로옴, 인피니언과 SiC 파워 디바이스 패키지 협력
로옴은 인피니언 테크놀로지스와 SiC(실리콘카바이드) 파워 디바이스 패키지에 관한 협력 체제 구축에 대한 양해각서 (MOU)를 체결했다고 26일 밝혔다. 이는 차량용 충전기, 태양광 발전, 에너지 저장 시스템, AI 데이터 센터 등에서 채용되는 SiC 파워 디바이스의 패키지에 있어서 양사가 상호 공급하는 이원화 공급 체제 구축을 위한 것이다. 향후 로옴과 인피니언의 양사에서 호환성이 있는 제품의 조달이 가능해지며, 고객사의 요구에 따라 제품의 병용이나 대체도 용이해진다. 이번 협업을 통해 고객사의 설계 및 조달에 관한 편리성 향상에 기여한다. 본 협업의 일환으로서 로옴은 인피니언의 혁신적인 SiC향 상면 냉각 플랫폼(TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK Dual, H-DPAK 패키지 포함)을 채용한다. 해당 플랫폼은 모든 패키지의 높이를 2.3mm로 표준화하여 설계의 용이화, 냉각 시스템의 비용 절감과 더불어, 기판 면적의 유효 활용 및 최대 2배의 전력 밀도 향상이 가능하다. 동시에 인피니언은 로옴의 하프 브릿지 구성의 SiC 모듈 'DOT-247'를 채용해 호환성이 있는 패키지를 개발한다. 이에 따라 인피니언이 새롭게 발표한 Double TO-247 IGBT 라인업에 SiC 하프 브릿지 솔루션이 추가됐다. 로옴의 첨단 DOT-247은 기존의 디스크리트 패키지에 비해 한층 더 높은 전력 밀도와 설계 자유도를 실현한다. 2개의 TO-247 패키지를 연결한 독자 구조를 채용해 TO-247 대비 열 저항을 약 15%, 인덕턴스를 50% 저감하여, TO-247의 2.3배에 해당하는 전력 밀도를 달성했다. 향후 로옴과 인피니언은 실리콘뿐만 아니라, SiC 및 GaN 등 다양한 패키지에 대해 협업을 확대해 나갈 계획이다. 이를 통해 고객사에 폭 넓은 솔루션을 제공할 계획이다. SiC 파워 디바이스는 전력의 스위칭 효율을 높임으로써 고출력 어플리케이션의 성능을 향상시켜, 가혹한 환경에서도 높은 신뢰성과 견고성을 발휘함과 동시에 한층 더 소형화 설계가 가능하다. 로옴과 인피니언의 SiC 파워 디바이스를 활용함으로써 전기자동차의 충전, 재생 가능 에너지 시스템, AI 데이터 센터 등의 어플리케이션용으로 에너지 효율이 우수한 솔루션을 개발하여 전력 밀도를 높일 수 있다. 피터 바버 인피니언 그린 인터스트리얼 파워 사업부 사장은 “로옴과의 협업을 통해 SiC 파워 디바이스의 보급을 한층 더 가속시킬 수 있어 매우 기쁘게 생각한다”며 “본 협업으로, 고객사에서는 설계 및 조달의 각 프로세스에서 한층 더 폭넓은 선택지와 유연성을 확보할 수 있으며, 동시에 탈탄소화를 추진하는 고효율 어플리케이션 개발이 가능해질 것”이라고 말했다. 이노 카즈히데 로옴 파워 디바이스 사업 담당 상무는 “로옴은 고객에게 최적인 솔루션 제공을 사명으로 사업을 전개하고 있습니다. 인피니언과의 협업은 솔루션의 포트폴리오 확충을 실현하기 위한 중요한 한 걸음이 될 것”이라며 “협업을 통해 이노베이션을 추진함과 동시에 복잡성을 줄여 고객 만족도를 한층 더 향상시킴으로써 파워 일렉트로닉스 업계의 미래를 개척해 나가고자 한다”고 전했다.
