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'마이크론'통합검색 결과 입니다. (134건)

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한미반도체, 신공장에 '하이브리드 본더' 라인 추가…차세대 HBM 공략

한미반도체가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 공략을 위한 투자에 나선다. 올해 초 착공에 나선 신공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 추가해, 기술력 및 생산능력을 미리 확보할 계획이다. 한미반도체는 제7공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 구축한다고 20일 공시를 통해 밝혔다. 앞서 한미반도체는 지난 1월 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대에 대응하기 위한 제7공장 기공식을 진행한 바 있다. 해당 공장은 4천356평 규모의 지상 2층 건물로, 주력 장비인 TC(열압착) 본더와 신규 패키징 장비를 양산할 예정이다. 아울러 한미반도체는 당초 계획된 제7공장에 추가로 하이브리드 본더 전용 라인을 만들기로 했다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 기존 TC 본딩처럼 D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 때문에 주요 메모리 기업들은 이르면 16단 HBM4부터 하이브리드 본딩을 양산 적용하기 위한 연구개발을 진행해 왔다. 한미반도체 역시 향후 HBM 시장에서 하이브리드 본딩 기술이 상용화될 것을 고려해, 관련 연구개발 및 생산능력 확대를 추진하려는 것으로 풀이된다. 한편 제7공장 완공 시기는 내년 4분기로 예상된다. 당초에는 올해 4분기 완공 예정이었으나, 공장 규모가 확대되면서 완공 시점도 다소 연기됐다.

2025.06.20 10:24장경윤

하나마이크론, 'ECTC 2025'서 고성능 패키징 솔루션 대거 공개

반도체 후공정 전문기업 하나마이크론은 미국 텍사스주에서 열린 '2025 ECTC(전자부품기술학회)'에 참가해 차세대 고성능 패키징 솔루션을 선보였다고 12일 밝혔다. 올해 75회째를 맞은 ECTC는 IEEE(전기전자공학자협회) 산하 전자 패키징 소사이어티가 주최하는 글로벌 최대 규모의 전자 패키징 기술 컨퍼런스다. 이번 컨퍼런스에는 전 세계 20여 개국, 2천여 명의 업계 관계자와 TSMC, 인텔, ASE, IBM, 소니 등 글로벌 반도체 선도 기업들이 참석해 최신 기술 동향을 공유했다. 하나마이크론은 이번 행사에 골드 스폰서 자격으로 참가했다. 회사는 전시 부스를 운영하며 웨이퍼레벨 패키지(WLP), 플립칩 패키지(FCBGA), 시스템인 패키지(SIP), 브리지 다이 기반의 차세대 2.xD 패키징 등 주요 기술과 제품 포트폴리오를 선보였다. 또한 하나마이크론은 '인공지능 AI 패키징 기술 개발'을 주제로 총 3편의 학술 논문을 제출했으며 전체 300여 편의 발표 중 상위 20대 주요 논문으로 선정되는 성과를 달성했다. 특히 하나마이크론은 기업 발표 논문 기준으로 인텔, 엔비디아, IBM, TSMC, 소니와 함께 단 6개사만 명단에 오르며 회사의 기술력을 입증받았다. 하나마이크론이 발표한 신규 아키텍처는 AI 및 HPC(고성능 컴퓨팅)용 신호·전력 최적화를 위해 브리지 다이와 구리 포스트를 활용한 차세대 2.xD 패키징 솔루션(HICTM)으로 기존 TSV(Through-Silicon Via) 기반 패키징의 한계를 극복했다. 이 구조는 데이터 전송 경로를 단축해 기생 저항(RC)을 감소시키고 전력망 구성을 단순화함으로써 대역폭과 전력 효율을 향상시킨 점이 높은 평가를 받았다. 또 HBM3 등 고속 메모리 연결에 최적화된 확장성을 입증하며 차세대 고속 패키징 설계 방안을 제시했다. 하나마이크론은 행사 기간 중 글로벌 주요 고객에 기술 로드맵과 사업 전략을 소개하고 신규 수주 및 전략적 협업 방안을 논의하는 등 유의미한 성과를 달성했다. 이를 통해 글로벌 파트너사와 협력을 강화하고 차세대 패키징 시장을 선도해 나갈 방침이다. 하나마이크론 관계자는 “ECTC에서 당사의 혁신 기술과 연구 성과를 직접 알리고 고객사와 심도 있는 논의를 진행할 수 있어 뜻깊었다”며 “앞으로도 기술 역량 강화와 글로벌 협력을 통해 경쟁력을 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

2025.06.13 10:14장경윤

마이크론, 美 D램·HBM 공급망에 271조 '통큰 투자'…메모리 경쟁 격화

미국 마이크론이 현지 최첨단 메모리 생산 능력과 기술력 강화에 총 271조원을 투자한다. 회사의 전체 D램의 40%를 미국 내에서 생산하는 것이 목표로, AI 산업에 필수적인 HBM(고대역폭메모리) 생산 능력도 확충할 계획이다. 마이크론은 도날드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 메모리 제조에 약 1천500억 달러, 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자하겠다고 12일(현지시간) 밝혔다. 총 투자 규모는 2천억 달러(한화 271조원)에 달한다. 이번 발표로 마이크론은 기존 계획 대비 투자 규모를 300억 달러 확대하게 됐다. 추가 투자 방안으로는 아이다호주 보이시에 두 번째 첨단 메모리반도체 공장 건설, 버지니아주 매너서스의 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 이로써 마이크론은 아이다호주에 2개의 최첨단 대량 양산 공장, 뉴욕주에 최대 4개의 최첨단 대량 양산 공장, 버지니아주 제조 시설의 확장 및 현대화, 고급 HBM 패키징 라인 및 연구개발 시설 등 총 2천억 달러에 이르는 미국 내 대규모 투자 로드맵을 완성했다. 마이크론은 "이러한 투자는 시장 수요 대응 및 시장 점유율 유지, D램의 40%를 미국 내에서 생산하겠다는 목표를 달성하기 위한 설계"라며 "특히 2개의 아이다호주 제조 공장은 R&D 시설과 인접해 규모의 경제를 실현하고, HBM을 포함한 첨단 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 일조한다"고 강조했다. 마이크론의 아이다호주 첫 번째 공장은 오는 2027년부터 D램 양산을 시작할 예정이다. 두 번째 공장 역시 연말께 부지 조성을 시작하는 뉴욕주의 첫 번째 공장보다 먼저 가동될 것으로 예상된다. 아이다호주의 두 공장이 완공되면, 마이크론은 미국에 첨단 HBM 패키징 설비를 도입할 계획이다. 또한 마이크론은 칩스법에 따라 버지니아주 설비투자에 2억7천500만 달러의 자금을 지원받기로 확정했다. 해당 투자는 올해 시작된다. 미국 내 전체 투자에 대한 지원금으로는 64억 달러를 받을 예정이다. 마이크론의 투자 발표에 마이크로소프트, 엔비디아, 애플, 델테크놀로지스, 아마존웹서비스(AWS), AMD, 퀄컴 등 미국 빅테크 기업들은 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "마이크론과 트럼프 행정부의 미국 내 첨단 메모리 및 HBM 투자는 AI 생태계를 위한 중대한 진전"이라며 "마이크론의 고성능 메모리 산업 리더십은 엔비디아가 주도하는 차세대 AI 혁신을 가능케 하는 데 있어 매우 귀중하다"고 말했다.

2025.06.13 10:11장경윤

"HBM4 80개 高집적"…TSMC, 차세대 패키징 고도화

대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다. 12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다. 16개 컴퓨팅 칩에 80개 HBM 연결…기존 대비 전성비 1.7배 향상 SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다. SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다. SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩, 80개의 HBM4 모듈을 집적했다. 이로 인해 총 메모리 용량은 3.75TB(테라바이트), 대역폭은 160TB/s에 이른다. 또한 SoW-X는 동일한 수의 컴퓨팅 칩을 사용하는 기존 AI 반도체 클러스터에 비해 전력 소비량은 17% 줄어들었으며, 46% 향상된 성능을 제공할 수 있다. TSMC는 "SoW-X는 각 칩 간의 뛰어난 연결성과 낮은 소비 전력으로 기존 AI 반도체 클러스터 대비 와트(W)당 전체 성능이 1.7배 가량 개선됐다"며 "훨씬 더 많은 시스템반도체와 HBM을 통합해 시스템 전력 효율성이 향상되며, 기존 기판 연결의 어려움도 제거할 수 있다"고 설명했다. HPC·AI 시장 목표…"수요 당장 많지 않다" 지적도 TSMC는 SoW-X를 업계 표준을 능가하는 혁신적인 기술 플랫폼으로 평가하며, 차세대 고성능 컴퓨팅 및 AI 산업을 공략하겠다고 밝혔다. 다만 SoW-X 기술이 AI 메모리 시장에 미칠 여파가 당장은 크지 않다는 지적도 제기된다. HBM 탑재량이 80개로 매우 많지만, 지금 당장은 초대형 AI 반도체에 대한 수요가 제한적이라는 이유에서다. 실제로 SoW-X의 이전 세대로 지난 2020년 도입된 SoW는 테슬라·세레브라스 등 소수의 고객사만이 양산에 채택한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "테슬라의 슈퍼컴퓨팅 '도조(Dojo)' 전용 칩인 'D1'처럼, SoW-X는 완전한 커스터마이즈 칩을 위한 기술로서 니치 마켓에 부합한다"며 "워낙 많은 칩이 탑재되고 기술적인 난이도도 높아, 대중적인 AI 반도체 패키징 기술을 당장 대체하기는 어려울 것"이라고 말했다.

2025.06.12 15:54장경윤

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤

美 마이크론, 차세대 'HBM4' 샘플 출하 성공…SK하이닉스 '맹추격'

미국 마이크론이 차세대 AI 반도체를 위한 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 주요 고객사에 출하했다. SK하이닉스가 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 데 이은 두 번째 사례로 제품 상용화에 큰 진전을 이뤄냈다. 마이크론은 최근 복수의 주요 고객사에 12단 36GB(기가바이트) HBM4 샘플을 출하했다고 11일 밝혔다. 마이크론은 "이번 출하로 마이크론은 AI 산업을 위한 메모리 성능 및 전력 효율성 분야에서 선도적인 입지를 공고히 하게 됐다"며 "최선단 D램 공정과 검증된 패키징 기술 등을 기반으로 마이크론 HBM4는 고객과 파트너에 완벽한 통합을 제공한다"고 강조했다. 현재 메모리 업계는 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 성공했다. HBM4는 이르면 올 하반기부터 본격적으로 양산될 차세대 제품에 해당한다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개 집적된 것이 특징이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스도 지난 3월 핵심 고객사인 엔비디아에 HBM4 샘플을 조기 공급한 바 있다. 삼성전자의 경우 마이크론·SK하이닉스보다 한 세대 앞선 D램(1c D램; 6세대 10나노급)을 채용해 제품을 개발하고 있다. 올 하반기 개발을 완료하는 것이 목표다. 마이크론의 HBM4는 메모리 스택 당 2.0TB/s 이상의 속도와 이전 세대 대비 60% 이상 향상된 성능을 제공한다. 또한 전력 효율성은 이전 세대 대비 20% 이상 높다. 마이크론은 "HBM3E 구축을 통해 달성한 놀라운 성과를 바탕으로, 당사는 HBM4와 강력한 AI 메모리 및 스토리지 솔루션 포트폴리오를 통해 혁신을 지속적으로 추진해 나갈 것"이라며 "당사 HBM4 생산 이정표는 고객의 차세대 AI 플랫폼 준비에 맞춰 원활한 통합 및 양산 확대를 보장한다"고 밝혔다.

2025.06.11 10:07장경윤

마이크론, 美 대법원에 中 YMTC에 자료 제출 '무효화' 청원

메모리 기업 미국 마이크론과 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)간 법적 싸움이 새로운 국면에 들어섰다. 10일 톰스하드웨어에 따르면 마이크론은 최근 YMTC에 자사의 민감한 3D 낸드(NAND) 기술 관련 문건 73쪽 분량을 제출하라는 법원의 판결에 반발하며, 이를 무효화해 줄 것을 미국 대법원에 청원했다. YMTC는 지난 2023년 마이크론이 자사의 특허를 침해했다고 소송을 제기했다. 이 과정에서 YMTC는 마이크론에 3D 낸드플래시 기술 관련 자료를 요구했다. 이에 법원은 마이크론이 총 73페이지 분량의 자료를 제출하라고 요구한 바 있다. 하지만 마이크론은 최근 이 판결에 무효화를 요청한 상태다. 해당 판결이 기술 유출로 인한 국가안보 위협을 제대로 고려하지 않았다는 주장이다. 또 YMTC가 구형보다 10배 이상 많은 인쇄본을 요청했으며, 제출된 자료에는 최신·차기형 제품 관련 핵심기술 정보가 포함돼 있어 지나치다는 입장이다. 다만 법원은 정보 제출 절차와 관련해서는 법률적으로 문제가 없다고 판단했다. 마이크론이 법원 명령에 따르면 73페이지의 인쇄본은 오직 YMTC 외부 법률 대리인과 전문가만 볼 수 있다. 이 과정에서 복제, 스캔, 사진 촬영 등 복제 행위는 금지된다. 만약 마이크론의 요청을 법원이 받아드릴 경우 YMTC 측은 해당 문건을 열람하지 못하게 된다.

2025.06.10 10:14전화평

대원씨티에스, 마이크론 크루셜 P510 NVMe SSD 출시

대원씨티에스가 9일 마이크론 크루셜 P510 NVMe SSD를 국내 정식 출시했다. P510 SSD는 PCI 익스프레스 5.0 규격 기반으로 작동하며 파이슨 PS5031-E31T 컨트롤러와 마이크론 276단 TLC 낸드 플래시메모리(9세대)로 구성됐다. 최대 읽기/쓰기 속도는 2TB 모델 기준 각각 10.0GB/s, 8.70GBs이며 윈도11 다이렉트스토리지 API를 이용해 최신 게임의 대용량 텍스처 등 로딩 시간을 단축한다. TSMC 7나노급(N7) 공정에서 생산된 컨트롤러를 이용해 전력 소모는 이전 제품 대비 25% 줄였고 장시간 작동시 안정성을 높였다. 총 쓰기 용량(TBW)은 1TB 기준 600TB, 2TB 기준 1,200TB이며 무상보증기간은 구입 후 5년간이다. 전용 소프트웨어 '크루셜 스토리지 이그제큐티브'로 제품 온도/수명 등 상태 모니터링, 성능 최적화 설정, 펌웨어 업데이트, 저장 내용 완전 삭제 등 기능을 제공한다. 남혁민 대원씨티에스 본부장은 "크루셜 P510 SSD는 고성능 스토리지를 필요로 하는 모든 사용자에게 단순한 속도 이상의 가치를 제공할 수 있는 제품으로 게임 로딩 속도 단축, 콘텐츠 제작용 대용량 파일 처리, 응용프로그램 반응 속도 향상을 제공할 것"이라고 밝혔다.

2025.06.09 10:58권봉석

마이크론, 저전력 D램서 삼성·SK '선제 타격'…1c 공정 샘플 최초 출하

마이크론이 6세대 10나노급 D램 기반의 최신 저전력 D램 샘플을 출하했다. 해당 제품의 샘플 출하를 공개한 것은 마이크론이 처음으로, 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사와의 차세대 D램 경쟁에 박차를 가하고 있다. 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 LPDDR5X 샘플을 세계 최초로 고객사에 출하한다고 3일(현지시간) 밝혔다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 1c D램이라고 표현한다. LPDDR5X는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 저전력 D램으로, 주로 모바일에 활용된다. 마이크론에 따르면 이번 LPDDR5X는 10.7Gbps(초당 10.7기가비트)의 데이터 처리 속도와 최대 20%의 전력 저감 효과를 갖췄다. 패키지 두께는 0.61mm다. 마이크론은 "업계에서 가장 얇은 크기로, 경젱 제품에 비해 6% 더 얇아졌고, 이전 세대 대비 높이도 14% 줄었다"며 "이러한 소형 칩은 스마트폰 제조업체가 초슬림, 혹은 폴더블 스마트폰을 설계할 수 있는 더 많은 가능성을 열어준다"고 설명했다. 마이크론은 현재 일부 파트너사를 대상으로 1γ LPDDR5X 16GB(기가바이트) 제품 샘플링을 진행 중이다. 이르면 내년 플래그십 스마트폰에 탑재될 예정이다. 마이크론은 지난 2월에도 차세대 CPU용 1γ DDR5의 샘플을 출하한 바 있다. 주요 잠재 고객사는 AMD, 인텔 등으로 알려졌다. 한편 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 1c D램 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최초로 1c D램 기반의 16Gb(기가비트) DDR5를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 올해 중반 및 하반기 1c D램 기반의 LPDDR과 DDR5를 순차적으로 개발하는 것을 목표로 하고 있다.

2025.06.04 10:28장경윤

삼성전자, 1c D램 상용화에 '올인'…성과와 과제는

삼성전자가 1c(6세대 10나노급) D램을 성공적으로 양산하기 위한 만반의 준비에 나섰다. 컴퓨팅·서버 모바일용 제품을 동시다발적으로 개발하는 것은 물론, 수율 향상에 따른 설비투자 확대도 추진하고 있다. 다만 1c D램의 개발 상황과 양산성 확보는 '별개의 문제'라는 지적도 나온다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 ▲재설계에 따른 생산성 저하 ▲제조 공정에서 허용되는 공정 변동의 폭이 좁다는 점 등이 향후 해결해야 할 핵심 과제로 지목된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램의 상용화를 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 제품이다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 탑재할 예정이기 때문에, 차세대 메모리 사업에 있어 매우 중요한 의미를 가지고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어 올린 메모리다. 현재 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 이르렀다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4에 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 삼성전자는 이보다 한 단계 앞선 1c D램을 활용한다. D램이 HBM의 성능을 좌우하는 핵심 요소인 만큼, HBM4 시장에서 경쟁사 대비 강점을 드러내겠다는 전략으로 풀이된다. 다만 1c D램은 이제 막 개발이 진행되고 있는 제품으로, 수율이나 양산 효율성이 떨어진다는 단점을 동시에 품고 있다. DDR·LPDDR 동시 개발…1c D램 상용화 속도 의지 이에 삼성전자는 1c D램의 성공적인 시장 진입을 위해 다양한 전략을 구사하고 있다. 먼저 LPDDR(저전력 D램)을 포함한 제품의 동시다발적인 개발이다. 1c D램이 HBM에 초점이 맞춰져 있긴 하지만 삼성전자는 현재 1c D램 기반의 LPDDR 개발도 상당 부분 진척된 것으로 파악됐다. 통상 D램은 DDR, LPDDR, GDDR(그래픽 D램) 순으로 개발된 뒤 HBM에 적용한다. 삼성전자는 이 같은 관례를 깨기 위한 혁신을 시도 중이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 그래픽을 제외한 모든 영역에서 1c D램을 거의 동시 개발하고 적용하는 전략을 추진하고 있다"며 "주요 기업들과의 경쟁에서 우위를 다시 선점하려는 의도"라고 설명했다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 이 회사가 1c D램의 내부 양산 승인(PRA)을 목표로 둔 시점은 LPDDR이 올해 중순, HBM용으로 재설계를 진행한 DDR은 올 3분기께로 관측된다. 앞서 삼성전자는 HBM4용 1c D램의 높은 수율 확보를 위해 지난해 하반기부터 주변 회로의 크기를 키우는 재설계를 단행한 바 있다. 주변 회로가 커지면 칩 사이즈도 커져 웨이퍼 당 생산할 수 있는 칩의 수는 줄어들지만, 개발 난이도를 낮출 수 있다. 수율 높였지만…양산성 확보 결과 지켜봐야 덕분에 삼성전자는 내부적으로 수율 향상에 대한 자신감을 얻은 분위기다. 올해 초 1c D램의 첫 양산 라인 구축을 위한 투자를 진행한 데 이어, 최근에는 평택·화성을 중심으로 추가 설비투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 다만 삼성전자가 1c D램의 수율을 끌어올려 PRA를 마무리 하더라도, 양산 관점에서는 여전히 해결해야 할 과제들이 남아있다. 개발단에서는 소수의 특정 장비로 시제품을 생산한다. 이를 양산 공정으로 이관할 경우, 다수의 장비를 운용해야 하기 때문에 균일한 제조 환경을 구현해줘야 한다. 만약 각 장비 별로 설정이 크게 상이하면 양품을 균일하게 생산할 수 없게 된다. 때문에 양산 공정에서는 공정 변동(Process Variation)의 폭이 넓어야 양산에 유리하다. 그러나 삼성전자 1c D램은 공정 변동 폭이 이전 대비 좁은 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 1c D램은 공정 변동 폭이 좁아 일반적인 환경 대비 설정이 조금만 빗겨가도 불량이 발생해 마진을 확보하기 어렵다는 한계가 있다"며 "재설계에 따른 PRA를 비교적 수월하게 통과하더라도 양산성 확보는 다른 문제"라고 설명했다.

2025.06.02 15:02장경윤

엔비디아 '블랙웰' 칩 수요 쾌청…삼성·SK HBM 성장 기회

엔비디아가 AI 반도체 산업의 성장세를 자신했다. 미국의 대중 수출 규제 여파에도 최첨단 AI 반도체인 '블랙웰'의 수요가 강력하고, 전 세계 AI 인프라 투자가 활발히 진행되고 있기 때문이다. 초고성능 AI 반도체인 'GB300' 역시 올 3분기 초 차질없이 양산이 시작될 것으로 전망된다. 이에 따라 국내 주요 메모리 업체인 삼성전자, SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 지속적인 성장의 기회를 잡을 수 있을 것으로 기대된다. 中 수출 규제, AI 산업 성장세 등 불확실성 '해소' 이날 엔비디아는 2026년 회계연도 1분기(올해 2~4월) 매출액 440억6천만 달러를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 69%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 영업이익도 232억7천만 달러(Non-GAAP 기준)로 전년동기 대비 43%, 전분기 대비 6% 증가했다. 다만 데이터센터 매출액은 391억1천만 달러로 증권가 컨센서스(약 393억 달러)를 소폭 하회했다. 미국 트럼프 2기 행정부의 수출 규제 강화로 중국향 AI 반도체 'H20'의 판매가 전면 금지된 데 따른 영향이다. 엔비디아는 해당 규제로 1분기 45억 달러의 손실이 발생했으며, 2분기에도 80억 달러의 추가 손실이 있을 것으로 추산했다. 그럼에도 엔비디아는 2분기(5~7월) 매출 가이던스를 약 450억 달러로, 기존 증권가 컨센서스인 455억에 근접한 수준을 제시했다. H20의 수출 금지에도 최신형 AI 반도체인 블랙웰 시리즈의 수요가 견조한 덕분이다. 문준호 삼성증권 연구원은 "엔비디아의 2분기 매출 전망치는 전분기 대비 2% 증가에 그치나, H20의 손실 반영을 제외하면 14%의 성장세"라며 "그만큼 블랙웰의 수요는 같은 기간 더 좋아졌고, 이번 실적 발표에서 불확실성 요인이 다수 해소된 것도 중요한 대목"이라고 설명했다. GB300 양산 임박…SK하이닉스 HBM 훈풍 나아가 엔비디아는 올 하반기에도 전 세계 AI 인프라 투자로 인한 지속적인 성장을 자신했다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 ▲ 추론형 AI의 수요 증가 ▲ AI 확산 규정의 철폐 ▲ 엔터프라이즈 AI 시장의 본격적인 성장 ▲ 리쇼어리 정책 대두로 인한 '옴니버스' 등 산업용 AI 수요 증가 등 네 가지를 주요 배경으로 꼽았다. 견조한 AI 산업의 성장세는 국내 메모리 제조업체인 삼성전자, SK하이닉스에게도 긍정적이다. 특히, AI 반도체의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)를 엔비디아 주력으로 공급하는 SK하이닉스의 매출 확대가 두드러질 전망이다. 엔비디아는 올 하반기 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재한 최신형 AI 반도체 'GB300'를 출시할 예정이다. GB300은 이달 초 주요 CSP(클라우드서비스제공자)에게 샘플이 공급됐으며, 오는 7월께 양산이 시작될 것으로 예상된다. 엔비디아 역시 GB300에 당초 적용하기로 했던 신규 보드 플랫폼의 채용을 미루는 등 제품 안정성 강화에 만전을 기하는 분위기다. SK하이닉스와 엔비디아간 내년 HBM 공급량 협의도 마무리 단계에 접어들었다. 이르면 다음달 최종 결정이 내려질 것으로 알려졌다. 특히, 엔비디아의 차세대 AI 반도체인 '루빈'에 탑재되는 HBM4(6세대 HBM)의 가격 및 물량이 주요 변수로 작용하고 있다.

2025.05.29 14:07장경윤

엔비디아, SOCAMM 적용 '루빈'으로 연기…삼성·SK도 공급 전략 수정

엔비디아가 차세대 저전력 D램 모듈인 '소캠(SOCAMM, Small Outline Compression Attached Memory Module)' 상용화 시점을 미룬 것으로 파악됐다. 당초 목표였던 '블랙웰' 시리즈가 아닌 '루빈'부터 채용될 전망이다. 최근 AI 가속기의 성능 고도화로 안정적인 수율 확보가 어려운 가운데, 안정성을 최대한 확보하려는 전략으로 풀이된다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론도 SOCAMM 공급 일정을 조정한 것으로 알려졌다. 14일 업계에 따르면 엔비디아는 SOCAMM의 적용 시점을 'GB300'에서 차세대 제품으로 변경하는 계획을 주요 메모리 협력사에 통보했다. SOCAMM은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였다. 또한 기존 LPDDR 단품을 온보드(납땜)로 붙이는 방식과 달리 메모리를 탈부착할 수 있어, 성능 업그레이드 및 유지보수에 용이하다. 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수는 694개에 달한다. 모바일 PC 등에서 활용되는 또 다른 LPDDR 기반 모듈인 LPCAMM(I/O 수 644개) 대비 대역폭이 높아, 고용량의 데이터 처리가 필요한 AI 연산에 적합할 것으로 평가받고 있다. 엔비디아는 SOCAMM을 당초 올 하반기 출시할 예정인 GB300에 탑재할 계획이었다. GB300은 엔비디아의 블랙웰 울트라 GPU와 그레이스 CPU, 12단 HBM3E 등을 탑재한 차세대 AI 가속기다. GB300 칩의 기판 역할을 담당하는 보드도 기존 '비앙카(Bianca)'에서 '코델리아(Cordelia)'로 변경하기로 했다. 비앙카는 1개의 CPU와 2개의 GPU를 결합한 방식이다. 코델리아는 2개의 CPU와 4개의 GPU를 결합한 구조로, 인터페이스 구조나 설계 등도 모두 다르다. 그러나 엔비디아는 최근 GB300의 보드를 코델리아가 아닌 비앙카 방식으로 복귀시켰다. 아울러 저전력 D램 모듈 역시 SOCAMM이 아닌 기존 LPDDR을 온보드하는 방식으로 변경했다. 이는 최신 블랙웰 칩이 설계 및 패키징 수율 확보 과정에서 지속적으로 난항을 겪어 온 만큼, 무리한 기술적 진보를 지양하려는 것으로 풀이된다. 실제로 코델리아 보드는 데이터 손실, SoCAMM은 방열 특성 등에서 신뢰성 문제가 있었던 것으로 알려졌다. 이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 등 주요 메모리 기업들도 차세대 메모리 양산 전략을 다소 조정할 것으로 전망된다. 사안에 정통한 관계자는 "기술적 문제가 매우 심각한 수준은 아니지만, 엔비디아가 신제품 출시 일정 및 필요성 등을 고려해 SOCAMM 적용 시기를 미뤘다"며 "이를 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사에 공지한 것으로 안다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "엔비디아가 GB300에서 공급망을 늘리면서 수율 관리에 어려움을 겪고 있어, 최대한 기존 플랫폼을 활용하는 기조를 보이고 있다"며 "삼성전자, SK하이닉스 등도 SOCAMM 양산 일정을 연기하는 것으로 가닥을 잡았다"고 설명했다.

2025.05.14 14:34장경윤

삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

1분기 7.4조 쓸어담은 SK하이닉스, 2분기 '사상 최대' 영업익 쏜다

SK하이닉스의 영업이익 성장세가 2분기에도 지속될 전망이다. 주요 매출원인 D램의 출하량을 10% 이상 확대하고, 가장 최신의 HBM(고대역폭메모리) 판매 비중도 크게 늘어나기 때문이다. 기존 SK하이닉스의 분기 최대 영업이익(2024년 4분기 8조828억원)도 웃돌 가능성이 매우 유력하다. 25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 올 2분기 최소 8조원 중후반대의 영업이익을 기록할 것으로 전망된다. 2분기 영업이익, 최소 8조원 중후반대 예상…최대 실적 예고 앞서 SK하이닉스는 올 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원을 기록한 바 있다. 영업이익률은 42%로, SK하이닉스 기준 역대 최대의 수익성을 거뒀다. 주요 배경은 HBM을 비롯한 고부가 메모리 판매 확대다. 1분기 실적에 대해 SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 올 2분기 역대 최대 영업이익 경신이 확실시되는 상황이다. 메모리 출하량이 전분기 대비 두 자릿 수로 늘어나고, 최선단 HBM 출하량 비중이 크게 확대되기 때문이다. 업계가 추산하는 SK하이닉스의 해당 분기 영업이익은 8조원 중후반대에서 최대 9조원에 이른다. 현재 SK하이닉스의 최대 분기 영업이익은 지난해 4분기 기록한 8조828억원이다. D램 출하량·최선단 HBM 비중 확대가 요인 SK하이닉스는 해당 분기 D램 및 낸드 출하량을 전분기 대비 각각 10% 초반, 20% 이상 늘리겠다는 목표를 제시했다. 주요 매출원인 D램의 ASP(평균판매가격)는 제품별로 등락이 있겠으나, 전반적으로 보합세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 올 2분기 미국 관세 정책에 따른 고객사의 재고 확보 노력으로 D램과 낸드 가격이 모두 3~8%가량 상승할 것으로 내다보기도 했다. 반도체 업계 관계자는 "D램 가격에 대한 불확실성은 다소 높지만, 빗그로스(비트 생산량 증가율)이 10% 이상 증가하면서 영업이익은 또 한번 성장세를 나타낼 것"이라며 "특히 SK하이닉스는 서버용 D램, HBM3E(5세대 HBM)의 비중이 높아 수익성 측면에서는 경쟁사 대비 유리한 입지에 놓여 있다"고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 올 상반기 현존하는 가장 최신 HBM인 HBM3E 12단 제품의 비중 확대에 주력하고 있다. 2분기에는 기존 계획대로 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상을 12단으로 판매할 예정이다.

2025.04.25 08:59장경윤

TSMC, AI칩 수요 견조 재확인…삼성·SK, HBM 사업 성장세 '쾌청'

대만 파운드리 업체 TSMC가 최근 높아진 거시경제 불확실성 속에서도 당초 계획한 첨단 패키징 투자를 유지했다. AI 반도체 수요가 중장기적으로 견조할 것이라는 전망에 따른 전략이다. 주요 메모리 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 공급 과잉 우려를 덜었다는 평가와 전망이 제기된다. 21일 업계에 따르면 글로벌 빅테크의 지속적인 AI 가속기 투자에 따라 올해 삼성전자, SK하이닉스 등의 HBM 수요도 견조할 것으로 관측된다. AI 가속기 수요 굳건…TSMC, 2.5D 패키징 생산능력 2배 확대 앞서 TSMC는 지난 17일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 설비투자(CapEx) 규모를 380억~420억 달러를 제시했다. 최근 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델의 등장, 미국의 관세 압박 등으로 AI 인프라 투자에 대한 불확실성이 높아졌으나, 지난해 발표한 계획을 그대로 유지했다. TSMC는 "이전보다는 상황이 개선됐으나, AI 수요가 여전히 공급을 초과하는 상황으로 많은 설비능력 확장이 필요하다"며 "관제 및 지정학적 이슈에 대해 고객사의 행동 변화가 관찰되지 않아 기존 수요를 유지한다"고 설명했다. TSMC가 전망하는 2024~2029년 AI 가속기 관련 매출의 연평균 성장률은 45%에 달한다. 올해 매출액도 전년 대비 2배 성장할 전망이다. 이에 TSMC는 'CoWoS' 생산능력을 2배(월 7만장)로 확장할 계획이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징으로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 반도체 성능을 높이는 기술이다. 특히 고성능 시스템반도체와 HBM 등을 함께 집적하는 AI 가속기의 필수 요소로 각광받고 있다. HBM 수요 불확실성 걷어…삼성·SK·마이크론 등 대응 분주 최첨단 패키징 투자 확대는 HBM을 공급하는 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. 특히 SK하이닉스는 AI 산업을 주도하는 엔비디아는 물론, 구글·AWS(아마존웹서비스) 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 ASIC(주문형반도체)에 최신형 HBM을 공급하고 있다. 일례로 엔비디아는 올 1분기 '블랙웰' 시리즈의 최신 칩인 'GB200'를 출시했다. 구글의 경우 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 두 제품 모두 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 올해 하반기 HBM4를 탑재한 '루빈' 칩을 출시한다. SK하이닉스도 이에 맞춰 올 상반기 고부가 HBM 생산 비중을 확대하고 있다. 올 상반기 전체 HBM3E의 출하량에서 12단 제품의 비중을 절반 이상으로 확대하는 것이 목표다. 실제로 SK하이닉스 내부에서는 최선단 제품의 생산능력을 확대하기 위한 준비에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "SK하이닉스의 HBM 입지는 올해에도 유지될 것으로 예상되며, 생산 능력도 글로벌 최대 규모 수준일 것"이라며 "올 하반기는 HBM3E 12단이 주력 제품이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다. 한편 삼성전자·마이크론도 HBM 사업 확대에 매진하고 있다. 삼성전자는 HBM3E 개선품을 개발해 엔비디아와 재공급을 위한 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 올 2분기 중 결과가 나올 전망이다. 마이크론 역시 HBM3E 12단까지 개발을 완료해, 엔비디아향 공급을 추진 중이다.

2025.04.21 13:41장경윤

2분기 D램·낸드 가격, 3~8% 상승 전망…美 관세 영향

올 2분기 메모리 시장이 반등세에 접어들 것으로 예상된다. 최근 미국 정부의 관세 정책으로 업계 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사가 재고를 적극 확보하려고 나섰기 때문이다. 다만 이러한 수요는 단기적인 현상으로, 향후 반도체 관세 정책의 방향에 따라 올 하반기 메모리 시장이 크게 요동칠 전망이다. 17일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램 및 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 3~8% 증가할 것으로 관측된다. 메모리 시장은 지난 1분기 전반적인 하락세를 보인 바 있다. 해당 분기 범용 D램 가격은 8~13%, HBM(고대역폭메모리)는 0~5% 가량 하락했다. 낸드는 15~20%로 하락폭이 더 컸다. 그러나 올 2분기에는 D램과 HBM, 낸드 모두 가격이 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 지난 9일 도날드 트럼프 미국 대통령이 전 세계를 대상으로 발표한 상호 관세 정책으로 업계의 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사들이 재고 확보에 적극적으로 나서고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "미국 정부가 대부분의 지역에 90일간의 상호 관세 유예 기간을 부여하면서, 메모리 공급사와 구매자 모두 거래를 서두르고 있다"며 "이에 따라 2분기 D램과 낸드의 가격 상승폭이 예상보다 확대될 것"이라고 밝혔다. 다만 이러한 상승세는 단기적인 영향에 머무를 것으로 분석된다. 트렌드포스는 "관세 변동에 더 민감한 미국 브랜드와 수출 업체의 수요가 올 상반기까지 크게 앞당겨지면서 계절적 추세가 흐트러질 것"이라며 "결과적으로 향후 미국 관세의 향방이 올 하반기 메모리 공급 및 수요 동향과 가격 추세를 형성하는 주요 요인이 될 것"이라고 설명했다.

2025.04.18 08:48장경윤

美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

대원씨티에스, 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리 출시

대원씨티에스가 14일 데스크톱PC용 마이크론 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리를 국내 정식 출시했다. 클록드 언버퍼드 DIMM(CUDIMM)은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 지난 해 초 고성능 메모리를 위해 지정한 새로운 메모리 규격이다. 메모리 구동에 필요한 작동 클록을 직접 공급하는 집적회로인 '클록 드라이버'(CKD)를 내장했다. PC 메인보드에서 작동 클록을 공급받던 과거 대비 외부 전기적 간섭(노이즈) 없이 상대적으로 정확한 신호를 전달받아 작동한다. 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM은 인텔 코어 울트라 200S(애로우레이크) 프로세서와 메인보드 기반 플랫폼에 최적화됐다. 최대 대역폭은 DDR4-3200MHz 메모리 대비 51.2GB/s로 두 배 늘어났다. 내장 CKD로 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 타이밍을 정확히 유지하며 ECC 기술을 적용해 메모리 셀 내부에서 발생할 수 있는 비트플롭 등 오류를 교정한다. 용량은 16GB, 32GB, 64GB 세 종류이며 제품 제조/유통기간 중 이상 발생시 새 제품으로 교체 가능하다. 대원씨티에스 관계자는 "크루셜 DDR5-6400 메모리는 메모리 대역폭이 중요한 고성능 PC와 전문가용 시스템에 이상적이며 다양한 환경에 대응하는 최적의 DDR5 메모리 솔루션이 될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2025.04.14 11:35권봉석

SK하이닉스, 42년만에 삼성전자 제치고 D램 점유율 1위 등극

SK하이닉스가 창립 42년만에 삼성전자의 D램 매출액을 추월한 것으로 나타났다. 올 1분기 시장 점유율은 36%로, HBM(고대역폭메모리) 부문에서 70%에 달하는 점유율을 차지한 것이 주요 배경으로 지목된다. 9일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 1분기 전 세계 D램 시장에서 SK하이닉스가 매출액 기준 36%의 점유율로 1위를 차지했다. SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 점유율 1위를 기록한 것은 이번이 처음이다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 34%로 집계됐다. 3위 마이크론의 점유율은 25% 수준이다. 카운터포인트 최정구 책임연구원은 “이번 성과는 SK하이닉스가 HBM 메모리에 대한 수요가 끊이지 않는 시장에서 D램을 성공적으로 공급하고 있다는 점에서 중요한 이정표가 됐다”며 “특화된 HBM D램 칩의 제조는 매우 까다로운 과정이었지만, 이를 초기부터 성공적으로 생산해온 기업들이 이제 큰 성과를 거두고 있다”고 말했다. 앞서 지난 8일 잠정실적을 발표한 삼성전자는 올 1분기 D램에서 약 12~14조원 안팎의 매출을 올렸을 것으로 관측된다. SK하이닉스 역시 이와 비슷한 수준의 매출액을 기록한 것으로 보인다. 실제로 업계는 올 1분기 SK하이닉스가 삼성전자의 D램 매출액을 처음으로 역전했을 거라는 분석을 제기해 왔다. 삼성전자의 HBM 공급량이 지난해 4분기 대비 크게 감소한 것과 달리, SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 고부가 HBM의 출하량을 견조하게 유지했기 때문이다. 카운터포인트는 올해 2분기에도 D램 시장의 성장 및 업체 점유율 양상은 비슷할 것으로 전망했다. 카운터포인트 황민성 연구위원은 “전세계가 관세 영향에 주목하고 있는 상황에서 관건은 'HBM D램이 과연 어떻게 될 것인가'라는 점”이라며 “적어도 단기적으로는 AI 수요가 강세를 유지하며 관세 충격의 영향을 덜 받을 가능성이 크다. 중요한 것은 HBM의 최종 제품이 AI 서버라는 사실이며, 이는 본질적으로 국경을 넘어선 시장”이라고 설명했다. 다만 황 연구위원은 "그럼에도 불구하고 장기적으로는 HBM D램 시장의 성장이 관세 충격으로 인한 구조적인 문제에 직면할 위험이 존재한다"며 "이는 경기 침체 또는 불황까지 초래할 수 있을 것으로 전망된다"고 덧붙였다.

2025.04.09 14:34장경윤

D램·낸드 가격 '반등'…삼성·SK 숨통 틔우나

PC용 D램·낸드 시장 가격이 회복세에 접어들고 있다. AI 산업 발달에 따라 낸드 가격이 올 1분기 전반적인 상승세를 보였으며, D램의 경우 고용량 제품인 DDR5를 중심으로 가격이 상승한 것으로 나타났다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 3월 메모리카드·USB향 범용 MLC(멀티레벨셀) 128Gb 16Gx8 낸드 평균 고정거래가격은 전월 대비 9.61% 증가한 2.51달러로 집계됐다. 해당 낸드 제품의 가격은 지난해 말까지 크게 하락해 2.08달러까지 떨어졌으나, 올해 들어 3개월 연속 가격이 상승하고 있다. 대용량 TLC(트리플레벨셀) 및 QLC(쿼드레벨셀) 낸드의 감산 효과가 본격적으로 나타난 데 따른 영향이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "공급업체들이 6개월 연속 낸드 가격 하락세 이후 전략을 조정했고, AI 산업이 발전하면서 데이터센터용 eSSD 및 HDD 수요는 올 하반기 회복될 것으로 예상된다"며 "이에 따라 3월 MLC 낸드 가격은 평균 9.9% 상승했다"고 설명했다. 특히 중국 AI 시장에서 낸드 수요가 증가할 것으로 예상된다. 최근 중국은 저비용·고효율 AI 모델인 '딥시크' 출시하고 자체적인 데이터센터를 구축하는 등 미국의 규제 속에서도 AI 인프라 구축에 열을 올리고 있다. 트렌드포스는 "데이터센터용 낸드 수요 증대로 버퍼 스토리지로 사용되는 SLC(싱글레벨셀) 낸드 수요도 증가할 것"이라며 "동시에 엣지 AI 산업이 발전하면서, SLC 낸드도 2분기부터는 가격 하락을 멈추고 반등할 가능성도 있다"고 내다봤다. PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 3월 고정거래 가격은 전월과 동일한 수준을 나타냈다. 1분기 10~15%의 가격 하락세가 발생한 뒤 안정세에 접어든 것으로 관측된다. 2분기 D램 시장도 당초 예상 대비 견조한 흐름을 보일 전망이다. 트렌드포스는 2분기 PC D램 가격을 기존 3~8% 하락에서 가격 안정세로 변경했다. DDR4의 경우 비교적 수요가 약하나, 고부가 제품인 DDR5는 가격 상승 추세를 보이고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "올 상반기 메모리 공급사들이 서버용 D램 생산에 집중하면서, PC용 DDR5 공급의 제한이 예상된다"며 "특히 SK하이닉스의 고성능 DDR5 공급 부족 현상이 가격 협상에 영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 실제로 DDR5의 현물거래가격은 지난 2월부터 2개월 연속 상승세를 보이고 있다. 16Gb 제품의 3월 고정거래가격도 중국 게이밍 노트북 수요 증가, SK하이닉스의 공급 부족 등이 반영돼 12% 상승했다.

2025.04.01 11:06장경윤

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