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SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

마이크론, '반도체 겨울' 전면 반박…"내년 HBM 등 성장"

미국 반도체기업 마이크론이 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 시장이 약세를 보일 것이라는 우려를 뒤집은 것으로, 회사는 내년에도 고대역폭메모리(HBM) 등이 견조한 성장세를 거둘 것이라고 전망했다. 마이크론은 2024 회계연도 4분기(6~8월) 77억 5천만 달러 매출을 기록했다고 26일 발표했다. ■ D램·낸드 모두 호조세…어닝 서프라이즈 기록 이번 분기 매출은 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 이로써 마이크론의 2024 회계연도 전체 매출은 251억 달러로, 작년에 비해 62% 증가한 것으로 집계됐다. 4분기 매출도 시장 예상치를 크게 웃돌았다. 최근 증권가에서는 마이크론의 이번 분기 예상 매출액을 76억6천만 달러 수준으로 하향 조정한 바 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리 수요 부진, 중국 후발주자들의 생산량 확대 등이 주요 근거였다. 그러나 마이크론은 예상보다 견조한 매출을 달성했다. 해당 분기 주당 순이익(비GAAP 기준)도 1.18달러로 마이크론 및 증권가의 예상치였던 1.11달러를 모두 넘어섰다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "강력한 AI 수요가 서버용 D램과 HBM 등의 성장을 견인했고, 낸드 분야도 서버용 eSSD 매출이 처음 10억 달러를 돌파하는 등 호조세를 보였다"며 "2025 회계연도에도 기록적인 매출을 예상한다"고 밝혔다. 마이크론이 제시한 2025 회계연도 1분기(2024년 9~11월) 매출 전망치는 85억~89억 달러다. 시장 예상치였던 83억 달러를 넘어서는 범위다. 주당순이익도 시장 예상치인 1.52달러를 웃도는 1.68~1.82달러의 전망을 제시했다. 이외에도 마이크론은 EUV(극자외선) 공정 기반의 최선단 D램 시생산이 순조롭게 진행 중이며, 현재 1b(5세대 10나노급 D램), 9세대 낸드 생산 비중이 급증하고 있음을 강조했다. ■ HBM 등 메모리 공급 과잉 우려 '일축' 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 해외 주요 증권사들은 메모리 시장에 '겨울'이 오고 있다는 의견을 내놨다. D램 가격이 내년 하락세로 전환하고, HBM 시장도 과잉 공급 체제로 기울 것이라는 게 핵심 근거였다. 그러나 마이크론은 향후 메모리 및 HBM 시장 전망에 대해 긍정적인 견해를 내비쳤다. 마이크론은 HBM 매출이 2023 회계연도 40억 달러 수준에서 2025 회계연도 250억 달러까지 성장할 것으로 내다봤다. HBM이 D램에서 차지하는 비중도 비트(Bit) 기준 1.5%에서 6%로 성장할 것으로 예상했다. 메모리 공급 전망에 대해서는 "올해 D램과 낸드 업계의 웨이퍼 용량이 2022년 최고치를 기록했을 때보다 낮을 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급·수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 한편 2024 회계연도 마이크론의 설비투자 규모는 약 81억 달러를 기록할 전망이다. 2025 회게연도 설비 투자는 매출 대비 약 30% 중반대의 비율로 의미 있는 수준으로 높아질 것으로 예상했다. 해당 설비투자의 대부분은 미국 그린필드 팹과 HBM 분야에 집중된다.

2024.09.26 09:07장경윤

삼성·SK '반도체 겨울' 보고서 논란…마이크론 실적 발표 주목

미국 마이크론이 곧 진행할 분기 실적발표에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 모건스탠리가 최근 SK하이닉스를 중심으로 주요 메모리 제조 기업의 목표주가를 크게 하향조정하면서, 반도체 업계의 혼란이 가중되고 있기 때문이다. 모건스탠리가 내세운 주요 근거는 크게 범용 D램의 가격 하락세, 내년도 HBM 시장의 공급 과잉 등이다. 다만 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과장됐다는 의견이 우세하다. 마이크론 역시 최근 실적발표에서 내년도 HBM 물량의 안정적인 공급 등을 강조한 바 있어, 이번 실적발표에서 어떠한 발언을 꺼낼지 귀추가 주목된다. 21일 업계에 따르면 미국 마이크론은 25일(현지시간) 2024 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표를 진행할 예정이다. 마이크론은 D램에서 3위, 낸드에서 4~5위의 시장 점유율을 기록하고 있는 미국 주요 메모리 제조업체다. 특히 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업과 더불어 최선단 HBM(고대역폭메모리)를 제조할 수 있는 역량을 보유하고 있다. 때문에 마이크론의 실적 발표는 국내 메모리 업계의 동향을 미리 파악할 수 있는 지표로 활용돼 왔다. 특히 범용 메모리 및 HBM 시장에 대한 불확실성이 커진 지금, 마이크론의 매출 및 전망에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 반도체 업계 관계자는 "최근 소비자용 IT 기기 수요 부진, 중국 후발 주자업체들의 진입 등으로 범용 D램 및 낸드에 대한 과잉 공급 우려가 커지고 있다"며 "이러한 상황에서 마이크론이 보수적인 설비투자 전략, HBM 시장 전망 등을 미리 언급한다면 업계의 불안도 상당 부분 줄어들 것"이라고 설명했다. 앞서 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출로 시장의 예상치 (66억7천만 달러)를 상회했다. 당시 마이크론은 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐다", "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것", "DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한할 것"이라고 말하는 등 향후 시장 전망을 긍정적으로 발표한 바 있다. ■ 모건스탠리 '반도체 겨울'說 논란…마이크론 실적 발표 이목 집중 특히 모건스탠리는 지난 주 '겨울이 다가온다(Winter Looms)' 리포트를 발간하면서 메모리 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 전망을 내놨다. 국내 SK하이닉스의 경우 투자 의견을 비율 확대(overweight)에서 비율 축소(underweight)로 두 단계 하향 조정했다. 목표 주가는 26만 원에서 12만 원으로 54% 낮췄다. 삼성전자의 목표주가도 10만5천 원에서 7만6천 원으로 27.6% 하향조정했다. 주요 근거는 ▲D램 가격의 내년 하락세 전환 전망 ▲내년 HBM 시장의 공급 과잉 우려다. 모건스탠리는 "AI향을 제외한 IT 수요 부진으로 D램 평균판매가격(ASP)이 올 4분기 고점을 찍고 내년 1분기부터 하락할 것"이라며 "HBM 시장도 내년 공급량이 250억Gb(기가비트)인 데 반해, 수요는 150Gb 수준으로 계약가격에 악영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 그러나 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과도하다는 의견이 지속적으로 제기되고 있다. 김영건 미래에셋증권 연구원은 20일 리포트를 통해 "HBM3E 8단뿐 아니라 12단도 25년도 계약 물량에 대한 협의가 대부분 이뤄졌기 때문에 회사의 HBM 분야 영업이익은 올해 5조9천억원, 내년 10조7천억원으로 성장할 것"이라며 "설령 겨울이 오더라도 가장 돋보일 수 있다"고 밝혔다. 시장조사업체 트렌드포스는 "D램 가격이 최근 약세를 보이고는 있으나, 전반적인 평균판매가격은 내년까지 상승할 것으로 예상된다"며 "HBM 비중의 확대도 D램 시장을 안정화하는 데 일조하면서 내년 전망은 덜 비관적일 것"이라고 주장했다. 업계 관계자는 "마이크론도 최근 BNP파리바, 모건스탠리 등으로부터 목표 주가 하향 의견을 받고 있으나, HBM 공급 과잉 등에 대한 근거가 부족하다는 의견이 적지 않다"며 "가장 먼저 공식 발표를 앞둔 마이크론이 적극적인 대응을 펼칠 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.09.21 08:00장경윤

삼성·SK, 고부가 'LPDDR5X'에 집중...애플·엔비디아도 수요 촉진

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체가 최선단 D램 기반의 'LPDDR5X' 공급 확대를 추진하고 있다. LPDDR5X는 중국 등 후발주자들도 아직 양산하지 못한 고부가 D램으로, 애플·엔비디아 등 글로벌 빅테크도 차세대 제품에 이를 적극 채용하는 추세다. 19일 업계에 따르면 올 하반기 스마트폰, 서버용 칩 시장에는 LPDDR5X를 탑재한 신규 제품이 잇따라 출시될 예정이다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. CPU(중앙처리장치)는 물론 스마트폰, 태블릿 등 IT 기기에서 수요가 높다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 삼성전자는 지난 4월 업계 최고 속도의 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공했다. 업계 최선단인 1b D램(12나노급)을 기반으로, 이전 세대 대비 성능을 25%, 용량을 30% 높인 것이 특징이다. 나아가 삼성전자는 지난 8월 업계 최소 두께(0.65mm)의 LPDDR5X 양산을 시작했다. SK하이닉스의 경우 올해 초 최대 9.6Gbps의 동작속도를 갖춘 'LPDDR5T'를 개발하고, 고객사에 샘플을 공급한 바 있다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 초기 LPDDR5X 대비 속도를 더 높였다는 점을 강조하기 위해, '터보(Turbo)'라는 이름을 붙인 브랜드명이다. LPDDR5X는 삼성전자와 SK하이닉스의 올 하반기 및 내년 메모리 실적을 끌어올릴 제품 중 하나가 될 것으로 예상된다. 현재 CXMT 등 중국 업체들은 레거시 제품인 LPDDR4의 생산능력을 빠르게 늘리고 있으며, 지난해 말 LPDDR5 상용화에 성공하는 등 거센 추격을 벌이고 있다. 반면 LPDDR5X는 현재로선 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 제조업체 3개사만 양산 가능한 고부가 제품에 해당한다. 또한 AI 시대에 맞춰 고성능·저전력 메모리 수요가 증가하면서, 스마트폰 및 HPC(고성능컴퓨팅) 분야 모두 최신형 LPDDR5X의 채택률이 꾸준히 늘어나는 추세다. 일례로 애플은 올 3분기 출시하는 플래그십 스마트폰 '아이폰16' 시리즈에 LPDDR5X를 처음으로 탑재했다. 이전 세대인 '아이폰15'는 LPDDR5가 탑재됐다. 중국 화웨이도 올해 중반 출시한 '퓨라 70' 울트라 모델에 LPDDR5X를 채택한 바 있어, 향후 적용처가 확대될 것으로 예상된다. 인텔·엔비디아 등도 차세대 CPU(중앙처리장치)에 고성능 LPDDR5X를 지속 채용하고 있다. 인텔의 경우 올 하반기 최신형 모바일용 프로세서인 '루나레이크'와 PC·모바일용 프로세서인 '애로우레이크'를 잇따라 출시할 계획이다. 이 중 루나레이크는 최대 32GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 시스템반도체와 직접 통합하는 방식으로 제작된다. 엔비디아 역시 올 4분기부터 차세대 AI 가속기인 'GB200'를 양산한다. GB200은 두 개의 '블랙웰' GPU와 72코어의 '그레이스' CPU를 결합한 구조다. 이 그레이스 CPU는 LPDDR5X를 채용하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "서버와 온디바이스 AI 등에서 최선단 D램을 기반으로 한 LPDDR5X 수요는 견조한 분위기"라며 "최선단 공정에 해당하는 1a·1b D램(4·5세대 10나노급 D램)의 주요 적용처기 때문에, 국내 메모리 기업들의 수익성에 향후 상당한 영향을 미칠 것"이라고 설명했다.

2024.09.19 11:10장경윤

"재고 쌓여 못 버틴다."…돈줄 쪼이는 스텔란티스에 쏟아진 '불만'

지프와 램(Ram), 닷지, 크라이슬러 등 스텔란티스가 보유한 브랜드의 딜러들이 스텔란티스그룹의 비용감축 프로그램으로 인해 경쟁사에 뒤처지게 됐다는 불만을 제기했다. 15일 수입차업계와 월스트리트저널(WSJ) 등 복수 외신에 따르면 스텔란티스 전국 딜러협의회(NDC)는 카를로스 타바레스 스텔란티스 최고경영자(CEO)가 "처참한 선택"을 했으며 이에 따라 매출이 급감했다고 주장했다. 스텔란티스는 최근 몇 년간 이익을 높이기 위해 신차 공급을 제한하고 차량 가격을 높인 뒤 할인을 줄였다. 당시 판매 전략은 성공을 거뒀다. 스텔란티스는 지난해 1천895억유로(279조원)를 벌어들이고 영입이익은 186억유로(27조원)를 기록했다. 전년 대비 각각 6%, 11% 증가한 수치다. 하지만 이익에 집착한 나머지 단기적인 실적에 집중했다는 지적도 나온다. WSJ은 "차량 공급이 늘어나면서 (스텔란티스는) 다른 완성차 업체에 비해 적응이 뒤처졌다"고 보도했다. 딜러들도 "기록적인 수익을 확보하기 위한 무모한 단기 의사 결정이 시장 점유율 하락을 촉발했다"고 밝혔다. 스텔란티스는 올해 들어서 실적 부진을 겪고 있다. 상반기 순이익은 전년 동기 대비 48% 급감했고 재고는 쌓여가고 있다. 미국 시장 내 점유율도 떨어지고 있다. 콕스오토모티브에 따르면 스텔란티스 브랜드 4곳(지프·램·크라이슬러·닷지)은 올해 5월 기준 업계 평균 재고량(76일치)의 두 배에 가까운 재고를 보유하고 있다. 닷지는 미국 내 가장 많은 재고량인 151일치를 가지고 있고 크라이슬러도 143일치를 보유하고 있다. 지프와 램도 꾸준히 재고량이 쌓여가고 있다. 딜러들은 쌓여가는 재고를 먼저 해결해야 한다고 주장했다. 특히 경쟁사들이 할인을 제공하면서 지프와 램의 점유율을 빼앗고 있다고도 했다. 이를 해결하기 위해 본사가 나서서 고객 할인 프로그램을 늘리는 등 투자해야 한다고 요구했다. 스텔란티스 측은 "딜러와 계속 협력할 것"이라고 밝혔다. 최근 스텔란티스그룹은 실적 개선과 비용 절감을 위해 이익률이 떨어지는 차량의 판매를 막고 생산량을 통제하는 방식으로 딜러에 재고를 떠맡겨왔다. 이와 함께 인력을 약 2천450명을 해고하는 등 인건비 절약에도 나섰다. 한편 카를로스 타바레스 CEO는 950만달러(126억원)에 달하는 연봉을 받고 있다. 미국 3대 완성차인 제너럴모터스 메리 바라 회장, 포드 짐 팔리 CEO보다 훨씬 많은 금액을 받고 있어 스텔란티스그룹의 실적 부진에도 높은 임금을 받고 있다는 지적이 제기되기도 했다. 카를로스 타바레스는 스텔란티스 CEO 지난 7월 "수익 악화와 높은 재고 문제를 해결하기 위한 대책을 세우고 있으며 성과가 좋지 않은 브랜드를 정리하는 데 주저하지 않을 것"이라고 해결 방안을 설명하기도 했다.

2024.09.15 11:14김재성

삼성전자, 차세대 D램 전환투자 전략 고심…연내 윤곽 나올 듯

삼성전자가 이르면 연내 제2평택캠퍼스(P2)의 차세대 D램 라인 구축 방안을 결정할 것으로 전망된다. 삼성전자는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램 대비 1세대, 혹은 2세대 앞선 공정까지 설비투자를 고려하고 있는 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 올 연말까지 P2 내 D램 라인의 최선단 D램 전환투자 계획을 세울 예정이다. P2는 삼성전자가 지난 2020년 하반기부터 가동한 팹이다. D램 라인의 경우 1z D램(3세대 10나노급 D램)을 주력으로 생산해 왔다. 1z D램은 메모리 업계에서 레거시(성숙) 공정에 해당하는 제품으로, 지난해까지 이어진 메모리 불황 시기에 감산이 적극적으로 진행됐다. 이에 삼성전자는 P2를 최선단 D램의 생산기지로 전환하기 위한 준비에 나섰다. 올해 1b D램(5세대 10나노급 D램) 양산용 설비를 들이기 시작한 것으로 파악됐다. 1b D램은 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) DDR5 제품부터 양산을 본격화했다. P2 외에도 P3, 화성 15·16 라인 등에서 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다는 점을 고려하면, 삼성전자는 내년 초까지 월 10만장 수준의 1b D램 생산능력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 나아가 삼성전자는 P2에 1b D램을 이을 '차세대 D램' 투자를 계획하고 있다. 1b D램 전환 뒤 남아있는 1z D램 양산 라인을 1c(6세대), 혹은 1d(7세대)로 전환하는 것이 주 골자다. 업계 관계자는 "P2의 전환 투자를 위한 라인 구성 설계가 오는 4분기 중에 완료될 예정"이라며 "이후 내년도에 관련 설비 발주가 진행될 것으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 구상 중인 P2 설비투자 전환 계획은 최선단 D램의 개발 현황에 따라 달라질 전망이다. 앞서 삼성전자는 1c D램을 연내 양산하겠다는 계획을 세우고, 하반기 초도 양산라인 구축을 준비하고 있다. 업계 관계자는 "1c D램의 수율이 견조할 경우, P2에 더 앞선 1d D램 라인을 선행 도입하는 방안이 거론되고 있다"며 "물론 1c D램의 개발이 저조해 P4 내 1c D램 투자가 미뤄지면 P2에서 1c D램 전환 투자가 진행될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.12 13:33장경윤

美 마이크론, 12단 HBM3E 샘플 출하…"다수 고객사와 퀄 진행"

미국 마이크론이 최선단 HBM(고대역폭메모리) 제품인 12단 적층 HBM3E의 샘플을 개발해 주요 고객사와 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 최근 자사 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 마이크론은 "12단 HBM3E는 8단 제품 대비 용량이 50% 증가한 36GB(기가바이트)를 제공한다"며 "이를 통해 700억 개의 매개변수를 가진 'Llama 2'와 같은 거대언어모델을 단일 프로세서로 실행할 수 있다"고 설명했다. 동시에 마이크론은 자사 HBM의 전력 효율성도 강조했다. 마이크론은 "우리의 12단 HBM3E는 경쟁사의 8단 HBM3E 대비 상당히 낮은 전력 소모를 구현한다"며 "초당 1.2TB(테라바이트) 이상의 메모리 대역폭을 초당 9.2Gb(기가비트) 이상의 핀 속도로 제공한다"고 밝혔다. 이외에도 마이크론의 12단 HBM3E는 완전 프로그래밍이 가능한 'MBIST'를 통합해, 제품 출시 시간을 단축하고 시스템 안정성을 향상시킬 수 있다. MBIST란 메모리 내부 셀에 발생할 수 있는 오류를 자체 테스트하고 복구하는 기술이다. 마이크론은 "주요 파트너사에 양산 가능한 12단 HBM3E을 출하해 테스트를 진행하고 있다"며 "이 제품은 진화하는 AI 인프라의 데이터 수요를 충족하기 위한 마이크론의 혁신을 보여준다"고 강조했다.

2024.09.11 09:54장경윤

애플, 아이폰16 시리즈 4종 모두 8GB 램 탑재

애플이 발표한 아이폰16 시리즈에 동일하게 8GB 램(RAM)이 탑재된 것으로 나타났다. 9일(현지시간) 맥루머스에 따르면 애플 개발자 도구 X코드 16 최신 버전을 분석한 결과 아이폰16 시리즈 모든 모델에 8GB 램을 탑재했다. 아이폰16과 플러스 모델은 전작(6GB)보다 램 용량이 2GB 늘어났지만, 아이폰16 프로와 프로맥스 모델은 전작과 동일하다. 애플의 자체 생성형 AI 시스템 '애플 인텔리전스'를 기기에서 실행하기 위해서는 최소 8GB 램이 필요한 것으로 알려졌다. 애플 전문 분석가 궈밍치 등에 따르면 내년 출시될 아이폰17 프로 라인업에는 12GB 램을 제공할 것으로 전망된다. 아이폰16 시리즈는 오는 13일 국내에서 사전 예약이 시작되며 20일 정식 출시될 예정이다. 가격은 125만원부터 시작되며, 지난해와 동일하다.

2024.09.10 10:31류은주

SK하이닉스, 최선단 D램 시대 열었다..."1c D램 개발은 시작일 뿐"

SK하이닉스가 최근 업계 최선단 공정 기반의 D램을 가장 먼저 개발하는 성과를 거뒀다. 회사는 이에 그치지 않고 3D 셀, 이종접합 등 기술 혁신으로 차세대 D램 시대에 대응한다는 전략이다. SK하이닉스는 지난달 29일 10나노급 6세대(1c) 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 주역들과 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔다. 해당 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 오태경 SK하이닉스 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 성능뿐만 아니다. SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이루어냈다. SK하이닉스는 1c 개발 가속화를 위해 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택하고, 기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했다. 오태경 부사장은 "1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 '1등 개발'이었다"며 "커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택한 덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 설명했다. 정창교 부사장은 "공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율 저하 등 문제가 발생할 수 있다"며 "1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다"고 밝혔다. 트리밍이란, 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용해 성능을 상향시키는 기술을 뜻한다. 나아가 SK하이닉스는 1c 이후의 차세대 D램 제품에서도 선두를 유지하기 위한 전략을 구상 중이다. 조영만 부사장은 "1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것이고, 특히 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것"이라며 "이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요하다"고 강조했다. 한편 SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

2024.09.10 09:58장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

SK하이닉스, 이달 말부터 'HBM3E 12단' 제품 양산 시작

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 양산을 차질없이 진행한다. 올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급한 데 이어, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 4일 '세미콘 타이완'에서 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 키노트를 진행했다. 이날 김 사장은 AI 산업 발전에 대응하기 위한 메모리 반도체의 중대한 요소로 전력 문제를 짚었다. 오는 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다. 또한 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼, 효과적인 방열 솔루션을 찾아야 한다. 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다. 김 사장은 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나, AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 설명했다. 이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. 한편 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다. 미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이다. 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다. 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다. 김 사장은 "SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정으로, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것"이라며 "SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.04 17:30장경윤

삼성전자, 갤럭시S25향 모바일 '1b D램' 공급 난항

삼성전자가 최선단 모바일용 D램 사업에 난항을 겪고 있다. 최근 갤럭시S25 시리즈에 공급하기 위한 1b D램(5세대 10나노급 D램) 샘플이 저조한 수율 문제로 적기에 공급되지 못한 것으로 파악됐다. 4일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자 MX사업부는 지난달 DS사업부에 1b 기반 LPDDR(저전력 D램) 샘플 공급 차질에 따른 우려를 전달했다. 1b D램은 선폭이 12나노미터(nm) 수준인 D램으로, 현재 양산되고 있는 D램 중 가장 최선단에 해당한다. 삼성전자의 경우 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5 양산을 시작했다. 이후 삼성전자는 HPC(고성능컴퓨팅) 시장을 겨냥해 지난해 9월 32Gb 1b D램을 개발하고, 수율을 끌어올리는 데 집중해 왔다. 동시에 삼성전자는 모바일에 탑재되는 1b LPDDR 제품을 개발해 왔다. 주 적용처는 갤럭시S25 시리즈다. 갤럭시S25는 삼성전자가 내년 1분기 출시할 예정인 최신형 플래그십 스마트폰이다. 그러나 최근 해당 계획에 차질이 생겼다. DS사업부는 12·16Gb 등 다양한 성능의 1b LPDDR 샘플을 지난달까지 MX사업부에 전달하기로 했으나, 수율 문제로 필요한 물량을 공급을 하지 못했다. 통상 반도체는 80% 이상의 수율을 확보해야 안정적이고 경제적인 양산·공급이 가능하다. 삼성전자의 모바일용 1b D램의 구체적인 수율은 밝혀지지 않았으나, 내부에서 충분한 물량 확보가 어렵다는 판단이 나온 만큼 수율이 목표치에 크게 미치지 못 했을 것이라는 게 업계의 시각이다. 사안에 정통한 관계자는 "모바일용 1b D램 수율이 당초 예상보다 개선되지 않아 공급 일정이 늦아지고 있다"며 "이에 MX 측이 항의했고, D램 탑재 계획을 점검하고 있는 상황"이라고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "고성능컴퓨팅(HPC)용 1b D램의 수율 향상은 그간 상당한 진전이 있었으나, 모바일용 D램의 수율이 상대적으로 저조하다"며 "문제가 해결되지 않으면 3분기 삼성전자 모바일 D램의 단가에 부정적인 영향이 갈 수 있다"고 설명했다. 물론 삼성전자가 모바일용 1b D램의 수율을 개선할 수 있는 여지는 남아 있다. 모바일용 1b D램의 성능을 검증하고 있는 시스템LSI사업부도 현재까지 연구개발에 별다른 변동사항은 없는 것으로 알려졌다. 다만 갤럭시S25 출시가 반년도 채 남지 않은 만큼, 문제 해결을 위한 시간이 촉박한 것으로 관측된다. 이에 삼성전자 관계자는 "해당 내용은 사실과 다르다"고 밝혔다.

2024.09.04 14:32장경윤

박문필 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 사수...백엔드 미래 기술 확보"

"SK하이닉스는 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후, 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 바 있다. 나아가 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것이다." 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 4일 회사 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 프로덕트 엔지니어링(Product Engineering)팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 어플리케이션 엔지니어링(application Engineering)팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 프로젝트 매니지먼트(Project Management)팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다. 박 부사장은 'HBM 1등' 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 '적기(適期)'를 꼽으며 "제품을 적시에 개발하고 품질을 확보해 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다"고 설명했다. 또한 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙였다. HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있다. 또한 GPU와 결합하는 SiP(시스템 인 패키지) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없다. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요하다. 박 부사장은 "HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있다"며 "대표적으로 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증한다"고 설명했다. 고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다. 박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다. 그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다. 박 부사장은 "지난 2022년 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남는다"며 "고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었다"고 밝혔다. 박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 "객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다"며 "특히 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것"이라고 강조했다. 마지막으로 박 부사장은 "HBM이 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모하면서, 새로운 제품 설계 방식이 도입되고 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있다"며 "HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.09.04 09:51장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM에도 '어드밴스드 MR-MUF' 적용 가능성 확인"

"오는 2025년 양산 예정인 HBM4는 이전 세대 대비 성능 및 에너지 효율이 높을 것으로 기대하고 있다. 특히 16단 제품의 경우, 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술의 적용 가능성을 확인했다." SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)은 3일 '세미콘 타이완'에서 회사의 HBM 경쟁력에 대해 이같이 말했다. 이날 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행한 이 부사장은 HBM 시장의 가파른 성장세를 예견했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 기존 D램에 비해 데이터 처리 성능이 뛰어나다. HBM은 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 성공했다. 8단, 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다. HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다. 이와 같은 시장 성장세에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산한 후, 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도하고 있다. 오는 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정이다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 경쟁력을 갖추고 있다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력, 온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 다른 공정보다 유리하다. 또한 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프 형성이 가능해. 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다. SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해서는 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다. 특히 SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다. 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(시스템 인 패키지) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다. 또한 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼, SK하이닉스는 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다.

2024.09.03 14:36장경윤

OCI, SK하이닉스 반도체 '인산' 공급사 진입…첫 출하 완료

핵심소재 기업 OCI는 국내 인산 제조사 최초로 SK하이닉스의 반도체 인산 공급자로 선정됐다고 2일 밝혔다. OCI는 금번 SK하이닉스 수주를 통해 반도체 인산 국내 시장점유율(M/S) 1위 기업으로서의 지위를 더욱 공고히 하고, 반도체 소재 기업으로의 입지를 강화해 나갈 방침이다. OCI는 SK하이닉스의 강도 높은 품질 테스트를 거쳐 반도체 인산 제품 공급에 대한 승인을 획득하고, 지난달 21일 군산공장에서 초도품 출하 기념식을 진행했다. 이번에 OCI가 SK하이닉스에 공급하는 반도체 인산은 반도체 생산에 필요한 핵심소재 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 식각 공정에 사용된다. OCI의 반도체 인산은 D램과 낸드플래시, 파운드리까지 모든 반도체 공정에 사용되는 범용 소재로 HBM의 성장 및 반도체 시황 회복에 따라 그 수요가 꾸준히 증가할 것으로 기대되고 있다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업에 진출한 이후, 현재 연간 2만5천 톤 규모의 생산능력을 보유하고 있다. 삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체를 대상으로 지난 17년간 반도체 인산을 안정적으로 공급하며 국내 M/S 1위를 유지하고 있다. OCI는 이번에 SK하이닉스를 신규 고객사로 추가함으로써 국내 모든 반도체 제조사에 인산을 공급하는 유일한 업체가 됐다. OCI는 신규 고객사 확보 및 기존 고객사의 수요 증가에 따라 단계적으로 반도체 인산 생산능력을 증설할 계획이며, 반도체 소재의 국산화 및 공급망 안정화에 기여해 나갈 예정이다. 한편 OCI는 반도체 생산 과정 중에 세정 공정을 위해 필수적으로 사용되는 과산화수소 제품에서도 향후 매출 성장이 이뤄질 것으로 전망하고 있다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산해 온 업체로 연산 7만 5000톤의 생산능력을 보유하고 있으며, 오랜 업력과 기술력을 바탕으로 경쟁력을 확보하고 있다. 올해 반도체 업황이 회복세에 접어들면서 삼성전자와 SK하이닉스가 다시 증설을 계획하고 있는 만큼 업계에서는 이에 맞춰 전자급 과산화수소에 대한 수요 또한 지속해서 증가할 것으로 전망한다. 이밖에도 OCI는 반도체급 과산화수소를 일본 낸드플래시 기업 키옥시아에 직접 공급 중에 있는데, 지난 7월 키옥시아가 이와테현에 월 2만 5000개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 공장을 완공함에 따라 OCI의 추가적인 수주가 기대되는 상황이다. OCI는 최근 피앤오케미칼의 지분을 인수하기로 결정하면서 연산 5만톤 규모의 과산화수소 생산 능력이 증대될 것으로, 고객사 증설에 따른 수요 증가에 선제적으로 대응할 수 있게 되었다. 김유신 OCI 사장은 “국내 M/S 1위의 기술력을 바탕으로 품질 테스트를 무사히 통과하고, 국내 인산 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산을 공급하게 되어 매우 고무적”이라며 “앞으로도 OCI는 반도체 수요 증가에 발맞춰 반도체 소재 사업을 성공적으로 확대하고 경쟁력을 강화하여, 반도체 소재 기업으로서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

엠디바이스, 코스닥 상장 절차 돌입…"SSD로 회사 성장세 지속"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 지난 8월 30일 코스닥 상장을 위한 예비심사 신청서를 한국거래소에 제출했다고 2일 밝혔다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 기업을 중심으로 형성된 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 통해 성장성을 이끌어 왔다. 초소형 및 고용량 저장장치에 대한 수요가 증가함에 따라 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 반도체 기술력과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에도 성공했으며, 2021년 말부터는 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목해 SSD 중심의 저장장치 사업을 본격적으로 확장시켰다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진 등의 영향으로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적이 부진했지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 함께 기업용 SSD 판매 증가로 실적 회복세가 나타나고 있다고 밝혔다. 특히 올해 상반기 매출액은 246억원을 달성했고, 영업이익은 13억원으로 흑자전환에 성공했다. 올해 본격적인 실적 턴어라운드가 진행되는 만큼 '이익미실현 특례(테슬라 요건)'를 활용해 상장에 나설 계획이며, 상장주관사인 삼성증권은 IPO 과정에서 일반투자자를 대상으로 환매청구권(풋백옵션)을 부여할 예정이다. 실적 회복세에 힘입어 엠디바이스는 기업의 대규모 데이터센터에 사용되는 고사양 SSD 양산과 중국 및 유럽 시장에서의 수주 확대에 주력해 수출 물량을 늘릴 계획이다. 또한 매출 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 추진하고 있으며, 내년 양산체제 구축 및 제품 테스트를 목표로 진행하고 있다고 밝혔다. 조호경 엠디바이스 대표는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 조 대표는 이어 “반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 삼아 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “앞으로도 반도체 스토리지 관련 기술 혁신과 함께 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업에 당사의 기술력을 적용 및 확장해 사업을 더욱 고도화 시키겠다”고 덧붙였다.

2024.09.02 09:33장경윤

"아이폰, 12GB 램 장착…그런데 17 프로맥스만"

최근 내년 출시되는 아이폰17 시리즈에 8GB 램 대신 12GB램이 탑재될 것이라는 전망이 나온 가운데, 애플 전문 분석가 궈밍치가 해당 업그레이드는 아이폰17 프로 맥스에만 적용될 것이라고 밝혔다. IT매체 맥루머스는 30일(현지시간) 궈밍치의 전망을 인용해 2025년 아이폰의 12GB 램 업그레이드는 최고급 모델인 아이폰17 프로에만 제한될 것이라고 보도했다. 궈밍치의 전망이 맞다면, 아이폰17, 아이폰17 프로, 새로워진 아이폰17 슬림 모델에는 기존 모델처럼 8GB 램이 장착될 예정이다. 내년 초 출시될 것으로 예상되는 4세대 아이폰SE에도 8GB 램이 탑재될 것으로 전망되고 있다. 올해 iOS 18에 처음 추가되는 애플의 새로운 인공지능(AI) 시스템 '애플 인텔리전스' 때문에 애플 제품들의 램 용량이 더욱 중요해진 상태다. 현재 출시된 아이폰 중 8GB 램이 장착된 아이폰15 프로와 아이폰15 프로 맥스만 애플 인텔리전스가 지원될 예정이다. 아이폰15와 아이폰15 플러스에는 6GB 램이 탑재했다. 다음 달 출시되는 아이폰16 라인업에서는 모든 모델에 8GB 램이 적용되어 앞으로 모든 신형 아이폰에서 애플 인텔리전스를 지원할 수 있을 것으로 보인다. 램이 12GB로 늘어나면 훨씬 더 강력한 AI 기능을 제공할 수 있을 것으로 보이나, 현재로서는 내년 출시되는 최고급 프로 맥스에만 적용될 것으로 보인다. 궈밍치는 아이폰17 프로 맥스에 램 용량 증가 외에도 증기 챔버 기술과 그래파이트 시트를 결합한 독점적인 냉각 시스템이 탑재될 것이라고 전망했다.

2024.08.30 08:29이정현

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 2023년 2분기 10나노급(1B) D램을 양산한 이후 내년 약 2년 만에 1c DDR5 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다. 또, EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

2024.08.29 09:13이나리

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

"HBM용 하이브리드 본딩은 아직 미완성"…기술적 난제는

"차세대 HBM에 하이브리드 본딩을 적용하면 여러 이점이 있으나, 이 기술은 아직 완성되지 않아 시간이 더 필요하다. 현재로선 CMP와 파티클이라는 두 가지 문제가 가장 큰 허들로 작용하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 지난 26일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 HBM용 하이브리드 본딩 기술에 대해 이같이 말했다. 이날 '어드밴드스 패키징 기술과 미래 전망'을 주제로 발표를 진행한 문 부사장은 "AI 산업 발전에 따라 메모리 패키징 기술도 제품의 성능과 용량을 극대화하는 방식으로 발전해 왔다"며 "HBM도 현재 범프를 쓰고 있으나 결국 하이브리드 본딩으로 나아가기는 할 것"이라고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 각각의 D램은 수십 마이크로미터(㎛) 수준의 작은 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결된다. 이 때 층마다 형성되는 범프의 수는 20만개에 달한다. 다만 기존 본딩 기술은 HBM 분야에서 점차 한계에 직면하고 있다. HBM의 D램 적층 수가 8단, 12단, 16단 순으로 점차 많아지는 반면, HBM 패키지의 두께는 크게 늘어나고 있지 않기 때문이다. 내년 양산될 HBM4의 두께가 775마이크로미터로 이전 세대(720마이크로미터) 대비 늘어날 예정이기는 하나, 임시 방편의 성격이 강하다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. TSV의 간격을 줄일 수 있어 칩 사이즈 축소에도 유리하다. 당초 업계는 HBM4에 하이브리드 본딩 기술이 적용될 것이라고 예상해 왔다. 그러나 HBM4 패키지 두께 완화, 하이브리드 본딩 기술의 미성숙 등으로 여전히 기존 본딩 기술이 채택될 가능성이 높은 상황이다. 문 부사장은 "칩과 칩을 직접 붙이기 위해서는 표면이 굉장히 평평해야 하기 때문에 CMP(화학·기계적 연마) 공정을 거친다"며 "일반 제조 환경에서 요구하는 CMP의 평탄함 정도가 수십 나노미터(nm)인 데 반해, 하이브리드 본딩에서는 수 나노의 미세한 수준을 요구한다"고 설명했다. 그는 이어 "표면이 무작정 평탄해서도 안되고, 어떤 경우에는 디싱(오목하게 들어간 부분)을 고의적으로 수 나노 수준으로 형성하기도 한다"며 "웨이퍼 공정 이후의 패키징 공정에서 발생하는 파티클(미세오염)도 큰 문제"라고 덧붙였다. 패키징은 웨이퍼 상의 칩을 개별 다이(Die)로 분리하는 다이싱(Dicing) 공정을 거친다. 이 때 표면이 갈려나가면서 작은 파티클이 형성되는데, 이는 반도체 수율을 떨어뜨리는 악영향을 미친다. 문 부사장은 "기계적인 다이싱 공정에서는 기존 패키징 단에서는 상상도 할 수 없는 파티클이 발생하게 된다"며 "미세한 파티클을 계측하고, 이를 제거할 수 있는 기술이 필요해 공정적으로 수율 확보가 어려운 상황"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:00장경윤

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