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'로직다이'통합검색 결과 입니다. (2건)

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삼성전자, '맞춤형 HBM' 두뇌에 2나노 첫 적용…성능 우위 총력

삼성전자가 고객사 맞춤형(커스텀) HBM 시대에 대응하기 위한 또 한번의 기술 혁신에 나선다. HBM의 '두뇌' 역할을 담당하는 로직(베이스) 다이에 최첨단 파운드리인 2나노미터(nm) 공정을 적용할 계획인 것으로 파악됐다. 앞서 삼성전자는 올해 상용화를 앞둔 HBM4(6세대 HBM)용 로직 다이에 경쟁사 대비 고도화된 4나노 공정을 적용한 바 있다. 차세대 제품에서도 초미세 공정을 통한 성능 우위를 지속하려는 전략으로 풀이된다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 최대 2나노 공정으로 설계하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 연결한 코어 다이와, 코어 다이 아래에서 컨트롤러 기능을 담당하는 로직 다이로 구성돼 있다. 로직 다이는 HBM과 GPU 등 시스템반도체 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 주고받을 수 있게 만든다. HBM 공정이 고도화될수록 로직 다이에 적용되는 기술 역시 빠르게 발전해 왔다. 일례로, 올해 정식 양산을 앞둔 HBM4부터는 로직 다이가 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정을 통해 제조된다. 파운드리 공정이 D램 공정 대비 성능 및 전력 효율성 강화에 유리하기 때문이다. 삼성전자의 경우 HBM4용 로직 다이에 4나노 공정을 적용했다. 칩 개발 및 양산은 DS사업부 내 시스템LSI, 파운드리가 각각 담당했다. 대만 TSMC의 12나노 공정을 채택한 SK하이닉스 대비 성능적인 면에서 우위를 차지하기 위한 전략이었다. 더 나아가 삼성전자는 커스텀 HBM용 로직 다이를 기존 4나노에서 최대 2나노 공정으로 설계하고 있는 것으로 파악됐다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 로직 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 2나노는 현재 상용화된 파운드리 공정 중 가장 최첨단에 해당한다. 앞서 삼성전자는 지난해 4분기 SF2(1세대 2나노) 공정 기반의 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서) '엑시노스 2600'을 양산하면서 본격적으로 2나노 공정에 발을 들인 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 시스템LSI사업부 내에 지난해 신설된 커스텀SoC(시스템온칩)팀 주도로 커스텀 HBM용 로직다이를 설계 중"이라며 "다양한 고객사 수요 대응을 위해 4나노에서 2나노까지 포트폴리오를 구성하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 최첨단 로직 다이를 무기로 엔비디아·AMD·브로드컴·AWS(아마존웹서비스)·오픈AI 등 글로벌 빅테크를 맞춤형으로 적극 공략할 계획이다. 특히 2나노 로직 다이를 적용한 커스텀 HBM은 초고성능 AI 가속기 분야에서 수요가 높을 것으로 예상된다. 커스텀 HBM이 활발히 적용되는 시점은 HBM4E(7세대 HBM)부터로 전망된다. HBM4E는 내년 출시될 가능성이 유력하다. 이에 맞춰 삼성전자는 로직 다이 공정 고도화는 물론 최첨단 패키징 기술인 하이브리드 본딩 적용 등을 추진하고 있다.

2026.01.21 13:38장경윤 기자

TSMC 손 잡은 SK하이닉스, HBM4 로직 다이 비용 압박↑

SK하이닉스가 올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산에 본격 나선다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 크게 끌여올렸으며, 내부 제어를 담당하는 '로직 다이(베이스 다이)의 기능을 대폭 강화한 것이 특징이다. 이에 따라 제품 가격도 이전 대비 30% 이상 상승할 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스가 HBM4의 가격 인상분 만큼 수익성 증대 효과를 거두기는 어려울 것으로 보인다. 로직 다이의 양산을 대만 주요 파운드리 TSMC에 위탁하기 때문이다. 업계에서는 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중이 20%대에 이를 것으로 추산하고 있다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스가 TSMC에 의뢰한 HBM4용 로직 다이의 생산 단가는 상당히 높은 수준으로 분석된다. TSMC 손 잡았지만…SK하이닉스, '로직 다이' 비용 압박 현재 HBM 시장에서 압도적인 우위를 차지하고 있는 기업은 SK하이닉스다. 글로벌 빅테크인 엔비디아에 가장 많은 HBM을 공급해 왔으며, 지난해 하반기에는 세계 최초로 12단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 시작한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 세대 수가 진화할수록, D램을 더 많이 쌓을수록 성능이 뛰어나다. 12단 HBM3E의 경우 현재 상용화된 HBM 중 가장 고부가 제품에 해당한다. 엔비디아가 올 하반기 출시하는 최신형 AI 가속기 'GB300' 등에 탑재될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 12단 HBM4 샘플을 엔비디아에 조기 공급하는 성과를 거뒀다. HBM4는 기존 D램 공정에서 양산되던 로직 다이(베이스 다이)를 파운드리를 통해 양산하는 것이 큰 특징이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이 로직 다이의 양산을 TSMC의 최선단 파운드리 공정에 맡기기로 했다. TSMC는 전 세계 1위 파운드리 기업으로, 삼성전자와 더불어 5나노미터(nm) 이하의 초미세 공정을 구현할 수 있는 기술력을 갖췄다. 다만 로직 다이의 외주 양산이 SK하이닉스의 차세대 HBM 수익성을 약화시킬 수 있다는 우려도 제기된다. ▲TSMC가 최선단 파운드리 공정에서 사실상 독점적인 지위를 보유하고 있다는 점 ▲로직 다이가 HBM4로 넘어오면서 각종 부가 기능들이 추가된다는 점이 주된 배경이다. HBM4 내 로직 다이 단가 비중, 20%대 육박할 듯 반도체 업계 전문가와 패키징 업계 관계자들의 말을 종합하면, 현재 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중은 20%대에 달할 것으로 분석된다. 반도체 전문 분석기관 테크인사이츠의 최정동 박사는 "HBM4용 로직 다이는 단순히 각 칩을 연결하기만 했던 이전 세대와는 달리, 수 많은 기능을 탑재하고 커스터마이즈화되기 때문에 차원이 다르다"며 "HBM4 모듈 전체에서 20% 정도의 비중을 차지할 것이라는 게 합리적인 추정"이라고 설명했다. HBM4는 Gb(기가비트)당 2달러 초중반대의 가격이 형성될 것으로 알려져 있다. 이전 세대인 HBM3E 대비 약 30%가량 비싼 가격이다. 시장조사업체 트렌드포스도 최근 "HBM3E로의 전환에서 이미 20%의 가격 인상이 나타났었고, HBM4의 경우 30% 이상의 가격 인상이 예상된다"고 밝힌 바 있다. 때문에 HBM4의 가격이 이전 세대 대비 크게 높아진다 하더라도, 실제 SK하이닉스가 거둘 효용성은 크게 저하될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "최첨단 로직 다이 공정에서 뛰어난 성능을 입증한 건 사실상 TSMC가 유일하기 때문에, 부르는 게 값인 상황"이라며 "HBM4의 가격 인상분에서 SK하이닉스가 가져갈 수 있는 부분은 제한적일 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 다음달 엔비디아와 내년 HBM4 공급량에 대한 협상을 마무리할 것으로 관측된다"며 "더 많은 공급량을 확약받을수록 가격을 인하할 가능성이 커 논의 결과를 지켜봐야 할 것"이라고 밝혔다.

2025.05.30 14:32장경윤 기자

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