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로옴, AI 등 고성능 서버용 신규 MOSFET 개발

로옴은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 MOSFET를 개발했다고 26일 밝혔다. 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러(HSC) 회로에 최적인 'RS7E200BG (30V)'와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 'RS7N200BH (80V)', 'RS7N160BH (80V)'의 총 3개 기종이다. DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8 (5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65% 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로, ON 저항 특성을 30V 제품인 'RS7E200BG'는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 'RS7N200BH'는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하여 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다. 또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써, 어플리케이션의 신뢰성 확보에 기여하는 SOA 내량도 향상됐다. 특히 30V 제품인 'RS7E200BG'는 SOA 내량이 70A 이상(조건 : 펄스폭=1ms, VDS=12V 시)으로 기존의 HSOP8 패키지 제품에 비해 동일 조건에서 2배 향상됨에 따라, 5.0mm×6.0mm의 패키지 사이즈 기준으로 업계 최고 수준인 높은 SOA 내량을 실현했다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 로옴 주식회사(시가 공장), 후공정 OSAT(태국)다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "2025년 내에 AI 서버의 핫스왑 컨트롤러 회로에도 대응하는 파워 MOSFET를 순차적으로 양산할 예정"이라며 "라인업을 계속적으로 확충해 어플리케이션의 고효율 동작 및 신뢰성 향상에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.02.26 09:49장경윤 기자

로옴, 무라타제작소 AI 서버용 전원에 'EcoGaN' 공급

로옴은 'EcoGaN' 제품인 650V 내압, TOLL 패키지 GaN HEMT가 일본 무라타 제작소 그룹인 무라타 파워 솔루션의 AI(인공지능) 서버용 전원에 채용됐다고 13일 밝혔다. 저손실 동작 및 고속 스위칭 성능을 실현한 로옴의 GaN HEMT는 무라타 파워 솔루션의 5.5kW 출력 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼, 전원의 고효율 동작과 소형화에 기여한다. 해당 전원 유닛은 2025년부터 양산을 개시할 예정이다. EcoGaN은 GaN의 성능을 최대화함으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 동시에 실현하여 저전력·소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스다. 최근 AI(인공지능) 및 AR(증강현실) 등 IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있다. 특히 AI에 의한 1회의 답변에 사용되는 전력 소비량은 통상적인 인터넷 검색의 수배에 해당한다고 알려져 있으며, 이러한 작업을 처리하는 고속 연산 디바이스 등에 전력을 공급하는 AI 서버용 전원에도 조속한 효율 개선이 요구되고 있다. 이러한 상황에서 낮은 ON 저항 및 고속 스위칭 성능을 특징으로 하는 GaN 디바이스는 전원의 고효율 동작 및 전원 회로에서 사용되는 인덕터 등 주변부품의 소형화에 기여할 수 있으므로 주목받고 있다. 로옴은 "EcoGaN이 전원의 글로벌 리더인 무라타 파워 솔루션의 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼 매우 기쁘게 생각한다"며 "이번에 탑재된 GaN HEMT는 업계 최고 수준의 스위칭 성능과 고방열 TOLL 패키지를 채용한 제품으로, 무라타 파워 솔루션의 전원 유닛에 있어서 고밀도화와 고효율화 실현에 기여한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "일렉트로닉스를 통해 사회에 기여하고자 하는 동일한 경영 비전을 가진 무라타 제작소와 향후 협업을 지속함으로써 전원의 소형화, 고효율화를 추진하여 인류의 풍요로운 생활에 기여할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2025.02.13 09:07장경윤 기자

로옴, 650V 내압 GaN HEMT로 소형·고방열 TOLL 패키지 개발

로옴(ROHM)이 650V 내압 GaN HEMT의 새로운 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 'GNP2070TD-Z'의 양산을 시작했다고 5일 발표했다. TOLL는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수하여, 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 애플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다. 신제품은 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에서 업계 최고 수준을 달성했다. 이를 통해 고내압 및 고속 스위칭이 필요한 전원 시스템의 소형화와 저전력화가 가능해졌다. 특히 이번 제품은 반도체 후공정 전문기업 ATX세미컨덕터와 협력을 통해 개발됐다. 로옴은 자체 보유한 디바이스 설계 기술과 노하우를 활용해 설계·기획을 담당했으며, 전공정은 대만 파운드리 업체 TSMC가, 후공정은 ATX가 맡아 생산하고 있다. 리아오 홍창 ATX SEMICONDUCTOR 총괄이사는 "로옴과는 2017년부터 기술 교류를 시작했으며, GaN 디바이스 후공정 제조 분야의 당사 실적과 기술력을 인정받아 이번 협업이 성사됐다"고 밝혔다. 로옴은 ATX와 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브용 GaN 디바이스 시장이 2026년부터 본격 성장할 것으로 예상됨에 따라, ATX와 오토모티브 분야 협력도 확대해 나갈 계획이다. 사토시 후지타니 로옴 AP생산본부장은 "ATX와 같은 높은 기술력을 보유한 OSAT와의 협업으로 급성장하는 GaN 시장에 대응할 수 있게 됐다"며 "앞으로도 GaN 디바이스의 성능 향상을 통해 다양한 애플리케이션의 소형화와 고효율화를 추진하겠다"고 말했다. 한편 로옴은 지난해 12월부터 해당 제품의 양산 및 온라인 판매를 시작했다. CoreStaff Online, Chip 1 Stop 등 온라인 부품 유통 사이트를 통해 개당 3천엔(세금 별도)에 구매할 수 있다.

2025.02.05 16:38이나리 기자

로옴, A4 사이즈 모바일 프린터용 소형 서멀 프린트 헤드 개발

로옴(ROHM)은 리튬이온 배터리 2셀 구동(VH=7.2V)에 대응하는 8인치 서멀 프린트 헤드 'KA2008-B07N70A'를 개발했다고 23일 밝혔다. 신제품은 A4 사이즈(가로 폭 210mm)의 프린터에 대응하는 제품으로, 높이를 기존품의 14mm에서 업계 최소 수준인 11.67mm로 약 16% 소형화해, 프린터 전체의 스페이스 절약화에도 기여한다. 발열체 구조를 최적화한 드라이버 IC 및 배선 레이아웃을 개선함으로써, 7.2V 구동에 대응하여 기존의 12V 구동 대비, 인쇄를 위해 필요한 인가 에너지를 약 66% 저감했다. 또한 발열체의 개별 배선 조정을 통해 발열량을 균일화함으로써 인쇄 품질을 안정화시켜, 최고 인쇄 속도 초당 100mm의 고속 인쇄 시에도 해상도 203dpi로 선명한 인쇄 화질을 실현했다. 또한 신제품은 감열 방식과 열전사 방식의 두가지 서멀 인쇄 방식에 대응해, 다양한 용도에서의 인쇄가 가능하다. 온도 변화로 인한 팽창이나 수축의 영향을 경감할 수 있도록 구성함으로써, 기계적 강도와 내구성을 향상시켜 메인 타겟인 A4 사이즈 프린터에 요구되는 높은 내구성에 기여한다. 서멀 프린트 헤드는 커넥터나 방열판을 세트로 사용하는 것이 일반적이지만, 신제품은 기판 단품으로도 공급이 가능해, 프린터 설계의 자유도 향상에 기여한다. 세트 공급을 희망하는 경우에는 담당 영업 또는 로옴 홈페이지의 문의 양식을 통한 별도 문의가 필요하다. 신제품은 2024년 9월부터 월 5천개의 생산 체제로 양산을 개시했고, A4 사이즈 대응 모바일 프린터용의 해상도 300dpi 제품을 2025년 봄에 개발할 예정이다. 또한 고속 인쇄와 고효율화를 실현하는 라인업도 확충해 나갈 예정이다.

2025.01.23 14:41장경윤 기자