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美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

대원씨티에스, 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리 출시

대원씨티에스가 14일 데스크톱PC용 마이크론 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리를 국내 정식 출시했다. 클록드 언버퍼드 DIMM(CUDIMM)은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 지난 해 초 고성능 메모리를 위해 지정한 새로운 메모리 규격이다. 메모리 구동에 필요한 작동 클록을 직접 공급하는 집적회로인 '클록 드라이버'(CKD)를 내장했다. PC 메인보드에서 작동 클록을 공급받던 과거 대비 외부 전기적 간섭(노이즈) 없이 상대적으로 정확한 신호를 전달받아 작동한다. 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM은 인텔 코어 울트라 200S(애로우레이크) 프로세서와 메인보드 기반 플랫폼에 최적화됐다. 최대 대역폭은 DDR4-3200MHz 메모리 대비 51.2GB/s로 두 배 늘어났다. 내장 CKD로 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 타이밍을 정확히 유지하며 ECC 기술을 적용해 메모리 셀 내부에서 발생할 수 있는 비트플롭 등 오류를 교정한다. 용량은 16GB, 32GB, 64GB 세 종류이며 제품 제조/유통기간 중 이상 발생시 새 제품으로 교체 가능하다. 대원씨티에스 관계자는 "크루셜 DDR5-6400 메모리는 메모리 대역폭이 중요한 고성능 PC와 전문가용 시스템에 이상적이며 다양한 환경에 대응하는 최적의 DDR5 메모리 솔루션이 될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2025.04.14 11:35권봉석

SK하이닉스, 42년만에 삼성전자 제치고 D램 점유율 1위 등극

SK하이닉스가 창립 42년만에 삼성전자의 D램 매출액을 추월한 것으로 나타났다. 올 1분기 시장 점유율은 36%로, HBM(고대역폭메모리) 부문에서 70%에 달하는 점유율을 차지한 것이 주요 배경으로 지목된다. 9일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 1분기 전 세계 D램 시장에서 SK하이닉스가 매출액 기준 36%의 점유율로 1위를 차지했다. SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 점유율 1위를 기록한 것은 이번이 처음이다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 34%로 집계됐다. 3위 마이크론의 점유율은 25% 수준이다. 카운터포인트 최정구 책임연구원은 “이번 성과는 SK하이닉스가 HBM 메모리에 대한 수요가 끊이지 않는 시장에서 D램을 성공적으로 공급하고 있다는 점에서 중요한 이정표가 됐다”며 “특화된 HBM D램 칩의 제조는 매우 까다로운 과정이었지만, 이를 초기부터 성공적으로 생산해온 기업들이 이제 큰 성과를 거두고 있다”고 말했다. 앞서 지난 8일 잠정실적을 발표한 삼성전자는 올 1분기 D램에서 약 12~14조원 안팎의 매출을 올렸을 것으로 관측된다. SK하이닉스 역시 이와 비슷한 수준의 매출액을 기록한 것으로 보인다. 실제로 업계는 올 1분기 SK하이닉스가 삼성전자의 D램 매출액을 처음으로 역전했을 거라는 분석을 제기해 왔다. 삼성전자의 HBM 공급량이 지난해 4분기 대비 크게 감소한 것과 달리, SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 고부가 HBM의 출하량을 견조하게 유지했기 때문이다. 카운터포인트는 올해 2분기에도 D램 시장의 성장 및 업체 점유율 양상은 비슷할 것으로 전망했다. 카운터포인트 황민성 연구위원은 “전세계가 관세 영향에 주목하고 있는 상황에서 관건은 'HBM D램이 과연 어떻게 될 것인가'라는 점”이라며 “적어도 단기적으로는 AI 수요가 강세를 유지하며 관세 충격의 영향을 덜 받을 가능성이 크다. 중요한 것은 HBM의 최종 제품이 AI 서버라는 사실이며, 이는 본질적으로 국경을 넘어선 시장”이라고 설명했다. 다만 황 연구위원은 "그럼에도 불구하고 장기적으로는 HBM D램 시장의 성장이 관세 충격으로 인한 구조적인 문제에 직면할 위험이 존재한다"며 "이는 경기 침체 또는 불황까지 초래할 수 있을 것으로 전망된다"고 덧붙였다.

2025.04.09 14:34장경윤

D램·낸드 가격 '반등'…삼성·SK 숨통 틔우나

PC용 D램·낸드 시장 가격이 회복세에 접어들고 있다. AI 산업 발달에 따라 낸드 가격이 올 1분기 전반적인 상승세를 보였으며, D램의 경우 고용량 제품인 DDR5를 중심으로 가격이 상승한 것으로 나타났다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 3월 메모리카드·USB향 범용 MLC(멀티레벨셀) 128Gb 16Gx8 낸드 평균 고정거래가격은 전월 대비 9.61% 증가한 2.51달러로 집계됐다. 해당 낸드 제품의 가격은 지난해 말까지 크게 하락해 2.08달러까지 떨어졌으나, 올해 들어 3개월 연속 가격이 상승하고 있다. 대용량 TLC(트리플레벨셀) 및 QLC(쿼드레벨셀) 낸드의 감산 효과가 본격적으로 나타난 데 따른 영향이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "공급업체들이 6개월 연속 낸드 가격 하락세 이후 전략을 조정했고, AI 산업이 발전하면서 데이터센터용 eSSD 및 HDD 수요는 올 하반기 회복될 것으로 예상된다"며 "이에 따라 3월 MLC 낸드 가격은 평균 9.9% 상승했다"고 설명했다. 특히 중국 AI 시장에서 낸드 수요가 증가할 것으로 예상된다. 최근 중국은 저비용·고효율 AI 모델인 '딥시크' 출시하고 자체적인 데이터센터를 구축하는 등 미국의 규제 속에서도 AI 인프라 구축에 열을 올리고 있다. 트렌드포스는 "데이터센터용 낸드 수요 증대로 버퍼 스토리지로 사용되는 SLC(싱글레벨셀) 낸드 수요도 증가할 것"이라며 "동시에 엣지 AI 산업이 발전하면서, SLC 낸드도 2분기부터는 가격 하락을 멈추고 반등할 가능성도 있다"고 내다봤다. PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 3월 고정거래 가격은 전월과 동일한 수준을 나타냈다. 1분기 10~15%의 가격 하락세가 발생한 뒤 안정세에 접어든 것으로 관측된다. 2분기 D램 시장도 당초 예상 대비 견조한 흐름을 보일 전망이다. 트렌드포스는 2분기 PC D램 가격을 기존 3~8% 하락에서 가격 안정세로 변경했다. DDR4의 경우 비교적 수요가 약하나, 고부가 제품인 DDR5는 가격 상승 추세를 보이고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "올 상반기 메모리 공급사들이 서버용 D램 생산에 집중하면서, PC용 DDR5 공급의 제한이 예상된다"며 "특히 SK하이닉스의 고성능 DDR5 공급 부족 현상이 가격 협상에 영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 실제로 DDR5의 현물거래가격은 지난 2월부터 2개월 연속 상승세를 보이고 있다. 16Gb 제품의 3월 고정거래가격도 중국 게이밍 노트북 수요 증가, SK하이닉스의 공급 부족 등이 반영돼 12% 상승했다.

2025.04.01 11:06장경윤

엔비디아, 루빈 울트라·파인만 AI칩 공개…"차세대 HBM 탑재"

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 산업의 주도권을 유지하기 위한 차세대 GPU를 추가로 공개했다. 오는 2027년 HBM4E(7세대 고대역폭메모리)를 탑재한 '루빈 울트라'를, 2028년에는 이를 뛰어넘을 '파인만(Feynman)' GPU를 출시할 예정이다. 파인만에 대한 구체적인 정보는 아직 공개되지 않았지만, '차세대 HBM(Next HBM)'을 비롯해 다양한 혁신 기술이 적용될 것으로 전망된다. 18일(현지시간) 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 미국 실리콘밸리 새너제이 컨벤션 센터에서 열린 연례행사인 'GTC 2025' 무대에 올라 AI 데이터센터용 GPU 로드맵을 발표했다. 이날 발표에 따르면, 엔비디아는 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 최고성능 제품인 '블랙웰 울트라'를 올해 하반기 출시한다. 해당 칩은 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재했으며, AI 성능을 이전 세대 대비 1.5배 높인 것이 특징이다. 이어 엔비디아는 HBM4를 탑재한 '루빈' 시리즈를 내년 하반기 출시한다. 루빈부터는 기존 '그레이스' CPU가 아닌 '베라' CPU가 채용된다. 루빈의 최고성능 제품인 루빈 울트라는 내후년인 2027년 하반기께 출시가 목표다. 루빈 울트라에는 HBM4E가 채용돼, 메모리 성능이 블랙웰 울트라 대비 8배나 늘어난다. 그동안 드러나지 않았던 차차세대 AI 가속기에 대한 정보도 공개됐다. 엔비디아는 루빈 이후의 제품명을 파인만으로 확정했다. 미국의 저명한 이론 물리학자인 리처드 파인만에서 이름을 따왔다. 엔비디아는 파인만에 대해 차세대 HBM(Next HBM)을 탑재한다고 기술했다. 다만 구체적인 세대명은 공개하지 않았다. 파인만은 오는 2028년 출시될 예정이다.

2025.03.19 08:43장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 30억 자사주 취득…"TC본더 1위 자신감"

한미반도체는 곽동신 회장이 지난 2월에 이어 사재로 30억원 규모의 자사주 취득계획을 발표했다고 17일 밝혔다. 취득 예정 시기는 오늘부터 약 한달 뒤인 4월 15일이다. 이번 취득이 완료되면 곽동신 회장은 2023년부터 총 423억원 규모의 자사주를 사재로 취득하게 되며 지분율은 33.97%에서 34%로 상승한다. 곽 회장은 “후발업체인 ASMPT, 한화세미텍과는 상당한 기술력의 차이가 있다고 생각한다”며 “한미반도체 TC 본더가 세계 1위의 경쟁력을 가지고 있다”고 자신했다. 그는 이어 “엔비디아가 이끄는 AI 반도체 시장의 성장에 따라 HBM용 TC본더 장비 수요는 올해도 폭발적으로 증가하고 있다"며 "SK하이닉스와 마이크론 등 전세계 고객사를 보유한 한미반도체는 45년의 업력과 120여건에 달하는 HBM용 장비 특허, 그리고 세계 최대의 HBM TC본더 생산캐파를 바탕으로 올해 TC 본더 300대 이상의 출하를 차질없이 진행할 예정”이라고 말했다. 나아가 한미반도체는 올해 하반기 신제품 FLTC 본더(플럭스리스타입)를 출시를 앞두고 있으며, 하이브리드본딩 장비도 일정에 맞춰 개발 중이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 글로벌 HBM 시장 규모는 467억 달러(약 68조원)로 2024년 182억달러(약 26조원) 대비 157% 급증할 것으로 예상된다. 이에 따라 한미반도체는 TC 본더 장비 수요에 맞춰 공급을 확대하기 위해 인천 서구 주안국가산업단지에 총 8만9천530m2 (2만7천83평) 규모의 반도체 장비 생산 클러스터를 구축할 계획이다. 지난 1월 착공한 7공장은 올해 4분기 완공할 예정으로, 올해 출시 예정인 AI 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더, 차세대 HBM4 생산용 신제품인 플럭스리스 본더, 하이브리드 본더 등을 생산한다.

2025.03.17 11:31장경윤

딥엑스, 독일서 마이크론 등 글로벌 기업 15여곳 협력 성과 공유

국내 AI 반도체 전문기업 딥엑스는 11일부터 14일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 임베디드 월드에 참가한다고 12일 밝혔다. 이번 전시회에서 딥엑스는 양산 체제에 진입한 이후 진행해온 글로벌 기업들과 협력 결과를 대거 공개하며 고품질 양산 제품 제공을 위한 준비 상황을 알릴 예정이다. 딥엑스는 올해 중반부터 첫 번째 양산 제품을 출시하기 위해 양산 칩의 신뢰성 테스트 및 인증 작업에 매진하고 있다. 지난해부터 공개된 샘플 칩을 기반으로, 로봇·공장 자동화·물리보안 시스템·온프레미스 서버 등과 관련된 300여 곳 이상의 글로벌 기업과 기술 검증을 진행해 왔다. 현재 이 가운데 20여 곳이 넘는 기업에 대한 양산 준비 기술 지원을 진행하고 있다. 글로벌 시장 진출을 위해 딥엑스는 AI 모델 분석 및 설계 기획, FPGA 프로토타입 제작, 하드웨어·소프트웨어 최적화, 파운드리 MPW 실시, 700곳 이상 잠재 고객사 평가 수집, 설계 수정·개발 및 양산 체제 구축, 품질 테스트, 유통망 및 공급망 구축 등 글로벌 고객을 위한 다각도의 준비 과정을 전례 없이 공격적으로 추진해왔다. 딥엑스는 이번 임베디드 월드 전시회에서 그간 협력해 온 마이크론, 라즈베리파이, 에이온, DFI, 포트웰, SEEED, 바이오스타, 어드벤텍, 네트워크 옵틱스, 임베디드 아티스트 등 주요 하드웨어 및 소프트웨어 파트너사 부스에서 협력 결과를 공개할 예정이다. 이를 통해 딥엑스의 온디바이스 AI 시대의 리더십과 글로벌 AI 시장에서의 영향력을 보여줄 예정이다. 일례로 딥엑스는 라즈베리 파이, 식스팹(Sixfab)과 함께 AI 기능이 필요한 산업용·상업용 IoT, 프로토타이핑, 교육용 솔루션을 확장하는 동시에 산업용 하드웨어 전문 기업과의 협력으로 기업 고객들을 위한 맞춤형 솔루션 제작도 추진할 계획이다. 또한 딥엑스는 마이크론 부스에서 LPDDR4를 사용한 라즈베리 파이와 LPDDR5X를 사용하는 다양한 폼팩터(M.2, PCIe 등) 기반 자사 AI 솔루션을 선보인다. AI·IoT·에지 컴퓨팅 시장이 본격적으로 성장함에 따라, 두 회사는 차세대 메모리 기술과 AI 반도체를 결합해 폭넓은 시장 니즈를 선제적으로 공략할 예정이다.

2025.03.12 11:11장경윤

브로드컴, AI 반도체 사업 훈풍…삼성·SK도 HBM 성장 기대감

미국 브로드컴의 AI 사업이 지속 확대될 전망이다. 구글을 비롯한 핵심 고객사가 자체 데이터센터용 AI 반도체를 적극 채용한 데 따른 영향이다. 나아가 브로드컴은 추가 고객사 확보 논의, 업계 최초 2나노미터(nm) 기반 AI XPU(시스템반도체) 개발 등을 추진하고 있다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 6일 브로드컴은 회계연도 2025년 1분기에 매출 약 149억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전년동기 대비 25%, 전분기 대비로는 6% 증가했다. 증권가 컨센서스(147억 달러)도 소폭 상회했다. 해당 분기 순이익 역시 GAAP 기준 55억 달러로 전년동기(13억 달러) 대비 크게 증가했다. 브로드컴은 "AI 반도체 솔루션과 인프라 소프트웨어 부문의 성장으로 1분기 사상 최대 매출을 기록했다"며 "특히 AI 매출은 전년 대비 77% 증가한 41억 달러를 기록했고, 2분기에도 44억 달러의 매출을 예상한다"고 밝혔다. AI 매출은 브로드컴의 반도체 솔루션 사업 부문에서 AI용 주문형반도체(ASIC), AI 가속기, 서버 네트워크 칩 등을 포함한 매출이다. 브로드컴은 자체적인 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원하고 있다. 현재 브로드컴을 통해 AI 반도체의 대량 양산에 이른 고객사는 3곳이다. 브로드컴은 이들 고객사의 AI 반도체 출하량이 지난해 200만개에서 오는 28년에는 700만개로 늘어날 것으로 보고 있다. 나아가 4개의 잠재 고객사와도 양산 논의를 진행하고 있다. 브로드컴의 AI 사업 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들에게도 수혜로 작용한다. AI 가속기에 필수적으로 활용되는 HBM의 수요가 증가하기 때문이다. 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 고성능 GPU를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 그러나 최근에는 구글·메타 등도 전력효율성, 비용 등을 고려해 자체 AI ASIC 탑재량을 적극적으로 늘리는 추세다. 특히 구글은 브로드컴의 핵심 고객사로 자리 잡았다. 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E 8단을 채용하며, 이전 세대 대비 생산량을 크게 확대할 계획이다. 구글 최신형 TPU에 HBM을 양산 공급하기로 한 기업은 SK하이닉스, 마이크론으로 알려져 있다. 삼성전자도 공급망 진입을 위한 테스트를 꾸준히 진행하고 있다. 경쟁사 대비 진입이 늦어지고 있으나, 최근 테스트에서는 기존 대비 긍정적인 결과를 얻어낸 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "최근 데이터센터 업계의 트렌드는 고가의 엔비디아 AI 가속기 대신 자체 칩을 개발하는 것"이라며 "구글과 AWS(아마존웹서비스) 등이 대표적인 대항마로 떠오르고 있어, 올해부터 HBM의 수요 비중을 늘려나갈 것으로 관측된다"고 설명했다.

2025.03.07 10:13장경윤

美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

KAIST, 삼성·구글· 인텔 등과 국제학회 '최우수논문상'

인텔이나 엔비디아, 구글, AMD 등 글로벌 빅테크 기업 연구원과 엔지니어 등이 대거 참여하는 국제 학회서 국내 연구진이 최우수논문상을 수상, 관심을 끌었다. KAIST 테라랩(지도교수 김정호 전기및전자공학부 교수)은 신태인 박사(28)가 미국 실리콘밸리에서 열린 국제학회 '디자인콘(DesignCon) 2025'에서 최우수 논문상을 수상했다고 3일 밝혔다. 신 박사의 이번 수상은 지난 2022년 열린 디자인콘에서의 최우수논문상에 이어 두 번째다. 지난 2022년에는, 전체 8명에게만 주어자는 최우수 논문상을 KAIST 테라랩 소속 연구원 4명( 신태인·김성국·최성욱·김혜연)이 휩쓸어 관심을 끌었다. '디자인콘'은 반도체 및 패키지 설계 분야에서 권위를 인정받는 국제학회다. 올해 대회에서는 KAIST 외에 삼성, 구글, 인텔, AMD, 키사이트, 케이던스, 샘텍 등에서 8명이 이 상을 수상했다. 신태인 박사는 지난 해 말 접수, 채택된 전체 100여 편의 논문 중 해당 분야 기술혁신에 기여한 점을 인정받았다. 신 박사는 이 학회에서 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 전력 무결성 설계를 위해 시간 정보가 포함된 전력 잡음 지터(jitter)에 영향을 주는 설계 요소를 AI로 설계, 최적화하는 방법론을 제시했다. 신태인 박사는 “HBM 기반 패키지 시스템 설계가 갈수록 고도화 되고 있다"며 "이번 방법론이 반도체 신호 및 전력 무결성 설계의 토대를 마련하는 계기가 될 것"으로 기대했다. 한편, 김정호 교수 연구실에는 3월 기준 석사과정 17명, 박사과정 10명 등 모두 27명이 소속돼 있다. 이들은 반도체 전·후공정에 들어가는 다양한 패키지와 인터커넥션 설계를 강화·모방 학습과 같은 인공지능(AI) 머신러닝(ML)을 활용해 최적화하고 있다. 또 대규모 인공지능(AI) 구현을 위한 HBM 기반 컴퓨팅 아키텍트와 관련한 연구도 함께 진행 중이다.

2025.03.03 13:30박희범

가격 반등 성공한 DDR5…딥시크·HBM 등이 향후 변수

고성능 PC용 D램 가격이 지난달 반등에 성공한 것으로 집계됐다. 중국의 저비용·고효율 AI 모델인 딥시크의 등장으로 PC 수요가 덩달아 증가하면서, 이에 대응하는 메모리 판매량도 늘어난 것으로 분석된다. 지난달 28일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난달 DDR5 16Gb(기가비트) 제품의 평균 고정거래가격은 전월 대비 1% 상승한 3.80달러로 집계됐다. 올 1분기 PC용 D램의 고정거래가격은 전분기 대비 10~15% 하락할 것으로 관측된다.지난해 4분기에 이어 하락세를 이어간 것으로, 1분기 초 D램 공급업체들의 재고 수준이 상대적으로 증가한 것이 주된 영향으로 풀이된다. 다만 지난달에는 고정거래가격의 추가 하락이 나타나지 않았다. 미국의 추가 관세 정책에 따른 우려로 PC 제조사들이 D램 재고를 미리 확보한 데 따른 영향이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등이 HBM(고대역폭메모리) 및 모바일 D램 양산에 집중하면서, PC D램의 공급이 일시적으로 제한되고 있다. 특히 DDR5 16Gb(기가비트)의 경우 지난달 고정거래가격이 1% 상승한 것으로 나타났다. 지난해 8월 이후 지속되던 가격 하락세가 반전으로 돌아섰다. 이전 세대인 DDR4는 가격이 변동하지 않았다. 트렌드포스는 "중국 딥시크의 영향으로 고성능 GPU가 탑재된 PC 수요가 증가하면서, 5600MT/s(초당 5600만회의 데이터 전송) 이상을 구현하는 16Gb DDR5의 수요가 늘어났다"며 "주로 SK하이닉스가 공급하는 제품이나, 현재 서버 및 모바일 D램 양산에 집중하고 있어 PC용 DDR5 D램 공급에 제한이 있다"고 설명했다. 향후에도 PC용 D램 시장은 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델, 주요 메모리 기업들의 HBM 양산 전략 등에 따라 영향을 받을 것으로 전망된다. 노트북·태블릿 등 IT기기에 AI 기능이 활성화될수록, 관련 로직 및 메모리 반도체 수요를 촉진할 수 있기 때문이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 2023~2027년 생성형 AI 노트북 출하량은 연평균 59%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 전체 노트북 출하량의 연평균 성장률이 3%로 예상된다는 점을 고려하면 가파른 성장세다.

2025.03.01 08:10장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

램리서치, '新소재 증착장비' 첫 상용화…韓·美 낸드 고객사 잡았다

글로벌 반도체 장비업체인 램리서치가 최첨단 반도체 제조를 위한 '몰리브덴(Mo)' 증착장비를 세계 최초로 상용화했다. 해당 장비는 현재 미국 마이크론, 국내 주요 기업의 최첨단 3D 낸드 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 향후에는 파운드리·D램 공정에도 적용이 가능할 전망이다. 램리서치는 20일 오후 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 회사의 최신 장비에 대해 이같이 밝혔다. 'ALTUS Halo'는 세계 최초로 몰리브덴 소재를 활용하는 원자층증착(ALD) 장비다. ALD는 원자층을 한층씩 쌓아올려 금속 배선을 형성하는 기술로, 기존 증착 방식인 화학기상증착(CVD) 대비 정밀성이 높다. ALD의 소재로는 텅스텐이 활발하게 쓰였다. 그러나 로직 및 메모리 반도체의 회로 선폭이 수 나노미터(nm) 수준으로 미세화되면서, 텅스텐보다 '비저항'이 낮은 대체 물질의 필요성이 높아지게 됐다. 비저항은 소재가 전류에 얼마나 강하게 저항하는 지 나타내는 척도다. 금속의 비저항이 낮을수록 신호 속도가 빨라져 칩의 성능은 좋아지게 된다. 램리서치는 차세대 소재인 몰리브덴에 주목했다. 몰리브덴은 텅스텐 대비 저항이 낮을 뿐만 아니라, 텅스텐과 달리 별도의 배리어층을 형성할 필요가 없어 제조 공정의 효율성을 높인다. 이에 램리서치는 세계 최초로 몰리브덴 ALD 장비를 개발해, 국내외 주요 최첨단 3D 낸드 양산 업체들에 도입을 시작했다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 셀(메모리의 최소 단위)를 높이 쌓아 만든다. 더 많은 층을 밀도 있게 제조하려면 배선 폭이 줄어들어야 하기 때문에, 몰리브덴이 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 특히 미국 주요 메모리 기업 마이크론이 해당 장비를 선제적으로 양산 적용한 것으로 알려졌다. 국내에서는 올해부터 양산 적용이 시작될 예정이다. 박태순 램리서치 KTC 센터 수석 디렉터는 "텅스텐은 금속 배선에서 지난 20년간 활발히 적용돼 왔으나, 최근 초미세공정 환경에서는 적용이 힘들어지는 소자들이 생겨나기 시작했다"며 "ALTUS Halo는 기존 질화 티타늄과 텅스텐을 결합한 증착 기술 대비 저항이 50% 감소한 것으로 나타났다"고 설명했다. 또한 램리서치는 향후 ALTUS Halo의 적용처를 로직 및 D램 분야로도 확장할 계획이다. 2나노 등 최첨단 파운드리 공정에서도 ALTUS Halo 적용을 위한 검증이 진행 중인 것으로 알려졌다. D램 분야에서는 3D D램 등에서 적용될 것으로 예상된다. 램리서치의 주요 경쟁사 역시 몰리브덴 증착 장비를 개발 중이지만, 회사는 경쟁력 확보를 자신했다. 카이한 애쉬티아니 램리서치 ALD·CVD 금속 사업 부문장 겸 부사장은 "경쟁사들도 유사 기술을 연구 중일 것이나, 램리서치는 약 7년간 몰리브덴 증착을 연구개발 해오는 등 업계를 선도하고 있다"며 "특히 낸드에서 비교적 낮은 저항이 필요한 워드라인(WL; 게이트 단자로 전압이 인가되는 라인) 제조 분야에서 독보적인 입지를 보유 중이다"고 강조했다.

2025.02.20 15:03장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 20억원 자사주 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주를 취득한다고 10일 공시했다. 취득 단가는 10만6천원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득하게 되며, 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC본더 시장점유율 1위를 기록하고 있는 후공정 장비업체다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM의 제조에 필수적으로 활용된다. 특히 한미반도체의 TC본더는 현재 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단 제품에 적극 채용되고 있다. 주요 고객사는 SK하이닉스, 마이크론이다. 이 시각 현재 한미반도체는 전일 대비 5.85% 하락한 99만800원에 거래 중이다.

2025.02.10 14:10장경윤

42년만에 뒤바뀌나...SK하이닉스, D램 매출도 삼성 추월 전망

삼성전자의 올 1분기 D램 매출 규모가 크게 위축될 전망이다. 전반적인 IT 수요 약세로 D램 공급량이 줄어드는 한편, HBM 매출 비중의 급격한 감소로 D램 ASP(평균판매단가)가 전분기 대비 '두 자릿수'로 하락할 가능성이 유력해졌다. 이에 일각에서는 1분기 삼성전자 D램 매출액이 SK하이닉스에 따라잡힐 것이라는 관측도 조심스레 나온다. 올 1분기 양사의 D램 매출 추정치는 모두 12~13조원 수준이다. 이 경우 국내 D램 업계가 태동한 지 약 40여년만에 양사의 D램 매출 점유율 순위가 바뀌는 초유의 사태가 발생하게 된다. 1983년 첫 사업을 시작한 SK하이닉스는 올해 10월 창립 42주년을 맞는다. 실제로 양사의 D램 매출 격차는 지난해 4분기 기준으로 이미 1조원 내외까지 줄어든 것으로 집계되고 있다. SK하이닉스 역시 올 1분기 메모리 업황 부진으로 매출은 감소하겠지만, HBM 등 고부가 메모리 사업이 견조해 삼성전자 대비 ASP 하락세 방어에 유리하다. 업계가 올 1분기 양사의 D램 매출액 격차가 최소한 더 줄어들고, 시황에 따라 역전 가능성을 거론하는 이유다. SK하이닉스는 이미 지난해 연간 영업이익에서 삼성전자 반도체 부문을 넘어섰다. 삼성전자, 1분기 D램 ASP·매출 '두 자릿수' 하락 유력 3일 업계에 따르면 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액은 당초 예상보다 하락세가 심화될 가능성이 높은 것으로 분석된다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 열린 2024년 4분기 실적발표에서 올 1분기 D램의 공급량 및 가격이 모두 하락할 것으로 전망한 바 있다. 삼성전자는 "올 1분기 D램은 모바일 및 PC 수요 약세로 비트그로스가 전분기 대비 한 자릿 수 후반 수준으로 감소할 전망"이라며 "HBM은 AI향 반도체 수출 규제와 같은 지정학 이슈와 개선품 도입에 따른 수요 이연 등으로 판매가 일정 수준 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "결론적으로 1분기에는 컨벤셔널 제품의 시장 가격 하락, HBM 매출 비중 일시 감소 등으로 D램 ASP와 실적이 전분기 대비 다소 하락할 것으로 판단된다"고 덧붙였다. 특히 업계는 삼성전자 D램 ASP의 하락폭에 주목하고 있다. 당초 업계는 해당 분기 삼성전자 D램 ASP가 한 자릿수 초중반대로 감소할 것으로 전망해 왔으나, 이번 실적발표 이후 하락폭이 10% 이상으로 확대될 가능성이 거론되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 DDR4 등 레거시 D램의 매출 비중을 올해 한 자릿수까지 가파르게 줄일 예정임에도, 올 1분기 D램 ASP 하락세는 예상보다 더 커질 것으로 보인다"며 "그만큼 지난해 4분기 HBM, DDR5 등 고부가 제품의 재고를 적극적으로 밀어냈기 때문"이라고 설명했다. HBM 공급량 감소가 주요 원인 이 같은 추세에는 중국 기업들의 HBM 사재기 현상도 한몫을 했을 것으로 관측된다. 지난해 하반기 화웨이·바이두 등 중국 주요 IT 기업들은 점차 강화되는 미국의 AI반도체 수출 규제를 우려해, 삼성전자 등으로부터 HBM을 선제적으로 구매한 바 있다. 그러나 미국은 올해 초부터 주요 D램 제조업체의 중국향 HBM 수출을 직접적으로 금지했다. 이에 따라 삼성전자의 올 1분기 HBM 공급량은 크게 줄어들 전망이다. 업계에서 추산하는 삼성전자의 지난해 4분기 HBM 공급량은 20억기가비트(Gb) 초중반 수준이다. 올 1분기에는 최대 10억Gb 초중반대의 공급이 예상되며, 최악의 경우 10억Gb를 밑돌 가능성도 점쳐진다. 또 다른 업계 관계자는 "삼성전자의 지난해 4분기 D램 ASP가 전분기 대비 20% 수준으로 상승한 데에는 HBM의 판매 확대가 주요했는데, 올 1분기에는 HBM 공급량이 반토막 이상으로 줄어들 수도 있다"며 "결과적으로 D램 ASP 및 매출 규모가 전분기 대비 두 자릿 수로 하락하게 될 가능성이 높다"고 밝혔다. SK하이닉스에 매출 1위 내주나…"초유의 사태 발생할 수도" 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 근소한 차이로 D램 매출 규모가 역전당할 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 4분기 D램 영업이익이 7조원 이상으로 추산되는 등 수익성 면에서는 이미 삼성전자(4분기 D램 영업이익 5조원 내외 추정)를 넘어선 바 있다. 매출 규모는 생산능력이 월등히 높은 삼성전자가 줄곧 점유율 1위를 지켜왔으나, 최근들어 이마저도 양사의 격차가 크게 줄어들었다는 평가다. 증권가에서 추산하는 지난해 4분기 삼성전자 D램 매출액 추정치는 13조~15조원 수준이다. SK하이닉스의 추정치는 14조원 내외다. 때문에 업계에서는 이미 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 매출 규모가 동등한 수준에 도달했다는 분석을 내놓고 있다. SK하이닉스 역시 1분기 D램 비트그로스가 10% 초반 감소할 것으로 예상되는 등 메모리 업황 부진의 여파를 맞을 전망이다. 다만 SK하이닉스는 공고한 엔비디아향 HBM 공급, 고부가 DDR5 매출 등으로 ASP 하락세는 삼성전자 대비 견조할 것이라는 게 업계의 중론이다. 익명을 요구한 반도체 부문 애널리스트는 "SK하이닉스는 올 1분기 HBM 매출이 10%가량 증가할 것으로 관측된다. 덕분에 범용 제품의 부진에도 전체 D램 매출 규모는 한 자릿수 정도만 감소할 것"이라며 "반면 삼성전자는 전체 D램 매출이 20% 넘게 줄어들어, 업계 역사상 처음으로 양사 매출 규모가 뒤바뀌는 상황이 공식적으로 집계될 수도 있다"고 밝혔다. 현재 반도체 업계 및 증권가가 추정하는 삼성전자의 올 1분기 D램 매출액 추정치는 10조~13조원대 수준이다. SK하이닉스의 D램 매출액은 12조~13조원대로 추산되고 있다.

2025.02.04 14:30장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

디아이 등 HBM4 대응 분주...내달 새 장비 고객사 도입

올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화를 앞두고, 디아이·유니테스트 등 국내 테스트 장비업체들의 대응이 분주해졌다. 이들은 올 1분기 SK하이닉스에 HBM4용 신규 테스터 샘플을 납품해 양산 적용을 위한 테스트를 진행할 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 국내 반도체 테스트 장비업계는 주요 고객사와 이르면 다음달 HBM4용 신규 장비에 대한 테스트를 진행할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. HBM4는 이르면 올 하반기 상용화되는 최신 HBM 제품으로, 데이터를 송수신하는 입출력단자(I/O) 수가 2024개로 이전 세대 대비 2배 많다. HBM4는 글로벌 팹리스인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 이에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업들은 HBM4 시장 선점을 위한 기술 개발에 주력하고 있다. 국내 테스트 장비업계도 준비에 한창이다. 디아이의 자회사 디지털프론티어, 유니테스트 등은 내달 SK하이닉스에 HBM4용 신규 번-인(Burn-in) 테스터를 도입해 퀄(품질) 테스트를 진행할 예정이다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. 현재 SK하이닉스는 메모리 기업 중 HBM4 개발 속도가 가장 빠른 것으로 평가받는다. SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 샘플을 엔비디아에 출하하고, 이르면 10월께 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스를 비롯한 메모리 기업들이 HBM의 안정적인 양산을 위해 테스트 분야에 보다 많은 관심을 기울이고 있다"며 "SK하이닉스의 경우 올 3분기에는 HBM4용 테스터에 대한 공급망 구성을 마무리할 것"이라고 밝혔다. 이번 디아이, 유니테스트의 HBM4용 신규 번-인 테스터는 국산화 측면에서도 의미가 있다. HBM 테스트 시장은 일본 어드반테스트가 주도해 왔으나, 최근에는 디아이, 테크윙, 와이씨 등 국내 기업들이 HBM3E용 장비를 납품하는 등 저변을 확대하고 있다. 어드반테스트는 번-인 외에도 HBM의 데이터 전송 속도를 확인하는 고속 검사 등 다양한 테스터를 개발하고 있다. 그만큼 개별 장비에 대한 대응이 느려, 국내 기업들이 진입할 수 있는 틈이 있다는 평가다.

2025.01.21 10:40장경윤

SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM4' 조기 공급...6월 샘플·10월 양산할 듯

SK하이닉스가 이르면 올해 6월 엔비디아에 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 출하할 계획인 것으로 파악됐다. 이르면 3분기말께부터 제품 공급이 시작될 것으로 관측된다. 당초 하반기 공급에서 일정을 다소 앞당긴 것으로, SK하이닉스는 차세대 HBM 시장을 선점하기 위해 양산화 준비를 서두르고 있다. 15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 6월 HBM4의 첫 커스터머 샘플(CS)을 고객사에 조기 공급하는 것을 목표로 세웠다. HBM4는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 이르렀다. HBM4는 이르면 내년 하반기 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개로 집적해 성능을 극대화했다. 엔비디아의 경우 당초 2026년 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 탑재하기로 했었으나, 계획을 앞당겨 올 하반기 출시를 목표로 하고 있다. 이에 따라 SK하이닉스도 HBM4 개발에 속도를 내고 있다. 회사는 엔비디아향 HBM4 공급을 위한 전담 개발팀을 꾸리고, 지난해 4분기 HBM4 테이프아웃을 완료했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 과정이다. 이후 SK하이닉스는 HBM4의 샘플을 고객사에 보내는 일정도 당초 올 하반기에서 6월로 앞당겼다. 해당 샘플은 고객사에 제품을 양산 공급하기 전 인증을 거치기 위한 커스터머 샘플로 알려졌다. HBM4 양산화를 위한 마지막 단계에 돌입한다는 점에서 의미가 있다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아도 올해 하반기로 시험 양산을 당길만큼 루빈에 대한 초기 출시 의지가 생각보다 강한 것으로 보인다"며 "이에 맞춰 SK하이닉스 등 메모리 기업도 샘플의 조기 공급을 추진하고 있다. 이르면 3분기 말께는 제품 공급이 가능할 것"이라고 설명했다. HBM4는 주요 메모리 기업들의 차세대 고부가 메모리 시장의 격전지가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM4에 탑재되는 D램에 1c(6세대 10나노급 D램)을 탑재할 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b D램을 기반으로 하는 것과 달리, 한 세대 앞선 D램으로 성능에서 차별점을 두겠다는 전략으로 풀이된다. 마이크론 역시 최근 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서 "오는 2026년 HBM4의 본격적인 양산 확대를 진행할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.01.15 13:29장경윤

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