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'램'통합검색 결과 입니다. (334건)

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DDR5 '가격 프리미엄' 확대…삼성·SK, 최선단 공정 전환 속도

올 하반기 범용 D램 시장이 수요 부진, 경쟁 심화 등으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 다만 국내 기업이 주력하는 DDR5는 레거시 제품 대비 견조한 수익성을 유지하고 있는 것으로 나타났다. 29일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "중국을 비롯한 여러 시장의 PC 교체 수요가 부진했고, 공급사들도 재고 수준을 낮추기 위한 움직임에 나서며 D램 가격의 하락세가 당초 예상 대비 심화됐다"고 설명했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 제조업체의 매출 비중이 높은 DDR5 시장이 비교적 안정적인 흐름을 보였다는 점은 고무적이다. 같은 기간 8GB DDR5 모듈 가격은 25.5달러로, 전월 대비 5.56% 감소했다. 이에 따라 이달 DDR5 모듈의 DDR4 대비 가격 프리미엄은 38% 수준으로, 3분기 기록인 29% 대비 확대됐다. 반도체 업계 관계자는 "PC용 DDR4 제품은 구형이기 때문에 업그레이드용으로만 수요가 있다. 실제 수요나 거래 비중이 높은 제품은 DDR5"라며 "국내 기업들에게 미치는 영향도 DDR5를 중심으로 봐야 한다"고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a(4세대 10나노급), 1b(5세대) 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. SK하이닉스도 중국 우시 소재의 D램 양산라인을 기존 1z(3세대)에서 1a D램으로 전환하고 있다. 이들 첨단 D램은 대부분 DDR5로 양산된다. 이들 기업이 DDR5의 비중을 확대하는 이유는 수익성에 있다. DDR4의 경우 성숙 공정에 해당돼 부가가치가 낮고, 중국 CXMT 등 후발주자들의 급격한 생산능력 확대로 시장성이 크게 감소하는 추세다. 한편 소비자용 SLC(싱글레벨셀), MLC(멀티레벨셀) 낸드 범용제품의 가격도 하락세가 지속되고 있다. 메모리카드, USB용 128Gb 16Gx8 MLC 낸드 평균 가격은 이달 2.16달러로 전월 대비 29.8% 감소했다.

2024.11.29 15:12장경윤

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

韓 반도체 경쟁력은 결국 'R&D'…"주 52시간 규제 예외 둬야" 한목소리

고용노동부와 반도체 업계 주요 인사들이 국내 반도체 경쟁력의 초격차 유지를 위한 방안을 논의했다. 각 전문가들은 첨단 반도체 기술의 발빠른 확보를 위해 '최대 노동시간 52시간 예외 적용' 등 근로시간의 유연화가 필요하다는 데 뜻을 모았다. 28일 삼성전자 평택캠퍼스에서는 '반도체산업 초격차 확보를 위한 협회 초청 간담회'가 개최됐다. 이번 행사는 반도체 업종의 근로시간 유연화 필요성을 논의하고자 마련됐다. 김문수 고용노동부장관, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 제임스 김 주한미국상의 회장과 남석우 삼성전자 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 등 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 남석우 삼성전자 사장은 "급변하는 글로벌 시장 환경과 각국의 치열한 경쟁 속에서 우리는 새로운 도전에 직면해 있다"며 "국내 반도체 산업의 위기를 극복하고 글로벌 반도체 시장에서 주도권을 유지하기 위해 이 자리가 유의미한 시간이 됐으면 한다"고 밝혔다. 앞서 국민의힘은 지난 11일 반도체특별법을 발의하면서, 근로소득이 일정 수준 이상인 연구개발직이 최대 노동시간 52시간을 적용받지 않도록 하는 조항을 포함한 바 있다. 다만 해당 조항은 여야 합의 불발로 최근 국회 본회의 처리가 무산됐다. 김문수 고용노동부 장관은 이와 관련해 "반도체 연구개발자에 대한 세제혜택 건강보험 등 보상을 마련해서 합의를 이뤄낸다면 대한민국 반도체가 활로를 찾을 수 있을 것"이라며 "근로시간 연장에 대해서는 고용노동부가 최대한 지원하도록 할 것"이라고 밝혔다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장 역시 "국내 반도체 업계가 미국과 일본 등을 추격할 수 있었던 핵심 요소는 '스피드'였으나, 과연 우리가 지금도 이러한 장점을 가지고 있는지 우려된다"며 "국내 반도체 생태계가 첨단 기술 개발을 가속화할 수 있게 인력 확보 및 근로시간 유연성 문제에 대해 더 생산적인 논의가 이뤄졌으면 한다"고 말했다. 김희성 강원대학교 법학전문대학원 교수는 "반도체 기술개발은 마지막 단계에서 핵심 인력이 얼마나 시간을 집중적으로 투입하느냐에 따라 성패가 갈리는데, 현행법상에서는 6시가 되면 컴퓨터가 자동으로 다운되는 등의 문제가 발생하고 있다"며 "현재 우리나라가 글로벌 초격차 경쟁에서 뒤지는 원인 중 하나가 근로시간 문제라고 생각한다"고 강조했다. 김 교수는 이어 "지난 1953년 이래로 가져온 집단적 통일적 공장 근로를 전제로 한 근로시간 제도는 지양돼야할 것"이라며 "산업과 직종에 맞는, 그리고 근로시간이 아닌 업무의 진로 성과를 판단하는 새로운 근로시간 제도가 필요한 시점"이라고 덧붙였다.

2024.11.28 16:33장경윤

삼성전자 메모리 위기 돌파구는 '전영현 추진력'

삼성전자가 메모리사업을 전두지휘할 수장으로 전영현 부회장을 택했다. 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등 메모리 전반의 기술력이 흔들리는 가운데 전 부회장이 메모리 경쟁력을 회복할 수 있도록 '추진력'을 부여하려는 쇄신 전략이다. 삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 전영현 부회장을 삼성전자 DS부문장에서 DS부문장 겸 메모리사업부장, SAIT 원장으로 선임했다. ■ 메모리 경쟁력 회복 위한 '추진력'에 방점 삼성전자는 이번 인사로 메모리사업부의 경쟁력 회복 가속화에 집중할 전망이다. 파격적이고 새로운 인재를 등용하는 대신, 사업 전반을 빠르게 끌고 나갈 수 있는 전영현 부회장이 메모리사업부장을 총괄하게 된 대목도 여기에 있다. 현재 삼성전자 메모리사업부는 D램, 낸드 전반에서 난항을 겪고 있다. 일례로 D램 부분은 레거시 제품을 중심으로 중국 CXMT 등 후발주자들의 추격이 거세다. CXMT의 연간 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파른 성장세를 보이고 있다. 최선단 공정은 2021년 양산한 1a(4세대 10나노급)와 지난해 양산한 1b(5세대) D램부터 경쟁력이 흔들리고 있다는 지적을 받는다. 차세대 D램의 향방을 결정 지을 1c(6세대) D램도 현재로선 수율이 저조한 것으로 알려졌다. 이로 인해 삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급이 지연되는 문제를 겪고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만들기 때문에 D램의 기본적인 성능과 안정성이 갖춰져야만 HBM의 경쟁력을 갖출 수 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 전영현 부회장에게 메모리사업에 대한 전권을 맡길 것으로 관측된다. 삼성전자 출신 반도체 업계 고위 임원은 "현재로선 메모리사업부에서 공정 기술과 마케팅을 전반적으로 관리할 인물은 전영현 부회장밖에 없는 상황"이라며 "특히 메모리는 리더의 맨파워가 가장 중요한데, 전 부회장의 경우 추진력 하나는 확실한 것으로 평가받고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "전 부회장은 HBM(고대역폭메모리) 사업에서도 과감한 조직개편을 시행하는 등 인사적인 부분에도 깊게 관여하고 있다"며 "메모리 사업의 전공정, 후공정 등 모든 전권이 전영현 부회장에게 쥐어지는 추세"라고 말했다. ■ '젊은 피'가 없다…우려의 시각도 다만 삼성전자 반도체 사업부문의 중장기 미래를 책임질 새로운 인재가 발탁되지 않았다는 우려의 목소리도 제기된다. 반도체 업계 관계자는 "이번 삼성전자의 사장단 인사는 전체적으로 혁신보다는 기존 임원들을 재배치하거나 복귀시키는 방향으로 이뤄졌다"며 "메모리사업부장의 경우 전영현 부회장이 적임자로 꼽히기도 하지만, 현재로선 다른 마땅한 후보가 없다는 이야기가 삼성 안팎에서 나오고 있다"고 말했다. 한편 전영현 부회장은 지난 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램 및 낸드 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리 사업부장을 역임했다. 이후 2017년에는 삼성SDI로 자리를 옮겨 5년간 삼성SDI 대표이사 역할을 수행한 뒤, 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉됐다. 지난 5월에는 DS부문장직에 올랐다.

2024.11.27 13:59장경윤

"삼성전자, 파운드리 좋아지려면 최소 4년 필요 전망"

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업이 회복하려면 최소 4년 정도 소요될 수 있다는 전망이 나왔다. 노근창 현대차증권 센터장이 26일 양재 엘타워에서 열린 반도체산업협회 '시스템반도체 포럼'에서 이 같은 전망을 밝혔다. 노 센터장은 20년 이상의 베테랑 반도체 전문 애널리스트다. 노 센터장은 “삼성전자 파운드리 사업이 좋아지려면 최소한 4~5년은 걸릴 것 같다”며 “삼성전자가 TSMC와 유사해지려면 선택과 집중을 해야한다. 선택은 당연히 선단 공정에 주력해야 한다”고 조언했다. 증권가에 따르면 삼성전자 파운드리 사업은 지난해 2조원에 가까운 적자를 기록하고, 올해도 1조원 이상의 적자를 기록한 것으로 추정된다. 이에 파운드리 시장에서 1위 인 대만 TSMC와 점유율 격차도 더 벌어졌다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 전세계 파운드리 시장에서 TSMC 62.3%, 삼성전자 11.5% 순으로 차지했다. TSMC는 엔비디아, AMD, 애플, 퀄컴, AWS 등 고성능 반도체를 중심으로 대형 고객사를 확보한 덕분이다. 노 센터장은 “파운드리 업계에서 특정 기업(TSMC)의 점유율이 65%이란 점은, 시장으로 보기 보다는 기업으로 봐야 할 것 같다”라며 “나머지 파운드리 업체들의 성장이 주춤하더라도, TSMC 성장만 반영해도 이 시장은 매년 성장한다고 볼 수 있다”고 설명했다. 내년 전세계 파운드리 시장은 AI 반도체, HPC(고성능컴퓨팅) 반도체 수요 증가로 올해 보다 21% 성장할 전망이다. 그는 “TSMC 실적은 내년에 한번 더 레벨업 할 전망이며, 매출액의 50% 이상이 HPC향 반도체다”고 덧붙였다. AI 반도체 수요 증가는 매년 HBM(고대역폭메모리) 시장 성장을 이끌고 있다. 노 센터장은 “2026년 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 40%가 넘을 전망이다”라며 “그때는 D램, HBM 시장을 별도로 봐야 할 것 같다”고 말했다. 내년 D램 출하량에서 HBM이 차지하는 비중은 2025년 9%, 2026년 11%가 전망된다. 엔비디아에 HBM을 공급하는 SK하이닉스는 내년에도 수혜를 받을 전망이다. 노 센터장은 내년 SK하이닉스 영업이익이 증가할 것으로 내다봤다.

2024.11.26 13:46이나리

스텔란티스, 멕시코공장 확장 접나…트럼프 "관세 2000%"

다국적 자동차 회사 스텔란티스가 멕시코 공장 확장 계획을 철회할 수 있다고 밝혔다. 스텔란티스는 크라이슬러·지프·램·푸조·피아트·마세라티·시트로엥 등 브랜드를 갖고 있다. 22일(현지시각) 미국 블룸버그통신에 따르면 크리스 퓨엘 스텔란티스 최고경영자(CEO)는 전날 미국 캘리포니아 로스앤젤레스(LA) 컨벤션센터에서 열린 LA오토쇼에서 “도널드 트럼프 미국 대통령 당선인이 수입 자동차에 관세를 부과하면 멕시코에서 확장하려던 계획을 바꿀 수 있다”고 말했다. 다만 “아직 결정하지 않았다”고 덧붙였다. 스텔란티스는 멕시코 살티요에서 램 픽업트럭 공장 시설을 확장하고 있다. 인건비를 비롯한 생산비가 미국보다 더 싼 나라로 옮기는 취지다. 스텔란티스는 부진한 실적을 만회하고자 구조조정 중이다. 램 픽업트럭을 만드는 미국 미시간 공장 직원 1천100명을 해고하기로 했다. 상반기 스텔란티스 순이익은 56억 유로(약 8조원)로 지난해 같은 기간보다 48% 줄었다. 그러나 트럼프 당선인이 후보 시절 “대통령이 되면 미국 자동차 산업을 위해 멕시코산 수입차에 100%, 200%, 2000% 관세를 부과하겠다”고 공약해 스텔란티스 계획에 차질이 생긴 모양새다.

2024.11.23 12:17유혜진

최우진 SK하이닉스 부사장 "'HBM 성공, 혁신-성장 추구 덕분"

최우진 SK하이닉스 P&T(Package & Test) 담당 부사장이 HBM 시장을 선도할 수 있었던 것은 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분이라고 강조했다. 최 부사장은 HBM 경쟁력 향상을 이뤄낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 '제48회 국가생산성대회'에서 진행됐다. 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가생산성대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업 및 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 ▲HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▲소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▲제조·기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다. 최 부사장은 “지난 다운턴을 이겨내고, 세계 최고 수준의 HBM 제품을 위해 함께 헌신하고 노력해 온 회사의 모든 구성원들께 먼저 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 우리 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 밝혔다. 최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 이는 팹(Fab)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트하여 신뢰성까지 확보하는 역할이다. 특히 TSV(실리콘관통전극), MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 등 압도적인 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심이라 해도 과언이 아니다. 최 부사장은 HBM 패키징 기술 개발 및 양산을 책임지며, 회사가 HBM 1등 위상을 얻는 데 중요한 역할을 수행했다. 최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 또한 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 '어드밴스드 MR-MUF' 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다. 어드밴스드 MR-MUF에는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용됐으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다. 이러한 성공 스토리의 바탕에는 시장 변화에 촉각을 곤두세우며 선제적으로 대응해 온 그의 노력이 있었다. 최 부사장은 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 '타임 투 마켓(TTM, Time to Market)'을 꼽으며, 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다고 강조했다. 최 부사장은 “AI 시대의 반도체 산업은 급속히 변하고 있다. 시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악하여 대응하는 것은 기본이며, 무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요하다"며 "SK하이닉스가 HBM을 통해 AI 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 바로 이러한 준비 덕분”이라고 밝혔다.

2024.11.19 10:52장경윤

삼성전자, 기흥 반도체 R&D 단지 설비 반입식…"재도약 발판"

삼성전자는 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K) 설비 반입식을 개최했다고 18일 밝혔다. 기흥 R&D 단지는 내년 중순부터 본격 가동될 예정이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설중인 1만9천㎡(3만3천여 평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯한 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다. 전 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다. 삼성전자 반도체의 역사이자 미래, 다시 기흥에서… 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 반도체 성공 신화의 산실이다. 삼성전자는 반도체 사업 태동지인 기흥에 미래 기술 연구의 핵심인 NRD-K를 건설해 혁신의 전기를 마련하고, 기술력과 조직간 시너지를 극대화할 계획이다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. NRD-K, 첨단 반도체 생태계 중심으로 거듭나 기흥은 삼성전자 반도체 사업장을 중심으로 수많은 국내외 소재∙부품∙설비 회사들이 소재한 대한민국 반도체 산업의 심장과도 같은 곳이다. NRD-K 조성으로 기흥은 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 거듭날 것으로 전망되며, 삼성전자는 협력 회사와 R&D 협력을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 이날 설비 반입식에 참석한 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 어플라이드 머티어리얼즈는 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난 3분기 연구개발 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 8조8천700억원을 투자한 바 있으며, 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.

2024.11.18 13:46장경윤

두산전자 등 국내 소부장, 엔비디아 '블랙웰' 양산에 수혜 본격화

국내 소부장 기업들이 엔비디아와 주요 메모리 기업들의 AI칩 양산에 따른 대응에 분주히 나서고 있다. 두산전자의 경우 최근 AI 가속기용 부품 공급을 시작했으며, 넥스틴은 HBM용 신규 검사장비를 주요 고객사에 도입했다. 아이에스시도 내년 상반기를 목표로 HBM 검사용 부품의 상용화를 준비 중이다. 11일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품·장비 기업들은 엔비디아의 '블랙웰' 시리즈 양산에 따라 본격적인 사업 확장에 나서고 있다. 두산전자는 지난달부터 블랙웰용 CCL(동박적층판) 양산에 돌입했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나다. 수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 특히 반도체용 CCL은 기술적 난이도가 매우 높은데, 두산전자는 올해 초 블랙웰 시리즈용 CCL 단일 공급업체로 진입한 바 있다. 기존 주요 CCL 공급업체인 대만 엘리트머티리얼즈(EMC)를 제치고 얻어낸 성과다. 이후 두산전자는 지난 3분기 시제품 공급 등을 거쳐, 지난달부터 블랙웰용 CCL의 본격적인 양산을 시작했다. 업계에서는 올 4분기와 내년까지 적지 않은 매출 규모가 발생할 것으로 보고 있다. 국내 반도체 장비기업 넥스틴은 최근 주요 고객사에 HBM용 검사장비인 '크로키'를 소량 공급했다. 그동안 진행해 온 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 정식 발주를 받았다. 크로키는 적층된 D램 사이에 형성된 미세한 크기의 범프를 계측하는 데 쓰인다. 내년에도 고객사의 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산 확대에 따라 추가 수주를 논의 중인 것으로 알려졌다. 기존 8단 제품 생산라인에 검사장비를 납품하던 캠텍, 온투이노베이션 등을 대체했다는 점에서 의의가 있다. 국내 후공정 부품기업 아이에스시도 내년 상반기 HBM용 테스트 소켓을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 활용되는 부품이다. 기존 메모리 제조기업들은 HBM에 테스트 소켓을 채택하지 않았으나, D램의 적층 수 및 세대가 향상될수록 수율이 하락한다는 문제에 직면하고 있다. 이에 12단 HBM3E부터는 테스트 부품을 양산 공정에 적용하기 위한 준비에 적극 나서고 있다.

2024.11.12 11:26장경윤

SK하이닉스, '제6회 혁신특허포상' 실시…총 상금 2억원

SK하이닉스가 8일 경기도 이천 본사에서 '제6회 혁신특허포상' 시상식을 열었다고 8일 밝혔다. 이날 행사에는 수상자들과 함께 김동섭 사장(대외협력 담당), 송현종 코퍼레이트 센터 사장, 김주선 사장(AI Infra 담당) 등 주요 경영진이 참석했다. 2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다. 회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억750만원의 상금을 지급했다. SK하이닉스는 "혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다"고 강조했다. 올해 최고상인 금상의 영예는 HBM 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다. 윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다. 김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다. 은상은 오상묵·윤태식 TL(AI Infra), 강병인·박낙규·이한규 TL(P&T), 이기홍 담당·백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈·이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지·안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주·사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다. 이날 외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다. 김동섭 대외협력 사장은 “올해 6회째를 맞은 혁신특허포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정되어 사내 여러 인재들이 공로를 인정받았다”며 “앞으로도 이 제도를 지속 운영하며 구성원들의 기술혁신에 대한 동기부여를 강화할 것”이라고 말했다. 송현종 코퍼레이트 센터 사장은 “축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 “앞으로도 구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사의 기술 리더십을 더욱 높여 나갈 것”이라고 했다.

2024.11.08 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

내년 D램 비트 생산량 25% 증가…"메모리 업계 전략 잘 짜야"

용량을 기준으로 한 내년 전 세계 D램 공급량 증가율이 25%에 달할 전망이다. 중국 후발주자들의 생산량 확대, AI 산업 발전에 따른 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 주요 원인으로 지목된다. 다만 중국 기업 및 HBM용을 제외한 D램 용량 증가율은 크지 않을 것으로 보여, D램 제조업체들은 각 산업에 따라 신중한 공급 전략을 짜야 할 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 전 세계 D램 비트(bit) 생산량은 전년대비 25% 증가할 것으로 전망된다. 이는 올해 증가 예상치인 17%보다 8%p 높다. 이 같은 추세는 중국 기업들의 급격한 설비투자 확대, HBM 등 고부가 제품 수요 증가에 따른 효과다. 특히 HBM 사업에 중점을 두고 있는 SK하이닉스가 내년 비트 생산량을 가장 크게 늘릴 것으로 예상된다. 이에 따라 트렌드포스는 D램 공급업체들이 내년 D램 견조한 수익성 유지를 위해 생산량 확대에 신중히 접근해야 한다고 내다봤다. D램 가격 상승세가 올 4분기 약화되고, D램 시장의 구조가 점차 복잡해지고 있기 때문이다. 실제로 내년 전망치에서 중국 기업들을 제외하면, D램 비트 생산량 증가율은 21%로 낮아진다. HBM에 공급되는 물량까지 배제하면 증가율은 15%로 더 떨어진다. 이는 역사적 추세에서 비교적 낮은 수준에 해당된다. 이에 각 D램 제조업체들은 DDR4·LPDDR4와 같은 레거시 제품과, DDR5·LPDR5X와 같은 첨단 제품 생산에 있어 보다 면밀한 전략을 펼칠 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "내년 D램 공급이 풍부할 것으로 예상됨에 따라 가격 하락에 대한 압박이 있을 수 있다"며 "레거시 D램은 중국 기업들을 중심으로 공급이 증가할 것으로 예상되는 반면, HBM은 내년에도 공급이 촉박할 것"이라고 설명했다.

2024.11.07 10:37장경윤

SK하이닉스 "16단 HBM3E, 검증 단계서 12단과 '동등 수율' 확보"

SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과, 검증 단계에서의 16단 HBM3E 패키지 수율은 양산 단계에서의 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다. 16단 HBM3E가 실제 양산되는 경우 수율이 하락할 수는 있으나, 개발 초기부터 제품의 신뢰성을 크게 확보했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다. 5일 권종오 SK하이닉스 PL은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다. 특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다. SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다. 권 PL은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다. 권 PL은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.

2024.11.05 14:50장경윤

SK하이닉스, 커스텀 HBM 수율향상 집중…"TSMC·엔비디아 협력 필수"

"고객사가 HBM에 요구하는 불량품 검출 수는 일반 D램의 10분의 1, 20분의 1에 달할 정도로 매우 높다. 이를 만족하기 위해 SK하이닉스는 뛰어난 기술 개발력과 안정적인 양산 경험을 쌓아 왔다. 또한 커스텀 HBM은 SK하이닉스·TSMC만 잘 해선 안되기 때문에, 고객사를 포함한 3자 협업 관계가 중요하다." 5일 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 5일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 이같이 밝혔다. '새 국면에 접어든 HBM 시장에 대한 SK하이닉스의 준비 현황 및 방향'에 대해 발표한 박 부사장은 향후 HBM 시장에서 안정적인 양산이 중요하다고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 전송 통로인 입출력단자(I/O) 수를 크게 늘린 차세대 메모리다. 5세대 제품인 HBM3E까지는 I/O 수가 1024개다. 내년 양산될 HBM4에서는 I/O 수가 2배로 늘어난 2048개가 된다. 이러한 기술적 진보에서 가장 중요한 요소는 '수율'이다. 수율은 투입한 웨이퍼에서 양품이 나오는 비율이다. HBM의 경우 여러 개 D램 중 하나라도 불량이 나선 안되고, 이후 HBM과 GPU 등 시스템 반도체를 결합하는 SiP(시스템인패키지) 단의 수율도 고려해야 하기 때문에 수율 확보가 어렵다. 박 부사장은 "고객사가 요구하는 HBM 물량을 충족하기 위해선 결국 수율을 끌어올리는 것이 중요하다"며 "dppm(100만 개당 결함 부품 수)을 기준으로 하면 HBM에 요구되는 수준은 기존 D램 대비 10분의 1에서 20분의 1 정도로 매우 까다롭다"고 밝혔다. 그러면서도 박 부사장은 "SK하이닉스는 선단 D램 및 패키징 기술, 정밀한 계측, 선도적인 양산 경험을 토대로 안정적인 개발 및 양산을 진행하고 있다"며 "개발 앞단에서 문제를 최대한 빨리 잡아 내, 개발 기간을 단축하는 체계를 잘 구축한 것도 SK하이닉스의 장점"이라고 덧붙였다. 특히 HBM4에서부터는 HBM의 고객사에 맞춰 사양을 일부 변경하는 '커스텀 HBM'이 각광을 받을 것으로 전망된다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다. 박 부사장은 "커스텀 HBM 시대에서는 기존 SK하이닉스의 IP(설계자산) 외에도 고객사의 IP가 함께 쓰이게 된다"며 "이를 위해 SK하이닉스는 TSMC, 엔비디아와 공고한 '커스텀 메모리 플랫폼'을 구축하고 있다"고 밝혔다. 예를 들어 SK하이닉스는 테스트 과정을 미리 상정한 디자인 설계(DFT), 각 공정을 구분해 문제 요소를 빠르게 특정할 수 있는 시스템, 파운드리·고객사와 원팀 체제로 디자인 단부터 협업을 진행하는 구조 등을 주요 과제로 삼고 있다.

2024.11.05 13:51장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

젠슨 황 "HBM4 더 빨리 달라"…최태원 "6개월 당겨 공급"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스와의 HBM(고대역폭메모리) 분야 협력 강화를 강조했다. SK하이닉스 역시 엔비디아의 요구에 발맞춰 차세대 HBM 적기 공급에 속도를 낼 것으로 관측된다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "엔비디아의 요청에 따라 HBM4(6세대 HBM) 공급을 6개월 앞당길 수 있도록 노력해보겠다"는 뜻을 밝혔다. 이날 SK AI 서밋의 영상 인터뷰에 출연한 젠슨 황 CEO는 "머신러닝 기술 발전에 따라 메모리 대역폭을 늘리고 전력 효율성을 높이는 일이 중요해졌다"며 "이에 SK하이닉스와 협력해 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 할 수 있었고, 앞으로도 SK하이닉스의 HBM이 더 필요하다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 대역폭을 크게 확장한 메모리다. 메모리 대역폭이 확장되면 데이터를 더 많이 주고받을 수 있어, AI와 같은 방대한 양의 데이터 처리에 유리하다. SK하이닉스는 엔비디아에 최선단 HBM을 공급하고 있다. 5세대인 HBM3E까지 상용화에 성공했으며, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기 중에 양산 공급하는 것이 목표다. 당초 2026년 양산을 계획하고 있었으나, SK하이닉스는 엔비디아의 요청에 따라 개발 일정에 속도를 내고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 "젠슨 황 CEO가 HBM4의 공급 일정을 6개월 당겨달라고 요청했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 이에 대해 물어봤는데, '한 번 해보겠다'고 대답하더라"고 밝혔다. 최 회장은 이어 "당초 HBM4를 얼마나 당겨달라는 건지 젠슨 황 CEO에게 물어봤는데, 얼마나 당길 수 있는지를 반문할 정도로 의지가 상당했다"고 덧붙였다.

2024.11.04 11:04장경윤

삼성전자 'NRD-K' 라인 문 연다...이재용 '미래 반도체' 선점 시동

삼성전자의 미래 반도체 기술력을 이끌 신규 연구개발(R&D) 단지가 곧 문을 연다. 이달 최첨단 장비를 반입할 예정으로, 특히 1d D램과 V11·V12 낸드 등 차세대 메모리의 개발 가속화가 이뤄질 것으로 기대된다. 이재용 삼성전자 회장 역시 과거 이곳의 건설 현장을 둘러볼 만큼 많은 관심을 기울인 바 있다. 최근 삼성전자가 첨단 반도체 시장에서 경쟁력이 흔들리고 있다는 평가를 받고 있는 만큼, 신규 R&D 단지의 향후 운용 전략에 관심이 쏠린다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 넷째 주 기흥 'NRD-K'를 공식 오픈하고, 장비 반입을 시작할 계획이다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 최첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입하기로 했다. 이재용 삼성전자 회장도 지난해 10월 이곳 건설현장을 방문하는 등, 상당한 관심을 나타낸 바 있다. 당시 이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)용 클린룸 구축을 시작했으며, 최근 장비 반입을 위한 준비를 어느 정도 마무리했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 NRD-K 라인에 곧 클린룸 내부공사와 더불어 장비반입을 동시에 진행할 예정"이라며 "이르면 올 3분기부터 장비 반입이 진행될 예정이었으나, 일정이 다소 늦어져 삼성전자도 서두르는 분위기"라고 설명했다. 이번 NRD-K 라인 첫 오픈을 기점으로, 삼성전자는 차세대 반도체 기술력 선점을 위한 변혁에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 현재 삼성전자는 CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 실리콘 포토닉스, BSPDN(후면전력공급), 3D 적층, 칩렛 등 다양한 첨단 반도체 전공정·후공정 기술을 개발하고 있다. 특히 삼성전자의 미래 먹거리로 다가올 1d D램(7세대 10나노급 D램)과, 500단 이상의 고적층 낸드인 V11, V12 등이 NRD-K 첫 라인의 목표가 될 가능성이 높다. 실제로 해당 라인에는 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 주요 기업들의 최첨단 장비가 입고되는 것으로 알려졌다. 또 다른 관계자는 "당초 평택에서 진행돼 온 차세대 메모리 개발 건도 향후 NRD-K쪽으로 중심을 옮기게 될 것"이라고 밝혔다. 물론 NRD-K가 본격적으로 가동되는 시기는 내년으로 봐야한다. 현재 NRD-K는 건축법 상 절차가 남아있어, 임시사용승인만을 받은 상태다.

2024.11.03 08:49장경윤

삼성 HBM '유의미한 진전'의 속뜻…엔비디아 공략 '투 트랙' 가동

삼성전자가 엔비디아에 HBM(고대역폭메모리)을 공급하기 위한 방안으로 '투 트랙' 전략을 구사한다. HBM3E 8단 제품의 경우 소량이라도 빠르게 공급하는 한편, 12단 제품은 경쟁력을 더 높여 내년 재진입을 시도하기로 했다. 1일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 엔비디아향 HBM3E 8단 제품 공급을 확정하기 위한 준비에 나서고 있다. HBM3E 8단 공략 속도전…관건은 '공급 규모' 앞서 삼성전자는 지난달 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 밝힌 바 있다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 해당 발언은 HBM3E 8단 제품을 엔비디아의 AI칩 '호퍼(Hopper) 시리즈'에 공급하는 건과 관련돼 있다. 삼성전자는 지난 9월 평택에서 엔비디아와 HBM3E 8단에 대한 실사(Audit)를 마무리하는 등, 사업 진출을 지속 추진해 왔다. 다만 실제 수주를 위해서는 HBM 자체에 대한 사용 승인 뿐만이 아니라 GPU 등 시스템반도체와 연결하는 패키징 단에서의 퀄(품질) 등도 전부 거쳐야 한다. 삼성전자는 해당 공급 건에서 '조건부' 승인을 단 것으로 파악됐다. 양산을 위한 최종 퀄 테스트의 통과를 전제로, 제품을 소량 납품하는 게 주 골자다. 삼성전자 내부에서는 최종 퀄을 이르면 이달 마무리짓는 것을 목표로 잡았다. 중요한 변수는 공급 물량이다. 엔비디아 수주가 조건부로 이뤄지는 점, 적용처가 엔비디아의 최신 AI칩(그레이스 시리즈)이 아닌 점 등을 고려하면, 실제 공급 규모는 일반적인 양산에는 미치지 못할 것이라는 게 업계 중론이다. 또한 삼성전자 HBM3E 8단은 타 경쟁사 대비 전력소모량 측면에서 성능이 뒤쳐진다는 평가를 받고 있다. 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 '양산 공급', '퀄 승인' 등 명확한 용어를 사용하지 못한 배경에도 이러한 요인들이 작용한 것으로 풀이된다. 개선 제품은 HBM3E 12단에 초점…투트랙 전략 물론 삼성전자가 엔비디아향 HBM 공략에 있어 진전을 이뤘다는 점에서는 의미가 있다. 또한 삼성전자는 HBM3E 12단에 대해, '개선 제품'을 만들어 엔비디아 공급망에 대한 재진입을 노릴 계획이다. 삼성전자는 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 삼서전자의 HBM3E 제품은 5세대 10나노급 1a D램을 채용하고 있다. SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사는 이보다 한 세대 진보된 1b D램을 채택한다. HBM이 D램을 기반으로 제작되는 만큼, D램 자체의 성능도 HBM에 큰 영향을 미친다. 이에 삼성전자는 1a D램의 일부 회로를 재설계하고, 이를 기반으로 HBM3E 12단 개선 제품을 만들 계획이다. 엔비디아의 퀄을 받는 시기는 내년 2분기 중을 목표로 두고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 소량으로라도 엔비디아에 HBM3E 8단 공급을 시작하고, 12단은 내년 2분기 중에 재진입을 시도하는 투 트랙 전략을 구상하고 있다"며 "삼성전자가 올 4분기 HBM3E 비중을 50%까지 공격적으로 늘리겠다고 발표한 만큼, AMD 및 엔비디아 관련 공급 현황을 면밀히 봐야할 것"이라고 설명했다.

2024.11.01 11:38장경윤

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

삼성전자, HBM3E 개선품 만든다…엔비디아 공략 승부수

삼성전자는 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 해당 발언은 삼성전자가 HBM 공급을 지속 추진 중인 엔비디아를 겨냥한 것으로 분석된다. 당초 삼성전자는 HBM3E 제품을 올 3분기부터 엔비디아에 공급하는 것을 목표로 잡았으나, 현재까지 공식적으로 퀄(품질) 테스트 통과는 이뤄지지 않았다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b D램(5세대 10나노급)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만들기 때문에 D램의 성능이 중요하다. 이에 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 1a(4 세대 10나노급 D램) D램의 일부 회로를 재설계(Revision)해 성능을 높이는 방안을 논의해 왔다. 기존 범용 D램은 그대로 생산하되, 특정 고객사용 HBM을 타겟으로 제품을 만드는 '투 트랙' 전략이 유력하게 거론돼 왔다. 실제로 삼성전자는 이번 컨퍼런스콜을 통해 HBM3E의 개선 제품을 만들겠다고 공언했다. 일정이 차질없이 진행되는 경우, 개선 제품의 개발은 이르면 내년 2분기 양산 준비에 들어갈 전망이다. 삼성전자는 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제량으로 공급을 확대할 것"이라며 "이와 병행해 개선 제품은 신규 과제량으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 올 4분기 HBM 사업 전망에 대해서는 "HBM3E가 전체 HBM에서 차지하는 비중은 50%로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "HBM3E가 예상 대비 주요 고객사향 사업화가 지연됐으나, 현재 퀄 테스트 과정 상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 설명했다.

2024.10.31 12:17장경윤

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