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삼성전자 "HBM4 샘플 이미 출하…내년 수요에 적기 대응"

31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4 제품은 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다"며 "내년 HBM4 수요가 본격 확대되는 추세에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자는 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4를 개발해 왔다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 앞선 D램을 채용해 성능 경쟁력 확보를 추진하고 있다. 삼성전자는 "당사 HBM4는 베이스다이에 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해, HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"고 설명했다. 1c D램의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 진행 중이다. 삼성전자는 올 상반기부터 평택 및 화성캠퍼스에서 1c D램용 양산라인을 구축하고 있다. 올해만 최소 월 7~8만장 규모의 생산능력 확보가 기대된다. 한편 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 판매 확대도 계획하고 있다. 삼성전자는 "올 2분기 HBM 출하량이 전분기 대비 30% 증가했고, 전체 HBM 수량에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80%까지 확대됐다"며 "추가적으로 수요를 지속 확보하고 있어 올 하반기 HBM3E 판매 비중은 90%를 상회할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 11:29장경윤 기자

하반기 반등 노리는 삼성전자…"HBM·2나노 공정 적극 대응"

삼성전자가 올 2분기 수익성이 부진한 성적표를 내놨다. 주력 사업인 반도체 메모리 재고자산 평가 충당금과 대중 제재 영향에 따른 비메모리 재고 충당 발생한 탓이다. 스마트폰 신모델 출시 효과 감소와 부정적 환율 등도 영향을 미쳤다. 다만 올 하반기에는 AI·로봇 산업 확대로 IT 시황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 맞춰 삼성전자는 HBM 등 AI 서버용 메모리 판매 확대, 2나노 공정 기반의 모바일 AP(애플리케이션프로세서) 양산 등을 본격 추진할 계획이다. 삼성전자는 올 2분기 연결 기준으로 매출 74조6천억원, 영업이익 4조7천억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 0.67% 증가했으나, 전분기 대비 5.78% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 55.23%, 전분기 대비 30.05% 감소했다. 반도체 부진 속 MX 수익성 '견조' 사업별로는 반도체를 담당하는 DS부문 매출이 27조9천억원, 영업이익 4천억원으로 집계됐다. 메모리는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)와 고용량 DDR5 제품 판매 비중 확대를 통해 서버 수요에 적극 대응했으며, 데이터센터용 SSD 판매도 증가했다. 그러나 재고 자산 평가 충당금 등 일회성 비용이 반영되면서 실적이 하락했다. 시스템 LSI는 주요 플래그십 모델에 GAA(게이트올어라운드) 공정을 적용한 SoC(시스템온칩)를 공급하며 견조한 매출을 달성했으나, 첨단제품 개발 비용 상승으로 수익성 개선은 제한적이었다. 파운드리는 전분기 대비 큰 폭의 매출 개선을 이뤘으나, 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재 영향으로 재고 충당금이 발생했다. 또한 성숙(Mature) 공정 라인의 가동률 저하가 지속되면서 부진한 실적을 거뒀다. DX(디바이스경험)부문 매출은 43조6천억원, 영업이익 3조3천억원이다. MX(모바일경험)는 신모델이 출시된 1분기 대비 판매량은 감소했으나, 플래그십 스마트폰의 견조한 판매가 지속되면서 전년 동기 대비 매출과 영업이익이 모두 성장했다. 또한 리소스 효율화를 통해 견조한 두 자리 수익성을 유지했다. 네트워크는 해외 시장에서의 매출 증가와 리소스 효율화로 전분기 및 전년 동기 대비 수익성이 개선됐다. VD(영상디스플레이)는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 전략 제품의 판매 비중이 확대됐으나, 글로벌 경쟁 심화로 실적이 하락했다. 생활가전은 성수기에 진입한 에어컨 판매 호조와 고부가가치 AI 가전 제품 판매 확대에 힘입어 수익성이 개선됐다. 하만은 매출 3조8천억원, 영업이익 5천억원을 기록했다. 오디오 판매 호조와 전장 사업의 비용 효율화로 수익성이 개선됐다. 디스플레이(SDC)는 매출 6조4천억원, 영업이익 5천억원으로 집계됐다. 스마트폰 신제품 수요와 IT·자동차에 공급되는 중소형 패널 판매 확대로 전분기 대비 매출이 개선됐다. 대형은 게이밍 시장 중심으로 고성능 QD-OLED 모니터용 디스플레이 판매가 확대됐다. "하반기 IT 시황 개선…AI용 메모리 대응, 2나노 공정 양산 본격화" 삼성전자는 올 하반기 전망에 대해 "글로벌 무역환경의 불확실성과 지정학적 리스크 등으로 전세계적인 성장 둔화가 우려된다"면서도 "AI와 로봇 산업을 중심으로 성장세가 확산되며 IT 시황도 점차 개선될 것으로 전망된다"고 밝혔다. 먼저 DS부문은 HBM, 고용량 DDR5, LPDDR5x, 24Gb GDDR7 등으로 AI 서버용 제품 수요 강세에 적극 대응할 계획이다. 낸드는 8세대 V낸드 전환을 가속화하면서 서버 수요에 대응해 고용량, 고성능 SSD 판매를 확대할 방침이다. 시스템LSI는 내년도 플래그십 라인업 진입을 목표로 엑시노스의 경쟁력 강화에 집중하고, 이미지센서는 초고화소·저조도 화질 개선 기술인 나노프리즘을 적용한 신제품 판매 확대에 나설 계획이다. 파운드리는 GAA 2나노 공정을 적용한 모바일 신제품 양산을 본격화하고 주요 거래선 판매 확대를 통해 가동률 향상과 수익성 개선을 추진할 예정이다. DX부문은 MX는 갤럭시 Z 폴드7·Z 플립7 등 폴더블 신제품과 갤럭시 S25 시리즈 등 플래그십 중심으로 판매를 지속하고, AI가 강화된 A시리즈 신제품 출시를 통해 스마트폰 시장 점유율 확대를 추진할 방침이다. 태블릿과 웨어러블 제품은 AI 기능 강화에 집중하고, XR(확장현실) 헤드셋과 트라이폴드(Trifold) 등 혁신 제품들을 연내 출시해 갤럭시 생태계를 확장해 나갈 계획이다. 네트워크는 신규 사업 수주와 비용 효율화를 통해 사업 경쟁력 회복을 지속 추진해 나갈 방침이다. VD는 시청 경험이 향상된 AI TV 라인업으로 성수기 수요에 조기 대응해 매출 성장을 추진할 예정이다. 생활가전은 AI가전 판매 확대와 함께 냉난방공조 등 고부가가치 제품 중심으로 사업구조를 개선하는 동시에 공급지 최적화 등을 통해 관세 영향을 최소화할 계획이다. 하만은 관세 영향에 따른 불확실성이 존재하나 소비자용 오디오 제품 판매 확대와 전장 매출 증대를 통해 성장세를 유지해 나갈 계획이다. 디스플레이는 시장의 불확실성이 여전히 존재하지만, 중소형 부문은 주요 고객사의 신제품 출시로 판매 확대가 기대된다. 대형은 안정적인 TV 패널 공급과 모니터 라인업을 보강해 QD-OLED 확대를 가속화할 방침이다.

2025.07.31 09:32장경윤 기자

"엔비디아, TSMC에 'H20' 30만개 주문"…HBM3E 수요 촉진 기대

엔비디아가 중국향 AI 반도체 'H20'의 생산량을 확대할 것으로 관측된다. 이에 따라 H20에 탑재되는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품의 수요도 당초 예상보다 늘어날 것으로 기대된다. 29일 로이터통신은 엔비디아가 파운드리 협력사 TSMC에 H20 반도체를 30만개 가량 추가 주문했다고 보도했다. H20은 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 제작한 맞춤형 AI 반도체다. 주력 제품 대비 컴퓨팅 성능을 크게 낮춘 것이 특징이다. 다만 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아의 계획에도 차질이 생겼다. 그러나 트럼프 행정부는 이달 중순 엔비디아의 중국향 H20 수출 재개를 허락했다. 당시 엔비디아는 회사 공식 블로그를 통해 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 밝힌 바 있다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 내 강력한 수요로 인해 엔비디아가 기존 재고에만 의존하지 않기로 결정을 바꾸면서, TSMC에 H20을 30만개 주문했다"며 "기존 H20 재고인 60만~70만개에 추가될 예정"이라고 밝혔다. 업계에서는 엔비디아가 H20 공급량을 늘리기 어렵다는 의견도 제기돼 왔다. 엔비디아가 수출 규제에 따라 당초 TSMC에 의뢰했던 물량을 취소했기 때문이다. 생산 재개를 위해서는 최소 9개월이 걸릴 것으로 알려졌다. 그럼에도 엔비디아가 H20 공급량 확대에 나서면서, HBM 수요 확대에도 긍정적인 영향이 예상된다. 실제로 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 추가 생산을 검토해온 것으로 파악된다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 상황이다.

2025.07.29 13:41장경윤 기자

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤 기자

SK하이닉스, 올 하반기 차세대 '1c D램' 전환투자 개시

SK하이닉스가 차세대 D램에 대한 전환투자를 올 하반기부터 시작해 내년 본격화할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 2분기 실적발표를 통해 1c(6세대 10나노급) D램의 전환투자를 올 하반기부터 진행한다고 밝혔다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램인 1b D램의 차세대 제품이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝힌 바 있다. 당시 SK하이닉스는 "이미 입증된 1b D램 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며 “2024년 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 다만 SK하이닉스의 이 같은 계획은 당초 예상 대비 지연돼 왔다. SK하이닉스가 올해 출시를 목표로 한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에서도 이전 세대와 같은 1b D램 채용을 유지하는 등 1c D램에 대한 수요가 크지 않았기 때문이다. 그러나 올 하반기부터는 1c D램의 양산 준비가 구체화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 10:04장경윤 기자

SK하이닉스, SoCAMM 연내 공급 개시…AI 메모리 공략 가속화

SK하이닉스가 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 매진하고 있다. 서버용 저전력 D램 모듈로 각광받는 소캠(SoCAMM)의 연내 공급을 시작하고, 최신형 그래픽 D램의 용량도 늘릴 계획이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 나아가 회사는 AI 메모리 시장 공략을 가속화하기 위한 신제품을 지속 출시할 예정이다. SK하이닉스는 "서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb 제품도 준비할 것"이라며 "이같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망"이라고 밝혔다. 서버용 LPDDR 기반 모듈은 SoCAMM을 뜻하는 것으로 알려졌다. SoCAMM은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였다. 특히 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 크게 늘어나 고성능 컴퓨팅 분야에 적합하다.

2025.07.24 08:57장경윤 기자

"HBM3E 12단 본격 확대"…SK하이닉스, 2분기 역대 최대 매출·영업익 달성

SK하이닉스가 올 2분기 매출·영업이익 모두 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 증권가 예상 역시 상회했다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 AI 메모리 판매가 본격적으로 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. 증권가 컨센서스(영업이익 9조원) 또한 상회했다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 회사는 이어 “D램은 HBM3E 12단 판매를 본격 확대했고, 낸드는 전 응용처에서 판매가 늘어났다”며 “업계 최고 수준의 AI 메모리 경쟁력과 수익성 중심 경영을 바탕으로 좋은 실적 흐름을 이어왔다”고 덧붙였다. 이 같은 호실적으로 2분기 말 현금성 자산은 17조원으로 전분기 대비 2조7천억원 늘었다. 차입금 비율은 25%, 순차입금 비율은 6%를 기록했으며, 순차입금은 1분기 말보다 4조1천억원이나 크게 줄었다. SK하이닉스는 고객들이 2분기 중 메모리 구매를 늘리면서 세트 완제품 생산도 함께 증가시켜 재고 수준이 안정적으로 유지됐고, 하반기에는 고객들의 신제품 출시도 앞두고 있어 메모리 수요 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. AI 모델 추론 기능 강화를 위한 빅테크 기업들의 경쟁도 고성능, 고용량 메모리 수요를 더욱 확대할 것으로 전망했다. 아울러 각국의 소버린 AI 구축 투자가 장기적으로 메모리 수요 증가의 새로운 성장 동력이 될 것으로 예측했다. 이에 회사는 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로 HBM을 전년 대비 약 2배로 성장시켜 안정적인 실적을 창출한다는 방침이다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 더불어 서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb(기가비트) 제품도 준비할 계획이다. 이 같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망이다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조와 수익성 중심 운영을 이어가며 향후 시장 상황 개선에 대비한 제품 개발도 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장(Corporate Center)은 “내년 수요 가시성이 확보된 HBM 등 주요 제품의 원활한 공급을 위해 올해 일부 선제적인 투자를 집행하겠다”며 “AI 생태계가 요구하는 최고 품질과 성능의 제품을 적시 출시해 고객 만족과 시장 성장을 동시에 이끌어 나가는 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'로 성장하겠다”고 말했다.

2025.07.24 08:49장경윤 기자

삼성전자, 'HBM4E 16단'서 하이브리드 본딩 도입 검토…샘플 평가 中

삼성전자가 이르면 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 16단부터 하이브리드 본딩 기술을 적용하겠다는 계획을 밝혔다. 이를 위해 샘플 테스트를 진행 중인 상황으로, 사업성과 투자 비용 등이 상용화의 주요 관건이 될 것으로 관측된다. 김대우 삼성전자 상무는 22일 '2025 상용반도체개발 기술워크숍'에서 차세대 반도체를 위한 패키징 기술 로드맵에 대해 소개했다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 기존 HBM 제조에는 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 사용됐다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 각 D램을 더 얇게 갈아내거나, D램 사이를 좁히는 대응법도 한계가 있다는 분석이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 다만 하이브리드 본딩은 높은 기술적 난이도, 기존 TC본딩에서의 전환 투자에 따른 비용 상승 압박 등을 이유로 도입 시점이 불투명했다. 삼성전자 역시 하이브리드 본딩의 구체적인 도입 시점을 확정하지 않고 상당한 고심을 거듭하고 있는 것으로 알려졌다. 이날 공개된 로드맵에 따르면, 삼성전자는 이르면 HBM4E(7세대)부터 하이브리드 본딩을 도입할 계획이다. 이를 위해 삼성전자는 하이브리드 본딩 기반의 16단 HBM 샘플을 개발해 평가를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 김 상무는 "HBM이 16단 적층만 돼도 발열을 잡기가 어려워, 여기에서부터 하이브리드 본딩을 조금씩 써보려는 준비를 하고 있다"며 "HBM4E에서 하이브리드 본딩이 상용화될 지는 시장적인 부분과 투자비 등을 생각해야 된다"고 설명했다. 차후 수요가 증가할 것으로 예상되는 커스텀(맞춤형) HBM 사업도 준비하고 있다. 현재 구글, 엔비디아, AMD 등 복수의 글로벌 빅테크 기업들은 자신들의 AI 반도체에 특화된 성능을 갖춘 HBM을 요구하고 있다. 김 상무는 "커스텀 HBM에 대한 문의가 많이 오고 있어, 베이스 다이에 연산 기능을 집어넣는 등 삼성전자만의 특별한 커스텀 HBM을 만들기 위한 준비를 하고 있다"고 말했다.

2025.07.22 14:55장경윤 기자

SK하이닉스, 엔비디아 H20향 'HBM3E' 대응 분주…추가 생산 검토

SK하이닉스가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 출하량을 당초 예상 대비 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 최근 엔비디아의 중국향 AI 반도체 'H20'에 가해진 수출 규제가 해제된 덕분이다. H20은 당초 HBM3를 활용했으나, 올해부터 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품을 주력으로 탑재한다. 이에 SK하이닉스는 우선 올 3분기까지 H20향 HBM3E 8단 양산을 진행할 계획이다. 나아가 추가적인 수요가 발생할 가능성을 고려해, 해당 HBM 생산량 확대를 위한 소재·부품 발주를 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 생산을 당초 예상보다 확대하는 방안을 논의 중이다. 앞서 엔비디아는 지난 15일 공식 블로그를 통해 중국 시장에 H20 GPU 판매를 재개할 계획이라고 밝혔다. 당시 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 설명했다. H20은 엔비디아의 기존 주력 제품에서 성능을 하향 조정한 AI 가속기다. 미국의 대중(對中) AI 반도체 수출 규제를 우회하기 위해 출시됐다. 그러나 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아는 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원) 수준의 비용이 발생할 것으로 예상돼 왔다. 이번 미국 정부의 결정으로 H20 수출길이 다시 열리면서, SK하이닉스도 HBM3E 8단 사업 매출을 확대될 수 있는 기회를 잡게 됐다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 올해 1분기부터 H20용 HBM3E 8단 공급을 시작해, 3분기까지 제품을 지속 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 나아가 올 4분기 혹은 내년에도 제품을 추가 양산하는 방안을 내부적으로 논의하고 있다. 이를 위한 관련 소재·부품의 추가 주문 계획을 구체화하는 중이다. 중국이 H20 등 엔비디아 AI칩 수급에 적극 나서고 있는 분위기를 고려한 전략으로 풀이된다. 실제로 엔비디아가 중국향 AI 반도체 공급량을 늘리는 경우, HBME 8단의 양산 비중은 당초 예상 대비 확대될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 하반기 HBM3E 생산 비중에서 12단 제품을 80%, 8단 제품을 20% 수준으로 계획해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 H20의 중국 수출 재개 움직임과 맞물려 HBM3E 8단 양산을 확대하는 분위기"라며 "추가 수요에 대비해 관련 소재·부품을 확보하는 방안을 논의하고 있다"고 설명했다. 변수는 엔비디아의 공급망 대책이다. 엔비디아는 H20 수출 규제 당시 TSMC에 위탁했던 양산을 취소했으며, 해당 양산 라인은 타 고객사에 할당된 것으로 알려졌다. H20을 다시 양산하기 위해선 9개월의 시간이 필요하다. 결과적으로, H20 양산에 대한 병목현상을 해결해야만 사업 확대가 가능할 전망이다. 최근 미국 IT매체 디인포메이션은 소식통을 인용해 "성능이 높아진 엔비디아 H20은 주로 SK하이닉스의 HBM을 탑재하고 있으나, 이번 주 SK하이닉스가 엔비디아에 H20용 추가 메모리 공급 여력이 제한적일 것이라고 통보했다"며 "엔비디아는 최근 몇 주간 중국 내 주요 고객들과 접촉해 H20 및 블랙웰 칩에 대한 수요 및 반응을 파악하고 있다"고 보도했다.

2025.07.21 10:53장경윤 기자

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤 기자

삼성전자 "D램, 3D 시대 온다…핀펫 기술 적용 가속"

“BCAT 기반 기존 D램은 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 미만에서 한계에 달할 것으로 전망됩니다.” 오정훈 삼성전자 마스터는 15일 소노캄 여수에서 진행 중인 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 이같이 전망했다. BCAT(Buried Channel Array Transistor)은 메모리 셀의 누설 전류를 줄이기 위해 개발된 트랜지스터 구조다. 채널 길이를 줄여 D램 셀의 크기를 줄이고 집적도를 높인다. 10나노 이하의 극미세 공정에서는 트랜지스터 크기를 줄여도 소자 간 간격이 좁아져 소자 간 연결을 위한 메탈의 저항이 커지고, 발열 문제가 발생할 수 있다. 오 마스터는 “셀 트랜지스터 공간을 다른 형태로 확장해서 써야한다”며 3D D램을 대안으로 제시했다. 3D D램은 메로리를 수직으로 쌓은 제품이다. 기존 D램은 셀이 수평으로 배치됐다. 기존 D램 대비 더 많은 셀을 집적할 수 있기 때문에 용량을 늘리고, 성능도 상승한다. 삼성전자는 3D D램 구현에 핀펫(FinFET) 공정을 적용한다. 핀펫은 반도체 소자의 성능 향상을 위해 개발된 3차원 구조 공정 기술이다. 평면(2D) 구조 한계를 극복하고 채널을 3면으로 둘러싼 게이트를 통해 전류 흐름을 효과적으로 제어한다. 과거 주로 파운드리(반도체 위탁생산)에 활용되던 기술이다. 오 마스터는 “컨벤셔널 D램에서도 핀펫을 전 제품에 쓰는 시대가 찾아올 것”이라고 말했다. 그러면서 “핀펫이 적용된 칩이 언젠가는 나오겠지만 시점에 대해서는 언급할 수 없다”며 “열심히 개발하고 있는 단계”라고 전했다. 다만 핀펫 공정은 페리 트랜지스터에만 적용된다. 페리는 D램에서 셀 주변의 회로를 제어하는 트랜지스터다. 4F스퀘어 적용 여부에 대해서는 발표하지 않았다. 4F스퀘어는 현재 시장 주류 기술인 6F 스퀘어에서 셀 면적을 더 줄인 구조로, 집적도를 높일 수 있는 차세대 기술로 평가받는다. 그러나 삼성전자가 4F스퀘어를 기반으로 D램 구조를 바꾼 뒤, 3D D램을 개발한다는 점을 고려하면 4F스퀘어부터 핀펫 공정이 적용될 가능성이 크다. 그는 파운드리 기술이 메모리 공정으로 적용이 가속화되는 상황이냐는 질문에 “그렇다”고 긍정했다.

2025.07.15 16:14전화평 기자

곽동신 한미반도체 회장 "HBM4·5도 TC본더로 간다…하이브리드 본더 더 비싸"

한미반도체는 곽동신 회장이 하이브리드 본더 체제로 전환을 검토한다는 일각의 견해를 일축했다고 15일 밝혔다. 곽 회장은 "HBM4, HBM5 생산에서 하이브리드 본더 도입은 우도할계(牛刀割鷄)"라고 강조했다. 우도할계는 '소 잡는 칼로 닭을 잡는다'는 뜻으로, 작은 일에 어울리지 않게 큰 도구를 쓴다는 의미다. 곽 회장은 “하이브리드 본더는 대당 100억원 이상으로 TC 본더의 2배가 넘는 고가 장비”라며 “JEDEC에서 지난 4월 AI 패키징 두께 기준을 775μm로 완화하면서 HBM4와 HBM5 모두 한미반도체 TC 본더로 제조가 가능해 고객들이 가격이 두배가 넘는 하이브리드 본더를 선택하지 않을 것으로 본다”고 언급했다. 곽 회장은 또 “한미반도체는 전세계 HBM TC 본더 시장점유율 1위로 2024년부터 현재까지 엔비디아향 HBM3E용 시장에서 90% 점유율을 차지하고 있다"며 "2027년 말까지 HBM4, HBM5 시장에서도 95% 점유율을 목표로 한다”고 밝혔다. 한미반체는 2027년 말 출시를 목표로 HBM6용 하이브리드 본더를 개발해 시장에 선제적으로 대비할 계획이다. 플럭스리스 본더 또한 로드맵에 따라 빠르면 연내 출시할 예정이다. 곽 회장은 “당사는 NCF와 MR-MUF 타입 등 모든 HBM 생산용 열압착 본딩기술을 보유하고 있고, 이 분야에서 전세계 최고의 기술을 가지고 있다"고 자신감을 표했다. 또한 한미반도체는 수직계열 생산시스템(In-house system)의 장점을 부각했다. 곽 회장은 “한미반도체는 설계부터 부품 가공, 소프트웨어, 조립, 검사에 이르기까지 전 과정을 내부에서 통합 관리함으로써 기술 혁신, 생산 최적화, 비용 관리 측면에서 다른 장비업체들이 쉽게 따라올 수 없는 차별화된 경쟁력을 확보하고 있다”고 설명했다. 글로벌 시장에서 포지션과 고객 대응 전략도 명확히 제시했다. “글로벌 AI 시장 성장과 HBM 수요 증가와 함께 HBM 생산용 고사양 본더 수요가 크게 증가할 것으로 확신한다”며 “이러한 수요 증가에 대응하기 위해 기술 개발과 생산 능력 확대에 적극 투자하고 있다”고 덧붙였다. 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 반도체 장비 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2025.07.15 09:49장경윤 기자

위로 쌓는 3D 반도체 시대 도래...핵심은 '극저온 식각'

지난날 반도체는 수평으로 배치됐다. 현재 상보형 금속 산화 반도체(CMOS) 공정 기반 칩이 단층의 수평 평면에 트랜지스터를 배치하는 데 최적화됐기 때문이다. 또, 전류가 흐를 때도 수평 배치된 금속 배선이 더 짧고 균일하게 설계 가능하다는 점도 반도체가 수평 배치되던 이유다. 그러나 오늘날 수평 배치는 집적도의 한계에 부딪혔다. 동일한 평면 위에 넣을 수 있는 트랜지스터 수에 물리적 제한이 걸린 탓이다. 3D 반도체, 평면의 끝에서 시작된 입체 전쟁 이에 반도체 업계에서 주목하는 기술이 3D 반도체다. 3D 반도체는 칩을 쌓아올린 기술이다. 기존 평면(2D) 반도체보다 집적도와 성능이 향상되면서도 전력 효율이 좋다. 3D 기술은 D램, 낸드플래시, SoC(시스템 온 칩) 등 다양한 반도체에 적용될 전망이다. 국내외 기업의 경우 제조업체를 중심으로 3D 반도체 개발에 한창이다. 삼성전자는 로직(시스템 반도체), 메모리, 패키징 전 영역에서 3D 반도체를 구현하려는 유일한 기업이다. 특히 3나노 이하 로직 반도체에 세계 최초로 적용한 GAA(게이트 올 어라운드) 기술에 3D 구조를 적용한다. GAA는 트랜지스터 핵심 구성요소인 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 형태로, 기존 3개면이 접합된 핀펫(FinFET) 대비 고성능·저전력 반도체를 쉽게 구현할 수 있다. 삼성전자가 현재 연구 중인 3D GAA 구조는 '3DSFET'으로 불리며, 3D 적층과 GAA를 결합하고 있다. SK하이닉스의 경우 최근 실적을 견인하고 있는 HBM(고대역폭 메모리)이 D램 다이를 적층하고 TSV(실리콘 관통전극)로 연결한 3D 메모리다. 시장 1위인 HBM 기술력을 앞세워 단순 D램, 낸드 등 메모리 제조에서 벗어나, AI·고성능 연산에 적합한 프리미엄 메모리 중심의 기술 리더십 확보에 집중하고 있다. TSMC는 세계 1위 파운드리 기업답게, 3D 패키징과 칩렛 아키텍처에서 독보적인 경쟁력을 보여주고 있다. SoIC(system on Integrated Chips)이 TSMC의 대표적인 수직 적층 3D 기술이다. SoIC는 다양한 기능의 칩을 수직 방향으로 연결해 성능을 높이고 전력 손실을 줄이는 기술로 애플, AMD, 브로드컴 등 글로벌 기업들이 SoIC 기술을 활용하고 있다. 아울러 TSMC는 공정 미세화와 3D 패키징 결합을 통해 파운드리 경쟁력을 유지하며, 고부가가치 설계 기업들과의 파트너십을 적극 강화 중이다. 3D 반도체 핵심 기술 '극저온 식각' 이를 위해 필요한 기술이 바로 '극저온 식각' 기술이다. 식각은 반도체 웨이퍼 표면을 원하는 패턴대로 깎아내는 공정으로, 극저온 식각은 영하 60~70°C 환경에서 식각을 진행한다. 기존 식각 대비 30~40°C 가량이 더 낮은 환경에서 식각을 진행하는 것이다. 이처럼 낮은 온도에서 극저온 식각을 진행하는 이유는 정밀한 식각이 가능하기 때문이다. 해당 기술이 적용될 때 플라즈마는 실리콘 표면을 화학적으로 반응해 깎아낸다. 이후 산소가 산화막을 형성해, 저온 상태에서 고체 보호막으로 표면에 남는다. 이 보호막이 식각 방향성을 제어하며 옆면이 깎이지 않도록 보호하는 것이다. 보호막은 식각 후 온도를 올리거나 플라즈마로 제거한다. 반도체 장비 업계 관계자는 “극저온 식각은 반도체에서 금속간 연결을 담당하는 비아(Via)를 더 일정하고 깊게 팔 수 있도록 돕는다”며 “3D 기술 상용화를 위한 필수 기술”이라고 강조했다. 한편 삼성전자 등 제조사는 램리서치와 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온 식각 장비를 테스트하고 있다.

2025.07.14 16:12전화평 기자

차세대 'LPDDR6' 표준 나왔다…삼성·SK, AI 메모리 새 격전지 추가

차세대 저전력 D램인 'LPDDR6' 표준이 최근 제정됐다. LPDDR6는 이전 대비 대역폭이 최대 1.5배 높은 것이 특징으로, 엣지 AI·온디바이스 AI 등 고성능 컴퓨팅 분야에서 수요가 창출될 것으로 기대된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들도 중장기적 관점에서 새로운 성장동력을 확보하게 됐다. 국제반도체표준화기구(JEDEC)는 LPDDR6 표준인 'JESD209-6'을 제정했다고 9일 밝혔다. LPDDR은 저전력 D램으로 스마트폰, 엣지 서버 등 전력 효율성이 중요한 기기에서 주로 활용된다. 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 현재 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. LPDDR6의 핵심 요소는 대역폭의 증가다. 대역폭은 데이터를 한 번에 얼마나 많이 전송할 수 있는지를 나타내는 척도다. 기존 LPDDR5X의 경우 대역폭이 통상 8.5Gbps, 최대 9.6Gbps까지 구현 가능하다. LPDDR6는 통상 10.6Gbps에서 14.4Gbps까지 구현한다. 약 1.5배의 성능 향상이 이뤄지는 셈이다. 세부적으로 LPDDR6는 다이 당 2개의 서브채널 및 각 12개의 하위 채널을 갖춰, 데이터를 작은 단위(32바이트)까지 나눠 빠르게 처리할 수 있다. 또한 작업에 따라 유연하게 데이터 접근 방식을 바꿀 수 있는 제어 기술, 신호 품질을 유지할 수 있는 기술 등을 탑재했다. 전력효율성 측면에서는 이전 세대인 LPDDR5 대비 더 낮은 전압과 저전력 소비가 가능한 'VDD2' 전원을 두 개로 나눠 활용한다. 클럭 신호를 교차로 활용하기 때문에 전력 효율성과 성능을 동시에 높일 수 있다. LPDDR6 표준이 제정됨에 따라 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 D램 제조업체는 물론, EDA(설계자동화) 및 IP 기업, 팹리스 등 관련 생태계 참여자들의 차세대 엣지 AI 서버 개발이 가속화될 것으로 기대된다. 최장석 삼성전자 메모리 상품기획팀장(상무)은 "삼성전자는 이번 JEDEC 표준 제정이 차세대 LPDDR 제품 개발에 중추적인 역할을 할 것이라고 확신한다"며 "기술 선도 기업으로서 온디바이스 AI를 포함한 모바일 시장 변화 요구에 부응하는 최적화된 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다할 것"이라고 말했다. 이상권 SK하이닉스 D램 PP&E 담당은 "LPDDR6는 대역폭 및 전력 효율을 크게 향상하는 동시에 차세대 모바일, 자동차, AI 기반 애플리케이션의 증가하는 수요를 충족하기 위해 신뢰성 기능을 강화한다"며 "SK하이닉스는 업계 파트너들과 긴밀히 협력해 메모리 혁신을 발전시켜 나가기 위해 최선을 다하고 있다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들과 관련 협력사들이 LPDDR6에 필요한 컨트롤러, 인터페이스 개발에 열을 올리고 있다"며 "실제 LPDDR6를 활용하기 위해선 아직 시간이 필요하나, 대역폭이 높은 LPDDR을 원하는 AI 서버 기업들은 이미 LPDDR6 도입을 논의 중"이라고 설명했다.

2025.07.10 10:23장경윤 기자

인피니티시마, SK하이닉스 D램 공정에 첨단 계측장비 공급

인피니티시마(Infinitesima)는 SK하이닉스 양산 라인에 '메트론(Metron) 3D' 300mm 인라인(in-line) 웨이퍼 계측 시스템을 공급했다고 9일 밝혔다. 메트론 3D는 SK하이닉스의 차세대 메모리 디바이스 제조에 필수적인 서브 나노미터 정확도의 3차원(3D) 공정 제어를 제공한다. 이번 SK하이닉스의 양산 라인 적용은 여러 공정 단계에 대한 시스템 특성화 작업을 포함한 광범위한 평가를 거친 후 이루어졌다. 최영현 SK하이닉스 DMI(결함 분석, 계측 및 검사 기술) 담당 선임(Head of DMI)은 “나노미터 수준에서의 3차원 공정 제어는 첨단 D램 공정에서 고수율을 보장하는 데 있어서 점점 더 중요해지고 있다"며 "인피니티시마의 메트론 3D는 대량양산(HVM) 구현에 필요한 비용 효율성을 갖춘 우수한 서브 나노미터 3D 계측 성능을 입증했다”고 말했다. 메트론 3D는 통상적인 원자현미경(AFM) 처리량보다 10배에서 100배의 AFM 계측 능력을 제공하는 인피니티시마 고유의 RPMTM(Rapid Probe MicroscopeTM) 기술을 특징으로 한다. 또한 이 시스템은 완전 자동화된 웨이퍼, 데이터, 프로브 핸들링 기능을 지원해 반도체 디바이스의 인라인 대량 생산에 최적화돼 있다. 이 계측 솔루션에 대한 투자는 SK하이닉스가 컴퓨터 메모리의 개발 및 제조 분야에서 기술 리더십을 유지하기 위해 얼마나 노력하고 있는지를 잘 보여준다. 피터 젠킨스 인피니티시마 회장 겸 CEO는 “SK하이닉스와 협력하게 되어 매우 기쁘다"며 "SK하이닉스의 지원과 지도 덕분에 우리 메트론 3D 시스템이 신속히 품질 평가를 마치고 대량 양산에 채택될 수 있었다”고 밝혔다.

2025.07.09 13:24장경윤 기자

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤 기자

SK하이닉스, 2분기 메모리 매출 삼성전자와 '동률'…HBM에 엇갈린 희비

올 2분기 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 사업 격차가 크게 줄어든 것으로 나타났다. 기업별로 극명하게 나뉜 HBM(고대역폭메모리) 사업의 성패 여부가 가장 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 8일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 2분기 메모리 사업 매출은 각각 155억 달러(한화 약 21조2천억원)로 동일한 수준을 기록한 것으로 분석된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기 D램 사업에서 사상 처음으로 삼성전자의 매출을 추월한 바 있다. 당시 양사의 D램 매출 점유율은 SK하이닉스가 36%, 삼성전자가 34%로 집계됐다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 최초로 매출 1위를 기록한 데 이어, 2분기에는 전체 메모리 시장에서 삼성전자와 1위 자리를 놓고 경쟁하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 높은 성장세에는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대가 중대한 영향을 끼쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 최신형 HBM을 주요 고객사인 엔비디아에 선제적으로 공급하는 등 성과를 거두고 있다. 삼성전자 역시 올 하반기 D램 가격 상승, HBM 출하량 증가에 따른 회복세가 전망되나, 성장 폭은 제한적일 수 있다는 의견이 제기된다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자는 하반기 AMD와 브로드컴에 HBM3E 제품을 공급하면서 실적 개선이 예상되나, 엔디비아로의 출하는 여전히 불투명하다"며 "강화된 대중국 판매 규제 영향으로 올해 HBM 판매량 증가는 전년 대비 제한될 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 16:15장경윤 기자

삼성전자, 저점 통과해 3분기 반등 준비…HBM 등 출하량 확대

삼성전자가 반도체 부문 어닝쇼크로 올 2분기 실망스런 성적표를 받았다. 다만 올 3분기부터는 반등세에 들어설 전망으로, 범용 메모리 가격 상승과 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대, 계절적 성수기로 인한 디스플레이·가전 사업의 호조세 등이 맞물릴 것으로 분석된다. 8일 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌았다. 주요 원인은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 부진이다. 메모리 분야에서는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 상용화 지연으로 인한 재고 충당, 시스템반도체 사업에서는 최선단 파운드리 고객사 확보 난항 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 다만 이번 삼성전자 2분기 실적은 '바닥'에 해당하는 것으로, 올 하반기에는 회복세에 접어들 가능성이 유력하다. 현재 삼성전자의 3분기 증권가 컨센서스는 매출 82조4천억원, 영업이익 8조8천억원 수준이다. 현재 D램 시장은 PC·서버 등 산업 전반에서 가격이 상승하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 지난 2분기 5~10% 상승했으며, 올 3분기에도 10~15% 수준의 성장세가 전망된다. HBM 출하량도 올 하반기 반등이 예상된다. MI325X·MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기용 HBM3E 12단 공급이 확대되고, 브로드컴 등 ASIC(주문형반도체) 고객사의 주문이 본격화되기 때문이다. 시스템반도체 역시 적자 폭이 기존 마이너스 2조원대에서 마이너스 1조원대로 줄어들 전망이다. 디스플레이의 경우 아이폰17용 OLED 패널 공급의 본격적인 확대로 올 3분기 영업이익이 1조원을 넘어설 것으로 예상된다. 박유악 키움증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "삼성전자는 3분기 DS 부문의 실적 턴어라운드와 디스플레이, DX 부문의 계절적 성수기 진입 효과로 턴어라운드할 전망"이라며 "D램은 HBM 판매량 증가로 인해 출하량과 평균판매가격이 모두 전분기 대비 증가할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 10:59장경윤 기자

삼성전자, 반도체 쇼크에 '휘청'…"재고 충당·AI칩 대중 수출 규제 탓"

삼성전자가 2분기 시장 기대치를 크게 밑도는 '어닝 쇼크'를 기록했다. 반도체 사업이 당초 예상 대비 부진한 탓으로, 메모리·비메모리 모두 고부가 제품의 판매가 부진했던 것으로 풀이된다. 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 8일 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌면서 예상치를 한참 벗어났다. 2분기 실적에는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)의 부진이 가장 큰 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 삼성전자는 설명자료를 통해 "DS는 재고 충당 및 첨단 AI칩에 대한 대중 제재 영향 등으로 전분기 대비 이익이 하락했다"며 "메모리 사업은 재고자산 평가 충당금과 같은 1회성 비용 등으로 실적이 하락했으나, 개선된 HBM(고대역폭메모리) 제품은 고객별로 평가 및 출하가 진행 중"이라고 밝혔다. 그간 삼성전자는 HBM3E 제품을 엔비디아 등 주요 고객사에 납품하기 위한 평가를 진행해 왔다. 다만 퀄(품질) 테스트가 당초 예상보다 지연되면서 판매 확대에 난항을 겪고 있다. 또한 삼성전자는 "비메모리 사업은 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재로 판매 제약 및 관련 재고 충당이 발생했다"며 "라인 가동률 저하가 지속돼 실적이 하락하나, 하반기는 점진적 수요 회복에 따른 가동률 개선으로 적자 축소를 기대한다"고 덧붙였다.

2025.07.08 08:33장경윤 기자

삼성전자, 브로드컴과 HBM3E 12단 공급 추진…ASIC서 기회 포착

삼성전자가 브로드컴에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단을 공급하는 방안을 논의 것으로 파악됐다. 현재 구체적인 물량 협의를 거쳐, 내년까지 제품을 공급하는 방안을 추진 중이다. 글로벌 빅테크의 자체 주문형반도체(ASIC) 개발이 확대되고 있는 만큼, 엔비디아향 HBM 공급 지연 영향을 일부 만회할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 브로드컴과 HBM3E 12단 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 제품을 양산 공급하기 위한 협의에 나섰다. 현재 양사가 논의한 공급량은 용량 기준으로 10억Gb(기가비트)대 초중반 수준으로 추산된다. 양산 시기는 이르면 올 하반기부터 내년까지 이뤄질 전망이다. 연간 HBM 시장 대비 큰 물량은 아니지만, HBM 수요 확보가 절실한 삼성전자 입장에서는 의미 있는 규모다. 삼성전자는 올해 HBM 총 공급량을 전년 대비 2배 확대한, 80억~90Gb 수준까지 늘리겠다는 목표를 세운 바 있다. 해당 HBM은 글로벌 빅테크의 차세대 AI반도체에 탑재될 예정이다. 현재 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글의 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'.메타의 자체 AI 칩인 'MTIA v3' 등을 제조하고 있다. 또한 삼성전자는 아마존웹서비스(AWS)에도 HBM3E 12단 공급을 추진 중이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 진행하는 등, 논의가 적극 진행되고 있는 것으로 알려졌다. AWS 역시 HBM3E 12단을 탑재한 차세대 AI 반도체 '트레이니엄 3'를 내년 양산할 계획이다. 이 같은 글로벌 빅테크의 자체 ASIC 개발 열풍은 삼성전자의 HBM 사업 부진을 만회할 기회 요소로 작용한다. 당초 삼성전자는 지난해 하반기 엔비디아에 HBM3E 12단을 납품하는 것이 목표였으나, 성능 및 안정성 문제로 양산화에 차질을 빚어 왔다. 이후 코어 다이인 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 재공급을 추진해 왔으나, 올해 6월까지 공급을 성사시키겠다는 계획도 현재로선 불가능해졌다. 업계는 빨라야 오는 9월께 공급이 가능해질 것으로 보고 있다. 때문에 삼성전자는 올 2분기 말 P1·P3 내 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 낮추고 있는 상황이다. 올 하반기 엔비디아향 공급 성사, ASIC 고객사 추가 확보 등을 이뤄내야 HBM 사업에 대한 불확실성을 거둘 수 있을 것이라는 평가가 나온다.

2025.07.03 15:39장경윤 기자

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