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삼성·SK, HBM4용 본딩 기술 '저울질'…'제덱' 협의가 관건

오는 2026년 상용화를 앞둔 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 두고 업계의 고심이 깊어지고 있다. HBM4 제조의 핵심인 패키징 공정에 기존 본딩(접합) 기술을 이어갈지, 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용해야 할지 명확한 결론이 나지 않아서다. 메모리 업계는 비용 문제 상 기존 본딩 방식을 고수하자는 기류다. 그러나 그간 고객사가 요구해 온 HBM4의 두께 조건을 충족하기 위해서는, 패키징 축소에 유리한 하이브리드 본딩 도입이 필요하다는 의견이 다수였다. 하지만 메모리 업계가 기존 본딩 방식을 고수할 수 있는 가능성도 충분한 상황이다. 현재 HBM4의 규격을 정하는 표준화기구 '제덱(JEDEC)'에서 HBM4의 패키징 두께 요건을 완화하는 합의가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 21일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스를 비롯한 주요 반도체 기업들은 HBM4의 두께를 이전 세대와 비슷한 720㎛(마이크로미터), 혹은 이보다 두꺼운 775마이크로미터로 정하는 방안을 논의 중이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 월등히 높아 AI 산업의 핵심 요소로 자리잡고 있다. 현재 HBM은 4세대인 HBM3까지 상용화에 이른 상태다. 올해에는 5세대인 HBM3E가, 오는 2026년에는 6세대인 HBM4가 본격 양산될 예정이다. 특히 HBM4는 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 이전 세대 대비 2배 많은 2024개로 집적해, 메모리 업계에 또다른 변혁을 불리 일으킬 것으로 기대된다. 적층되는 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(12개)보다 4개 많다. ■ HBM4 성능 뛰어나지만…패키징 한계 다다라 문제는 HBM 제조의 핵심인 패키징 기술의 변화다. 기존 HBM은 각 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결해주는 구조로 만들어진다. 세부적인 공법은 각 사마다 다르다. 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 TC 본딩을 활용한다. SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. 다만 HBM4에서는 기존 마이크로 범프를 통한 본딩 적용이 어렵다는 평가가 지배적이었다. D램을 16단으로 더 많이 쌓으면서 발생하는 워피지(휨 현상), 발열 등의 요소들도 있지만, 기존 12단 적층과 같은 720마이크로미터 수준의 높이를 맞춰야 하는 것이 가장 큰 난관으로 꼽힌다. D램을 더 많이 쌓으면서도 높이를 일정하게 유지하려면 각 D램 사이에 위치한 수십㎛ 크기의 마이크로 범프를 제거하는 것이 효과적이다. 각 D램의 표면을 갈아 얇게 만드는 기술(씨닝)도 방법 중 하나지만, 신뢰성을 담보하기가 어렵다. 때문에 업계는 하이브리드 본딩을 대안으로 주목해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스 역시 이 같은 관점에서 공식행사 등을 통해 하이브리드 본딩 기술의 HBM4 적용 계획에 대해 언급한 바 있다. ■ HBM4 본딩 '투트랙' 전략의 배경…기술·비용적 난관 다만 삼성전자, SK하이닉스가 HBM4에 하이브리드 본딩 기술을 100% 적용하려는 것은 아니다. 양사 모두 기존 본딩, 하이브리드 본딩 기술을 동시에 고도화하는 투트랙 전략을 구사 중이다. 이유는 복합적이다. HBM4용 하이브리드 본딩 기술이 아직 고도화되지 않았다는 주장과, 기존 본딩 대비 생산단가가 지나치게 높다는 의견 등이 업계에서 제기되고 있다. 반도체 장비업계 관계자는 "하이브리드 본딩과 관련한 장비, 소재 단에서 일부 제반 기술이 아직 표준도 정해지지 않아 개발이 힘들다"며 "현재 국내 주요 메모리 업체들과 테스트를 진행하고 있으나, HBM4부터 해당 기술이 적용될 가능성이 명확하지 않은 이유"라고 설명했다. 일례로 하이브리드 본딩 공정은 진공 챔버 내에서 D램 칩에 플라즈마를 조사해, 접합부 표면을 활성화시키는 과정을 거친다. 기존 패키징 공정에서는 쓰이지 않던 기술로, 하이브리드 본딩의 난이도를 높이는 데 기인하고 있다. 시장 측면에서는 제조 비용의 증가가 가장 큰 걸림돌이다. 하이브리드 본딩을 양산화하려면 신규 패키징 설비투자를 대규모로 진행해야 하고, 초기 낮은 수율을 잡기 위한 보완투자가 지속돼야 한다. 실제로 국내 한 메모리 제조업체는 최근 진행한 비공개 NDR(기업설명회)에서 "기존 본딩과 하이브리드 방식 모두 개발 중이지만, 하이브리드 본딩은 단가가 너무 비싸다"고 토로하기도 했다. 결과적으로 메모리 제조업체들은 고객사의 요구 조건을 모두 충족한다는 전제 하에, HBM4에서의 하이브리드 본딩 도입을 가능하다면 피하고 싶어하는 입장이다. 한 반도체 업계 관계자는 "고객사가 요구하는 HBM4 높이의 제한(720마이크로미터)이 풀리면, 공급사로서는 굳이 기존 인프라를 버려가면서까지 기술을 바꿀 이유가 없다"며 "사업적인 측면을 고려하면 당연한 수순"이라고 설명했다. ■ HBM4용 본딩 기술의 향방, '제덱' 협의서 갈린다 이와 관련 업계의 시선은 '제덱(JEDEC)'에 쏠리고 있다. 제덱은 반도체 표준 규격을 제정하는 민간표준기구다. HBM4와 관련한 표준도 이 곳에서 논의되고 있다. 현재 제덱에서는 HBM4의 높이를 720마이크로미터와 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 방안이 검토되고 있는 것으로 파악됐다. 표준이 775마이크로미터로 정해지는 경우, 기존 본딩 기술로도 충분히 16단 HBM4를 구현 가능하다는 게 업계 전언이다. 해당 표준안을 정하는 주체로는 메모리 공급사는 물론, HBM의 실제 수요처인 팹리스들도 포함돼 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사는 공급사 입장 상 775마이크로미터를 주장한 것으로 전해진다. 다만 일부 참여 기업이 이견을 제시하면서, 1차 협의는 명확한 결론없이 종료됐다. 현재 업계는 2차 협의를 기다리는 상황이다. 이 협의의 향방에 따라 HBM4를 둘러싼 패키징 생태계의 방향성이 정해질 가능성이 유력하다. 업계 관계자는 "앞으로의 HBM 로드맵을 고려하면 하이브리드 본딩이 중장기적으로 가야할 길이라는 점에는 업계의 이견이 없을 것"이라면서도 "HBM4 자체만 놓고 보면 기존 본딩을 그대로 적용할 수 있는 가능성이 열려 있어, 각 메모리 공급사들이 촉각을 곤두세우는 분위기"라고 밝혔다.

2024.02.21 15:12장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

삼성·SK, 최선단 D램에 주목하는 이유…"가격 프리미엄 최대 4배"

고용량 서버용 D램의 가격이 올해까지 매우 높은 수준의 가격을 유지할 것이라는 분석이 나왔다. 해당 D램은 최첨단 패키징 기술이 적용되는 메모리로, 가격 프리미엄이 일반 제품 대비 3~4배에 달하는 것으로 알려졌다. 9일 시장조사업체 옴디아에 따르면 서버용 256GB(기가바이트) DDR5의 가격은 지난해 4분기 기준 3천328달러(한화 약 410만 원)를 기록했다. DDR5는 현재 사용화된 가장 최신 규격의 D램이다. 이전 세대(DDR4) 대비 동작 속도 및 전력 효율성이 높아 PC, 스마트폰, 서버 등에서 전환 수요가 증가하고 있다. 특히 높은 데이터 처리 성능이 요구되는 서버 시장에서 최선단 공정 기반의 고용량 D램이 활발히 적용되는 추세다. 현재 가격 프리미엄이 붙은 서버용 D램은 128GB DDR5, 256GB DDR5 두 모델이다. 지난해 4분기 기준으로 가격이 각각 920달러, 3천328달러에 달한다. 이보다 한 단계 용량이 작은 64GB DDR5의 가격이 150달러임을 고려하면 큰 차이다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "128GB D램은 일반 제품의 3배, 256GM D램은 4배 정도의 가격 프리미엄을 받는 상황"이라며 "이 중 256GB D램은 TSV(실리콘관통전극)으로만 구현이 가능한 제품으로 SK하이닉스가 독무대를 차지하고 있는 것으로 보인다"고 밝혔다. TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단의 구멍을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 서버용 D램에서는 126GB 용량에서부터 일부 업체가 적용하고 있다. 특히 SK하이닉스가 고용량 D램 상용화에 가장 앞선 것으로 평가 받는다. TSV는 기술적 난이도가 높고, 현재 제조업체의 생산능력이 충분치 않아 공정 가격이 높다. 때문에 옴디아는 두 고부가 D램이 올해 내내 높은 가격을 유지할 것으로 내다봤다. 128GB DDR5은 올해 연말 기준으로 760달러, 256GB DDR5은 2천200달러를 기록할 전망이다. 제조업체 입장에서는 고부가 D램의 가격 하락세가 오히려 긍정적인 영향으로 다가올 수 있다. 상용화 초창기에 지나치게 높은 가격으로 인해 구매를 보류하던 고객사들의 대기 수요가 증가하기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스도 고용량 D램으로의 공정 전환에 적극 나서는 중이다. 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "지난해 4분기 DDR5가 1a(4세대 10나노급) 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과했다"며 "올해 D램 사업은 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 1b(5세대 10나노급) 32기가비트 DDR5 도입으로 고용량 D램 시장의 리더십을 제고할 것"이라며 SK하이닉스는 "올해 고객들의 투자가 증가하며 AI향 서버 수요와 더불어 일반 서버의 수요도 회복할 것으로 전망된다"며 "이에 맞춰 고용량 DDR5는 128GB 제품뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 고객사 요구에 맞게 제공할 것"이라고 밝혔다.

2024.02.11 09:31장경윤

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

"올해 서버 내 D램 용량 17.3% 증가"…AI 덕분

AI 서버 업계의 활발한 투자가 고성능 메모리에 대한 수요를 촉진하고 있다. 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율이 스마트폰, 노트북 등 타 IT 산업을 크게 앞설 것이라는 전망이 나왔다. 5일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 17.3%에 달할 것으로 예상된다. 현재 AI 서버 업계는 엔비디아·AMD 등 주요 팹리스의 최첨단 AI 가속기 확보에 열을 올리고 있다. 동시에 고용량·고효율 데이터 처리를 뒷받침해 줄 고성능 메모리에 대한 수요도 함께 증가하는 추세다. 이에 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 올해 17.3%를 기록할 전망이다. 전년 증가율(13.6%) 대비 3.7%p 상승한 수치로, 다른 IT 산업과 비교하면 가장 증가율이 높다. 스마트폰 및 노트북 분야의 올해 기기당 D램 용량 증가율은 각각 14.1%, 12.4%로 관측된다. 트렌드포스는 "지난해에 이어 올해에도 IT 산업이 AI에 초점을 맞추면서, 서버 부문 내 D램이 가장 큰 성장을 이룰 것"이라며 "아직 AI 기능 도입이 부족한 스마트폰과 PC의 경우 2025년부터 성장이 본격화될 것으로 보인다"고 설명했다. 낸드플래시 역시 AI 산업의 발달에 따라 고용량화를 지속하고 있다. 올해 기기당 SSD 용량 증가율은 서버가 13.2%로 가장 높으며, 스마트폰과 노트북은 각각 9.3%, 9.7% 수준일 것으로 예상된다.

2024.02.06 10:04장경윤

D램·낸드 가격 4개월 연속 상승…삼성·SK 실적 개선 '청신호'

D램, 낸드플래시 등 메모리반도체 가격이 지난달 말까지 4개월 연속 증가세를 이어간 것으로 나타났다. 특히 D램의 경우 올 1분기 내에 추가적인 가격 상승도 가능할 것으로 관측된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 D램 1월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월 대비 9.09% 증가한 1.80 달러로 집계됐다. 최신 D램 규격에 해당하는 DDR5도 이달 견조한 흐름을 보였다. 8GB(기가바이트) 모듈 기준, 평균 계약 가격이 전월 대비 약 17% 증가한 20.5 달러를 기록했다. 디렘익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "D램 공급사들이 모듈 가격 인상에 대한 확고한 입장을 유지하면서, PC용 D램의 1분기 계약 가격이 전분기 대비 10% 이상 상승했다"며 "이달 하순에 거래가 재개되면 추가 상승의 여력도 존재한다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)는 전월 대비 8.87% 증가한 4.72 달러를 기록했다. 주요 공급사들의 적극적인 감산 전략과 저용량 제품의 수요가 일부 회복된 것이 영향을 미쳤다.

2024.02.01 08:36장경윤

삼성전자, 3D D램 상용화 임박...송재혁 사장 "최선 다하는 중"

송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장이 "(3D D램 상용화에) 최선을 다하고 있다(do our best)"고 말했다. 송 사장은 31일 세미콘 코리아가 개최한 '인터스트리 리더십 디너' 행사에서 기자들을 만나 이 같이 답했다. 또 3D D램 분위기가 어떤지 묻는 질문에는 "전진을 하고 있다"고 말했다. 삼성전자가 개발하고 있는 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 아파트처럼 세로로 쌓는 차세대 D램이다. 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다. 앞서 삼성전자는 작년 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조 도입 계획을 밝힌 바 있다. 현재 D램은 단일 평면에 데이터 저장 기본단위인 셀을 촘촘히 배치한 2D 구조다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 적층하면, 회로 축소 부담을 덜 수 있고 성능도 향상돼 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(GB) 이상 늘린 수 있다. 이달 초 삼성전자는 3D D램에서 선도적으로 기술을 개발하기 위해 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-Dram Path Finding' 조직을 만들었다. 이 조직은 반도체연구소 산하 조직으로, 송재혁 사장이 직접 이끈다. 삼성전자는 이 곳에서 우수 개발인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력한다는 방침이다. 한편, SEMI 인더스트리 리더십 디너는 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주최하는 행사로 국내 최대 반도체 소재·장비 전시회 '세미콘 코리아' 전시회 첫날에 개최됐다. 이날 행사에는 송재혁 사장을 비롯해 곽노정 SK하이닉스 사장(한국반도체산업협회 회장), 아짓 마노차 SEMI 회장 등 국내외 반도체 기업 대표 400명이 참석해 반도체 네트워크를 쌓고 공급망을 논의하는 시간을 가졌다. 이날 맥스 미르고리 아이멕(imec) 글로벌 파트너십 부사장, 이우경 ASML 코리아 대표 등 주요 반도체 리더들은 송재혁 사장과 곽노정 사장과 인사를 나누기 위해 줄은 선 모습이 눈길을 끌었다. 행사 축사에서 강경성 산업통상자원부 1차관은 "반도체 메가 클러스터 내 튼튼한 반도체 생태계를 조성하기 위해 첨단 테스트베드를 구축하겠다"며 "산업부는 올해도 반도체 동맹을 활용해 글로벌 반도체 공급망 안정화 노력을 강화해 나갈 예정"이라고 전했다.

2024.01.31 19:30이나리

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "1분기에 전체 메모리 흑자전환...수익성 개선에 집중"

삼성전자가 지난해 반도체 사업에서 4개 분기 연속 적자를 기록한 가운데, 지난해 4분기 D램 사업에서 흑자전환을 이뤘다. 삼성전자는 올해 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환이 예상된다고 밝혔다. 김재준 삼성전자 메모리 전략마케팅실장(부사장)은 31일 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"라며 "업계 메모리 생산 전반의 비트그로스가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 당사는 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급에 대응하겠다"고 말했다. 이어서 김 부사장은 "PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다"며 "다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 할 것으로 보인다. 또 그는 "선단 제품에 대한 고객사들의 요청은 강하게 이어질 것으로 보이며, 또 재고 비축을 위한 수요 또한 지속 발생할 것으로 예상된다"라며 "삼성전자는 생성형 AI 관련 HBM(고대역폭메모리), 서버 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다"고 말했다. PC와 모바일은 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 전망되고 있다. 서버는 AI향 수요 견조세가 지속되는 가운데 작년 긴축 기조 하에서 미루어져 왔던 서버 교체가 신규 플랫폼 전환과 맞물려서 진행되면서 서버 수요가 점진적으로 회복될 전망이다. 한편, 지난해 4분기 삼성전자의 메모리 비트그로스는 전반적인 수요 환경 개선으로 인해 시장을 상회했다. D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 김재준 부사장은 "특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다"고 말했다. 이어서 "낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다"고 밝혔다.

2024.01.31 12:34이나리

삼성전자 "감산 당분간 지속...상반기 중 낸드 재고 정상화 전망"

삼성전자가 메모리 감산과 관련해 올해 상반기에도 재고 정상화를 위한 선별적 생산 조정을 이어가겠다고 밝혔다. 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다"라며 "4분기 출하량 증가 및 지금까지의 생산 하향 조정 영향으로 특히 시황 개선의 속도가 상대적으로 빠른 D램 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다"고 말했다. 이어서 "D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정"이라며 "D램 재고는 1분기를 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보이며, 낸드의 경우도 수요나 시장 환경에 따라 시점 차이는 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에는 정상화가 기대된다"고 밝혔다. 삼성전자는 "수요과 재고 수준을 상시 점검하고 사업 전략을 유연하게 추진할 것"이라고 덧붙였다. 한편, 삼성전자는 지난해 4월 2023년 1분기 컨퍼런스콜에서 메모리 생산량을 조정하기 위해 감산을 시작했다고 밝힌 바 있다.

2024.01.31 12:03이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

SKH가 게임 체인저로 꼽은 '이 기술' …3D D램·400단 낸드서 쓴다

"미래 메모리 산업에서 하이브리드 본딩은 '게임 체인저'로 급부상하고 있다. 3D D램은 물론, 400단급 낸드에서도 하이브리드 본딩 기술을 채택해 양산성을 높이는 차세대 플랫폼을 개발하고 있다." 3일 김춘환 SK하이닉스 부사장은 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 기술 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 김 부사장은 '메모리 디바이스의 집적 한계를 극복하기 위한 기술 변화 트렌드(Changes in Technology Trend to Overcome the Integration Limit of Memory Devices)'를 주제로 차세대 D램, 낸드 개발의 주요 과제를 소개했다. 먼저 D램은 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 미세화되면서, 기술적 변혁이 요구되고 있다 대표적으로 트랜지스터 내 핵심 요소인 게이트를 수직으로 세우는 버티컬(Vertical) 게이트, D램 내 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 적층하는 3D D램이 가장 유망한 차세대 플랫폼으로 지목된다. 김 부사장은 "각 메모리 업체들의 차세대 플랫폼 개발 전략에 따라 향후 D램 시장의 판세가 바뀌게 될 것"이라며 "이외에도 High-NA EUV, 저항성을 낮춘 신물질 도입 등의 기술적 과제가 남아있다"고 밝혔다. 낸드에서도 더 높은 단수를 적층하기 위한 신기술이 활발히 연구되고 있다. 현재 SK하이닉스는 낸드 게이트의 물질인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체하는 방안, 고종횡비(HARC) 식각의 높은 비용 부담을 줄이기 위해 일부 공정을 통합(Merged) 진행하는 방안 등을 개발하고 있다. 특히 김 부사장은 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 제조의 핵심 기술로 하이브리드 본딩을 꼽았다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 활용되던 범프를 쓰지 않고, 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 패키지 두께를 최소화하는 데 유리하다. 김 부사장은 "차세대 HBM과 D램, 낸드 분야에서 하이브리드 본딩이 게임 체인저로 급부상하고 있다"며 "3D D램에서도 하이브리드 본딩을 접목하는 연구개발이 진행되고 있고, 특히 낸드에서도 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:40장경윤

램리서치, 박준홍 신임 한국법인 총괄 대표이사 선임

미국 반도체 장비기업 램리서치는 박준홍 부사장을 램리서치코리아의 한국 법인 총괄 대표이사로 선임했다고 30일 밝혔다. 박준홍 대표이사는 2002년 노벨러스 시스템스 미국 본사에 입사해 2012년 램리서치가 노벨러스 시스템즈를 합병하며 램에 합류했다. 이후 기술 개발 리더십 분야에서 반도체 장비 개발 및 전 세계 반도체 고객 지원 업무를 담당해왔다. 2016년에는 램리서치코리아에서 식각 담당 최고기술임원직을 역임했고, 2018년부터 고객사업부 부문장직을 성공적으로 이끌며 리더쉽을 인정받았다. 박준홍 대표이사는 램리서치의 한국 법인인 램리서치코리아, 램리서치매뉴팩춰링코리아, 그리고 글로벌 R&D 센터인 램리서치 코리아테크놀로지 센터를 총괄하며, 고객사의 성공을 위해 혁신적인 장비와 솔루션을 제공하고 한국 반도체 생태계의 일원으로써 파트너들과 협력하는데 주력할 방침이다. 닐 페르난데즈 램리서치 글로벌 고객 운영그룹 수석 부사장은 “램리서치는 1989년 한국 법인을 설립한 이후, 지난 35년 동안 한국 고객 및 K-반도체 생태계와 긴밀한 협력을 통해 함께 성장해왔다"며 "이러한 여정에서 반도체 업계에 대한 깊은 지식과 폭넓은 경험을 가진 박준홍 신임 대표이사가 램리서치코리아를 훌륭하게 이끌어 나갈 것으로 기대한다"고 밝혔다. 박준홍 신임 대표이사는 "전 세계 반도체 업계를 이끌어가는 한국 시장의 비즈니스를 이끄는 중책을 맡게 돼 매우 자랑스럽고 기쁘지만 한편으로 큰 책임감도 느낀다"며 "램리서치는 고객 중심주의를 지향하고 있다. 고객에게 더 빠르고 차별화된 서비스를 제공하고, 한국 반도체 산업의 지속가능한 발전에 이바지 하기 위해 파트너들과 협력해나가는 믿을 수 있는 성장 동반자가 되겠다"고 밝혔다. 한편 현 이상원 대표이사는 올해 6월까지 원활한 업무 이행을 지원할 예정이다. 34년 동안 글로벌 반도체 장비 업계를 누비며 업력을 쌓은 이 대표는 2021년 램리서치코리아 대표이사 취임 후 글로벌 R&D 시설인 코리아테크놀로지센터 및 매뉴팩춰링을 총괄하며, 램리서치코리아의 국내 입지를 굳건히 하는데 기여해왔다.

2024.01.30 15:02장경윤

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

'흑전' SK하이닉스, AI향 고성능 HBM으로 미래 성장 다진다

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자의 늪을 5분기만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 메모리 반도체 업황 반등과 수익성 높은 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량 확대에 따라 실적이 개선된 것으로 분석된다. 올해도 SK하이닉스는 AI와 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 고성능 제품 공급을 늘리고 투자에 집중한다는 계획이다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조3천55억원으로 전년 보다 25% 증가하고, 영업이익은 3천460억원으로 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 3%이며 순손실은 1조3천795억원, 순손실률 12%이다. 지난해 연간 매출은 32조7천657억원으로 전년 보다 27% 감소했고, 연간 영업손실 7조7천303억원(영업손실률 24%)으로 적자전환했다. 이는 증권가 전망치(연간 영업적자 8조242억원)를 밑도는 실적이다. 연간 순손실은 9조1천375억원(순손실률 28%)을 기록했다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “특히 지난해 주력제품인 DDR5와 HBM3 연 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다”고 말했다. 낸드 또한 지난 1년여 이상 공급사들의 고강도 감산에 따른 영향으로 작년 4분기부터 가격 상승에 따른 수익성이 개선되고 있다. 낸드는 프리미엄 제품 비중이 높이면서 지난해 4분기 ASP(평균판매가)가 전분기 대비 40% 이상 상승했다. 올해 메모리 수요 본격 상승세…AI향 메모리 공급에 주력 SK하이닉스는 올해 메모리 시장 환경은 여전히 불확실성이 존재하지만 작년 하반기부터 수급 상황이 개선되며 극심했던 불황기를 벗어나 본격적인 성장세로 전환했다고 밝혔다. 그러면서 올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 주후반대로 예상했다. 또 메모리 재고가 정상화되는 시점으로 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기로 내다봤다. 아울러 수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대된다. SK하이닉스는 시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획이다. 감산이 필요했던 레거시 제품의 생산은 계속 감소하는 반면 수요가 증가하는 프리미엄 제품 중심으로는 투자를 지속해 생산량을 증가시킨다는 목표다. 김우현 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E를 올해 상반기에 양산하고, HBM4 개발을 순조롭게 진행할 계획”이라며 “서버와 모바일 시장에 DDR5는 128GB뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 제공하고, LPDDR5T도 16GB에서 24GB에 이르는 고용량 제품을 적기에 공급하겠다”고 말했다. 또 SK하이닉스는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스 AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. AI PC의 경우 기존 PC 보다 2배 이상 D램 용량이 탑재돼야 하고, AI 스마트폰은 기존 스마트폰 보다 최소 4GB D램 용량이 필요하다. SK하이닉스는 “온디바이스 AI 출시로 시장은 올해부터 증가하나 실질적인 출하량 증가는 내년 이후로 전망한다”고 말했다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. SK하이닉스는 “AI형 메모리 수요가 본격화되면서 당사는 앞으로의 경쟁은 물량 기반의 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시기적절하게 제공해 주면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 지속적으로 매출과 이익을 성장시키는 데 있다고 생각한다”라며 “토탈 AI 메모리 프로바이더(공급업체)로 입지를 강화해 나가겠다”고 강조했다. HBM 수요 연평균 60% 성장 전망… TSV 캐파 2배 확대 SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 투자비용(CAPEX) 증가를 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 다만 상대적으로 수요가 높은 HBM, DDR5 등에는 투자를 아끼지 않겠다는 방침이다. SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 TSV(실리콘관통전극) 생산능력을 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. HBM은 일반 D램 제품과 달리 TSV 공정이 추가적으로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 또 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다. SK하이닉스는 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다”고 말했다. 이어서 “당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다”라며 “이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다”고 덧붙였다. 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 4세대(1a) 나노미터(nm)로 전환하는 방안도 추진한다. 지금까지 우시 공장은 1a D램 보다 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 생산해왔다. SK하이닉스는 “우시 팹은 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 우시 공장은 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정된 데 따라 선단공정 생산이 기능해졌다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하겠다”고 밝혔다.

2024.01.25 13:55이나리

SK하이닉스, 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진

SK하이닉스가 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 1a 나노미터(nm)로 전환하는 방안을 추진한다. SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "우시 팹은 궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 1a D램은 4세대 10나노급 D램으로, 비교적 선단 공정에 속하는 D램이다. SK하이닉스는 1a D램부터 일부 레이어에 첨단 반도체 제조기술인 EUV(극자외선) 공정을 적용하고 있다. SK하이닉스의 우시 공장은 1a D램에 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 주력 생산하고 있다. 선단 공정으로의 전환이 필요한 시점이지만, 미국 정부는 지난 2022년 10월부터 중국에 18나노 공정 이하 D램 제조를 위한 첨단 장비 기술 수출을 금지하고 있다. EUV 장비 역시 2019년부터 중국 수출이 불가능하다. 다만 SK하이닉스는 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정됐다. EUV 장비는 여전히 반입할 수 없으나, EUV 공정만 국내에서 처리하는 등의 대안을 선택할 수 있다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하고, 중국 우시 팹도 1a 전환을 추진할 것"이라고 밝혔다.

2024.01.25 11:30장경윤

SK하이닉스 "HBM 수요 연평균 60% 성장...HBM3E 상반기에 공급"

SK하이닉스는 AI 응용처 확대로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 연평균 60% 성장이 예상된다고 밝혔다. 아울러 SK하이닉스는 올해 상반기 중으로 HBM3E를 공급하고, 응용처를 다양하게 확대할 계획이다. 25일 SK하이닉스는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다. SK하이닉스는 이런 수요에 대비해 HBM 캐파를 늘리고 신제품 HBM3E 공급을 확대한다는 전략이다. SK하이닉스는 "올해 수요가 본격적으로 발생하는 HBM3E는 양산 준비가 순조롭게 되고 있어 상반기 중에 공급을 시작할 예정이다"라며 "AI 시장의 리딩 플레이어뿐만 아니라 AI 시장에서 큰 비중을 차지할 CSP(클라우드 서비스 제공업체), AI 칩셋 업체를 포함한 잠재 고객까지 비즈 영역을 확장할 계획이다"고 전했다. HBM 생산을 위해서는 높은 기술력과 일반 D램 보다 많은 캐파가 필요하다. 이런 특징으로 HBM은 가격 경쟁력에서도 우위를 보인다. 회사는 "HBM의 경우 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다"라며 "캐파를 늘리지 않는다고 가정한다고 하면 HBM 생산을 늘릴수록 일반 D램에 할당 가능한 웨이퍼 캐파가 상당히 축소된다. 이에 따라 HBM 양산 확대 수준에 따라 일반 D램의 수급이 매우 타이트해질 가능성이 있다"고 진단했다. HBM은 대표적인 AI향 제품으로 스펙의 표준화는 되어 있지만 일반 D램 제품과 달리 TSV(실리콘관통전극) 공정이 추가로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 이에 SK하이닉스는 "수요 가시성 확보 하에 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 계획이며, 추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경 그리고 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정할 것"이라고 말했다. HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 아울러 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 또 HBM 제품을 생산하는 데 투입되는 높은 비용과 상대적으로 긴 제조 시간을 고려해 시적절한 수요 대응을 위해서는 고객과 긴밀한 사전 협의가 필요하다 SK하이닉스는 "당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다"라며 "이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다"고 덧붙였다. 이어서 "올해는 일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년에 비해서는 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시로 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난이도가 증가하고 투입 비용이 증가되는 점을 고려해서 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 내에 믹스 변화로 인한 프리미엄 수준을 유지해 나갈 수 있을 것으로 예상한다"고 전했다.

2024.01.25 11:18이나리

'흑자전환' SK하이닉스, 임직원에 자사주 15주·격려금 200만원 지급

SK하이닉스는 구성원 격려를 위해 자사주 15주와 격려금 200만원 지급을 결정하고, 이를 사내에 공지했다고 25일 밝혔다. 격려금은 29일, 자사주는 추후 필요한 절차를 거쳐 각각 지급될 예정이다. 이와 관련, SK하이닉스는 자사주 47만7천390주를 처분 결정했다고 공시한 바 있다. SK하이닉스는 "특히 자사주는 회사의 핵심 경쟁력인 구성원들에게 미래기업가치 제고를 향한 동참을 독려하고자 지급하기로 했다"며 "이는 최근 곽노정 대표이사 사장이 밝힌 '3년 내 기업가치 200조원 달성 목표'라는 포부와도 궤를 같이 한다"고 설명했다. 구성원들과 달리 임원들은 지난해에 이어 올해에도 연봉 등 모든 처우에 대한 결정을 회사가 확실하게 연속적인 흑자전환을 달성하는 시점 이후로 유보하기로 했다. SK하이닉스는 "구성원이 회사의 핵심이라는 SK의 인재경영 철학을 바탕으로, 올해를 '전 세계 AI 인프라(Infra)를 이끄는 SK하이닉스의 르네상스 원년'으로 만들어 갈 계획"이라고 밝혔다.

2024.01.25 11:07장경윤

SK하이닉스 "D램 재고 정상화 상반기, 낸드는 하반기 전망"

SK하이닉스는 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기를 예상한다고 밝혔다. 아울러 메모리 상승세는 2025년까지 유지될 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "최근 고객들의 구매 수요는 레거시 반도체 중심으로 살아나고 있다"고 말했다. 이어서 "공급단 쪽에서는 하반기로 갈수록 HBM, DDR5 같은 선단 제품으로 생산 전환이 가속화되면서, 레거시 제품들의 공급은 급격히 줄어들고 연말에는 고객뿐만 아니라 저희 공급사들의 재고도 상당한 수준으로 줄어들 것"이라며 "당사도 지난해 4분기 말 재고 수준은 지난 분기에 이어서 의미 있는 수준의 감소세를 이어갔다"고 덧붙였다. 또 "작년 내내 보수적인 생산 기조를 유지해왔고 그 결과 지난해 3분기부터 판매량이 생산을 상회하며 하반기 재고 수준의 개선이 분명히 나타났다"라며 "올해도 재고 정상화 시점까지 보수적 생산 기조를 유지하겠다. D램은 상반기 중, 낸드플래시는 하반기 중 정상 수준에 도달할 것으로 본다"고 전망했다. 응용처별 메모리 재고 전망에 대해서 "전통적으로 하반기 수요 강세를 보이는 PC와 모바일은 올해 출하량이 성장세로 돌아서고, 새로운 기능이 추가되는 하이엔드 제품이 수요를 견인하면서 채용량 증가율은 예년 수준인 10% 이상이 전망된다"고 말했다. 올해 서버도 기업들의 IT 투자가 증가하면서 AI 서버 추락 강세가 지속될 것으로 보이고, 또한 일반 서버의 회복으로 출하량이 플러스로 전환될 전망이다. 트레이닝 수요에 더해 새로운 CPU와 GPU가 지속 출시되면서 계속해서 채용량은 성장할 것으로 기대된다. 다만 공급업체들이 DDR5와 HBM 등 수요가 높은 제품 중심으로 생산 확대를 위해 가동률을 점진적으로 회복시키겠지만, 다이 사이즈, 패널티, 상대적으로 낮은 생산성 등의 효과 때문에 업계의 생산 증가는 제한적일 것으로 진단했다. 회사는 "올해 메모리 업황은 지속 개선되고, 재고는 꾸준히 줄어들어 연말에는 업계 내 재고가 낮은 수준일 것으로 예상한다"라며 "수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.25 10:44이나리

SK하이닉스, 올해 TSV 생산능력 2배 확대…HBM에 투자 집중

SK하이닉스가 25일 지난해 4분기 실적발표에서 올해 설비투자(CAPEX)의 방향성을 AI 반도체 수요 대응에 집중할 것이라고 밝혔다. 이날 SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대, TSV(실리콘관통전극) 증설, 필수 인프라 투자에 우선순위를 고려할 것"이라며 "전년 대비 투자 규모는 증가하나, 증가분은 최대한 최소화할 계획"이라고 언급했다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자 규모를 전년 대비 50% 이상 축소한 바 있다. IT 및 반도체 시장의 부진이 계속되면서 가동률이 하락하고, 수익성이 악화됐기 때문이다. 다만 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 산업용 메모리의 수요가 빠르게 증가하면서, 최근 SK하이닉스는 HBM 제조의 핵심 요소인 TSV에 대한 설비투자에 집중하고 있다. SK하이닉스는 "AI 사업에서 고객사 영역을 지속 확장하고, 올해 TSV 생산능력을 2배 확대할 것"이라고 말했다. 향후 시장 상황에 따른 추가 투자 가능성도 제시했다. SK하이닉스는 "추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경, 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정하도록 할 것"이라며 "올해 이후의 투자 방향성에 대해서도 미래 성장에 대한 인프라 준비는 선제적으로 진행할 생각"이라고 밝혔다.

2024.01.25 10:34장경윤

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