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'마이크론'통합검색 결과 입니다. (113건)

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中 D램 업체, HBM3 개발 난항…韓 추격 아직 '시기 상조'

중국 창신메모리(CXMT)가 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 상용화 시기를 늦출 가능성이 높아지고 있다. 당초 올 상반기 상용화에 나서는 것이 목표였지만, 아직까지 관련 소재·부품 협력사에 양산 수준의 발주를 진행하지 못한 것으로 파악된다. 20일 업계에 따르면 CXMT는 당초 올해 상반기를 목표로 했던 HBM3 양산 일정에 차질을 빚고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 전세계 기준 D램 시장 점유율은 권외 수준이지만, DDR5·LPDDR5X 등 최신 규격의 D램 상용화에 성공했을 정도로 기술을 빠르게 고도화했다는 평가를 받고 있다. CXMT는 AI 데이터센터용 고성능 D램인 HBM 시장에도 문을 두드리고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리 반도체다. 전공정·후공정 모두 매우 높은 수준의 기술을 요구한다. CXMT가 중점적으로 개발 중인 제품은 HBM3다. HBM 중 4세대에 해당하는 제품으로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 속한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들은 올해 HBM4의 본격적인 양산에 돌입하고 있다. 다만 CXMT의 HBM3는 아직 테스트 단계에 머물러 있다는 게 업계의 평가다. 당초 이르면 올해 상반기에 양산에 나서는 것이 목표였으나, 사실상 일정이 지속 연기되고 있다. 현재 HBM3에 필요한 소재·부품 발주량이 샘플 제조 수준에 머무르고 있는 것으로 파악된다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT의 기술적 진보는 빠른 수준이나, HBM3 양산 일정은 계속 미뤄지고 있다"며 "개발 진척 상황을 보면 연내 양산은 어려울 것으로 관측된다"고 설명했다. 한편 CXMT는 HBM3의 코어 다이로 G4(16나노미터급) D램을 채용했다. 지난해 양산이 본격화된 D램으로, CXMT 기준으로는 최신 공정에 해당한다. D램을 층층이 이어붙이는 후공정 기술로는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 채택했다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 기술이다. 이후 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 도포한다. 현재 SK하이닉스가 MR-MUF 공정을 활용하고 있다.

2026.04.21 10:55장경윤 기자

"메모리 대란, 최소 2027년까지 계속된다"

글로벌 메모리 반도체 업체들이 메모리 생산 능력 확대에 속도를 내고 있지만, 급증하는 인공지능(AI) 수요를 따라잡기에는 역부족이라는 전망이 나왔다. 닛케이아시아는 18일 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 반도체 3사의 증산 규모가 2027년까지 수요의 60% 수준에 그칠 것으로 보인다고 보도했다. 이로 인해 메모리 칩 부족 현상은 최소 내년까지 지속될 가능성이 높은 것으로 분석됐다. 현재 주요 반도체 기업들은 AI 서버용 고대역폭 메모리(HBM) 생산에 역량을 집중하고 있다. 이로 인해 일반 PC와 스마트폰에 사용되는 DDR4와 DDR5 등 기존 D램 생산 여력이 제한되면서 전반적인 공급 부족이 심화되고 있는 상황이다. 수요 대비 공급이 약 60% 수준에 머물 것으로 예상되면서, 메모리 가격 역시 향후 몇 년간 높은 수준을 유지할 가능성이 크다. 투자 측면에서도 수급 불균형이 이어질 것으로 보인다. 주요 기업들의 설비 투자에 따른 증산율은 약 7.5% 수준에 그치고 있는 반면, 시장조사업체 카운터포인트리서치는 안정적인 공급을 위해서는 약 12% 이상의 생산 증가가 필요하다고 분석했다. 이 같은 격차는 단기간 내 해소되기 어려울 것으로 관측된다. 이러한 공급 부족은 메모리 가격 급등을 초래하며, 스마트폰, 자동차 부품 등 관련 제조업체의 수익성 악화와 생산 축소로 이어질 수 있을 것으로 분석됐다. 한편, 중국 반도체 업체들은 저사양 D램 시장에서 점유율 확대를 꾀하는 동시에 첨단 기술 투자도 병행하고 있어 글로벌 선두 기업들에게 새로운 압박 요인으로 작용하고 있다. 아울러 업계 전반이 DDR3, DDR4 등 구형 표준에서 최신 기술로 빠르게 전환하면서, 기존 메모리를 사용하는 전자제품의 부품 수급난도 더욱 심화되고 있는 것으로 나타났다.

2026.04.20 11:07이정현 미디어연구소

한미반도체, 2세대 하이브리드 본더 연내 출시

한미반도체는 2029년 본격 양산적용되는 하이브리드 본딩 수요에 발맞춰 선제적으로 대응한다고 9일 밝혔다. 한미반도체는 차세대 HBM 생산을 위한 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시하고, 고객사와 협업에 나선다. 아울러 내년 상반기 하이브리드 본더 팩토리 가동을 앞두고 있다. 앞서 한미반도체는 경쟁사보다 먼저 2020년 '1세대 HBM 생산용 하이브리드 본더'를 출시하며 핵심 기술과 검증 노하우를 축적한 바 있다. 2세대 장비는 1세대 개발 경험과 원천 기술을 집약해 나노미터 단위의 정밀도, 공정 안정성, 수율 등 완성도를 한층 높여 개발됐다. 또한 한미반도체는 하이브리드 본딩과 관련해 국내 여러 반도체 장비 기업과 플라즈마, 클리닝, 증착 기술에서 긴밀히 협력하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리(Cu) 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 솔더 범프(Solder Bump)를 제거해 패키지 두께를 줄이면서도 방열 성능과 데이터 전송 속도를 높일 수 있어, 20단 이상의 고적층 HBM에서 필요로 하고 있다. 한미반도체는 차세대 장비 생산을 위한 인프라 구축에도 속도를 내고 있다. 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 총 1000억원을 투자해 연면적 4415평(1만4570.84m2), 지상 2층 규모로 하이브리드 본더 팩토리를 지난해부터 건립 중이며, 내년 상반기 완공을 목표로 한다. 팩토리 내에는 반도체 전공정에 준하는 최고 수준의 '100 클래스(Class 100)' 클린룸이 구축될 예정이다. 해당 클린룸은 공기 중 먼지를 상단에서 바닥으로 밀어내고 벽면과 바닥에서 즉시 흡입하는 첨단 공조 기술을 적용해 나노미터 단위 초정밀 공정에 걸맞은 청정 환경을 구현한다. 한미반도체는 업계 1위인 TC 본더 공급도 공고히 할 계획이다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 HBM 패키지 높이 기준을 기존 775㎛에서 900㎛ 수준으로 완화하는 방안을 검토함에 따라, 하이브리드 본딩의 본격적인 양산 도입 시점은 2029~2030년경이 예상된다. 그 전까지 한미반도체는 HBM 다이 면적을 넓힌 '와이드 TC 본더'를 올해 하반기 출시해 시장 수요에 대응할 계획이다. '와이드 TC 본더'는 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있어 이전 기술 대비 메모리 용량과 대역폭을 확장할 수 있다. 이와 함께 한미반도체는 TC 본더로 안정적인 수익을 유지함과 동시에 하이브리드 본더의 완성도를 높이는 '투트랙' 전략을 구사한다는 계획이다. 한미반도체 관계자는 “HBM용 TC 본더 1위 노하우를 HBM용 하이브리드 본더 기술에 적용했다”며 “고객사가 차세대 HBM 양산에 돌입하는 시점에 완성도 높은 장비를 적기에 공급하겠다"고 밝혔다.

2026.04.09 09:24장경윤 기자

LG이노텍, PC CPU용 FC-BGA 양산 언제쯤?

LG이노텍의 PC 중앙처리장치(CPU)용 플립칩(FC)-볼그리드어레이(BGA) 양산은 언제 성사될 수 있을까. FC-BGA는 고부가 반도체 기판이지만, 그중에서도 면적이 큰 PC CPU용, 서버 CPU용 FC-BGA가 하이엔드 제품으로 분류된다. LG이노텍은 그간 PC 칩셋 등에 적용할 수 있는 로엔드 FC-BGA 등은 납품했지만 PC CPU용은 아직 대량 공급한 사례가 없다. PC CPU용 제품 공급이 성사되면 LG이노텍 FC-BGA 사업에 이정표가 될 수 있다. 1년 전인 2025년 4월 LG이노텍은 "2024년 PC 칩셋용 FC-BGA를 양산했다"며 "올해(2025년) PC CPU용 FC-BGA 시장에 진입하고, 이르면 내년(2026년)에 인공지능(AI)·서버용 FC-BGA를 양산하는 것이 목표"라고 밝힌 바 있다. 8일 업계에 따르면 LG이노텍은 잠재 고객과 PC CPU용 등 여러 FC-BGA 샘플을 평가 중인 것으로 파악됐다. LG이노텍의 PC CPU용 FC-BGA 납품 시점 전망은 엇갈리지만, "이르면 올해 안 양산 공급이 가능할 것"이란 예상도 나온다. LG이노텍은 PC CPU 중에서도 우선 로엔드 PC CPU용 FC-BGA 납품을 노릴 것으로 예상된다. 한 업계 관계자는 "LG이노텍이 당장은 로엔드 PC CPU용 FC-BGA 시장부터 진입할 가능성이 있다"며 "향후 관련 매출 상승과 품목 확대를 기대할 수 있다"고 밝혔다. 반도체 기판 업황은 LG이노텍에 긍정적이다. 최근 AI 산업 수요 확대로 서버 CPU용 FC-BGA 수요가 급증하자 일본 이비덴과 신코덴키, 삼성전기, 대만 유니마이크론 등 주요 반도체 기판 업체는 PC CPU용보다 수익성이 높은 서버 CPU용 FC-BGA에 주력하고 있다. LG이노텍 입장에서 PC CPU용 FC-BGA 시장에 진입할 수 있는 문이 커졌다. 삼성전기가 지난 2022년 말부터 AMD에 서버용 FC-BGA를 납품한 것도 2020년 시작된 코로나19 영향이 컸다. 당시 재택근무와 원격학습이 확대되며 FC-BGA 수요가 급등하자 CPU 시장에서 인텔보다 점유율이 낮은 AMD는 FC-BGA 공급망을 안정적으로 확보하기 위해 삼성전기, 유니마이크론 등과 서버용 FC-BGA 공급계약을 맺었다. LG이노텍은 PC CPU용 FC-BGA를 양산해야 서버용 시장에도 진입할 수 있다. 지난해 4월 LG이노텍은 "서버용 FC-BGA는 아직 양산하지 않고 있지만, 내부적으로 20층 이상 라지 바디 제품을 검증했고, 실질적 기술은 확보했다"며 "향후 (서버용 FC-BGA) 양산 관점에서 어느 정도 생산수율로 의미있게 끌고 가느냐가 중요할 것"이라고 밝히기도 했다. LG이노텍이 서버용 FC-BGA까지 양산하려면 추가 투자가 필요하다. 일반적으로 서버용 FC-BGA를 양산하려면 조 단위 투자를 집행해야 하는 것으로 알려졌다. LG이노텍은 지난 2022년 4130억원 투자 발표로 FC-BGA 시장 진출을 공식화했다. 이후에도 FC-BGA 부문에 추가 투자했지만 서버용 FC-BGA를 만들 수 있는 생산능력은 확보하지 못했다. LG이노텍은 지난달 공개한 2025년 사업보고서에서 "FC-BGA는 글로벌 고객 추가 확보로 양산 확대를 추진하고 있다"고 밝혔다. 지난해 반도체 기판 사업 영업이익률(매출 1조 7200억원, 영업이익 1288억원)은 7.5%까지 회복했다. 2024년의 4.8%보다 2.7%포인트 개선됐다.

2026.04.08 12:21이기종 기자

메모리 가격, 2분기도 상승세…삼성전자 '최대 실적' 이어진다

삼성전자가 올 1분기 사상 최대 매출과 영업이익을 거뒀다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 수요가 급증하면서, D램·낸드 가격이 전 분기 대비 80~90% 수준까지 상승한 것으로 관측된다. 2분기 전망 역시 밝다. 1분기 메모리 가격 상승폭이 예상을 웃돌았지만, 2분기에도 견조한 추가 상승세가 이어질 가능성이 크기 때문이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 가장 많은 생산능력을 보유하고 있어, 메모리 가격 상승에 따른 수익성 증대 효과를 가장 크게 볼 수 있다. 7일 삼성전자는 2026년 1분기 잠정실적 발표에서 연결기준 매출 133조원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 68.06%, 전 분기 대비 41.73% 증가했다. 영업이익은 전년 동기 대비 755.01%, 전 분기 대비 185% 증가했다. 증권가 컨센서스(매출 118조3000억원, 영업이익 38조4977억원)도 크게 상회하며 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이번 호실적은 전례 없는 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 현재 전세계 주요 IT 기업들이 AI 인프라 구축을 위해 공격적으로 투자하면서, 서버용 고부가 D램·낸드 수요가 크게 증가했다. 반면 공급업체들의 생산량 증가는 제한돼, 평균판매가격(ASP) 상승을 부추겼다. 범용 D램·낸드도 덩달아 공급난이 심화됐다. 이에 따라 1분기 D램의 ASP는 전 분기 대비 90%가량 상승한 것으로 추산된다. 낸드 역시 비슷한 수준의 가격 상승세가 실현됐을 가능성이 크다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자의 D램과 낸드 공히 90% 이상 판가 상승율을 기록했을 것으로 추정한다"며 "선두업체로서 경험에 기반한 적극적이고 과감한 가격 정책과 유리한 가격구조 설정이 전략적으로 작동했을 것"이라고 설명했다. 향후 전망도 밝다. 1분기 D램·낸드 ASP가 예상보다 크게 증가하기는 했으나, 2분기에도 가격 상승세가 견조할 것이라는 시각이 우세하기 때문이다. 삼성전자는 주요 메모리 기업 중 가장 많은 D램·낸드 생산능력을 보유하고 있다. 덕분에 범용 메모리 가격 상승에 따른 수혜를 가장 크게 입을 수 있다. 업계에선 삼성전자가 2분기에도 D램과 낸드 모두 전 분기 대비 최소 30% 수준의 ASP 상승률을 기록할 것이란 전망이 나온다. 반도체 업계 관계자는 "범용 메모리 생산능력이 가장 큰 삼성전자가 메모리 슈퍼사이클의 최대 수혜자가 될 것"이라며 "글로벌 빅테크들과 장기공급계약(LTA)도 활발히 진행되고 있어, 메모리 수요가 지속될 것이라는 전망에 힘을 보탠다"고 말했다.

2026.04.07 12:19장경윤 기자

삼성·SK HBM, 올해도 잘 팔린다...양사 도합 300억Gb 달할 듯

삼성전자, SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 올해에도 큰 폭의 성장을 이어갈 전망이다. 삼성전자의 경우 엔비디아와 브로드컴, AMD 등 고객사 수요로 출하량이 100억Gb(기가비트)를 넘길 것으로 관측된다. SK하이닉스는 최근 엔비디아향 HBM4에서 성능 논란을 겪었지만, 적정한 성능 선에서 제품을 공급하는 데 무리가 없을 것이라는 평가가 중론이다. 결과적으로 양사 모두 연초 설정했던 HBM 출하량 계획에서 큰 변동은 없을 것으로 보인다. 27일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 용량 기준 도합 300억Gb에 달할 전망이다. 삼성전자, HBM 출하량 100Gb 돌파 전망…HBM4 성과 두각 삼성전자는 올해 HBM 생산량을 지난해 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세우고 있다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 지난 16일(현지시간) 미국에서 열린 'GTC 2026'에서 "HBM 생산을 빠르게 확대하고 있다. 올해는 지난해 대비 3배 이상 수준으로 늘릴 계획"이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자의 지난해 총 HBM 출하량은 40억Gb 내외로 추산된다. 이를 고려하면 올해 출하량 목표치는 110억Gb 내외에 달할 전망이다. 실제로 삼성전자는 지난해 말께 올해 HBM 사업 전략을 구상하는 단계에서 이 같은 성장세를 자신한 것으로 전해진다. 당시 차세대 제품인 HBM4가 엔비디아로부터 긍정적인 피드백을 받았고, AMD와 브로드컴 등 타 고객사와의 공급 협의도 사실상 마무리 단계에 접어들어서다. 브로드컴은 구글, 오픈AI 등 빅테크의 AI 반도체를 위탁 생산하고 있다. 특히 엔비디아는 삼성전자 HBM4의 가장 큰 고객사가 될 전망이다. 삼성전자는 HBM의 코어 다이로 1c(6세대 10나노급) D램을, 컨트롤러 역할의 베이스 다이는 자사 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 채택했다. 두 다이 모두 경쟁사 대비 공정이 고도화됐다. 이를 토대로 삼성전자는 엔비디아가 높인 HBM4 성능 기준을 가장 먼저 충족했다는 평가를 받았다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 HBM4의 성능은 8Gbps급이었으나, 엔비디아는 이를 11.7Gbps 수준까지 요구했다. HBM3E 제품에서는 브로드컴이 가장 큰 고객사로 꼽힌다. 구글은 자체 제작한 AI 반도체 TPU(텐서처리장치)에 HBM을 탑재하고 있으며, 올해는 HBM3E 기반의 v7p 버전의 물량을 크게 확대할 것으로 알려졌다. 반대로 삼성전자의 HBM 출하량이 더 늘어날 가능성은 높지 않다는 평가다. 올해 말까지 삼성전자가 확보 가능한 1c D램의 생산능력은 월 13만장 수준이다. 이 중 대부분이 HBM에 할당된 상태로, 추가적인 생산능력 확보가 어려운 상황인 것으로 관측된다. SK하이닉스, 성능 논란 속에서도 당초 출하량 계획 변동 無 SK하이닉스의 올해 HBM 출하량은 전년(120억Gb 수준) 대비 60%가량 증가한 200억Gb 내외에 달할 전망이다. 이 중 3분의 2가량이 엔비디아에 할당된 것으로 파악된다. 상반기에는 HBM3E를 주력으로 공급하고, 하반기부터 HBM4 공급량이 확대될 예정이다. 최근 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급에 차질이 생길 수 있다는 우려에 휩싸인 바 있다. 엔비디아가 상향 조정한 HBM4 성능을 만족시키기 어렵다는 이유에서다. SK하이닉스의 HBM4는 코어다이로 1b(5세대 10나노급) D램을, 베이스다이로 TSMC의 12나노 공정을 채택했다. 삼성전자 대비 레거시(성숙) 공정에 해당한다. 실제로 SK하이닉스의 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 난항을 겪었다. 코어 다이 최상부층까지 전력이 제대로 도달되지 않는 문제가 가장 큰 요인으로 지목된다. 이에 SK하이닉스는 일부 회로를 수정하는 방안으로 개선 작업을 진행해 왔다. 다만 SK하이닉스가 당초 계획한 엔비디아향 HBM 공급량에 변동이 생길 가능성은 극히 적은 것으로 관측된다. 엔비디아가 HBM4의 성능을 최대 11.7Gbps까지 요구하기는 했으나, 10Gbps 등 하위 성능의 제품도 동시에 수급하기 때문이다. 최상위 제품만 도입하는 경우 최첨단 최신 AI 칩인 '베라 루빈'을 충분히 양산하지 못할 수 있어, 이 같은 전략을 짠 것으로 풀이된다. 곽노정 SK하이닉스 사장도 최근 열린 SK하이닉스 정기 주주총회 현장에서 "고객사와의 협의로 약간의 믹스 조정은 하고 있으나, 당초 계획했던 전체 HBM 출하량에서 큰 변화는 없다"고 밝힌 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "HBM4가 상용화 시점에 접어들면서 다양한 성능, 고객사 관련 이슈들이 떠오르고 있으나, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 당초 계획했던 HBM 출하량 변동에서 큰 조정은 없는 상황"이라며 "HBM 총 공급능력이 수요를 크게 밑도는 수준이라, 결국 양사 제품이 무난하게 잘 팔릴 것이라는 게 중론"이라고 설명했다.

2026.03.27 11:07장경윤 기자

"메모리 6분의 1로 줄인다"…구글 터보퀀트에 반도체주 휘청

구글이 인공지능(AI) 운영의 최대 걸림돌로 꼽히는 '메모리 병목 현상'을 소프트웨어 혁신으로 해결할 수 있는 차세대 압축 기술을 공개하자, 메모리 반도체 관련 기업 주가가 일제히 하락했다. 블룸버그 통신은 26일(현지시간) 구글의 신기술 발표 이후 메모리 업종 전반에 투자 심리가 위축되며 주요 기업 주가가 약세를 보였다고 보도했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 한국시간 26일 모두 하락 마감했으며, 미국 뉴욕 증시에서는 마이크론, 웨스턴디지털, 샌디스크가 7% 이상 급락했다. 최근 몇 달간 AI 인프라 투자 확대에 따른 메모리 칩 공급 부족으로 가격이 상승하면서 관련 기업 주가는 큰 폭의 상승세를 이어왔다. SK하이닉스와 삼성전자는 이달 25일까지 연초 대비 50% 이상 급등했고, 부진을 겪던 키옥시아 홀딩스 주가 역시 두 배 이상 상승했다. 이 같은 흐름 속에서 구글이 공개한 '터보퀀트(TurboQuant)' 기술이 변수로 떠올랐다. 해당 기술은 대규모 언어모델(LLM) 구동에 필요한 메모리 용량을 최소 6분의 1 수준으로 줄일 수 있는 것으로 알려졌다. 구글은 이를 통해 AI 학습 및 운영 비용 전반을 절감할 수 있다고 설명했다. 이에 따라 시장에서는 데이터센터를 운영하는 하이퍼스케일러의 메모리 수요가 감소할 수 있다는 우려가 제기됐다. 이는 장기적으로 스마트폰과 가전제품 등에 사용되는 메모리 가격 하락으로 이어질 가능성도 거론된다. 다만 전문가들은 단기 충격과 달리 중장기적으로는 수요 확대 가능성에 무게를 두고 있다. 숀 킴 모건스탠리 애널리스트는 “해당 기술은 업계의 핵심 병목을 해소하는 긍정적인 진전”이라며 “성능 저하 없이 메모리 요구량이 낮아질 경우, 쿼리 처리 비용이 크게 줄어 AI 서비스의 수익성이 개선될 것”이라고 분석했다. AI 업계에서는 비용이 낮아질수록 사용량이 증가하는 '제본스의 역설'을 근거로, 장기적으로 메모리 수요가 오히려 확대될 수 있다는 시각도 제기된다. JP모건 역시 투자자들의 단기 차익 실현 가능성은 인정하면서도, 당장 메모리 수요를 위협할 수준의 변화는 아니라는 입장을 밝혔다. 업계는 지난해 저가형 AI 모델 등장 당시에도 유사한 우려가 제기됐지만, 결국 수요 확대 논리가 우세했다고 평가하고 있다. 모건스탠리 측은 “터보퀀트는 하이퍼스케일러의 투자 효율성을 높이는 기술”이라며 “토큰당 비용이 낮아질수록 AI 서비스 채택이 늘어 장기적으로 메모리 제조업체에도 긍정적인 영향을 줄 수 있다”고 덧붙였다. 오르투스 어드바이저스의 앤드류 잭슨 애널리스트 역시 “현재와 같은 공급 제약 상황을 고려하면 이번 기술이 수요에 미치는 영향은 제한적일 것”이라고 평가했다.

2026.03.27 09:34이정현 미디어연구소

美 마이크론, 첫 5년 공급계약 따냈다…삼성·SK도 계약 준비

세계 3위 메모리 반도체 기업인 미국 마이크론이 창사 이후 처음으로 주요 고객사와 5년에 달하는 장기 공급 계약을 체결한 것으로 나타났다. 그간 메모리 산업은 분기, 혹은 최대 1년 수준의 공급계약 체결이 일반적이다. 그러나 전세계 AI 인프라 투자로 메모리 공급난이 극심해지면서, 수년 간의 물량 및 가격을 보장받으려는 고객사 수요가 늘어나고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 글로벌 빅테크 기업들과 이미 3~5년 간의 장기 공급 계약을 추진 중인 것으로 파악된다. 마이크론, AI 수요로 D램·낸드 모두 '어닝 서프라이즈' 마이크론은 18일(현지시간) 회계연도 2026년 2분기(2월 종료) 매출액 238억6000만 달러, 영업이익 164억4000만 달러를 기록했다고 밝혔다. 이는 사상 최대 분기 매출이며 전년동기 대비 196.3%, 전분기 대비 74.9% 증가한 수치이다. 영업이익은 각각 719.9%, 156.3% 급증했다. 증권가 컨센서스(매출 197억 달러, 영업이익 121억 달러) 또한 크게 상회했다. 마이크론은 주요 사업군인 D램과 낸드에서 모두 견조한 성장을 거뒀다. 해당 기간 D램과 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 각각 60% 중반, 70% 후반대로 증가했다. 다음 분기 전망치도 긍정적이다. 회사가 제시한 매출 가이던스는 중간값 기준 335억 달러로, 컨센서스인 236억6000만 달러를 앞섰다. 이번 호실적은 AI 인프라 투자 확장으로 서버용 D램, eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 수요가 폭증한 데 따른 효과로 풀이된다. 반면 메모리 제조업체의 생산능력 확대는 제한적인 상황으로, 극심한 공급난을 부추기고 있다. 메모리 산업지형 변화…삼성·SK도 3~5년간 장기공급 계약 추진 이에 마이크론은 메모리 사업에서 중요한 변곡점을 맞았다. 단기적인 수요·공급 구조에서 벗어나, 고객사와의 연간 단위의 장기 계약에 따른 주문 생산 방식으로 나아가고 있다. 마이크론은 "당사는 처음으로 5년짜리 전략적 고객 계약(SCA) 체결을 완료했다"며 "이는 기존 장기계약과 달리 수년간의 구체적인 약정을 포함해 사업 가시성과 안정성을 높이는 구조"라고 강조했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 이미 비슷한 동향을 보이고 있다. 전영현 삼성전자 부회장은 18일 정기 주주총회 현장에서 "고객사들과의 공급 계약을 분기, 연 단위가 아닌 3~5년간의 다년 공급 계약으로 전환하는 것을 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 역시 수년 간의 장기 공급을 논의 중인 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 글로벌 빅테크 기업들과 최소 3년 단위의 D램 공급 계약을 논의하고 있는 것으로 안다"며 "체결 시 공급 규모나 구체적인 계약 조건 등이 나오게 될 것"이라고 설명했다.

2026.03.19 09:03장경윤 기자

마이크론, 엔비디아 '베라 루빈'향 HBM4 공급 공식화…"1분기 대량 양산"

미국 메모리 기업 마이크론이 최근 불거진 고대역폭메모리(HBM) 성능 논란에 대해 정면 반박했다. 엔비디아의 최신 AI 가속기향으로 개발한 자사 HBM4(6세대 HBM)가 대량 양산(High-Volume Production) 체제에 돌입했음을 공식적으로 밝혔다. 마이크론은 엔비디아 '베라 루빈(Vera Rubin)'향으로 36GB 12단 HBM4의 양산을 올 1분기 시작했다고 16일(현지시간) 밝혔다. 마이크론은 "HBM4를 통해 11Gb/s 이상의 핀 속도를 달성해 2.8TB/s 이상의 대역폭을 제공한다"며 "이는 HBM3E 대비 2.3배의 대역폭과 20% 이상의 전력 효율성 향상을 의미한다"고 설명했다. 또한 마이크론은 HBM4 16단 샘플을 고객사에 출하했다. 16단 HBM은 내부의 각 D램을 더 밀도있게 적층해야 하기 때문에, 고도의 패키징 기술이 요구된다. 수밋 사다나 마이크론 수석 부사장은 "엔비디아와의 긴밀한 협력을 통해 컴퓨팅과 메모리가 처음부터 함께 확장될 수 있도록 설계하고 있다"며 "이러한 혁신의 핵심에는 AI의 엔진인 마이크론의 HBM4가 있고, 이는 전례 없는 대역폭과 용량, 전력 효율성을 제공한다"고 밝혔다. 그는 이어 "HBM4와 업계 최초의 SOCAMM2 및 Gen6 SSD가 대량 생산에 돌입하면서, 마이크론의 메모리와 스토리지는 차세대 AI의 잠재력을 최대한 발휘할 수 있는 핵심 기반을 형성한다"고 강조했다. 마이크론의 이번 발표는 최근 불거진 HBM4 성능 논란을 불식시키기 위한 것으로 풀이된다. 앞서 반도체 업계는 마이크론의 엔비디아향 HBM4 상용화 일정이 다소 지연될 것이라는 의견을 제기해 왔다. 엔비디아가 HBM4에 필요한 성능 기준을 강화하면서, 국내 기업 대비 뒤쳐진 공정을 채택한 마이크론이 기술적으로 한계에 부딪혔다는 시각에서다. 마이크론은 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b(5세대 10나노급) D램을 코어 다이로 활용한다. 컨트롤러 역할의 베이스 다이도 기존과 마찬가지로 D램 공정에서 양산한다. 현재 삼성전자는 자사 파운드리 4나노미터(nm) 공정을, SK하이닉스가 TSMC 12나노 공정을 활용하고 있다. 한편 마이크론의 SOCAMM2는 엔비디아 베라 루빈 NVL72 시스템 및 독립형 엔비디아 베라 CPU 플랫폼 용으로 설계됐다. CPU 당 최대 2TB의 메모리와 1.2TB/s의 대역폭을 지원한다.

2026.03.17 09:01장경윤 기자

차세대 HBM '두께 완화' 본격화…삼성·SK 본딩 기술 향방은

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 주요 반도체 기업들이 20단 적층이 필요한 차세대 고대역폭메모리(HBM) 두께 표준을 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 올해 본격 상용화되는 HBM4(6세대 HBM)의 두께인 775마이크로미터(μm)를 넘어, 825~900마이크로미터 수준까지 거론되고 있는 상황이다. 6일 지디넷코리아 취재를 종합하면 국제반도체표준화기구(JEDEC) 참여사들은 차세대 HBM의 두께를 기존 대비 크게 완화하는 방안을 논의 중이다. 차세대 HBM 두께 표준, 825~900μm 이상 논의 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 각 D램 사이를 미세한 범프로 연결한 차세대 메모리다. 앞서 HBM 표준은 HBM3E까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4의 D램 적층 수가 12단·16단으로 이전 세대(8단·12단) 대비 더 많아진 것이 주된 영향을 미쳤다. 나아가 업계는 HBM4E·HBM5 등 D램을 20단 적층하는 차세대 HBM의 표준 두께 완화를 논의하고 있다. 현재 거론되고 있는 두께는 825마이크로미터에서부터 900마이크로미터 이상이다. 900마이크로미터 이상으로 표준이 제정되는 경우, 이전 상승폭을 크게 상회하게 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "JEDEC에서는 제품이 상용화되기 1년~1년 반 전에 중요한 표준을 제정해야 하기 때문에, 현재 차세대 HBM 두께에 대한 논의가 활발히 진행되고 있다"며 "벌써 900마이크로미터 이상의 두께까지 거론되는 상황"이라고 말했다. JEDEC은 반도체 제품의 규격을 정하는 국제반도체표준화기구다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업은 물론 인텔, TSMC, 엔비디아, AMD 등 전세계 주요 반도체 기업들이 참여하고 있다. 당초 업계는 HBM의 두께 상승을 매우 엄격히 제한해 왔다. HBM이 무한정 두꺼워질 경우, 함께 수평으로 집적되는 GPU 등 시스템반도체와의 두께를 동일하게 맞추기 어려워진다. D램 간 간격이 너무 멀어지면 데이터 전송 통로가 길어져, 성능 및 효율이 저하되는 문제도 발생한다. 때문에 메모리 기업들은 HBM 두께를 완화하기 위한 갖가지 기술을 시도해 왔다. 코어 다이인 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이기 위한 본딩 기술 등이 대표적이다. 메모리·파운드리 모두 HBM 두께 표준 완화 원해 그럼에도 반도체 업계가 차세대 HBM의 두께 완화를 적극 논의하는 데에는 크게 두 가지 이유가 있다. 우선 차세대 HBM이 20단으로 적층되기 때문이다. 기존 업계에서 채용해 온 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이는 본딩 기술 등으로는 HBM을 더 얇게 만드는 데 한계를 보이고 있다. 주요 파운드리 기업인 TSMC의 신규 패키징 공정도 영향을 미치고 있다는 분석이다. 현재 TSMC는 HBM과 GPU를 단일 AI 가속기로 패키징하는 2.5D 공정(CoWoS)을 사실상 독점으로 수행하고 있다. 2.5D란, 칩과 기판 사이에 넓다란 인터포저를 삽입해 패키징 성능을 높이는 기술이다. TSMC가 구상 중인 2.5D 패키징의 다음 세대는 'SoIC(system-on-Integrated Chips)'다. SoIC는 시스템반도체를 매우 미세한 간격으로 수직(3D) 적층한다. AI 가속기에 적용되는 TSMC-SoIC의 경우 적층된 시스템반도체와 HBM을 결합하는 구조다. TSMC-SoIC가 적용되면 시스템반도체의 두께는 기존 775마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상 두꺼워지게 된다. HBM의 두께 표준도 자연스럽게 완화될 수밖에 없는 구조다. 현재 엔비디아·아마존웹서비스(AWS) 등이 TSMC-SoIC 채택을 계획 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "단순히 메모리 공급사만이 아닌, 파운드리 기업 입장에서도 차세대 HBM 두께 완화에 대한 니즈가 있다"며 "실제 채택 가능성을 확언할 수는 없는 단계이지만, 주요 기업들 사이에서 논의가 오가는 것은 사실"이라고 설명했다. 업계 "하이브리드 본딩 수요 낮아질 수 있어" 업계는 해당 논의가 하이브리드 본딩과 같은 신규 본딩 공정의 도입 속도를 늦추는 요인이 될 것으로 해석하고 있다. 본딩은 HBM 내부의 각 D램을 접합하는 공정으로, 현재는 열과 압착을 이용한 TC 본딩이 주류를 이루고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아 D램간 간격이 사실상 '0'에 수렴한다. HBM 전체 패키지 두께를 줄이는 데 매우 유리한 셈이다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 매우 높다. ▲각 칩을 공백없이 접합하기 위해서는 칩 표면의 미세한 오염물질을 모두 제거해야 하고 ▲칩 표면을 완벽히 매끄럽게 만드는 CMP(화학기계연마) 공정 ▲각 구리 패드를 정확히 맞물리게 하는 높은 정렬도를 갖춰야 한다. 20개에 달하는 칩을 모두 접합하는 과정에서 수율도 급격히 하락할 수 있다. 때문에 주요 메모리 기업들은 하이브리드 본딩을 지속 연구개발해왔으나, 아직까지 HBM 제조 공정에 양산 적용하지는 않고 있다. 하이브리드 본딩을 가장 적극적으로 개발 중인 삼성전자도 빨라야 HBM4E 16단에서 해당 기술을 일부 적용할 것으로 전망된다. 이러한 상황에서 차세대 HBM의 두께 표준이 완화되면 메모리 기업들은 TC 본더를 통한 HBM 양산을 지속할 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "업계에서는 HBM 두께가 50마이크로미터 이상만 완화돼도 20단 적층 HBM을 구현할 수 있다는 의견도 나오고 있는 상황"이라며 "하이브리드 본딩이 도입되더라도 기존 설비를 전면 교체할 수 없고, 투자에 막대한 비용이 드는 만큼 메모리 기업들이 차세대 HBM 두께 완화에 우호적인 것으로 안다"고 말했다.

2026.03.06 10:41장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 印 반도체 공장 오픈식 참석...핵심 협력사 지위 굳건

한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석했다고 3일 밝혔다. 이번 마이크론 인도 공장 오픈식에는 나렌드라 모디 인도 총리가 참석해 기념사를 발표했으며, 인도 정부 관계자, 마이크론 산자이 메로트라 회장과 주요 임원진 등이 대거 참석했다. 한미반도체는 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사로 초청받으며 핵심 협력사의 위상을 확립했다. 마이크론 인도 공장은 총 27억5000만 달러(약 4조원)가 투자된 첨단 패키징 공장이다. 인도 반도체 산업 육성을 위해 인도 정부가 50%, 구자라트주가 20%의 보조금을 각각 지원하며 국가 전략 프로젝트로 추진됐다. 50만 평방피트(약 1만4000평)에 달하는 세계 최대 규모의 단일층 클린룸을 갖추고 있으며, 이는 축구장 7개 규모에 달하는 면적이다. 앞으로 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 기업용 eSSD(기업용 SSD) 등 고성능 AI 메모리의 테스트, 패키징 거점으로 운영될 계획이다. 현재 인도 구자라트에서 생산하고 있는 DDR5 D램은 마이크론 최첨단 D램 공정이 적용된 최신의 1감마 공정 제품으로 올해 수천만 개의 칩을 패키징·테스트를 시작하고 내년에는 수억 개로 생산량을 확대할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 AI 메모리 반도체칩을 적층 생산하는 TC본더와 같은 첨단 반도체 패키징 장비에 약 1조원에서 2조원이 투자될 예정이다. 인도 반도체 미션의 승인을 받은 첫 번째 프로젝트이자 인도 최초의 반도체 공장이라는 역사적 의미도 지닌다. 이는 인도가 글로벌 반도체 공급망에서 핵심 제조 거점으로 도약하는 중요한 이정표로 평가받는다. 인도 정부는 '세미콘 인디아' 정책을 통해 약 100억 달러(약 14조5000억원) 규모의 보조금을 가동하며 글로벌 반도체 제조 허브로 도약을 추진하고 있다. 신규 공장의 안정적 가동을 위해서는 첨단 정밀 본딩 기술과 신속한 기술 지원이 필수적이다. 한미반도체는 마이크론의 핵심 협력사로서 인도 현지에 엔지니어를 파견해 밀착형 기술을 지원하고, 교육 프로그램을 운영하는 등 장기적 협력을 이어나갈 방침이다. 지난해 한미반도체는 마이크론으로부터 '탑 서플라이어'상을 수상하며 최우수 협력사로 선정된 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 인도 공장 오픈식과 라운드 테이블 참석은 한미반도체가 글로벌 반도체 공급망의 핵심 협력사로서 위상을 다시 한번 인정받는 계기”라며 “인도 현지에 엔지니어를 파견하고 적극적인 기술을 지원으로 고객 만족을 위해 노력하겠다”고 밝혔다.

2026.03.03 08:51장경윤 기자

노태문 사장 "마이크론 60%는 오보…갤S26 주력은 삼성 메모리"

“갤럭시S26 계열에서 가장 많은 부분은 삼성 반도체 메모리를 사용하고 있습니다.” 노태문 삼성전자 DX부문장(사장)은 현지시간 25일 미국 샌프란시스코 '갤럭시 언팩 2026' 이후 진행된 기자간담회에서 D램 채택 비중에 대해 이같이 말했다. 같은날 외신에서 보도된 '마이크론 D램 채택 비중 60%' 관련 기사에 대한 반응이다. 노 사장은 “메모리뿐만 아니라 주요 부품은 오랫동안 여러 파트너사와 전략적으로 협력한다”며 “협력 관계 하에서 다양한 공급처를 동시에 활용하는 게 기본 전략”이라고 말했다. 그러면서 “메모리도 여기에 포함되는데, 해당 기사는 오보인 것 같다”고 선을 그었다. 앞서 삼성전자는 마이크론을 1차 공급사로 선정한 바 있다. 마이크론이 지난해 상반기 공개된 갤럭시S25 시리즈에 탑재되는 LPDDR5X(저전력 D램)의 초기 물량에서 가장 많은 비중을 차지한 것이다. 마이크론은 이전 10여년 동안 2차 공급사였다. 이후 삼성전자 DS부문이 1차 공급사 지위를 되찾아 왔다. 당시 한 집 식구에게 외면받을 정도로 삼성전자의 메모리 경쟁력이 떨어졌던 셈이다. 2년 만의 화려한 귀환…"엑시노스, 플래그십 기대치 충족했다" 부품 공급망 안정화를 강조한 노 사장은 이번 갤럭시S26 시리즈에 자사 AP인 '엑시노스'를 2년 만에 다시 채택한 배경에 대해서도 입을 열었다. 삼성전자는 이번 시리즈 중 일반과 플러스 모델 등에 지역별로 엑시노스를 병행 탑재했다. 노 사장은 “플래그십 AP 전략은 공급, 성능, 안정성, 지역별 사용 시나리오를 모두 감안해 결정한다”며 “이번에 탑재된 엑시노스가 삼성전자의 엄격한 기대 목표치를 충분히 달성했기에 채택하게 된 것”이라고 설명했다. 이는 최근 불거진 칩셋 수급 불균형과 원가 상승 압박 속에서 자사 칩셋의 성능 경쟁력을 입증함과 동시에, 특정 업체에 대한 의존도를 낮춰 협상력을 확보하려는 전략으로 풀이된다. 역대 최고가 경신에도 "국내 출고가 여전히 글로벌 최저 수준" 가장 민감한 대목인 '가격 인상'에 대해서도 노 사장은 정면 돌파를 택했다. 갤럭시 S26 울트라 256GB 모델의 출고가는 179만7400원으로 전작 대비 약 5.8% 올랐으며, 1TB 모델은 254만5400원으로 약 20%나 급등했다. 노 사장은 “지난 몇 년간 환율 상승 압력에도 국내 시장 가격을 동결하며 고객 부담을 최소화하려 노력해왔지만, 최근 환율 및 부품 비용의 동반 상승으로 인해 불가피하게 조정을 결정했다”고 밝혔다. 이어 “그럼에도 불구하고 국내 출고가는 글로벌 주요 시장과 비교했을 때 가장 경쟁력 있는 수준을 최대한 유지하고 있다”며 한국 시장에 대한 배려를 강조했다. 실제로 삼성전자는 엑시노스 채택과 전략적 부품 소싱을 통해 인상 폭을 억제하려 노력한 것으로 알려졌다. 노 사장은 “기술 혁신을 통해 부품 개수를 줄이거나 수율을 개선하는 등 원가 인상 요인을 관리하고 있다”며 “갤럭시S26 시리즈는 전작을 뛰어넘는 판매 실적을 목표로 글로벌 시장에서 AI 리더십을 확고히 할 것”이라고 자신감을 드러냈다. 삼성전자는 갤럭시의 국내 가격 수준을 유지하기 위해, 파트너들과 중장기적으로 협력한다는 방침이다. 노 사장은 “국내 가격은 글로벌 주요 시장과 비교했을 때 가장 경쟁력 있는 수준을 유지하기 위해 모든 노력을 다하고 있다”며 “원칙적으로 한국 시장의 출고가를 가장 저렴한 수준으로 책정하겠다는 기조에는 변함이 없으며, 이번 갤럭시S26 시리즈 역시 그러한 기조 하에 결정된 것”이라고 역설했다. 이어 “오랫동안 전략 파트너사들과 중장기 협력 및 계약을 하며 가격이 오르는 것을 막고 있다”며 “수율 개선 등 여러 노력이 반영된 결과”라고 덧붙였다. 아울러 일부 국가나 채널에서 일시적으로 가격이 낮아 보이는 특수 상황이 발생할 수는 있으나, 기본적으로 한국 고객들에게 최상의 혁신을 가장 합리적인 조건으로 제공하겠다고 약속했다. 노 사장은 “부품값 상승이라는 파도를 기술 혁신과 전략적 파트너십을 통해 최대한 관리해 나갈 것”이라며 “단순히 기기를 파는 것에 그치지 않고, 갤럭시 AI를 통해 전 연령층이 일상에서 실질적인 혜택을 누릴 수 있도록 끝까지 책임지겠다”고 말했다.

2026.02.26 11:00전화평 기자

인도, 수년 내 2나노 반도체 도전…첨단 제조 전환 선언

인도가 수년 내 첨단 반도체 생산에 나선다는 계획을 밝혔다. 블룸버그는 인도가 28nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정에서 2나노 공정으로의 전환을 추진하고 있다고 현지시간 14일 보도했다. 아슈위니 바이슈나우 인도 연방 기술부 장관은 이날 타임스그룹 글로벌 비즈니스 서밋에서 "28나노 칩 생산에서 2나노로 전환하는 것이 목표"라며 "서두르지 않고 단계적으로 추진하겠다"고 말했다. 뉴델리는 조만간 새로운 반도체 제조 육성 정책을 발표할 예정이다. 새 정책에는 추가 자금 지원이 포함되며, 특히 반도체 설계 분야에 초점을 맞춘다. 최소 50개 이상의 인도 딥테크 기업이 참여할 것으로 예상된다. 올해 안에 인도 내 3개 반도체 공장이 상업 생산을 시작할 예정이다. 이는 인도가 본격적인 제조 기반을 구축하는 첫 단계로 평가된다. 현재 인도의 반도체 산업은 초기 단계다. 정부는 100억달러 규모의 펀드를 조성해 반도체 육성 프로그램을 지원해 왔다. 이를 통해 조립·패키징·테스트 중심의 여러 프로젝트가 진행되고 있다. 글로벌 기업도 인도 진출에 나섰다. 마이크론은 나렌드라 모디 총리의 고향인 구자라트주에 공장을 설립했다. 타타그룹 역시 국내에서 실리콘 웨이퍼를 생산할 10개 제조업체 가운데 하나로 참여하고 있다. 인도 정부는 설계 중심의 기존 생태계를 넘어 첨단 공정 제조 역량까지 확보해 기술 산업 전반을 확장한다는 전략이다. 2나노 공정 도전이 현실화될 경우, 인도는 글로벌 반도체 공급망에서 새로운 변수로 부상할 가능성이 있다.

2026.02.16 11:55전화평 기자

삼성·SK·마이크론, 엔비디아향 HBM4 퀄 2분기 완료

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들이 HBM4 상용화를 앞두고 있다. 3사 모두 올 2분기 엔비디아향 HBM4 최종 퀄테스트를 마무리할 것으로 전망된다. 특히 삼성전자는 가장 높은 제품 안정성으로 가장 빠른 성과를 나타낼 가능성이 높다고 평가 받고 있다. 올해 출하량 역시 전년 대비 가장 큰 폭의 성장이 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 주요 메모리 기업들은 올해 HBM4 상용화와 함께 전체 HBM 시장 점유율에 변동을 보일 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 가장 최신 세대인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화 준비에 매진하고 있다. 해당 HBM은 엔비디아가 올해 하반기 출시하는 AI 가속기 '루빈' 칩에 탑재된다. 트렌드포스는 "메모리 기업들은 HBM4 검증의 최종 단계에 있고, 올해 2분기 검증 완료를 목표로 하고 있다"며 "삼성전자는 뛰어난 제품 안정성을 바탕으로 가장 먼저 인증을 획득할 것으로 예상된다. 나머지 기업들도 곧이어 인증을 획득해 엔비디아향 HBM4 공급망은 3개 기업이 생태계를 구축할 것"이라고 밝혔다. 이와 관련, 삼성전자는 지난 12일 메모리 기업 중 가장 먼저 HBM4 양산 출하를 발표한 바 있다. 세부적으로, 최종 검증을 완료하기 전 선제적으로 제품을 양산하는 '리스크 양산'에 해당한다. SK하이닉스 등도 이달 리스크 양산 제품을 엔비디아향으로 출하할 것으로 알려졌다. 업계는 삼성전자의 HBM4 제품이 11.7Gbps 이상의 높은 성능을 가장 안정적으로 구현한다고 평가하고 있다. 트렌드포스가 삼성전자의 인증 속도가 가장 빠를 것이라고 분석한 이유다. 다만 엔비디아는 루빈 칩을 적기 출시하기 위해 많은 양의 HBM4 물량이 필요한 상황이다. 때문에 엔비디아는 HBM4에 요구되는 성능 완화 등을 통해 3개 메모리 공급사 모두를 HBM4 공급망에 포함시킬 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "단일 공급업체가 루빈향 HBM4 요구 사항을 완전히 충족할 수 없다는 점 등 전략적 필요성을 고려해, 엔비디아가 주요 메모리 공급사를 모두 HBM4 공급망에 포함시킬 것"이라며 "선두를 달리는 삼성전자는 2분기 검증 완료 후 단계적으로 양산에 들어갈 것으로 예상된다"고 말했다. 이에 따라 HBM4를 포함한 전체 HBM 시장에서 삼성전자의 점유율은 지난해 20%에서 올해 28%로 상승할 전망이다. 마이크론도 지난해 20%에서 올해 22%로 소폭 상세가 예상된다. 반면 SK하이닉스는 경쟁사 진입 확대로 HBM 시장 내 점유율이 지난해 59%에서 올해 50%로 감소할 것으로 관측된다.

2026.02.16 07:45장경윤 기자

마이크론, AI 수요 겨냥한 서버용 PCIe 6.0 SSD 양산

미국 메모리 반도체 업체인 마이크론이 서버·데이터센터용 PCI 익스프레스 6.0 SSD 양산에 돌입했다. AI 확산으로 초고속 데이터 처리 수요가 급증하는 가운데 차세대 인터페이스 기반 스토리지 시장 선점 경쟁이 본격화하는 양상이다. 마이크론이 공개한 9650 SSD는 PCI 익스프레스 6.0 규격을 적용한 서버용 SSD 중 가장 먼저 나온 제품이다. 최대 읽기·쓰기 속도를 이전 규격 제품 대비 최대 두 배 끌어올렸다. 마이크론은 9650 SSD가 대량생산 단계에 들어가 주요 제조사와 AI 데이터센터 고객사 검증 작업을 진행중이라고 밝혔다. 단 이는 서버용 제품이며 일반 소비자용 PCI 익스프레스 6.0 제품이 나오기까지는 상당한 시간이 걸릴 것으로 보인다. PCI-SIG, 2022년 1월 PCIe 6.0 규격 확정 PCI 익스프레스는 프로세서와 그래픽카드, NVMe SSD와 AI 가속기 등 PC·서버 주요 부품을 빠르게 잇는 다리 역할을 한다. 이를 관리하는 곳은 Arm, AMD, 퀄컴, 엔비디아, 인텔, 델테크놀로지스 등 PC와 서버, 반도체 업계 주요 관계사 1천여 개 이상이 참여한 표준화 단체인 PCI-SIG다. PCI-SIG는 2022년 1월 각 회원사 의견 수렴을 거쳐 PCI 익스프레스 6.0 규격을 최종 확정했다. 신호 전송 방식을 바꿔 1개 레인(PCI 익스프레스 데이터 전송 경로)당 전송 속도를 최대 8GB/s까지 끌어올렸다. 이는 PCI 익스프레스 4.0(2GB/s) 대비 네 배, PCI 익스프레스 5.0(4GB/s) 대비 두 배 향상된 것이다. 16개 레인을 모두 활용하면 초당 최대 128GB/s를 전송할 수 있어 데이터센터나 서버의 병목현상 제거에 활용될 것으로 예상됐다. 마이크론, 지난해 발표 후 1년 반만에 상용화 마이크론은 2024년 8월 FMS 2024에서 PCI 익스프레스 6.0 기반 SSD 개발 계획을 처음 공개했다. 이후 1년 반이 지난 올 2월부터 제품 대량생산에 나선다고 밝혔다. 마이크론이 13일(현지시간) 공개한 9650 SSD는 E1.S, E3.S 등 서버 규격 제품이며 PCI 익스프레스 6.0 레인 4개와 마이크론 TLC(3비트) 낸드 플래시메모리로 구성됐다. 최대 읽기 속도는 28GB/s, 최대 쓰기 속도는 14GB/s로 현재 판매되는 PCI 익스프레스 5.0 기반 NVMe SSD의 두 배 수준이다. 9650 프로는 저장된 데이터를 읽는 작업에 중점을 뒀고 최대 용량은 30.72TB다. 9650 맥스는 읽기와 쓰기가 모두 중요한 제품 대상이며 최대 용량은 25.6TB다. 작동시 발생하는 열을 식힐 수 있는 냉각 옵션은 공랭식, 수랭식을 모두 지원한다. 차세대 SSD, 데이터센터 중심 성장 전망 마이크론은 "9650 SSD 출시를 통해 고성능 스토리지가 선택이 아닌 필수로 자리 잡고 데이터 이동 구조가 AI 워크로드의 핵심 요소가 되는 미래로 업계가 한 걸음 더 나아가고 있다"고 자평했다. 단 마이크론을 포함한 주요 SSD 제조사는 일반 소비자용 PCI 익스프레스 6.0 SSD에 적극적으로 나서지 않을 것으로 보인다. 신호 전송을 제어하기 까다로워 생산 원가가 높고 성능을 온전히 이끌어 낼 용도가 아직까지 미비하기 때문이다. PCI 익스프레스 5.0 SSD는 2023년 3분기부터 일반 소비자용 시장에 나왔지만 발열과 전력소모 문제로 보급이 더뎠다. SSD 컨트롤러 시장을 양분하는 대만 팹리스인 파이슨과 실리콘모션이 작년 상반기부터 저전력 컨트롤러를 공급하며 이 문제가 해결됐다. PCI 익스프레스 5.0 제품의 성장 여지도 여전히 남아있다. 주요 제조사에 따르면 지난 해 일반 소비자용 SSD 시장에서 PCI 익스프레스 5.0 제품 비중은 약 5% 내외다. 새 규격 기반 제품 투입보다는 기존 시장 확대가 더 쉬운 상황에서 신제품 개발과 출시를 굳이 서두를 필요가 없다.

2026.02.14 09:49권봉석 기자

HBM4 출하 경쟁 '과열'...엔비디아 수급 전략이 공급망 핵심 변수

HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 놓고 글로벌 메모리 반도체 빅3간 경쟁이 과열되고 있다. 삼성전자는 바로 전날(12일) SK하이닉스·마이크론에 한 발 앞서 "HBM4 양산 출하를 발표하며, 경쟁사 대비 개발 속도와 성능 우위를 강조했다. 다만 올해 HBM4 공급망 판도는 최종 고객사인 엔비디아의 HBM4 수급 전략에 가장 큰 영향을 받을 전망이다. HBM4의 성능도 중요하지만, 최신 AI 가속기의 적기 출시를 위해서는 HBM4의 수율 및 공급 안정성 등을 함께 고려해야 하기 때문이다. 실제로 업계는 엔비디아가 HBM4의 성능 조건을 완화하거나 차상위 제품을 함께 공급받을 가능성에 주목하고 있다. 삼성전자, 출하 소식 앞당겨…SK하이닉스·마이크론과 주도권 싸움 13일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들은 이달 엔비디아향 HBM4에 대한 리스크 양산 출하를 진행할 예정이다. HBM4는 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올해 출시할 예정인 AI 가속기 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수를 2배 늘린 2048개로 구현한 것이 특징이다. 앞서 삼성전자는 지난 12일 HBM4 양산 출하를 가장 먼저 공식 발표했다. 회사는 "HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준화기구(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔다"며 "이번 제품에는 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 설명했다. 업계는 삼성전자가 HBM4 양산 출하 소식을 예상 대비 빠르게 발표했다는 점에 주목하고 있다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 당초 회사가 HBM4 양산 출하를 계획하던 시기는 오는 19일이었던 것으로 파악된다. 그러나 경쟁사들도 HBM4의 양산을 최근 공식적으로 발표한 만큼, 주도권 확보를 위해 제품 출하를 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. 실제로 SK하이닉스도 이달 HBM4 제품을 엔비디아향으로 출하할 계획이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 28일 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝힌 바 있다. 마이크론 역시 지난 11일(현지시간) 한 증권사 컨퍼런스콜을 통해 최근 불거진 HBM4 공급망 탈락 논란에 대해 정면 반박하면서, 출하 소식을 공식적으로 알렸다. 이날 마이크론은 "HBM4는 이미 대량 생산에 박차를 가하고 있고, 고객사 출하를 시작했다"며 "지난해 말 실적발표에서 언급한 가이던스보다 1개 분기 가량 시기가 앞당겨진 것"이라고 강조했다. 메모리 3사 모두 리스크 양산…물량 확대는 하반기부터 최근 이들 메모리 3사는 HBM4 상용화를 둘러싸고 주도권을 쥐기 위해 날선 신경전을 벌여 왔다. 업계는 이 과정에서 시장에 불필요한 혼선과 확대 해석이 발생하는 것을 우려하고 있다. 대표적으로, 메모리 3사가 표현하는 '양산'은 일반적인 양산의 개념과 차이점이 있다. 통상 제조산업은 샘플을 통해 고객사와 퀄(품질) 테스트를 진행하고, 일정 기준을 통과하면 정식으로 구매주문(PO)을 받게 된다. 반면 현재 메모리 3사의 HBM4는 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산은 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해서는 코어 다이 양산에만 4개월이 필요하다. 만약 정식 PO를 받고 양산을 시작하게 되면, 최종 고객사인 엔비디아 입장에서는 AI 가속기를 적기에 출시하기 어려워진다. 때문에 메모리 3사는 정식 PO 전부터 HBM4를 고객사에 공급하기 위해 이달 제품 출하를 목표로 양산을 진행해왔다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "엔비디아가 제시한 공식적인 퀄테스트 종료 시점은 올 1분기 말로, 이후 공식적인 PO가 나올 것으로 안다"며 "현재 메모리사들이 대외적으로 양산이라는 표현을 쓰지만, 엄연히는 리스크 양산 개념에 해당한다"고 설명했다. 이를 고려하면 삼성전자, SK하이닉스의 HBM4 출하량이 본격적으로 확대되는 시점은 빨라야 올 하반기로 추산된다. 엔비디아 HBM 수급 전략 주목…성능·수급 안정성 저울질 현재 업계에서는 삼성전자가 엔비디아향 HBM4 퀄테스트를 가장 순조롭게 마무리할 것이라는 전망이 우세하다. 삼성전자의 경우 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램을 적용했다. HBM을 제어하는 베이스 다이도 가장 첨단 공정인 4나노미터(nm)를 기반으로 제작됐다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 자료를 통해 "당사의 HBM4는 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 새로운 기준을 제시했다"며 "이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다"고 밝혔다. 다만 업계는 HBM4의 출하 속도보다 엔비디아의 제품 수급 전략에 더 큰 관심을 두고 있다. 엔비디아가 메모리 공급사에 요구한 11.7Gbps 급의 성능을 무조건적으로 고집할 경우, 루빈 칩 양산에 필요한 HBM4 물량을 충분히 확보할 수 없다는 이유에서다. 우선 삼성전자는 HBM4 출하량을 급격하게 확대할 여력이 없다. 삼성전자의 1c D램 수율은 이달 기준 60%내외로 추산된다. 이후 진행되는 후공정까지 고려하면 HBM 수율은 더 낮아진다. 또한 1c D램 생산능력은 지난해 말 기준 월 6만~7만장 수준으로, 엔비디아의 총 HBM4 요구량에 대응하기엔 턱없이 모자란 규모다. 현재도 1c D램에 대한 신규 및 전환 투자가 진행되고는 있으나, 실제 생산능력에 반영되려면 아직 시간이 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아와의 협의에서 가장 많은 HBM4 물량(점유율 60%가량)을 배정받았다. 그러나 초기 HBM4에 대한 신뢰성 평가에서는 11Gbps급의 성능을 구현하기 힘들다는 평가를 받았다. 이에 SK하이닉스는 최근까지 HBM4의 하드웨어적인 개선을 진행했으나, 100% 성공을 담보하기는 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 수급할 것으로 보고 있다. 이 경우 메모리 3사 모두 기술적으로 HBM4 공급이 한층 수월해진다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순히 성능만이 아니라 전력 효율성, 발열, 비용, 공급 안정성 등이 모두 한꺼번에 고려돼야 한다"며 "지난해와는 비교도 할 수 없는 메모리 쇼티지 속에서, 엔비디아가 수급 안정성을 위해 HBM4의 성능 조건을 완화할 가능성이 사실상 확정된 상황"이라고 설명했다.

2026.02.13 10:46장경윤 기자

한미반도체, 지난해 매출 5767억원…창사 이래 최대

한미반도체는 지난해 연간 매출 5767억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 1980년 창사 이래 최대 매출 실적을 달성했다고 9일 밝혔다. 영업이익률은 43.6%를 기록하며 업계 최고 수준의 수익성을 유지했다. 2024년에 이어 2년 연속 창사 최대 매출을 경신한 배경은 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 인정받은 결과로 분석된다. 특히 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) TC 본더가 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 매출 성장을 견인했다. 올해 역시 글로벌 AI 반도체 시장은 하이엔드 HBM 수요 급증으로 글로벌 메모리 기업들의 설비투자가 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상된다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 약 13.0% 증가한다고 전망했다. 실제로 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산하고, 올해 말과 내년 초 HBM4E 양산 준비를 앞두고 있어 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 크게 확대될 전망이다. 그 중심에는 삼성전자, SK하이닉스,마이크론, 중국 업체들이 있다. 특히 마이크론은 2025년 12월 실적 발표를 통해 2026년 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4000억원)에서 200억 달러(약 29조3000억원)로 상향 조정하고 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 실제로 마이크론은 2024년 8월 대만 AUO의 디스플레이 팹을 인수한데 이어, 2025년부터 싱가포르 우드랜즈지역에 D램, 낸드 첨단 웨이퍼 제조공장 건설에 착수했다. 이와 함께 일본 히로시마에 증설 확대, 미국에 축구장 800개 규모의 메가팩토리 증설 계획을 연이어 발표했다. 특히 싱가포르를 AI 반도체(HBM,HBF) 생산거점으로 구축하며, 향후 5년간 글로벌 AI 반도체 주도권 확보를 위한 공격적인 행보를 이어 나가고 있다. 이 같은 마이크론의 공격적인 HBM 생산설비 투자 확대는 지난해 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받으며 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상한 한미반도체 TC 본더의 매출 증가에 크게 영향을 미칠 것으로 전망된다. 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 고객사와 소통하고 있다. 한미반도체는 올해 AI 시스템반도체 분야에서도 신규 장비 출시를 예고했다. 이는 부가가치가 높은 AI 패키지 분야에 채택되는 다양한 본딩 장비로 HBM 코어다이, 베이스다이 그리고 GPU·CPU를 통합하는 AI 반도체 패키지와 CPO(Co Packaged Optics) 패키징 분야에 활용되는 핵심 장비(빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더, 다이 본더)이며, 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 우주항공 분야 핵심 장비 판매에도 적극 나서고 있다. EMI 쉴드 장비는 우주탐사용 로켓, 저궤도 위성통신(LEO), 방산용 드론에 적용되는 필수장비다. 한미반도체는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 선보인 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 계속 유지하고 있으며, 최근 4년 연속 글로벌 항공우주 업체에 EMI 쉴드 장비 라인를 독점 공급하며 기술 경쟁력을 입증했다. 한미반도체 관계자는 “AI 반도체 시장의 지속적인 성장과 글로벌 반도체 기업의 적극적인 투자 확대로 HBM 수요는 그 어느 때보다 높을 것으로 예상하고 있다. 이에 힘입어 한미반도체는 2026년과 2027년에도 창사 최고 실적을 경신할 것으로 전망한다”며 “차세대 제품 개발과 생산능력 확충을 통해 글로벌 반도체 장비 시장에서 리더십을 더욱 강화해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

2026.02.09 10:00장경윤 기자

"HBM4 양산 중"…SK하이닉스, 삼성·마이크론에 견제구

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대와 더불어 주도권 지속에 강한 자신감을 드러냈다. 올해 시장의 주류 제품인 HBM3E·HBM4에 대해 "SK하이닉스는 두 제품을 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. 주요 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식한 발언으로 풀이된다. SK하이닉스는 2025년 매출액 97조1천467억원, 영업이익 47조2천63억원(영업이익률 49%), 순이익 42조9천479억원(순이익률 44%)의 경영 실적을 기록했다고 28일 밝혔다. 전년 대비 매출은 46.8%, 영업이익은 101.2% 증가했다. 지난해 4분기 실적 역시 전분기 대비 매출은 34% 증가한 32조 8천267억 원, 영업이익은 68% 증가한 19조1천696억 원, 영업이익률 58%를 기록하며 세 지표 모두 분기 기준 최고치를 기록했다. 특히 D램 및 HBM 사업 확대가 실적을 견인했다. SK하이닉스의 지난해 HBM 연 매출은 전년 대비 2배 이상 성장한 것으로 집계됐다. SK하이닉스는 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 설명했다. SK하이닉스의 이 같은 발언은 최근 HBM 시장 경쟁이 과열된 가운데 나온 것이어서 더욱 주목된다. 삼성전자, 마이크론 등 주요 경쟁사들은 SK하이닉스와 마찬가지로 올해 상반기 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재될 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있다. 일반 D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD 중심 수요에 대응하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다.

2026.01.28 17:27장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 싱가포르 신규 팹 기공식 참석

한미반도체는 싱가포르에서 개최된 마이크론 테크놀로지의 첨단 웨이퍼 제조공장 (Advanced wafer fabrication facility) 기공식에 참석했다고 27일 밝혔다. 이번 기공식에는 마이크론 산자이 메로트라(Sanjay Mehrotra) 회장을 비롯해 간킴용(Gan Kim Yong) 싱가포르 부총리, 싱가포르 정부 관계자, 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 한미반도체에서도 주요 임원진이 초청받아 참석하며 마이크론과의 파트너십을 재확인하고, 향후 협력 확대 의지를 표명했다. 이번에 착공한 마이크론 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장은 싱가포르 우드랜즈 (Woodlands) 지역에 위치한 기존 낸드 제조 단지 내에 건설된다. 인근에는 2025년 1월 착공한 HBM 첨단 패키징 공장이 위치한다. 신규 공장은 2028년 하반기에 가동을 목표로 하며, 마이크론의 낸드 센터 오브 엑셀런스(NAND Center of Excellence)의 핵심시설로 자리매김할 예정이다. 마이크론은 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장에 향후 10년간 약 240억 달러(약 35조원)를 투자하며, 최종적으로 70만 평방피트 규모의 클린룸을 확보할 계획이다. 또한 2025년 1월에 착공한 마이크론 싱가포르 HBM 첨단 패키징 공장은 올해 말부터 양산에 돌입해 내년부터 마이크론의 HBM 공급에 본격적으로 기여할 예정이다. 마이크론은 싱가포르에서 HBM, 낸드를 아우르는 생산 거점을 구축하며 시너지 효과를 기대하고 있다고 밝혔다. 한미반도체의 이번 기공식 참석은 마이크론과 강력한 협력 관계를 반영한다. 시장조사업체 테크인사이트(TechInsights)에 따르면 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC 본더 장비 시장에서 점유율 71%로 1위를 차지하고 있다. TC 본더는 HBM 적층 공정의 핵심 장비로, HBM 생산 능력 확대에 따라 수요가 증가한다. 한미반도체는 마이크론의 싱가포르 공장 생산 확대에 발맞춰 지난해 10월 싱가포르 법인을 설립하고, 현지에 숙련된 엔지니어를 배치해 전문적인 기술을 지원하고 있다. 이 같은 성과를 바탕으로 지난해 10월 한미반도체는 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받아 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상했다. 현재 마이크론은 대만 공장에서 HBM을 생산하고 있으며 AI와 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 대응하기 위해 싱가포르 외에도 대만, 미국, 일본 등 주요 거점에서 HBM과 D램 제조 시설 투자를 확대하고 있다. 앞서 마이크론은 지난해 12월 실적 발표를 통해 올해 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4천억원)에서 200억 달러(약 29조3천억원)로 상향 조정하고, 이를 통해 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 글로벌 생산 확대 전략에 함께 참여하게 되어 기쁘다”며 “앞으로도 기술 협력과 장비 공급을 통해 고객사의 경쟁력 강화에 기여하겠다”고 말했다.

2026.01.27 16:52장경윤 기자

삼성전자, '맞춤형 HBM' 두뇌에 2나노 첫 적용…성능 우위 총력

삼성전자가 고객사 맞춤형(커스텀) HBM 시대에 대응하기 위한 또 한번의 기술 혁신에 나선다. HBM의 '두뇌' 역할을 담당하는 로직(베이스) 다이에 최첨단 파운드리인 2나노미터(nm) 공정을 적용할 계획인 것으로 파악됐다. 앞서 삼성전자는 올해 상용화를 앞둔 HBM4(6세대 HBM)용 로직 다이에 경쟁사 대비 고도화된 4나노 공정을 적용한 바 있다. 차세대 제품에서도 초미세 공정을 통한 성능 우위를 지속하려는 전략으로 풀이된다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 최대 2나노 공정으로 설계하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 연결한 코어 다이와, 코어 다이 아래에서 컨트롤러 기능을 담당하는 로직 다이로 구성돼 있다. 로직 다이는 HBM과 GPU 등 시스템반도체 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 주고받을 수 있게 만든다. HBM 공정이 고도화될수록 로직 다이에 적용되는 기술 역시 빠르게 발전해 왔다. 일례로, 올해 정식 양산을 앞둔 HBM4부터는 로직 다이가 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정을 통해 제조된다. 파운드리 공정이 D램 공정 대비 성능 및 전력 효율성 강화에 유리하기 때문이다. 삼성전자의 경우 HBM4용 로직 다이에 4나노 공정을 적용했다. 칩 개발 및 양산은 DS사업부 내 시스템LSI, 파운드리가 각각 담당했다. 대만 TSMC의 12나노 공정을 채택한 SK하이닉스 대비 성능적인 면에서 우위를 차지하기 위한 전략이었다. 더 나아가 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 기존 4나노에서 최대 2나노 공정으로 설계하고 있는 것으로 파악됐다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 로직 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 2나노는 현재 상용화된 파운드리 공정 중 가장 최첨단에 해당한다. 앞서 삼성전자는 지난해 4분기 SF2(1세대 2나노) 공정 기반의 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서) '엑시노스 2600'을 양산하면서 본격적으로 2나노 공정에 발을 들인 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 시스템LSI사업부 내에 지난해 신설된 커스텀SoC(시스템온칩)팀 주도로 커스텀 HBM용 로직다이를 설계 중"이라며 "다양한 고객사 수요 대응을 위해 4나노에서 2나노까지 포트폴리오를 구성하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 최첨단 로직 다이를 무기로 엔비디아·AMD·브로드컴·AWS(아마존웹서비스)·오픈AI 등 글로벌 빅테크를 맞춤형으로 적극 공략할 계획이다. 특히 2나노 로직 다이를 적용한 커스텀 HBM은 초고성능 AI 가속기 분야에서 수요가 높을 것으로 예상된다. 커스텀 HBM이 활발히 적용되는 시점은 HBM4E(7세대 HBM)부터로 전망된다. HBM4E는 내년 출시될 가능성이 유력하다. 이에 맞춰 삼성전자는 로직 다이 공정 고도화는 물론 최첨단 패키징 기술인 하이브리드 본딩 적용 등을 추진하고 있다.

2026.01.21 13:38장경윤 기자

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