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차세대 HBM '두께 완화' 본격화…삼성·SK 본딩 기술 향방은

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 주요 반도체 기업들이 20단 적층이 필요한 차세대 고대역폭메모리(HBM) 두께 표준을 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 올해 본격 상용화되는 HBM4(6세대 HBM)의 두께인 775마이크로미터(μm)를 넘어, 825~900마이크로미터 수준까지 거론되고 있는 상황이다. 6일 지디넷코리아 취재를 종합하면 국제반도체표준화기구(JEDEC) 참여사들은 차세대 HBM의 두께를 기존 대비 크게 완화하는 방안을 논의 중이다. 차세대 HBM 두께 표준, 825~900μm 이상 논의 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 각 D램 사이를 미세한 범프로 연결한 차세대 메모리다. 앞서 HBM 표준은 HBM3E까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4의 D램 적층 수가 12단·16단으로 이전 세대(8단·12단) 대비 더 많아진 것이 주된 영향을 미쳤다. 나아가 업계는 HBM4E·HBM5 등 D램을 20단 적층하는 차세대 HBM의 표준 두께 완화를 논의하고 있다. 현재 거론되고 있는 두께는 825마이크로미터에서부터 900마이크로미터 이상이다. 900마이크로미터 이상으로 표준이 제정되는 경우, 이전 상승폭을 크게 상회하게 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "JEDEC에서는 제품이 상용화되기 1년~1년 반 전에 중요한 표준을 제정해야 하기 때문에, 현재 차세대 HBM 두께에 대한 논의가 활발히 진행되고 있다"며 "벌써 900마이크로미터 이상의 두께까지 거론되는 상황"이라고 말했다. JEDEC은 반도체 제품의 규격을 정하는 국제반도체표준화기구다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업은 물론 인텔, TSMC, 엔비디아, AMD 등 전세계 주요 반도체 기업들이 참여하고 있다. 당초 업계는 HBM의 두께 상승을 매우 엄격히 제한해 왔다. HBM이 무한정 두꺼워질 경우, 함께 수평으로 집적되는 GPU 등 시스템반도체와의 두께를 동일하게 맞추기 어려워진다. D램 간 간격이 너무 멀어지면 데이터 전송 통로가 길어져, 성능 및 효율이 저하되는 문제도 발생한다. 때문에 메모리 기업들은 HBM 두께를 완화하기 위한 갖가지 기술을 시도해 왔다. 코어 다이인 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이기 위한 본딩 기술 등이 대표적이다. 메모리·파운드리 모두 HBM 두께 표준 완화 원해 그럼에도 반도체 업계가 차세대 HBM의 두께 완화를 적극 논의하는 데에는 크게 두 가지 이유가 있다. 우선 차세대 HBM이 20단으로 적층되기 때문이다. 기존 업계에서 채용해 온 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이는 본딩 기술 등으로는 HBM을 더 얇게 만드는 데 한계를 보이고 있다. 주요 파운드리 기업인 TSMC의 신규 패키징 공정도 영향을 미치고 있다는 분석이다. 현재 TSMC는 HBM과 GPU를 단일 AI 가속기로 패키징하는 2.5D 공정(CoWoS)을 사실상 독점으로 수행하고 있다. 2.5D란, 칩과 기판 사이에 넓다란 인터포저를 삽입해 패키징 성능을 높이는 기술이다. TSMC가 구상 중인 2.5D 패키징의 다음 세대는 'SoIC(system-on-Integrated Chips)'다. SoIC는 시스템반도체를 매우 미세한 간격으로 수직(3D) 적층한다. AI 가속기에 적용되는 TSMC-SoIC의 경우 적층된 시스템반도체와 HBM을 결합하는 구조다. TSMC-SoIC가 적용되면 시스템반도체의 두께는 기존 775마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상 두꺼워지게 된다. HBM의 두께 표준도 자연스럽게 완화될 수밖에 없는 구조다. 현재 엔비디아·아마존웹서비스(AWS) 등이 TSMC-SoIC 채택을 계획 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "단순히 메모리 공급사만이 아닌, 파운드리 기업 입장에서도 차세대 HBM 두께 완화에 대한 니즈가 있다"며 "실제 채택 가능성을 확언할 수는 없는 단계이지만, 주요 기업들 사이에서 논의가 오가는 것은 사실"이라고 설명했다. 업계 "하이브리드 본딩 수요 낮아질 수 있어" 업계는 해당 논의가 하이브리드 본딩과 같은 신규 본딩 공정의 도입 속도를 늦추는 요인이 될 것으로 해석하고 있다. 본딩은 HBM 내부의 각 D램을 접합하는 공정으로, 현재는 열과 압착을 이용한 TC 본딩이 주류를 이루고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아 D램간 간격이 사실상 '0'에 수렴한다. HBM 전체 패키지 두께를 줄이는 데 매우 유리한 셈이다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 매우 높다. ▲각 칩을 공백없이 접합하기 위해서는 칩 표면의 미세한 오염물질을 모두 제거해야 하고 ▲칩 표면을 완벽히 매끄럽게 만드는 CMP(화학기계연마) 공정 ▲각 구리 패드를 정확히 맞물리게 하는 높은 정렬도를 갖춰야 한다. 20개에 달하는 칩을 모두 접합하는 과정에서 수율도 급격히 하락할 수 있다. 때문에 주요 메모리 기업들은 하이브리드 본딩을 지속 연구개발해왔으나, 아직까지 HBM 제조 공정에 양산 적용하지는 않고 있다. 하이브리드 본딩을 가장 적극적으로 개발 중인 삼성전자도 빨라야 HBM4E 16단에서 해당 기술을 일부 적용할 것으로 전망된다. 이러한 상황에서 차세대 HBM의 두께 표준이 완화되면 메모리 기업들은 TC 본더를 통한 HBM 양산을 지속할 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "업계에서는 HBM 두께가 50마이크로미터 이상만 완화돼도 20단 적층 HBM을 구현할 수 있다는 의견도 나오고 있는 상황"이라며 "하이브리드 본딩이 도입되더라도 기존 설비를 전면 교체할 수 없고, 투자에 막대한 비용이 드는 만큼 메모리 기업들이 차세대 HBM 두께 완화에 우호적인 것으로 안다"고 말했다.

2026.03.06 10:41장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 印 반도체 공장 오픈식 참석...핵심 협력사 지위 굳건

한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석했다고 3일 밝혔다. 이번 마이크론 인도 공장 오픈식에는 나렌드라 모디 인도 총리가 참석해 기념사를 발표했으며, 인도 정부 관계자, 마이크론 산자이 메로트라 회장과 주요 임원진 등이 대거 참석했다. 한미반도체는 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사로 초청받으며 핵심 협력사의 위상을 확립했다. 마이크론 인도 공장은 총 27억5000만 달러(약 4조원)가 투자된 첨단 패키징 공장이다. 인도 반도체 산업 육성을 위해 인도 정부가 50%, 구자라트주가 20%의 보조금을 각각 지원하며 국가 전략 프로젝트로 추진됐다. 50만 평방피트(약 1만4000평)에 달하는 세계 최대 규모의 단일층 클린룸을 갖추고 있으며, 이는 축구장 7개 규모에 달하는 면적이다. 앞으로 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 기업용 eSSD(기업용 SSD) 등 고성능 AI 메모리의 테스트, 패키징 거점으로 운영될 계획이다. 현재 인도 구자라트에서 생산하고 있는 DDR5 D램은 마이크론 최첨단 D램 공정이 적용된 최신의 1감마 공정 제품으로 올해 수천만 개의 칩을 패키징·테스트를 시작하고 내년에는 수억 개로 생산량을 확대할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 AI 메모리 반도체칩을 적층 생산하는 TC본더와 같은 첨단 반도체 패키징 장비에 약 1조원에서 2조원이 투자될 예정이다. 인도 반도체 미션의 승인을 받은 첫 번째 프로젝트이자 인도 최초의 반도체 공장이라는 역사적 의미도 지닌다. 이는 인도가 글로벌 반도체 공급망에서 핵심 제조 거점으로 도약하는 중요한 이정표로 평가받는다. 인도 정부는 '세미콘 인디아' 정책을 통해 약 100억 달러(약 14조5000억원) 규모의 보조금을 가동하며 글로벌 반도체 제조 허브로 도약을 추진하고 있다. 신규 공장의 안정적 가동을 위해서는 첨단 정밀 본딩 기술과 신속한 기술 지원이 필수적이다. 한미반도체는 마이크론의 핵심 협력사로서 인도 현지에 엔지니어를 파견해 밀착형 기술을 지원하고, 교육 프로그램을 운영하는 등 장기적 협력을 이어나갈 방침이다. 지난해 한미반도체는 마이크론으로부터 '탑 서플라이어'상을 수상하며 최우수 협력사로 선정된 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 인도 공장 오픈식과 라운드 테이블 참석은 한미반도체가 글로벌 반도체 공급망의 핵심 협력사로서 위상을 다시 한번 인정받는 계기”라며 “인도 현지에 엔지니어를 파견하고 적극적인 기술을 지원으로 고객 만족을 위해 노력하겠다”고 밝혔다.

2026.03.03 08:51장경윤 기자

노태문 사장 "마이크론 60%는 오보…갤S26 주력은 삼성 메모리"

“갤럭시S26 계열에서 가장 많은 부분은 삼성 반도체 메모리를 사용하고 있습니다.” 노태문 삼성전자 DX부문장(사장)은 현지시간 25일 미국 샌프란시스코 '갤럭시 언팩 2026' 이후 진행된 기자간담회에서 D램 채택 비중에 대해 이같이 말했다. 같은날 외신에서 보도된 '마이크론 D램 채택 비중 60%' 관련 기사에 대한 반응이다. 노 사장은 “메모리뿐만 아니라 주요 부품은 오랫동안 여러 파트너사와 전략적으로 협력한다”며 “협력 관계 하에서 다양한 공급처를 동시에 활용하는 게 기본 전략”이라고 말했다. 그러면서 “메모리도 여기에 포함되는데, 해당 기사는 오보인 것 같다”고 선을 그었다. 앞서 삼성전자는 마이크론을 1차 공급사로 선정한 바 있다. 마이크론이 지난해 상반기 공개된 갤럭시S25 시리즈에 탑재되는 LPDDR5X(저전력 D램)의 초기 물량에서 가장 많은 비중을 차지한 것이다. 마이크론은 이전 10여년 동안 2차 공급사였다. 이후 삼성전자 DS부문이 1차 공급사 지위를 되찾아 왔다. 당시 한 집 식구에게 외면받을 정도로 삼성전자의 메모리 경쟁력이 떨어졌던 셈이다. 2년 만의 화려한 귀환…"엑시노스, 플래그십 기대치 충족했다" 부품 공급망 안정화를 강조한 노 사장은 이번 갤럭시S26 시리즈에 자사 AP인 '엑시노스'를 2년 만에 다시 채택한 배경에 대해서도 입을 열었다. 삼성전자는 이번 시리즈 중 일반과 플러스 모델 등에 지역별로 엑시노스를 병행 탑재했다. 노 사장은 “플래그십 AP 전략은 공급, 성능, 안정성, 지역별 사용 시나리오를 모두 감안해 결정한다”며 “이번에 탑재된 엑시노스가 삼성전자의 엄격한 기대 목표치를 충분히 달성했기에 채택하게 된 것”이라고 설명했다. 이는 최근 불거진 칩셋 수급 불균형과 원가 상승 압박 속에서 자사 칩셋의 성능 경쟁력을 입증함과 동시에, 특정 업체에 대한 의존도를 낮춰 협상력을 확보하려는 전략으로 풀이된다. 역대 최고가 경신에도 "국내 출고가 여전히 글로벌 최저 수준" 가장 민감한 대목인 '가격 인상'에 대해서도 노 사장은 정면 돌파를 택했다. 갤럭시 S26 울트라 256GB 모델의 출고가는 179만7400원으로 전작 대비 약 5.8% 올랐으며, 1TB 모델은 254만5400원으로 약 20%나 급등했다. 노 사장은 “지난 몇 년간 환율 상승 압력에도 국내 시장 가격을 동결하며 고객 부담을 최소화하려 노력해왔지만, 최근 환율 및 부품 비용의 동반 상승으로 인해 불가피하게 조정을 결정했다”고 밝혔다. 이어 “그럼에도 불구하고 국내 출고가는 글로벌 주요 시장과 비교했을 때 가장 경쟁력 있는 수준을 최대한 유지하고 있다”며 한국 시장에 대한 배려를 강조했다. 실제로 삼성전자는 엑시노스 채택과 전략적 부품 소싱을 통해 인상 폭을 억제하려 노력한 것으로 알려졌다. 노 사장은 “기술 혁신을 통해 부품 개수를 줄이거나 수율을 개선하는 등 원가 인상 요인을 관리하고 있다”며 “갤럭시S26 시리즈는 전작을 뛰어넘는 판매 실적을 목표로 글로벌 시장에서 AI 리더십을 확고히 할 것”이라고 자신감을 드러냈다. 삼성전자는 갤럭시의 국내 가격 수준을 유지하기 위해, 파트너들과 중장기적으로 협력한다는 방침이다. 노 사장은 “국내 가격은 글로벌 주요 시장과 비교했을 때 가장 경쟁력 있는 수준을 유지하기 위해 모든 노력을 다하고 있다”며 “원칙적으로 한국 시장의 출고가를 가장 저렴한 수준으로 책정하겠다는 기조에는 변함이 없으며, 이번 갤럭시S26 시리즈 역시 그러한 기조 하에 결정된 것”이라고 역설했다. 이어 “오랫동안 전략 파트너사들과 중장기 협력 및 계약을 하며 가격이 오르는 것을 막고 있다”며 “수율 개선 등 여러 노력이 반영된 결과”라고 덧붙였다. 아울러 일부 국가나 채널에서 일시적으로 가격이 낮아 보이는 특수 상황이 발생할 수는 있으나, 기본적으로 한국 고객들에게 최상의 혁신을 가장 합리적인 조건으로 제공하겠다고 약속했다. 노 사장은 “부품값 상승이라는 파도를 기술 혁신과 전략적 파트너십을 통해 최대한 관리해 나갈 것”이라며 “단순히 기기를 파는 것에 그치지 않고, 갤럭시 AI를 통해 전 연령층이 일상에서 실질적인 혜택을 누릴 수 있도록 끝까지 책임지겠다”고 말했다.

2026.02.26 11:00전화평 기자

인도, 수년 내 2나노 반도체 도전…첨단 제조 전환 선언

인도가 수년 내 첨단 반도체 생산에 나선다는 계획을 밝혔다. 블룸버그는 인도가 28nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정에서 2나노 공정으로의 전환을 추진하고 있다고 현지시간 14일 보도했다. 아슈위니 바이슈나우 인도 연방 기술부 장관은 이날 타임스그룹 글로벌 비즈니스 서밋에서 "28나노 칩 생산에서 2나노로 전환하는 것이 목표"라며 "서두르지 않고 단계적으로 추진하겠다"고 말했다. 뉴델리는 조만간 새로운 반도체 제조 육성 정책을 발표할 예정이다. 새 정책에는 추가 자금 지원이 포함되며, 특히 반도체 설계 분야에 초점을 맞춘다. 최소 50개 이상의 인도 딥테크 기업이 참여할 것으로 예상된다. 올해 안에 인도 내 3개 반도체 공장이 상업 생산을 시작할 예정이다. 이는 인도가 본격적인 제조 기반을 구축하는 첫 단계로 평가된다. 현재 인도의 반도체 산업은 초기 단계다. 정부는 100억달러 규모의 펀드를 조성해 반도체 육성 프로그램을 지원해 왔다. 이를 통해 조립·패키징·테스트 중심의 여러 프로젝트가 진행되고 있다. 글로벌 기업도 인도 진출에 나섰다. 마이크론은 나렌드라 모디 총리의 고향인 구자라트주에 공장을 설립했다. 타타그룹 역시 국내에서 실리콘 웨이퍼를 생산할 10개 제조업체 가운데 하나로 참여하고 있다. 인도 정부는 설계 중심의 기존 생태계를 넘어 첨단 공정 제조 역량까지 확보해 기술 산업 전반을 확장한다는 전략이다. 2나노 공정 도전이 현실화될 경우, 인도는 글로벌 반도체 공급망에서 새로운 변수로 부상할 가능성이 있다.

2026.02.16 11:55전화평 기자

삼성·SK·마이크론, 엔비디아향 HBM4 퀄 2분기 완료

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들이 HBM4 상용화를 앞두고 있다. 3사 모두 올 2분기 엔비디아향 HBM4 최종 퀄테스트를 마무리할 것으로 전망된다. 특히 삼성전자는 가장 높은 제품 안정성으로 가장 빠른 성과를 나타낼 가능성이 높다고 평가 받고 있다. 올해 출하량 역시 전년 대비 가장 큰 폭의 성장이 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 주요 메모리 기업들은 올해 HBM4 상용화와 함께 전체 HBM 시장 점유율에 변동을 보일 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 가장 최신 세대인 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 상용화 준비에 매진하고 있다. 해당 HBM은 엔비디아가 올해 하반기 출시하는 AI 가속기 '루빈' 칩에 탑재된다. 트렌드포스는 "메모리 기업들은 HBM4 검증의 최종 단계에 있고, 올해 2분기 검증 완료를 목표로 하고 있다"며 "삼성전자는 뛰어난 제품 안정성을 바탕으로 가장 먼저 인증을 획득할 것으로 예상된다. 나머지 기업들도 곧이어 인증을 획득해 엔비디아향 HBM4 공급망은 3개 기업이 생태계를 구축할 것"이라고 밝혔다. 이와 관련, 삼성전자는 지난 12일 메모리 기업 중 가장 먼저 HBM4 양산 출하를 발표한 바 있다. 세부적으로, 최종 검증을 완료하기 전 선제적으로 제품을 양산하는 '리스크 양산'에 해당한다. SK하이닉스 등도 이달 리스크 양산 제품을 엔비디아향으로 출하할 것으로 알려졌다. 업계는 삼성전자의 HBM4 제품이 11.7Gbps 이상의 높은 성능을 가장 안정적으로 구현한다고 평가하고 있다. 트렌드포스가 삼성전자의 인증 속도가 가장 빠를 것이라고 분석한 이유다. 다만 엔비디아는 루빈 칩을 적기 출시하기 위해 많은 양의 HBM4 물량이 필요한 상황이다. 때문에 엔비디아는 HBM4에 요구되는 성능 완화 등을 통해 3개 메모리 공급사 모두를 HBM4 공급망에 포함시킬 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "단일 공급업체가 루빈향 HBM4 요구 사항을 완전히 충족할 수 없다는 점 등 전략적 필요성을 고려해, 엔비디아가 주요 메모리 공급사를 모두 HBM4 공급망에 포함시킬 것"이라며 "선두를 달리는 삼성전자는 2분기 검증 완료 후 단계적으로 양산에 들어갈 것으로 예상된다"고 말했다. 이에 따라 HBM4를 포함한 전체 HBM 시장에서 삼성전자의 점유율은 지난해 20%에서 올해 28%로 상승할 전망이다. 마이크론도 지난해 20%에서 올해 22%로 소폭 상세가 예상된다. 반면 SK하이닉스는 경쟁사 진입 확대로 HBM 시장 내 점유율이 지난해 59%에서 올해 50%로 감소할 것으로 관측된다.

2026.02.16 07:45장경윤 기자

마이크론, AI 수요 겨냥한 서버용 PCIe 6.0 SSD 양산

미국 메모리 반도체 업체인 마이크론이 서버·데이터센터용 PCI 익스프레스 6.0 SSD 양산에 돌입했다. AI 확산으로 초고속 데이터 처리 수요가 급증하는 가운데 차세대 인터페이스 기반 스토리지 시장 선점 경쟁이 본격화하는 양상이다. 마이크론이 공개한 9650 SSD는 PCI 익스프레스 6.0 규격을 적용한 서버용 SSD 중 가장 먼저 나온 제품이다. 최대 읽기·쓰기 속도를 이전 규격 제품 대비 최대 두 배 끌어올렸다. 마이크론은 9650 SSD가 대량생산 단계에 들어가 주요 제조사와 AI 데이터센터 고객사 검증 작업을 진행중이라고 밝혔다. 단 이는 서버용 제품이며 일반 소비자용 PCI 익스프레스 6.0 제품이 나오기까지는 상당한 시간이 걸릴 것으로 보인다. PCI-SIG, 2022년 1월 PCIe 6.0 규격 확정 PCI 익스프레스는 프로세서와 그래픽카드, NVMe SSD와 AI 가속기 등 PC·서버 주요 부품을 빠르게 잇는 다리 역할을 한다. 이를 관리하는 곳은 Arm, AMD, 퀄컴, 엔비디아, 인텔, 델테크놀로지스 등 PC와 서버, 반도체 업계 주요 관계사 1천여 개 이상이 참여한 표준화 단체인 PCI-SIG다. PCI-SIG는 2022년 1월 각 회원사 의견 수렴을 거쳐 PCI 익스프레스 6.0 규격을 최종 확정했다. 신호 전송 방식을 바꿔 1개 레인(PCI 익스프레스 데이터 전송 경로)당 전송 속도를 최대 8GB/s까지 끌어올렸다. 이는 PCI 익스프레스 4.0(2GB/s) 대비 네 배, PCI 익스프레스 5.0(4GB/s) 대비 두 배 향상된 것이다. 16개 레인을 모두 활용하면 초당 최대 128GB/s를 전송할 수 있어 데이터센터나 서버의 병목현상 제거에 활용될 것으로 예상됐다. 마이크론, 지난해 발표 후 1년 반만에 상용화 마이크론은 2024년 8월 FMS 2024에서 PCI 익스프레스 6.0 기반 SSD 개발 계획을 처음 공개했다. 이후 1년 반이 지난 올 2월부터 제품 대량생산에 나선다고 밝혔다. 마이크론이 13일(현지시간) 공개한 9650 SSD는 E1.S, E3.S 등 서버 규격 제품이며 PCI 익스프레스 6.0 레인 4개와 마이크론 TLC(3비트) 낸드 플래시메모리로 구성됐다. 최대 읽기 속도는 28GB/s, 최대 쓰기 속도는 14GB/s로 현재 판매되는 PCI 익스프레스 5.0 기반 NVMe SSD의 두 배 수준이다. 9650 프로는 저장된 데이터를 읽는 작업에 중점을 뒀고 최대 용량은 30.72TB다. 9650 맥스는 읽기와 쓰기가 모두 중요한 제품 대상이며 최대 용량은 25.6TB다. 작동시 발생하는 열을 식힐 수 있는 냉각 옵션은 공랭식, 수랭식을 모두 지원한다. 차세대 SSD, 데이터센터 중심 성장 전망 마이크론은 "9650 SSD 출시를 통해 고성능 스토리지가 선택이 아닌 필수로 자리 잡고 데이터 이동 구조가 AI 워크로드의 핵심 요소가 되는 미래로 업계가 한 걸음 더 나아가고 있다"고 자평했다. 단 마이크론을 포함한 주요 SSD 제조사는 일반 소비자용 PCI 익스프레스 6.0 SSD에 적극적으로 나서지 않을 것으로 보인다. 신호 전송을 제어하기 까다로워 생산 원가가 높고 성능을 온전히 이끌어 낼 용도가 아직까지 미비하기 때문이다. PCI 익스프레스 5.0 SSD는 2023년 3분기부터 일반 소비자용 시장에 나왔지만 발열과 전력소모 문제로 보급이 더뎠다. SSD 컨트롤러 시장을 양분하는 대만 팹리스인 파이슨과 실리콘모션이 작년 상반기부터 저전력 컨트롤러를 공급하며 이 문제가 해결됐다. PCI 익스프레스 5.0 제품의 성장 여지도 여전히 남아있다. 주요 제조사에 따르면 지난 해 일반 소비자용 SSD 시장에서 PCI 익스프레스 5.0 제품 비중은 약 5% 내외다. 새 규격 기반 제품 투입보다는 기존 시장 확대가 더 쉬운 상황에서 신제품 개발과 출시를 굳이 서두를 필요가 없다.

2026.02.14 09:49권봉석 기자

HBM4 출하 경쟁 '과열'...엔비디아 수급 전략이 공급망 핵심 변수

HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 놓고 글로벌 메모리 반도체 빅3간 경쟁이 과열되고 있다. 삼성전자는 바로 전날(12일) SK하이닉스·마이크론에 한 발 앞서 "HBM4 양산 출하를 발표하며, 경쟁사 대비 개발 속도와 성능 우위를 강조했다. 다만 올해 HBM4 공급망 판도는 최종 고객사인 엔비디아의 HBM4 수급 전략에 가장 큰 영향을 받을 전망이다. HBM4의 성능도 중요하지만, 최신 AI 가속기의 적기 출시를 위해서는 HBM4의 수율 및 공급 안정성 등을 함께 고려해야 하기 때문이다. 실제로 업계는 엔비디아가 HBM4의 성능 조건을 완화하거나 차상위 제품을 함께 공급받을 가능성에 주목하고 있다. 삼성전자, 출하 소식 앞당겨…SK하이닉스·마이크론과 주도권 싸움 13일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들은 이달 엔비디아향 HBM4에 대한 리스크 양산 출하를 진행할 예정이다. HBM4는 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올해 출시할 예정인 AI 가속기 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수를 2배 늘린 2048개로 구현한 것이 특징이다. 앞서 삼성전자는 지난 12일 HBM4 양산 출하를 가장 먼저 공식 발표했다. 회사는 "HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준화기구(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔다"며 "이번 제품에는 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 설명했다. 업계는 삼성전자가 HBM4 양산 출하 소식을 예상 대비 빠르게 발표했다는 점에 주목하고 있다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 당초 회사가 HBM4 양산 출하를 계획하던 시기는 오는 19일이었던 것으로 파악된다. 그러나 경쟁사들도 HBM4의 양산을 최근 공식적으로 발표한 만큼, 주도권 확보를 위해 제품 출하를 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. 실제로 SK하이닉스도 이달 HBM4 제품을 엔비디아향으로 출하할 계획이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 28일 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝힌 바 있다. 마이크론 역시 지난 11일(현지시간) 한 증권사 컨퍼런스콜을 통해 최근 불거진 HBM4 공급망 탈락 논란에 대해 정면 반박하면서, 출하 소식을 공식적으로 알렸다. 이날 마이크론은 "HBM4는 이미 대량 생산에 박차를 가하고 있고, 고객사 출하를 시작했다"며 "지난해 말 실적발표에서 언급한 가이던스보다 1개 분기 가량 시기가 앞당겨진 것"이라고 강조했다. 메모리 3사 모두 리스크 양산…물량 확대는 하반기부터 최근 이들 메모리 3사는 HBM4 상용화를 둘러싸고 주도권을 쥐기 위해 날선 신경전을 벌여 왔다. 업계는 이 과정에서 시장에 불필요한 혼선과 확대 해석이 발생하는 것을 우려하고 있다. 대표적으로, 메모리 3사가 표현하는 '양산'은 일반적인 양산의 개념과 차이점이 있다. 통상 제조산업은 샘플을 통해 고객사와 퀄(품질) 테스트를 진행하고, 일정 기준을 통과하면 정식으로 구매주문(PO)을 받게 된다. 반면 현재 메모리 3사의 HBM4는 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산은 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해서는 코어 다이 양산에만 4개월이 필요하다. 만약 정식 PO를 받고 양산을 시작하게 되면, 최종 고객사인 엔비디아 입장에서는 AI 가속기를 적기에 출시하기 어려워진다. 때문에 메모리 3사는 정식 PO 전부터 HBM4를 고객사에 공급하기 위해 이달 제품 출하를 목표로 양산을 진행해왔다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "엔비디아가 제시한 공식적인 퀄테스트 종료 시점은 올 1분기 말로, 이후 공식적인 PO가 나올 것으로 안다"며 "현재 메모리사들이 대외적으로 양산이라는 표현을 쓰지만, 엄연히는 리스크 양산 개념에 해당한다"고 설명했다. 이를 고려하면 삼성전자, SK하이닉스의 HBM4 출하량이 본격적으로 확대되는 시점은 빨라야 올 하반기로 추산된다. 엔비디아 HBM 수급 전략 주목…성능·수급 안정성 저울질 현재 업계에서는 삼성전자가 엔비디아향 HBM4 퀄테스트를 가장 순조롭게 마무리할 것이라는 전망이 우세하다. 삼성전자의 경우 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램을 적용했다. HBM을 제어하는 베이스 다이도 가장 첨단 공정인 4나노미터(nm)를 기반으로 제작됐다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 자료를 통해 "당사의 HBM4는 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 새로운 기준을 제시했다"며 "이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다"고 밝혔다. 다만 업계는 HBM4의 출하 속도보다 엔비디아의 제품 수급 전략에 더 큰 관심을 두고 있다. 엔비디아가 메모리 공급사에 요구한 11.7Gbps 급의 성능을 무조건적으로 고집할 경우, 루빈 칩 양산에 필요한 HBM4 물량을 충분히 확보할 수 없다는 이유에서다. 우선 삼성전자는 HBM4 출하량을 급격하게 확대할 여력이 없다. 삼성전자의 1c D램 수율은 이달 기준 60%내외로 추산된다. 이후 진행되는 후공정까지 고려하면 HBM 수율은 더 낮아진다. 또한 1c D램 생산능력은 지난해 말 기준 월 6만~7만장 수준으로, 엔비디아의 총 HBM4 요구량에 대응하기엔 턱없이 모자란 규모다. 현재도 1c D램에 대한 신규 및 전환 투자가 진행되고는 있으나, 실제 생산능력에 반영되려면 아직 시간이 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아와의 협의에서 가장 많은 HBM4 물량(점유율 60%가량)을 배정받았다. 그러나 초기 HBM4에 대한 신뢰성 평가에서는 11Gbps급의 성능을 구현하기 힘들다는 평가를 받았다. 이에 SK하이닉스는 최근까지 HBM4의 하드웨어적인 개선을 진행했으나, 100% 성공을 담보하기는 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 수급할 것으로 보고 있다. 이 경우 메모리 3사 모두 기술적으로 HBM4 공급이 한층 수월해진다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순히 성능만이 아니라 전력 효율성, 발열, 비용, 공급 안정성 등이 모두 한꺼번에 고려돼야 한다"며 "지난해와는 비교도 할 수 없는 메모리 쇼티지 속에서, 엔비디아가 수급 안정성을 위해 HBM4의 성능 조건을 완화할 가능성이 사실상 확정된 상황"이라고 설명했다.

2026.02.13 10:46장경윤 기자

한미반도체, 지난해 매출 5767억원…창사 이래 최대

한미반도체는 지난해 연간 매출 5767억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 1980년 창사 이래 최대 매출 실적을 달성했다고 9일 밝혔다. 영업이익률은 43.6%를 기록하며 업계 최고 수준의 수익성을 유지했다. 2024년에 이어 2년 연속 창사 최대 매출을 경신한 배경은 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 인정받은 결과로 분석된다. 특히 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) TC 본더가 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 매출 성장을 견인했다. 올해 역시 글로벌 AI 반도체 시장은 하이엔드 HBM 수요 급증으로 글로벌 메모리 기업들의 설비투자가 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상된다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 약 13.0% 증가한다고 전망했다. 실제로 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산하고, 올해 말과 내년 초 HBM4E 양산 준비를 앞두고 있어 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 크게 확대될 전망이다. 그 중심에는 삼성전자, SK하이닉스,마이크론, 중국 업체들이 있다. 특히 마이크론은 2025년 12월 실적 발표를 통해 2026년 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4000억원)에서 200억 달러(약 29조3000억원)로 상향 조정하고 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 실제로 마이크론은 2024년 8월 대만 AUO의 디스플레이 팹을 인수한데 이어, 2025년부터 싱가포르 우드랜즈지역에 D램, 낸드 첨단 웨이퍼 제조공장 건설에 착수했다. 이와 함께 일본 히로시마에 증설 확대, 미국에 축구장 800개 규모의 메가팩토리 증설 계획을 연이어 발표했다. 특히 싱가포르를 AI 반도체(HBM,HBF) 생산거점으로 구축하며, 향후 5년간 글로벌 AI 반도체 주도권 확보를 위한 공격적인 행보를 이어 나가고 있다. 이 같은 마이크론의 공격적인 HBM 생산설비 투자 확대는 지난해 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받으며 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상한 한미반도체 TC 본더의 매출 증가에 크게 영향을 미칠 것으로 전망된다. 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 고객사와 소통하고 있다. 한미반도체는 올해 AI 시스템반도체 분야에서도 신규 장비 출시를 예고했다. 이는 부가가치가 높은 AI 패키지 분야에 채택되는 다양한 본딩 장비로 HBM 코어다이, 베이스다이 그리고 GPU·CPU를 통합하는 AI 반도체 패키지와 CPO(Co Packaged Optics) 패키징 분야에 활용되는 핵심 장비(빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더, 다이 본더)이며, 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 우주항공 분야 핵심 장비 판매에도 적극 나서고 있다. EMI 쉴드 장비는 우주탐사용 로켓, 저궤도 위성통신(LEO), 방산용 드론에 적용되는 필수장비다. 한미반도체는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 선보인 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 계속 유지하고 있으며, 최근 4년 연속 글로벌 항공우주 업체에 EMI 쉴드 장비 라인를 독점 공급하며 기술 경쟁력을 입증했다. 한미반도체 관계자는 “AI 반도체 시장의 지속적인 성장과 글로벌 반도체 기업의 적극적인 투자 확대로 HBM 수요는 그 어느 때보다 높을 것으로 예상하고 있다. 이에 힘입어 한미반도체는 2026년과 2027년에도 창사 최고 실적을 경신할 것으로 전망한다”며 “차세대 제품 개발과 생산능력 확충을 통해 글로벌 반도체 장비 시장에서 리더십을 더욱 강화해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

2026.02.09 10:00장경윤 기자

"HBM4 양산 중"…SK하이닉스, 삼성·마이크론에 견제구

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대와 더불어 주도권 지속에 강한 자신감을 드러냈다. 올해 시장의 주류 제품인 HBM3E·HBM4에 대해 "SK하이닉스는 두 제품을 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. 주요 경쟁사인 삼성전자와 마이크론을 의식한 발언으로 풀이된다. SK하이닉스는 2025년 매출액 97조1천467억원, 영업이익 47조2천63억원(영업이익률 49%), 순이익 42조9천479억원(순이익률 44%)의 경영 실적을 기록했다고 28일 밝혔다. 전년 대비 매출은 46.8%, 영업이익은 101.2% 증가했다. 지난해 4분기 실적 역시 전분기 대비 매출은 34% 증가한 32조 8천267억 원, 영업이익은 68% 증가한 19조1천696억 원, 영업이익률 58%를 기록하며 세 지표 모두 분기 기준 최고치를 기록했다. 특히 D램 및 HBM 사업 확대가 실적을 견인했다. SK하이닉스의 지난해 HBM 연 매출은 전년 대비 2배 이상 성장한 것으로 집계됐다. SK하이닉스는 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 설명했다. SK하이닉스의 이 같은 발언은 최근 HBM 시장 경쟁이 과열된 가운데 나온 것이어서 더욱 주목된다. 삼성전자, 마이크론 등 주요 경쟁사들은 SK하이닉스와 마찬가지로 올해 상반기 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '루빈' 시리즈에 탑재될 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있다. 일반 D램도 10나노급 6세대(1c나노) DDR5의 본격 양산에 돌입하고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 업계 최대 용량 256GB DDR5 RDIMM 개발을 통해 서버용 모듈 분야 리더십을 입증했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진 속에서도 321단 QLC 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD 중심 수요에 대응하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다.

2026.01.28 17:27장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 싱가포르 신규 팹 기공식 참석

한미반도체는 싱가포르에서 개최된 마이크론 테크놀로지의 첨단 웨이퍼 제조공장 (Advanced wafer fabrication facility) 기공식에 참석했다고 27일 밝혔다. 이번 기공식에는 마이크론 산자이 메로트라(Sanjay Mehrotra) 회장을 비롯해 간킴용(Gan Kim Yong) 싱가포르 부총리, 싱가포르 정부 관계자, 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 한미반도체에서도 주요 임원진이 초청받아 참석하며 마이크론과의 파트너십을 재확인하고, 향후 협력 확대 의지를 표명했다. 이번에 착공한 마이크론 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장은 싱가포르 우드랜즈 (Woodlands) 지역에 위치한 기존 낸드 제조 단지 내에 건설된다. 인근에는 2025년 1월 착공한 HBM 첨단 패키징 공장이 위치한다. 신규 공장은 2028년 하반기에 가동을 목표로 하며, 마이크론의 낸드 센터 오브 엑셀런스(NAND Center of Excellence)의 핵심시설로 자리매김할 예정이다. 마이크론은 신규 첨단 웨이퍼 제조 공장에 향후 10년간 약 240억 달러(약 35조원)를 투자하며, 최종적으로 70만 평방피트 규모의 클린룸을 확보할 계획이다. 또한 2025년 1월에 착공한 마이크론 싱가포르 HBM 첨단 패키징 공장은 올해 말부터 양산에 돌입해 내년부터 마이크론의 HBM 공급에 본격적으로 기여할 예정이다. 마이크론은 싱가포르에서 HBM, 낸드를 아우르는 생산 거점을 구축하며 시너지 효과를 기대하고 있다고 밝혔다. 한미반도체의 이번 기공식 참석은 마이크론과 강력한 협력 관계를 반영한다. 시장조사업체 테크인사이트(TechInsights)에 따르면 한미반도체는 전 세계 HBM용 TC 본더 장비 시장에서 점유율 71%로 1위를 차지하고 있다. TC 본더는 HBM 적층 공정의 핵심 장비로, HBM 생산 능력 확대에 따라 수요가 증가한다. 한미반도체는 마이크론의 싱가포르 공장 생산 확대에 발맞춰 지난해 10월 싱가포르 법인을 설립하고, 현지에 숙련된 엔지니어를 배치해 전문적인 기술을 지원하고 있다. 이 같은 성과를 바탕으로 지난해 10월 한미반도체는 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받아 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상했다. 현재 마이크론은 대만 공장에서 HBM을 생산하고 있으며 AI와 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 대응하기 위해 싱가포르 외에도 대만, 미국, 일본 등 주요 거점에서 HBM과 D램 제조 시설 투자를 확대하고 있다. 앞서 마이크론은 지난해 12월 실적 발표를 통해 올해 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4천억원)에서 200억 달러(약 29조3천억원)로 상향 조정하고, 이를 통해 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 글로벌 생산 확대 전략에 함께 참여하게 되어 기쁘다”며 “앞으로도 기술 협력과 장비 공급을 통해 고객사의 경쟁력 강화에 기여하겠다”고 말했다.

2026.01.27 16:52장경윤 기자

삼성전자, '맞춤형 HBM' 두뇌에 2나노 첫 적용…성능 우위 총력

삼성전자가 고객사 맞춤형(커스텀) HBM 시대에 대응하기 위한 또 한번의 기술 혁신에 나선다. HBM의 '두뇌' 역할을 담당하는 로직(베이스) 다이에 최첨단 파운드리인 2나노미터(nm) 공정을 적용할 계획인 것으로 파악됐다. 앞서 삼성전자는 올해 상용화를 앞둔 HBM4(6세대 HBM)용 로직 다이에 경쟁사 대비 고도화된 4나노 공정을 적용한 바 있다. 차세대 제품에서도 초미세 공정을 통한 성능 우위를 지속하려는 전략으로 풀이된다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 최대 2나노 공정으로 설계하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 연결한 코어 다이와, 코어 다이 아래에서 컨트롤러 기능을 담당하는 로직 다이로 구성돼 있다. 로직 다이는 HBM과 GPU 등 시스템반도체 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 주고받을 수 있게 만든다. HBM 공정이 고도화될수록 로직 다이에 적용되는 기술 역시 빠르게 발전해 왔다. 일례로, 올해 정식 양산을 앞둔 HBM4부터는 로직 다이가 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정을 통해 제조된다. 파운드리 공정이 D램 공정 대비 성능 및 전력 효율성 강화에 유리하기 때문이다. 삼성전자의 경우 HBM4용 로직 다이에 4나노 공정을 적용했다. 칩 개발 및 양산은 DS사업부 내 시스템LSI, 파운드리가 각각 담당했다. 대만 TSMC의 12나노 공정을 채택한 SK하이닉스 대비 성능적인 면에서 우위를 차지하기 위한 전략이었다. 더 나아가 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 기존 4나노에서 최대 2나노 공정으로 설계하고 있는 것으로 파악됐다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 로직 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 2나노는 현재 상용화된 파운드리 공정 중 가장 최첨단에 해당한다. 앞서 삼성전자는 지난해 4분기 SF2(1세대 2나노) 공정 기반의 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서) '엑시노스 2600'을 양산하면서 본격적으로 2나노 공정에 발을 들인 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 시스템LSI사업부 내에 지난해 신설된 커스텀SoC(시스템온칩)팀 주도로 커스텀 HBM용 로직다이를 설계 중"이라며 "다양한 고객사 수요 대응을 위해 4나노에서 2나노까지 포트폴리오를 구성하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 최첨단 로직 다이를 무기로 엔비디아·AMD·브로드컴·AWS(아마존웹서비스)·오픈AI 등 글로벌 빅테크를 맞춤형으로 적극 공략할 계획이다. 특히 2나노 로직 다이를 적용한 커스텀 HBM은 초고성능 AI 가속기 분야에서 수요가 높을 것으로 예상된다. 커스텀 HBM이 활발히 적용되는 시점은 HBM4E(7세대 HBM)부터로 전망된다. HBM4E는 내년 출시될 가능성이 유력하다. 이에 맞춰 삼성전자는 로직 다이 공정 고도화는 물론 최첨단 패키징 기술인 하이브리드 본딩 적용 등을 추진하고 있다.

2026.01.21 13:38장경윤 기자

美 마이크론, 대만 PSMC 팹 18억 달러에 인수…D램 생산 확대

미국 메모리 반도체 기업 마이크론 테크놀로지가 대만 파운드리 업체 PSMC의 P5 제조 시설을 약 18억 달러(약 2조6천억원)에 인수한다. 이 같은 계획은 D램 생산 능력을 빠르게 확장하려는 전략의 일환으로 관측된다. 마이크론은 17일(현지시간) 대만 먀오리현 통뤄에 있는 PSMC의 P5 팹 부지를 현금 거래로 매입한다고 밝혔다. 해당 부지는 300mm 웨이퍼 클린룸 공장으로, 최대 월 5만 장의 생산 능력을 갖추고 있다. 다만 현재는 약 8천장 수준의 장비만 설치돼 가동률이 낮은 상태다. 마이크론은 기존 신규 공장을 건설하는 데 오랜 시간이 소요되는 문제를 해결하기 위해 기존 팹 인수를 선택했다. 이 공장은 2027년 하반기부터 본격적인 D램 생산 확대에 기여할 것으로 예상된다. 이번 인수에는 후공정 처리 설비와의 협력 강화 방안도 포함돼 있어, 마이크론의 메모리 공급망 확대에 실질적으로 도움이 될 전망이다. 마이크론은 이미 미국 뉴욕주와 아이다호주 등에 대규모 생산 시설을 추진하고 있으며, 최근에는 뉴욕주 오논다가 카운티에서 약 1천억 달러 규모의 메가팹 착공을 발표하는 등 글로벌 생산 확대에 박차를 가하고 있다. 업계에서는 마이크론이 이번 P5 팹 인수로 삼성전자와 SK하이닉스 등 경쟁사 대비 D램 생산 능력을 확보하려는 의도로 해석하고 있다. 특히 AI·데이터센터 수요가 급증하는 상황에서, 생산 능력의 조기 확보는 시장 점유율 확대에 중요한 역할을 할 것으로 보인다. 이번 거래는 마이크론의 글로벌 메모리 전략을 가속화하는 결정로 평가된다. 기존 공장을 인수해 가동 시간을 줄이는 한편, 차세대 D램 및 HBM 수요 대응을 위해 생산 인프라를 강화한다는 전략이다.

2026.01.19 11:24전화평 기자

美마이크론, 뉴욕주에 1억달러 규모 메가팹 착공

미국 메모리 반도체 기업 마이크론이 미국 뉴욕주 온온다가 카운티에서 역대 최대 규모인 약 1천억달러(약 147조원) 규모의 반도체 생산 시설, 이른바 메가팹(megafab) 착공에 돌입했다. 이 공장은 미국 반도체 공급망 강화와 AI·첨단 메모리 수요 대응을 위한 핵심 거점으로 자리 잡을 전망이다. 마이크론은 메가팹 건설을 공식 시작한다고 현지시간 7일 발표했다. 착공 기념식은 오는 16일 예정됐다. 이 프로젝트는 뉴욕주 역사상 가장 큰 민간 투자로 평가된다. 공장 부지는 중앙 뉴욕의 클레이(Clay) 지역으로, 최대 4개의 반도체 생산 라인을 포함하는 초대형 시설이 들어선다. 초기엔 약 200억달러가 투자되며, 이후 수십 년에 걸쳐 전체 투자액이 최대 1천억달러에 달할 것으로 계획됐다. 산제이 메흐로트라 마이크론 CEO(최고경영자)는 “뉴욕 메가팹 착공은 마이크론과 미국의 반도체 산업에 중대한 순간”이라며 “AI 시대의 요구를 충족시키는 고급 메모리 생산 능력을 확보할 것”이라고 말했다. 메가팹은 최첨단 D램 메모리 생산을 목표로 한다. D램은 AI, 서버, 고성능 컴퓨팅 및 모바일 기기 등 다양한 분야에서 필수 부품으로 사용되며, 특히 AI 모델을 구동하는 GPU 및 HBM(고대역폭 메모리) 수요를 만족시키는 데 중요하다. 이번 프로젝트는 미국 내 반도체 제조 비중을 늘리려는 전략의 일환이다. 최근 공급망 불안과 글로벌 지정학적 리스크가 부각되면서, 메모리 반도체의 국내 생산 능력 확보는 경제 안보 차원에서도 큰 의미를 갖는다. 뉴욕주와 연방 정부는 이미 칩스 앤 사이언스 액트(CHIPS & Science Act) 등을 통해 수십억 달러 규모의 보조금 및 세제 지원을 제공하기로 했다. 이에 따라 마이크론의 메가팹은 미국 내 메모리 제조 생태계를 강화하는 핵심 축으로 자리매김할 예정이다. 한편 이번 착공은 원래 계획보다 시점이 다소 늦춰졌다는 보도도 있다. 일부 외신은 첫 공정 가동 시점을 2030년으로 조정할 가능성을 보도했으나, 마이크론 측은 일정 최적화를 위한 조치라고 설명했다. 메가팹이 본격 가동될 경우, 수만 개의 일자리 창출과 함께 미국 반도체 산업의 세계적 경쟁력 회복에 크게 기여할 것으로 전망된다.

2026.01.08 15:40전화평 기자

AI, 서버용 SSD 시장도 바꾼다…'SLC' 존재감 부각

인공지능(AI) 산업이 데이터센터용 SSD 시장 판도를 바꿀 것으로 예상된다. 기존 데이터센터용 SSD는 고용량 구현에 초점을 맞춰 왔으나, 최근 주요 메모리 기업들은 데이터 처리 성능을 극대화하기 위한 SLC(싱글레벨셀) 기반의 차세대 SSD 개발에 집중하고 있다. 글로벌 빅테크인 엔비디아 역시 AI용 고성능 SLC SSD에 주목하고 있는 것으로 알려졌다. 26일 업계에 따르면 주요 메모리 기업들은 AI 데이터센터용 차세대 낸드로 SLC에 주목하고 있다. TLC·QLC가 주도 중인 서버용 SSD 시장 SLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 1비트(Bit)를 저장하는 방식을 뜻한다. 2비트를 저장하면 MLC(멀티레벨셀), 3비트는 TLC(트리플레벨셀), 4비트는 QLC(쿼드레벨셀)로 불린다. 각 방식에 따라 SSD(낸드 기반 저장장치)의 주 적용처가 달라진다. 기존 데이터센터용 SSD 시장은 TLC, 혹은 QLC가 주류를 차지해 왔다. 각 셀에 더 많은 비트를 저장하므로, 단위면적 당 더 많은 데이터를 저장할 수 있기 때문이다. 특히 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 데이터센터에서는 수요가 더 늘어나는 추세다. SLC는 데이터 처리 속도가 빠르고 안정성이 높지만, 저장 용량이 적고 가격이 비싸 대규모 투자가 필요한 데이터센터 구축에는 적합하지 않다는 평가가 지배적이었다. AI가 바꾸는 패러다임…1억 IOPS SSD·HBF는 'SLC' 기반 그러나 최근 주요 메모리 기업들이 개발 중인 차세대 낸드에서는 SLC의 존재감이 커지고 있다. 대표적으로, SK하이닉스는 AI 데이터센터 시장을 겨냥해 AI-N P(성능)·AI-N B(대역폭)·AI-N D(용량) 등 세 가지 측면을 각각 강화한 'AIN 패밀리' 라인업을 개발 중이다. 이 중 AI-N P는 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하는 솔루션이다. AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 향상시킨다. 1세대 제품의 IOPS(1초당 처리할 수 있는 입출력 횟수)는 2천500만으로, 현존하는 고성능 SSD(최대 300만 수준) 대비 8~10배에 달한다. 2027년 말 양산 준비 완료를 목표로 한 2세대 제품은 1억 IOPS를 지원할 전망이다. 이를 위해 SK하이닉스는 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계하고 있으며, 핵심 고객사인 엔비디아와 협업해 내년 말 첫 샘플을 선보일 계획이다. 회사에 따르면, AI-N P는 SLC 낸드를 기반으로 개발되고 있다. AI-N P가 데이터 처리 성능을 극대화하는 제품인 만큼, 용량은 후순위로 미루려는 전략으로 풀이된다. 일본 키오시아도 올 3분기 개최한 기술설명회에서 "엔비디아와 협력해 1억 IOPS 성능의 차세대 SSD를 오는 2027년 상용화할 것"이라고 밝힌 바 있다. SK하이닉스와 동일한 개념의 제품인 만큼, 키오시아도 SLC 낸드를 기반으로 할 것으로 관측된다. 업계에서 HBF(고대역폭플래시)라 불리는 AI-N B 역시 SLC 낸드 기반으로 개발되고 있다. HBF는 D램을 적층해 만든 HBM과 유사하게 낸드를 적층해, 데이터를 송수신하는 대역폭을 크게 확장한 제품이다. 현재 SK하이닉스는 미국 샌디스크와 협력해 HBF에 대한 표준화 작업을 진행하고 있다. 오는 2027년 PoC(개념증명) 단계의 샘플이 개발돼 본격적인 평가를 거칠 것으로 예상된다. 엔비디아, GPU와 SSD 직접 연결 구상 AI 산업을 주도하고 있는 엔비디아도 SLC 낸드의 필요성에 공감하고 있다는 분석이다. 현재 엔비디아는 주요 메모리 기업들과 AI 낸드 협력망을 구축함과 동시에, 이를 활용하기 위한 소프트웨어 'SCADA(SCaled Accelerated Data Access)'를 개발하고 있다. SCADA는 AI 데이터 처리의 핵심 요소인 GPU가 CPU를 거치지 않고 스토리지(SSD)에 직접 접근해 데이터를 읽고 쓸 수 있도록 하는 기술이다. CPU가 SSD에서 데이터를 읽고 GPU로 전송하는 기존 구조 대비 데이터 처리 과정을 줄여, 학습 및 추론 속도와 효율성을 높일 수 있다. 엔비디아 SCADA 솔루션의 구현을 위해서는 SSD도 데이터 처리 속도를 크게 끌어올려야 한다. 현재 주요 메모리 공급사들이 1억 IOPS 이상의 차세대 SSD를 개발하는 이유도 여기에 있다. 반도체 업계 관계자는 "데이터센터용 SSD에서 아직 주류는 아니지만, 차세대 스토리지 솔루션에서는 SLC 기반의 AI용 SSD가 각광을 받을 가능성이 있다"며 "다만 실제 상용화 시기를 아직까지 예측하기는 힘든 상황"이라고 설명했다.

2025.12.26 10:49장경윤 기자

美 마이크론 "내년 HBM 물량 대부분 계약 완료…공급 부족 지속"

미국 메모리 반도체 기업 마이크론이 HBM4(7세대 고대역폭메모리)을 포함해 2026년 전체 HBM 공급 물량 대부분에 대한 계약을 확보했다고 17일(현지시간) 밝혔다. 마이크론 경영진은 이날 컨퍼런스콜에서 “HBM은 단순한 메모리 제품이 아니라 고객과 장기 계약을 기반으로 한 전략 제품”이라며, HBM4를 포함한 차세대 HBM의 상당 물량이 2026년까지 선계약 상태라고 설명했다. 마이크론은 현재 HBM 수요가 공급을 크게 웃돌고 있다는 점도 재차 강조했다. 회사 측은 일부 주요 고객의 경우 “요청된 HBM 물량의 약 50~66% 수준만 공급할 수 있는 상황”이라고 언급하며, 단기간 내 수급 불균형 해소는 어렵다는 인식을 내비쳤다. 마이크론은 HBM을 메모리 산업 내에서 가장 빠르게 성장하는 분야로 내다봤다. 특히 생성형 AI, LLM(대형언어모델), HPC(고성능 컴퓨팅) 확산이 이어지면서 HBM의 기술적·경제적 가치가 구조적으로 높아지고 있다고 평가했다. 이에 따라 글로벌 HBM 시장이 오는 2028년 올해 대비 3배 이상 커질 것으로 봤다. 마이크론은 "2025년 300억달러 규모 HBM 시장이 2028년엔 1000억달러 규모로 커질 것"이라며 "HBM 시장 1000억달러 달성은 이전 전망보다 2년 앞당겨진 것"이라고 설명했다. 소비자용 메모리 축소, HBM으로 '선택과 집중' 마이크론은 향후 D램 생산 능력 중 더 큰 비중을 HBM에 배분하겠다는 기존 전략도 재확인했다. 이는 범용 D램보다 단가와 수익성이 높은 HBM 중심으로 사업 구조를 전환하겠다는 의도로 풀이된다. 실제로 회사는 최근 소비자용 메모리 브랜드인 '크루셜(Crucial)' 사업을 정리했다. AI 데이터센터와 HBM 중심으로 생산 역량을 재편하고 있는 셈이다. 회사 측은 “HBM은 단순히 물량을 늘리는 사업이 아니라, 고객과의 기술 협업과 장기 신뢰가 중요한 분야”라며, 선별적인 고객 대응 전략을 이어갈 것이라고 밝혔다.

2025.12.18 10:41전화평 기자

마이크론 "D램 공급난, 2026년 이후에도 지속"

마이크론이 17일(미국 현지시간) 실적발표 이후 컨퍼런스 콜에서 "D램 부족 현상이 2026년 이후에도 지속될 것"이라고 전망했다. 이날 산자이 메흐로트라 마이크론 CEO는 "현재 모든 분야의 고객사의 수요를 충족할 수 없어서 실망스러운 상황"이라고 밝혔다. 마크 머피 마이크론 최고재무책임자(CFO)는 "11월 말 기준 전제 제품의 재고량은 총 18주이며 이 중 D램 재고는 17주(120일) 미만"이라고 밝혔다. 마이크론은 현재 미국 아이다호에 반도체 생산 시설 2개, 뉴욕에 1개 등 총 3개 생산 시설을 확충 예정이다. 아이다호에서는 이르면 2027년부터, 뉴욕에서는 2030년 경부터 제품 생산에 들어간다. 그러나 산자이 메흐로트라 CEO는 "생산 역량을 확장해도 핵심 고객사가 요구한 물량의 절반, 혹은 2/3 가량만 공급할 수 있을 것"이라고 설명했다. 마이크론은 이달 초 일반 소비자용 브랜드 '크루셜' SSD와 메모리 사업을 내년 2월까지 중단한다고 밝힌 바 있다. 이날 산자이 메흐로트라 CEO는 "PC와 스마트폰 제조사를 위해 D램을 지속 공급할 것"이라고 설명했다.

2025.12.18 09:21권봉석 기자

'AI 바람' 탄 마이크론, 영업익 168% 증가 '어닝 서프라이즈'

미국 메모리 반도체 기업 마이크론이 시장 기대를 크게 웃도는 분기 실적과 강력한 실적 가이던스를 제시하며 인공지능(AI) 메모리 수요 확대를 다시 한 번 확인시켰다. 마이크론은 2026회계연도 1분기 매출이 전년 동기보다 56.7% 상승한 136억 달러(약 20조1천억원)로 집계됐다고 17일(현지시간) 발표했다. 영업이익은 64억2천만달러로 전년 동기 대비 168.1% 증가했다. 이 같은 실적은 월가 예상치를 훌쩍 뛰어넘는 결과다. 당초 월가 컨센서스(증권사 평균 전망치)는 매출 129억5천만 달러, 영업이익 54억1천만 달러였다. 실적 호조의 배경으로는 인공지능(AI)·데이터센터용 메모리 수요 확대가 꼽힌다. 마이크론은 고대역폭메모리(HBM)를 비롯해 AI 가속기와 서버에 탑재되는 D램, 낸드플래시 출하가 급증하면서 수익성이 크게 개선됐다고 설명했다. 특히 AI용 고부가 메모리 제품 비중이 확대되며 평균판매가격(ASP) 상승과 영업이익률 개선으로 이어졌다. 사업부별로는 클라우드 메모리 부문 매출이 52억8천400만 달러로 전년 대비 98% 늘었다. 모바일&클라이언트 부문 매출은 42억5천500만 달러로 63% 증가했고, 자동차&임베디드 부문 매출은 17억2천만 달러로 48.0% 증가했다. 코어 데이터센터 부문 매출은 23억7천900만 달러로 3% 늘었다. 향후 실적 전망도 시장 기대를 크게 웃돌았다. 마이크론은 2분기 매출 가이던스를 187억 달러로 제시했다. 이는 시장 컨센서스를 큰 폭으로 상회하는 수준이다. AI 메모리 중심의 성장세가 단기간에 꺾이지 않을 것으로 관측되는 이유다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 실적 발표에서 “AI가 메모리 산업 전반의 수요 구조를 변화시키고 있다”며 “데이터센터와 AI 고객을 중심으로 한 강한 수요 환경이 2026회계연도에도 지속될 것”이라고 말했다.

2025.12.18 08:42전화평 기자

'SPHBM4' 표준 제정 임박…삼성·SK AI 메모리 새 국면 예고

반도체 업계가 새로운 HBM(고대역폭메모리) 개발을 구상하고 있다. 해당 제품은 기존 HBM과 동일한 성능을 구현하면서도 설계 난이도 및 제조비용을 대폭 낮춘 것이 특징이다. 실제 상용화 추진 시 삼성전자·SK하이닉스 등 메모리 기업들은 물론, TSMC·엔비디아 등 관련 생태계에 있는 기업 전반이 상당한 영향을 받을 것으로 예상된다. 15일 업계에 따르면 JEDEC(국제반도체표준협의회)은 새로운 HBM 표준인 'SPHBM4(Standard Package HBM)' 개발의 마무리 단계에 접어들었다. I/O 수 줄여도 대역폭 그대로…SPHBM4 개념 등장 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)를 뚫어 전기적으로 연결한 고성능 메모리다. 이 경우 대역폭을 기존 D램 대비 크게 향상시킬 수 있게 된다. 대역폭은 초당 얼마나 많은 데이터를 주고받을 수 있는 지를 나타내는 척도다. 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 핀 수를 늘리거나, I/O 핀 당 전송속도를 높이는 방법으로 향상시킬 수 있다. 일례로, 6세대 HBM인 HBM4은 데이터 전송 통로인 I/O 핀 수를 기존(1천24개) 대비 2배로(2천48개) 늘리면서 성능을 높였다. SPHBM4는 HBM4와 동일한 D램을 채용했다. 그러나 I/O 핀 수를 4:1 비율로 직렬화(Serialization)해, I/O 핀 수를 4분의 1로 줄이면서도 HBM4와 동일한 대역폭을 지원한다는 특징을 가진다. 직렬화란 여러 개의 I/O 핀에서 동시에 처리되던 데이터를 단일 I/O 핀에서 순차적으로 처리하는 방식을 뜻한다. 4:1 비율의 경우, 기존 4개 I/O 핀에서 처리되던 데이터 양을 1개 I/O 핀이 4번의 처리로 담당하게 된다. 결과적으로 SPHBM4가 잘 구동되기 위해서는 I/O 핀 당 전송속도를 4배 이상 안정적으로 구현하는 직렬화 인터커넥트 기술이 핵심이 될 것으로 관측된다. 직렬화 인터커넥트 기술로 HBM용 베이스(로직) 다이를 설계하는 미국 반도체 스타트업 엘리얀(eliyan)도 "몇 개월 내에 SPHBM4 표준이 발표되기를 기대하고 있다"며 SPHBM4에 대한 환영의 뜻을 밝혔다. 베이스 다이는 메모리의 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 주고받을 수 있도록 만들어준다. SPHBM4가 도입되면 베이스 다이 역시 새로운 구조로 설계돼야 할 것으로 관측된다. SPHBM4 도입 시 제조 난이도·비용 감소 가능 I/O 핀 수가 512개로 줄어들게 되면, 전체 HBM 패키지에서 가장 큰 변화를 맞이하게 되는 부분은 인터포저다. 인터포저는 칩과 PCB(인쇄회로기판) 사이에 삽입하는 얇은 기판이다. AI 가속기 내부의 HBM과 로직 칩은 수많은 I/O 핀이 촘촘히 박혀 있어, PCB가 직접 대응하기가 힘들다. 이 때 미세한 배선층(RDL)을 가진 인터포저를 삽입하면 칩과 PCB의 연결을 수월하게 만들어 준다. 이렇게 HBM과 GPU를 인터포저로 연결하는 기술을 2.5D 패키징이라 부른다. 대만 주요 파운드리인 TSMC가 이 분야에서 독보적인 기술력을 확보하고 있으며, 자체적으로 'CoWoS(칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트)'라는 브랜드명을 붙이고 있다. 그간 TSMC는 실리콘 인터포저, 혹은 더 작은 크기의 실리콘 브릿지로 CoWoS 공정을 제조해 왔다. 실리콘 소재가 비싼 편에 속하지만, 배선 밀도를 높일 수 있어 고집적 회로 대응에 유리하기 때문이다. 반면 SPHBM4는 I/O 핀 수가 적어 기존만큼 고밀도 기판이 필요하지 않아, 유기(Organic) 인터포저만으로도 충분히 대응이 가능하다. 유기 인터포저는 실리콘 대비 배선 밀도가 낮지만, 가격이 저렴하기 때문에 패키지 제조 비용을 낮출 수 있다. 또한 유기 인터포저는 보다 유연한 설계가 가능해, HBM과 시스템반도체 간 채널 길이를 더 길게 만들 수 있다. 이를 통해 SPHBM을 더 많이 배치해, 결과적으로 총 메모리 용량을 늘릴 수 있다는 게 JEDEC의 설명이다. 이는 TSMC의 CoWoS 기술의 일종인 'CoWoS-R'의 HBM 도입을 가속화할 것으로 기대된다. CoWoS-R은 실리콘 인터포저 대신 유기 인터포저를 사용하는 개념이다. 실제 상용화 가능성은 아직 미지수 다만 SPHBM4가 실제 상용화될 지는 아직 미지수다. JEDEC은 "SPHBM4 표준은 개발 중이거나 개발 후 변경될 수 있으며, JEDEC 이사회에서 승인이 거부될 수도 있다"고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서도 SPHBM4에 대해 공식적으로 언급한 사례는 아직 없는 것으로 파악된다. 메모리 업계 한 고위 임원은 "SPHBM4 표준 제정은 HBM 기반의 AI 가속기 제조 비용을 줄이기 위한 여러 시도 중 하나로 보인다"며 "다만 현재 빅테크 기업들은 HBM의 속도 및 밀도를 동시에 강화하는 방향을 강하게 밀어부치고 있다"고 말했다.

2025.12.15 11:22장경윤 기자

마이크론 철수 예고... 국내 시장 노크하는 中 SSD 제조사

국내 PC용 SSD 시장이 주요 제조사의 가격 인상, 세계 3위 공급업체 마이크론의 일반 소비자용 사업 철수 결정 등 변화를 겪고 있다. 가격과 물량을 앞세운 중국산 제품의 국내 진입에도 영향을 미칠 것이라는 평가가 나온다. AI용 고성능 서버 등 엔터프라이즈 용도로 SSD 공급이 편중되고 있다. 또 주요 제조사들은 낸드 플래시 가격 상승과 수요 부족 등을 이유로 올해 4분기부터 20~40% 수준의 공급가 인상을 결졍했다. 여기에 마이크론이 내년 2월 이후 소비자 부문 사업 철수를 결정하면서 국내 중소규모 PC 업체와 소비자들 역시 대체재를 찾고 있다. 이러한 맥락 속에 중국 제조사가 국내 시장 진입을 검토하고 있지만 신뢰성 면에서 확실한 답을 주지 못한다는 것이 문제다. 한국화웨이, 이달 말 일반 소비자용 SSD 신제품 공급 한국화웨이는 지난 2일 국내 시장 관계자 대상 런칭 세미나를 진행하고 데스크톱 PC·노트북 내장형 일반 소비자용 SSD인 '이킷스토어 익스트림 201' 2종, 휴대용 SSD인 '이킷스토어 실드 210' 등 제품 3종을 소개했다. 이킷스토어 익스트림 201은 PCI 익스프레스 4.0 규격, M.2 2280 폼팩터 NVMe SSD다. 최대 속도는 용량 1TB 제품 기준 읽기 7.4GB/s, 쓰기 6.7GB/s로 동종 제품과 큰 차이 없는 수준이다. 국내 유통된 전 세대 제품인 '이킷스토어 익스트림 200E'는 QLC(셀당 4비트) 낸드 플래시를 쓴 반면 이킷스토어 익스트림 201은 TLC(셀당 3비트) 낸드 플래시를 적용했다. 제조사는 두 제품 모두 중국 대형 제조사다. 컨트롤러는 화웨이 자체 설계 제품이다. 총 쓰기 용량(TBW)은 2TB 용량 기준 4,000 TBW, 무상보증기간은 5년을 적용했다. QLC 대신 국내 소비자 선호도 높은 TLC 낸드 적용 전 세대 제품인 '이킷스토어 익스트림 200E'는 국내 소비자가 속도와 신뢰성 면에서 선호하지 않는 QLC(셀당 4비트 저장) 낸드 플래시메모리로 시장 선호도가 떨어졌다. 1TB 제품 기준으로 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론, 키오시아 등 유명 제조사의 TLC(셀당 3비트 저장) 낸드 플래시메모리를 쓴 제품과 가격 차이가 1-2만원에 그친다는 것도 원인으로 꼽혔다. 한국화웨이 관계자는 "이킷스토어 익스트림 201은 TLC 낸드 플래시 메모리를 적용해 내구성과 성능을 보강했다. 한국 제조사 동일 용량 제품 대비 총 쓰기 용량도 3배 가까이 높였다"고 설명했다. 화웨이는 지난 11월 말 SSD 제품의 국내 전파인증을 마치고 이달 말부터 국내 소비자 대상 판매에 나설 예정이다. 정식 판매 가격은 결정되지 않았다. 중국산 SSD 진입장벽, 가격 상승·마이크론 철수로 낮아져 단 국내 시장에 유통되는 SSD 가격은 당분간 내리기 힘들다. 9일 국내 주요 SSD 공급업체에 따르면 SSD 제조사는 이르면 10월 말부터 늦게는 12월 초까지 최소 20%, 최대 40% 가량 공급가 인상을 통보한 상태다. 여기에 세계 3위 시장 점유율을 지닌 미국 마이크론이 내년 2월 이후 일반 소비자용 '크루셜' SSD와 메모리 직접 제조/유통을 중단하기로 하면서 보급형 SSD 대체제에 대한 요구사항도 커질 것으로 보인다. 9일 한 유통사 관계자는 "아직 국내 소비자들이 중국산 플래시 메모리와 SSD 컨트롤러를 쓴 제품의 신뢰성에 의구심을 가지고 있다. 그러나 크루셜 철수는 중국 SSD 제조사의 국내 진출에 적지 않은 도움을 줄 것"이라고 내다봤다.

2025.12.09 16:25권봉석 기자

트럼프 "엔비디아 H200 中 수출 허용"…HBM 수요 촉진 기대

미국 정부가 엔비디아의 고성능 인공지능(AI) 반도체 'H(호퍼)200' 수출을 허가하기로 했다. 도널드 트럼프 미국 대통령은 8일(현지시간) SNS 트루스소셜을 통해 "미국 국가안보 유지 조건 하에, 엔비디아가 중국 및 다른 국가의 승인된 고객에 H200을 공급하는 것을 허용할 것이라고 시진핑 중국 국가주석에게 통보했다"며 "시 주석도 긍정적으로 반응했다"고 밝혔다. H200은 엔비디아가 지난해 본격 양산한 AI 반도체다. 최신 세대인 '블랙웰' 시리즈보다는 구형이지만, 매우 강력한 데이터 처리 성능을 자랑한다. 특히 일부 AI 기능이 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 만들었던 H20의 6배를 웃도는 것으로 알려져 있다. 엔비디아는 지난 2022년 미국의 규제로 AI 반도체를 중국에 수출할 수 없게 되자, AI반도체인 H100의 성능을 대폭 낮춰 H20을 개발한 바 있다. 트럼프 대통령의 결정으로, 엔비디아는 H200 판매액의 25%를 미국에 지급하는 조건으로 수출을 재개할 것으로 예상된다. 다만 블랙웰이나 엔비디아가 내년 출시할 '루빈' 칩 등은 이번 계약에 포함되지 않는다. 또한 트럼프 대통령은 “상무부가 세부 사항을 조율하고 있다"며 "AMD, 인텔 등 다른 미국 기업들에도 이러한 접근 방식이 적용될 것"이라고 밝혔다. 로이터통신은 이에 대해 "트럼프 대통령이 최신형 칩인 블랙웰 칩의 중국 수출을 허가하거나, 아예 칩 수출을 막는 방안 사이의 타엽한을 낸 것으로 보인다"고 논평했다. H200의 수출 재개는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 HBM 수요를 촉진할 수 있을 것으로 관측된다. H200은 HBM3E 8단 제품을 탑재한다. 현재 HBM은 HBM3E 12단까지 상용화된 상태로, 내년부터는 HBM4 양산이 본격화된다.

2025.12.09 08:31장경윤 기자

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