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'램'통합검색 결과 입니다. (334건)

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삼성전자 "3분기 HBM 매출 전분기 대비 70% 상회"

삼성전자는 31일 올해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM(고대역폭메모리)의 경우 전분기 대비 매출 증가 폭이 70%를 상회했고, 서버향 DDR5는 10% 중반, 서버향 SSD는 30% 중반을 기록했다"고 말했다. 그러면서 "결과적으로 부진 재고 감축의 영향에도 불구하고 고수익 제품 판매에 힘입어 평균판매금액(ASP)는 D램 낸드 모두 전 분기 대비 한 자릿수 후반 상승했다"고 밝혔다. 내년 계획에 대해서는 "D램에서 HBM3E 판매를 더욱 확대하고, HBM4의 경우 하반기 개발 및 양산 진행 예정이다"라며 "레거시 라인에서의 1b나노 전환을 가속화해 시장 내 경쟁이 심화되고 있는 구공정 기반의 DDR4, LPDDR4의 비중을 줄이고 서버향 128기가바이트 이상 DDR5 모듈, 또 모바일 PC, 서버향 LPDDR5X 등 하이엔드 제품의 비중을 적극적으로 확대할 계획이다"고 전했다. 이어 "낸드의 경우 서버 SSD의 판매를 확대하는 가운데 64 테라바이트, 128 테라바이트 SSD를 포함한 QLC 제품 기반 고용량 제품 트렌드에 적극 대응할 예정이다"고 말했다.

2024.10.31 10:48이나리

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스 HBM 개발 주역 "반도체 패키징, 이젠 덧셈 아닌 곱셈 법칙"

"이전 패키징 기술은 덧셈의 개념이었다. 때문에 패키징을 못해도 앞단의 공정과 디자인에 큰 문제를 주지는 않았다. 그러나 이제는 패키징이 곱셈의 법칙이 됐다. 공정과 디자인을 아무리 잘해도, 패키징을 잘 못하면 사업의 기회조차 얻을 수 없게 됐다." 이강욱 SK하이닉스 부사장은 24일 서울 코엑스에서 열린 '반도체 대전(SEDEX 2024)' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이 부사장은 SK하이닉스에서 패키징 개발을 담당하고 있다. SK하이닉스의 HBM 성공 신화를 이끈 주역 중 한 명으로, '전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024'에서 한국인 최초로 '전자제조기술상'을 수상하기도 했다. ■ 패키징, 이제는 '곱셈의 법칙' 적용 이날 'AI 시대의 반도체 패키징의 역할'을 주제로 발표를 진행한 이 부사장은 첨단 패키징 기술이 반도체 산업에서 차지하는 위치가 완전히 변화됐음을 강조했다. 이 부사장은 "이전 패키징은 '덧셈'과도 같아 기술이 미흡해도 공정, 디자인 등에 큰 영향을 주지 않았다"며 "이제는 아무리 반도체 공정과 디자인을 잘해도, 패키징이 받쳐주지 않으면 사업의 진출 기회가 아예 없는(결과값이 0인) '곱셈의 법칙'이 적용된다고 생각한다"고 밝혔다. 특히 패키징 산업은 HBM 시장의 급격한 성장세에 따라 더 많은 주목을 받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 데이터의 전송 통로 역할인 대역폭이 일반 D램 대비 수십배 넓어, 방대한 양의 데이터 처리에 적합하다. 이 HBM를 GPU 등 고성능 시스템과 2.5D SiP(시스템 인 패키지)로 연결하면, 엔비디아가 공개한 '블랙웰' 시리즈와 같은 AI 가속기가 된다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. ■ 패키징 주도하는 TSMC…다양한 차세대 기술 준비 중 현재 2.5D 패키징을 선도하고 있는 기업은 대만 TSMC다. TSMC는 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS(칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트)'를 통해 SK하이닉스와 엔비디아 GPU를 접합하고 있다. 특히 SK하이닉스가 최근 상용화한 HBM3E(5세대 HBM)의 경우, TSMC는 이전 CoWoS-S에서 한발 더 나아간 CoWoS-L를 적용했다. CoWoS-L은 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용해 비용 효율성을 높이는 기술이다. 이 부사장은 "나아가 TSMC는 광학 소자를 활용하는 'CPO 패키징'이나 GPU와 메모리를 수직으로 직접 연결하는 '3D SiP', 웨이퍼에 직접 칩을 연결하는 '시스템 온 웨이퍼' 등을 향후의 패키징 로드맵으로 제시하고 준비하고 있다"고 밝혔다. ■ 하이브리드 본딩 열심히 개발…설비투자는 '아직' 한편 SK하이닉스는 내년 하반기 양산할 계획인 HBM4(6세대 HBM)에 기존 본딩 기술과 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 모두 고려하고 있다. 두 기술을 동시에 고도화해, 고객사의 요구에 맞춰 적절한 솔루션을 제공하겠다는 전략이다. 하이브리드 본딩이란 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 차세대 패키징 공법이다. 기존 본딩은 작은 돌기 형태의 범프(Bump)를 통해 칩을 붙인다. 하이브리드 본딩은 이 범프를 사용하지 않아 전체 칩 두께를 줄이는 데 유리하다. 다만 SK하이닉스가 하이브리드 본딩 분야에 당장 투자를 진행할 가능성은 낮은 것으로 관측된다. 내년 설비투자 규모를 올해(10조원 중후반대) 대비 늘리기는 하나, 인프라 및 연구개발(R&D), 후공정 분야에 고루 할당하기 때문이다. 이 부사장은 하이브리드 본딩용 설비 투자 계획과 관련한 기자의 질문에 "아직은 개발 단계"라며 "여러 가지를 검토하고 있다"고 답변했다.

2024.10.24 17:19장경윤

이체수 램리서치매뉴팩춰링 사장, '반도체의 날' 국무총리 표창 수상

이체수 램리서치매뉴팩춰링코리아 사장이 반도체 산업 발전에 기여한 공로로 제17회 반도체의 날 기념식에서 국무총리 표창을 수상했다. 한국반도체산업협회에서는 대한민국의 수출 1위 산업이자 경제발전을 주도해 온 반도체 산업의 도약을 위해 2008년부터 반도체의 날을 제정하고 매년 산업 경쟁력 강화에 크게 기여한 유공자에 대한 포상을 해왔다. 제 17회 반도체의 날 기념식은 22일 그랜드 인터컨티넨탈 호텔 서울 파르나스에서 열렸다. 이체수 사장은 램리서치의 글로벌 반도체 장비 생산기지인 램리서치매뉴팩춰링코리아의 책임자다. 그는 국내 투자, 고용 창출, 부품 및 장비 국산화 확대와 인프라 확장을 통해 한국 반도체 제조사와 생태계의 글로벌 경쟁력 강화에 기여한 점을 인정받아 2024년도 반도체 산업 발전 유공자 포상 수상자로 결정됐다. 전기공학을 전공한 이 사장은 1991년 삼성전자 입사를 시작으로 반도체 분야에서 약 33년을 활동했다. 2007년 램리서치에 합류, 2011년부터 램리서치매뉴팩춰링코리아 운영총괄사장을 맡으며 고객사 및 파트너사와의 협력, 생산성 향상, 고용 환경 개선 등에서 탁월한 리더십을 발휘해 왔다. 특히 2021년 8월 램리서치매뉴팩춰링코리아 제3 공장 '화성 공장' 건립을 바탕으로 국내 생산 역량을 2배 확대했다. 이 기간 램리서치매뉴팩춰링코리아의 매출 역시 회계연도 기준 2021년도 4천470억원에서 2024년도 1조211억원으로 2배 이상 증가했다. 또 2023년 5월에는 국내 반도체 생산장비 1만호기 출하를 달성하기도 했다. 국내 부품 국산화를 위해 2011년부터 주요 협력사를 발굴, 부품 국산화를 달성했으며, 국내 반도체 장비 생산량을 지난 12년간 18배 이상 증가시켜 국내 최대의 반도체 전공정 장비 생산 및 수출 기업으로 자리 잡았다. 램리서치매뉴팩춰링코리아는 ▲대한민국 일자리 으뜸기업(2015년, 2022년) ▲고용노동부 근무 혁신 우수기업(2020년) ▲여성가족부 가족친화 우수기업(2020년, 2023년)으로 선정되는 등 일자리 창출과 근무 환경 개선에도 앞장서고 있다. 이체수 사장은 "국내 반도체 산업 생태계 발전을 위해 힘써온 노력을 인정받아 큰 영광"이라며 "앞으로도 국내 협력사와의 협력을 강화하고 반도체 기술 혁신을 위해 지속적으로 노력할 것"이라고 소감을 밝혔다.

2024.10.23 10:08이나리

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

4분기 D램 가격 '주춤'...낸드 가격 8% 하락 전망

4분기 HBM(고대역폭메모리)을 제외한 D램 가격 오름세가 둔화된다는 전망에 이어 낸드플래시 가격이 8% 하락한다는 전망이 추가로 나왔다. 스마트폰, PC 등 소비 시장이 위축되면서 메모리 수요가 감소했기 때문이다. 당분간 메모리 업계는 정체기를 보일 것으로 전망된다. 17일 시장조사업체 트렌드포스는 낸드 평균판매 가격(ASP)은 3분기 5~10% 인상됐지만 4분기에는 3~8% 하락할 것으로 전망했다. 엔터프라이즈 SSD 가격은 유일하게 최대 5% 인상되지만, 성장 동력이 둔화됐다. 이는 지난 3분기 가격이 15~20% 인상된 점과 대조된다. 클라이언트 SSD 가격은 4분기 5~10% 하락할 전망이다. 트렌드포스는 “일부 고객사들의 AI 서버 구축 지연으로 4분기 서버향 SSD 주문이 지난 3분기 대비 줄어들었다”라며 “AI 수요로 인해 엔터프라이즈 SSD는 다른 낸드 제품에 비해 수익성이 더 높기 때문에 낸드 공급업체는 적극적으로 주문을 추진하고 있다”고 말했다. 소비자용 낸드의 가격 하락폭이 가장 크다. 프리미엄 및 플래그십 스마트폰에 주로 사용되는 eMMC와 UFS 가격은 4분기 8~13% 하락할 전망이다. 글로벌 경기 침체로 평균 스마트폰 교체 주기가 2년 미만에서 3년으로 늘어났으며, 시장에는 스마트폰을 교체할 획기적인 애플리케이션이 부족하다. 따라서 스마트폰과 노트북 제조업체는 재고 감소 전략을 채택해 보다 보수적인 낸드 주문으로 이어졌다. 낸드 웨이퍼 가격도 3분기 3~8% 하락한데 이어 4분기에도 10~15% 추가 하락할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “모듈 제조업체가 과도한 재고를 보유하고 있고 일부 공급업체가 경쟁력을 유지하기 위해 가격 인하 전략에 참여함에 따라 낸드 웨이퍼 가격 하락으로 이어졌다”고 진단했다. 4분기 D램 가격도 침체기를 보일 전망이다. 트렌드포스는 범용 D램 평균가격이 3분기 8~13% 인상됐지만, 4분기에는 전 분기보다 0~5% 증가에 그칠 것으로 내다봤다. 반면 HBM은 AI 서버 시장에서 높은 수요로 4분기 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 4분기 PC용 D램과 그래픽용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지하고, 서버용 D램 DDR5는 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다. 스마트폰 수요 감소로 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다.

2024.10.17 12:40이나리

삼성전자, 업계 최초 12나노급 '24Gb GDDR7 D램' 개발…내년초 상용화

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 '24Gb GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' 개발을 완료했다고 17일 밝혔다. 24Gb GDDR7 D램은 업계 최고 사양을 구현한 제품으로, PC, 게임 콘솔 등 기존 그래픽 D램의 응용처를 넘어 AI 워크스테이션, 데이터센터 등 고성능 제품을 필요로 하는 분야까지 다양하게 활용될 것으로 기대된다. 이번 제품은 24Gb의 고용량과 40Gbps 이상의 속도를 갖췄고, 전작 대비 ▲용량 ▲성능 ▲전력 효율이 모두 향상됐다. 삼성전자는 이번 제품에 12나노급 미세 공정을 적용해 동일한 패키지 크기에 셀 집적도를 높였고, 전작 대비 50% 향상된 용량을 구현했다. 또한 PAM3 신호 방식을 통해 그래픽 D램 중 업계 최고 속도인 40Gbps를 구현했으며, 사용 환경에 따라 최대 42.5Gbps까지 성능을 자랑한다. PAM3 신호 방식이란 '-1'과 '0' 그리고 '1'로 신호 체계를 구분해 1주기마다 1.5비트 데이터를 전송하는 방식이다. 삼성전자는 이번 제품부터 저전력 특성이 중요한 모바일 제품에 적용되는 기술들을 도입해 전력 효율을 30% 이상 크게 개선했다. 제품 내 불필요한 전력 소모를 줄이는 클럭(Clock) 컨트롤 제어 기술과 전력 이원화 설계 등을 통해 제품의 전력 효율을 극대화했다. 또한 고속 동작 시에도 누설 전류를 최소화하는 파워 게이팅 설계 기법을 적용해 제품의 동작 안정성도 향상됐다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 "삼성전자는 작년 7월 '16Gb GDDR7 D램'을 개발한데 이어 이번 제품도 업계 최초로 개발에 성공해 그래픽 D램 시장에서의 기술 리더십을 공고히 했다"며 "AI 시장의 빠른 성장에 발맞춰 고용량∙고성능 제품을 지속 선보이며 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 이번 24Gb GDDR7 D램을 연내 주요 GPU 고객사의 차세대 AI 컴퓨팅 시스템에서 검증을 시작해, 내년 초 제품을 상용화할 계획이다.

2024.10.17 08:44장경윤

삼성, 1a D램 재설계 고심…HBM 경쟁력 회복 '초강수' 두나

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 위기를 맞았다. 반도체를 비롯해 가전, MX, SDC 등 전 사업부가 난항을 겪고 있지만, 주력 사업인 메모리 분야가 올 3분기 호황 사이클에서도 빛을 발하지 못했다는 점이 특히 뼈아프다. 그 중에서도 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 시장의 실망감은 컸다. 삼성전자는 당초 엔비디아향 HBM3E 공급을 올해 3분기부터 본격화하기 위한 물밑 작업을 진행해 왔다. 그러나 아직까지 8단 제품의 퀄 테스트도 통과하지 못한 상황이며, 12단의 경우 내년 2·3분기까지 지연될 가능성이 농후하다. 삼성전자의 HBM 사업화 지연에는 복합적인 이유가 작용한다. 그러나 근본적으로 HBM의 문제는 코어(Core) 다이인 D램의 문제라는 게 전문가들의 지적이다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는 HBM 구조 상, D램의 성능이 HBM 성능으로 직결될 수밖에 없다. EUV 선제 적용했지만…1a D램 경쟁력 흔들 이러한 관점에서 삼성전자가 D램 기술력 1위의 지위가 크게 흔들린 시점은 '1a D램' 부터로 지목된다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. 1a D램은 선폭이 14나노미터(nm) 수준이다. 삼성전자의 경우 지난 2021년 하반기부터 양산을 시작했다. 삼성전자는 1a D램을 경쟁사 대비 빠르게 양산하지는 못했으나, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 더 적극적으로 도입하는 방식으로 경쟁력을 높이고자 했다. 삼성전자가 1a D램에 적용한 EUV 레이어 수는 5개로, 경쟁사인 SK하이닉스(1개) 대비 많았다. 그러나 이 같은 시도는 현재로선 성공적인 결과로 이어지지 않았다는 평가가 지배적이다. EUV는 기존 노광(반도체에 회로를 새기는 공정) 공정인 ArF(불화아르곤) 대비 선폭 미세화에 유리하다. 때문에 공정 효율성을 높여, 메모리의 핵심인 제조 비용을 저감할 수 있다는 게 EUV가 지닌 장점이었다. 다만 EUV는 기술적 난이도가 높아, 실제 양산 적용 과정에서 공정의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용했다. 이로 인해 삼성전자 1a D램의 원가가 당초 예상대로 낮아지지 않았다. D램 설계 자체도 완벽하지 못했다는 평가다. 특히 서버용 제품 개발에서 차질을 겪어, 경쟁사 대비 DDR5 적용 시점이 늦어진 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 1월 인텔로부터 1a D램 기반의 서버용 DDR5 제품을 가장 먼저 인증받기도 했다. HBM 사업화 지연 속 '재설계' 논의…대변혁 시도하나 삼성전자가 최근 부진을 겪고 있는 엔비디아향 HBM3E 양산 공급에도 1a D램의 성능이 발목을 잡고 있다는 지적이 나온다. 최근 삼성전자는 평택캠퍼스에서 엔비디아와 HBM3E 8단 제품에 대한 실사를 진행한 바 있다. 엔비디아 측은 실사 자체에 대해 별 문제없이 마무리했다. 그러나 HBM의 데이터 처리 속도가 타 제품 대비 낮다는 평가를 내린 것으로 알려졌다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 삼성전자 HBM3E 8단의 데이터 처리 속도(Gbps)는 SK하이닉스·마이크론 대비 10%대 수준으로 떨어진다. 구체적인 수치는 테스트 결과 및 고객사에 따라 차이가 있으나, 1b D램을 활용하는 두 경쟁사 대비 성능이 부족하다는 데에는 이견이 없다. 이에 삼성전자는 전영현 부회장 체제 하에서 서버용 D램 및 HBM의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 '초강수'를 고려하고 있다. 전 부회장은 최근 3분기 잠정실적 발표 후 사과문을 통해 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심"이라고 언급했다. 또 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"며 "더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 최근 삼성전자는 1a D램의 회로 일부를 재설계(revision)하는 방안을 내부적으로 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 한 관계자는 "메모리 전략을 고심 중인 삼성전자가 1a D램을 재설계해야한다는 결론을 내놓고 있다"며 "다만 최종 결정은 나오지 않았고, 이를 위해서는 여러 위험 부담을 안아야하기 때문에 과감한 결단력이 필요한 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자가 1a D램을 재설계하는 경우, 제품이 완성되려면 최소 6개월 이상이 소요될 것으로 전망된다. 내년 2분기는 돼야 양산이 가능해지는 셈이다. 재설계가 문제없이 마무리 되더라도, 시장 상황을 고려하면 제품을 적기에 공급하기가 사실상 쉽지 않다. 또 다른 관계자는 "일정이 늦더라도 HBM3E 공급망 진입을 끝까지 시도하느냐, 아니면 HBM3E를 사실상 포기하느냐는 1a D램 개조 여부에 달려있다"며 "전영현 부회장도 이러한 문제점을 인식하고 있기 때문에, 조만간 구체적인 변화가 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.10.15 16:55장경윤

삼성 반도체 위기론에...전직 장관들 "조직문화 바꾸고, 기술 매진해야"

“삼성의 위기는 인텔의 위기와 다르다.” ”삼성은 지난 30년간 D램의 성공을 즐기면서, 조직 긴장도가 떨어져 있었던 것 같다.” ”그동안 경각심이 부족했다. 오히려 지금의 위기가 기회가 될 수 있을 것이다.” 한국경제인협회(이하 '한경협')는 14일 역대 산업부 장관을 초청해 '반도체 패권 탈환을 위한 한국의 과제'란 주제로 특별 대담회를 열었다. 이날 대담회에서 '삼성전자의 위기와 극복을 위한 조언에 대한 질문에 역대 산업부 장관들은 삼성전자가 위기를 돌파하려면, 조직문화를 바꾸고, 기본으로 돌아가 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 대담회에는 이윤호 前지경부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 이윤호 전 장관은 “삼성이 D램의 성공에 너무 오래 엔조이(enjoy)하면서 조직 긴장도가 많이 떨어져 있지 않나 생각한다”며 “최근 D램 쪽에서 압박을 받고 파운드리가 약화되는 것은 오히려 삼성에 경각심을 불러일으킬 수 있는 좋은 기회”라고 말했다. 이어서 그는 “아마 삼성도 준비하고 있지만 내부적으로 정비하고 새롭게 전략을 짠다면, (위기에서) 빠져나올 저력이 충분히 있다고 본다”고 덧붙였다. 윤상직 전 장관은 “삼성위 위기는 인텔의 위기와 다르다. 최근 삼성은 위기 극복을 위해 근원적인 기술 경쟁력을 제공하겠다고 밝혔는데, 이를 어디서부터 출발해야 하는 것인지 잘 진단해야 한다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체는 생태계 싸움이다. 삼성은 생태계를 만들어야 하고, 무엇보다 조직문화를 바꿔야 한다”고 강조했다. 이창양 전 장관은 “삼성은 크게 도약하기 위한 내부 정리와 새로운 목표 설정들을 시도할 때다”라며 “삼성전자는 오픈 이노베이션이 취약하고, 개방된 혁신이 부족하다”고 지적했다. 이어 그는 “선두에 선 기업은 앞에 무슨 일이 벌어질지 모르기 때문에 경영 안테나가 필요하다. 안테나 능력이 취약하면 뒤에 무슨 일이 벌어지는지 예측하는 데 둔감해질 수 있다”고 말했다. 이 장관은 삼성은 안테나를 높게 세우고 경쟁사들이 뭘 하고 있는지 예시하면서, 그 중에서 좋은 기술이 있으면 받아 들어야 한다고 조언했다. 필요시에는 인수합병(M&A)과 협력을 발휘해야 한다는 주장이다. 이종호 전 장관은 협업을 강조했다. 그는 “삼성은 유의미한 산업협력을 제대로 해야한다. 앞으로 어떤 기술이 나올지, 어떻게 될지를 한 회사에서 다 하기는 어려운 시대가 됐다. 회사와 출연 연구소, 또는 대학 사이에 장벽을 낮추고 하나가 돼서 체계적으로 소통하고 협력한다면 어려움을 슬기롭게 잘 타개할 수 있을 것으로 생각한다”고 말했다. 성윤모 전 장관은 결국에는 기본으로 돌아가서 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 그는 “삼성은 D램 초격차를 가지고 30년 동안 1등을 해온 저력을 가지고 있는 기업이다. 어려움에 닥쳤을 때 우리가 선택하고 갈 수 있는 길은 기본으로 돌아가는 것”이라며 “현재 사업과 계획이 방향에 맞게 하고 있는 건지, 하고 있는 속도가 맞는 건지, 끊임없이 점검하고 반성하고 새로운 도전을 해야한다”고 강조했다. 한편, 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적에서 시장 기대치에 못미치는 실적을 내면서 반도체 위기론이 커지고 있다. AI 메모리로 부상한 고대역폭메모리(HBM)에서는 SK하이닉스에 밀렸고, 파운드리 사업에서는 1위인 대만 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어진 상태다. 잠정실적 발표 후 반도체 사업 수장인 전영현 DS부문 부회장은 이례적으로 “시장의 기대에 미치지 못하는 성과로 걱정을 끼쳐 고객, 투자자, 임직원에게 송구하다”며 사과문을 직접 발표하며 “기술 경쟁력 복원해, 극복에 앞장서겠다”고 밝혔다.

2024.10.14 18:42이나리

"삼성·TSMC 모두 적용"…AMAT, 2나노향 최초 신기술 꺼냈다

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노미터(nm) 이하 등 차세대 반도체 제조를 위한 공정 기술을 공개했다. 특히 AMAT가 업계 최초로 상용화한 구리 배선 기술의 경우, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 기업의 양산 공정에 이미 적용된 것으로 알려졌다. 14일 AMAT코리아는 서울 선릉 세바시X데마코홀에서 미디어 라운드 테이블을 열고 회사의 신규 구리 배선 및 저유전체 기술을 발표했다. ■ '초미세' 공정용 구리 배선 기술로 삼성전자·TSMC 공략 이날 AMAT는 2나노 공정 구현을 위한 구리 칩 배선 기술을 강조했다. 2나노 공정은 반도체 업계에서 '초미세' 영역에 해당하는 기술이다. 전 세계 주요 파운드리인 삼성전자, TSMC, 인텔 등이 내년부터 본격적으로 2나노 공정을 본격적으로 양산할 계획이다. AMAT는 이를 위해 '엔듀라 쿠퍼 배리어 써드 IMS'를 개발했다. 배선 공정은 반도체 회로 패턴에 전기가 잘 통하는 성질의 금속을 도금하는 공정을 뜻한다. 해당 금속으로는 구리가 주로 쓰이며, 구리가 잘 배선될 수 있도록 틀을 잡아주는 역할의 라이너·배리어 2개 층을 입힌다. 그러나 회로 선폭이 줄어들면서 배선 공정도 기술적인 한계점에 부딪히고 있다. 선폭이 미세화될수록 배선되는 구리의 두께도 얇아져야 하는데, 구리의 함량이 너무 많이 줄어들면 전기의 저항성이 높아지기 때문이다. 배리어 층의 간격이 짧아져 간섭이 발생한다는 문제도 있다. 이는 칩의 전력효율성 및 신뢰성을 감소시키는 결과로 이어진다. AMAT가 제시한 해결 방안은 라이너의 두께를 대신 줄이는 것이다. 기존 라이너에는 코발트 소재가 쓰였는데, 30옹스트롬(1옹스트롬 당 0.1나노미터) 정도의 두께다. 반면 AMAT는 라이너 소재로 기존 코발트에 '루테늄'을 더해 라이너 두께를 20옹스트롬 수준으로 줄였다. 이를 통해 표면 물성을 개선하고, 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮췄다. AMAT는 코발트, 루테늄 증착 등을 비롯한 6개의 공정을 하나의 고진공 시스템(IMS)으로 조합해, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 업체의 양산용 공정에 공급하는 데 성공했다. 이은기 AMAT 박막기술총괄은 "AMAT의 차세대 구리 배선 기술은 2나노 이하의 최선단 공정과 그 너머까지 지원할 수 있다"며 "학계에서 연구된 바는 있으나 이를 양산 공정에 적용한 것은 AMAT가 업계 최초"라고 설명했다. ■ 향상된 Low-k 소재 개발…"3나노서 이미 적용 중" 또한 AMAT는 차세대 반도체 기술인 3D 적층을 위한 신규 Low-k(저유전율) 유전체소재에 대해 발표했다. 유전체는 구리를 배선하기 전에 먼저 증착되는 소재로, 배선 사이의 간섭을 막는 역할을 담당한다. 3D 적층은 기존 수직으로 집적하던 트랜지스터를 수직으로 적층하는 기술이다. 기존 반도체 미세화 공정의 한계를 뛰어넘는 대안 기술로, 삼성전자가 2030년께 상용화를 목표로 한 3D D램, GAA(게이트-올-어라운드)를 한층 발전시킨 '3DSFET' 등이 대표적인 사례다. 3D 적층을 구현하기 위해서는 유전율을 낮추는 것이 핵심이다. 유전율이란 동일한 전압에서 전하를 얼마나 잡아둘 수 있는지 나타내는 척도다. 유전율이 낮으면 전기 저항이 낮아 전류를 빠른 속도로 흐르게할 수 있다. 이를 활용하면 전하의 축적량을 낮춰, 각 배선 사이에 발생할 수 있는 간섭 현상을 줄이고 전력 소비량을 줄일 수 있다. 덕분에 3D 칩과 같이 배선이 빼곡하게 들어서는 구조에 적합하다는 평가를 받고 있다. AMAT는 이 Low-k 유전체를 '블랙다이아몬드' 라는 브랜드명으로 개발해 왔다. 이번에 공개한 신규 물질은 실리콘과 탄소 등을 포함한 'SiCoH'를 기반으로 한다. 이은기 총괄은 "특정 고객사는 신규 블랙다이아몬드 물질을 3나노 파운드리 공정에 이미 적용해 사용 중"이라며 "선도적인 로직 및 D램 제조기업들의 채택되고 있음은 물론, 향후에는 BSPDN(후면전력공급)와 같은 차세대 기술에도 적용될 수 있다"고 설명했다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자의 경우 차세대 2나노 공정, 3D D램 등에 적용할 것으로 기대된다. 한편 삼성전자, TSMC 등 고객사들도 AMAT의 차세대 공정 솔루션에 깊은 관심을 기울이고 있다. 김선정 삼성전자 파운드리 개발팀 상무는 "패터닝 발전이 소자의 지속적인 스케일링을 견인하고 있으나 인터커넥트 배선 저항, 정전용량, 신뢰성 등 풀어야 할 과제가 남아있다"며 "삼성은 이 문제를 해결하기 위해 스케일링의 이점을 가장 진보한 공정까지 확대하는 다양한 재료 공학 혁신을 채택하고 있다"고 밝혔다. 미위제 TSMC 수석부사장은 "AI 컴퓨팅의 지속 가능한 성장을 위해 반도체 업계는 에너지 효율적인 성능을 획기적으로 개선해야 한다"며 "인터커넥트 저항을 낮추는 신소재는 다른 혁신과 함께 전반적인 시스템 성능과 전력을 개선하며 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것"이라고 강조했다.

2024.10.14 13:26장경윤

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

4분기 HBM 가격만 오른다…나머지 D램은 '주춤'

올해 4분기 인공지능(AI) 반도체용 고대역메모리(HBM)를 제외한 D램 메모리 가격은 오름세가 둔화될 것으로 전망됐다. 10일 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 PC, 모바일 등 범용 메모리 수요가 감소하면서 범용 D램 가격이 전분기 보다 0~5% 상승하는 데 그칠 것으로 전망했다. 반면 AI 서버 시장에서 높은 수요를 보이고 있는 HBM 가격은 4분기에 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 트렌드포스는 “소비자용 메모리 수요가 약화되면서 AI 서버용 메모리가 성장을 주도하고 있다”며 “HBM 생산이 기존 D램 용량을 대체하면서 공급업체는 계약 가격 인상에 대한 강경한 입장을 유지하고 있다”고 말했다. 시장별 D램 가격을 살펴보면, PC용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 보인다. 3분기 PC 시장은 인텔의 루나레이크 시리즈가 출시 지연과 소비 시장 위축으로 인해 전통적인 성수기에도 불구하고 침체기를 겪었다. 이로 인해 PC용 D램 재고가 많아지면서 4분기에도 구수요가 감소할 것으로 예상된다. 서버용 D램은 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다 미국 클라우드서비스업체(CSP)들은 재고가 많아지면서 서버용 D램 구매를 줄였고, 중국 시장은 회복세를 보이고 있지만 여전히 전반적인 수요를 견인하기에 부족한 상황이다. 다만 최근 DDR5 모멘텀이 개선됨에 따라 전체 서버 D램 비트 출하량이 4분기에 개선될 가능성이 있다. 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 트렌드포스는 스마트폰 브랜드는 3분기에 기존 모바일 D램 재고를 줄이면서, 지연된 조달 전략을 통해 공급업체 가격 조정에 저항했다”라며 “이로 인해 모바일 D램 수요가 순차적으로 30% 이상 감소했고, 이런 방식이 4분기에도 이어질 것”으로 내다봤다. 그래픽 D램 가격은 평년 수준을 유지할 것으로 보인다. 4분기 그래픽 수요는 여전히 부진한 가운데 메모리 공급업체는 그래픽 D램을 생산하던 캐파를 점점 HBM으로 할당하면서 GDDR 생산에 보수적인 전략을 유지하고 있다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다. DDR3는 수요가 급격하게 감소하면서 시장에 과잉 공급이 발생했으며, 일부 공급업체는 출하 목표를 충족하기 위해 4분기에 가격을 인하할 가능성이 있다. DDR4는 중국 제조업체의 생산량 증가로 인해 가격 하락 가능성이 상존하고 있다.

2024.10.10 09:46이나리

램리서치, 용인캠퍼스 문 열고 삼성⋅SK와 차세대 반도체 협력

주요 반도체 장비기업 램리서치가 국내 반도체 생태계와 협력을 강화한다. 최근 다양한 첨단 기술을 개발할 용인 캠퍼스를 완공한 데 이어, 내년부터 국내 반도체 인력 양성을 위한 신규 프로그램도 가동할 계획이다. 램리서치는 8일 용인캠퍼스 그랜드 오프닝 행사를 열고 '램리서치와 함께하는 K-반도체 혁신의 미래'를 주제로 발표를 진행했다. ■ 램리서치, 용인캠퍼스로 국내 협력 강화…삼성·SK도 환영 램리서치는 전 세계 주요 반도체 장비업체 중 한 곳이다. 반도체 제조공정의 핵심인 식각·증착·세정용 장비를 주력으로 개발하고 있다. 한국법인은 지난 1989년 설립됐다. 현재 램리서치코리아는 국내에서 용인·화성·오산 지역에 제조공장을 운영하고 있다. 특히 용인캠퍼스는 램리서치코리아의 핵심 사업 거점으로, 최근 완공됐다. 이곳에는 본사와 R&D(연구개발) 센터인 한국테크놀로지센터(KTC), 트레이닝 센터 등이 위치해 있다. 팀 아처 램리서치 회장 겸 최고경영자(CEO)는 "램리서치는 한국에 최첨단 반도체 공정 연구소를 설립한 바 있으며, 이제는 한국의 K-반도체 메가 클러스터 중심에 위치한 반도체 장비기업이 됐다"며 "이를 통해 고객사와 긴밀히 협력해 다가올 기술 혁신의 물결을 주도하는 솔루션을 개발할 것"이라고 밝혔다. 차선용 SK하이닉스 부사장은 "램리서치는 SK하이닉스와 오랫동안 미래 기술을 조기 확보하기 위해 협력해 온 주요 파트너"라며 "램리서치 덕분에 빠르게 데모 장비를 평가하고 피드백을 받을 수 있었으며, 향후에도 협업을 확장시켜 나가길 희망한다"고 말했다. 이종명 삼성전자 부사장은 "램리서치는 2022년 KTC를 오픈해 최첨단 장비를 개발해 왔다"며 "앞으로 용인캠퍼스에서 진행될 다양한 프로젝트에 삼성전자도 함께 할 것"이라고 강조했다. ■ "향후 한국 반도체 인력 30만명 필요"…'세미버스' 솔루션 론칭 이날 램리서치는 국내에 반도체 인재 양성을 위한 '세미버스(Semiverse)' 솔루션을 론칭하기 위한 업무협약(MOU)도 체결했다. 세미버스는 AI 및 고성능 컴퓨팅 기반의 시뮬레이션을 통해 실제 반도체 제조 공정을 가상의 환경으로 옮긴 '디지털 트윈' 프로그램이다. 이를 활용하면 엔지니어는 공간의 제약 없이 현실성 있는 반도체 공정 교육을 받을 수 있다. 램리서치는 내년부터 세미버스를 국내에 시범 도입할 예정으로, 한국반도체산업협회 및 성균관대학교와 협력한다. 이후 국내 다른 대학과 연계해 세미버스 솔루션을 더 확장하겠다는 게 램리서치의 계획이다. 바히드 바헤디 램리서치 수석 부사장 겸 최고기술책임자(CTO)는 "한국의 경우 오는 2031년 반도체 인력이 약 30만4천명이 필요해, 양질의 인재 양성에 선제적으로 나서야 한다"며 "이를 위해 램리서치는 산·학·정 협력을 통해 차세대 반도체 인재 교육을 추진할 것"이라고 밝혔다. 박상욱 램리서치 전무는 "주요 고객사들도 엔지니어의 칩 디자인 설계 교육을 위해 램리서치의 소프트웨어 패키지를 활용하고 있다"며 "실제 제조 환경에서 10년이나 걸릴 수 있는 교육을 가상 환경을 통해 2~3년으로 단축할 수 있다는 점이 강점"이라고 설명했다. 최재봉 성균관대학교 부총장은 "이번 MOU로 성균관대 반도체 전공 학생들의 교육 환경이 크게 개선될 것으로 기대된다"며 "특히 세미버스 솔루션은 그간 부족했던 반도체 설계 현장의 실습 경험을 제공할 것"이라고 말했다.

2024.10.08 13:53장경윤

메모리 사이클 둔화...삼성전자 3분기 영업익 전망치 하회할 듯

삼성전자 3분기 실적이 증권가 전망치 보다 하회해 매출 80조원대, 영업이익 10~11조원대를 기록할 전망이다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고 메모리 사이클 둔화, 하반기 플래그십 스마트폰 판매 부진 등이 요인으로 분석된다. 삼성전자는 오는 8일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 6일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 3분기 매출 81조3천88억원, 영업이익은 11조379억원을 기록하며 전년 보다 각각 20.6%, 353% 증가할 전망이다. 하지만 최근 증권가에서는 삼성전자 실적 기대치를 계속 낮추고 있다. 지난 4일 IBK투자증권은 3분기 매출액 전망치를 기존 82조9천520억원에서 80조3천470억원으로, 영업이익은 13조1천480억원에서 10조1천580억원으로 각각 하향 조정했다. 앞서 지난 2일 신한투자증권은 3분기 매출액 81조원, 영업이익은 10조2천억원으로 기존 전망치 보다 낮췄다. 삼성전자는 2022년 4분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 이후, 메모리 업황 개선으로 지난 2분기 7개 분기 만에 10조원대로 회복한 바 있다. 당시 기대치를 크게 웃도는 어닝 서프라이즈였기에 이번 3분기에도 증권가의 기대감이 컸지만, 최근 범용 메모리 출히량 부진과 가격 하락에 따라 전망치를 조정했다. ■ 레거시 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조4천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원)와 비교해서 16% 감소할 전망이다. 메모리를 제외한 시스템반도체, 파운드리 사업은 적자가 지속되고 있다. 증권가에 따르면 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 4조4억원, 낸드 1조5천억원을 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원으로 추정된다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 실제로 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. 박유학 키움증권 연구원은 “높아진 고객 재고로 인해 3분기 메모리 출하량이 전분기 대비 D램 2%, 낸드 5% 감소가 예상되지만, 전체 가격상승이 이를 상쇄하며 실적 성장을 견인할 것으로 보인다”며 “D램 평균가격이 전분기 대비 8%, 낸드 3% 각각 증가했다”고 밝혔다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈의 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다.

2024.10.06 09:00이나리

삼성전자, 엔비디아향 HBM3E 공급 '칠전팔기'…평택서 실사 마무리

삼성전자와 엔비디아가 최근 진행된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 관련 실사(Audit)를 차질없이 마무리한 것으로 파악됐다. 제품의 양산 공급이 당초 예상보다 늦어지는 가운데, 기존 제기된 품질 문제를 해결했다는 점에서 긍정적인 평가가 나온다. 다만 이번 실사는 HBM 공급을 위한 중간 과정으로, 최종적인 퀄(품질) 테스트로 직결되는 사안은 아니다. 때문에 양사 간 HBM3E 사업 전망에 대해서는 조금 더 지켜봐야 한다는 의견도 적지 않다. 2일 업계에 따르면 엔비디아는 지난달 말 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 HBM에 대한 실사를 진행했다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "엔비디아가 최근 평택캠퍼스를 방문해 8단 HBM3E에 대한 실사를 진행했다"며 "최근 대두됐던 HBM 품질 문제는 이번 실사에서 해결이 된 것으로 가닥이 잡혔다"고 설명했다. HBM3E는 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 8단 및 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 퀄 테스트를 지속해 왔다. 당초 업계에서는 8단 제품이 8~9월 결과가 나올 것으로 예상해 왔으나, 공식적인 퀄 승인은 아직 나오지 않은 상황이다. 주로 전력(파워) 미흡이 발목을 잡은 것으로 알려졌다. 실사는 고객사가 제조사의 팹을 방문해 양산 라인 및 제품 등을 점검하는 행위다. 업계에서는 퀄 테스트 통과 이전에 거쳐야 하는 관례적인 수순으로 본다. 이번 실사로 삼성전자는 8단 HBM3E에 대한 내부적인 양산 준비를 차질없이 완료할 수 있을 것으로 관측된다. 다만 실사는 엔비디아향 퀄 테스트 결과와는 무관하다. 퀄 테스트에서는 HBM 자체만이 아니라 시스템반도체와 결합되는 패키징 단계에서의 수율·성능 등을 추가로 검증해야 한다. 때문에 삼성전자 HBM3E가 엔비디아의 고성능 AI 가속기인 'H200'·'B100' 등에 곧바로 대량 공급될 가능성은 현재까지 조금 더 두고 봐야한다는 분석된다. 이보다는 저가형 커스터머 칩 등 비(非) 주력 제품에 먼저 적용되는 방안이 유력하다는 게 업계 전언이다. 실제로 삼성전자는 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 H200에서 성능을 낮춘 'H20' 칩에 올해 HBM3를 공급한 바 있다. 업계 한 관계자는 "가장 최근 진행된 실사에서 HBM3E의 품질 문제를 해결한 것은 긍정적인 신호"라면서도 "본격적인 양산 공급을 위한 최종 퀄 테스트 통과는 지속 연기돼 온 만큼, 실제 영향은 조금 더 지켜봐야 한다"고 설명했다.

2024.10.02 15:13장경윤

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다. 아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 엔비디아 'H200'을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다. 이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM*'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였다. MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다. 한편, SK하이닉스는 이번 행사를 'AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리'라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

2024.09.26 15:57이나리

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