• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 인터뷰
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
인공지능
배터리
양자컴퓨팅
컨퍼런스
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'램'통합검색 결과 입니다. (334건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

램리서치코리아, 필드 서비스 엔지니어 정규직 전환형 인턴 모집

램리서치코리아가 필드 서비스 엔지니어(장비 엔지니어) 정규직 전환형 인턴을 모집한다고 2일 밝혔다. 램리서치는 이달 15일까지 램리서치코리아 채용 홈페이지를 통해 지원 서류를 받는다. 회사는 이번 인턴 모집을 통해 두 자릿수 규모의 정규직 채용을 진행할 계획이다. 지원 자격은 ▲전기·전자 ▲기계 ▲신소재 ▲물리 ▲화학 ▲재료공학 등 반도체 관련 전공의 학사 이상의 학위 보유자이며 기졸업자 및 졸업예정자로서 2025년 3월부터 정상 근무가 가능해야 한다. 또한, 램리서치가 제시한 영어 공인 성적 기준을 충족해야 한다. 이후 서류 전형을 시작으로 면접 전형과 건강검진을 거쳐 최종 인턴 합격자를 선발한다. 합격자는 채용 홈페이지를 통해 발표될 예정이다. 인턴십 프로그램은 3월부터 약 2개월간 첨단 반도체 장비 유지 보수 및 문제 해결을 포함한 실제 현장 중심의 실무 경험 위주로 진행된다. 또한 램리서치코리아 테크니컬 트레이닝 센터에서 반도체 실무 교육과 함께 신입사원 기본 소양 교육 등이 진행된다. 램리서치의 엔지니어들이 멘토로 참여해 생생한 현장의 분위기와 노하우를 공유할 예정이다. 한편, 램리서치는 반도체 산업에 웨이퍼 제조 장비 및 서비스를 제공하는 글로벌 업체다. 직원과 가족을 위한 각종 사내 이벤트 및 복지 프로그램은 물론, 임직원들이 경력 개발을 통해 꾸준히 성장할 수 있도록 대학과 연계한 학위 취득 과정과 다양한 글로벌 프로그램, 엔지니어 대상의 스터디 그룹 지원 등 다양한 경력 개발 프로그램을 함께 지원하고 있다.

2025.01.02 10:42이나리

김남석 LB세미콘 대표 "세계 OSAT 10위권 진입…매출 1兆 달성 목표"

LB세미콘이 향후 3~4년 뒤 회사의 매출을 1조원까지 성장시키겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 OSAT(외주반도체패키징테스트) 10위권에 진입할 수 있는 규모다. 동시에 해외 시장을 중심으로 고객사를 다변화한다는 전략이다. 이를 위해 LB세미콘은 LB루셈과의 합병을 통해 전력반도체 사업을 크게 확대할 계획이며, 메모리 및 플립칩 패키징 등 신규 사업으로의 진출도 준비하고 있다. 김남석 LB세미콘 대표는 26일 서울 양재 모처에서 기자들과 만나 회사의 향후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. ■ "DDI 의존 탈피…매출 1조원 및 해외 매출 비중 40% 달성할 것" LB세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 삼성전자를 비롯한 국내외 고객사로부터 의뢰를 받아 범핑·테스트·백엔드(Back-End) 등의 공정을 수행한다. 주력 사업 분야로는 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등이 있다. 특히 DDI는 LB세미콘의 전체 매출에서 60~70%를 담당할 정도로 비중이 높다. 다만 DDI 시장은 스마트폰 및 PC 시장의 부진으로 최근 수요가 감소하는 추세다. 이에 LB세미콘은 중장기적 관점에서 회사의 신(新)성장 동력을 확보하기 위한 준비에 나섰다. ▲ AI·자동차 등 고전력 산업에 필요한 전력반도체 패키징 ▲ D램 등 메모리용 범핑 ▲ 플립칩 패키징 등이 핵심으로 꼽힌다. 김 대표는 "패키징 사업 분야 확대와 신사업 추진 등으로 오는 2027~2028년 매출 1조원과 글로벌 OSAT 기업 순위 10위권에 진입하는 것이 목표"라며 "해외 고객사 영업도 적극적으로 진행하고 있어, 해외 매출 비중이 기존 10%에서 40% 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다"고 강조했다. 그는 이어 "구체적인 고객사를 밝힐 수는 없으나, 해외 주요 고객사 몇 곳과 내년도부터 사업을 시작한다"며 "새해에는 소규모지만 내후년부터 사업이 굉장히 커질 것"이라고 덧붙였다. ■ LB루셈과 합병해 전력반도체 시장 공략…日 고객사 공급 유력 먼저 전력반도체 패키징은 자회사 LB루셈과의 합병으로 주요 고객사에 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 제공할 계획이다. 앞서 LB세미콘은 지난 10월 사업 간 시너지 효과 도모, 재무 건전성 강화 등을 목적으로 LB루셈을 흡수합병하겠다고 밝힌 바 있다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축해, 해외 고객사와 테스트를 진행하기로 협의했다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 시장도 공략한다. 이달 국내 파운드리 기업 DB하이텍과 협력해, 이들 반도체를 위한 패키징 및 테스트 서비스를 제공하기로 했다. 김 대표는 "LB루셈과의 합병으로 전력반도체용 패키징 솔루션을 턴키로 고객사에 제공할 수 있게 됐는데, 현재 상용화와 관련해 굉장히 빠른 진전을 이루고 있다"며 "내후년 일본 주요 고객사로부터 양산이 시작될 것이고, 국내 기업들과도 협력해 공급량을 확대하도록 할 것"이라고 설명했다. ■ 메모리·플립칩 시장 진출 기대…"역량 충분" 향후 메모리 시장으로의 진출도 기대된다. 현재 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업의 성장에 맞춰 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 이를 위해 기존 범용 D램용 설비를 HBM에 할당하는 추세다. 이 경우 범용 D램의 패키징 공정은 외부에 맡기게 될 가능성이 크다. LB세미콘은 이러한 전망 하에 삼성전자·SK하이닉스로부터 DDR 및 GDDR(그래픽 D램) 모듈용 범프 공정을 수주하기 위한 논의를 진행 중이다. 플립칩 시장 진출은 국내 또 다른 OSAT인 하나마이크론과의 협력을 통해 추진하고 있다. 플립칩은 칩 위에 범프를 형성한 뒤 뒤집어 기판과 연결하는 패키징 기술로, 기존 와이어 본딩 대비 전기적 특성이 우수하다. 김 대표는 "국내 메모리 입장에서는 HBM 인프라를 효율적으로 늘리려면 기존 D램을 외주로 돌릴 수 밖에 없어, 윈-윈 효과를 기대하고 시장을 모니터링 중"이라며 "플립칩 패키징을 위한 범프 인프라를 충분히 갖춘 기업도 현재로선 국내에 LB세미콘 말고는 없다"고 밝혔다. 한편 LB세미콘은 기존 및 신사업 확대에 적기 대응하기 위한 설비투자도 준비하고 있다. 올해 평택 소재 일진디스플레이 공장을 인수해, 현재 라인 구축을 위한 설계를 진행하고 있다.

2024.12.26 16:28장경윤

새해 엔비디아 선점할 승자는...삼성·SK 'HBM4' 양산 준비 박차

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상 계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 메모리반도체 시장이 2025년 을사년 새해에도 성장세를 이어갈 것으로 보인다. 세계반도체무역통계기구(WSTS)가 최근 발간한 보고서에 따르면, 전 세계 메모리 시장 규모는 올해 1천670억 달러(약 238조원)에서 내년 1천894억 달러(약 270조원)로 13.4%의 성장세가 예상된다. 다만 제품별 상황은 '극과 극'으로 나뉠 전망이다. 먼저 AI 데이터센터에 필요한 HBM(고대역폭메모리), 고용량 eSSD(기업용 SSD) 등 부가가치가 큰 첨단 메모리 제품은 내년에도 수요가 견조한 분위기다. 해당 제품은 국내 삼성전자·SK하이닉스가 주도하는 시장이기도 하다. 반면 범용 메모리, 특히 레거시 제품의 공급 과잉은 심화되는 추세다. 올 4분기 들어 이들 제품의 가격은 이미 하락세로 접어든 바 있다. IT 수요가 여전히 부진하고, 중국 후발주자들의 공격적인 사업 확대 등이 위기 요소로 다가오고 있다. ■ 내년도 답은 AI…삼성·SK, HBM4 준비 박차 이러한 상황에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 돌파구는 HBM 등 AI 메모리가 될 것으로 관측된다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4(6세대 HBM) 양산을 위한 준비에 나서고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 HBM3E(5세대)의 뒤를 이을 제품이다. 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 시리즈 등에 탑재될 예정이다. 삼성전자의 HBM4에는 10나노급 6세대 D램인 1c D램을 기반으로 한다. 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론이 HBM4에 5세대 D램인 1b D램을 채용한다는 점을 고려하면 한 세대 앞선다. 차세대 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위해, 성능을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이 깔려 있다. 이를 위해 삼성전자는 올 연말부터 평택 P4에 1c D램용 양산 라인을 설치하기 위한 투자를 진행하고 있다. 관련 협력사들과 구체적인 장비 공급을 논의한 상황으로, 이르면 내년 중반에 라인 구축이 마무리될 것으로 전망된다. 동시에 삼성전자는 HBM3E(5세대 HBM)의 회로를 일부 수정해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 그간 삼성전자는 엔비디아와 HBM3E 8단 및 12단에 대한 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔으나, 성능 등의 문제로 대량 양산 공급에 이르지는 못했다. SK하이닉스는 올 4분기 HBM4의 '테이프아웃'을 목표로 연구개발을 지속해 왔다. 테이프아웃은 연구소에서 진행되던 칩 설계를 완료하고 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 제품의 양산 단계 진입을 위한 주요 과정이다. SK하이닉스는 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b D램을 적용한다. 제품의 안정성 및 수율에 무게를 둔 선택이다. 때문에 업계는 SK하이닉스가 경쟁사 대비 HBM4를 순탄하게 개발할 수 있을 것으로 보고 있다. 현재 SK하이닉스의 1b D램 투자는 이천 M16 팹을 중심으로 이뤄지고 있다. 기존 레거시 D램 생산라인을 1b D램용으로 전환하는 방식으로, 내년까지 생산능력을 최대 월 14~15만장 수준으로 끌어올릴 것으로 알려졌다. ■ 범용 메모리 공급 과잉 우려…中 추격, 삼성 HBM 등이 관건 최선단 D램은 주요 메모리 기업들의 HBM 출하량 확대에 따른 여파로 내년에도 견조한 흐름을 보이겠지만, 범용 레거시 D램 시장은 공급과잉이 지속될 것으로 전망된다. 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. PC를 비롯한 IT 수요가 부진하다는 증거다. 여기에 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등도 레거시 D램의 출하량 확대를 꾀하고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 웨이퍼 투입량 기준 D램 생산능력을 올해 말까지 월 20만장 수준으로 끌어올릴 계획이다. 내년에도 중국 상하이 팹에 최소 월 3만장 수준의 설비투자를 진행하기로 했다. 다만 CXMT가 미칠 파급력이 제한적이라는 분석도 제기된다. CXMT의 수율이 비교적 낮은 수준이고, 생산 제품이 18~16나노미터(nm)급의 DDR4·LPDDR4 등에 집중돼 있기 때문이다. 한편 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 12단 공급 여부가 범용 D램에 영향을 미칠 수 있다는 의견도 제기된다. 미즈호증권은 최근 리포트를 통해 "엔비디아향 HBM3E 12단 공급이 계속 지연되는 경우, 삼성전자는 HBM에 할당된 D램 생산량을 범용 제품으로 전환할 것"이라며 "이에 따라 D램 공급이 증가해 내년 상반기 D램 가격 하락이 가속화될 것으로 예상된다"고 밝혔다. ■ 낸드 투자, QLC 중심으로 신중하게 접근 낸드 시장 역시 AI 데이터센터 분야로 수요가 몰리는 추세다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠에 따르면 비트(Bit) 기준 전체 낸드 수요에서 데이터센터가 차지하는 비중은 2023년 18%에서 내년 28%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 고용량 데이터를 처리해야 하는 데이터센터용으로는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 각광을 받고 있다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장한다. 2비트를 저장하는 MLC나 3비트를 저장하는 TLC보다 데이터 저장량을 높이는 데 유리하다. 이에 삼성전자는 지난 9월 업계 최초의 V9 QLC 낸드 양산에 돌입했다. 낸드는 세대를 거듭할수록 더 높은 단을 쌓는다. V9는 280단대로 추정된다. SK하이닉스 역시 최근 QLC 기반의 61TB(테라바이트) SSD를 개발했다. PCIe 5세대 적용으로 데이터 전송 속도를 최대 32GT/s로 구현했으며, 순차 읽기 속도를 4세대 적용 제품 대비 2배 향상시킨 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 신제품의 샘플을 곧 글로벌 서버 제조사에 공급해 제품 평가를 진행할 계획이다. 또한 내년 3분기에는 제품군을 122TB로 확대하고, 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반의 244TB 제품도 개발에 들어가기로 했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스는 내년 낸드용 설비투자에 매우 보수적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 경우 당초 낸드 생산라인으로 계획했던 P4 페이즈1 라인을 낸드·D램 혼용 양산라인으로 전환했다. 라인명 역시 P4F(플래시)에서 P4H(하이브리드)로 변경됐다. 이에 따라 당초 예상 대비 낸드용 신규 설비투자 규모가 축소될 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 새해 낸드에 대한 신규 투자를 진행할 가능성이 낮은 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스의 설비투자가 HBM 및 최선단 D램에 집중돼 있고, 낸드 설비를 들일 만한 여유 공간도 많지 않다"며 "신규보다는 기존 설비를 활용한 전환 투자에 무게를 둘 것"이라고 설명했다.

2024.12.22 09:50장경윤

비(非) 엔비디아 고객사 뜬다…내년 HBM 시장 변화 예고

엔비디아가 주도하던 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년 변혁을 맞는다. 자체 AI 반도체를 개발해 온 글로벌 빅테크 기업들이 최첨단 HBM 채용을 적극 늘리는 데 따른 영향이다. 이에 따라 TSMC·브로드컴 등 관련 생태계도 분주히 움직이는 추세로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 수혜를 볼 것으로 관측된다. 22일 업계에 따르면 내년 초부터 구글·메타·아마존웹서비스(AWS) 등 글로벌 빅테크의 HBM 수요가 증가할 전망이다. ■ 마이크론 "3번째 대형 고객사" 언급…AWS·구글 등 떠올라 기존 HBM의 수요처는 엔비디아·AMD 등 HPC(고성능컴퓨팅)용 프로세서를 개발하는 팹리스가 주를 이뤘다. 이들 기업은 자사의 GPU(그래픽처리장치)와 HBM을 결합해 AI 가속기를 만든다. 다만 구글·메타·AWS 등도 내년부터 최첨단 HBM 채용을 늘릴 계획이다. AI 산업이 고도화되면서, GPU 대비 전력효율성이 높고 비용 절감이 가능한 자체 AI ASIC(주문형반도체)의 필요성이 높아졌기 때문이다. 이 같은 추세는 마이크론이 지난 19일 진행한 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표에서도 확인할 수 있다. 마이크론은 기존 HBM의 공급처로 엔비디아만을 언급해 왔으나, 이번 실적발표를 통해 추가 고객사를 확보했다고 밝혔다. 마이크론은 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 내년 HBM 시장 규모 또한 당초 250억 달러에서 300억 달러로 상향 조정했다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론이 언급한 2, 3번째 고객사는 구글과 아마존으로 분석하고 있다"며 "이들 기업이 올 연말부터 자체 AI칩 출하량을 늘리면서 HBM3E(5세대 HBM)을적극 주문하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 일례로 구글은 자체 개발한 6세대 TPU(텐서처리장치) '트릴리움(Trillium)'에 HBM3E를 탑재한다. AWS는 AI 학습용으로 자체 개발한 '트레이니엄(Trainium)2' 칩셋에 HBM3 및 HBM3E를 활용할 것으로 알려져 있다. 두 칩 모두 올해 연말에 출시됐다. ■ TSMC·브로드컴 등 관련 생태계, 이미 움직였다 반도체 업계 고위 관계자는 "TSMC의 CoWoS 고객사 비중에 변동이 생겼다. 기존에는 엔비디아가 1위, AMD가 2위였으나, 최근에는 AWS가 2위로 올라섰다"고 밝혔다. CoWoS는 대만 주요 파운드리 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 2.5D 패키징이란 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입하는 기술로, HBM 기반의 AI 가속기 제작의 필수 요소 중 하나다. 브로드컴 역시 최근 AI 및 HBM 관련 시장에서 존재감을 키우고 있다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체 및 데이터센터 네트워크 사업과 더불어, 특정 고객사에 맞춘 서버 인프라 구축 사업을 영위하고 있다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타 등의 AI 반도체 설계를 지원하고 있다. 이에 따라 올 상반기에는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 D램 제조업체와 HBM3E 8단에 대한 품질 테스트를 진행해 왔다. 현재 SK하이닉스와 마이크론이 진입에 성공한 것으로 파악된다. 최근 실적발표에서는 "대형 클라우드 고객사 3곳과 AI 반도체를 개발 중"이라고 밝히기도 했다. 해당 기업은 구글과 메타, 중국 바이트댄스로 알려져 있다. 국내 반도체 업계 관계자는 "구글의 경우 이전 5세대 TPU까지는 물량이 미미해 별다른 대응을 하지 않았다"며 "다만 6세대부터는 물량을 크게 늘릴 계획으로, 이에 따라 국내 협력사 공장을 직접 둘러보는 등 만반의 준비를 하고 있다"고 설명했다.

2024.12.22 09:35장경윤

中 CXMT 'DDR5' 개발 파급력은…전문가 "수율 80% 수준 가능"

최근 중국 주요 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 최첨단 D램 영역인 DDR5를 독자 개발한 정황이 포착됐다. 그간 중국이 DDR4 이하의 레거시 D램만을 양산해 왔다는 점을 감안하면, 기술의 발전 속도가 업계 예상을 뛰어넘는 것으로 관측된다. 메모리 업계 전문가 역시 "실제 중국이 DDR5 개발에 성공했다면 메모리 시장에 미칠 파급력을 주시할 필요가 있다"며 "CXMT가 DDR5 개발에 활용한 공정 수율은 80% 정도로 상당히 성숙돼 있다"고 진단했다. 19일 업계에 따르면 중국 킹뱅크, 글로웨이 등은 온라인 전자상거래 플랫폼을 통해 32GB(기가바이트) DDR5 D램의 판매를 개시했다. DDR5에 첫 '중국산' 명시…CXMT 유력 두 제조사는 해당 D램의 상품 설명에 '국산 DDR5'라는 문구를 붙였다. 구체적인 제조사를 명시하지는 않았으나, 업계에서는 해당 제품을 CXMT가 제조했을 것으로 보고 있다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 정부의 전폭적인 지원으로 성장한 현지 최대 D램 제조업체다. 기술력 및 생산능력 모두 중국 내에서 최고로 평가받는다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X(저전력 모바일 D램 규격)로, 지난해 11월에는 자국 최초의 LPDDR5를 공개하기도 했다. DDR5는 국내 삼성전자·SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소수의 D램 제조업체만이 양산할 수 있는 첨단의 영역으로 인식돼 왔다. 만약 CXMT가 DDR5를 성공적으로 양산하는 경우, 메모리 시장에 미칠 파장은 꽤나 클 것으로 관측된다. 실제로 레거시 D램인 DDR4·LPDDR4 등은 중국 업체들의 공격적인 출하량 확대로 가격 하락 압박을 받고 있다. 반면 일각에서는 중국산 메모리에 대한 우려가 너무 과도하다는 해석도 제기된다. 중국 기업들이 생산능력을 적극 확대하는 데 비해 아직까지 수율이 낮고, 향후 미국의 추가 규제로 최첨단 D램 개발에 난항을 겪게 될 것이라는 게 주요 근거다. "G3 공정 적용됐을 것…수율 80% 가능" 이와 관련, 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 "곧 해당 DDR5에 대한 분석을 진행할 예정"이라며 "시장에 미칠 파급력에 대해 주시할 필요는 있어 보인다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 반도체 전문 분석기관이다. 지난해 화웨이가 출시한 플래그십 스마트폰 '메이트 60 프로'에 탑재된 AP(어플리케이션프로세서)를 분석해 중국 파운드리 SMIC가 제조했다는 사실을 밝혀내기도 했다. 최 박사는 이곳에서 시니어 테크니컬 펠로우 직책을 맡고 있는 반도체 업계 전문가다. 최 박사는 "CXMT가 외부에 DDR5 개발 계획을 공식적으로 밝히지는 않았으나, G3 공정(선폭 17.5나노)로 DDR5 개발을 진행했던 것으로 안다. LPDDR5에도 G3 공정이 적용됐다"며 "이미 DDR4는 G1(22나노)로 상용화에 성공했고, LPDDR4X는 G1과 G3 두 공정 제품의 기반으로 생산 중"이라고 설명했다. CXMT가 얼마나 안정적인 수율로 DDR5를 양산할 수 있는지도 삼성전자·SK하이닉스 등 업계가 주목하는 사안이다. 현재 CXMT는 업계 예상 대비 높은 수율을 주장하고 있는 것으로 전해진다. 최 박사는 "이미 CXMT가 더 진보된 G5 공정을 개발하고 있는 상황에서, G3 공정은 상당히 성숙(matured) 돼 있다"며 "CXMT의 G1 및 G3 공정은 80% 정도의 수율에 도달한 것으로 알고 있다"고 밝혔다. 최 박사는 이어 "해당 DDR5이 정말 CXMT의 제품일 경우, 시중에서 가장 많이 유통되고 있는 제품이 32GB이기 때문에 중국 내에서 만큼은 상당히 큰 영향이 있을 것"이라며 "D램 모듈의 종류도 다양하기 때문에 앞으로 주시할 필요가 있어 보인다"고 덧붙였다.

2024.12.19 16:29장경윤

中, 첨단 D램 DDR5 온라인 출시...양산 성공?

중국이 첨단 D램으로 분류되는 더블데이터레이트(DDR)5를 국산화한 것으로 알려져 주목된다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 것으로 보인다. DDR은 정보를 읽고 쓰는 데 특화된 고사양 D램이다. 뒤에 붙는 숫자가 클수록 정보를 빠르게 처리한다. DDR5는 이전 세대 DDR4보다 정보 처리 속도가 2배 빠르다. 18일(현지시간) 중국 정보통신 매체 IT홈에 따르면 중국 저장장치 업체 킹뱅크와 글로웨이는 전날 32기가바이트(㎇) 용량 DDR5를 내놨다. 16㎇ 2개가 한 묶음이다. 예약 구매 가격은 499위안(약 9만9천원)이다. 이들 업체는 메모리 반도체 회사로부터 D램을 사서 컴퓨터(PC)나 서버에 꽂을 수 있게 조립해 판다. 이들 업체는 '중국산 DDR5 칩'이라고 제품을 소개했다. 상품 설명서에는 창신메모리가 칩을 만들었다고 쓰였다. IT홈은 중국 기술 경쟁력이 또 한 번 도약했다고 강조했다. 이 제품 성능이 아직 강력하지 않더라도 중국산 첨단 D램이 나왔다는 사실 자체가 중국 반도체 기술이 역사적으로 전진했다는 뜻이라고 평가했다. DDR5는 2020년 SK하이닉스가 세계에서 처음으로 출시했다. 삼성전자는 2021년 처음 들고 나왔다. 중국이 3~4년 만에 따라온 셈이다.

2024.12.19 15:24유혜진

마이크론 "HBM 고객사 3곳으로 확장"…HBM4 양산도 자신감

미국 메모리 제조업체 마이크론이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 자신감을 드러냈다. 내년 초까지 HBM의 대형 고객사를 3곳으로 확대하고, HBM4의 본격적인 양산도 2026년부터 시작하겠다는 계획을 밝혔다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업과의 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 통해 HBM(고대역폭메모리) 사업 현황 및 전망을 공개했다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 이후 지난 9월에는 12단 제품의 샘플 출하를 개시했다. 두 제품 모두 엔비디아에 우선 공급한 것으로 알려졌다. 특히 HBM3E 12단은 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '블랙웰' 시리즈에 탑재되는 고부가 제품이다. 내년 상반기 HBM 시장을 좌우할 핵심 요소로, 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 출하량 확대에 주력하고 있다. 마이크론은 이와 관련해 자사 제품의 경쟁력을 자신했다. 회사는 "마이크론의 12단 HBM3E는 최적의 전력소모량으로 고객사로부터 긍정적인 반응을 계속 얻고 있다"며 "경쟁사의 8단 HBM3E 대비 소모량이 20% 낮다"고 밝혔다. 또한 마이크론은 "이전에 언급했듯이 내년 HBM 물량은 이미 매진됐으며, 해당 기간 가격이 이미 결정됐다"며 "회계연도 2025년에는 수십억 달러의 HBM 매출을 창출할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 전체 HBM 시장 규모도 예상보다 커질 것으로 내다봤다. 마이크론은 당초 내년 HBM 시장 규모를 250억 달러로 전망했으나, 이번 실적 발표에서는 300억 달러로 상향 조정했다. 고객사 확보 현황에 대해서는 "이달 두 번째 대형 고객사에 HBM 대량 공급을 시작했다"며 "내년 1분기에는 세 번째 대형 고객사에 양산 공급을 시작해 고객층을 확대할 예정"이라고 설명했다. 차세대 HBM 제품인 HBM4의 본격적인 양산 확대는 2026년에 진행할 계획이다. 이를 위해 마이크론은 다수의 고객사와 개발을 준비하고 있으며, 대만 주요 파운드리인 TSMC와도 협력하고 있다. 나아가 HBM4E에 대한 개발 작업도 순조롭게 진행되고 있다고 언급했다.

2024.12.19 09:56장경윤

마이크론, 내년 '메모리 부진' 전망…삼성·SK도 악영향 불가피

미국 메모리 제조업체 마이크론이 다음 분기 실적에 대한 눈높이를 크게 낮췄다. AI를 제외한 IT 수요가 전반적으로 부진한 탓으로, 특히 낸드의 출하량 감소가 예상된다. 내년도 설비투자 역시 보수적으로 집행할 계획이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9월~11월) 매출액이 87억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출액은 전년동기 대비 84%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 마이크론이 전분기에 제시했던 전망치 및 증권가 컨센서스에 부합한다. 주당순이익은 1.79달러로 이 역시 당초 전망과 대체로 일치한다. 제품별 매출 비중은 D램이 64억 달러, 낸드가 22억 달러 수준이다. D램의 경우 ASP(평균판매가격)이 한 자릿수 후반 상승했으나, 낸드의 경우 한 자릿수 초반대로 하락했다. 다만 마이크론은 다음 분기(2024년 12월~2025년 2월) 매출액이 77억~81억 달러로 전분기 크게 감소할 것으로 내다봤다. 해당 전망치는 증권가 컨센서스인 89억9천만 달러에 크게 못 미친다. 주당순이익 전망치도 1.33~1.53달러로 증권가 컨센서스(1.92 달러)를 하회했다. 마이크론이 내년 초 실적 눈높이를 낮춘 이유는 수요 부진에 있다. 마이크론은 이번 실적발표에서 데이터센터용 D램 및 낸드 수요는 계속 성장할 것으로 예상했으나, PC나 오토모티브 등 일부 산업의 수요는 비교적 낮을 것으로 진단했다. 특히 낸드 사업이 약세를 나타낼 것으로 보인다. 마이크론은 회계연도 2025년 낸드의 빗그로스(용량 증가율)를 기존 10% 중반 상승에서 10% 초반 상승으로 하향 조정했다. 소비자용 SSD의 지속적인 재고 조정을 주 요인으로 꼽았다. 이에 따라 설비투자 기조도 최선단 D램에 대한 전환 투자, HBM(고대역폭메모리) 등에 집중될 예정이다. 회계연도 2025년도 총 투자 규모는 135억~145억 달러로 상정했다. 마이크론은 "낸드 설비 투자를 줄이고, 낸드의 공정 전환 속도를 신중하게 관리하고 있다"며 "장기적으로 D램 및 HBM 수요 성장을 지원할 수 있는 투자에 우선순위를 둘 것"이라고 밝혔다.

2024.12.19 09:47장경윤

삼성·SK, 연말 메모리 부진 불안감...마이크론 실적에 '눈길'

미국 주요 메모리 기업 마이크론의 실적 발표가 임박했다. 최근 메모리 시장이 레거시 제품을 중심으로 공급 과잉 우려가 심화된 가운데, 마이크론이 어떠한 전망을 내놓을 지 업계의 귀추가 주목된다. 미국 마이크론은 오는 19일 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 진행할 예정이다. 앞서 마이크론은 지난 6~8월 77억 5천만 달러의 매출로 '어닝 서프라이즈'를 기록한 바 있다. 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 마이크론은 이번 분기에도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 영향으로 매출 성장세가 이어질 것으로 예상하고 있다. 회사가 제시한 이번 분기 매출 전망치 중간값은 87억 달러로, 전년동기 대비 84% 높다. 마이크론은 전분기 실적발표 당시 "회계연도 기준 HBM 시장은 2023년 40억 달러에서 2025년 250억 달러로 성장할 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급 수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 다만 최근 반도체 업계에서는 메모리 시장에 대한 불확실성이 더욱 커졌다는 우려를 제기하고 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리의 수요 부진이 지속되고 있고, CXMT·YMTC 등 중국 후발주자들이 생산량을 공격적으로 확대하고 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 제품의 고정거래가격은 지난 9월 말 전월 대비 17.07% 하락한 데 이어, 지난달 말에도 20.59% 하락한 바 있다. 낸드 가격 역시 9월부터 3개월 연속 두 자릿수로 하락했다. 이러한 상황에서 마이크론의 이번 실적 발표 및 전망은 국내 메모리 업계의 향후 실적을 가늠하는 주요 지표로 활용될 전망이다. 현재 증권가에서는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업의 목표 주가를 하향 조정하는 추세다. NH투자증권은 삼성전자의 목표 주가를 기존 9만 원에서 7만5천원으로 16.67% 하향했다. 예상보다 가파르게 하락하는 레거시 반도체 가격과 중국 메모리 기업의 추격, HBM 비중 등을 반영했다. JP모건은 최근 삼성전자의 목표주가를 8만3천원에서 6만원으로 낮췄다. 투자 의견도 '중립'으로 하향했다. SK하이닉스에 대한 목표주가도 26만 원에서 21만 원으로 낮췄다.

2024.12.15 06:58장경윤

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

삼성전자, '1c D램' 양산 투자 개시…차세대 HBM4 본격화

삼성전자가 '1c D'램 양산 투자를 시작한다. 최근 관련 협력사에 제조설비를 발주해, 내년 2월께 설치 작업에 돌입할 것으로 파악됐다. 1c D램이 삼성전자의 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소인 만큼, 제품을 적기에 양산하기 위한 준비에 나서는 것으로 보인다. 9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 양산라인을 구축하기 위한 장비 발주를 시작했다. 1c D램은 6세대 10나노급 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 1b(5세대) D램보다 한 세대 앞선 제품으로, 내년부터 본격적인 상용화에 이를 것으로 예상된다. 때문에 그동안 삼성전자도 1c D램 개발에 주력해 왔다. 지난 3분기에는 처음으로 1c D램의 '굿 다이'(Good die; 정상적으로 작동하는 칩)를 확보하는 등 가시적인 성과도 얻었다. 나아가 삼성전자는 1c D램을 본격 양산하기 위한 준비에 나섰다. 최근 P4 내 신규 D램 라인에 1c D램 양산용 설비투자를 진행한 것으로 파악됐다. 그간 1c D램은 파일럿(시생산) 라인에서만 제조돼 왔다. 이에 따라 램리서치 등 주요 장비업체의 설비가 내년 1분기부터 반입될 예정이다. 당장의 투자 규모는 전체 D램 생산량 대비 그리 크지 않은 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자 안팎에서는 추가 투자에 대한 논의도 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 2월경 1c D램 양산용 설비 도입을 시작할 것으로 안다"며 "추가 투자는 1c D램의 수율 안정화가 어느 정도 이뤄진 후에 나오게 될 것"이라고 설명했다. 삼성전자의 1c D램은 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4(6세대 HBM) 공급 경쟁에서도 큰 의미를 가진다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E까지 1a(4세대) D램을 채용했으나, HBM4에서는 1c D램을 활용할 계획이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론은 HBM3E에 이어 HBM4에서도 1b D램을 유지한다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. 때문에 코어 다이인 D램의 성능이 HBM의 성능에 큰 영향을 미친다. 삼성전자가 HBM4에 1c D램을 성공적으로 적용하는 경우, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 회복할 수 있다는 기대감이 나오는 이유도 여기에 있다. 다만 삼성전자가 1c D램 및 HBM4를 성공적으로 양산할 수 있을 지는 아직 판단하기 어렵다. 삼성전자가 1c D램 개발에 총력을 기울이고는 있으나, 아직 안정적인 수율을 구현하지는 못했기 때문이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 둔 만큼 이를 위한 설비투자를 진행하는 것으로 보인다"며 "관건은 D램 및 HBM의 수율을 얼마나 빠르게 향상시킬 수 있는가가 될 것"이라고 말했다.

2024.12.09 11:09장경윤

삼양엔씨켐, EUV·HBM 시장 잡는다…"PR용 소재 개발"

국내 포토레지스트(PR, 감광액)용 소재 기업 삼양엔씨켐이 최첨단 반도체 시장 진입에 따른 회사 성장을 자신했다. 고난이도 노광 기술인 EUV(극자외선)용 소재의 상용화를 성공했으며, 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 분야에서도 내년 신규 소재를 상용화할 수 있을 것으로 기대된다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 6일 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 회사의 핵심 사업 및 향후 전략에 대해 이같이 밝혔다. 지난 2008년 설립된 삼양엔씨켐은 반도체 포토레지스트용 재료를 전문으로 개발하는 기업이다. 포토레지스트는 반도체 웨이퍼 위에 반도체 회로를 새기는 노광 공정에 필수적으로 활용되는 소재다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키고, 이를 통해 웨이퍼에 특정한 패턴을 만들어낸다. 삼양엔씨켐은 이 포토레지스트를 만드는 데 필요한 폴리머(고분자), PAG(광산발생제)를 양산하고 있다. 두 소재 모두 기존 일본이 주도해 온 시장이었으나, 삼양엔씨켐이 지난 2012년경 국산화에 성공했다. 현재 국내외 복수의 포토레지스트 제조업체를 통해, 삼성전자·SK하이닉스 등에 제품을 공급하고 있다. 정회식 대표는 "삼양엔씨켐은 높은 정제 기술을 기반으로 국내는 물론 국내 시장에 진출한 해외 기업들과도 거래를 확대하고 있다"며 "지난해 986억원 수준의 매출을 오는 2030년까지 3천억원으로 끌어올리고, ArF와 EUV향 비중을 기존 10%에서 30%로 높이는 것이 목표"라고 강조했다. 포토레지스트는 노광 방식에 따라 KrF(불화크립톤), ArF(불화아르곤), EUV 등으로 나뉜다, 후순으로 갈수록 기술적 난이도가 높고, 첨단 반도체 공정에서 활용된다. 특히 EUV는 7나노미터(nm) 이하의 최첨단 공정, 1a(4세대 10나노급) D램 등에서 활용도가 높다. 이를 위해 삼양엔씨켐은 국내 포토레지스트 제조업체와 협력해 EUV용 포토레지스트 소재를 개발했다. 국내 메모리기업 2곳 중 한 곳에는 공급을 시작했고, 다른 한 곳은 공급을 추진 중이다. 또한 해외 협력사와 함께 파운드리용 EUV용 소재를 개발하고 있다. 해당 소재는 내년 양산 공급할 예정이다. 또한 삼양엔씨켐은 차세대 메모리로 각광받는 HBM 분야에도 진출했다. 지난 2020년부터 HBM용 범프 폴리머 협업을 시작해, 주요 고객사와 품질 테스트를 거치고 있다. 이르면 내년부터 상용화에 들어갈 수 있을 것으로 전망된다. 해당 제품 역시 기존에는 일본 기업이 시장을 독과점해 왔었다. 정 대표는 "국내 최대 반도체 PR 소재 전문기업으로서 EUV 및 HBM BUMP 폴리머 등 차세대 반도체 핵심 소재 개발을 진행하고 있다”며 “상장 이후 회사는 시장의 수요에 발맞춘 혁신적인 소재 개발을 통해 반도체 산업의 지속 가능한 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 2025년 1월 6일~10일 5일간 진행, 같은 달 16일~17일 양일간 일반 청약을 거쳐 2월 3일 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다.

2024.12.06 14:29장경윤

SK하이닉스, 개발·양산총괄 신설…'AI 메모리' 선점 노린다

SK하이닉스가 조직개편을 통해 'AI 메모리' 시장 공략을 가속화한다. 차세대 메모리 경쟁력을 높이기 위한 개발총괄·양산총괄 조직을 새로 만들고, 주요 사업부문의 권한 및 협업 체계를 강화하기로 했다. SK하이닉스는 이사회 보고를 거쳐 2025년 조직개편을 단행했다고 5일 밝혔다. SK하이닉스는 "르네상스 원년으로 삼았던 올해 성과에 안주하지 않고, 차세대 AI 반도체 등 미래 기술과 시장을 지속 선도하기 위한 '강한 One Team(원팀)' 체제 구축에 중점을 두었다“고 강조했다. 우선 SK하이닉스는 핵심 기능별로 책임과 권한을 부여해, 신속한 의사결정이 가능하도록 'C-Level'(C레벨) 중심의 경영 체제를 도입했다. 이에 따라 사업부문을 AI Infra(CMO, 최고마케팅책임자), 미래기술연구원(CTO), 개발총괄(CDO), 양산총괄(CPO), 코퍼레이트 센터 등 5개 조직으로 구성했다. 부문별 관련된 기능을 통합해 '원팀' 의사결정이 가능하도록 한 것이다. 곽노정 CEO를 중심으로 C-Level 핵심 임원들이 주요 의사결정을 함께 이끌며, 시장과 기술의 변화에 더 민첩하게 대응하겠다는 의지다. 특히 D램과 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품의 개발 역량을 결집한 '개발 총괄'을 신설해, 차세대 AI 메모리 등 미래 제품 개발을 위한 전사 시너지를 극대화해 나가기로 했다. 이 자리에는 N-S Committee 안현 담당이 사장으로 승진해 선임됐다. 안 사장은 미래기술연구원과 경영전략, 솔루션 개발 등 핵심 보직을 거쳤고, 올해 주주총회에서 사내이사에 선임돼 회사의 기술과 전략 관련 주요 의사결정에 참여해왔다. 또한 회사는 메모리 전(前)공정과 후(後)공정의 양산을 총괄하는 '양산총괄'을 신설해, 공정간 시너지를 극대화하고 향후 용인 반도체 클러스터를 포함해 국내외에 건설할 팹(Fab)의 생산기술 고도화를 통합적 관점에서 주도하게 했다. 곽노정 대표이사 사장은 "회사 구성원들이 하나가 되어 노력한 결과 올해 HBM, eSSD 등 AI 메모리 분야에서의 기술 경쟁력을 확고히 했다”며 “괄목할만한 성장을 이뤘지만 경영환경이 빠르게 변하고 있는 만큼, 이번 조직개편과 임원 인사를 통해 기존 사업과 미래 성장 기반을 리밸런싱(Rebalancing)해 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.12.05 13:39장경윤

삼성전자 조직개편 마무리…사업 효율성·AI 역량 강화

삼성전자가 연말 조직개편을 통해 사업 운영의 효율성을 강화한다. 기존 분산된 인공지능(AI) 관련 조직을 모아 센터를 신설하고, 메모리 및 파운드리 사업부의 각 특성에 맞춰 조직을 세분화했다. 최근 정기 임원인사를 통해 공석이 됐던 주요 직책들도 후속 인사를 마무리했다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 후속 임원인사와 조직개편안을 확정하고 구성원을 대상으로 설명회를 진행했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 내에 AI 센터를 신설했다. 기존 DS 부문에서 자율 생산 체계, AI 및 데이터 활용 등을 담당하던 조직을 단일 센터로 통합해 만들었다. AI 센터의 신임 센터장으로는 송용호 메모리사업부 솔루션개발실장 부사장이 임명됐다. 또한 삼성전자는 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 각각 나눴다. 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 만큼, 각 사업부의 역량을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 메모리 제조&기술담당은 기존 통합된 제조&기술담당 조직에서 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장이 이끌 예정이다. 파운드리 제조&기술담당의 장은 통합 조직에서 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장이 내정됐다. 한진만 DS부문 파운드리사업부장 사장이 맡았던 미주총괄(DSA) 직책은 조상연 부사장이 담당한다. 조 부사장은 DSA 담당 임원으로, 1999년 삼성전자에 엔지니어로 입사해 2004년 피츠버그대 컴퓨터공학과 교수로 자리를 옮겼다. 이후 2012년 다시 삼성전자에 합류한 바 있다. DX부문 경영지원실 지원팀장을 맡고 있는 박순철 부사장은 박학규 사업지원TF 사장이 맡던 DX부문 경영지원실장을 맡게 됐다. 박 부사장은 삼성전자 미래전략실 출신으로, 네트워크 사업부, MX(모바일경험) 사업부와 사업지원TF를 두루 거쳤다. 지금까지 삼성전자의 CFO 자리는 미래전략실 출신 재무통 임원이 맡아왔다. 한편 연말 인사와 조직개편을 마무리한 삼성전자는 이달 중순부터 글로벌 전략회의에 돌입할 예정이다.

2024.12.04 17:14장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

美 규제 비껴간 中 CXMT, 내년 신규 팹 증설…삼성·SK에 위협

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 미국의 새로운 대중(對中) 반도체 수출 규제 여파를 비껴갔다. 이에 따라 중국의 레거시 D램 생산능력은 지속적으로 확대될 것으로 보여, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게는 일부 악영향을 끼칠 것으로 분석된다. 실제로 CXMT는 내년에도 신규 D램 제조공장을 건설할 계획이다. 이를 위해 최근 협력사들과 구체적인 장비 공급 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 3일 업계에 따르면 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 팹을 마련해 D램 생산능력을 확대할 계획이다. CXMT는 지난 2016년 설립된 중국 주요 D램 제조업체다. 중국 정부의 막대한 지원 하에 기술력과 생산능력을 빠르게 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 생산품목이 18~16나노미터(nm)급의 레거시 D램에 집중돼있기는 하나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게도 수익성 악화를 초래할 수 있을 정도의 규모로 분석된다. CXMT의 적극적인 투자 기조는 내년에도 지속될 것으로 관측된다. 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 내년 초부터 시행되는 이번 규제로 중국 내 반도체 및 제조장비 140여 곳이 미국의 강력한 수출규제를 받는 '우려거래자(Entity List)'에 포함됐다. 다만 CXMT는 업계의 예상과 달리 명단에서 제외됐다. 삼성증권은 관련 리포트를 통해 "미국이 원론적으로 CXMT의 저가 D램 기술이 국가 안보를 위협할 만한 수준은 아니라고 판단했을 것"이라며 "2~3년 뒤 1a(14나노급) D램이나 HBM(고대역폭메모리)를 생산하기 시작하면 규제 대상에 오를 수 있으나, 당장 내년에는 규제가 없을 가능성이 높아 (우리나라 등)메모리 경쟁사에 위협으로 느껴질 수 있다"고 설명했다. 실제로 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 D램 제조공장을 설립할 계획이다. 올 4분기 관련 협력사들과 구체적인 설비 도입 논의를 시작한 상황으로, 내년 상반기부터 본격적인 설비투자에 나설 것으로 파악됐다. 현재 업계가 추산하는 CXMT 신규 D램 공장의 생산능력은 월 최대 10만장이다. 기존 생산능력을 고려하면 중장기적으로 최대 월 30만장의 생산능력을 확보하게 되는 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT가 올해에 이어 내년에도 D램 생산능력 확장에 적극적인 모습을 보이고 있다"며 "다만 삼성전자와 SK하이닉스는 1a D램 이상의 고부가 제품 전환에 집중하고 있어, 국내 메모리 시장에 미칠 악영향은 우려 대비 축소될 수 있다"고 말했다.

2024.12.03 15:01장경윤

삼성·LG·현대차, AI 스타트업 텐스토렌트에 투자

삼성과 LG전자, 현대자동차그룹이 캐나다 인공지능(AI) 반도체 스타트업 텐스토렌트에 투자했다고 미국 블룸버그통신이 보도했다. 2일(현지시간) 짐 켈러 텐스토렌트 창업자는 미국 블룸버그통신과의 인터뷰에서 “삼성·LG전자·현대차, 세계 최대 전자상거래 업체 아마존 창업자 제프 베이조스의 투자 회사 익스페디션과 미국 금융사 피델리티 등으로부터 총 7억 달러(약 9천800억원)를 투자 받았다”고 말했다. 텐스토렌트는 고대역폭메모리(HBM) 대신 일반 D램으로 기존 AI 가속기를 대체할 수 있다며 이를 개발하고 있다. 켈러 창업자는 “값비싼 HBM을 써서는 엔비디아를 이길 수 없다”며 “HBM으로는 가격을 낮출 수 없다”고 강조했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 올린 고성능 메모리 반도체로, AI 가속기를 구동하는 데 쓰인다. AI 가속기 시장을 독점하고 있는 엔비디아는 세계 최고 AI 반도체 기업으로 평가된다. 켈러 창업자는 “텐스토렌트는 2년마다 새로운 AI 프로세서를 선보일 것”이라고 설명했다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 “매년 신제품을 발표하겠다”고 한 바 있다. 텐스토렌트는 이번에 조달한 자금을 기술 인재와 공급망을 확충하는 데 쓰기로 했다. 기술을 시연할 수 있는 대규모 AI 훈련 서버도 구축할 계획이다.

2024.12.03 11:21유혜진

스텔란티스 CEO 사임…실적 부진 책임

다국적 자동차 회사 스텔란티스의 카를로스 타바레스 최고경영자(CEO)가 사임했다. 스텔란티스는 크라이슬러·지프·램·푸조·피아트·마세라티·시트로엥 등 브랜드를 갖고 있다. 1일(현지시각) CNN·뉴욕타임스·파이낸셜타임스 등 외신에 따르면 스텔란티스는 이날 타바레스 CEO가 사임했다며 내년 상반기 신임 CEO를 선임할 것이라고 발표했다. 이전까지 존 엘칸 스텔란티스 회장이 이끈다. 스텔란티스는 이사회와 타바레스 CEO 견해가 달라 그가 회사를 떠난다고 밝혔다. 올해 초 타바레스 CEO는 “2026년 초 임기까지 자리를 지킬 것”이라고 말한 바 있다. 푸조·시트로엥그룹(PSA) 회장이던 그는 2021년 피아트·크라이슬러자동차그룹(FCA)과의 합병을 주도한 인물이라고 CNN은 소개했다. 스텔란티스는 실적이 부진해 경영난을 겪고 있다. 상반기 스텔란티스 세계 판매량은 지난해보다 10% 줄고 3분기에는 20% 급감했다. 크라이슬러와 지프 같은 스텔란티스 자동차 가격이 비싸 판매량이 줄어든 것으로 분석된다. CNN은 미국 자동차 정보 사이트 에드먼즈에 따르면 3분기 스텔란티스 자동차 평균 가격은 5만5천 달러(약 7천700만원)라며 업계에서 두 번째로 비싸다고 지적했다.

2024.12.02 10:47유혜진

김춘환 SK하이닉스 부사장 "HBM 성공 기틀, 요소기술 선행 개발로 마련"

SK하이닉스는 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '2024 산업기술 R&D 종합대전'에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다. R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 '산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상' 시상식이 진행된다. 산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받았다. 김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실이고, 함께 한 구성원 모두에게 감사 인사를 전하며 앞으로 더 많은 분에게 수상의 기회가 돌아가길 기대한다”고 말했다. 1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 HBM의 핵심인 TSV(실리콘관통전극) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다. 김 부사장은 TSV 개발에 열을 올렸던 2008년 당시에 대해 “TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구 개발에 더욱 매진했다"며 "양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐는데, 이 모든 성과의 단초였던 TSV는 현재 MR-MUF와 함께 HBM의 핵심 경쟁력이 됐다"고 밝혔다. 김 부사장의 성취는 TSV에 그치지 않는다. 그는 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또한 HKMG(High-k Metal gate) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 첨단 기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 낸드 분야의 혁신도 돋보인다. 김 부사장은 'Gate W Full Fill' 기술로 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보했고, 이를 통해 생산성을 높이는 데 기여했다. 또한 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다. 김 부사장은 "1b D램 기반의 HBM3E는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물로 볼 수 있다"며 "초고속·저전력의 LPDDR5X·LPDDR5T는 HKMG 기술 덕분에 개발할 수 있었다"고 설명했다. 끝으로 김 부사장은 AI라는 큰 변화에 맞서 나가기 위해 구성원들이 가져야 할 마음가짐을 언급했다. 그는 "신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나되어야만 목표를 달성할 수 있다"며 "퍼스트 무버로서 기술 리더십을 발휘한다면 세계 최고의 SK하이닉스로 성장할 수 있을 것”이라고 강조했다.

2024.12.02 10:09장경윤

  Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

2나노에 묶인 삼성 '엑시노스' 로드맵…최적화가 성패 가른다

서로 닮아가는 채용 플랫폼…데이팅·사주로 차별화 꾀하기도

작고 강하게…한국형 '로봇 손' 주도권 놓고 각축전

"따로 또 같이"...글로벌 서비스 ‘라인’은 현지화+기술통합 어떻게 하나

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.