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박문필 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 사수...백엔드 미래 기술 확보"

"SK하이닉스는 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후, 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 바 있다. 나아가 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것이다." 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 4일 회사 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 프로덕트 엔지니어링(Product Engineering)팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 어플리케이션 엔지니어링(application Engineering)팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 프로젝트 매니지먼트(Project Management)팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다. 박 부사장은 'HBM 1등' 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 '적기(適期)'를 꼽으며 "제품을 적시에 개발하고 품질을 확보해 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다"고 설명했다. 또한 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙였다. HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있다. 또한 GPU와 결합하는 SiP(시스템 인 패키지) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없다. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요하다. 박 부사장은 "HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있다"며 "대표적으로 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증한다"고 설명했다. 고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다. 박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다. 그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다. 박 부사장은 "지난 2022년 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남는다"며 "고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었다"고 밝혔다. 박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 "객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다"며 "특히 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것"이라고 강조했다. 마지막으로 박 부사장은 "HBM이 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모하면서, 새로운 제품 설계 방식이 도입되고 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있다"며 "HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.09.04 09:51장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM에도 '어드밴스드 MR-MUF' 적용 가능성 확인"

"오는 2025년 양산 예정인 HBM4는 이전 세대 대비 성능 및 에너지 효율이 높을 것으로 기대하고 있다. 특히 16단 제품의 경우, 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술의 적용 가능성을 확인했다." SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)은 3일 '세미콘 타이완'에서 회사의 HBM 경쟁력에 대해 이같이 말했다. 이날 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행한 이 부사장은 HBM 시장의 가파른 성장세를 예견했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 기존 D램에 비해 데이터 처리 성능이 뛰어나다. HBM은 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 성공했다. 8단, 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다. HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다. 이와 같은 시장 성장세에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산한 후, 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도하고 있다. 오는 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정이다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 경쟁력을 갖추고 있다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력, 온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 다른 공정보다 유리하다. 또한 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프 형성이 가능해. 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다. SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해서는 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다. 특히 SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다. 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(시스템 인 패키지) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다. 또한 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼, SK하이닉스는 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다.

2024.09.03 14:36장경윤

OCI, SK하이닉스 반도체 '인산' 공급사 진입…첫 출하 완료

핵심소재 기업 OCI는 국내 인산 제조사 최초로 SK하이닉스의 반도체 인산 공급자로 선정됐다고 2일 밝혔다. OCI는 금번 SK하이닉스 수주를 통해 반도체 인산 국내 시장점유율(M/S) 1위 기업으로서의 지위를 더욱 공고히 하고, 반도체 소재 기업으로의 입지를 강화해 나갈 방침이다. OCI는 SK하이닉스의 강도 높은 품질 테스트를 거쳐 반도체 인산 제품 공급에 대한 승인을 획득하고, 지난달 21일 군산공장에서 초도품 출하 기념식을 진행했다. 이번에 OCI가 SK하이닉스에 공급하는 반도체 인산은 반도체 생산에 필요한 핵심소재 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 식각 공정에 사용된다. OCI의 반도체 인산은 D램과 낸드플래시, 파운드리까지 모든 반도체 공정에 사용되는 범용 소재로 HBM의 성장 및 반도체 시황 회복에 따라 그 수요가 꾸준히 증가할 것으로 기대되고 있다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업에 진출한 이후, 현재 연간 2만5천 톤 규모의 생산능력을 보유하고 있다. 삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체를 대상으로 지난 17년간 반도체 인산을 안정적으로 공급하며 국내 M/S 1위를 유지하고 있다. OCI는 이번에 SK하이닉스를 신규 고객사로 추가함으로써 국내 모든 반도체 제조사에 인산을 공급하는 유일한 업체가 됐다. OCI는 신규 고객사 확보 및 기존 고객사의 수요 증가에 따라 단계적으로 반도체 인산 생산능력을 증설할 계획이며, 반도체 소재의 국산화 및 공급망 안정화에 기여해 나갈 예정이다. 한편 OCI는 반도체 생산 과정 중에 세정 공정을 위해 필수적으로 사용되는 과산화수소 제품에서도 향후 매출 성장이 이뤄질 것으로 전망하고 있다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산해 온 업체로 연산 7만 5000톤의 생산능력을 보유하고 있으며, 오랜 업력과 기술력을 바탕으로 경쟁력을 확보하고 있다. 올해 반도체 업황이 회복세에 접어들면서 삼성전자와 SK하이닉스가 다시 증설을 계획하고 있는 만큼 업계에서는 이에 맞춰 전자급 과산화수소에 대한 수요 또한 지속해서 증가할 것으로 전망한다. 이밖에도 OCI는 반도체급 과산화수소를 일본 낸드플래시 기업 키옥시아에 직접 공급 중에 있는데, 지난 7월 키옥시아가 이와테현에 월 2만 5000개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 공장을 완공함에 따라 OCI의 추가적인 수주가 기대되는 상황이다. OCI는 최근 피앤오케미칼의 지분을 인수하기로 결정하면서 연산 5만톤 규모의 과산화수소 생산 능력이 증대될 것으로, 고객사 증설에 따른 수요 증가에 선제적으로 대응할 수 있게 되었다. 김유신 OCI 사장은 “국내 M/S 1위의 기술력을 바탕으로 품질 테스트를 무사히 통과하고, 국내 인산 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산을 공급하게 되어 매우 고무적”이라며 “앞으로도 OCI는 반도체 수요 증가에 발맞춰 반도체 소재 사업을 성공적으로 확대하고 경쟁력을 강화하여, 반도체 소재 기업으로서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

엠디바이스, 코스닥 상장 절차 돌입…"SSD로 회사 성장세 지속"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 지난 8월 30일 코스닥 상장을 위한 예비심사 신청서를 한국거래소에 제출했다고 2일 밝혔다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 기업을 중심으로 형성된 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 통해 성장성을 이끌어 왔다. 초소형 및 고용량 저장장치에 대한 수요가 증가함에 따라 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 반도체 기술력과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에도 성공했으며, 2021년 말부터는 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목해 SSD 중심의 저장장치 사업을 본격적으로 확장시켰다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진 등의 영향으로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적이 부진했지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 함께 기업용 SSD 판매 증가로 실적 회복세가 나타나고 있다고 밝혔다. 특히 올해 상반기 매출액은 246억원을 달성했고, 영업이익은 13억원으로 흑자전환에 성공했다. 올해 본격적인 실적 턴어라운드가 진행되는 만큼 '이익미실현 특례(테슬라 요건)'를 활용해 상장에 나설 계획이며, 상장주관사인 삼성증권은 IPO 과정에서 일반투자자를 대상으로 환매청구권(풋백옵션)을 부여할 예정이다. 실적 회복세에 힘입어 엠디바이스는 기업의 대규모 데이터센터에 사용되는 고사양 SSD 양산과 중국 및 유럽 시장에서의 수주 확대에 주력해 수출 물량을 늘릴 계획이다. 또한 매출 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 추진하고 있으며, 내년 양산체제 구축 및 제품 테스트를 목표로 진행하고 있다고 밝혔다. 조호경 엠디바이스 대표는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 조 대표는 이어 “반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 삼아 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “앞으로도 반도체 스토리지 관련 기술 혁신과 함께 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업에 당사의 기술력을 적용 및 확장해 사업을 더욱 고도화 시키겠다”고 덧붙였다.

2024.09.02 09:33장경윤

"아이폰, 12GB 램 장착…그런데 17 프로맥스만"

최근 내년 출시되는 아이폰17 시리즈에 8GB 램 대신 12GB램이 탑재될 것이라는 전망이 나온 가운데, 애플 전문 분석가 궈밍치가 해당 업그레이드는 아이폰17 프로 맥스에만 적용될 것이라고 밝혔다. IT매체 맥루머스는 30일(현지시간) 궈밍치의 전망을 인용해 2025년 아이폰의 12GB 램 업그레이드는 최고급 모델인 아이폰17 프로에만 제한될 것이라고 보도했다. 궈밍치의 전망이 맞다면, 아이폰17, 아이폰17 프로, 새로워진 아이폰17 슬림 모델에는 기존 모델처럼 8GB 램이 장착될 예정이다. 내년 초 출시될 것으로 예상되는 4세대 아이폰SE에도 8GB 램이 탑재될 것으로 전망되고 있다. 올해 iOS 18에 처음 추가되는 애플의 새로운 인공지능(AI) 시스템 '애플 인텔리전스' 때문에 애플 제품들의 램 용량이 더욱 중요해진 상태다. 현재 출시된 아이폰 중 8GB 램이 장착된 아이폰15 프로와 아이폰15 프로 맥스만 애플 인텔리전스가 지원될 예정이다. 아이폰15와 아이폰15 플러스에는 6GB 램이 탑재했다. 다음 달 출시되는 아이폰16 라인업에서는 모든 모델에 8GB 램이 적용되어 앞으로 모든 신형 아이폰에서 애플 인텔리전스를 지원할 수 있을 것으로 보인다. 램이 12GB로 늘어나면 훨씬 더 강력한 AI 기능을 제공할 수 있을 것으로 보이나, 현재로서는 내년 출시되는 최고급 프로 맥스에만 적용될 것으로 보인다. 궈밍치는 아이폰17 프로 맥스에 램 용량 증가 외에도 증기 챔버 기술과 그래파이트 시트를 결합한 독점적인 냉각 시스템이 탑재될 것이라고 전망했다.

2024.08.30 08:29이정현

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 2023년 2분기 10나노급(1B) D램을 양산한 이후 내년 약 2년 만에 1c DDR5 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다. 또, EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

2024.08.29 09:13이나리

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

"HBM용 하이브리드 본딩은 아직 미완성"…기술적 난제는

"차세대 HBM에 하이브리드 본딩을 적용하면 여러 이점이 있으나, 이 기술은 아직 완성되지 않아 시간이 더 필요하다. 현재로선 CMP와 파티클이라는 두 가지 문제가 가장 큰 허들로 작용하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 지난 26일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 HBM용 하이브리드 본딩 기술에 대해 이같이 말했다. 이날 '어드밴드스 패키징 기술과 미래 전망'을 주제로 발표를 진행한 문 부사장은 "AI 산업 발전에 따라 메모리 패키징 기술도 제품의 성능과 용량을 극대화하는 방식으로 발전해 왔다"며 "HBM도 현재 범프를 쓰고 있으나 결국 하이브리드 본딩으로 나아가기는 할 것"이라고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 각각의 D램은 수십 마이크로미터(㎛) 수준의 작은 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결된다. 이 때 층마다 형성되는 범프의 수는 20만개에 달한다. 다만 기존 본딩 기술은 HBM 분야에서 점차 한계에 직면하고 있다. HBM의 D램 적층 수가 8단, 12단, 16단 순으로 점차 많아지는 반면, HBM 패키지의 두께는 크게 늘어나고 있지 않기 때문이다. 내년 양산될 HBM4의 두께가 775마이크로미터로 이전 세대(720마이크로미터) 대비 늘어날 예정이기는 하나, 임시 방편의 성격이 강하다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. TSV의 간격을 줄일 수 있어 칩 사이즈 축소에도 유리하다. 당초 업계는 HBM4에 하이브리드 본딩 기술이 적용될 것이라고 예상해 왔다. 그러나 HBM4 패키지 두께 완화, 하이브리드 본딩 기술의 미성숙 등으로 여전히 기존 본딩 기술이 채택될 가능성이 높은 상황이다. 문 부사장은 "칩과 칩을 직접 붙이기 위해서는 표면이 굉장히 평평해야 하기 때문에 CMP(화학·기계적 연마) 공정을 거친다"며 "일반 제조 환경에서 요구하는 CMP의 평탄함 정도가 수십 나노미터(nm)인 데 반해, 하이브리드 본딩에서는 수 나노의 미세한 수준을 요구한다"고 설명했다. 그는 이어 "표면이 무작정 평탄해서도 안되고, 어떤 경우에는 디싱(오목하게 들어간 부분)을 고의적으로 수 나노 수준으로 형성하기도 한다"며 "웨이퍼 공정 이후의 패키징 공정에서 발생하는 파티클(미세오염)도 큰 문제"라고 덧붙였다. 패키징은 웨이퍼 상의 칩을 개별 다이(Die)로 분리하는 다이싱(Dicing) 공정을 거친다. 이 때 표면이 갈려나가면서 작은 파티클이 형성되는데, 이는 반도체 수율을 떨어뜨리는 악영향을 미친다. 문 부사장은 "기계적인 다이싱 공정에서는 기존 패키징 단에서는 상상도 할 수 없는 파티클이 발생하게 된다"며 "미세한 파티클을 계측하고, 이를 제거할 수 있는 기술이 필요해 공정적으로 수율 확보가 어려운 상황"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:00장경윤

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 2분기 D램 점유율 나홀로 상승

SK하이닉스는 수익성이 높은 HBM(고대역폭메모리) 매출 1위에 힘입어 2분기 D램 시장에서 SK하이닉스만 유일하게 점유율이 전분기 보다 상승했다. 삼성전자는 점유율 1위를 유지했다. 16일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 2분기 D램 매출은 229억 달러(약 31조원)으로 전분기 보다 24.8% 증가했다. 메모리 업황 회복으로 인해 주요 업체인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 모두 2분기 출하량이 전분기 보다 증가했다. 또 2분기 D램 평균판매가격(ASP)은 전분기 보다 13~18% 증가하면서 1분기에 이어 상승세를 이어갔다. 가격 상승에는 HBM 제품의 높은 수요가 크게 반영된 것으로 파악된다. 1위 삼성전자는 D램 매출 98억2천만 달러(13조4천억원)으로 전분기 보다 22% 증가했다. 삼성전자 D램 ASP는 17~19% 증가하면서 실적 상승을 이끌었다. 다만 시장 점유율은 1분기 43.9%에서 2분기 42.9%로 소폭 감소했다. 2위 SK하이닉스는 2분기 매출 79억1천100만 달러로 전분기 보다 38.7% 늘었고, 점유율은 34.5%로 1분기(31.1%) 보다 3.4%포인트 증가했다. SK하이닉스는 상위 6개 D램 업체중에서 가장 높은 매출 증가를 기록했으며, 시장 점유율이 유일하게 올랐다. 이 같은 실적은 SK하이닉스 HBM3E이 세계 최초로 고객사 엔비디아의 인증을 받고, 대량 출하하면서 비트 출하량이 20% 이상 증가한 덕분이다. 3위 마이크론은 2분기 매출이 전분기 보다 14.1% 증가한 45억달러를 기록했다. ASP가 약간 감소했음에도 불구하고 비트 출하량이 15~16% 증가했다. 2분기 마이크론 점유율은 19.6%로 1분기(21.5%) 보다 감소했다. SK하이닉스는 2분기 영업 이익률에서도 가장 높았다. SK하이닉스의 2분기 영업이익률은 45%로 전분기(33%) 보다 12%(P)포인트 크게 올랐다. 삼성전자의 영업이익률은 1분기의 22%에서 2분기 37%로 증가했고, 마이크론은 6.9%에서 13.1%로 개선됐다. 트렌드포스 2분기에 이어 3분기에도 D램 가격이 상승세를 유지할 것으로 전망했다. 트레드포스는 3분기 D램 계약가격이 전분기 보다 8~13% 인상으로 상향 조정했다. 이는 이전 예측보다 5% 포인트 올린 것이다. D램 제조업체들은 지난달 말 PC 업체, 클라우드 서비스공급자(CSP)와 3분기 계약 가격 협상을 마무리했다. 트렌드포스는 “삼성전자는 HBM3E 제품 검증 후 적시 출하하기 위해 2분기에 HBM3E용 웨이퍼 생산을 시작했다. 이는 올해 하반기 DDR5 생산 일정에 영향을 미칠 가능성이 높다”라며 “SK하이닉스와 삼성은 DDR5보다 HBM 생산을 우선시하고 있어 D램 가격이 향후 분기에 하락할 가능성이 낮다”고 분석했다.

2024.08.16 16:24이나리

SK하이닉스, '하이-NA' EUV 장비 2026년 첫 도입

SK하이닉스가 최선단 메모리를 위한 하이(High)-NA EUV 기술 개발을 가속화한다. 오는 2026년 ASML로부터 첫 하이-NA EUV 설비를 1대 도입할 예정으로, 현재 관련 연구개발 팀 신설 및 인력 확충에도 만전을 기하고 있는 것으로 알려졌다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 2026년 하이-NA EUV 설비를 도입할 예정이다. 지난 12일 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에 참석한 SK하이닉스 EUV소재기술 담당 임원은 기자와 만나 "하이-NA EUV 설비는 2026년 도입할 예정"이라며 "현재 회사에 하이-NA EUV 개발 인력이 더 많아지고 있다"고 설명했다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 다만 EUV 노광장비는 기술적 난이도가 매우 높은 기술로, 현재로선 전 세계에서 네덜란드 장비회사인 ASML만이 유일하게 양산 가능하다. 때문에 장비 수급에 여러 제약 사항이 있으며, 장비 가격도 매우 비싸다. 실제로 ASML의 첫 High-NA EUV 장비인 'EXE:5000' 모델은 5천억 원을 호가하는 것으로 알려져 있다. 그럼에도 EXE:5000은 인텔과 TSMC, 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 기업으로부터 뜨거운 관심을 받고 있다. 해당 설비를 처음 주문한 기업은 인텔로, ASML은 지난해 12월 미국 오리건주에 위치한 인텔 'D1X'에 EXE:5000을 출하한 바 있다. 삼성전자 등도 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 2026년 설비를 1대 도입해, High-NA EUV에 대한 연구개발을 적극 진행할 예정이다. 설비를 도입하는 팹이나 추가 투자 향방 등 구체적 계획은 밝혀지지 않았으나, 이르면 0a(한 자릿수 나노급 D램)에 양산 적용될 수 있을 것으로 전망된다. 이와 관련, SK하이닉스는 High-NA EUV 기술개발을 위한 팀을 지난해 말 별도로 구성하기도 했다. 기존에도 회사 내 EUV 및 High-NA EUV를 포괄적으로 개발하는 조직이 존재했으나, 이를 세분화해 전문성을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 한 SK하이닉스 소속 엔지니어는 "최근 High-NA EUV 팀이 신설돼 여기에 합류해 연구개발을 진행 중"이라며 "최선단 D램에 관련 기술을 적용하는 방안을 꾸준히 검토하고 있다"고 설명했다. 이와 관련해 SK하이닉스 측은 "당사 조직 운영 관련해서는 구체적으로 확인해줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.08.16 10:38장경윤

무디스, SK하이닉스 전망 '안정적' 상향…"수익·현금흐름 개선"

국제 신용평가사 무디스(Moody's)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 'Baa2'로 유지하고, 전망을 종전의 '부정적(Negative)'에서 '안정적(Stable)'으로 상향 조정했다고 14일 밝혔다. 무디스는 SK하이닉스가 메모리 가격 상승과 AI 부문의 경쟁력에 힘입어 최근 수익과 현금흐름이 크게 개선됐다며, 향후 12~18개월의 기간 동안 이러한 개선세를 계속 유지할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 AI 메모리 생산능력 확충을 위한 CAPEX(자본적 지출) 증가에도 부채는 감소할 것으로 전망된다. 실제로 회사는 지난 2분기 4조원의 차입금을 줄였다. 또한 무디스는 HBM, 서버용 DDR5 등 D램 기술력에 eSSD 등 낸드 사업 경쟁력까지 더해지며, 2025년 회사의 EBITDA가 39조원까지 증가할 것이라고 내다봤다. 한편 지난 7일 글로벌 신용평가사 S&P도 SK하이닉스의 실적 성장세와 안정적인 현금흐름에 주목해 신용등급을 기존 'BBB-'에서 역대 최고 등급인 'BBB'로 상향한 바 있다.

2024.08.14 17:28장경윤

SK하이닉스, 구글 웨이모 로보택시에 'HBM2E' 공급…"HBM3도 적용 가능"

"자동차 산업에서 자율주행 기술이 활발히 도입되면서, 고성능 메모리 솔루션도 증가하고 있습니다. SK하이닉스도 구글 웨이모의 로보택시에 유일하게 HBM2E 제품을 공급했습니다. HBM3도 이제는 자동차 응용 산업에서 채용이 될 수 있어, 상용화를 위한 준비를 하고 있습니다." 14일 강욱성 SK하이닉스 부사장은 JW메리어트 서울에서는 열린 '제7회 인공지능반도체포럼'에서 최첨단 차량용 메모리 솔루션에 대해 이 같이 밝혔다. 현재 자동차 산업은 자율주행 기술 및 인-비하이클 AI 기술을 적극 도입하고 있다. 이에 따라 차량용 시스템 아키텍처도 변화가 일어나고 있으며, 고성능 반도체의 필요성이 대두되고 있다. 강 부사장은 "과거에는 30개에서 100개 이상의 기능별 ECU(전자제어장치)가 탑재됐으나, 미래에는 1~2개의 중앙 컴퓨터가 다양한 기능을 모두 수행하는 '조널 아키텍처'가 요구된다"며 "소프트웨어 업데이트 만으로도 신규 기능을 추가하거나 조절할 수 있는 SDV(소프트웨어 정의 차량)도 이러한 추세를 부추기고 있다"고 설명했다. 자동차가 처리하는 데이터 처리량 증가는 메모리 수요의 확대를 촉진할 것으로 예상된다. 예를 들어 자율주행 3단계 수준의 ADAS(첨단운전자보조시스템)에서 D램은 최대 128GB(기가바이트), 1TB(테라바이트)의 낸드가 탑재된다. 자율주행 4단계에서는 최대 384GB D램, 4TB 낸드가 채용될 전망이다. SK하이닉스 역시 차량 및 자율주행 기술을 위한 다양한 메모리 솔루션을 개발해 왔다. 저전력 특성의 LPDDR D램, UFS(유니버설 플래시 스토리지) 등이 대표적이다. HBM(고대역폭메모리)도 자율주행 시장에서 채용이 확대될 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능을 일반 D램 대비 크게 끌어 올렸다. 강 부사장은 "구글 웨이모의 로보택시에도 이미 SK하이닉스의 HBM2E(3세대 HBM)가 탑재된 바 있다"며 "현재 AI와 HPC(고성능컴퓨팅)에서 주목받는 HBM3(4세대 HBM)도 차량용 분야에서 채용이 될 수 있어 인증 등 상용화 준비를 하고 있다"고 설명했다. 그는 또 "LPDDR의 경우 현재는 LPDDR4 제품이 주류이나, 향후에는 LPDDR5와 개선 버전의 채용이 확대될 것"이라며 "UFS는 차량용으로 3~4년 전부터 도입됐고, 차량용 고성능 SSD도 최근 상용화가 시작됐다"고 설명했다.

2024.08.14 10:02장경윤

SK하이닉스 임원진, 5개 공과대학서 반도체 인재 확보 나서

SK하이닉스는 오는 20일부터 9월 10일까지 반도체 우수 인재 확보를 위해 국내 5개 공과대학을 돌며 '테크 데이(Tech Day) 2024'를 진행한다고 12일 밝혔다. 테크 데이는 SK하이닉스가 국내 반도체 관련 분야 석·박사 과정 대학원생들을 대상으로 매년 진행해온 채용 행사로, 회사의 주요 임원진이 학교를 직접 찾아 미래 인재들에게 회사의 비전과 기술 리더십을 공유하고 최신 기술 동향을 논의한다. SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 회사의 위상이 높아지고, 구성원 중심의 기업문화도 젊은 층의 호응을 얻으면서 회사에 대한 국내 우수 인재들의 관심이 뜨겁다”며 “올해는 사장급 주요 경영진까지 나서 학생들과 직접 소통하며 반도체 분야 인재들과 접점을 넓히기로 했다”고 설명했다. 이번 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(DRAM개발 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 송창록 부사장(CIS개발 담당) 등 SK하이닉스 경영진이 학교별 메인 강연자로 번갈아 참석해 기조 연설을 진행한다. 회사는 8월 20일 서울대를 시작으로 포항공대, 한국과학기술원(KAIST), 연세대, 고려대에서 차례로 테크 데이 행사를 갖는다. ▲설계 ▲소자 ▲공정 ▲시스템 ▲어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 등 5개 세션(Session)을 학교별 특성에 맞게 구성해 SK하이닉스 최고 기술 임원진과 학생들간 소통의 시간을 가질 계획이다. 재학생들이 자신의 전공과 연구 분야에 적합한 직무를 선택하는데 도움이 되도록, 회사에 재직중인 동문 선배들과의 일대일 멘토링(Mentoring)도 함께 진행한다. 회사는 행사 이후에도 현직 팀장들이 주관하는 소규모 기술 세미나를 수시로 가질 계획이다. 이를 통해 재학생들이 미래 반도체 인재로 성장하는데 필요한 최신 기술 인사이트와 인적 네트워크를 확보하는데 기여할 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스는 미래 AI 메모리 시장 주도권을 이어가기 위해 용인 반도체 클러스터와 청주 M15X, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 생산과 R&D 시설 등 핵심 기반 시설을 구축해 나갈 계획인 만큼, 우수한 반도체 인력들이 적기에 투입될 수 있도록 인재 채용을 강화해 나간다는 방침이다. 신상규 SK하이닉스 부사장(기업문화 담당)은 “반도체 산업은 첨단 기술이 집적된 분야인 만큼 우수 인재 확보가 곧 기술경쟁력으로 이어진다”며 “SK하이닉스는 AI 인프라 선도 기업으로서 인재 영입에 적극 임해 글로벌 일류 경쟁력과 기술 리더십을 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.08.12 11:15장경윤

"엔비디아, 내년 HBM3E 물량 중 85% 이상 차지할 듯"

8일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아의 내년 HBM3E 소비량은 전체 물량의 85%를 넘어설 전망이다. 엔비디아가 시장을 주도하고 있는 AI 서버용 칩은 고성능 GPU와 HBM 등을 함께 집적한 형태로 만들어진다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능이 일반 D램에 비해 월등히 높다. 엔비디아는 지난 2022년 말 '호퍼' 아키텍처 기반의 H100 칩을 출시했으며, 올해에는 HBM3E 탑재로 성능을 더 강화한 H200 양산을 시작했다. H200에 채택된 HBM3E는 현재 SK하이닉스와 마이크론이 공급하고 있다. 이에 따라 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 올해 60% 이상으로 예상된다. 나아가 엔비디아는 '블랙웰' 아키텍처 기반의 'B100', 'B200' 등의 제품을 내년부터 출시할 계획이다. 해당 제품에는 HBM3E 8단 및 12단 제품이 탑재된다. 이에 따라 내년 엔비디아의 HBM3E 소비 점유율은 85% 이상을 기록할 전망이다. 트렌드포스는 "블랙웰 울트라, GB200 등 엔비디아의 차세대 제품 로드맵을 고려하면 HBM3E 12단 제품의 비중이 내년 40%를 넘어걸 것으로 추산된다"며 "현재 공급사들이 HBM3E 8단 제품에 집중하고 있으나, 내년에 12단 제품 생산량이 크게 증가할 것"이라고 밝혔다. 트렌드포스는 이어 "현재 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 모두 제품 검증을 거치고 있으며, 특히 삼성전자가 시장 점유율을 늘리는 데 적극적"이라며 "검증 순서가 주문량 할당에 영향을 미칠 수 있다"고 덧붙였다.

2024.08.09 08:40장경윤

유니테스트, CXL 2.0 검사장비 개발 완료

유니테스트는 차세대 메모리 솔루션인 CXL 2.0 검사장비 개발을 완료하고 고객 인증을 위한 장비 출하를 완료했다고 8일 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. PCIe(PCI 익스프레스)를 기반으로 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 또한 유니테스트는 CXL 3.0을 지원하는 검사 장비도 개발 중인 것으로 알려졌다. CXL은 2019년 CXL 1.1, 2020년 CXL 2.0을 거쳐 2023년 CXL 3.0 표준이 제정됐다. CXL 3.0은 PCIe 6.0 기반으로 CXL 2.0 이하 버전의 기반이 된 PCIe 5.0 대비 대역폭이 2배 증가하며, 스위치 간의 연결까지 가능해진다. 2026년 CXL 3.0 도입이 본격화되면 CXL 시장이 급격하게 성장할 것으로 전망된다.

2024.08.08 09:30장경윤

SK하이닉스, S&P 신용등급 'BBB'로 상향…"HBM 선도 기업"

국제 신용평가사 스탠더드앤푸어스(S&P)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 기존 'BBB-'에서 'BBB'로 한 단계 상향했다고 7일 밝혔다. 전망은 '안정적(Stable)'로 유지됐다. BBB는 S&P가 SK하이닉스에 부여한 신용등급 중 역대 가장 높은 등급이다. S&P는 AI 시대 필수 메모리인 HBM 분야 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스의 시장 가치에 주목하며, 향후 전망되는 실적 성장세와 안정적인 현금흐름을 근거로 회사의 신용등급을 'BBB'로 상향했다. 또한 S&P는 SK하이닉스가 신중한 재무정책을 바탕으로 향후 2년간 지속적인 잉여현금흐름을 창출해 차입금 규모를 줄이고 우수한 신용지표를 유지할 것으로 전망했다. S&P는 "SK하이닉스는 HBM 시장을 선도하고 있고, 향후에도 우월한 기술력과 제품 경쟁력을 바탕으로 1위 자리를 수성할 것으로 예상된다"며 "D램과 낸드 시장에서도 견고한 2위를 기록하고 있어 업황 반등 시 실적에 긍정적"이라고 밝혔다. 이에 따라 S&P가 추정한 SK하이닉스의 올해 및 내년 연간 EBITDA 규모는 지난해(5조5천억원; 마진 17%) 대비 크게 개선된 34조~38조 원(마진 56%) 수준이다. 한편 주요 경쟁사의 시장 진입에 대해서는 "삼성전자가 많은 노력에도 불구하고 HBM 최대 고객사인 엔비디아와 공급계약을 체결하는데 있어 아직 유의미한 돌파구를 마련하지 못하고 있는 것으로 알려졌다"며 "삼성전자를 포함한 경쟁사와의 격차가 2026년 중하반기 경에는 좁혀질 것"이라고 평가했다.

2024.08.08 08:15장경윤

삼성전자, 0.65mm 두께 12나노급 LPDDR5X D램 양산

삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12∙16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작하며 저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 삼성전자는 이번 제품을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체에 공급할 계획이다. 삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓는 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 EMC(Epoxy Molding Compound) 기술 등 최적화를 통해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소, 열 저항을 약 21.2% 개선했다. EMC는 수분,열,충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 회로 보호재다. 또한 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap) 공정의 기술력을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다. 백랩은 웨이퍼 뒷면을 연마하여 두께를 얇게 만드는 공정을 뜻한다. 이번 제품은 얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다. 일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능(Throttling)이 작동한다. 신제품 D램을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다. 삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발해 온디바이스 AI시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 "고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"며 "삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다"고 밝혔다.

2024.08.06 09:04이나리

FHD 영화 300편 1초에...SK하이닉스, 세계 최고성능 그래픽D램 3분기 양산

SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDD은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 진화해 왔다. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 반도체 후공정 필수 재료다. 이상권 SK하이닉스 부사장(D램 PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 SK하이닉스의 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.07.30 09:30장경윤

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

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