다는 우려를 제기하고 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리의 수요 부진이 지속되고 있고, CXMT·YMTC 등 중국 후발주자들이 생산량을 공격적으로 확대하고 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 제품의 고정거래가격은 지난 9월 말 전월 대비 17.07% 하락한 데 이어, 지난달 말에도 20.59% 하락한 바 있다. 낸드 가격 역시 9월부터 3개월 연속 두 자릿수로 하락했다. 이러한 상황에서 마이크론의 이번 실적 발표 및 전망은 국내 메모리 업계의 향후 실적을 가늠하는 주요 지표로 활용될 전망이다. 현재 증권가에서는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업의 목표 주가를 하향 조정하는 추세다. NH투자증권은 삼성전자의 목표 주가를 기존 9만 원에서 7만5천원으로 16.67% 하향했다. 예상보다 가파르게 하락하는 레거시 반도체 가격과 중국 메모리 기업의 추격, HBM 비중 등을 반영했다. JP모건은 최근 삼성전자의 목표주가를 8만3천원에서 6만원으로 낮췄다. 투자 의견도 '중립'으로 하향했다. SK하이닉스에 대한 목표주가도 26만 원에서 21만 원으로 낮췄다.

2024.12.15 06:58장경윤

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

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