검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'마이크론'통합검색 결과 입니다. (134건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

엔비디아, 루빈 울트라·파인만 AI칩 공개…"차세대 HBM 탑재"

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 산업의 주도권을 유지하기 위한 차세대 GPU를 추가로 공개했다. 오는 2027년 HBM4E(7세대 고대역폭메모리)를 탑재한 '루빈 울트라'를, 2028년에는 이를 뛰어넘을 '파인만(Feynman)' GPU를 출시할 예정이다. 파인만에 대한 구체적인 정보는 아직 공개되지 않았지만, '차세대 HBM(Next HBM)'을 비롯해 다양한 혁신 기술이 적용될 것으로 전망된다. 18일(현지시간) 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 미국 실리콘밸리 새너제이 컨벤션 센터에서 열린 연례행사인 'GTC 2025' 무대에 올라 AI 데이터센터용 GPU 로드맵을 발표했다. 이날 발표에 따르면, 엔비디아는 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 최고성능 제품인 '블랙웰 울트라'를 올해 하반기 출시한다. 해당 칩은 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재했으며, AI 성능을 이전 세대 대비 1.5배 높인 것이 특징이다. 이어 엔비디아는 HBM4를 탑재한 '루빈' 시리즈를 내년 하반기 출시한다. 루빈부터는 기존 '그레이스' CPU가 아닌 '베라' CPU가 채용된다. 루빈의 최고성능 제품인 루빈 울트라는 내후년인 2027년 하반기께 출시가 목표다. 루빈 울트라에는 HBM4E가 채용돼, 메모리 성능이 블랙웰 울트라 대비 8배나 늘어난다. 그동안 드러나지 않았던 차차세대 AI 가속기에 대한 정보도 공개됐다. 엔비디아는 루빈 이후의 제품명을 파인만으로 확정했다. 미국의 저명한 이론 물리학자인 리처드 파인만에서 이름을 따왔다. 엔비디아는 파인만에 대해 차세대 HBM(Next HBM)을 탑재한다고 기술했다. 다만 구체적인 세대명은 공개하지 않았다. 파인만은 오는 2028년 출시될 예정이다.

2025.03.19 08:43장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 30억 자사주 취득…"TC본더 1위 자신감"

한미반도체는 곽동신 회장이 지난 2월에 이어 사재로 30억원 규모의 자사주 취득계획을 발표했다고 17일 밝혔다. 취득 예정 시기는 오늘부터 약 한달 뒤인 4월 15일이다. 이번 취득이 완료되면 곽동신 회장은 2023년부터 총 423억원 규모의 자사주를 사재로 취득하게 되며 지분율은 33.97%에서 34%로 상승한다. 곽 회장은 “후발업체인 ASMPT, 한화세미텍과는 상당한 기술력의 차이가 있다고 생각한다”며 “한미반도체 TC 본더가 세계 1위의 경쟁력을 가지고 있다”고 자신했다. 그는 이어 “엔비디아가 이끄는 AI 반도체 시장의 성장에 따라 HBM용 TC본더 장비 수요는 올해도 폭발적으로 증가하고 있다"며 "SK하이닉스와 마이크론 등 전세계 고객사를 보유한 한미반도체는 45년의 업력과 120여건에 달하는 HBM용 장비 특허, 그리고 세계 최대의 HBM TC본더 생산캐파를 바탕으로 올해 TC 본더 300대 이상의 출하를 차질없이 진행할 예정”이라고 말했다. 나아가 한미반도체는 올해 하반기 신제품 FLTC 본더(플럭스리스타입)를 출시를 앞두고 있으며, 하이브리드본딩 장비도 일정에 맞춰 개발 중이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 글로벌 HBM 시장 규모는 467억 달러(약 68조원)로 2024년 182억달러(약 26조원) 대비 157% 급증할 것으로 예상된다. 이에 따라 한미반도체는 TC 본더 장비 수요에 맞춰 공급을 확대하기 위해 인천 서구 주안국가산업단지에 총 8만9천530m2 (2만7천83평) 규모의 반도체 장비 생산 클러스터를 구축할 계획이다. 지난 1월 착공한 7공장은 올해 4분기 완공할 예정으로, 올해 출시 예정인 AI 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더, 차세대 HBM4 생산용 신제품인 플럭스리스 본더, 하이브리드 본더 등을 생산한다.

2025.03.17 11:31장경윤

딥엑스, 독일서 마이크론 등 글로벌 기업 15여곳 협력 성과 공유

국내 AI 반도체 전문기업 딥엑스는 11일부터 14일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 임베디드 월드에 참가한다고 12일 밝혔다. 이번 전시회에서 딥엑스는 양산 체제에 진입한 이후 진행해온 글로벌 기업들과 협력 결과를 대거 공개하며 고품질 양산 제품 제공을 위한 준비 상황을 알릴 예정이다. 딥엑스는 올해 중반부터 첫 번째 양산 제품을 출시하기 위해 양산 칩의 신뢰성 테스트 및 인증 작업에 매진하고 있다. 지난해부터 공개된 샘플 칩을 기반으로, 로봇·공장 자동화·물리보안 시스템·온프레미스 서버 등과 관련된 300여 곳 이상의 글로벌 기업과 기술 검증을 진행해 왔다. 현재 이 가운데 20여 곳이 넘는 기업에 대한 양산 준비 기술 지원을 진행하고 있다. 글로벌 시장 진출을 위해 딥엑스는 AI 모델 분석 및 설계 기획, FPGA 프로토타입 제작, 하드웨어·소프트웨어 최적화, 파운드리 MPW 실시, 700곳 이상 잠재 고객사 평가 수집, 설계 수정·개발 및 양산 체제 구축, 품질 테스트, 유통망 및 공급망 구축 등 글로벌 고객을 위한 다각도의 준비 과정을 전례 없이 공격적으로 추진해왔다. 딥엑스는 이번 임베디드 월드 전시회에서 그간 협력해 온 마이크론, 라즈베리파이, 에이온, DFI, 포트웰, SEEED, 바이오스타, 어드벤텍, 네트워크 옵틱스, 임베디드 아티스트 등 주요 하드웨어 및 소프트웨어 파트너사 부스에서 협력 결과를 공개할 예정이다. 이를 통해 딥엑스의 온디바이스 AI 시대의 리더십과 글로벌 AI 시장에서의 영향력을 보여줄 예정이다. 일례로 딥엑스는 라즈베리 파이, 식스팹(Sixfab)과 함께 AI 기능이 필요한 산업용·상업용 IoT, 프로토타이핑, 교육용 솔루션을 확장하는 동시에 산업용 하드웨어 전문 기업과의 협력으로 기업 고객들을 위한 맞춤형 솔루션 제작도 추진할 계획이다. 또한 딥엑스는 마이크론 부스에서 LPDDR4를 사용한 라즈베리 파이와 LPDDR5X를 사용하는 다양한 폼팩터(M.2, PCIe 등) 기반 자사 AI 솔루션을 선보인다. AI·IoT·에지 컴퓨팅 시장이 본격적으로 성장함에 따라, 두 회사는 차세대 메모리 기술과 AI 반도체를 결합해 폭넓은 시장 니즈를 선제적으로 공략할 예정이다.

2025.03.12 11:11장경윤

브로드컴, AI 반도체 사업 훈풍…삼성·SK도 HBM 성장 기대감

미국 브로드컴의 AI 사업이 지속 확대될 전망이다. 구글을 비롯한 핵심 고객사가 자체 데이터센터용 AI 반도체를 적극 채용한 데 따른 영향이다. 나아가 브로드컴은 추가 고객사 확보 논의, 업계 최초 2나노미터(nm) 기반 AI XPU(시스템반도체) 개발 등을 추진하고 있다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 6일 브로드컴은 회계연도 2025년 1분기에 매출 약 149억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전년동기 대비 25%, 전분기 대비로는 6% 증가했다. 증권가 컨센서스(147억 달러)도 소폭 상회했다. 해당 분기 순이익 역시 GAAP 기준 55억 달러로 전년동기(13억 달러) 대비 크게 증가했다. 브로드컴은 "AI 반도체 솔루션과 인프라 소프트웨어 부문의 성장으로 1분기 사상 최대 매출을 기록했다"며 "특히 AI 매출은 전년 대비 77% 증가한 41억 달러를 기록했고, 2분기에도 44억 달러의 매출을 예상한다"고 밝혔다. AI 매출은 브로드컴의 반도체 솔루션 사업 부문에서 AI용 주문형반도체(ASIC), AI 가속기, 서버 네트워크 칩 등을 포함한 매출이다. 브로드컴은 자체적인 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원하고 있다. 현재 브로드컴을 통해 AI 반도체의 대량 양산에 이른 고객사는 3곳이다. 브로드컴은 이들 고객사의 AI 반도체 출하량이 지난해 200만개에서 오는 28년에는 700만개로 늘어날 것으로 보고 있다. 나아가 4개의 잠재 고객사와도 양산 논의를 진행하고 있다. 브로드컴의 AI 사업 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들에게도 수혜로 작용한다. AI 가속기에 필수적으로 활용되는 HBM의 수요가 증가하기 때문이다. 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 고성능 GPU를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 그러나 최근에는 구글·메타 등도 전력효율성, 비용 등을 고려해 자체 AI ASIC 탑재량을 적극적으로 늘리는 추세다. 특히 구글은 브로드컴의 핵심 고객사로 자리 잡았다. 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E 8단을 채용하며, 이전 세대 대비 생산량을 크게 확대할 계획이다. 구글 최신형 TPU에 HBM을 양산 공급하기로 한 기업은 SK하이닉스, 마이크론으로 알려져 있다. 삼성전자도 공급망 진입을 위한 테스트를 꾸준히 진행하고 있다. 경쟁사 대비 진입이 늦어지고 있으나, 최근 테스트에서는 기존 대비 긍정적인 결과를 얻어낸 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "최근 데이터센터 업계의 트렌드는 고가의 엔비디아 AI 가속기 대신 자체 칩을 개발하는 것"이라며 "구글과 AWS(아마존웹서비스) 등이 대표적인 대항마로 떠오르고 있어, 올해부터 HBM의 수요 비중을 늘려나갈 것으로 관측된다"고 설명했다.

2025.03.07 10:13장경윤

美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

KAIST, 삼성·구글· 인텔 등과 국제학회 '최우수논문상'

인텔이나 엔비디아, 구글, AMD 등 글로벌 빅테크 기업 연구원과 엔지니어 등이 대거 참여하는 국제 학회서 국내 연구진이 최우수논문상을 수상, 관심을 끌었다. KAIST 테라랩(지도교수 김정호 전기및전자공학부 교수)은 신태인 박사(28)가 미국 실리콘밸리에서 열린 국제학회 '디자인콘(DesignCon) 2025'에서 최우수 논문상을 수상했다고 3일 밝혔다. 신 박사의 이번 수상은 지난 2022년 열린 디자인콘에서의 최우수논문상에 이어 두 번째다. 지난 2022년에는, 전체 8명에게만 주어자는 최우수 논문상을 KAIST 테라랩 소속 연구원 4명( 신태인·김성국·최성욱·김혜연)이 휩쓸어 관심을 끌었다. '디자인콘'은 반도체 및 패키지 설계 분야에서 권위를 인정받는 국제학회다. 올해 대회에서는 KAIST 외에 삼성, 구글, 인텔, AMD, 키사이트, 케이던스, 샘텍 등에서 8명이 이 상을 수상했다. 신태인 박사는 지난 해 말 접수, 채택된 전체 100여 편의 논문 중 해당 분야 기술혁신에 기여한 점을 인정받았다. 신 박사는 이 학회에서 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 전력 무결성 설계를 위해 시간 정보가 포함된 전력 잡음 지터(jitter)에 영향을 주는 설계 요소를 AI로 설계, 최적화하는 방법론을 제시했다. 신태인 박사는 “HBM 기반 패키지 시스템 설계가 갈수록 고도화 되고 있다"며 "이번 방법론이 반도체 신호 및 전력 무결성 설계의 토대를 마련하는 계기가 될 것"으로 기대했다. 한편, 김정호 교수 연구실에는 3월 기준 석사과정 17명, 박사과정 10명 등 모두 27명이 소속돼 있다. 이들은 반도체 전·후공정에 들어가는 다양한 패키지와 인터커넥션 설계를 강화·모방 학습과 같은 인공지능(AI) 머신러닝(ML)을 활용해 최적화하고 있다. 또 대규모 인공지능(AI) 구현을 위한 HBM 기반 컴퓨팅 아키텍트와 관련한 연구도 함께 진행 중이다.

2025.03.03 13:30박희범

가격 반등 성공한 DDR5…딥시크·HBM 등이 향후 변수

고성능 PC용 D램 가격이 지난달 반등에 성공한 것으로 집계됐다. 중국의 저비용·고효율 AI 모델인 딥시크의 등장으로 PC 수요가 덩달아 증가하면서, 이에 대응하는 메모리 판매량도 늘어난 것으로 분석된다. 지난달 28일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난달 DDR5 16Gb(기가비트) 제품의 평균 고정거래가격은 전월 대비 1% 상승한 3.80달러로 집계됐다. 올 1분기 PC용 D램의 고정거래가격은 전분기 대비 10~15% 하락할 것으로 관측된다.지난해 4분기에 이어 하락세를 이어간 것으로, 1분기 초 D램 공급업체들의 재고 수준이 상대적으로 증가한 것이 주된 영향으로 풀이된다. 다만 지난달에는 고정거래가격의 추가 하락이 나타나지 않았다. 미국의 추가 관세 정책에 따른 우려로 PC 제조사들이 D램 재고를 미리 확보한 데 따른 영향이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등이 HBM(고대역폭메모리) 및 모바일 D램 양산에 집중하면서, PC D램의 공급이 일시적으로 제한되고 있다. 특히 DDR5 16Gb(기가비트)의 경우 지난달 고정거래가격이 1% 상승한 것으로 나타났다. 지난해 8월 이후 지속되던 가격 하락세가 반전으로 돌아섰다. 이전 세대인 DDR4는 가격이 변동하지 않았다. 트렌드포스는 "중국 딥시크의 영향으로 고성능 GPU가 탑재된 PC 수요가 증가하면서, 5600MT/s(초당 5600만회의 데이터 전송) 이상을 구현하는 16Gb DDR5의 수요가 늘어났다"며 "주로 SK하이닉스가 공급하는 제품이나, 현재 서버 및 모바일 D램 양산에 집중하고 있어 PC용 DDR5 D램 공급에 제한이 있다"고 설명했다. 향후에도 PC용 D램 시장은 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델, 주요 메모리 기업들의 HBM 양산 전략 등에 따라 영향을 받을 것으로 전망된다. 노트북·태블릿 등 IT기기에 AI 기능이 활성화될수록, 관련 로직 및 메모리 반도체 수요를 촉진할 수 있기 때문이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 2023~2027년 생성형 AI 노트북 출하량은 연평균 59%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 전체 노트북 출하량의 연평균 성장률이 3%로 예상된다는 점을 고려하면 가파른 성장세다.

2025.03.01 08:10장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

램리서치, '新소재 증착장비' 첫 상용화…韓·美 낸드 고객사 잡았다

글로벌 반도체 장비업체인 램리서치가 최첨단 반도체 제조를 위한 '몰리브덴(Mo)' 증착장비를 세계 최초로 상용화했다. 해당 장비는 현재 미국 마이크론, 국내 주요 기업의 최첨단 3D 낸드 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 향후에는 파운드리·D램 공정에도 적용이 가능할 전망이다. 램리서치는 20일 오후 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 회사의 최신 장비에 대해 이같이 밝혔다. 'ALTUS Halo'는 세계 최초로 몰리브덴 소재를 활용하는 원자층증착(ALD) 장비다. ALD는 원자층을 한층씩 쌓아올려 금속 배선을 형성하는 기술로, 기존 증착 방식인 화학기상증착(CVD) 대비 정밀성이 높다. ALD의 소재로는 텅스텐이 활발하게 쓰였다. 그러나 로직 및 메모리 반도체의 회로 선폭이 수 나노미터(nm) 수준으로 미세화되면서, 텅스텐보다 '비저항'이 낮은 대체 물질의 필요성이 높아지게 됐다. 비저항은 소재가 전류에 얼마나 강하게 저항하는 지 나타내는 척도다. 금속의 비저항이 낮을수록 신호 속도가 빨라져 칩의 성능은 좋아지게 된다. 램리서치는 차세대 소재인 몰리브덴에 주목했다. 몰리브덴은 텅스텐 대비 저항이 낮을 뿐만 아니라, 텅스텐과 달리 별도의 배리어층을 형성할 필요가 없어 제조 공정의 효율성을 높인다. 이에 램리서치는 세계 최초로 몰리브덴 ALD 장비를 개발해, 국내외 주요 최첨단 3D 낸드 양산 업체들에 도입을 시작했다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 셀(메모리의 최소 단위)를 높이 쌓아 만든다. 더 많은 층을 밀도 있게 제조하려면 배선 폭이 줄어들어야 하기 때문에, 몰리브덴이 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 특히 미국 주요 메모리 기업 마이크론이 해당 장비를 선제적으로 양산 적용한 것으로 알려졌다. 국내에서는 올해부터 양산 적용이 시작될 예정이다. 박태순 램리서치 KTC 센터 수석 디렉터는 "텅스텐은 금속 배선에서 지난 20년간 활발히 적용돼 왔으나, 최근 초미세공정 환경에서는 적용이 힘들어지는 소자들이 생겨나기 시작했다"며 "ALTUS Halo는 기존 질화 티타늄과 텅스텐을 결합한 증착 기술 대비 저항이 50% 감소한 것으로 나타났다"고 설명했다. 또한 램리서치는 향후 ALTUS Halo의 적용처를 로직 및 D램 분야로도 확장할 계획이다. 2나노 등 최첨단 파운드리 공정에서도 ALTUS Halo 적용을 위한 검증이 진행 중인 것으로 알려졌다. D램 분야에서는 3D D램 등에서 적용될 것으로 예상된다. 램리서치의 주요 경쟁사 역시 몰리브덴 증착 장비를 개발 중이지만, 회사는 경쟁력 확보를 자신했다. 카이한 애쉬티아니 램리서치 ALD·CVD 금속 사업 부문장 겸 부사장은 "경쟁사들도 유사 기술을 연구 중일 것이나, 램리서치는 약 7년간 몰리브덴 증착을 연구개발 해오는 등 업계를 선도하고 있다"며 "특히 낸드에서 비교적 낮은 저항이 필요한 워드라인(WL; 게이트 단자로 전압이 인가되는 라인) 제조 분야에서 독보적인 입지를 보유 중이다"고 강조했다.

2025.02.20 15:03장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 20억원 자사주 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주를 취득한다고 10일 공시했다. 취득 단가는 10만6천원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득하게 되며, 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC본더 시장점유율 1위를 기록하고 있는 후공정 장비업체다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM의 제조에 필수적으로 활용된다. 특히 한미반도체의 TC본더는 현재 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단 제품에 적극 채용되고 있다. 주요 고객사는 SK하이닉스, 마이크론이다. 이 시각 현재 한미반도체는 전일 대비 5.85% 하락한 99만800원에 거래 중이다.

2025.02.10 14:10장경윤

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

디아이 등 HBM4 대응 분주...내달 새 장비 고객사 도입

올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화를 앞두고, 디아이·유니테스트 등 국내 테스트 장비업체들의 대응이 분주해졌다. 이들은 올 1분기 SK하이닉스에 HBM4용 신규 테스터 샘플을 납품해 양산 적용을 위한 테스트를 진행할 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업계는 주요 고객사와 이르면 다음달 HBM4용 신규 장비에 대한 테스트를 진행할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. HBM4는 이르면 올 하반기 상용화되는 최신 HBM 제품으로, 데이터를 송수신하는 입출력단자(I/O) 수가 2024개로 이전 세대 대비 2배 많다. HBM4는 글로벌 팹리스인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 이에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업들은 HBM4 시장 선점을 위한 기술 개발에 주력하고 있다. 국내 테스트 장비업계도 준비에 한창이다. 디아이의 자회사 디지털프론티어, 유니테스트 등은 내달 SK하이닉스에 HBM4용 신규 번-인(Burn-in) 테스터를 도입해 퀄(품질) 테스트를 진행할 예정이다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. 현재 SK하이닉스는 메모리 기업 중 HBM4 개발 속도가 가장 빠른 것으로 평가받는다. SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 샘플을 엔비디아에 출하하고, 이르면 10월께 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스를 비롯한 메모리 기업들이 HBM의 안정적인 양산을 위해 테스트 분야에 보다 많은 관심을 기울이고 있다"며 "SK하이닉스의 경우 올 3분기에는 HBM4용 테스터에 대한 공급망 구성을 마무리할 것"이라고 밝혔다. 이번 디아이, 유니테스트의 HBM4용 신규 번-인 테스터는 국산화 측면에서도 의미가 있다. HBM 테스트 시장은 일본 어드반테스트가 주도해 왔으나, 최근에는 디아이, 테크윙, 와이씨 등 국내 기업들이 HBM3E용 장비를 납품하는 등 저변을 확대하고 있다. 어드반테스트는 번-인 외에도 HBM의 데이터 전송 속도를 확인하는 고속 검사 등 다양한 테스터를 개발하고 있다. 그만큼 개별 장비에 대한 대응이 느려, 국내 기업들이 진입할 수 있는 틈이 있다는 평가다.

2025.01.21 10:40장경윤

SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM4' 조기 공급...6월 샘플·10월 양산할 듯

SK하이닉스가 이르면 올해 6월 엔비디아에 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 이르면 3분기말께부터 제품 공급이 시작될 것으로 관측된다. 당초 하반기 공급에서 일정을 다소 앞당긴 것으로, SK하이닉스는 차세대 HBM 시장을 선점하기 위해 양산화 준비를 서두르고 있다. 15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 커스터머 샘플(CS)을 고객사에 조기 공급하는 것을 목표로 세웠다. HBM4는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 이르렀다. HBM4는 이르면 내년 하반기 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개로 집적해 성능을 극대화했다. 엔비디아의 경우 당초 2026년 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 탑재하기로 했었으나, 계획을 앞당겨 올 하반기 출시를 목표로 하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스도 HBM4 개발에 속도를 내고 있다. 회사는 엔비디아향 HBM4 공급을 위한 전담 개발팀을 꾸리고, 지난해 4분기 HBM4 테이프아웃을 완료했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 과정이다. 이후 SK하이닉스는 HBM4의 샘플을 고객사에 보내는 일정도 당초 올 하반기에서 6월로 앞당겼다. 해당 샘플은 고객사에 제품을 양산 공급하기 전 인증을 거치기 위한 커스터머 샘플로 알려졌다. HBM4 양산화를 위한 마지막 단계에 돌입한다는 점에서 의미가 있다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아도 올해 하반기로 시험 양산을 당길만큼 루빈에 대한 초기 출시 의지가 생각보다 강한 것으로 보인다"며 "이에 맞춰 SK하이닉스 등 메모리 기업도 샘플의 조기 공급을 추진하고 있다. 이르면 3분기 말께는 제품 공급이 가능할 것"이라고 설명했다. HBM4는 주요 메모리 기업들의 차세대 고부가 메모리 시장의 격전지가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM4에 탑재되는 D램에 1c(6세대 10나노급 D램)을 탑재할 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b D램을 기반으로 하는 것과 달리, 한 세대 앞선 D램으로 성능에서 차별점을 두겠다는 전략으로 풀이된다. 마이크론 역시 최근 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서 "오는 2026년 HBM4의 본격적인 양산 확대를 진행할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.01.15 13:29장경윤

삼성·SK, CES서 불붙은 HBM 경쟁…젠슨 황 한마디에 주가 출렁

인고지능(AI) 강자 엔비디아를 두고 메모리 업계가 고대역폭 메모리(HBM) 공급을 위한 자존심 대결을 벌이고 있다. 미국 라스베이거스에서 열리고 있는 세계 최대 IT 전시회 'CES 2025'에서 가장 주목받은 인물은 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)이다. AI 반도체 시장의 80% 이상 점유하고 있는 엔비디아 수장인 젠슨의 발언은 관련 기업들의 주가에 즉각적인 영향을 미친다. 최태원 SK 회장 "HBM 개발 속도, 엔비디아 요구보다 빠르다" 최태원 SK그룹 회장은 8일(현지시간) 라스베이거스 전시장에서 진행된 국내 언론과 기자간담회에서 “젠슨 황 엔비디아 CEO를 만나 HBM 공급 일정을 포함해 AI 사업 관련 협력 방안을 논의했다”며 “지금까지는 상대(엔비디아)의 요구가 더 빨리 (HBM 다음 세대를) 개발해달라고 했는데, 최근 SK하이닉스의 개발 속도가 엔비디아의 요구를 조금 넘어서는 것을 확인했다”고 기술력에 자신감을 드러냈다. 앞서 최 회장은 지난해 11월 SK AI 서밋에서 “젠슨 황 CEO가 차세대 HBM 출시 시기를 앞당겨 달라고 재촉한다”며 파트너십 언급에서 한걸음 더 나아가, SK하이닉스의 기술적 우위를 강조한 발언으로 해석된다. 이 같은 소식이 전해지자 9일(한국시간) SK하이닉스 주가는 전일 대비 5% 상승한 20만5천원에 장을 마쳤다. 최태원 회장이 지난해부터 직접 SK하이닉스의 제품을 공식석상에서 적극 알리는 것은 이례적이며, 이는 기술력에 대한 자신감을 보여주는 대목이다. SK하이닉스는 지난해 60% 이상의 점유율로 HBM 시장에서 선두를 달리고 있다. 회사는 지난해부터 HBM3E 8단과 12단 제품을 업계 최초로 양산해 엔비디아 차세대 AI 반도체 '블랙웰' 기반 AI 서버에 공급했다. 현재 엔비디아에 HBM3E 8단, 12단 제품 모두 공급하는 업체는 SK하이닉스가 유일하다. 미국 마이크론은 두번째로 엔비디아에 HBM3E 8단 제품을 양산해 공급하고 있으며, 12단 공급도 준비 중이다. 반면 삼성전자는 HBM3E 8단, 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 품질(퀄) 테스트를 지난해부터 진행하고 있으나, 아직까지 공급 소식이 들려오지 않고 있다. 젠슨 황 CEO "삼성 HBM 설계 다시 해야…곧 성공할 것" 이번 CES에서는 삼성전자의 HBM 제품에 대한 관심도 주목됐다. 젠슨 황 CEO는 7일(현지시간) 엔비디아 기자간담회에서 삼성전자의 HBM3E 퀄 테스트 통과에 대한 질문에 “삼성전자는 HBM 설계를 다시 해야한다”고 언급해 화제가 됐다. 이는 삼성전자가 여전히 테스트 중이며, 제품에 대해 만족스럽지 못하고 있다는 점을 내비쳤다. 그러면서 황 CEO는 “삼성전자는 HBM을 열심히 개발하고 있고 성공할 것”이라며 “삼성전자는 원래 엔비디아가 사용했던 HBM을 만들었고, 그들은 회복할 것”이라고 밝히며 희망적인 메시지도 전했다. 젠슨 황 CEO의 발언으로 8일 삼성전자의 주가는 3.4% 오르며 거래를 마쳤다. 이날 4분기 잠정실적에서 시장 기대치를 하회하는 실망스러 성적표를 냈음에도 황 CEO의 발언으로 주가에 긍정적으로 영향을 미친 것이다. 젠슨 황 CEO의 전략적 발언…K-메모리 견제하나 일각에서는 젠슨 황 CEO가 전략적으로 발언하고 있다고 해석한다. 엔비디아는 HBM 수급과 관련 여러 파트너사를 확보해야 가격 협상력을 높일 수 있다. 따라서 젠슨 황은 삼성전자의 기술이 향상을 기대하며 쓴 소리와 함께 SK하이닉스에 긴장감을 주는 전략을 구사한 것으로 보인다. 앞서 6일(현지시간) 젠슨 황 CEO는 CES 기조연설에서 새로운 아키텍처 블랙웰 기반 지포스 'RTX50' 시리즈를 공개하며, 미국 마이크론의 GPDDR7을 탑재했다고 밝히기도 했다. 이를 두고 황 CEO가 오는 20일 미국 대통령 트럼프 2기 취임을 앞두고 자국 기업을 챙기기 위해 K-메모리(삼성전자, SK하이닉스)를 의식하고 발언했다는 해석이 나왔다. GDDR7은 마이크론뿐 아니라 D램 3사 모두 공급하고 있기 때문이다. 이날 마이크론 주가는 뉴욕 거래 시장에서 시간 외로 10% 이상 급등했다. 반면 SK하이닉스 주가는 19만5천원으로 전날 보다 2.4% 감소했고, 삼성전자는 전날 보다 0.89% 감소한 5만5천400원으로 마감했다. 다음날 기자간담회에서 마이크론만 언급한 이유에 대한 질문에 젠슨황 CEO는 “실수했다”라며 "특별한 이유가 없다, SK하이닉스와 삼성전자는 우리에게 가장 큰 공급업체"라고 설득력 없는 해명을 했다. 한편, 지난 8일 미국 마이크론은 싱가포르에서 HBM 패키징 신규 팹 기공식을 개최하며 시장 공략을 가속화하고 있다. 신규 팹은 2027년 가동할 계획이다.

2025.01.09 17:07이나리

'저전력' AI칩에 힘 주는 엔비디아…삼성·SK, LPDDR 성장 기대감

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 시장 영역을 자율주행·로봇·개인용 PC 등으로 적극 확장하기로 하면서 고성능 데이터 연산과 동시에 '저전력' 특성이 중요한 삼성전자, SK하이닉스의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 관측된다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT 박람회 'CES 2025′ 기조연설을 진행했다. 이날 젠슨 황 CEO는 ▲ 휴머노이드 로봇 및 자율주행용 컴퓨터인 '젯슨 토르' ▲ 물리적 AI 개발 플랫폼인 '코스모스' ▲ 개인용 AI 슈퍼컴퓨터를 위한 'GB10' 슈퍼칩 등 차세대 AI 시장을 선점하기 위한 솔루션을 대거 공개했다. 엔비디아 신규 솔루션, 물리적 AI 등 '저전력' 초점 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행과 로봇 등이 대표적인 응용처다. 기존 서버 중심의 LLM(거대언어모델) 대비 빠른 응답 속도와 다양한 환경 변수 처리 성능이 필요하다. 물리적 AI를 제대로 구현하기 위해서는 기기 자체에서 AI 연산을 처리하는 온디바이스 AI가 필수적이다. 이에 일반 메모리 대비 전력 효율성이 높은 LPDDR(저전력 D램)의 수요가 촉진될 것으로 관측된다. 구체적으로 엔비디아는 올 상반기 중 젯슨 시리즈의 신규 제품 '토르'를 출시할 예정이다. 젯슨은 엔비디아가 로보틱스 및 엣지 컴퓨팅 시장을 겨냥해 개발한 제품군이다. 토르의 경우 최대 800테라플롭스(1테라플롭스는 초당 1조번 연산 수행)의 AI 처리 성능과 엔비디아의 차세대 GPU인 블랙웰을 탑재한다. 젯슨 시리즈가 LPDDR을 채용해온 만큼, 토르 역시 최첨단 LPDDR 제품이 쓰일 것으로 전망된다. GB(그레이스블랙웰)10 슈퍼칩은 엔비디아가 대만 주요 팹리스 미디어텍과 개발한 개인용 AI 슈퍼컴퓨터 '프로젝트 디지트(Digits)'에 채용된다. 프로젝트 디지트는 오는 5월 출시 예정이다. GB10 슈퍼칩은 FP4 정밀도에서 최대 1페타플롭스(1초당 1천조번 연산)의 AI 성능을 제공한다. 또한 GB10 내부의 '그레이스' CPU는 128GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 채용했다. 그레이스는 엔비디아가 서버 시장을 겨냥해 자체 개발한 CPU다. 향후 노트북 등 개인용 PC에도 적용될 예정이다. 메모리반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 이전부터 AI 시장의 영역을 슈퍼컴퓨팅에서 온디바이스AI, 물리적 AI 등 에지 영역으로 확장하겠다는 계획을 발표해 왔다"며 "현재로선 저전력 구동에 LPDDR 제품이 필수불가결하기 때문에 수요가 늘어날 것이고, 향후 AI 기술이 고도화되면 이에 맞춰 차세대 메모리가 상용화될 것"이라고 설명했다. LPDDR·LPCAMM 중요성 높아져…삼성·SK 기회 이 같은 추세는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 전망이다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔다. 가장 최근 상용화된 7세대 LPDDR5X은 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론만이 상용화에 성공한 고부가 제품에 해당한다. CXMT(창신메모리) 등 후발 주자들은 지난 2023년 말 기준 LPDDR5 양산에 돌입했다. LPCAMM도 차세대 메모리로서 상용화가 기대된다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. 이에 주요 메모리 기업들은 지난 2023년께 2세대 LPCAMM인 LPCAMM2을 앞다퉈 개발하는 등 시장 선점을 준비해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "젠슨 황 CEO의 이번 발표는 엔비디아가 GB 플랫폼의 중심을 저전력으로 변화시키고 있다는 것을 보여준다"며 "엔비디아도 PC 시장을 위한 차세대 솔루션에서 LPCAMM을 채용하는 방안을 검토하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2025.01.09 13:57장경윤

한미반도체, 마이크론 HBM 팹 기공식 참석..."협력 강화"

곽동신 한미반도체 회장이 미국 반도체 기업인 마이크론 테크놀로지 싱가포르 신규 HBM(고대역폭메모리) 패키징 공장 기공식에 참석하며 협력을 다졌다. 한미반도체 곽동신 회장과 주요 임원은 8일 오전 싱가포르 우드랜즈 (Woodlands)에서 진행한 마이크론 신규 HBM 패키징 공장 기공식에 초청을 받아 참석했다. 자세한 규모는 공개되지 않았지만 이번에 착공하는 마이크론의 신공장은 AI 반도체 성장의 중심인 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 하이스펙 HBM의 생산 공장으로 2027년경 완공될 것으로 예상하고 있다. 현재 마이크론은 대만 공장에서 HBM을 생산하고 있으며, 이번에 착공하는 싱가포르 HBM 전용 공장과 2026년 미국 아이다호주 그리고 2027년 미국 뉴욕주와 일본 히로시마 공장에서도 HBM 생산 시설을 가동할 예정이다. 산자이 메로트라 마이크론 사장은 지난해 3분기 설적 콘퍼런스콜에서 “2025년 HBM 시장점유율을 20%대로 끌어올리겠다”고 언급했는데, 이는 2024년 약 9%대인 HBM 점유율의 2배가 넘는 수치다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 말 기준 마이크론의 HBM 생산캐파는 약 월 2만 장으로 올해 말까지 월 6만 장 규모로 확대할 것으로 전해졌다. 이를 통해 마이크론은 경쟁사를 따라잡으며 시장 점유율을 늘린다는 계획이다. 한편 한미반도체는 HBM 생산용 TC 본더 세계 1위로 지난해 4월부터 마이크론에도 납품을 시작했다. 이번 마이크론의 HBM 캐파 증설과 향후 한미반도체 TC 본더 매출이 증가할 것으로 기대하고 있다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 장비시장에서 44년의 업력과 노하우를 바탕으로 최근 10년 동안 매출 대비 수출 비중이 평균 76%가 넘으며 전 세계 약 320개 고객사를 보유한 글로벌 기업이다. 2002년 지적재산부 창설 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 생산용 장비 특허를 출원했다.

2025.01.08 12:31이나리

엔비디아 젠슨황 "삼성 HBM 성공 확신...설계는 새로 해야"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 미국 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자 고대역폭메모리(HBM)에 대해 “새로 설계해야 한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 메모리 반도체다. SK하이닉스와 미국 마이크론이 엔비디아에 공급하고 있다. 삼성전자는 납품에 앞서 품질 테스트 중이다. 황 CEO는 7일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 'CES 2025'가 개막한 미국 라스베이거스 퐁텐블루호텔에서 열린 기자간담회에서 '삼성전자 HBM을 왜 이리 오래 시험하느냐'는 물음에 “오래 걸리는 게 아니다”라며 “한국은 서두르려 한다”고 답했다. 황 CEO가 삼성전자 HBM을 공개적으로 지적한 일은 이번이 처음이다. 다만 그는 “엔비디아가 처음 쓴 HBM은 삼성전자가 만든 것이었다”며 “내일(8일)이 수요일이라고 확신할 수 있듯 삼성전자 성공을 확신한다”고 덧붙였다. 황 CEO는 소비자용 그래픽처리장치(GPU) 신제품 '지포스 RTX 50'에 마이크론 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7을 쓴다고 밝힌 이유도 언급했다. 그는 “삼성전자와 SK하이닉스는 그래픽 메모리가 없는 것으로 안다”며 “그들도 하느냐”고 되물었다. 이어 “삼성전자와 SK하이닉스는 엔비디아의 가장 큰 공급업체 중 두 곳”이라며 “매우 훌륭한 메모리 반도체 기업”이라고 평가했다. GDDR7은 영상과 그래픽을 처리하는 초고속 D램이다. 마이크론뿐 아니라 삼성전자와 SK하이닉스도 생산한다. 한편 황 CEO는 곧 최태원 SK그룹 회장과 만날 것으로 보인다. '이번 CES 기간 최 회장을 만나느냐'는 질문에 황 CEO는 “만날 예정”이라며 “기대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 11:13유혜진

Prev 1 2 3 4 5 6 7 Next