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'SPHBM4' 표준 제정 임박…삼성·SK AI 메모리 새 국면 예고

반도체 업계가 새로운 HBM(고대역폭메모리) 개발을 구상하고 있다. 해당 제품은 기존 HBM과 동일한 성능을 구현하면서도 설계 난이도 및 제조비용을 대폭 낮춘 것이 특징이다. 실제 상용화 추진 시 삼성전자·SK하이닉스 등 메모리 기업들은 물론, TSMC·엔비디아 등 관련 생태계에 있는 기업 전반이 상당한 영향을 받을 것으로 예상된다. 15일 업계에 따르면 JEDEC(국제반도체표준협의회)은 새로운 HBM 표준인 'SPHBM4(Standard Package HBM)' 개발의 마무리 단계에 접어들었다. I/O 수 줄여도 대역폭 그대로…SPHBM4 개념 등장 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)를 뚫어 전기적으로 연결한 고성능 메모리다. 이 경우 대역폭을 기존 D램 대비 크게 향상시킬 수 있게 된다. 대역폭은 초당 얼마나 많은 데이터를 주고받을 수 있는 지를 나타내는 척도다. 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 핀 수를 늘리거나, I/O 핀 당 전송속도를 높이는 방법으로 향상시킬 수 있다. 일례로, 6세대 HBM인 HBM4은 데이터 전송 통로인 I/O 핀 수를 기존(1천24개) 대비 2배로(2천48개) 늘리면서 성능을 높였다. SPHBM4는 HBM4와 동일한 D램을 채용했다. 그러나 I/O 핀 수를 4:1 비율로 직렬화(Serialization)해, I/O 핀 수를 4분의 1로 줄이면서도 HBM4와 동일한 대역폭을 지원한다는 특징을 가진다. 직렬화란 여러 개의 I/O 핀에서 동시에 처리되던 데이터를 단일 I/O 핀에서 순차적으로 처리하는 방식을 뜻한다. 4:1 비율의 경우, 기존 4개 I/O 핀에서 처리되던 데이터 양을 1개 I/O 핀이 4번의 처리로 담당하게 된다. 결과적으로 SPHBM4가 잘 구동되기 위해서는 I/O 핀 당 전송속도를 4배 이상 안정적으로 구현하는 직렬화 인터커넥트 기술이 핵심이 될 것으로 관측된다. 직렬화 인터커넥트 기술로 HBM용 베이스(로직) 다이를 설계하는 미국 반도체 스타트업 엘리얀(eliyan)도 "몇 개월 내에 SPHBM4 표준이 발표되기를 기대하고 있다"며 SPHBM4에 대한 환영의 뜻을 밝혔다. 베이스 다이는 메모리의 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 주고받을 수 있도록 만들어준다. SPHBM4가 도입되면 베이스 다이 역시 새로운 구조로 설계돼야 할 것으로 관측된다. SPHBM4 도입 시 제조 난이도·비용 감소 가능 I/O 핀 수가 512개로 줄어들게 되면, 전체 HBM 패키지에서 가장 큰 변화를 맞이하게 되는 부분은 인터포저다. 인터포저는 칩과 PCB(인쇄회로기판) 사이에 삽입하는 얇은 기판이다. AI 가속기 내부의 HBM과 로직 칩은 수많은 I/O 핀이 촘촘히 박혀 있어, PCB가 직접 대응하기가 힘들다. 이 때 미세한 배선층(RDL)을 가진 인터포저를 삽입하면 칩과 PCB의 연결을 수월하게 만들어 준다. 이렇게 HBM과 GPU를 인터포저로 연결하는 기술을 2.5D 패키징이라 부른다. 대만 주요 파운드리인 TSMC가 이 분야에서 독보적인 기술력을 확보하고 있으며, 자체적으로 'CoWoS(칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트)'라는 브랜드명을 붙이고 있다. 그간 TSMC는 실리콘 인터포저, 혹은 더 작은 크기의 실리콘 브릿지로 CoWoS 공정을 제조해 왔다. 실리콘 소재가 비싼 편에 속하지만, 배선 밀도를 높일 수 있어 고집적 회로 대응에 유리하기 때문이다. 반면 SPHBM4는 I/O 핀 수가 적어 기존만큼 고밀도 기판이 필요하지 않아, 유기(Organic) 인터포저만으로도 충분히 대응이 가능하다. 유기 인터포저는 실리콘 대비 배선 밀도가 낮지만, 가격이 저렴하기 때문에 패키지 제조 비용을 낮출 수 있다. 또한 유기 인터포저는 보다 유연한 설계가 가능해, HBM과 시스템반도체 간 채널 길이를 더 길게 만들 수 있다. 이를 통해 SPHBM을 더 많이 배치해, 결과적으로 총 메모리 용량을 늘릴 수 있다는 게 JEDEC의 설명이다. 이는 TSMC의 CoWoS 기술의 일종인 'CoWoS-R'의 HBM 도입을 가속화할 것으로 기대된다. CoWoS-R은 실리콘 인터포저 대신 유기 인터포저를 사용하는 개념이다. 실제 상용화 가능성은 아직 미지수 다만 SPHBM4가 실제 상용화될 지는 아직 미지수다. JEDEC은 "SPHBM4 표준은 개발 중이거나 개발 후 변경될 수 있으며, JEDEC 이사회에서 승인이 거부될 수도 있다"고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서도 SPHBM4에 대해 공식적으로 언급한 사례는 아직 없는 것으로 파악된다. 메모리 업계 한 고위 임원은 "SPHBM4 표준 제정은 HBM 기반의 AI 가속기 제조 비용을 줄이기 위한 여러 시도 중 하나로 보인다"며 "다만 현재 빅테크 기업들은 HBM의 속도 및 밀도를 동시에 강화하는 방향을 강하게 밀어부치고 있다"고 말했다.

2025.12.15 11:22장경윤 기자

브로드컴발 훈풍에 삼성·SK 메모리 수요 '청신호'

브로드컴의 맞춤형 AI 가속기 사업이 확장되고 있다. 최근 구글 AI칩의 추가 주문을 확보했으며, AI칩 고객사 수도 기존 4곳에서 5곳으로 늘었다. 이에 따라 AI칩에 고성능 D램, HBM(고대역폭메모리) 등을 공급하는 삼성전자, SK하이닉스도 지속적인 성장동력을 확보할 수 있을 것으로 예상된다. 11일(현지시간) 브로드컴은 회계연도 2025년 4분기(11월 2일 종료) 매출 180억2천만 달러를 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비로는 13%, 전년동기 대비 28% 증가했다. 이번 브로드컴 매출은 증권가 컨센서스인 174억6천600만 달러를 상회하는 실적이다. 특히 AI 반도체 매출이 65억 달러로 전년동기 대비 74% 증가하면서 전 사업군 중 가장 강력한 성장세를 나타냈다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타·오픈AI 등 글로벌 IT 기업들의 AI 반도체 개발 및 제조를 지원해 왔다. 해당 고객사들은 엔비디아의 AI 가속기 대비 범용성은 떨어지지만, 전력 및 비용 효율성이 높은 AI 가속기 개발에 열을 올리고 있다. 브로드컴은 "고객사들이 거대언어모델(LLM) 학습 및 추론 어플리케이션을 통한 플랫폼 수익화에 맞춤형 AI 가속기(XPU)를 더욱 적극적으로 활용하고 있다"며 "이 덕분에 맞춤형 가속기 사업이 전년동기 대비 2배 이상 성장했다"고 설명했다. 최근 성과 역시 주목할 만 하다. 지난 3분기 미국 AI 스타트업 앤트로픽은 브로드컴과 100억 달러 규모의 구글 AI 가속기 TPU(텐서처리장치)를 주문한 바 있다. 올 4분기에는 앤트로픽으로부터 내년 말 납품 예정인 110억 달러 규모의 추가 계약을 체결했다. 또한 브로드컴은 최근 5번째 맞춤형 가속기 고객사를 확보하는 데 성공했다. 고객사명은 밝히지 않았으나, 10억 달러 규모의 주문으로 2026년 말 제품을 공급할 것으로 알려졌다. 중장기적으로는 오픈AI와의 협업을 통한 성장이 기대된다. 브로드컴은 "오픈AI는 자체 AI 가속기 도입을 위해 다년간의 노력을 진행 중"이라며 "오픈AI와의 10GW(기가와트) 규모의 계약은 오는 2027~2029년에 걸쳐 달성될 것"이라고 말했다. 이처럼 브로드컴의 AI 가속기 사업 확장은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 제품 수요를 촉진하는 요소로 작용한다. AI 가속기에는 고성능 D램과 HBM(고대역폭메모리) 등이 대거 탑재된다. 특히 삼성전자, SK하이닉스의 전체 HBM 공급량에서 비(非) 엔비디아가 차지하는 비중은 점차 늘어날 전망이다. 구글은 올해 HBM3E 12단을 탑재한 AI 가속기를 출시한 데 이어, 내년에도 HBM3E 기반의 차세대 제품을 지속 출시할 예정이다. 메타, AWS 등도 내년 HBM3E 수요를 적극 견인할 것으로 보인다.

2025.12.12 10:57장경윤 기자

SK하이닉스, 엔비디아와 '초고성능 AI 낸드' 개발 협력…"내년 말 샘플 제조"

SK하이닉스가 엔비디아와 협력해 기존 대비 성능을 10배가량 끌어올린 차세대 AI 낸드를 개발하고 있다. 해당 제품은 내년 말 초기 샘플이 나올 예정으로, 나아가 SK하이닉스는 2027년 말 양산 준비를 목표로 2세대 제품을 개발 중인 것으로 알려졌다. 김천성 SK하이닉스 부사장은 10일 오후 '2025 인공지능반도체 미래기술 컨퍼런스(AISFC)'에서 차세대 AI 낸드 솔루션 개발 현황에 대해 이같이 밝혔다. 현재 AI 산업은 적용처에 따라 방대한 양의 데이터 처리를 요구하는 데이터센터, 개별 기기에서 고효율·저전력 AI 기능 구현을 중시하는 온디바이스 AI로 나뉜다. SK하이닉스는 각 산업에 맞는 고부가 AI 메모리 개발에 집중하고 있다. AI 데이터센터용 메모리는 HBM(고대역폭메모리), CXL(컴퓨트익스프레스링크), AiM(지능형 메모리 반도체) 등이 대표적이다. 이에 더해 SK하이닉스는 AI-N P(성능), AI-N B(대역폭), AI-N D(용량) 세 가지 측면에서 각각 최적화된 낸드 솔루션으로 구성된 'AIN 패밀리' 라인업을 개발 중이다. 이 중 AI-N P는 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하는 솔루션이다. AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 향상시킨다. 이를 위해 회사는 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계하고 있다. 현재 SK하이닉스는 글로벌 빅테크인 엔비디아와 AI-N P에 대한 PoC(개념증명)를 공동으로 진행하는 등, 협력을 가속화하고 있다. 김 부사장은 "엔비디아와 AI-N P를 개발하고 있고, 내년 말 정도면 PCIe Gen 6 기반으로 2천500만 IOPS(1초당 처리할 수 있는 입출력 횟수)를 지원하는 샘플이 나올 것"이라며 "2027년 말 정도면 1억 IOPS까지 지원하는 제품의 양산을 추진할 수 있을 것으로 예상한다"고 말했다. 현재 데이터센터에 탑재되는 고성능 eSSD(기업용 SSD)의 IOPS는 최대 300만 수준이다. 이를 고려하면 내년 말 공개될 AI-N P의 성능은 기존 대비 8배에서 10배에 달할 것으로 관측된다. 2세대 제품은 30배 이상에 도달할 전망이다. AI-N B도 차세대 스토리지 솔루션으로 주목받고 있다. AI-N B는 메모리를 송수신하는 대역폭을 기존 SSD 대비 크게 확대한 제품으로, 업계에서는 HBF라고도 불린다. HBF은 D램을 적층해 만든 HBM과 유사하게 낸드 플래시를 적층해서 만든 제품을 뜻한다. 김 부사장은 "샌디스크와 AI-N B의 표준화 작업을 진행하고 있고, 알파 버전이 (내년) 1월 말 정도에 나올 것으로 예상한다"며 "오는 2027년 샘플이 나오면 평가 등을 진행할 계획"이라고 밝혔다.

2025.12.10 18:01장경윤 기자

"반도체 세계 2강 도약하자"…K-반도체 육성 전략 수립

우리나라 정부 및 산·학·연 주요 관계자들이 K-반도체 경쟁력 강화를 위해 뜻을 모았다. 반도체 제조 세계 1위 초격차를 유지하고, 팹리스 규모를 10배 확장하기 위한 대대적인 전략을 수립해나갈 계획이다. 산업통상부(장관 김정관, 이하 산업부)는 관계부처 합동으로 10일 오후 용산 대통령실에서 'AI 시대, K-반도체 비전과 육성전략 보고회'를 개최하고, 우리나라가 반도체 세계 2강으로 도약하기 위한 방안을 집중 논의했다. 토론에 앞서 김정관 산업부 장관은 'AI 시대, 반도체산업 전략'을 발표하고 ▲세계 최대·최고 클러스터 조성 ▲NPU개발 집중투자 ▲상생 파운드리 설립 ▲국방반도체 기술자립 ▲글로벌 No.1 소부장 육성 ▲반도체 대학원대학 설립 ▲남부권 반도체 혁신벨트 구축에 모든 정책역량을 집중하겠다고 밝혔다. 최근 미국·일본·중국 등 경쟁국은 반도체 패권 확보를 위해 막대한 보조금, 세제·금융지원, 수출통제 등을 총동원하며, AI 시대 반도체 경쟁은 국가대항전 양상으로 전개되고 있다. 우리나라는 HBM(고대역폭메모리)을 생산하는 메모리 최강국(지난해 시장점유율 65.6%)으로서 AI 반도체 붐의 직접 수혜가 기대되나, 메모리에 집중된 산업구조로 인해 AI 확산과 함께 빠르게 성장하고 있는 시스템반도체·패키징 등 분야의 경쟁력 확보가 시급하다. 따라서 팹리스·파운드리 등 시스템반도체 경쟁력 부족, 소부장 해외 의존, 우수 인력 부족 등의 위협 요인을 해소함으로써, AI 확산을 우리 반도체산업의 성장 기회로 활용하는 동시에 구조적 취약성을 보완하여 압도적인 경쟁우위를 확보할 필요가 있다. 경쟁국이 넘볼 수 없는 반도체 초격차 기술 확보 이에 정부는 AI 반도체 기술 및 생산 리더십 확보에 나선다. HBM 이후 시장을 선도할 기술로 메모리 초격차를 유지하고, AI 특화기술 분야는 신격차를 창출한다. 절대적 강자가 없는 온디바이스 AI 반도체(NPU), PIM 등 AI 추론에 특화된 반도체에 정부 R&D를 집중 투자하고, 전력효율·피지컬 AI의 핵심부품인 화합물 반도체와 핵심 기술로 부상한 첨단 패키징(후공정) 기술개발에도 지원을 확대한다. AI 시대에 필요한 생산능력을 적기에 확충하기 위해 구축 중인 반도체 클러스터에 대한 지원은 차질 없이 이어간다. 기존 생산기반과의 연계, 전·후방 밸류체인 집적 등의 강점을 통해 글로벌 반도체 생산허브로 구축할 계획이다. 이를 위해 전력·용수 등 핵심 인프라는 국가가 책임지고 구축하고, 국비 등 공공부문의 지원을 강화한다. 시스템반도체 생태계 강화에 역량 총결집 국내 팹리스를 글로벌 수준으로 키우기 위해, 수요기업이 앞에서 끌고 파운드리가 옆에서 밀착 지원하는 협업 생태계를 조성한다. 우선 차량제어 MCU·전력관리칩 등 미들테크(middle-tech) 반도체의 국산화 지원을 통해 팹리스의 안정적인 수익 기반을 창출한다. 또한 수요기업과 팹리스가 공동으로 온디바이스AI 기술개발·상용화하는 사업에 착수하고, 팹리스 대상의 공공펀드(국민성장펀드 활용)를 조성해 IP·팹리스 간 전략적 협력에 투자한다. 미들테크 팹리스의 국내 제조 지원을 위해 민관 합동으로 국가 1호 상생 파운드리를 설립하고, 국내 팹리스 전용물량 할당, 시제품 제작 지원 등 상생 프로그램을 운영한다. 상생 파운드리는 총 4조5천억원 규모의 12인치, 40나노급 공정을 민관 합동으로 구축 검토한다. 또한 수요를 뒷받침하기 위해, 국내 처음으로 국가안보 핵심 인프라(전력망·통신망·공공데이터센터 등)를 중심으로 공공기관의 국산 반도체 우선 구매 제도 마련을 추진한다. 나아가 수입 의존도가 높은(99%) 국방반도체의 기술자립 프로젝트 출범을 통해 자주국방의 기틀을 마련한다. ▲방사청-산업부-과기부 등 관계부처 간 협업을 통한 국방반도체 全전주기(소재-설계-공정-시스템) 기술개발, ▲공공 팹 중심의 초기 양산체계 구축과 ▲민간 파운드리 역량 확대를 추진한다. 이는 내년 초 '국방반도체 국산화 및 생태계 조성방안'에서 구체적인 내용을 발표할 예정이다. K-반도체의 기초체력 소부장·인재 육성 반도체 산업의 튼튼한 버팀목, 소부장ㆍ인재 육성을 강화한다. 핵심 첨단 소부장을 ASML의 노광장비와 같이 세계 최고 수준으로 키우기 위해 '반도체 소부장 글로벌 No.1 프로젝트'를 추진한다. 세부적으로, 기술·성장잠재력을 보유한 소부장 품목·기업을 대상으로 R&D 등을 전폭 지원한다. 국내 최초로 칩 제조기업과 연계한 소부장 양산 실증 테스트베드 '트리니티팹'을 금년에 출범하고, 신속 구축(2027년 개소)한다. '트리니티팹'은 향후 소자-소부장 기업 간 공동연구 거점(한국형 IMEC)으로 확대할 계획이다. K-반도체 기초체력의 또 다른 축인 반도체 고급인력 양성도 본격 추진한다. 반도체 특성화대학원 및 반도체 아카데미를 2030년까지 단계적으로 확대하고 특성화대학의 교육과정을 내실화하는 한편, 국내 첫 '반도체 대학원대학' 설립도 추진한다. 기업이 대학원대학의 설립·운영에 직접 참여해, 반도체 밸류체인 전반(설계-SW-소자-소부장)에 걸쳐 석·박사를 양성(연간 300명 목표)할 계획이다. 지역별 반도체 아카데미·실증센터와 연계해 지방의 인력양성 거점을 구축한다. 또한 'Arm 스쿨' 유치로 학생·재직자를 대상으로 한 통합 설계 교육을 운영(5년간 1천400명 양성)하고, 국내에 글로벌 선도기업(IP·EDA·장비 등)의 연구거점을 유치해 글로벌 설계·연구 허브로 조성해 나갈 계획이다. 남부권 반도체 혁신벨트 구축 수도권에 집중된 반도체산업을 전국적 공간으로 확산한다. 향후 반도체 등 첨단산업 특화단지는 비수도권에 한하여 신규 지정한다. 수도권에서 멀어질수록 인프라·재정 등 우대지원을 강화한다. 대표적으로 지방 반도체 클러스터 내 연구인력을 대상으로 유연한 노동시간을 활성화한다. 반도체 소부장 기업의 설비투자·생산 등에 대한 투자지원금 지원비율 확대 등 재정적 지원도 검토한다. 아울러, 반도체 전략 투자 활성화를 위해 지방투자와 연계하여, 기업의 자본조달 방식 다양화를 추진한다. (남부권 혁신벨트) 광주(첨단 패키징), 부산(전력반도체), 구미(소재ㆍ부품)를 잇는 남부권 반도체 혁신벨트를 통해 새로운 반도체 생산거점의 기반을 닦는다. 광주는 글로벌 패키징 선도기업이 자리하고 AI 데이터센터 구축 등으로 신규 패키징 수요가 기대되는바, 앵커 기업과 연계해 소부장 기업이 반도체 패키징 허브도시를 구축할 수 있도록 지원한다. '첨단패키징 실증센터'를 구축해 기업 R&D를 지원하는 한편, 기회발전특구나 재생에너지 자립도시 지정을 통한 인센티브 제공, 반도체 연합공대 구성 등을 통해 산-학-연 역량을 결집한다. 소자기업과 패키징기업 간 합작 패키징 팹도 추진한다. 부산은 전력반도체 소부장 특화단지를 중심으로, 인프라(8인치 SiC 실증팹 구축)를 확충하고, '가칭전력반도체지원단' 설립을 검토하는 한편, 신규 투자에 대한 패키지 지원(입지·판로·R&D 등)을 통해 전력반도체 생태계를 육성한다. 구미는 반도체 첨단산업 특화단지를 중심으로, 반도체 소재·부품 기업에 R&D 및 사업화를 집중 지원하고, 소재ㆍ부품 시험평가센터 등 실증인프라 확충, 관내 대학 간 연합교육과 산학협력을 더욱 활성화한다. 반도체산업 전략에 담긴 사업의 규모와 내용은 재정당국과 협의해 확정할 예정이다.

2025.12.10 14:21장경윤 기자

AI 열풍 속 메모리 슈퍼사이클…"2026년까지 호황 지속"

AI 열풍이 메모리 반도체 시장의 사이클을 근본적으로 바꾸고 있다. 올해 D램, 낸드플래시 가격이 잇따라 급등하며 강한 회복세를 보인 데 이어, 내년에도 호황이 이어질 것이란 전망에 힘이 실리고 있기 때문이다. 업계 안팎에서는 수요에 비해 공급이 부족할 것이라는 진단을 내놓으며 슈퍼사이클 지속 가능성을 강조하고 있다. 9일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 메모리 가격은 1분기 바닥을 찍은 뒤 3분기 급등, 4분기까지 높은 가격대를 유지하는 흐름을 보였다. D램은 HBM(고대역폭메모리)과 DDR5 중심의 공급 전환으로 레거시 DDR4 부족 현상이 심화되면서 가격이 예상보다 가파르게 올랐다. 3분기에는 주요 세트업체의 재고 확보 수요가 겹치는 양상까지 나타났으며, 4분기에는 서버·PC D램 전반으로 인상 흐름이 확산됐다. 낸드플래시는 1분기까지 공급과잉에 시달렸지만, 감산과 투자 축소 효과로 3분기부터 반등하기 시작했다. 특히 SSD·데이터센터향 제품의 주문이 늘면서 4분기에는 구조적인 타이트 구간에 접어들었다. 트렌드포스는 올해 완제품 기준 BOM(부품원가)이 8~10% 증가한 것으로 분석했다. 韓 메모리 양사 “AI 메모리 수요가 공급 앞선다” 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 양사도 2026년까지 메모리 수요가 유지될 것으로 전망했다. AI용 메모리인 HBM, DDR5, SSD 중심의 전략을 이어가겠다는 것이다. 삼성전자는 최근 컨퍼런스콜에서 “HBM3E와 차세대 HBM4 공급을 확대하더라도 2026년까지는 수요가 공급을 웃도는 구조가 유지될 것”이라고 밝혔다. 아울러 DDR5·LPDDR5X, 고용량 QLC SSD 등 고부가 제품군 비중도 지속 확대할 계획이다. SK하이닉스 역시 주요 고객사와의 협의를 근거로 “내년 HBM 공급 물량은 이미 상당 부분 소진됐다”고 밝혔다. 회사는 HBM과 서버용 DRAM, 고성능 SSD 생산 능력 강화를 위해 내년 설비투자(Capex)를 상향 조정할 방침이다. 해외 매체들은 SK하이닉스의 HBM 공급이 2027년까지 사실상 예약 완료 상태라고 보도하기도 했다. 증권가 “2026년까지 호황 지속 전망” 이에 국내 증권업계는 내년 메모리 업황에 대해 매우 낙관적인 전망을 내놓고 있다. 대신증권은 최근 보고서를 통해 “D램과 낸드 모두 2026년까지 호황이 이어질 가능성이 크다”고 분석했다. 보고서에 따르면 D램 수요 증가율은 30% 이상, 서버 D램은 40%대 성장까지 예상된다. 반면 D램 비트 공급 증가율은 20% 수준, 낸는 17% 안팎에 그쳐 수요를 따라가지 못할 것으로 봤다. 메모리 재고도 D램은 2~3주, 낸드는 약 6주로 추정돼 공급이 빠듯한 상황이라는 분석이다. 해외에서도 비슷한 전망이 나오고 있다. 노무라증권은 “메모리 슈퍼사이클이 최소 2027년까지 이어질 것”이라며 SK하이닉스를 최대 수혜주로 제시했다. D램과 낸드 가격 상승률 전망도 내년 기준 각각 50%, 60%대로 상향했다. 다만 HBM 가격 조정 가능성이 변수로 지적된다. 하나증권은 “AI 서버 수요가 견조하더라도 HBM 가격은 2026년 이후 두 자릿수 조정이 나타날 수 있다”며 “물량은 부족하지만 가격은 피크아웃 국면에 접어들 수 있다”고 분석했다.

2025.12.09 16:08전화평 기자

삼성의 시간 왔다...4분기 D램 1위 탈환 유력

올해 4분기 삼성전자가 다시 전 세계 D램 시장 1위 지위를 되찾을 전망이다. 현재 1위인 SK하이닉스 대비 범용 D램의 가격 상승에 삼성전자가 더 많은 수혜를 받기 때문이다. 삼성의 평균판매가격(ASP)이 전분기 대비 30% 이상 오를 수 있다는 의견도 나온다. 9일 업계에 따르면 삼성전자는 올 4분기 D램 매출액에서 세계 1위 자리를 탈환할 가능성이 유력시된다. 그간 삼성전자는 압도적인 생산능력을 토대로 D램 시장 점유율 1위를 기록해 왔다. 그러나 올해 1분기 SK하이닉스에 처음으로 선두 자리를 내준 바 있다. 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품에서 SK하이닉스가 큰 성과를 거둔 덕분이다. 2~3분기 역시 SK하이닉스가 간발의 우위를 점했다. 다만 올 3분기 기준 삼성전자와 SK하이닉스간 D램 매출액은 매우 근소한 수준이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 해당 분기 SK하이닉스의 D램 매출액은 137억5천만 달러, 삼성전자는 135억 달러로 집계됐다. 시장 점유율은 SK하이닉가 33.2%, 삼성전자가 32.6%다. 양사 격차는 0.6%p에 불과하다. 하지만 4분기에는 삼성전자가 다시 1위 자리를 가져갈 가능성이 유력해졌다. 글로벌 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자로 범용 D램에 대한 공급부족 현상이 심화되면서, 삼성전자의 D램 평균판매가격(ASP) 상승 현상이 두드러지고 있기 때문이다. 우선 올 4분기 삼성전자, SK하이닉스의 빗그로스(메모리 용량 증가율)는 동일한 수준이다. 양사 모두 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "4분기 D램 빗그로스는 한 자릿 수 초반 증가"라고 밝힌 바 있다. D램 수요가 폭발적으로 증가하고 있으나, 재고 수준이 낮아 출하량을 무작정 늘릴 수 없기 때문이다. 반면 ASP에서는 삼성전자와 SK하이닉스 간 다른 양상을 보일 전망이다. 현재 업계가 추산하는 삼성전자의 4분기 ASP는 전분기 대비 최소 20%대 상승이다. 최근에는 30%대로 추산하는 증권사 보고서도 발간되는 추세다. LS증권은 30%, 키움증권은 38%를 제시했다. SK하이닉스의 ASP 상승률은 20%대 초중반으로 추산된다. SK하이닉스 역시 범용 D램 가격 상승에 수혜를 입고 있으나, 삼성전자 대비 ASP 상승폭이 적을 수 밖에 없는 구조다. 원인은 HBM의 매출 비중에 있다. SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아에 HBM3E(5세대 HBM)을 주력으로 공급하고 있어, 범용 D램의 가격 상승에 따른 영향이 제한적이다. 반도체 업계 관계자는 "가격이 대체로 고정적인 HBM 대비 범용 D램의 가격이 빠르게 상승하면서, 수익성이 역전되는 사례까지 발생하고 있다"며 "삼성전자의 경우 HBM 비중이 적고, D램 가격 인상을 적극적으로 밀어부치고 있어 4분기 D램 매출 확대가 SK하이닉스 대비 뚜렷하게 나타날 것"이라고 밝혔다.

2025.12.09 10:24장경윤 기자

SK하이닉스, 내년 HBM4 '램프업' 탄력 운영

SK하이닉스가 내년 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 본격적인 양산 시점을 놓고 조절에 나섰다. 당초 내년 2분기 말부터 HBM4의 생산량을 대폭 늘릴 예정이었지만, 최근 이를 일부 시점을 조정 중으로 파악됐다. 엔비디아의 AI칩 수요 및 차세대 제품 출시 전략에 맞춰 탄력 대응에 나선 것으로 풀이된다. 8일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 HBM4의 램프업(양산 본격화) 시점을 당초 계획 대비 한 두달 가량 늦췄다. HBM4는 내년 엔비디아가 출시하는 차세대 AI 가속기 '루빈(Rubin)'부터 채용되는 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개로 확대되며, HBM을 제어하는 로직 다이(베이스 다이)가 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정에서 양산되는 점이 가장 큰 특징이다. 당초 SK하이닉스는 HBM4를 내년 2월경부터 양산하기 시작해, 2분기 말부터 HBM4 생산량을 대폭 확대할 계획이었다. 엔비디아가 HBM4 퀄(품질) 테스트를 공식적으로 마무리하는 시점에 맞춰 생산량을 빠르게 확대하려는 전략이다. 이를 위해 SK하이닉스는 대량의 샘플 시생산을 진행해 왔으며, 엔비디아의 요청에 따라 2만~3만개의 칩을 공급한 것으로 알려졌다. 그러나 최근 계획을 일부 수정했다. HBM4의 양산 시점을 내년 3~4월부터로 미루고, HBM4의 생산량을 대폭 확대하는 시점도 탄력 운영하기로 했다. HBM4 양산을 위한 소재·부품 수급도 기존 대비 속도를 늦추기로 한 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 내년 상반기부터 HBM4 생산량을 점진적으로 늘려, 2분기 말에는 HBM4 비중을 크게 확대할 계획이었다"며 "그러나 현재는 최소 내년 상반기까지 전체 HBM에서 HBM3E의 생산 비중을 가장 높게 유지하는 것으로 가닥을 잡았다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 엔비디아와 내년 HBM 물량을 논의하면서 예상 대비 HBM3E 물량을 많이 늘린 것으로 안다"며 "엔비디아 루빈의 출시 일정이 지연될 가능성이 커졌고, HBM3E를 탑재하는 기존 블랙웰 칩의 수요가 견조한 것 등이 영향을 미쳤을 것"이라고 말했다. 현재 업계에서는 엔비디아 루빈 칩의 본격적인 양산 시점이 밀릴 수 있다는 우려가 팽배하다. 엔비디아가 루빈 칩의 성능 향상을 추진하면서 HBM4 등의 기술적 난이도가 높아졌고, 루빈 칩 제조에 필수적인 TSMC의 2.5D 패키징 기술 'CoWoS'가 계속해서 병목 현상을 겪고 있기 때문이다. 이에 대해 SK하이닉스 측은 "경영 전략과 관련해서는 구체적으로 확인해드릴 수 없으나, 시장 수요에 맞춰 유연하게 대응할 계획"이라고 밝혔다.

2025.12.08 10:03장경윤 기자

SK하이닉스, 'HBM 전담' 기술 조직 신설…AI메모리 공략 가속화

SK하이닉스가 글로벌 경쟁력 확보를 위한 대대적인 조직개편에 나섰다. 미국 등 해외 지역에 컴퓨팅 시스템 아키텍처 연구를 위한 조직을 신설한 것은 물론, 차세대 HBM(고대역폭메모리) 개발에 특화된 조직 체계도 구성했다. SK하이닉스는 2026년 조직개편과 임원인사를 단행했다고 4일 밝혔다. 회사는 ”2024년, 2025년 연속으로 HBM 글로벌 1위를 유지한 SK하이닉스는 AI 메모리 시장의 새로운 표준을 제시해왔다”며 “이번 조직개편을 통해 글로벌 AI 시대를 선도하기 위한 기반을 강화하고 지속 가능한 성장 체계를 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다. 이번 조직 개편은 글로벌 경쟁력 확장을 위한 대대적인 체질 개선에 초점을 맞췄다. 이를 위해 SK하이닉스는 미국과 중국, 일본 등 주요 거점에 '글로벌 AI 리서치 센터'를 신설한다. 안현 개발총괄(CDO) 사장이 이 조직을 맡아 컴퓨팅 시스템 아키텍처 연구를 가속화하고 글로벌 빅테크 기업들과 협력을 강화할 계획이다. 특히 미국 AI 리서치 센터에는 글로벌 구루(Guru)급 인재를 영입해 시스템 연구 역량을 업계 최고 수준으로 끌어올릴 예정이다. 동시에 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 팹 구축을 본격화하고 글로벌 생산 경쟁력 강화를 전담하는 '글로벌 인프라' 조직을 신설한다. 국내 이천과 청주의 생산 현장에서 풍부한 경험을 쌓아온 김춘환 담당이 이 조직을 이끌며 글로벌 생산 체계의 일관성을 강화해 AI 메모리 수요 확대에 선제적으로 대응한다는 전략이다. 글로벌 경영 환경과 지정학 이슈를 심층 분석하고, AI와 반도체 중심의 전략 설루션을 제시할 '매크로 리서치 센터'도 세운다. 이곳에 글로벌 거시경제부터 개별 산업, 기업 분석에 정통한 전문가를 영입해 미래 대응 역량을 한층 강화한다. 나아가 회사는 글로벌 수준의 인텔리전스 체계를 고도화하기 위해 고객 중심 매트릭스(Matrix)형 조직인 '인텔리전스 허브'를 운영한다. 이 조직은 고객∙기술∙시장 정보를 AI 기반 시스템으로 통합 관리해 고객 기대 이상의 가치를 제공하는 데 필요한 통찰력 확보에 주력한다. SK하이닉스는 HBM 1등 기술 리더십을 이어나가기 위한 조직 개편도 진행했다. 주요 HBM 고객들에 대한 신속한 기술 지원을 위해 미주 지역에 HBM 전담 기술 조직을 신설한다. 또한 커스텀(Custom) HBM 시장 확대에 적기 대응하기 위해 HBM 패키징 수율, 품질 전담 조직도 별도 구축해, 개발부터 양산, 품질 전 과정을 아우르는 HBM 특화 조직 체계를 완성했다. 한편, SK하이닉스는 총 37명의 신규 임원을 선임하며 차세대 리더 육성을 가속화했다. 이 중 70%는 주요 사업·기술 분야에서 발탁했고, 기술·지원 조직에서는 80년대생 여성 임원도 배출하며 기술 기업의 성과 중심 인사 원칙을 일관되게 이어갔다. 회사의 중장기 성장을 이끌 미래 리더십 체계도 강화한다. 제조·기술 분야 핵심 리더 이병기 담당을 'C-Level'(C레벨) 핵심 임원인 '양산총괄(CPO)'로 승진시켜 SK하이닉스의 글로벌 생산 체계 혁신을 맡겼다. 수율과 품질 전문가인 권재순 담당과 eSSD 제품 개발을 주도한 김천성 담당도 회사의 주요 보직인 M&T 담당, 설루션(Solution) 개발 담당으로 각각 승진해 향후 회사를 이끌어 갈 경영자로서의 역량을 확고히 하게 됐다. 또한 전사 지원 조직 기능을 통합적으로 조율하는 코퍼레이트 센터(Corporate Center) 산하 주요 임원에 김동규 담당(미래전략), 강유종 담당(구매), 진보건 담당(기업문화) 등을 선임해 세대교체도 진행했다. 곽노정 SK하이닉스 CEO는 "이번 조직개편과 임원인사는 풀스택 AI 메모리 크리에이터로 도약하기 위한 필수적 조치”라고 강조하며 “세계 시장을 선도하는 글로벌 리딩 컴퍼니로서의 경쟁력을 더욱 강화하는 계기가 될 것”이라고 말했다.

2025.12.04 13:49장경윤 기자

마이크론, 소비자 사업 철수...'AI 메모리'에 힘 준다

미국 주요 메모리 제조기업 마이크론이 소비자용 메모리 출하를 내년 초 중단한다. 전 세계 AI 인프라 투자로 수요가 폭증하는 AI 데이터센터용 고부가 메모리 사업에 집중하기 위한 전략으로 풀이된다. 마이크론은 소비자용 브랜드 제품 판매 부문인 '크루셜(Crucial)' 사업에서 철수하겠다고 3일 발표했다. 크루셜은 마이크론이 지난 1996년 출시한 소비자용 메모리 및 스토리지 브랜드다. PC에 탑재되는 D램 및 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 주력으로 공급해 왔다. 이번 마이크론의 결정은 AI 데이터센터 시장의 급격한 성장세에 따라, 수요가 증가하는 고부가 메모리 사업에 집중하기 위한 전략으로 풀이된다. B2B(기업간거래) 전략 고객향 메모리 공급은 일반 소비자용 대비 수익성이 높고, 장기적인 계약을 체결하기 때문에 사업 안정성이 높다. 수밋 사다나 마이크론 부사장 겸 최고사업책임자(CBO)는 "마이크론은 빠르게 성장하는 시장에서 규모가 크고 전략적인 고객들을 위한 공급 및 지원을 개선하고자, 크루셜 브랜드 사업 철수라는 어려운 결정을 내렸다"고 설명했다. 마이크론은 2026 회계연도 2분기 말인 2026년 2월까지만 크루셜 브랜드 제품을 출하할 예정이다. 기존 제품에 대한 보증 및 지원은 계속 제공한다.

2025.12.04 10:38장경윤 기자

車 반도체로 돌파구 찾는 삼성 파운드리, 현대차에 14나노 eM램 공급

삼성전자의 아픈 손가락이던 파운드리(반도체 위탁생산)가 차량용 반도체를 발판 삼아 반등하고 있다. 테슬라 AI6, 현대차 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛) 등을 수주한 데 이어 eM램까지 현대차에 공급하게 된 것이다. 이를 통해 삼성 파운드리는 차량용 파운드리 사업을 강화하게 됐다. 3일 반도체 업계에 따르면 삼성 파운드리는 현대차에 14nm(나노미터, 10억분의 1m) 핀펫(FiNFET) 공정을 통해 양산된 eM램(embedded Magnetic Random Access Memory)을 공급하는 것으로 확인됐다. eM램은 반도체 내부에 직접 내장된 자성을 이용해 데이터를 저장하는 메모리 반도체다. 낸드플래시처럼 비휘발성 메모리로, 전원을 꺼도 데이터가 유지되면서도 속도는 낸드와 비교해 약 1천배 빠르다. 그러면서도 전력 소모는 낮아 자동차 산업에서 수요가 증가하고 있다. eM램이 메모리지만 파운드리에서 양산된다. 일반적인 메모리 반도체가 고객사에 판매하기 위한 개별 상품이라면, eM램은 로직 안에 집적되는 공정 기술이기 때문이다. 완제품 칩에 포함되는 일종의 블록인 셈이다. 삼성전자는 앞서 2024년 5월 14나노 eM램 공정 개발을 완료했다고 밝힌 바 있다. 정기태 삼성전자 부사장은 당시 AI-PIM 워크숍에서 “보안에 대한 중요성이 높아지면서, 시스템반도체에도 내부에서 데이터를 저장하고 처리하는 임베디드 메모리의 필요성이 점차 높아지고 있다”며 “14나노 공정은 개발 완료됐고, 8나노도 거의 완료가 된 상태”라고 설명했다. 그러면서 “5나노까지 계속 기술 개발을 진행해나갈 것”이라고 덧붙였다. 삼성전자는 2026년 8나노, 2027년에는 5나노까지 eM램 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eM램의 경우 14나노 대비 집적도는 30%, 속도는 33% 증가할 것으로 전망된다. 삼성 파운드리, 선단부터 성숙까지 차량용 포트폴리오 활성화 삼성 파운드리는 eM램 공급에 더해 테슬라와 현대차 등 글로벌 완성차 기업의 수주를 잇달아 확보하며 차량용 파운드리 환경을 빠르게 넓혀가고 있다. 잎서 지난 7월 테슬라는 자사 FSD(Full Self-Driving)용 차세대 AI 반도체인 'AI6' 생산 파트너로 삼성전자를 선택한 바 있다. AI6는 2나노 공정을 통해 양산되는 고성능 칩으로, 내후년 중 출시가 전망된다. 업계에서는 삼성 파운드리가 선단 공정 경쟁력을 입증한 사례로 평가한다. 스윗 스팟으로 평가받는 8나노 공정에서도 고객 확보가 이어지고 있다. 삼성 파운드리는 현대차에 8나노 MCU 양산을 준비하는 중이다. 2028년까지 개발을 완료하고, 2030년 양산을 목표로 한다. 아울러 현대차 프리미엄급 차량에 탑재되는 5나노 자율주행칩도 삼성 파운드리가 수주할 가능성이 크다. 내년 산업통상자원부에서 진행하는 'K-온디바이스 AI반도체' 사업을 통해 설계 등 협력사를 결정한다. 이 때 현대차는 그간 미뤄오던 자율주행용 5나노 칩 사업자를 선정한다. 국내에서 진행되는 사업인 만큼 삼성 파운드리를 이용할 것이라는 게 업계 관계자들의 중론이다. 이를 통해 삼성전자 파운드리는 초미세공정(2나노), 미세공정(5·8나노), 성숙공정(14나노) 등 대부분 공정에서 차량용 칩 레퍼런스를 확보하게 됐다. 삼성전자 관계자는 “고객사 관련된 내용에 대해서는 답변할 수 없다”고 전했다.

2025.12.03 14:58전화평 기자

삼성전자, 엔비디아향 HBM4 최종 평가 단계 돌입

삼성전자가 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 위한 마지막 단계에 들어선다. 이달부터 실제 AI칩과 최종 HBM 샘플을 패키징 및 테스트하는 과정에 착수할 것으로 파악됐다. 그간 삼성전자가 HBM4 성능 및 수율 향상에서 많은 진전을 이뤄냈으나, 현재로서는 HBM4의 적기 상용화 가능성을 단언하기에는 무리가 있다는 평가가 있었다. 엔비디아가 요구하는 충분한 물량의 샘플로 테스트를 거치지 않아, 초기 결과만을 확인할 수 있었기 때문이다. 테스트 일정을 고려하면 삼성전자 HBM4의 상용화 윤곽이 드러나는 시점은 빨라야 내년 1분기께가 될 전망이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스 역시 내년 초까지는 패키징 단에서의 테스트를 지속할 것으로 관측된다. 삼성전자, HBM4 상용화 위한 마지막 평가 목전 3일 지디넷코리아 취재에 따르면, 삼성전자는 이달부터 엔비디아향 HBM4 최종 샘플에 대한 2.5D 패키징 테스트를 진행할 계획이다. HBM4는 엔비디아가 내년 하반기 출시할 예정인 차세대 AI 가속기 '루빈'에 처음으로 탑재되는 차세대 HBM이다. 삼성전자를 비롯해 SK하이닉스, 마이크론이 엔비디아로부터 대량으로 샘플을 요청받은 바 있다. 이에 삼성전자는 지난 9월 말부터 엔비디아향으로 CS(커스터머샘플; 양산용으로 평가하는 샘플) 초도 물량을 공급했다. 이후 지난달 최종 샘플에 대한 추가 공급을 실시하며, 엔비디아가 요구하는 샘플 물량을 일정 수준 충족한 것으로 알려졌다. CS 샘플 테스트의 핵심은 2.5D 패키징에 있다. 2.5D 패키징은 HBM과 루빈 칩 같은 AI 가속기를 기판에 실장하는 공정으로, 가운데에 칩과 기판을 연결해주는 얇은 막(인터포저)를 삽입한다. 엔비디아의 경우 대만 주요 파운드리인 TSMC에 이 공정을 맡긴다. TSMC는 자체적으로 개발한 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS(칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트)' 양산 라인을 보유하고 있다. 최종 HBM4 샘플이 2.5D 패키징 및 테스트에 돌입한 만큼, 삼성전자는 HBM4의 제품 상용화를 위한 마지막 단계에 접어든 것으로 평가 받는다. 다만 아직까지 삼성전자의 HBM4 상용화 여부를 판단하기에는 이르다는 게 업계의 시각이다. HBM4 자체에 오류가 없더라도, 실제 루빈 칩과의 연결성을 확인하는 2.5D 패키징에서 오류가 발생하면 양산이 불가능하기 때문이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 최종 HBM4 샘플이 이달부터 2.5D 패키징 및 완성품에 대한 테스트를 받을 예정"이라며 "테스트 일정을 고려하면 빨라야 내년 1분기께 실제 상용화 여부에 대한 윤곽이 드러날 것으로 보인다"고 설명했다. 반도체 패키징 업계 관계자는 "실제 AI 반도체 제조에는 HBM과 AI 가속기, 각종 보조 칩들을 모듈화해서 전체적으로 신뢰성을 봐야하기 때문에 HBM 자체 수율 및 성능과는 결이 다르다"며 "루빈 칩의 상용화 과정에서 CoWoS가 가장 중요한 요소"라고 말했다. 2.5D 패키징 신뢰성 확보까지 속단은 '금물'…내년 초 윤곽 실제로 삼성전자에 앞서 먼저 HBM4 샘플을 공급했던 SK하이닉스도 2.5D 패키징 및 테스트 하는 과정에서 여러 개선 작업이 필요했던 것으로 파악됐다. SK하이닉스가 최근 해외 IR 행사를 통해 "HBM4에 대한 재설계, 인증 지연 문제는 없다"고 밝혔으나, 일부 국지적인 문제 해결을 위해 개선품을 지속해서 만들어왔다는 게 업계의 전언이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아의 칩 성능 상향 요구, 이전 세대 대비 HBM4의 I/O(입출력단자) 2배 증가 등으로 CoWoS 단에서 해결해야 할 이슈들이 계속 발생해 왔다"며 "다만 현재는 SK하이닉스가 개선된 샘플 설계를 완료한 상태로, 내부에서도 심각한 위기로 인지하지 않는 것으로 안다"고 밝혔다. 결과적으로 SK하이닉스 역시 내년 초까지 HBM4 최종 샘플에 대한 2.5D 패키징 테스트를 지속할 전망이다. 현재 엔비디아가 메모리 공급사에 제시한 HBM4 공식 퀄(품질) 테스트 일정 완료 시기는 내년 1분기 말로, 그 전까지는 메모리 공급사 모두 HBM의 안정화 및 수율 개선에 총력을 기울일 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 HBM4 최종 샘플에 대한 테스트를 가장 먼저 진행한 만큼 가장 앞서 있으나, 모든 불확실성이 제거되는 시점은 내년 1분기"라며 "루빈 상용화를 위한 각 요소에 필요한 기술의 난이도가 상당히 높아 업계 예상보다 HBM4 및 루빈의 양산 일정이 전체적으로 밀릴 가능성도 높아졌다"고 설명했다.

2025.12.03 14:48장경윤 기자

삼성 세계 최초 12나노급 GDDR7 대통령상…추론 AI 시장서 '각광'

삼성전자의 최첨단 GDDR7 D램이 국가 산업경쟁력 강화에 기여하는 미래전략 기술로 인정 받았다. 해당 D램은 업계 최초로 12나노미터(nm)급 미세 공정을 적용한 고성능·고용량 그래픽 D램으로, 엔비디아 등이 주목하는 추론 AI 시장에서 핵심 역할을 담당할 것으로 관측된다. 삼성전자는 3일 서울 코엑스에서 개최되는 '2025 코리아 테크 페스티벌'에서 12나노급 40Gbps 24Gb GDDR7 D램으로 2025 대한민국 기술대상 대통령상을 수상했다. GDDR은 그래픽 처리에 특화된 D램으로, 일반 D램 대비 대역폭이 높아 한 번에 더 많은 데이터를 전송할 수 있다. GDDR7은 현존하는 GDDR 중 가장 최신 세대에 해당한다. GDDR7은 AI 시장에서 핵심 메모리로 빠르게 자리매김하고 있다. 특히 AI 경쟁의 초점이 기존 학습에서 추론으로 넘어가면서 GDDR7의 가치는 더욱 부각되는 추세다. AI 학습이 더 높은 메모리 용량 및 대역폭을 요구하는 데 비해, AI 추론은 효율성을 더 중시하기 때문이다. GDDR7은 고대역폭메모리(HBM) 대비 비용 효율, 전력효율, 경량성에서 강점을 가지고 있다. AI 시장의 주요 플레이어들 역시 GDDR7을 주목하고 있다. 엔비디아는 지난 9월 공개한 추론 전용 GPU인 루빈 CPX(Rubin CPX)'에 128GB GDDR7을 탑재할 것이라고 밝혀, GDDR7의 시장 입지를 한층 강화할 전망이다. 이에 삼성전자도 엔비디아와의 협력을 통해 시장 주도권을 공고히 할 것으로 관측된다. 김동원 KB증권 연구원은 "최근 엔비디아가 삼성전자에 GDDR7 공급 확대를 대폭 요청해 평택 라인의 생산능력이 두 배 이상 확대될 것"이라며 "가격 프리미엄을 받고 있는 GDDR7이 향후 D램 사업의 수익성 개선을 견인할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 올해 초부터 12나노급 GDDR7 D램 양산에 나섰다. 그래픽 D램 중 최초로 24Gb를 구현했으며, 최대 42.5Gbps 속도 및 총 1.92TB/s 대역폭을 지원한다. 또한 고열전도성 신소재 적용으로 패키지 열저항 특성을 이전 GDDR7 제품 대비 11% 개선하는 데 성공했다.

2025.12.03 11:07장경윤 기자

삼성전자, 16~18일 글로벌 전략회의…내년 사업 전략 수립

삼성전자가 이달 중순 글로벌 전략회의를 진행한다. 이 자리에서는 스마트폰과 반도체 등 핵심 분야 내년 사업 전략이 논의될 것으로 보인다. 2일 재계에 따르면 삼성전자는 오는 16~18일 사흘간 디바이스경험(DX) 및 디바이스솔루션(DS) 부문을 나눠 '하반기 글로벌 전략협의회'를 열 예정이다. 이번 회의는 노태문 DX부문장(사장)과 전영현 DS부문장(부회장)이 각각 회의를 주관할 것으로 알려졌다. 각 부문에서 회의에 참석하는 총 인원은 300명에 달할 전망이다. 세부적으로 DX 부문은 16~17일, DS 부문은 18일 회의를 진행한다. 이재용 회장은 예년처럼 회의에 직접 참석하지 않고 추후 사업 전략 등을 보고받을 것으로 전해진다. 이번 회의에서 DX부문은 '갤럭시S26' 시리즈 등 내년 플래그십 스마트폰의 판매 전략 및 목표 등이 주요 안건에 오를 가능성이 유력하다. 현재 반도체 가격 상승과 환율 변화, 글로벌 공급망 등 대외적인 변수가 산재한 만큼, 노태문 사장을 필두로 대책 마련에 심혈을 기울일 것으로 예상된다. DS부문은 HBM(고대역폭메모리), 2나노미터(nm) 이하의 최첨단 파운드리 공정 등 고부가가치 제품과 최근 AI 산업의 활황으로 가격이 급등하고 있는 범용 메모리 간의 생산 전략 등이 집중 논의될 것으로 관측된다. 한편 삼성SDI·삼성전기 등 주요 관계사들도 이달 전략회의를 통해 내년도 사업계획을 수립할 것으로 알려졌다.

2025.12.02 16:51장경윤 기자

기판 업계, 금·CCL 가격 상승 부담…고부가 제품 활로 개척

국내 반도체 기판 업계 내 원자재 가격 상승 부담이 심화되고 있다. 금 등 핵심 소재 가격이 올해 하반기까지 두 자릿 수로 증가한 탓이다. 다만 기판업체들은 대체로 수익성 확보에 낙관적인 입장으로, 차세대 메모리 및 AI 반도체 수요에 따른 고부가 제품 비중 확대를 추진하고 있다. 28일 업계에 따르면 반도체기판의 주요 소재인 금, CCL(동박적층판) 가격은 올해 급격한 상승세를 기록하고 있다. 현재 D램 및 SSD 모듈, 시스템반도체에는 인쇄회로기판(PCB)이 필수적으로 활용되고 있다. PCB는 반도체 및 수동소자 부품들을 전기적으로 연결해주는 기판이다. 국내에서는 대덕전자, 심텍, 코리아써키트, 티엘비 등이 관련 사업을 영위하고 있다. PCB의 원재료에서 금, CCL 소재가 차지하는 비중은 절반에 육박하는 것으로 알려져 있다. 금의 경우 청화금카리(PGC)가 가장 핵심 소재로 쓰인다. 티엘비·심텍 등에 따르면, PGC 가격은 지난 2023년 그램(g)당 5만원대에서 지난해 7만원, 올해 3분기 9만9천원으로 2배 가까이 올랐다. 미·중간 패권 전쟁, 러·우 전쟁 장기화, 금리인하 정책 등이 맞물리면서 금값이 폭등했고, 관련 소재 역시 가격이 크게 오른 탓이다. CCL은 반도체 모듈용 PCB 외에도 패키지기판에 활용되고 있어, 영향 범위가 더 넓다. CCL은 반도체 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만들어진다. 반도체 패키지기판의 대표적인 제품은 FC-BGA(플립칩-볼그레이드어레이)다. FC-BGA는 반도체 칩을 뒤집은(플립) 뒤, 미세한 금속 돌기인 범프로 연결하는 패키지기판이다. 국내에서는 삼성전기·LG이노텍 등이 사업을 진행하고 있다. 삼성전기·LG이노텍에 따르면, 올 3분기 기준 CCL 매입가격은 전년 대비 10% 초중반 수준으로 상승했다. CCL이 AI 반도체 활황으로 수요가 급증했고, 특히 T-글라스 등 핵심 소재의 공급난이 심각해졌기 때문이다. 다만 기판업계는 고부가 제품 비중 확대로 원자재 비용 상승 부담을 상쇄할 수 있을 것으로 보고 있다. D램의 경우 내년 1c(6세대 10나노급) D램의 본격적인 상용화로 8Gbps 급의 고성능 DDR5 상용화가 예상된다. 2세대 SoCAMM(소캠)용 PCB도 본격적으로 양산될 예정이다. 소캠은 엔비디아가 AI 서버를 겨냥해 독자 개발해 온 차세대 메모리 모듈로, 저전력 D램(LPDDR)을 4개씩 집적해 I/O(입출력단자) 수를 크게 늘린 제품이다. FC-BGA는 전 세계 빅테크 기업들이 자체 ASIC(주문형반도체)를 개발함에 따라, AI 가속기향으로 수요가 크게 늘어나는 추세다. 이에 삼성전기와 LG이노텍 등은 고성능 FC-BGA 개발 및 고객사 확보에 적극 나서고 있다. 기판업계 관계자는 "기판용 금 소재는 대체재 개발이 어려워, 사실상 원자재 가격 상승 부담을 피할 수 없을 것"이라며 "그러나 차세대 메모리와 AI 가속기 시장 확대에 따른 고부가 기판 수요도 늘어나고 있어, 계속해서 수익성을 강화할 수 있을 것"이라고 말했다.

2025.11.28 14:08장경윤 기자

삼성전자, 메모리개발 통합 조직 신설…산하에 HBM개발팀 배치

삼성전자가 메모리 개발을 통합하는 담당조직을 신설하고, 산하에 HBM(고대역폭메모리) 개발팀을 재배치하는 조직개편을 실시했다. 27일 업계에 따르면 이날 삼성전자는 임원 대상 설명회를 열고 조직개편과 관련한 내용을 발표했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 메모리개발 담당 조직을 신설하고, 황상준 D램 개발실장(부사장)을 총괄 임원으로 내정했다. 황 부사장은 삼성전자 내에서 고부가 D램 및 HBM 개발을 이끌어온 인물로 알려졌다. 또한 삼성전자 HBM개발팀이 신설조직 내 설계팀 산하로 편성돼, HBM4와 HBM4E 등 차세대 제품 개발을 이어갈 예정이다. 앞서 삼성전자는 지난해 7월 조직개편을 통해 HBM개발팀을 별도로 신설한 바 있다. 수율 및 제품 안정성 문제로 주요 경쟁사인 SK하이닉스에 HBM 시장 주도권을 내준 후, 경쟁력 회복을 위해 개발 역량 및 인력을 한 데 끌어모으기 위한 조치였다. 그러나 이번 인사로 HBM개발팀은 메모리개발 담당 소속으로 재편됐다. 내부적으로 HBM 관련 기술력이 정상화 궤도에 올랐다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 현재 삼성전자는 엔비디아 등 주요 고객사에 HBM4를 공급하기 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 반면, 삼성전자는 이보다 앞선 1c(6세대 10나노급) D램을 채용해 경쟁력 강화를 꾀했다.

2025.11.27 13:20장경윤 기자

SK하이닉스, 3분기 연속 D램 점유율 1위 수성

SK하이닉스가 올해 3분기 글로벌 D램 시장에서 3분기 연속 1위를 차지하며 메모리 반도체 주도권을 이어갔다. 26일 시장조사업체 트렌드포스가 발표한 올해 3분기 D램 산업 보고서에 따르면 SK하이닉스는 전체 D램 시장 매출 414억 달러 가운데 33.2%의 점유율을 올리며 1위를 수성했다. SK하이닉스의 상승세는 HBM(고대역폭메모리) 수요 증가가 견인한 것으로 보인다. AI 서버와 LLM(대규모 언어 모델) 학습 수요가 폭발적으로 늘며 HBM 출하량이 크게 증가했고, 범용 D램 수요 또한 회복세에 접어들며 매출 확대에 힘을 보탠 것이다. 다만 SK하이닉스와 삼성전자 모두 시장 점유율이 전 분기 대비 하락했다. SK하이닉스는 38.7%에서 33.2%로, 삼성전자는 32.7%에서 32.6%로 소폭 감소했다. SK하이닉스와 삼성전자의 점유율이 감소한 반면, 3위 마이크론의 점유율은 상승했다. 마이크론의 3분기 시장 점유율은 25.7%다. 이는 전 분기 점유율인 22% 대비 3.7%p(포인트) 증가한 수준이다. 매출의 경우 3사 모두 전분기 대비 상승했다. SK하이닉스는 137억5천만달러 매출로 전 분기 대비 12.4%, 삼성전자는 30.4% 오르며 135억달러 매출을 기록했다. 3위 마이크론은 전 분기보다 53.2% 증가한 106억5천만달러의 매출을 올렸다. 4분기에도 D램 가격 상승세는 이어질 전망이다. 트렌드포스는 4분기 범용 D램 가격은 전 분기 대비 45~50% 상승하고, HBM을 포함한 전체 D램 가격은 50~55% 상승할 것으로 예상했다. D램 공급업체 재고도 거의 소진된 상태라고 전했다. 트렌드포스는 "클라우드서비스업체(CSP)들이 계속해서 적극적으로 물량을 확보하고 있고 다른 수요처도 공급 확보를 위해 가격을 올릴 수밖에 없는 상황"이라며 "첨단 및 범용 제품, 모든 응용처 전반에서 계약가가 빠르게 상승할 것"이라고 전했다.

2025.11.26 17:37전화평 기자

"더 빠르고 더 넓게"...삼성 vs SK하이닉스, 초고속 D램 기술 첫 공개

삼성전자와 SK하이닉스가 '국제고체회로학회(ISSCC) 2026'에서 차세대 D램 기술을 대거 공개하며 AI 시대 메모리 경쟁의 본격적인 개막을 알렸다. SK하이닉스는 그래픽·모바일용 GDDR7과 LPDDR6, 삼성전자는 HBM4를 발표하며 서버·그래픽·모바일 전 영역에서 차세대 표준을 제시했다. SK하이닉스, 더 빨라진 그래픽·저전력 D램 공개 김동균 SK하이닉스 펠로우는 26일 스페이스쉐어 서울역 센터에서 진행된 ISSCC 프레스 컨퍼런스 메모리 분과 발표를 통해 국내 메모리 양사의 기술 현황에 대해 설명했다. 먼저 SK하이닉스는 이번 행사에서 핀당 48Gb/s 속도와 24Gb 용량을 갖춘 GDDR7을 공개했다. 이 제품은 대칭형 2채널 모드를 적용해 GPU·AI 엣지 추론·게이밍 등 고대역폭 환경을 겨냥한 설계다. 김 펠로우는 “AI 시대에는 D램에서 요구되는 인터페이스 대역폭이 모든 세그먼트에서 빠르게 증가하고 있다”며 “GDDR7도 48Gb/s까지 속도가 올라가고 있다”고 밝혔다. SK하이닉스는 GDDR7 내 ▲인터페이스 ▲내부 회로 ▲프로세스 등을 개선하며 속도를 더 빠르게 조정했다. 또한 SK하이닉스는 14.4Gb/s LPDDR6도 처음 공개했다. 기존 LPDDR5(9.6Gb/s) 대비 대역폭이 크게 늘어나며, 생성형 AI 기능을 내장한 고성능 스마트폰·AI PC·엣지 디바이스용으로 최적화된 모바일 D램 기술이다. 삼성전자, 36GB·3.3TB/s HBM4첫 공개…AI 서버용 초고대역폭 메모리 삼성전자는 이번 ISSCC에서 36GB 용량과 3.3TB/s 대역폭을 구현한 차세대 HBM4를 처음으로 선보였다. HBM4는 1c D램 공정을 기반으로 TSV(실리콘 관통 전극) 구조를 고도화해 채널 간 신호 지연을 줄이고, 차세대 AI 가속기가 요구하는 초고대역폭·저전력 전송 성능을 확보한 것이 특징이다. 이날 발표 자료에 따르면 삼성전자의 HBM4는 기존 세대 대비 대역폭이 크게 향상돼 대규모 파라미터를 처리하는 AI 학습·추론 시스템에서 병목을 최소화할 수 있다. 특히 고성능 GPU 및 AI ASIC 업체들이 요구하는 3TB/s 이상 메모리 처리량을 만족해, 내년 이후 출시될 AI 서버용 가속기에 폭넓게 도입될 것으로 전망된다. 김 펠로우는 “D램은 밴드위스(대역폭), 파워 이피션시(전력 효율) 요구를 충족하기 위해 계속 진화하고 있다”며 “GDDR7, LPDDR6, HBM4 모두 그런 트렌드상의 진화를 반영한 제품”이라고 설명했다.

2025.11.26 16:02전화평 기자

SK하이닉스-세븐일레븐, '허니바나나맛 HBM 칩스' 출시

SK하이닉스는 26일 편의점 세븐일레븐과 함께 반도체 콘셉트의 스낵 제품 '허니바나나맛 HBM 칩스(Chips)'를 출시한다고 밝혔다. SK하이닉스는 "일반 대중이 반도체를 보다 친근하게 느끼도록 하려는 기획"이라며 "딱딱한 B2B 기술기업이라는 이미지를 넘어 대중에게 한 걸음 더 다가가기 위한 의미 있는 시도"라고 설명했다. 'HBM 칩스'는 '허니(Honey) 바나나(Banana) 맛(Mat) 과자(Chips)'의 약자다. 이 제품은 회사가 글로벌 시장을 선도하고 있는 AI용 메모리 'HBM(High Bandwidth Memory)'과 반도체를 의미하는 '칩(Chip)'을 중의적으로 표현한 것이다. 이번 제품은 반도체 칩을 본뜬 사각형 형태로 제작됐다. 고소한 옥수수칩에 허니바나나맛 초콜릿을 더해 씹을수록 은은한 초코바나나향이 퍼지는 것이 특징이다. 전국 세븐일레븐 매장에서 구매 가능하며, 제품에 동봉된 스티커 카드의 일련번호로 응모 시 1등 금 10돈을 비롯해 다양한 경품을 제공하는 이벤트도 함께 진행한다. SK하이닉스는 이번 제품 출시를 시작으로 내달경 HBM 제품을 의인화한 캐릭터를 공개하며 본격적인 홍보에 나설 계획이다. 이 캐릭터는 '최신형 HBM칩을 탑재한 휴머노이드'라는 세계관을 바탕으로 한다. 회사는 이 캐릭터를 향후 공식 소셜미디어, 유튜브, 굿즈(Goods), 체험형 프로그램 등 다양한 채널에서 활용할 계획이다. 이를 통해 반도체 기술이 대중에 친근하고 흥미롭게 다가갈 수 있도록 할 방침이다. SK하이닉스는 "과자를 먹는 즐거운 경험 속에서 소비자들이 자연스럽게 반도체와 우리 회사를 떠올릴 수 있도록 하는 것이 이번 프로젝트의 목표"라며 "전문적이고 어렵게만 여겨지던 반도체 기술을 일상의 재미있는 경험으로 연결하는 브랜드 혁신을 계속 이어가겠다"고 강조했다.

2025.11.26 09:31장경윤 기자

삼성전자, 4분기 D램 평균판가 10% 후반 넘본다

삼성전자, SK하이닉스가 AI 산업 주도로 촉발된 D램 '슈퍼 사이클'의 수혜를 톡톡히 보고 있다. 고부가 및 레거시 D램에 대한 고객사 주문이 폭증하면서, 4분기 삼성전자의 D램 평균판매가격(ASP)이 전분기 대비 10% 후반까지, SK하이닉스는 한 자릿수 후반까지 상승할 것이라는 관측이 나온다. 21일 업계에 따르면 국내 주요 메모리 공급사의 올 4분기 D램 ASP는 당초 예상 대비 크게 증가할 전망이다. 최근 메모리 시장은 글로벌 빅테크의 공격적인 AI 인프라 확장에 따라 수요가 급증하고 있다. 특히 서버용 D램, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 주문이 활발했다. PC, 스마트폰 등에 탑재되는 범용 D램도 극심한 수급난에 시달리고 있다. 주요 메모리 공급사가 D램 생산능력의 대부분을 HBM에 할당하고, 신규 양산라인 구축 대신 전환투자 등에 집중한 결과다. 또한 메모리 공급사가 DDR4 등 구형(레거시) 제품의 비중을 크게 줄이면서, 해당 D램의 가격도 천정부지로 치솟고 있다. 이에 주요 IT 기업들은 더 많은 비용을 감수하고서라도 메모리 수급을 우선하는 전략을 펼치고 있다. 중국 샤오미·알리바바 등은 전분기 대비 50% 이상의 가격 상승을 받아들였으며, 레노버는 공급망 안정을 위해 내년도 메모리에 대한 장기 공급 계약을 체결했다고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "4분기 가격 협상은 상당 부분 진행됐으나, 고객사 별로 계약 시점이 다르기 때문에 올 연말까지 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 공급 계약이 지속 체결될 전망"이라며 "특히 삼성전자가 범용 D램에서 경쟁사 대비 더 공격적인 인상 전략을 펼치고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 국내 메모리 업계의 올 4분기 D램 ASP 인상폭도 당초 예상 대비 증가할 가능성이 매우 높다. 앞서 삼성전자는 올 3분기 D램 ASP가 전분기 대비 10% 중반, SK하이닉스는 한 자릿수 중반 상승했다고 밝힌 바 있다. 올 4분기 삼성전자는 10% 후반대의 ASP 상승이 예상된다. 3분기 컨퍼런스콜이 진행된 지난달에는 증가폭이 10% 초중반 수준으로 추산됐으나, 최근 진행된 계약 등을 반영하면 인상폭 상향 조정이 불가피하다는 게 업계의 중론이다. SK하이닉스는 한 자릿수 후반대 증가가 예상된다. 범용 D램의 매출 비중이 상대적으로 적어 삼성전자 대비로는 상승세가 완만할 수밖에 없는 구조다. 업계 또 다른 관계자는 "아직 계약이 마무리되지 않았지만, 지금 분위기에선 양사의 D램 사업 수익성을 더 높게 조정해야 할 것"이라며 "내년 1분기에도 가격이 지속 인상될 것이기 때문에 양사가 얼마나 속도조절을 시행할 지가 관건"이라고 말했다.

2025.11.21 11:26장경윤 기자

박준홍 램리서치코리아 대표, 제5회 반디기술상 '사회공헌상' 수상

한국반도체디스플레이기술학회는 박준홍 램리서치코리아 대표이사가 반도체 인재 양성과 교육 인프라 구축에 기여한 공로를 인정받아 'KISM 2025'(국제반도체제조기술학술대회)에서 제5회 반디기술상 '사회공헌상'을 수상했다고 19일 밝혔다. '사회공헌상'은 한국반도체디스플레이기술학회가 시상하는 반디기술상의 한 부문으로, 반도체 산업 발전에 실질적으로 기여한 인물에게 수여된다. 이번 KISM 2025에서는 사회공헌상 외에도 반도체·디스플레이 산업 발전에 기여한 반도체 분야 인사들에게 상이 수여됐다. 김중조상은 정기로 AP시스템 회장이, 학술상은 백운규 한양대학교 교수가 받았으며, 혁신상은 장경빈 FST 대표가 수상했다. 한편, 램리서치는 2021년부터 매년 '대학(원)생 메모리 아카데미'를 단독 후원하며, 반도체 산업에 관심 있는 인재들에게 전문 강연과 실무 지식을 제공해왔다. 지난 5년간 누적 수료자는 약 3천명에 달하며, 이들은 주요 반도체 산업 현장에 진출하고 있다. 또한 램리서치는 메모리 아카데미 교육 지원뿐 아니라 우수 수료생 채용에도 적극 나서며, 반도체 산업의 지속 가능한 성장을 위한 인재 육성에 앞장서고 있다. 이를 통해 산업 현장에서 혁신을 이끌 수 있는 기반을 마련하고 있으며, 이번 수상은 이러한 지속적인 노력이 반도체 산업 발전에 실질적인 기여를 했음을 인정받은 결과다. 향후에도 교육 및 인재 양성 활동을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 박재근 한국반도체디스플레이기술학회 회장은 “글로벌 반도체 장비 기업인 램리서치의 지속적인 교육 지원 덕분에 매년 우수한 인재들이 반도체 산업에 진출하고 있다"며 "산업 생태계 전반에 긍정적인 영향을 미치고 있는 램리서치의 헌신적인 노력에 깊은 감사를 드리며, 이러한 공로를 높이 평가해 이번 수상을 결정하게 됐다”고 밝혔다. 박준홍 램리서치코리아 대표는 수상소감을 통해 “반도체 인재 양성이 국가적인 과제로 주목받고 있는 시점에 반디기술상 사회공헌상을 수상하게 되어 영광"이라며 "램리서치는 반도체 인재 양성이 한국 반도체 산업 경쟁력을 높이는 핵심 요소로 인식하고 있다"고 밝혔다. 그는 이어 "램리서치는 메모리 아카데미를 비롯해, 디지털 트윈 기술을 활용해 반도체 장비 운용 환경을 가상으로 체험할 수 있도록 설계된 '세미버스 솔루션'을 성균관대학교와의 산학협력을 통해 제공하는 등, 반도체 인재 양성을 위한 다양한 노력을 지속적으로 펼치고 있다"며 "이번 수상을 계기로, 반도체 인재 양성에 보다 적극으로 기여하겠다”고 덧붙였다. 한국반도체디스플레이기술학회는 반도체·디스플레이 기술 발전과 산업, 학계, 연구 협력 촉진을 목표로 설립되어, 반도체·디스플레이 산업 과학기술 발전에 기여하고자 다양한 학술 활동을 도모하고 있다. 또한 국내외 반도체 산업 관계자 및 학계 전문가 1,000여 명이 참석하는 KISM 행사를 매년 개최하며 최신 반도체 제조 기술에 대한 연구 성과를 공유하고 반도체 산업 발전에 기여하고 있다.

2025.11.19 09:42장경윤 기자

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