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삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

1분기 7.4조 쓸어담은 SK하이닉스, 2분기 '사상 최대' 영업익 쏜다

SK하이닉스의 영업이익 성장세가 2분기에도 지속될 전망이다. 주요 매출원인 D램의 출하량을 10% 이상 확대하고, 가장 최신의 HBM(고대역폭메모리) 판매 비중도 크게 늘어나기 때문이다. 기존 SK하이닉스의 분기 최대 영업이익(2024년 4분기 8조828억원)도 웃돌 가능성이 매우 유력하다. 25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 올 2분기 최소 8조원 중후반대의 영업이익을 기록할 것으로 전망된다. 2분기 영업이익, 최소 8조원 중후반대 예상…최대 실적 예고 앞서 SK하이닉스는 올 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원을 기록한 바 있다. 영업이익률은 42%로, SK하이닉스 기준 역대 최대의 수익성을 거뒀다. 주요 배경은 HBM을 비롯한 고부가 메모리 판매 확대다. 1분기 실적에 대해 SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 올 2분기 역대 최대 영업이익 경신이 확실시되는 상황이다. 메모리 출하량이 전분기 대비 두 자릿 수로 늘어나고, 최선단 HBM 출하량 비중이 크게 확대되기 때문이다. 업계가 추산하는 SK하이닉스의 해당 분기 영업이익은 8조원 중후반대에서 최대 9조원에 이른다. 현재 SK하이닉스의 최대 분기 영업이익은 지난해 4분기 기록한 8조828억원이다. D램 출하량·최선단 HBM 비중 확대가 요인 SK하이닉스는 해당 분기 D램 및 낸드 출하량을 전분기 대비 각각 10% 초반, 20% 이상 늘리겠다는 목표를 제시했다. 주요 매출원인 D램의 ASP(평균판매가격)는 제품별로 등락이 있겠으나, 전반적으로 보합세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 올 2분기 미국 관세 정책에 따른 고객사의 재고 확보 노력으로 D램과 낸드 가격이 모두 3~8%가량 상승할 것으로 내다보기도 했다. 반도체 업계 관계자는 "D램 가격에 대한 불확실성은 다소 높지만, 빗그로스(비트 생산량 증가율)이 10% 이상 증가하면서 영업이익은 또 한번 성장세를 나타낼 것"이라며 "특히 SK하이닉스는 서버용 D램, HBM3E(5세대 HBM)의 비중이 높아 수익성 측면에서는 경쟁사 대비 유리한 입지에 놓여 있다"고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 올 상반기 현존하는 가장 최신 HBM인 HBM3E 12단 제품의 비중 확대에 주력하고 있다. 2분기에는 기존 계획대로 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상을 12단으로 판매할 예정이다.

2025.04.25 08:59장경윤

TSMC, AI칩 수요 견조 재확인…삼성·SK, HBM 사업 성장세 '쾌청'

대만 파운드리 업체 TSMC가 최근 높아진 거시경제 불확실성 속에서도 당초 계획한 첨단 패키징 투자를 유지했다. AI 반도체 수요가 중장기적으로 견조할 것이라는 전망에 따른 전략이다. 주요 메모리 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 공급 과잉 우려를 덜었다는 평가와 전망이 제기된다. 21일 업계에 따르면 글로벌 빅테크의 지속적인 AI 가속기 투자에 따라 올해 삼성전자, SK하이닉스 등의 HBM 수요도 견조할 것으로 관측된다. AI 가속기 수요 굳건…TSMC, 2.5D 패키징 생산능력 2배 확대 앞서 TSMC는 지난 17일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 설비투자(CapEx) 규모를 380억~420억 달러를 제시했다. 최근 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델의 등장, 미국의 관세 압박 등으로 AI 인프라 투자에 대한 불확실성이 높아졌으나, 지난해 발표한 계획을 그대로 유지했다. TSMC는 "이전보다는 상황이 개선됐으나, AI 수요가 여전히 공급을 초과하는 상황으로 많은 설비능력 확장이 필요하다"며 "관제 및 지정학적 이슈에 대해 고객사의 행동 변화가 관찰되지 않아 기존 수요를 유지한다"고 설명했다. TSMC가 전망하는 2024~2029년 AI 가속기 관련 매출의 연평균 성장률은 45%에 달한다. 올해 매출액도 전년 대비 2배 성장할 전망이다. 이에 TSMC는 'CoWoS' 생산능력을 2배(월 7만장)로 확장할 계획이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징으로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 반도체 성능을 높이는 기술이다. 특히 고성능 시스템반도체와 HBM 등을 함께 집적하는 AI 가속기의 필수 요소로 각광받고 있다. HBM 수요 불확실성 걷어…삼성·SK·마이크론 등 대응 분주 최첨단 패키징 투자 확대는 HBM을 공급하는 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. 특히 SK하이닉스는 AI 산업을 주도하는 엔비디아는 물론, 구글·AWS(아마존웹서비스) 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 ASIC(주문형반도체)에 최신형 HBM을 공급하고 있다. 일례로 엔비디아는 올 1분기 '블랙웰' 시리즈의 최신 칩인 'GB200'를 출시했다. 구글의 경우 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 두 제품 모두 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 올해 하반기 HBM4를 탑재한 '루빈' 칩을 출시한다. SK하이닉스도 이에 맞춰 올 상반기 고부가 HBM 생산 비중을 확대하고 있다. 올 상반기 전체 HBM3E의 출하량에서 12단 제품의 비중을 절반 이상으로 확대하는 것이 목표다. 실제로 SK하이닉스 내부에서는 최선단 제품의 생산능력을 확대하기 위한 준비에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "SK하이닉스의 HBM 입지는 올해에도 유지될 것으로 예상되며, 생산 능력도 글로벌 최대 규모 수준일 것"이라며 "올 하반기는 HBM3E 12단이 주력 제품이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다. 한편 삼성전자·마이크론도 HBM 사업 확대에 매진하고 있다. 삼성전자는 HBM3E 개선품을 개발해 엔비디아와 재공급을 위한 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 올 2분기 중 결과가 나올 전망이다. 마이크론 역시 HBM3E 12단까지 개발을 완료해, 엔비디아향 공급을 추진 중이다.

2025.04.21 13:41장경윤

2분기 D램·낸드 가격, 3~8% 상승 전망…美 관세 영향

올 2분기 메모리 시장이 반등세에 접어들 것으로 예상된다. 최근 미국 정부의 관세 정책으로 업계 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사가 재고를 적극 확보하려고 나섰기 때문이다. 다만 이러한 수요는 단기적인 현상으로, 향후 반도체 관세 정책의 방향에 따라 올 하반기 메모리 시장이 크게 요동칠 전망이다. 17일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램 및 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 3~8% 증가할 것으로 관측된다. 메모리 시장은 지난 1분기 전반적인 하락세를 보인 바 있다. 해당 분기 범용 D램 가격은 8~13%, HBM(고대역폭메모리)는 0~5% 가량 하락했다. 낸드는 15~20%로 하락폭이 더 컸다. 그러나 올 2분기에는 D램과 HBM, 낸드 모두 가격이 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 지난 9일 도날드 트럼프 미국 대통령이 전 세계를 대상으로 발표한 상호 관세 정책으로 업계의 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사들이 재고 확보에 적극적으로 나서고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "미국 정부가 대부분의 지역에 90일간의 상호 관세 유예 기간을 부여하면서, 메모리 공급사와 구매자 모두 거래를 서두르고 있다"며 "이에 따라 2분기 D램과 낸드의 가격 상승폭이 예상보다 확대될 것"이라고 밝혔다. 다만 이러한 상승세는 단기적인 영향에 머무를 것으로 분석된다. 트렌드포스는 "관세 변동에 더 민감한 미국 브랜드와 수출 업체의 수요가 올 상반기까지 크게 앞당겨지면서 계절적 추세가 흐트러질 것"이라며 "결과적으로 향후 미국 관세의 향방이 올 하반기 메모리 공급 및 수요 동향과 가격 추세를 형성하는 주요 요인이 될 것"이라고 설명했다.

2025.04.18 08:48장경윤

美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

대원씨티에스, 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리 출시

대원씨티에스가 14일 데스크톱PC용 마이크론 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리를 국내 정식 출시했다. 클록드 언버퍼드 DIMM(CUDIMM)은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 지난 해 초 고성능 메모리를 위해 지정한 새로운 메모리 규격이다. 메모리 구동에 필요한 작동 클록을 직접 공급하는 집적회로인 '클록 드라이버'(CKD)를 내장했다. PC 메인보드에서 작동 클록을 공급받던 과거 대비 외부 전기적 간섭(노이즈) 없이 상대적으로 정확한 신호를 전달받아 작동한다. 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM은 인텔 코어 울트라 200S(애로우레이크) 프로세서와 메인보드 기반 플랫폼에 최적화됐다. 최대 대역폭은 DDR4-3200MHz 메모리 대비 51.2GB/s로 두 배 늘어났다. 내장 CKD로 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 타이밍을 정확히 유지하며 ECC 기술을 적용해 메모리 셀 내부에서 발생할 수 있는 비트플롭 등 오류를 교정한다. 용량은 16GB, 32GB, 64GB 세 종류이며 제품 제조/유통기간 중 이상 발생시 새 제품으로 교체 가능하다. 대원씨티에스 관계자는 "크루셜 DDR5-6400 메모리는 메모리 대역폭이 중요한 고성능 PC와 전문가용 시스템에 이상적이며 다양한 환경에 대응하는 최적의 DDR5 메모리 솔루션이 될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2025.04.14 11:35권봉석

SK하이닉스, 42년만에 삼성전자 제치고 D램 점유율 1위 등극

SK하이닉스가 창립 42년만에 삼성전자의 D램 매출액을 추월한 것으로 나타났다. 올 1분기 시장 점유율은 36%로, HBM(고대역폭메모리) 부문에서 70%에 달하는 점유율을 차지한 것이 주요 배경으로 지목된다. 9일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 1분기 전 세계 D램 시장에서 SK하이닉스가 매출액 기준 36%의 점유율로 1위를 차지했다. SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 점유율 1위를 기록한 것은 이번이 처음이다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 34%로 집계됐다. 3위 마이크론의 점유율은 25% 수준이다. 카운터포인트 최정구 책임연구원은 “이번 성과는 SK하이닉스가 HBM 메모리에 대한 수요가 끊이지 않는 시장에서 D램을 성공적으로 공급하고 있다는 점에서 중요한 이정표가 됐다”며 “특화된 HBM D램 칩의 제조는 매우 까다로운 과정이었지만, 이를 초기부터 성공적으로 생산해온 기업들이 이제 큰 성과를 거두고 있다”고 말했다. 앞서 지난 8일 잠정실적을 발표한 삼성전자는 올 1분기 D램에서 약 12~14조원 안팎의 매출을 올렸을 것으로 관측된다. SK하이닉스 역시 이와 비슷한 수준의 매출액을 기록한 것으로 보인다. 실제로 업계는 올 1분기 SK하이닉스가 삼성전자의 D램 매출액을 처음으로 역전했을 거라는 분석을 제기해 왔다. 삼성전자의 HBM 공급량이 지난해 4분기 대비 크게 감소한 것과 달리, SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 고부가 HBM의 출하량을 견조하게 유지했기 때문이다. 카운터포인트는 올해 2분기에도 D램 시장의 성장 및 업체 점유율 양상은 비슷할 것으로 전망했다. 카운터포인트 황민성 연구위원은 “전세계가 관세 영향에 주목하고 있는 상황에서 관건은 'HBM D램이 과연 어떻게 될 것인가'라는 점”이라며 “적어도 단기적으로는 AI 수요가 강세를 유지하며 관세 충격의 영향을 덜 받을 가능성이 크다. 중요한 것은 HBM의 최종 제품이 AI 서버라는 사실이며, 이는 본질적으로 국경을 넘어선 시장”이라고 설명했다. 다만 황 연구위원은 "그럼에도 불구하고 장기적으로는 HBM D램 시장의 성장이 관세 충격으로 인한 구조적인 문제에 직면할 위험이 존재한다"며 "이는 경기 침체 또는 불황까지 초래할 수 있을 것으로 전망된다"고 덧붙였다.

2025.04.09 14:34장경윤

D램·낸드 가격 '반등'…삼성·SK 숨통 틔우나

PC용 D램·낸드 시장 가격이 회복세에 접어들고 있다. AI 산업 발달에 따라 낸드 가격이 올 1분기 전반적인 상승세를 보였으며, D램의 경우 고용량 제품인 DDR5를 중심으로 가격이 상승한 것으로 나타났다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 3월 메모리카드·USB향 범용 MLC(멀티레벨셀) 128Gb 16Gx8 낸드 평균 고정거래가격은 전월 대비 9.61% 증가한 2.51달러로 집계됐다. 해당 낸드 제품의 가격은 지난해 말까지 크게 하락해 2.08달러까지 떨어졌으나, 올해 들어 3개월 연속 가격이 상승하고 있다. 대용량 TLC(트리플레벨셀) 및 QLC(쿼드레벨셀) 낸드의 감산 효과가 본격적으로 나타난 데 따른 영향이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "공급업체들이 6개월 연속 낸드 가격 하락세 이후 전략을 조정했고, AI 산업이 발전하면서 데이터센터용 eSSD 및 HDD 수요는 올 하반기 회복될 것으로 예상된다"며 "이에 따라 3월 MLC 낸드 가격은 평균 9.9% 상승했다"고 설명했다. 특히 중국 AI 시장에서 낸드 수요가 증가할 것으로 예상된다. 최근 중국은 저비용·고효율 AI 모델인 '딥시크' 출시하고 자체적인 데이터센터를 구축하는 등 미국의 규제 속에서도 AI 인프라 구축에 열을 올리고 있다. 트렌드포스는 "데이터센터용 낸드 수요 증대로 버퍼 스토리지로 사용되는 SLC(싱글레벨셀) 낸드 수요도 증가할 것"이라며 "동시에 엣지 AI 산업이 발전하면서, SLC 낸드도 2분기부터는 가격 하락을 멈추고 반등할 가능성도 있다"고 내다봤다. PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 3월 고정거래 가격은 전월과 동일한 수준을 나타냈다. 1분기 10~15%의 가격 하락세가 발생한 뒤 안정세에 접어든 것으로 관측된다. 2분기 D램 시장도 당초 예상 대비 견조한 흐름을 보일 전망이다. 트렌드포스는 2분기 PC D램 가격을 기존 3~8% 하락에서 가격 안정세로 변경했다. DDR4의 경우 비교적 수요가 약하나, 고부가 제품인 DDR5는 가격 상승 추세를 보이고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "올 상반기 메모리 공급사들이 서버용 D램 생산에 집중하면서, PC용 DDR5 공급의 제한이 예상된다"며 "특히 SK하이닉스의 고성능 DDR5 공급 부족 현상이 가격 협상에 영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 실제로 DDR5의 현물거래가격은 지난 2월부터 2개월 연속 상승세를 보이고 있다. 16Gb 제품의 3월 고정거래가격도 중국 게이밍 노트북 수요 증가, SK하이닉스의 공급 부족 등이 반영돼 12% 상승했다.

2025.04.01 11:06장경윤

엔비디아, 루빈 울트라·파인만 AI칩 공개…"차세대 HBM 탑재"

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 산업의 주도권을 유지하기 위한 차세대 GPU를 추가로 공개했다. 오는 2027년 HBM4E(7세대 고대역폭메모리)를 탑재한 '루빈 울트라'를, 2028년에는 이를 뛰어넘을 '파인만(Feynman)' GPU를 출시할 예정이다. 파인만에 대한 구체적인 정보는 아직 공개되지 않았지만, '차세대 HBM(Next HBM)'을 비롯해 다양한 혁신 기술이 적용될 것으로 전망된다. 18일(현지시간) 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 미국 실리콘밸리 새너제이 컨벤션 센터에서 열린 연례행사인 'GTC 2025' 무대에 올라 AI 데이터센터용 GPU 로드맵을 발표했다. 이날 발표에 따르면, 엔비디아는 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈의 최고성능 제품인 '블랙웰 울트라'를 올해 하반기 출시한다. 해당 칩은 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재했으며, AI 성능을 이전 세대 대비 1.5배 높인 것이 특징이다. 이어 엔비디아는 HBM4를 탑재한 '루빈' 시리즈를 내년 하반기 출시한다. 루빈부터는 기존 '그레이스' CPU가 아닌 '베라' CPU가 채용된다. 루빈의 최고성능 제품인 루빈 울트라는 내후년인 2027년 하반기께 출시가 목표다. 루빈 울트라에는 HBM4E가 채용돼, 메모리 성능이 블랙웰 울트라 대비 8배나 늘어난다. 그동안 드러나지 않았던 차차세대 AI 가속기에 대한 정보도 공개됐다. 엔비디아는 루빈 이후의 제품명을 파인만으로 확정했다. 미국의 저명한 이론 물리학자인 리처드 파인만에서 이름을 따왔다. 엔비디아는 파인만에 대해 차세대 HBM(Next HBM)을 탑재한다고 기술했다. 다만 구체적인 세대명은 공개하지 않았다. 파인만은 오는 2028년 출시될 예정이다.

2025.03.19 08:43장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 30억 자사주 취득…"TC본더 1위 자신감"

한미반도체는 곽동신 회장이 지난 2월에 이어 사재로 30억원 규모의 자사주 취득계획을 발표했다고 17일 밝혔다. 취득 예정 시기는 오늘부터 약 한달 뒤인 4월 15일이다. 이번 취득이 완료되면 곽동신 회장은 2023년부터 총 423억원 규모의 자사주를 사재로 취득하게 되며 지분율은 33.97%에서 34%로 상승한다. 곽 회장은 “후발업체인 ASMPT, 한화세미텍과는 상당한 기술력의 차이가 있다고 생각한다”며 “한미반도체 TC 본더가 세계 1위의 경쟁력을 가지고 있다”고 자신했다. 그는 이어 “엔비디아가 이끄는 AI 반도체 시장의 성장에 따라 HBM용 TC본더 장비 수요는 올해도 폭발적으로 증가하고 있다"며 "SK하이닉스와 마이크론 등 전세계 고객사를 보유한 한미반도체는 45년의 업력과 120여건에 달하는 HBM용 장비 특허, 그리고 세계 최대의 HBM TC본더 생산캐파를 바탕으로 올해 TC 본더 300대 이상의 출하를 차질없이 진행할 예정”이라고 말했다. 나아가 한미반도체는 올해 하반기 신제품 FLTC 본더(플럭스리스타입)를 출시를 앞두고 있으며, 하이브리드본딩 장비도 일정에 맞춰 개발 중이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 글로벌 HBM 시장 규모는 467억 달러(약 68조원)로 2024년 182억달러(약 26조원) 대비 157% 급증할 것으로 예상된다. 이에 따라 한미반도체는 TC 본더 장비 수요에 맞춰 공급을 확대하기 위해 인천 서구 주안국가산업단지에 총 8만9천530m2 (2만7천83평) 규모의 반도체 장비 생산 클러스터를 구축할 계획이다. 지난 1월 착공한 7공장은 올해 4분기 완공할 예정으로, 올해 출시 예정인 AI 2.5D 패키지용 빅다이 TC 본더, 차세대 HBM4 생산용 신제품인 플럭스리스 본더, 하이브리드 본더 등을 생산한다.

2025.03.17 11:31장경윤

딥엑스, 독일서 마이크론 등 글로벌 기업 15여곳 협력 성과 공유

국내 AI 반도체 전문기업 딥엑스는 11일부터 14일까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 임베디드 월드에 참가한다고 12일 밝혔다. 이번 전시회에서 딥엑스는 양산 체제에 진입한 이후 진행해온 글로벌 기업들과 협력 결과를 대거 공개하며 고품질 양산 제품 제공을 위한 준비 상황을 알릴 예정이다. 딥엑스는 올해 중반부터 첫 번째 양산 제품을 출시하기 위해 양산 칩의 신뢰성 테스트 및 인증 작업에 매진하고 있다. 지난해부터 공개된 샘플 칩을 기반으로, 로봇·공장 자동화·물리보안 시스템·온프레미스 서버 등과 관련된 300여 곳 이상의 글로벌 기업과 기술 검증을 진행해 왔다. 현재 이 가운데 20여 곳이 넘는 기업에 대한 양산 준비 기술 지원을 진행하고 있다. 글로벌 시장 진출을 위해 딥엑스는 AI 모델 분석 및 설계 기획, FPGA 프로토타입 제작, 하드웨어·소프트웨어 최적화, 파운드리 MPW 실시, 700곳 이상 잠재 고객사 평가 수집, 설계 수정·개발 및 양산 체제 구축, 품질 테스트, 유통망 및 공급망 구축 등 글로벌 고객을 위한 다각도의 준비 과정을 전례 없이 공격적으로 추진해왔다. 딥엑스는 이번 임베디드 월드 전시회에서 그간 협력해 온 마이크론, 라즈베리파이, 에이온, DFI, 포트웰, SEEED, 바이오스타, 어드벤텍, 네트워크 옵틱스, 임베디드 아티스트 등 주요 하드웨어 및 소프트웨어 파트너사 부스에서 협력 결과를 공개할 예정이다. 이를 통해 딥엑스의 온디바이스 AI 시대의 리더십과 글로벌 AI 시장에서의 영향력을 보여줄 예정이다. 일례로 딥엑스는 라즈베리 파이, 식스팹(Sixfab)과 함께 AI 기능이 필요한 산업용·상업용 IoT, 프로토타이핑, 교육용 솔루션을 확장하는 동시에 산업용 하드웨어 전문 기업과의 협력으로 기업 고객들을 위한 맞춤형 솔루션 제작도 추진할 계획이다. 또한 딥엑스는 마이크론 부스에서 LPDDR4를 사용한 라즈베리 파이와 LPDDR5X를 사용하는 다양한 폼팩터(M.2, PCIe 등) 기반 자사 AI 솔루션을 선보인다. AI·IoT·에지 컴퓨팅 시장이 본격적으로 성장함에 따라, 두 회사는 차세대 메모리 기술과 AI 반도체를 결합해 폭넓은 시장 니즈를 선제적으로 공략할 예정이다.

2025.03.12 11:11장경윤

브로드컴, AI 반도체 사업 훈풍…삼성·SK도 HBM 성장 기대감

미국 브로드컴의 AI 사업이 지속 확대될 전망이다. 구글을 비롯한 핵심 고객사가 자체 데이터센터용 AI 반도체를 적극 채용한 데 따른 영향이다. 나아가 브로드컴은 추가 고객사 확보 논의, 업계 최초 2나노미터(nm) 기반 AI XPU(시스템반도체) 개발 등을 추진하고 있다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 6일 브로드컴은 회계연도 2025년 1분기에 매출 약 149억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전년동기 대비 25%, 전분기 대비로는 6% 증가했다. 증권가 컨센서스(147억 달러)도 소폭 상회했다. 해당 분기 순이익 역시 GAAP 기준 55억 달러로 전년동기(13억 달러) 대비 크게 증가했다. 브로드컴은 "AI 반도체 솔루션과 인프라 소프트웨어 부문의 성장으로 1분기 사상 최대 매출을 기록했다"며 "특히 AI 매출은 전년 대비 77% 증가한 41억 달러를 기록했고, 2분기에도 44억 달러의 매출을 예상한다"고 밝혔다. AI 매출은 브로드컴의 반도체 솔루션 사업 부문에서 AI용 주문형반도체(ASIC), AI 가속기, 서버 네트워크 칩 등을 포함한 매출이다. 브로드컴은 자체적인 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원하고 있다. 현재 브로드컴을 통해 AI 반도체의 대량 양산에 이른 고객사는 3곳이다. 브로드컴은 이들 고객사의 AI 반도체 출하량이 지난해 200만개에서 오는 28년에는 700만개로 늘어날 것으로 보고 있다. 나아가 4개의 잠재 고객사와도 양산 논의를 진행하고 있다. 브로드컴의 AI 사업 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들에게도 수혜로 작용한다. AI 가속기에 필수적으로 활용되는 HBM의 수요가 증가하기 때문이다. 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 고성능 GPU를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 그러나 최근에는 구글·메타 등도 전력효율성, 비용 등을 고려해 자체 AI ASIC 탑재량을 적극적으로 늘리는 추세다. 특히 구글은 브로드컴의 핵심 고객사로 자리 잡았다. 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E 8단을 채용하며, 이전 세대 대비 생산량을 크게 확대할 계획이다. 구글 최신형 TPU에 HBM을 양산 공급하기로 한 기업은 SK하이닉스, 마이크론으로 알려져 있다. 삼성전자도 공급망 진입을 위한 테스트를 꾸준히 진행하고 있다. 경쟁사 대비 진입이 늦어지고 있으나, 최근 테스트에서는 기존 대비 긍정적인 결과를 얻어낸 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "최근 데이터센터 업계의 트렌드는 고가의 엔비디아 AI 가속기 대신 자체 칩을 개발하는 것"이라며 "구글과 AWS(아마존웹서비스) 등이 대표적인 대항마로 떠오르고 있어, 올해부터 HBM의 수요 비중을 늘려나갈 것으로 관측된다"고 설명했다.

2025.03.07 10:13장경윤

美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

KAIST, 삼성·구글· 인텔 등과 국제학회 '최우수논문상'

인텔이나 엔비디아, 구글, AMD 등 글로벌 빅테크 기업 연구원과 엔지니어 등이 대거 참여하는 국제 학회서 국내 연구진이 최우수논문상을 수상, 관심을 끌었다. KAIST 테라랩(지도교수 김정호 전기및전자공학부 교수)은 신태인 박사(28)가 미국 실리콘밸리에서 열린 국제학회 '디자인콘(DesignCon) 2025'에서 최우수 논문상을 수상했다고 3일 밝혔다. 신 박사의 이번 수상은 지난 2022년 열린 디자인콘에서의 최우수논문상에 이어 두 번째다. 지난 2022년에는, 전체 8명에게만 주어자는 최우수 논문상을 KAIST 테라랩 소속 연구원 4명( 신태인·김성국·최성욱·김혜연)이 휩쓸어 관심을 끌었다. '디자인콘'은 반도체 및 패키지 설계 분야에서 권위를 인정받는 국제학회다. 올해 대회에서는 KAIST 외에 삼성, 구글, 인텔, AMD, 키사이트, 케이던스, 샘텍 등에서 8명이 이 상을 수상했다. 신태인 박사는 지난 해 말 접수, 채택된 전체 100여 편의 논문 중 해당 분야 기술혁신에 기여한 점을 인정받았다. 신 박사는 이 학회에서 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 전력 무결성 설계를 위해 시간 정보가 포함된 전력 잡음 지터(jitter)에 영향을 주는 설계 요소를 AI로 설계, 최적화하는 방법론을 제시했다. 신태인 박사는 “HBM 기반 패키지 시스템 설계가 갈수록 고도화 되고 있다"며 "이번 방법론이 반도체 신호 및 전력 무결성 설계의 토대를 마련하는 계기가 될 것"으로 기대했다. 한편, 김정호 교수 연구실에는 3월 기준 석사과정 17명, 박사과정 10명 등 모두 27명이 소속돼 있다. 이들은 반도체 전·후공정에 들어가는 다양한 패키지와 인터커넥션 설계를 강화·모방 학습과 같은 인공지능(AI) 머신러닝(ML)을 활용해 최적화하고 있다. 또 대규모 인공지능(AI) 구현을 위한 HBM 기반 컴퓨팅 아키텍트와 관련한 연구도 함께 진행 중이다.

2025.03.03 13:30박희범

가격 반등 성공한 DDR5…딥시크·HBM 등이 향후 변수

고성능 PC용 D램 가격이 지난달 반등에 성공한 것으로 집계됐다. 중국의 저비용·고효율 AI 모델인 딥시크의 등장으로 PC 수요가 덩달아 증가하면서, 이에 대응하는 메모리 판매량도 늘어난 것으로 분석된다. 지난달 28일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난달 DDR5 16Gb(기가비트) 제품의 평균 고정거래가격은 전월 대비 1% 상승한 3.80달러로 집계됐다. 올 1분기 PC용 D램의 고정거래가격은 전분기 대비 10~15% 하락할 것으로 관측된다.지난해 4분기에 이어 하락세를 이어간 것으로, 1분기 초 D램 공급업체들의 재고 수준이 상대적으로 증가한 것이 주된 영향으로 풀이된다. 다만 지난달에는 고정거래가격의 추가 하락이 나타나지 않았다. 미국의 추가 관세 정책에 따른 우려로 PC 제조사들이 D램 재고를 미리 확보한 데 따른 영향이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등이 HBM(고대역폭메모리) 및 모바일 D램 양산에 집중하면서, PC D램의 공급이 일시적으로 제한되고 있다. 특히 DDR5 16Gb(기가비트)의 경우 지난달 고정거래가격이 1% 상승한 것으로 나타났다. 지난해 8월 이후 지속되던 가격 하락세가 반전으로 돌아섰다. 이전 세대인 DDR4는 가격이 변동하지 않았다. 트렌드포스는 "중국 딥시크의 영향으로 고성능 GPU가 탑재된 PC 수요가 증가하면서, 5600MT/s(초당 5600만회의 데이터 전송) 이상을 구현하는 16Gb DDR5의 수요가 늘어났다"며 "주로 SK하이닉스가 공급하는 제품이나, 현재 서버 및 모바일 D램 양산에 집중하고 있어 PC용 DDR5 D램 공급에 제한이 있다"고 설명했다. 향후에도 PC용 D램 시장은 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델, 주요 메모리 기업들의 HBM 양산 전략 등에 따라 영향을 받을 것으로 전망된다. 노트북·태블릿 등 IT기기에 AI 기능이 활성화될수록, 관련 로직 및 메모리 반도체 수요를 촉진할 수 있기 때문이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 2023~2027년 생성형 AI 노트북 출하량은 연평균 59%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 전체 노트북 출하량의 연평균 성장률이 3%로 예상된다는 점을 고려하면 가파른 성장세다.

2025.03.01 08:10장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

램리서치, '新소재 증착장비' 첫 상용화…韓·美 낸드 고객사 잡았다

글로벌 반도체 장비업체인 램리서치가 최첨단 반도체 제조를 위한 '몰리브덴(Mo)' 증착장비를 세계 최초로 상용화했다. 해당 장비는 현재 미국 마이크론, 국내 주요 기업의 최첨단 3D 낸드 공정에 도입된 것으로 알려졌다. 향후에는 파운드리·D램 공정에도 적용이 가능할 전망이다. 램리서치는 20일 오후 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 회사의 최신 장비에 대해 이같이 밝혔다. 'ALTUS Halo'는 세계 최초로 몰리브덴 소재를 활용하는 원자층증착(ALD) 장비다. ALD는 원자층을 한층씩 쌓아올려 금속 배선을 형성하는 기술로, 기존 증착 방식인 화학기상증착(CVD) 대비 정밀성이 높다. ALD의 소재로는 텅스텐이 활발하게 쓰였다. 그러나 로직 및 메모리 반도체의 회로 선폭이 수 나노미터(nm) 수준으로 미세화되면서, 텅스텐보다 '비저항'이 낮은 대체 물질의 필요성이 높아지게 됐다. 비저항은 소재가 전류에 얼마나 강하게 저항하는 지 나타내는 척도다. 금속의 비저항이 낮을수록 신호 속도가 빨라져 칩의 성능은 좋아지게 된다. 램리서치는 차세대 소재인 몰리브덴에 주목했다. 몰리브덴은 텅스텐 대비 저항이 낮을 뿐만 아니라, 텅스텐과 달리 별도의 배리어층을 형성할 필요가 없어 제조 공정의 효율성을 높인다. 이에 램리서치는 세계 최초로 몰리브덴 ALD 장비를 개발해, 국내외 주요 최첨단 3D 낸드 양산 업체들에 도입을 시작했다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 셀(메모리의 최소 단위)를 높이 쌓아 만든다. 더 많은 층을 밀도 있게 제조하려면 배선 폭이 줄어들어야 하기 때문에, 몰리브덴이 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 특히 미국 주요 메모리 기업 마이크론이 해당 장비를 선제적으로 양산 적용한 것으로 알려졌다. 국내에서는 올해부터 양산 적용이 시작될 예정이다. 박태순 램리서치 KTC 센터 수석 디렉터는 "텅스텐은 금속 배선에서 지난 20년간 활발히 적용돼 왔으나, 최근 초미세공정 환경에서는 적용이 힘들어지는 소자들이 생겨나기 시작했다"며 "ALTUS Halo는 기존 질화 티타늄과 텅스텐을 결합한 증착 기술 대비 저항이 50% 감소한 것으로 나타났다"고 설명했다. 또한 램리서치는 향후 ALTUS Halo의 적용처를 로직 및 D램 분야로도 확장할 계획이다. 2나노 등 최첨단 파운드리 공정에서도 ALTUS Halo 적용을 위한 검증이 진행 중인 것으로 알려졌다. D램 분야에서는 3D D램 등에서 적용될 것으로 예상된다. 램리서치의 주요 경쟁사 역시 몰리브덴 증착 장비를 개발 중이지만, 회사는 경쟁력 확보를 자신했다. 카이한 애쉬티아니 램리서치 ALD·CVD 금속 사업 부문장 겸 부사장은 "경쟁사들도 유사 기술을 연구 중일 것이나, 램리서치는 약 7년간 몰리브덴 증착을 연구개발 해오는 등 업계를 선도하고 있다"며 "특히 낸드에서 비교적 낮은 저항이 필요한 워드라인(WL; 게이트 단자로 전압이 인가되는 라인) 제조 분야에서 독보적인 입지를 보유 중이다"고 강조했다.

2025.02.20 15:03장경윤

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 20억원 자사주 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 20억원 규모의 자사주를 취득한다고 10일 공시했다. 취득 단가는 10만6천원으로 총 20억원 규모다. 이로써 곽동신 회장은 2023년부터 이번 공시까지 포함해 총 393억원 규모의 자사주를 취득하게 되며, 지분율은 33.95%에서 33.97%로 소폭 상승하게 된다. 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC본더 시장점유율 1위를 기록하고 있는 후공정 장비업체다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 기술이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM의 제조에 필수적으로 활용된다. 특히 한미반도체의 TC본더는 현재 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아, 브로드컴에 적용되는 HBM3E 12단 제품에 적극 채용되고 있다. 주요 고객사는 SK하이닉스, 마이크론이다. 이 시각 현재 한미반도체는 전일 대비 5.85% 하락한 99만800원에 거래 중이다.

2025.02.10 14:10장경윤

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