SK, HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현...마이크론 발등에 불?
SK하이닉스가 12일 내년 시장이 본격 개화되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료하고 세계 첫 양산 체제를 구축했다고 발표하면서 기술 경쟁력을 한껏 뽐내고 있다. 경쟁사 대비 빠른 속도로, 동작속도 역시 업계 표준을 웃도는 10Gbps 이상을 구현한 것도 SK하이닉스의 시장 지배력 지속을 위한 긍정 신호로 평가되는 대목이다. 또한 주요 고객사인 엔비디아가 최근 HBM4에 필요한 동작속도 요구치를 올린 데 따른 대응으로 풀이된다. 반면 주요 경쟁사인 미국 마이크론은 위기를 맞았다는 평가다. HBM의 동작속도를 높이기 위해서는 '베이스 다이'의 성능이 중요한데, 마이크론의 경우 SK하이닉스, 삼성전자 대비 공정의 기술적 수준이 낮기 때문이다. 이에 업계는 마이크론이 오는 23일(현지시간) 진행하는 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 어떠한 대응책을 제시할 지 주목하고 있다. HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현…개발 속도 올려 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 최신 AI 가속기인 '루빈' 칩에 채택될 예정이다. SK하이닉스의 이번 HBM4 개발 완료 발표는 업계의 예상을 앞서는 수준이다. 당초 엔비디아 측이 메모리사와 논의한 공식적인 퀄(품질) 테스트 시점은 내년 초쯤이다. 이에 따라 각 메모리 기업들은 올 3분기 엔비디아에 샘플을 대량으로 공급하며 개발 일정을 소화해 왔다. 다만 SK하이닉스는 이와 별개로 최근까지 HBM4에 대한 내부 인증을 마무리 수순까지 끌어올렸다. 이를 기반으로 개발 완료 일정을 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. HBM4에 구현한 동작속도도 눈에 띈다. SK하이닉스는 HBM4에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작속도를 구현했는데, JEDEC(국제반도체표준화기구)의 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘은 성과다. SK하이닉스가 동작속도를 강조한 이유는 바로 엔비디아에 있다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 AI 가속기 '루빈(Rubin)' 칩에 채택될 예정이다. 당초 엔비디아는 HBM4에 8~9Gbps 수준의 동작속도를 요구했으나, 최근에는 기준을 10Gbps 이상으로 높인 것으로 알려졌다. 베이스 다이서 '열위' 평가 받는 마이크론…실적 발표서 대응 주목 HBM의 동작 속도 향상을 위해서는 HBM의 베이스(로직) 다이 성능이 중요하다는 게 업계 전문가들의 시각이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이전까지 HBM의 로직 다이를 D램 공정에서 제조해 왔다. 그러나 HBM4부터는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 12나노미터(nm) 공정에 로직다이 양산을 맡겼다. 삼성전자도 자사 파운드리 사업부의 4나노 공정을 활용해, 성능 우위를 꾀하고 있다. 반면 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정에서 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수하기로 했다. 때문에 업계에서는 마이크론이 삼성전자·SK하이닉스 대비 엔비디아의 HBM4 동작속도 요구치에 부합하기 힘들 것이라는 전망이 우세해지고 있다. 이 경우 마이크론은 엔비디아의 하이엔드 제품향 HBM4 공급에 제한이 생길 수밖에 없다. 마이크론의 공식 대응이 주목되는 이유다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업보다 한 달 앞서 분기 실적 발표를 진행한다. 마이크론의 회계연도 4분기 실적발표는 오는 23일로 예정돼 있다.
