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'로옴'통합검색 결과 입니다. (67건)

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로옴, 금속판 션트 저항기 'PMR100' 라인업 확대

로옴(ROHM) 주식회사는 6432 사이즈(6.4mm×3.2mm) 금속판 션트 저항기 'PMR100' 라인업에 정격전력 5W 저항치 0.5m/1.0m/1.5mΩ의 3개 제품을 추가했다고 21일 밝혔다. 신제품은 온도 특성이 우수한 새로운 재료를 채용하고 단자 온도 디레이팅을 도입해 정격전력 5W를 달성했다. 이는 보호막이 있는 플랫 칩 타입의 6432 사이즈 제품으로는 업계 최고 수준이다. 기존 제품인 PMR100의 2W 제품 대비 정격전력을 약 2.5배, 3W 제품 대비 약 1.7배 향상시킴으로써 고전력 대형 타입을 대체해 사용할 수 있으므로 어플리케이션의 소형화에 기여한다. 또한 정격 단자 온도 130℃(0.5mΩ / 1mΩ 제품의 경우) 및 사용온도 범위 -65℃~+175℃를 보증해 고온 환경에서도 안정적인 동작을 확보할 수 있다. 우수한 저항 온도 계수(TCR) ±75ppm/℃로 고정밀도의 신뢰성이 높은 전류 검출이 가능하다. 신제품은 지난해 12월부터 샘플 출하를 개시했으며, 2024년 3월부터 순차적으로 양산을 개시할 예정이다. 생산 거점은 전공정, 후공정 모두 필리핀 법인이 담당한다. 한편 PMR 시리즈는 한층 더 소형인 5025 사이즈 및 3225 사이즈로 4W 제품의 개발을 추진하고 있으며, 향후 라인업을 확충해 나갈 예정이다. 로옴은 "앞으로도 션트 저항기의 성능 향상을 통해 어플리케이션의 소형화 및 저전력화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.03.21 15:57장경윤

로옴, 소형·저전력 DC-DC 컨버터 IC 4종 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 냉장고, 세탁기, PLC, 인버터 등 민생기기 및 산업기기 어플리케이션에 최적인 소형 DC-DC 컨버터 IC 4개 기종을 개발했다고 12일 밝혔다. 또한 라인업 강화를 위해 최대 출력전류 2A,스위칭 주파수 350kHz의 'BD9E203FP4-Z'도 제품화를 예정하고 있다. 신규 소형 DC-DC 컨버터 IC의 모델명은 'BD9E105FP4-Z·BD9E202FP4-Z·BD9E304FP4-LBZ·BD9A201FP4-LBZ다. 신제품은 출력전류 1A~3A로, 모두 소형 SOT23 패키지 사이즈 (2.8mm×2.9mm)를 채용했다. 이는 일반적인 SOP-J8 패키지(4.9mm×6.0mm)에 비해 부품 면적을 약 72% 삭감할 수 있어, 전원부의 소형화에 크게 기여한다. 또한 와이어리스 구조 패키지이므로, 와이어의 임피던스(배선의 저항 성분)도 삭감해 고효율 동작을 실현했다. BD9E105FP4-Z·BD9E202FP4-Z·BD9E304FP4-LBZ는 경부하 모드 시 COT 제어 방식을 채용함으로써 일반품 대비 경부하 시의 효율이 개선돼 대기전력을 억제하고자 하는 어플리케이션에 최적이다. 신제품은 2024년 3월부터 양산을 개시했다. 또한 어플리케이션 설계 시의 평가가 용이하도록 평가용 보드 및 각종 서포트 툴도 제공하고 있다. 로옴은 "앞으로도 아날로그 설계 기술을 구사한 제품 개발에 주력해, 민생 및 산업기기 어플리케이션의 소형·저전력화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.03.12 08:50장경윤

로옴, 델타 AC 어댑터에 '650V GaN 제품' 공급

로옴(ROHM)이 자사의 'EcoGaN' 650V GaN(질화갈륨) 제품을 대만 델타일렉트로닉스의 브랜드 이너지(Innergie)의 45W 출력 AC 어댑터 'C4 Duo'에 채용됐다고 27일 밝혔다. 로옴이 이번 델타에 공급한 제품 모델명은 'GNP1150TCA-Z'다. 델타 측은 "로옴과의 협력 체제를 지속적으로 강화함으로써 한층 더 고출력, 고기능의 AC 어댑터를 제공할 수 있을 것으로 믿고 있다"고 밝혔다. 로옴은 GaN을 탑재한 기기를 'EcoGaN'이라는 브랜드로 전개하고 있다. 높은 잠재력을 지녔으나, 취급이 어려운 GaN의 완벽한 활용에 주목해 제품 개발과 솔루션 제공을 추진하고 있다. 디스크리트 제품으로는 2022년에 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시했으며, 2023년에는 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 양산했다. 이번에 650V 내압 제품인 'GNP1150TCA-Z'에 내장된 ESD 보호 소자를 통해 정전 파괴 내량을 GaN HEMT 일반품 대비 약 75% 향상시켰다는 점에서, 어플리케이션의 고신뢰화로 연결될 수 있을 것으로 평가받고 있다.

2024.02.27 13:43장경윤

로옴, 세계 최소 소비전류 구현한 OP 앰프 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 소비전류를 세계 최소로 억제한 리니어 OP 앰프 'LMR1901YG-M'을 개발했다고 21일 밝혔다. 신제품은 로옴의 독자적인 초저소비전류 기술을 적용했다. 이를 통해 저소비전류 OP 앰프의 일반품 대비 소비전류를 약 38% 저감한 160nA(Typ.)로 억제했다. ESL(전자 가격 표시기) 등 내장 배터리로 구동하는 어플리케이션의 장수명화를 실현할 뿐만 아니라, 충전식 배터리를 탑재하는 스마트폰 등의 어플리케이션에서는 가동 시간 연장에 기여한다. 또한 동작온도 범위 -40℃~+105℃에서 소비전류에 거의 변화가 없어, 화재 경보기 및 환경 센서 등 외부 온도가 변화하는 환경에서도 안정적으로 저전력 동작이 가능하다. 입력 오프셋 전압은 저소비전류 OP 앰프 일반품 대비 45% 저감해 최대 0.55mV (Ta=25℃)로 억제했고, 입력 오프셋 전압 온도 드리프트도 최대 7µV/℃를 보증해 센서 신호를 고정밀도로 증폭할 수 있다. 1.7V~5.5V의 폭넓은 전원전압 범위와 Rail to Rail 입출력을 구비해 폭넓은 민생기기, 산업기기 어플리케이션에 대응 가능하다. 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q100'에도 준거하여 차량 내부 등 까다로운 조건에서도 기능성을 유지하면서 안정적인 동작이 가능하다. LMR1901YG-M은 로옴 공식 웹사이트에서 회로 설계에 필요한 각종 기술 자료 및 시뮬레이션용 SPICE 모델 등을 무료로 공개하고 있다. 로옴 솔루션 시뮬레이터에도 대응해 신속한 시장 도입을 지원하고 있다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점의 경우 전공정은 로옴 하마마츠 주식회사(하마마츠), 후공정은 ROHM Electronics Philippines, Inc.(필리핀)이다.

2024.02.21 14:09장경윤

'반도체 강국 명성 되찾자'...日, 올해 다국적 기업 팹 잇따라 가동

일본을 신규 거점으로 한 다국적 반도체 제조시설이 올해 잇달아 가동을 시작한다. TSMC, 웨스턴디지털(WD), 키옥시아, 르네사스, 로옴, 도시바 등이 해당된다. 80년대까지 반도체 강국이었다가 물러난 일본은 이번 글로벌 반도체 기업들의 잇단 신규 투자를 계기로 종합반도체 국가로 거듭나겠다는 목표다. 일본 정부는 과거 2000년대 초 겪었던 반도체 정책 실패의 전철을 다시 밟지 않기 위해 자국 기업과 공정 분야에서 앞선 글로벌 반도체 기업 간의 합작 회사 설립을 통해 파운드리 진출을 시도한다는 점에서 주목된다. 일본은 현재에도 반도체 소재·장비 분야에서는 단연 앞서 있다. ■ TSMC 구마모토 팹 이달 24일 가동 시작...첫 글로벌 진출 대만 파운드리 업체 TSMC는 일본 구마모토에 건설한 1공장이 이달 24일 개소식을 개최하고 가동을 시작한다. 본격적인 양산은 올해 4분기부터다. TSMC 구마모토 팹은 TSMC, 소니, 덴소의 합작법인 JASM이 운영한다. 이 팹은 12인치 웨이퍼에서 12나노미터(mn), 16나노, 22나노, 28나노 공정 기반으로 월 5만5000장을 생산할 예정이다. 아울러 TSMC는 올해 구마모토에 2공장을 착공해 2026년 말 7나노 공정 제품 생산을 계획 중이다. TSMC의 이번 투자는 일본의 반도체 활성화 정책의 첫걸음으로 평가된다. 구마모토 팹은 TSMC가 처음으로 해외에서 생산을 시작하는 공장으로, 착공 이전부터 많은 주목을 받아왔다. 일본 정부는 자국 내 글로벌 투자를 이끌기 위해 총 금액(86억 달러)의 3분의 1에 해당되는 32억 달러를 지원했다. ■ 키옥시아-웨스턴디지털, 12인치 낸드플래시 팹 공동 운영 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털이 공동으로 투자한 일본 미에현 욧카이치 12인치 낸드플래시 공장은 오는 3분기에 양산을 시작할 예정이다. 해당 공장은 총 2800억엔이 투입됐으며, 일본 정부가 929억엔을 지원했다. 이 외에도 양사가 공동으로 1조엔을 투자해 일본 북부 이와테현 기타카미에 건설 중인 낸드 공장은 올해 하반기에 완공될 예정이다. 이번 프로젝트는 당초 2022년 공사를 시작해 지난해 하반기에 완공 예정이었지만, 메모리 불황으로 인해 지연됐다. ■ 르네사스, 12인치 전력반도체 확장…도시바-로옴 생산라인 통합 일본 차량용 반도체 업체 르네사스일렉트로닉스는 올해 새로운 전력 반도체 생산 라인을 가동할 예정이다. 르네사스는 2014년 10월 야마나시현에 있는 코푸 공장이 폐쇄된 이후 기존 시설에 12인치 웨이퍼 생산 라인을 설치하기 위해 900억엔을 투자했다. 르네사스 신규 생산라인에서는 전기(EV) 자동차 수요에 대응해 IGBT, MOSFET 등 전력반도체 생산을 강화할 계획이다. 일본 도시바와 로옴세미컨덕터도 올해부터 전력 반도체 생산라인을 통합 운영한다. 이번 협력으로 도시바의 전력 반도체 공장은 로옴이 새로 투자한 미야자키현 구니토미시에 있는 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 공장과 통합 생산을 시작한다. 일본 정부는 도시바와 로옴 프로젝트 총 투자액의 3의 1에 해당하는 보조금을 약속했다. 르네사스 또한 일본 정부로부터 세금 혜택 및 보조금을 받을 것으로 예상된다. 그 밖에도 일본에서 신규 반도체 투자가 활발히 이뤄지고 있다. 대만 3위 파운드리 업체 PSMC(파워칩 세미컨덕터)는 일본 SBI홀딩스와 공동으로 12인치 파운드리 회사를 설립해 2027년까지 건설을 완료하고 이후 칩 생산에 돌입할 계획이다. 일본 반도체 합작사 라피더스는 훗카이도 치소세시에 파운드리 공장을 건설해 2027년부터 2나노 칩 생산을 목표로 한다. 일본 정부는 라피더스 공장 건설에 보조금 3천억 엔(약 2조7천억 원)을 지급하기로 약속했다. 라피더스는 2022년 8월 토요타, 소니, 키옥시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개 사가 공동으로 설립한 회사다. 이들 기업은 각각 10억엔(약 91억원)을 출자했으며, 일본 정부도 700억엔(약 6천336억원) 보조금을 지급하기로 했다. 라피더스는 미국 IBM과 손잡고 2027년까지 AI, 데이터센터용 2나노미터(nm) 공정 반도체를 공동 개발한다는 목표다.

2024.02.02 16:28이나리

로옴, 부하 응답 특성 높인 차량용 프라이머리 LDO 출시

로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 배터리로 동작하는 자동차 전장품 및 ECU(전자제어유닛) 등 전원에 최적화된 프라이머리 LDO 레귤레이터(이하 LDO)를 개발했다고 1일 밝혔다. 정격전압 45V 내압, 출력전류 500mA의 이번 LDO 'BD9xxM5-C' 제품군은 BD933M5EFJ-C, BD950M5EFJ-C, BD900M5EFJ-C, BD933M5WEFJ-C, BD950M5WEFJ-C, BD900M5WEFJ-C로 세분화돼 있다. 신제품은 로옴의 고속 부하 응답 기술 'QuiCur'를 탑재함으로써 부하전류 변동에 대한 응답 특성이 우수하다. 이에 입력전압이나 부하전류 변동 시에도 어플리케이션이 요구하는 안정 동작을 실현할 수 있다. 또한 소비전류 9.5µA(Typ.)의 저전류 동작으로 오토모티브 어플리케이션의 저소비전력화에도 기여한다. 신제품은 사용 환경에 따라 선택 가능하도록, 소형 HTSOP-J8 패키지에서 고방열 TO252 패키지(TO252-3 / TO252-5), HRP5 패키지까지 4종류의 패키지를 전개할 예정이다. 신제품의 HTSOP-J8 패키지 제품은 지난해 12월부터 월 2만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. TO252-3 및 TO252-5, HRP5의 3종류 패키지를 포함해 2024년 중에 총 18개 제품까지 라인업을 확충할 예정이다.

2024.02.01 09:54장경윤

로옴, 저전력 특성 실현한 신구조 서멀 프린트 헤드 개발

로옴(ROHM) 주식회사는 고성능 인쇄와 약 30%의 저전력을 실현한 리튬이온 배터리 1셀 (3.6V) 구동의 신구조 서멀 프린트 헤드 'KR2002-Q06N5AA'를 개발했다고 9일 밝혔다. 신제품은 서멀 프린트 헤드의 구조를 근본적으로 개선했다. 축열층인 글레이즈의 설계를 최적화하고 특수 저저항 발열체를 채용함과 동시에, 발열체 상의 보호막 구조도 변경했다. 이에 따라 발열한 열량을 감열지 및 전사 리본과 같은 인쇄 미디어에 고효율로 전달할 수 있다. 또한 드라이버 IC와 배선 구조의 개선을 통해 디바이스에 공급되는 전력을 고효율의 열 에너지로 변환함으로써 인쇄 효율을 향상시켰다. 전열 및 전력의 고효율화를 동시에 추구함으로써, 저전력화도 달성했다. 이러한 개선을 통해 리튬이온 배터리 1셀로, 리튬이온 배터리 2셀(7.2V) 구동 타입 기존품과 동등한 인쇄 속도와 인쇄 화질을 실현했다. 또한 1셀 구동 서멀 프린트 헤드의 기존품 대비, 인쇄에 필요한 인가 에너지를 약 30% 삭감하는 데 성공했다. 이에 따라 서멀 프린터 기기의 소형·경량화와 저전력화에 기여한다. 신제품은 지난해 12월부터 월 5만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2024.01.09 13:37장경윤

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