• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 인터뷰
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
창간특집
인공지능
배터리
컨퍼런스
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'로옴'통합검색 결과 입니다. (44건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

로옴, 고내압 GaN 소자용 절연 게이트 드라이버 IC 양산 돌입

로옴(ROHM) 주식회사는 600V 클래스의 고내압 GaN HEMT 구동에 최적인 절연 게이트 드라이버 IC 'BM6GD11BFJ-LB'를 개발했다고 15일 밝혔다. GaN 디바이스와 본 제품을 조합해 사용하면, GaN 디바이스의 고주파·고속 스위칭 시 안정적인 구동을 실현해 모터 및 서버 전원 등 대전류 어플리케이션의 소형화와 고효율화에 기여한다. 신제품은 로옴 최초의 고내압 GaN HEMT용 절연 게이트 드라이버 IC다. 급격한 전압 상승 및 강하를 반복하는 스위칭 동작 시 디바이스와 제어 회로를 분리해, 안전한 신호 전달을 실현한다. 독자적으로 개발한 온칩(on-chip) 절연 기술을 사용함으로써 기생 용량을 저감하고, 최대 2MHz의 고주파 구동을 실현했다. GaN 디바이스의 고속 스위칭 성능을 최대화시켜 어플리케이션의 저전력화와 고성능화에 기여할 뿐만 아니라, 주변부품을 소형화할 수 있어 실장 면적 삭감으로도 이어진다. 또한 절연 게이트 드라이버 IC의 노이즈 내성을 나타내는 공통 모드 과도 내압 (CMTI)은 기존품 대비 1.5배에 해당하는 150V/ns로, GaN HEMT 스위칭 시 우려되는 높은 슬루율(slew rate)에서의 오동작을 방지해 안정적인 제어를 서포트한다. 최소 펄스 폭은 기존품 대비 33% 축소, ON 시간은 최소 65ns로 단축했다. 이에 따라 고주파화 시에도 최소 Duty 비를 확보할 수 있어, 손실 저감을 최소한으로 억제할 수 있다. GaN 디바이스의 게이트 구동 전압 범위는 4.5V~6.0V, 절연 내압은 2500Vrms로, 로옴의 EcoGaN™ 시리즈의 새로운 라인업인 650V 내압 GaN HEMT 'GNP2070TD-Z'를 비롯해, 다양한 고내압 GaN 디바이스의 성능을 최대화시킬 수 있다. 출력 측의 소비전류는 0.5mA (최대)로 업계 최고 수준의 저소비전력 성능을 달성해 대기전력도 삭감할 수 있다.

2025.05.15 13:30장경윤

로옴 '2kV SiC MOSFET' 탑재 모듈, SMA 태양광 시스템에 채용

로옴은 자사의 최신 2kV SiC MOSFET를 탑재한 세미크론 댄포스의 파워 모듈이 SMA 솔라 테크놀로지 AG(이하 SMA)의 신형 태양광 시스템 'Sunny Central(서니 센트럴) FLEX'에 채용됐다고 12일 밝혔다. 서니 센트럴 FLEX는 대규모 태양광 발전 설비, 축전 시스템, 차세대 기술용으로 설계된 모듈러 타입의 플랫폼으로, 전력망의 효율화와 안정성 향상을 지향한다. 로옴의 새로운 2kV 내압 SiC MOSFET는 1천500V DC 링크용으로 심플하고 효율이 높은 컨버터 회로를 실현하기 위해 설계된 제품이다. 높은 신뢰성을 목표로, 우주선에 대한 내성을 구비해, 태양광 발전 분야에서의 까다로운 환경 조건이나 컨버터의 장수명화에 대한 요구에 대응할 수 있다. 또한 로옴의 게이트 저항을 내장한 SiC 디바이스 기술은 모듈 내에서의 병렬 구동을 용이하게 해, 고출력 모듈 설계의 간소화에도 기여한다. 세미크론 댄포스의 'SEMITRANS 20'은 대전력 용도 및 고속 스위칭 동작용으로 설계된 제품이다. 직류전압 1천500V에 대응하는 어플리케이션용으로 고효율의 심플한 솔루션을 제공해, 태양광 발전 및 축전 시스템에 적합하다. 세미크론 댄포스는 "로옴의 2kV SiC를 탑재한 SEMITRANS 20은 SMA의 서니 센트럴 FLEX의 중요한 구성 요소로, 향후 고출력 전동 트럭용 충전기 및 풍력 발전용 컨버터에도 활용될 것으로 기대하고 있다"며 "세미크론 댄포스와 로옴은 실리콘 IGBT 모듈에 있어서도 협업을 전개 중"이라고 밝혔다.

2025.05.12 10:37장경윤

로옴, 전동차용 고밀도 신형 SiC 모듈 개발

로옴(ROHM)은 xEV(전동차)용 온보드 차저(이하 OBC)의 PFC 및 LLC 컨버터에 최적인 4in1 및 6in1 구성의 SiC 몰드 타입 모듈 'HSDIP20'을 개발했다고 24일 밝혔다. HSDIP20은 750V 내압으로 6개 제품 (BSTxxx1P4K01), 1,200V 내압으로 7개 제품 (BSTxxx2P4K01)을 라인업으로 구비했다. 다양한 하이파워 어플리케이션의 전력 변환 회로에서 요구되는 기본 회로를 소형 모듈 패키지에 내장해, 고객 측의 설계 공수 삭감과 OBC 등에서 전력 변환 회로의 소형화에 기여한다. HSDIP20은 높은 방열 성능의 절연 기판을 내장해, 대전력 동작 시에도 칩 온도 상승을 억제할 수 있다. 실제로 OBC에서 일반적으로 채용되는 PFC 회로(SiC MOSFET 6개 사용)에서 상면 방열 타입의 디스크리트 6개와 6in1 구성의 HSDIP20 1개를 동일 조건으로 비교하면, HSDIP20의 온도가 약 38℃ 낮은 것을 확인할 수 있다. 또한 높은 방열 성능을 통해 소형 패키지로 대전류 대응을 실현할 수 있다. 상면 방열 타입의 디스크리트에 비해 3배 이상, 동일한 DIP 타입 모듈에 비해 1.4배 이상에 해당하는 업계 최고 수준의 전력 밀도를 달성했다. 이에 따라, 앞서 기술한 PFC 회로에서 HSDIP20은 상면 방열 타입 디스크리트보다 실장 면적을 약 52% 삭감할 수 있어, OBC 등에서 전력 변환 회로의 소형화에 크게 기여한다. 신제품은 올해 4월부터 월 10만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2025.04.24 17:31장경윤

로옴, 업계 '최저 ON 저항' 소형 MOSFET 개발

로옴(ROHM)은 2.0mm×2.0mm 패키지 사이즈로 업계 최고의 낮은 ON 저항 2.0mΩ (Typ.)의 Nch 30V 내압 공통 소스 구성의 MOSFET 'AW2K21'을 개발했다고 15일 밝혔다. 신제품은 로옴의 독자적인 구조로 셀의 집적도를 향상시켜 칩 면적당 ON 저항을 저감했다. 또한 1개의 소자에 2개의 MOSFET를 내장해 충전 회로에서 요구되는 쌍방향 보호 용도 등에도 신제품 1개로 대응 가능하다. 이러한 독자적인 구조를 통해 일반적인 종형 Trench MOS 구조의 경우 이면에 배치되는 드레인 단자를 디바이스 표면에 배치할 수 있어, WLCSP의 채용이 가능하게 됐다. WLCSP는 부품 내부를 차지하는 칩 면적의 비율을 크게 확대할 수 있어, 부품 면적당 ON 저항도 저감할 수 있다. 이러한 ON 저항의 저감은 전력 손실 저감과 더불어 대전류화에도 기여하므로, 초소형 사이즈로 대전력의 급속 충전에 대응 가능하다. 예를 들어, 소형기기의 충전 회로에서 비교 시, 일반품은 3.3mm×3.3mm 사이즈의 제품이 2개 필요한 반면, 신제품의 경우 2.0mm×2.0mm 사이즈 1개로 대응이 가능해, 약 81%의 부품 면적 삭감과 약 33%의 낮은 ON 저항화가 가능해진다. 또한 일반적으로 ON 저항이 낮은 GaN HEMT 제품의 동일 사이즈와 비교하더라도, 신제품은 약 50%의 낮은 ON 저항화를 실현했다. 이와 같이 낮은 ON 저항의 초소형 'AW2K21'은 어플리케이션의 저소비전력화와 스페이스 절약화에 기여한다. 뿐만 아니라, 신제품은 로드 스위치 용도의 단방향 보호 MOSFET로도 사용이 가능하며, 이 경우에도 업계 최고의 낮은 ON 저항을 실현한다. 신제품은 2025년 4월부터 월 50만개의 생산 체제로 양산을 개시했다.

2025.04.15 11:23장경윤

로옴, 마쓰다와 GaN 전력반도체 기반 車부품 공동 개발 협력

로옴은 마쓰다(Mazda)와 차세대 반도체로서 주목을 받는 질화갈륨(GaN) 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 공동 개발을 개시했다고 27일 밝혔다. 마쓰다와 로옴은 2022년부터 '전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제'를 통해 실리콘카바이드(SiC) 파워 반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 이번에 새롭게 GaN 파워 반도체를 사용한 자동차 부품의 개발에도 착수해, 차세대 전동차를 위한 혁신적인 자동차 부품을 창출할 계획이다. GaN은 파워 반도체의 차세대 재료로서 주목받고 있다. 기존의 실리콘(Si) 파워 반도체에 비해 전력 변환으로 인한 손실을 억제함과 동시에, 고주파 구동을 통해 부품 사이즈의 소형화에 기여한다. 이러한 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 양사가 공동 개발을 추진하고 있다. 2025년 내에 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다. 카츠미 아즈마 로옴 이사는 "자동차 본래의 매력인 '주행의 즐거움'을 지향하는 마쓰다와 전동차용 자동차 부품 개발에서 협력할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다"며 "고주파 동작이 가능한 로옴의 EcoGaN과 그 성능을 최대화시키는 제어 IC로 구성한 솔루션은 소형 및 저전력화의 열쇠"라고 밝혔다.

2025.03.27 15:17장경윤

로옴, 부전압·고전압용 고정밀도 전류 검출 앰프 개발

로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q100'에 준거하는 고정밀도 전류 검출 앰프 'BD1423xFVJ-C' 및 'BD1422xG-C'를 개발했다고 25일 밝혔다. TSSOP-B8J 패키지를 채용한 'BD1423xFVJ-C'는 +80V의 입력전압에 대응해 48V 전원 구동의 DC-DC 컨버터, 이중화 전원, 보조기기 배터리, 전동 컴프레서 등의 고전압 환경용으로 적합하다. 게인 설정에 따라 'BD14230FVJ-C'·'BD14231FVJ-C'·'BD14232FVJ-C'의 3개 기종을 구비하고 있다. 소형 SSOP6 패키지를 채용한 'BD1422xG-C'는 +40V의 입력전압에 대응해, Body계 및 드라이브계 도메인에서 사용되는 5V·12V 구동의 전원 네트워크에서의 전류 모니터링이나 보호 (과전류 검출) 등 스페이스 절약이 요구되는 자동차기기에 최적이다. 게인 설정에 따라 'BD14220G-C'·'BD14221G-C'·'BD14222G-C'의 3개 기종을 구비하고 있다. 전류 검출 앰프는 회로에 흐르는 전류를 간접적으로 측정하기 위한 증폭기다. 션트 저항기에서 발생하는 미세한 전압 강하를 증폭시킴으로써, 측정 가능한 전압 신호로 변환하는 역할을 담당하여 시스템의 제어 및 모니터링 등에 사용된다. 신제품은 OP Amp와 디스크리트 부품으로 조합한 기존의 OP Amp 회로 구성을 1 패키지에 집적함으로써 스페이스 절약화를 실현했다. 션트 저항기를 접속하는 것만으로 전류 검출이 가능하다. 또한 입력단에 초퍼 앰프, 후단에 오토 제로 앰프를 채용한 2단 앰프 구성을 채용했다. 게인 정밀도를 결정하는 저항을 IC 내부에서 매칭시켜 온도 변화의 영향을 억제함과 동시에 ±1%의 고정밀도로 안정적인 전류 검출이 가능하다. 노이즈 대책용 RC 필터 회로를 외장하는 경우에도 전류 검출 정밀도가 유지되기 때문에, 설계 공수 삭감에도 기여한다. -14V의 부전압에 대한 내성을 구비하여 역기 전력, 역접속, 부전압 입력에 대응한다. 전동 차량 (xEV) 등에서 사용되는 48V 전원에 대응하는 +80V 입력전압 제품도 라인업으로 구비하여, 자동차기기 용도의 다양한 요구에 대응한다. 신제품은 2025년 2월부터 양산을 개시했으며, 월 10만개의 생산 체제로 공급 예정이다. 인터넷 판매도 개시해 CoreStaff Online, Chip 1 Stop 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 또한, 어플리케이션 설계 시의 신속한 평가를 위해 평가 보드도 구비했다. 로옴은 "앞으로도 자동차기기에서 요구되는 고정밀도화, 신뢰성 향상에 기여할 수 있는 최적의 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.03.25 14:51장경윤

로옴, 학습·추론 독립 실현 'AI 마이컴' 개발

로옴은 센싱 데이터를 활용한 고장 징후 검출 및 열화 예측이 가능한 AI(인공지능) 기능 탑재 마이컴 'ML63Q253x-NNNxx', 'ML63Q255x-NNNxx'(이하 AI 마이컴)를 개발했다고 18일 밝혔다. 이번 제품은 네트워크에 접속하지 않아도 학습과 추론을 독립적으로 실현하는 업계 최초 마이컴이다. 독자적인 온 디바이스 AI 솔루션을 실현하기 위해 심플한 3층 뉴럴 네트워크의 알고리즘을 채용했다. 이를 통해 클라우드 및 네트워크에 의존하지 않고 마이컴에서 학습과 추론이 가능하다. 현재 AI의 처리 모델은 클라우드 AI, 엣지 AI, 엔드 포인트 AI로 분류된다. 클라우드 AI는 클라우드 상에서, 엣지 AI는 클라우드 및 공장 설비나 PLC에 AI를 탑재하고 네트워크를 통해 학습과 추론을 실행한다. 일반적인 엔드 포인트 AI는 클라우드에서 학습하고 단말기에서 추론을 실행하기 때문에 네트워크 접속이 필요하다. 또한 이러한 처리 모델의 경우 소프트웨어를 통해 추론을 실행하기 때문에 GPU나 고성능 CPU가 요구된다. 반면 로옴의 AI 마이컴은 엔드 포인트 AI이지만, 온 디바이스 학습을 통해 학습과 추론을 모두 마이컴 단독으로 실행할 수 있어 설치 환경이나 동일 기종에서의 편차에도 유연하게 대응이 가능하다. 독자적인 기술의 AI 액셀레이터 'AxlCORE-ODL'로, 기존의 소프트웨어 방식(조건 : 12MHz 구동 시의 이론치)을 채용한 로옴의 마이컴에 비해 AI 처리를 약 1천배로 고속화할 수 있어, 실시간으로 이상 상태를 검출하고 수치화해 출력할 수 있다. 또한 기기의 설치 환경에서 고속 학습(현장 학습)이 가능해 기존 기기에 추가 탑재도 가능하다. AI 마이컴은 32bit Arm Cortex-M0+ Core, CAN FD 컨트롤러, 3상 모터 제어 PWM, 2유닛 A/D 컨버터를 탑재해, 소비전력 약 40mW의 저전력 성능을 실현했다. 산업기기 및 주택 설비, 가전기기의 고장 징후 검출에 최적이다. AI 마이컴은 메모리 사이즈 및 패키지, PIN 수, 포장 사양에 따라 16개의 기종을 라인업으로 구비할 예정이다. 2025년 2월부터 순차적으로 양산을 개시한 제품은 TQFP 패키지의 8개 기종이다. 로옴은 AI 마이컴 도입 전에 학습과 추론의 효과를 확인할 수 있는 AI 시뮬레이션 툴 을 로옴 공식 Web 사이트에서 공개하고 있다. 이 툴에서 출력한 데이터는 실제로 AI 마이컴의 학습 데이터로서 활용할 수 있어, 도입 전의 사전 검증 및 정밀도 향상에 도움이 된다. 또한 AI 마이컴을 용이하게 도입할 수 있도록 파트너 기업과 연계한 에코 시스템을 구축하여, 모델 개발 및 도입 지원 등의 서포트 체제를 구축했다.

2025.03.18 09:44장경윤

로옴, 방사 강도 뛰어난 소형·면실장 근적외선 LED 개발

로옴은 면실장 타입의 근적외선(NIR) LED로 소형 탑 뷰 타입 제품 라인업을 새롭게 구비했다고 13일 밝혔다. 신제품은 3개의 패키지 구성으로 6기종을 전개한다. 초소형(1.0×0.6mm) 및 초박형 (0.2mm) PICOLED(피코레드) 시리즈로 'SML-P14RW'와 'SML-P14R3W'의 2기종, 업계 표준 사이즈(1.6×0.8mm)로 좁은 지향각 특성을 지닌 원형 렌즈 타입 'CSL0902RT'와 'CSL0902R3T', 넓은 범위에 빛을 방사하는 플랫 렌즈 타입 'CSL1002RT'와 'CSL1002R3T'의 4기종을 구비했다. 패키지에 따라 850nm(SML-P14RW는 860nm)와 940nm의 파장을 구비해 용도에 따라 선택 가능하다. 850nm는 포토 트랜지스터 및 카메라 수광 소자와의 밸런스가 우수해, VR·AR의 시선 추적이나 물체 검출 등 고감도가 요구되는 용도에 최적이다. 반면에 940nm는 태양광의 영향을 잘 받지 않아, 발광 시에 적색으로 보이지 않기 때문에 인체 감지 센서 등에 적합하다. 또한 펄스 옥시미터와 같은 생체 센싱 용도에서는 혈류 및 산소 포화도 (SpO2)의 계측에도 이용된다. 광원에는 자사 제조에서 축적해온 독자적인 기술을 활용하여 발광층 구조를 최적화한 NIR 소자를 탑재했다. 이러한 기술을 통해 소형 패키지로는 실현이 어려웠던 업계 최고 수준의 방사 강도를 실현했다. 예를 들어 'SML-P14RW'와 동일한 1006 사이즈의 일반품을 비교하면, 동일한 전류치로 약 1.4배의 방사 강도를 달성했다. 또한 동일한 방사 강도일 경우 약 30%의 소비전력 삭감이 가능하다. 이에 따라 센싱 정밀도의 향상 및 세트 전체의 저전력화를 실현할 수 있다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "앞으로도 로옴은 차세대 센싱 기술을 서포트하는 혁신적인 광원 솔루션을 제공해 VR·AR 시장 및 산업기기 시장에서의 새로운 가치를 창조함과 동시에 지속 가능한 사회의 실현을 위해 노력해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.03.13 15:44장경윤

로옴, AI 등 고성능 서버용 신규 MOSFET 개발

로옴은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 MOSFET를 개발했다고 26일 밝혔다. 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러(HSC) 회로에 최적인 'RS7E200BG (30V)'와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 'RS7N200BH (80V)', 'RS7N160BH (80V)'의 총 3개 기종이다. DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8 (5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65% 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로, ON 저항 특성을 30V 제품인 'RS7E200BG'는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 'RS7N200BH'는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하여 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다. 또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써, 어플리케이션의 신뢰성 확보에 기여하는 SOA 내량도 향상됐다. 특히 30V 제품인 'RS7E200BG'는 SOA 내량이 70A 이상(조건 : 펄스폭=1ms, VDS=12V 시)으로 기존의 HSOP8 패키지 제품에 비해 동일 조건에서 2배 향상됨에 따라, 5.0mm×6.0mm의 패키지 사이즈 기준으로 업계 최고 수준인 높은 SOA 내량을 실현했다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 로옴 주식회사(시가 공장), 후공정 OSAT(태국)다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "2025년 내에 AI 서버의 핫스왑 컨트롤러 회로에도 대응하는 파워 MOSFET를 순차적으로 양산할 예정"이라며 "라인업을 계속적으로 확충해 어플리케이션의 고효율 동작 및 신뢰성 향상에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.02.26 09:49장경윤

로옴, 무라타제작소 AI 서버용 전원에 'EcoGaN' 공급

로옴은 'EcoGaN' 제품인 650V 내압, TOLL 패키지 GaN HEMT가 일본 무라타 제작소 그룹인 무라타 파워 솔루션의 AI(인공지능) 서버용 전원에 채용됐다고 13일 밝혔다. 저손실 동작 및 고속 스위칭 성능을 실현한 로옴의 GaN HEMT는 무라타 파워 솔루션의 5.5kW 출력 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼, 전원의 고효율 동작과 소형화에 기여한다. 해당 전원 유닛은 2025년부터 양산을 개시할 예정이다. EcoGaN은 GaN의 성능을 최대화함으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 동시에 실현하여 저전력·소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스다. 최근 AI(인공지능) 및 AR(증강현실) 등 IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있다. 특히 AI에 의한 1회의 답변에 사용되는 전력 소비량은 통상적인 인터넷 검색의 수배에 해당한다고 알려져 있으며, 이러한 작업을 처리하는 고속 연산 디바이스 등에 전력을 공급하는 AI 서버용 전원에도 조속한 효율 개선이 요구되고 있다. 이러한 상황에서 낮은 ON 저항 및 고속 스위칭 성능을 특징으로 하는 GaN 디바이스는 전원의 고효율 동작 및 전원 회로에서 사용되는 인덕터 등 주변부품의 소형화에 기여할 수 있으므로 주목받고 있다. 로옴은 "EcoGaN이 전원의 글로벌 리더인 무라타 파워 솔루션의 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼 매우 기쁘게 생각한다"며 "이번에 탑재된 GaN HEMT는 업계 최고 수준의 스위칭 성능과 고방열 TOLL 패키지를 채용한 제품으로, 무라타 파워 솔루션의 전원 유닛에 있어서 고밀도화와 고효율화 실현에 기여한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "일렉트로닉스를 통해 사회에 기여하고자 하는 동일한 경영 비전을 가진 무라타 제작소와 향후 협업을 지속함으로써 전원의 소형화, 고효율화를 추진하여 인류의 풍요로운 생활에 기여할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2025.02.13 09:07장경윤

로옴, 650V 내압 GaN HEMT로 소형·고방열 TOLL 패키지 개발

로옴(ROHM)이 650V 내압 GaN HEMT의 새로운 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 'GNP2070TD-Z'의 양산을 시작했다고 5일 발표했다. TOLL는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수하여, 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 애플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다. 신제품은 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에서 업계 최고 수준을 달성했다. 이를 통해 고내압 및 고속 스위칭이 필요한 전원 시스템의 소형화와 저전력화가 가능해졌다. 특히 이번 제품은 반도체 후공정 전문기업 ATX세미컨덕터와 협력을 통해 개발됐다. 로옴은 자체 보유한 디바이스 설계 기술과 노하우를 활용해 설계·기획을 담당했으며, 전공정은 대만 파운드리 업체 TSMC가, 후공정은 ATX가 맡아 생산하고 있다. 리아오 홍창 ATX SEMICONDUCTOR 총괄이사는 "로옴과는 2017년부터 기술 교류를 시작했으며, GaN 디바이스 후공정 제조 분야의 당사 실적과 기술력을 인정받아 이번 협업이 성사됐다"고 밝혔다. 로옴은 ATX와 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브용 GaN 디바이스 시장이 2026년부터 본격 성장할 것으로 예상됨에 따라, ATX와 오토모티브 분야 협력도 확대해 나갈 계획이다. 사토시 후지타니 로옴 AP생산본부장은 "ATX와 같은 높은 기술력을 보유한 OSAT와의 협업으로 급성장하는 GaN 시장에 대응할 수 있게 됐다"며 "앞으로도 GaN 디바이스의 성능 향상을 통해 다양한 애플리케이션의 소형화와 고효율화를 추진하겠다"고 말했다. 한편 로옴은 지난해 12월부터 해당 제품의 양산 및 온라인 판매를 시작했다. CoreStaff Online, Chip 1 Stop 등 온라인 부품 유통 사이트를 통해 개당 3천엔(세금 별도)에 구매할 수 있다.

2025.02.05 16:38이나리

로옴, A4 사이즈 모바일 프린터용 소형 서멀 프린트 헤드 개발

로옴(ROHM)은 리튬이온 배터리 2셀 구동(VH=7.2V)에 대응하는 8인치 서멀 프린트 헤드 'KA2008-B07N70A'를 개발했다고 23일 밝혔다. 신제품은 A4 사이즈(가로 폭 210mm)의 프린터에 대응하는 제품으로, 높이를 기존품의 14mm에서 업계 최소 수준인 11.67mm로 약 16% 소형화해, 프린터 전체의 스페이스 절약화에도 기여한다. 발열체 구조를 최적화한 드라이버 IC 및 배선 레이아웃을 개선함으로써, 7.2V 구동에 대응하여 기존의 12V 구동 대비, 인쇄를 위해 필요한 인가 에너지를 약 66% 저감했다. 또한 발열체의 개별 배선 조정을 통해 발열량을 균일화함으로써 인쇄 품질을 안정화시켜, 최고 인쇄 속도 초당 100mm의 고속 인쇄 시에도 해상도 203dpi로 선명한 인쇄 화질을 실현했다. 또한 신제품은 감열 방식과 열전사 방식의 두가지 서멀 인쇄 방식에 대응해, 다양한 용도에서의 인쇄가 가능하다. 온도 변화로 인한 팽창이나 수축의 영향을 경감할 수 있도록 구성함으로써, 기계적 강도와 내구성을 향상시켜 메인 타겟인 A4 사이즈 프린터에 요구되는 높은 내구성에 기여한다. 서멀 프린트 헤드는 커넥터나 방열판을 세트로 사용하는 것이 일반적이지만, 신제품은 기판 단품으로도 공급이 가능해, 프린터 설계의 자유도 향상에 기여한다. 세트 공급을 희망하는 경우에는 담당 영업 또는 로옴 홈페이지의 문의 양식을 통한 별도 문의가 필요하다. 신제품은 2024년 9월부터 월 5천개의 생산 체제로 양산을 개시했고, A4 사이즈 대응 모바일 프린터용의 해상도 300dpi 제품을 2025년 봄에 개발할 예정이다. 또한 고속 인쇄와 고효율화를 실현하는 라인업도 확충해 나갈 예정이다.

2025.01.23 14:41장경윤

로옴, 고속 자동차 통신용 TVS 다이오드 'ESDCANxx' 시리즈 개발

로옴(ROHM)은 고속 자동차 통신 시스템용으로 CAN FD(CAN with Flexible Data rate) 대응 쌍방향 TVS(ESD 보호) 다이오드 'ESDCANxx 시리즈'를 개발했다고 18일 밝혔다. CAN FD는 차량 내부의 ECU (전자 제어 유닛) 간의 안전한 실시간 데이터 송수신에 꼭 필요한 통신 기술이다. 신제품은 CAN FD 등의 고속 통신 시 전달 신호의 열화를 방지하고, 서지 및 정전기 방전 (ESD)으로부터 ECU 등의 전자기기를 보호함으로써, 고품질 자동차 통신을 실현한다. ESDCANxx 시리즈는 SOT-23 (2.9mm×2.4mm)과 DFN1010 (1.0mm×1.0mm)의 2종류 패키지로, 각각 24V 및 27V의 스탠드 오프 전압 (VRWM)에 대응한다. SOT-23 패키지로는 24V 대응의 'ESDCAN24HPY', 'ESDCAN24HXY', 27V 대응의 'ESDCAN27HPY', 'ESDCAN27HXY'로 4기종을 구비했다. DFN1010 패키지로는 24V 대응의 'ESDCAN24YPA', 'ESDCAN24YXA', 27V 대응의 'ESDCAN27YPA', 'ESDCAN27YXA'로 4기종을 구비해 총 8개 제품을 라인업으로 구성했다. 신제품은 소자 구조의 최적화를 통해 단자간 용량을 최대 3.5pF까지 저감해 고속 통신 시의 신호 열화를 방지했다. 서지에 대해서도 높은 내성을 실현하여 자동차의 사용 환경에서 전자기기의 보호 성능을 대폭 향상시켰다. 예를 들어 DFN1010 패키지로 제공하는 27V 대응 제품의 경우 CAN FD 대응의 일반품에 비해 서지 내량이 약 3.2배로 향상됐으며, 클램프 전압도 약 16% 저감됐다. 이에 따라 차량용 ECU와 같이 서지에 민감한 고가의 전자기기를 효율적으로 보호해, 가혹한 자동차 사용 환경에서도 높은 신뢰성을 제공한다. 신제품은 2024년 11월부터 월 50만개의 생산 체제로 순차적 양산을 개시했다. 로옴은 "앞으로도 자동차 통신의 한차원 높은 고속화에 대응하는 제품을 개발해 자율 주행 및 자동차 통신 환경을 서포트함으로써, 한층 더 안전한 최첨단 모빌리티 사회의 실현에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.12.18 16:22장경윤

로옴·TSMC, 차량용 GaN 반도체 분야서 전략적 파트너십 체결

로옴(ROHM)이 대만 주요 파운드리 TSMC와 오토모티브용 'GaN(질화갈륨)' 파워 디바이스의 개발과 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다. 본 파트너십을 바탕으로, 로옴의 GaN 디바이스 개발 기술과 TSMC의 업계 최첨단 GaN-온-실리콘 프로세스 기술을 융합함으로써, 고전압 및 고주파 특성이 우수한 파워 디바이스에 대한 수요 증가에 대응해 나갈 것이다. GaN 파워 디바이스는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등의 민생기기 및 산업기기에서 사용되고 있다. 지속가능성과 친환경 제조의 리더인 TSMC는 전기자동차(EV)의 온보드 차저(OBC)나 인버터 등의 오토모티브 용도에서 앞으로의 환경 효과를 전망하여 한층 더 GaN 테크놀로지를 강화하고 있다. 이번 파트너십은 로옴과 TSMC의 GaN 파워 디바이스 분야에서의 협력 역사를 바탕으로 하고 있다. 2023년에는 로옴이 TSMC의 650V GaN HEMT 프로세스를 채용해 로옴의 EcoGaN™ 시리즈 일부로서 델타일렉트로닉스의 브랜드인 이너지(Innergie)의 45W AC 어댑터 'C4 Duo'를 비롯해, 민생기기 및 산업기기에서 활용되고 있다. 카츠미 아즈마 로옴 이사는 "본 파트너십과 더불어 GaN의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해, 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.12.10 09:51장경윤

로옴·발레오, 차세대 파워 일렉트로닉스 분야서 공동 개발

발레오(Valeo) 그룹과 주요 반도체 및 전자부품 메이커인 로옴은 파워 일렉트로닉스 매니지먼트에 관련된 노하우를 집약해 트랙션 인버터용 차세대 파워 모듈을 개발하기 위해 파워 일렉트로닉스 분야의 전문 지식을 융합해 공동 개발을 추진한다고 26일 밝혔다. 그 첫번째 성과로서, 로옴은 SiC(실리콘 카바이드) 몰드 타입 모듈 'TRCDRIVE pack'을 발레오의 차세대 파워 트레인 솔루션에 제공한다. 발레오는 e-바이크 등의 소형 차량 및, 주류로 사용되는 승용차, 나아가 대형 e-트럭에 이르기까지 다양한 차량 타입과 시장에서의 효율적인 전동 모빌리티로 대응 영역을 확대하고 있다. 발레오가 보유한 메카트로닉스 및 열 제어, 소프트웨어 개발의 전문 지식을 로옴의 파워 모듈과 조합함으로써, 파워 일렉트로닉스 솔루션을 추진하여, 전 세계 자동차 시스템의 성능, 효율, 탈탄소화에 기여해 나갈 것이다. 발레오와 로옴은 2022년부터 협력을 개시하여 전동차(EV) 및 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV)의 추진 시스템에서 중요한 부품인 트랙션 인버터의 성능과 효율 향상을 위한 기술 교류를 실시해 왔다. 양사는 파워 일렉트로닉스의 개량을 통한 냉각의 최적화 및 메카트로닉스 통합으로 방열성을 개선해 고효율을 실현함으로써 코스트 퍼포먼스의 적정화를 도모한다. 또한 SiC 패키지의 채용을 통해, 시스템 전체의 신뢰성도 향상시킨다. 이러한 기술의 진화는 주행 거리 연장, 고속 충전 기능, 그리고 BEV 및 PHEV용 고성능 및 합리적인 가격의 인버터를 요구하는 수요에 대응하기 위해 꼭 필요하다. 발레오는 2026년초에 프로젝트로서 첫번째 시리즈를 공급할 예정이다. 발레오와 로옴은 차세대 xEV 인버터의 효율성 향상과 소형화에 기여한다.

2024.11.26 17:32장경윤

로옴, 텔레칩스 차량용 AP에 SoC용 PMIC 공급

로옴은 회사의 SoC(시스템온칩)용 PMIC(전력관리반도체)가 차량용 종합 반도체 팹리스 기업 텔레칩스의 차세대 콕핏용 SoC '돌핀3', '돌핀5' 등의 전원 레퍼런스 디자인에 채용됐다고 21일 밝혔다. 이 레퍼런스 디자인은 유럽 자동차 메이커의 콕핏에 탑재될 예정으로, 해당 콕핏은 2025년부터 양산을 개시할 예정이다. 인포테인먼트용 AP(애플리케이션 프로세서) '돌핀3'의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC 'BD96801Qxx-C'가 탑재됐으며, 차세대 디지털 콕핏용 AP '돌핀5'의 전원 레퍼런스 디자인에는 SoC용 메인 PMIC 'BD96805Qxx-C', 'BD96811Fxx-C'와 더불어 SoC용 서브 PMIC 'BD96806Qxx-C'가 탑재돼, 시스템의 저전력화 및 신뢰성 향상에 기여한다. 로옴은 돌핀3의 전원 레퍼런스 디자인 'REF67003' 및 돌핀5의 전원 레퍼런스 디자인 'REF67005'를 로옴 공식 웹페이지에 공개함과 동시에, 레퍼런스 디자인을 베이스로 하는 레퍼런스 보드도 구비하고 있다. 레퍼런스 보드는 담당 영업 또는 로옴 웹 문의 양식을 통해 별도 문의가 필요하며, 보드는 텔레칩스에서 제공한다. 텔레칩스와 로옴은 2021년부터 기술 교류를 시작해 SoC 칩의 설계 초기 단계에서부터 상호 긴밀한 협력 관계를 구축해 왔다. 그 첫번째 성과로서, 텔레칩스의 전원 레퍼런스 디자인에 로옴의 전원 솔루션이 탑재됐다. 이번에 로옴이 제공하는 전원 솔루션은 SoC용 메인 PMIC에 서브 PMIC 및 DrMOS를 조합해 다양한 기종에 전개할 수 있다.

2024.11.21 09:56장경윤

로옴, 고성능 소형 저항기 'MCRx' 시리즈 개발

로옴은 범용 칩 저항기 'MCR 시리즈'의 새로운 라인업으로 어플리케이션의 소형화와 고성능화를 실현하는 'MCRx 시리즈'를 추가했다고 19일 밝혔다. 새로운 시리즈에는 고전력 타입의 'MCRS 시리즈'와 저저항 고전력 타입의 'MCRL 시리즈가 포함돼 있다. MCRS 시리즈는 내부 구조의 최적화 및 새로운 재료의 채용으로, 정격전력과 온도 특성(저항 온도 계수)을 향상시켜 기존품 대비 한사이즈 작은 소형 제품을 사용할 수 있다. 1005 사이즈에서 6432 사이즈까지의 폭넓은 라인업을 전개해, 실장 스페이스에 따라 최적의 제품을 선택할 수 있다. 이에 따라 컴팩트하고 효율적인 회로 설계가 가능해져, 설계의 자유도도 대폭 향상된다. MCRL 시리즈는 MCRS 시리즈의 저저항 타입이다. 2012 사이즈에서 6432 사이즈까지 라인업을 구비하여 전류 검출 용도에 적합하다. MCRx 시리즈는 기존의 소자 내부 구조를 개선한 새로운 설계를 채용하여 모든 사이즈에서 생산 효율과 품질을 향상시키고, 제품의 신뢰성도 향상시켰다. 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q200'에 준거하는 제품으로, 자동차 시장에서 전동 차량(xEV)의 보급에 따른 수요 증가에 대응함과 동시에 기지국 및 서버 등의 통신 인프라, FA 기기 등의 시장 확대에도 기여한다. 또한 장기간 안정 공급 대상 제품으로서 산업기기 등 수명이 긴 어플리케이션에서의 계속적인 사용에도 기여한다. 향후 MCRS 시리즈로는 +155℃에 대응하는 소형 0603 사이즈 제품의 개발을 예정하고 있다. 또한 MCRE 시리즈의 경우, 완전 Pb-프리 타입으로 한층 더 소형의 0402 사이즈 제품의 공급도 개시한다. 이와 같이 한층 더 강해지는 소형화에 대한 시장 요구 및 환경 지향에 따른 자율 규제 및 수출 제한 등에 대한 대응도 강화하고 있다. 신제품은 월 10억개의 생산 체제로 순차 공급을 개시했다. 시장 수요에 대응해 생산 능력의 확충도 추진해 나갈 예정이다. 로옴은 "창업 제품인 저항기에 있어서, 소형화 및 신뢰성 향상에 기여하는 라인업을 확충함과 동시에 제품의 장기간 안정 공급을 위해 노력해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.11.19 15:01장경윤

로옴, 절연 특성 강화한 신규 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 개발

로옴은 단자 간의 연면 거리를 연장해 절연 내성을 향상시킨 표면 실장 타입 'SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD)'를 개발했다고 12일 밝혔다. 온보드 차저(OBC) 등 자동차기기용으로 'SCS2xxxNHR' 8개 기종을 구비했으며, 2024년 12월부터는 FA 기기 및 PV 인버터 등 산업기기용으로 'SCS2xxxN' 8개 기종도 판매를 개시할 예정이다. 신제품은 기존 패키지의 하부에 배치된 센터 핀을 제거하고, 독자적인 형상을 채용한 로옴 오리지널 패키지를 채용해, 연면 거리를 일반품의 약 1.3배에 해당하는 최소 5.1mm로 연장했다. 연면 거리를 길게 확보함으로써 단자 간의 트래킹(연면 방전)을 억제할 수 있어, 고전압 어플리케이션에서 기판에 디바이스를 표면 실장할 때, 수지 포팅을 통한 절연 처리가 필요하지 않다. 내압은 650V와 1200V의 2종류를 구비해, xEV (전동차)에서 널리 활용되는 400V 시스템뿐만 아니라, 향후 채용 확대가 예상되는 고전압의 시스템에도 사용 가능하다. 또한 TO-263 패키지의 일반품 및 기존품과 공통된 랜드 패턴으로 실장할 수 있어, 기존의 회로 기판에 대한 대체 사용이 가능하다. 자동차기기용 'SCS2xxxNHR'은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101※4에 준거하고 있다. 신제품은 2024년 9월부터 샘플 출하를 개시했다. 로옴은 "SiC를 사용한 고내압 SBD의 개발을 추진해, 시장 니즈에 최적인 파워 디바이스의 제공하고 자동차 및 산업기기의 저전력화와 고효율화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.11.12 10:59장경윤

로옴, 저손실 특성·단락 내량 뛰어난 1200V IGBT 개발

로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q101'에 준거하고, 업계 최고 수준의 저손실 특성과 높은 단락 내량을 실현한 제4세대 IGBT를 개발했다고 7일 밝혔다. 이번에 판매하는 제품은 디스크리트 패키지(TO-247-4L 및 TO-247N) 2종의 총 4개 기종 'RGA80TRX2HR·RGA80TRX2EHR·RGA80TSX2HR·RGA80TSX2EHR'과 베어칩 11개 기종 'SG84xxWN'이며, 향후 라인업을 한층 더 확충할 예정이다. 제4세대 1200V IGBT는 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 1200V의 고내압과 자동차기기 규격의 신뢰성을 확보함과 동시에, 업계 최고 수준의 단락 내량 10µsec.(Tj=25℃ 시) 및 낮은 스위칭 손실 특성, 낮은 도통 손실 특성을 달성했다. 또한 4단자를 채용한 TO-247-4L 패키지 제품은 단자간 연면 거리를 확보함으로써 오염도 2의 환경에서 실효 전압 1100V에 대응할 수 있어, 기존품 대비 고전압 용도에 대응 가능하다. 연면 거리 대책을 디바이스 측에서 실시함으로써, 메이커의 설계 부하 경감에도 기여할 수 있다. 또한 TO-247-4L 패키지 제품의 경우, 켈빈 에미터 단자를 추가함으로써 고속 스위칭을 실현했으며, 한차원 높은 저손실화도 달성했다. 실제로 신제품의 TO-247-4L 패키지 제품과 일반품 및 기존품의 효율을 3상 인버터 조건에서 비교한 결과, 일반품 대비 약 24%, 기존품 대비 약 35%의 손실 저감을 실현해, 어플리케이션의 고효율 구동에 기여한다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 로옴은 "앞으로도 한층 더 고성능 IGBT 제품의 라인업 확충을 추진함으로써 자동차 및 산업기기 어플리케이션의 고효율 구동과 소형화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.11.07 10:21장경윤

로옴, 고해상도 음원 위한 'MUS-IC' 오디오 DAC 칩 개발

로옴는 고해상도 오디오 음원의 재생에 적합한 MUS-IC 시리즈의 플래그십 모델용 32bit D/A 컨버터 IC(이하 DAC 칩) 'BD34302EKV'와 평가 보드 'BD34302EKV-EVK-001' 판매를 개시했다고 31일 밝혔다. MUS-IC 시리즈의 제1세대 오디오 DAC 칩 'BD34301EKV'는 음질에 있어서 높은 평가를 받아 여러 메이커의 플래그십 모델에 채용됐다. BD34302EKV는 제2세대 제품으로서, 로옴 DAC 칩의 기본 콘셉트인 '자연스럽고 평탄한 음질'을 계승함과 동시에, MUS-IC™ 시리즈의 3요소인 공간의 울림·정숙성·스케일감과 더불어 악기의 '질감'을 실감나게 표현했다. BD34302EKV는 DWA (Data Weighted Averaging)의 새로운 알고리즘을 탑재함으로써, 대표적인 수치 성능인 THD+N 특성에서 -117dB(THD : -127dB)을 달성해 한층 더 리얼한 질감을 느낄 수 있는 음질을 실현했다. 노이즈 성능을 나타내는 SNR에서도 130dB로 플래그십 모델용 DAC 칩에 적합한 성능을 구현했다. 또한 재생 가능한 샘플링 주파수도 1천536kHz까지 대응해, 고객이 설계한 디지털 시그널 프로세서(DSP)의 고정밀도 연산 능력을 최대화시킬 수 있다. 채널당 1개의 DAC 칩을 할당하는 모노럴 모드에 있어서 로옴의 독자적인 HD 모노럴 모드를 탑재해, 자연스럽고 매끄러운 음질 실현에도 기여한다. 신제품은 MUS-IC 시리즈로 축적해온 음질 설계 기술을 바탕으로, 악기 본래의 질감을 현실적으로 표현하기 위해 단자에 따라 최적의 본딩 와이어 재질을 선택했다. 이러한 특징으로 고음질 오디오 기기 메이커가 요구하는 이상적인 음질에 기여할 수 있다. 신제품은 2024년 8월부터 샘플 출하를 개시했으며, 2024년 11월부터 양산을 개시할 예정이다.

2024.10.31 17:03장경윤

  Prev 1 2 3 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

폴더블 아이폰, 펀치홀 카메라 탑재 유력

배민·요기요, 먹통 뒤 정상화..."금요일 밤 비 내린 탓"

과학자들, 납으로 금 만들었다…'연금술사의 꿈' 실현되나

"북한 해커, 위장취업해 北 송금"…메일 1천개 적발

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현