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HBM4 출하 경쟁 '과열'...엔비디아 수급 전략이 공급망 핵심 변수

HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 놓고 글로벌 메모리 반도체 빅3간 경쟁이 과열되고 있다. 삼성전자는 바로 전날(12일) SK하이닉스·마이크론에 한 발 앞서 "HBM4 양산 출하를 발표하며, 경쟁사 대비 개발 속도와 성능 우위를 강조했다. 다만 올해 HBM4 공급망 판도는 최종 고객사인 엔비디아의 HBM4 수급 전략에 가장 큰 영향을 받을 전망이다. HBM4의 성능도 중요하지만, 최신 AI 가속기의 적기 출시를 위해서는 HBM4의 수율 및 공급 안정성 등을 함께 고려해야 하기 때문이다. 실제로 업계는 엔비디아가 HBM4의 성능 조건을 완화하거나 차상위 제품을 함께 공급받을 가능성에 주목하고 있다. 삼성전자, 출하 소식 앞당겨…SK하이닉스·마이크론과 주도권 싸움 13일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업들은 이달 엔비디아향 HBM4에 대한 리스크 양산 출하를 진행할 예정이다. HBM4는 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올해 출시할 예정인 AI 가속기 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수를 2배 늘린 2048개로 구현한 것이 특징이다. 앞서 삼성전자는 지난 12일 HBM4 양산 출하를 가장 먼저 공식 발표했다. 회사는 "HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준화기구(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔다"며 "이번 제품에는 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 설명했다. 업계는 삼성전자가 HBM4 양산 출하 소식을 예상 대비 빠르게 발표했다는 점에 주목하고 있다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 당초 회사가 HBM4 양산 출하를 계획하던 시기는 오는 19일이었던 것으로 파악된다. 그러나 경쟁사들도 HBM4의 양산을 최근 공식적으로 발표한 만큼, 주도권 확보를 위해 제품 출하를 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. 실제로 SK하이닉스도 이달 HBM4 제품을 엔비디아향으로 출하할 계획이다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 28일 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업"이라며 "특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝힌 바 있다. 마이크론 역시 지난 11일(현지시간) 한 증권사 컨퍼런스콜을 통해 최근 불거진 HBM4 공급망 탈락 논란에 대해 정면 반박하면서, 출하 소식을 공식적으로 알렸다. 이날 마이크론은 "HBM4는 이미 대량 생산에 박차를 가하고 있고, 고객사 출하를 시작했다"며 "지난해 말 실적발표에서 언급한 가이던스보다 1개 분기 가량 시기가 앞당겨진 것"이라고 강조했다. 메모리 3사 모두 리스크 양산…물량 확대는 하반기부터 최근 이들 메모리 3사는 HBM4 상용화를 둘러싸고 주도권을 쥐기 위해 날선 신경전을 벌여 왔다. 업계는 이 과정에서 시장에 불필요한 혼선과 확대 해석이 발생하는 것을 우려하고 있다. 대표적으로, 메모리 3사가 표현하는 '양산'은 일반적인 양산의 개념과 차이점이 있다. 통상 제조산업은 샘플을 통해 고객사와 퀄(품질) 테스트를 진행하고, 일정 기준을 통과하면 정식으로 구매주문(PO)을 받게 된다. 반면 현재 메모리 3사의 HBM4는 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산은 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해서는 코어 다이 양산에만 4개월이 필요하다. 만약 정식 PO를 받고 양산을 시작하게 되면, 최종 고객사인 엔비디아 입장에서는 AI 가속기를 적기에 출시하기 어려워진다. 때문에 메모리 3사는 정식 PO 전부터 HBM4를 고객사에 공급하기 위해 이달 제품 출하를 목표로 양산을 진행해왔다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "엔비디아가 제시한 공식적인 퀄테스트 종료 시점은 올 1분기 말로, 이후 공식적인 PO가 나올 것으로 안다"며 "현재 메모리사들이 대외적으로 양산이라는 표현을 쓰지만, 엄연히는 리스크 양산 개념에 해당한다"고 설명했다. 이를 고려하면 삼성전자, SK하이닉스의 HBM4 출하량이 본격적으로 확대되는 시점은 빨라야 올 하반기로 추산된다. 엔비디아 HBM 수급 전략 주목…성능·수급 안정성 저울질 현재 업계에서는 삼성전자가 엔비디아향 HBM4 퀄테스트를 가장 순조롭게 마무리할 것이라는 전망이 우세하다. 삼성전자의 경우 HBM4에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램을 적용했다. HBM을 제어하는 베이스 다이도 가장 첨단 공정인 4나노미터(nm)를 기반으로 제작됐다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 자료를 통해 "당사의 HBM4는 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 새로운 기준을 제시했다"며 "이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다"고 밝혔다. 다만 업계는 HBM4의 출하 속도보다 엔비디아의 제품 수급 전략에 더 큰 관심을 두고 있다. 엔비디아가 메모리 공급사에 요구한 11.7Gbps 급의 성능을 무조건적으로 고집할 경우, 루빈 칩 양산에 필요한 HBM4 물량을 충분히 확보할 수 없다는 이유에서다. 우선 삼성전자는 HBM4 출하량을 급격하게 확대할 여력이 없다. 삼성전자의 1c D램 수율은 이달 기준 60%내외로 추산된다. 이후 진행되는 후공정까지 고려하면 HBM 수율은 더 낮아진다. 또한 1c D램 생산능력은 지난해 말 기준 월 6만~7만장 수준으로, 엔비디아의 총 HBM4 요구량에 대응하기엔 턱없이 모자란 규모다. 현재도 1c D램에 대한 신규 및 전환 투자가 진행되고는 있으나, 실제 생산능력에 반영되려면 아직 시간이 필요하다. SK하이닉스는 엔비디아와의 협의에서 가장 많은 HBM4 물량(점유율 60%가량)을 배정받았다. 그러나 초기 HBM4에 대한 신뢰성 평가에서는 11Gbps급의 성능을 구현하기 힘들다는 평가를 받았다. 이에 SK하이닉스는 최근까지 HBM4의 하드웨어적인 개선을 진행했으나, 100% 성공을 담보하기는 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 수급할 것으로 보고 있다. 이 경우 메모리 3사 모두 기술적으로 HBM4 공급이 한층 수월해진다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순히 성능만이 아니라 전력 효율성, 발열, 비용, 공급 안정성 등이 모두 한꺼번에 고려돼야 한다"며 "지난해와는 비교도 할 수 없는 메모리 쇼티지 속에서, 엔비디아가 수급 안정성을 위해 HBM4의 성능 조건을 완화할 가능성이 사실상 확정된 상황"이라고 설명했다.

2026.02.13 10:46장경윤 기자

삼성전자, 최대 속도 13Gbps급 HBM4 세계 최초 양산 출하

삼성전자가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 양산 출하한다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다. 11.7Gbps 데이터 처리 성능 안정적 확보…최대 13Gbps까지 구현 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps(초당 기가비트)를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 안정적으로 확보하며, HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려, 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했다. 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. 코어 다이 저전력 설계·전력 분배 최적화…전력효율·발열 개선 삼성전자는 데이터 전송 I/O(입출력) 핀 수가 1천24개에서 2천48개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해, 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또한 TSV(실리콘관통전극) 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며, 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상시켰다. 삼성전자의 HBM4는 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄으며, 고객사는 삼성전자의 HBM4를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다. 원스톱 솔루션·인프라 투자로 공급 안정성 확보…매출 3배 전망 삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲로직 ▲메모리 ▲파운드리 ▲패키징까지 '원스톱 솔루션'을 제공할 수 있는 IDM(종합반도체회사)이다. 베이스 다이 역할이 중요해지고 있는 HBM 시장에서 경쟁력을 가진 셈이다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 긴밀한 DTCO 협업을 통해, 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발해 나갈 계획이다. 또한 삼성전자는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어, 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 이와 함께 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC(맞춤형 반도체) 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며, 이들과의 기술 협력을 더욱 확대해 나갈 방침이다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고, HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로, HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며, AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정이다. 2026년 HBM4E·2027년 커스텀 HBM 샘플 출하로 차세대 라인업 가동 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플 출하를 할 계획이다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정이다. 커스텀 HBM은 고객의 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량, 속도 전력 특성 등을 맞춤 설계한 제품이다. 표준화된 제품과 달리, 고객별 연산 구조와 사용 환경에 최적화해 성능 효율을 극대화할 수 있다. HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대된다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당(부사장)은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했다.

2026.02.12 15:29전화평 기자

SK하이닉스, 차세대 낸드 판도 흔든다…'AIP' 기술 적용 검토

SK하이닉스가 차세대 고적층 낸드를 구현하기 위한 혁신 기술로 'AIP(All-In-Plug)'를 개발하고 있다. 기존 낸드가 핵심 공정을 세 번에 걸쳐 진행했다면, AIP는 해당 공정을 단 한번만 진행해 제조비용을 크게 줄이는 것이 골자다. 이성훈 SK하이닉스 부사장은 11일 서울 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 3번 진행하던 낸드 핵심 공정, 단 한번에 이 부사장은 "반도체 공정의 기술 난이도가 굉장히 가파르게 올라가면서, 지난 10년간 해왔던 방식으로는 이를 따라기 힘들 것이라 판단하고 있다"며 "이에 SK하이닉스는 축적된 기술을 바탕으로 다음 세대의 공정 난이도를 예측하는 플랫폼을 구축했다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 차세대 D램 및 낸드 구현을 위한 선행기술을 검토하고 있다. 특히 낸드 분야에서는 적층 수 향상에 따른 비용 증가를 낮추기 위한 'AIP'와 같은 혁신 기술을 검토 중인 것으로 알려졌다. AIP는 낸드 구현의 핵심인 HARC(고종횡비; High Aspect Ratio Contact) 식각 공정과 관련돼 있다. 식각은 반도체 제조공정에서 특정 물질을 깎는 과정을 뜻한다. 낸드를 만들기 위해서는 메모리의 최소 저장 단위인 셀을 수백 층 쌓고, 각 층을 연결하는 채널 홀(구멍)을 뚫어야 한다. 이 채널 홀을 일정한 너비로 더 좁게, 더 깊게 뚫을수록 낸드 성능을 높일 수 있다. 다만 식각 공정은 난이도가 높아, 전체 낸드 층에 한 번에 구멍을 뚫는 것이 불가능했다. 이에 업계는 낸드의 식각 공정을 2번, 혹은 3번으로 나눠 진행한 뒤, 이를 묶는 기술을 채택해 왔다. 예를 들어, 300단 낸드를 100단+100단+100단으로 나눠 각각 구멍을 뚫고, 다시 본딩 공정을 통해 연결하는 방식이다. SK하이닉스의 가장 최신 세대인 321단 낸드도 3번 식각을 진행하는 '트리플 스택'을 채용하고 있다. 이 경우 낸드를 안정적으로 제조 가능하지만, 식각 공정을 3번이나 진행해야하기 때문에 제조 비용 및 쓰루풋(생산성) 면에서는 효율이 좋지 못하다. 때문에 SK하이닉스는 300단 이상의 고적층 낸드도 한 번에 HARC 식각을 진행하는 AIP 기술에 관심을 쏟고 있다. 해당 기술이 실제 양산 공정에 적용되면, V11 등 차세대 낸드에서부터 HARC 공정 수와 비용이 크게 감소할 것으로 전망된다. 이 부사장은 "고적층 낸드를 구현하기 위해 HARC 식각 공정 수가 늘어나것이 제조비용 증가의 가장 큰 요인"이라며 "이를 억제하기 위해 HARC 공정들을 합쳐서 한 번에 구현할 수 있을지를 고민하고 있다"고 말했다.

2026.02.11 13:41장경윤 기자

D램 구조적 공급 부족 직면…"생산능력 매년 5% 미만 성장"

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 주도하는 D램 시장이 중장기적인 공급 부족 현상에 직면할 전망이다. AI 인프라 투자 규모가 매년 빠르게 확대되는 반면, D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 지난해부터 오는 2030년까지 연평균 4.8% 수준으로 비교적 낮은 성장세가 예상되기 때문이다. 클락 청 세미(SEMI) 연구위원은 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기자간담회에서 향후 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 클락 청 위원은 "전세계 빅테크 기업들이 AI를 중심으로 투자 속도를 앞당기고 있다"며 "특히 메모리 반도체와 패키징이 AI 인프라에서 중요해지고 있어, 한국의 반도체 생태계가 강점을 지닐 것"이라고 밝혔다. 실제로 마이크로소프트, 구글, 아마존, 메타 등 4대 CSP(클라우드서비스제공자)의 AI 인프라 지출은 크게 늘어나는 추세다. 지난 2024년에서 오는 2028년까지 연간 지출 규모 성장률은 38%에 이를 전망이다. 클락 청 위원은 "오는 2027년에는 글로벌 반도체 매출 규모와 4대 CSP를 포함한 전체 기업들의 AI 인프라 투자가 각각 1조 달러를 넘어서게 될 것"이라고 강조했다. 당초 업계는 글로벌 반도체 매출이 1조 달러를 기록하는 시점을 2030년으로 전망해 왔는데, 크게 앞당겨진 셈이다. 거대한 AI 수요로 D램 시장은 장기적인 공급 부족 현상에 직면할 가능성이 크다. SEMI에 따르면, 연간 D램 생산능력 증가율은 지난해부터 오는 2030년까지 4.8%로 전망된다. AI 인프라 투자 성장률을 고려하면 낮은 수준이다. 클락 청 위원은 "메모리 공급사들이 원칙적으로 신규 투자를 보수적으로 하고 있고, 캐파 증가분도 상당량을 고대역폭메모리(HBM)가 흡수할 것"이라며 "또한 공정 기준으로는 15나노미터(nm) 이하의 선단 분야에 투자가 집중돼, 레거시 및 특수 목적의 D램 공급은 더 제한될 예정"이라고 설명했다. 다만 AI 수요가 예상보다 빠르게 증가함에 따라, 향후 3년간 D램 생산능력 전망이 상향 조정될 가능성도 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업들의 팹 투자 규모는 확대될 전망이다. 클락 청 위원은 "한국의 팹 투자 규모는 2026~2028년 연간 400억 달러 수준으로 크게 확대될 것"이라며 "80% 이상이 D램과 낸드와 관련한 투자로, 일부 첨단 로직 투자는 미국에서 진행될 것"이라고 말했다.

2026.02.11 10:17장경윤 기자

메모리 수급난·가격 급등에 중국산 PC용 D램 급부상

올 1분기 D램 공급가가 전 분기 대비 두 배 가량 오를 것이라는 전망이 나오면서 글로벌 PC 업계가 대안 찾기에 나섰다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 기존 메모리 빅3 업체가 아닌 중국산 메모리가 부상했다. PC 3대 핵심 부품 중 하나인 메모리 수급이 중단될 경우 전체 생산 라인이 완전히 멈출 수 있다는 우려가 제기된다. 그동안 성능·품질이나 소비자 인식 때문에 선택지에서 배제했던 중국산 메모리도 재평가 대상이 된 것이다. 가장 유력한 제조사로 DDR5 양산 능력을 갖춘 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 거론된다. 아직 고대역폭메모리(HBM) 생산 역량을 갖추지 못한 만큼, DDR5·LPDDR5 등 기존 범용 메모리 중심의 제품 포트폴리오를 유지하고 있다. "대형 PC 제조사, CXMT 메모리 도입 검토중" 닛케이아시아는 지난 5일 공급망 관계자를 인용해 "글로벌 PC 제조사가 중국 최대 메모리 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT) D램 도입을 검토중"이라고 설명했다. 닛케이아시아는 "델과 HP 등 글로벌 제조사가 CXMT D램 품질 검증에 들어갔고 에이수스와 에이서 등 대만 계열 PC 제조사도 중국산 메모리 공급을 요청한 상태"라고 설명했다. 이어 "주요 제조사는 메모리 반도체 공급 상황을 올 중반까지 계속 주시하다 D램 공급 부족과 가격 상승 등이 지속되면 미국 이외 시장에 공급할 PC 제품에 CXMT 메모리를 쓸 가능성이 있다"고 전망했다. "메모리 때문에 PC 생산라인 멈추기 어렵다" 가트너·IDC 등 주요 시장조사업체 톱5 안에 드는 글로벌 제조사 관계사 구매 담당자 M씨는 "CXMT는 그동안 주요 PC 제조사로 고객사 확장을 꾸준히 시도했다. 실제로 제품을 소개받은 적도 있다"고 설명했다. 사안의 민감성 때문에 익명을 요구한 그는 "주요 제조사가 CXMT 제품을 쓰지 않았던 것은 소비자들의 인식과 품질 모두 문제였기 때문이다. 그러나 현재 상황에서는 수량 확보가 우선"이라고 말했다. D램은 PC를 구성하는 핵심 부품 중 하나지만 메모리 수급이 되지 않는다 해서 PC 생산 라인 가동을 마냥 멈추기 어렵다는 것이 그의 설명이다. D램 수급은 PC용 프로세서 제조사 출하량에도 적지 않은 영향을 준다. 립부 탄 인텔 CEO도 1월 말 실적 발표 후 컨퍼런스 콜에서 "프로세서를 공급받은 고객들이 PC나 서버 등 시스템을 완성하지 못하는 상황도 벌어질 수 있고 이를 고려해 고객사별 물량 배분을 조절하고 있다"고 밝혔다. HP "아시아·유럽 공급 가능한 공급업체 검토중" HP 관계자는 지디넷코리아 질의에 "장기적인 재고 확보 계약과 글로벌 공급망 파트너 협력을 통해 현재 PC 업계와 동일한 수준에서 대응할 수 있는 위치에 있다"고 설명했다. 이어 "수요 대응을 더욱 강화하기 위해, 아시아 및 유럽 일부 지역으로 제품을 공급할 수 있는 공급업체들을 검토하고 있다"고 설명했다. CXMT 메모리 품질 검증을 진행하고 있다는 닛케이아시아 보도와도 대체로 일치한다. 또 "HP는 사업을 운영하는 모든 국가의 관련 규정을 철저히 준수할 것"이라고 덧붙였다. 중국산 메모리를 수출할 경우 상호관세 등 문제가 발생할 수 있는 미국 이외의 시장에 CXMT 메모리를 적용할 가능성을 시사했다. 델테크놀로지스는 "해당 보도는 공식적으로 확인된 바 없는 추측성 보도로 파악되며 별도 사실관계 확인은 어렵다"고 부인했다. 국내 중견·중소 PC 제조사는 '신중론' 시장조사업체 트렌드포스는 2일 "주요 메모리 공급사에서 물량을 확보한 글로벌 PC 제조사조차도 재고 수준 감소를 겪고 있다. 1분기 D램 계약 가격이 작년 4분기 대비 거의 두 배 가까운 수준으로 오를 것"이라고 전망하기도 했다. 앞서 언급된 관계자 M씨는 "닛케이아시아 보도에서 언급되지 않은 한 대형 제조사는 성능에 민감하게 반응하지 않은 특정 분야, 또는 일부 국가에 출고되는 제품에 CXMT 메모리를 이미 쓰고 있을 것"이라고 추측했다. 글로벌 PC 제조사가 공급 안정성을 이유로 중국산 메모리 채용까지 검토하는 것과 달리, 국내 중견·중소 PC 제조사는 여러 현실적인 이유로 도입하기 쉽지 않다는 입장이다. 중견 제조사 관계자는 "과거 이메일로 CXMT 관계자의 제안을 받은 적은 있지만 거절했다. 국내 소비자 인식 뿐만 아니라 정부 조달 PC 납품시 각 부품 제조사 원산지가 문제가 될 수 있기 때문"이라고 설명했다.

2026.02.10 10:10권봉석 기자

AI 인프라 투자 300조 더 는다…삼성·SK 메모리 슈퍼사이클 '청신호'

세계 4대 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 올해 AI 인프라 투자에 6,600억 달러(한화 약 970조원)을 투자한다. 지난해 대비 2,000억 달러(약 293조원) 가까이 증가한 규모다. 최근 불거진 'AI 거품론' 속에서도 투자 공세를 이어가겠다는 기조로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 상당한 수혜를 입을 것으로 기대된다. 7일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 당초 예상보다 크게 늘리고 있다. 최근 실적을 발표한 아마존은 올해 AI 인프라 투자 규모를 2,000억 달러(약 293조원)로 제시했다. 이는 증권가 전망치인 1446억 달러를 크게 웃도는 수치다. 지난해 총 투자규모인 1250억 달러와 비교해도 60%나 증가했다. 앤디 재시 아마존 CEO는 "기존 서비스에 대한 강력한 수요와 AI·반도체·로봇공학·저궤도 위성 등 중대한 기회를 고려한 것"이라며 "투자 자본에 대해 장기적으로 높은 수익률을 기대한다"고 설명했다. 메타는 올해 AI 관련 설비투자 규모가 최대 1,350억 달러에 이를 것이라고 밝혔다. 지난해 투자 규모인 772억 달러 대비 74%가량 늘었다. 구글은 최대 1850억 달러, 마이크로소프트는 1,400억 달러로 역시 전년 대비 규모가 크게 늘었다. 이들 4개 기업의 총 투자 규모는 6,600억 달러에 이른다. 4,000억 달러대인 지난해와 비교하면 2,000억 달러 가량 늘어난 수준이다. 최근 IT 업계는 막대한 투자 대비 불확실한 매출 성장으로 'AI 거품론'에 휩싸이고 있다. 여기에 AI 데이터센터에 필수적인 메모리 반도체 수급난이 심화되면서, 투자 비용 역시 급증하는 추세다. 그럼에도 CSP 기업들은 AI 인프라 투자를 오히려 가속화하고 있다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 기업들의 강력한 매출 성장 전망치에 힘을 실어주는 기폭제가 될 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스는 AI 가속기에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 시장을 주도하고 있다. 또한 이들 기업이 생산하는 서버용 D램, 기업용 SSD(eSSD) 등은 AI 데이터센터 시장에서 수요가 매우 높다. 반도체 업계 관계자는 "최근 메모리 공급난이 극심함에도 불구하고, CSP 기업들은 이번 실적발표를 통해 투자비용에 대한 부담 대신 더 공격적인 기조를 나타냈다"며 "AI 고도화의 주역인 메모리반도체 기업들 입장에서는 매우 반가운 소식"이라고 밝혔다.

2026.02.08 08:58장경윤 기자

"1Q 메모리 가격, 전분기比 80~90% 상승할 것"

올해 1분기 메모리 가격이 전례 없는 기록적인 상승세를 기록할 것이라는 전망이 나왔다. 5일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 메모리 가격은 전 분기 대비 80∼90% 상승할 것으로 예상된다. 서버향 메모리 수요 급증으로 인한 범용 서버 D램 상승세가 주요 원인으로 꼽힌다. 64GB RDIMM의 경우 올해 1분기 고정거래가격은 900달러 돌파가 전망된다. 지난 4분기 가격은 450달러였다. 카운터포인트리서치는 해당 제품이 2분기에 1000달러 돌파가 가능하다고 전망했다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "제조 업체들은 부품가격 상승과 소비자 구매력 약화라는 이중고에 시달리고 있으며, 분기가 진행됨에 따라 수요는 둔화될 가능성이 높다"며 "따라서 OEM 업체들은 조달 방식을 변경하거나, 고가의 모델에 집중하여 가격 상승분을 소화할 수 있는 높은 가격대를 합리화하는 가치를 제공해야 한다"고 강조했다. 이에 스마트폰 업체들은 D램 탑재량을 줄이고 PC 업체들은 SSD를 TLC(트리플레벨셀)에서 QLC(쿼드러블레벨셀)로 변경하는 추세이다. 동시에 현재 공급 부족 사태인 LPDDR4 대신 LPDDR5를 지원하는 신형 저가 칩셋을 기반으로 LPDDR5 주문이 늘어나기 시작했다. 최 연구원은 "지난 4분기 D램 영업 이익률은 60% 수준이었고, 범용 디램의 이익률이 HBM을 최초로 넘어선 분기였다"며 "1분기는 D램 마진이 처음으로 역사적 고점을 넘어서는 분기가 될 것"이라고 내다봤다. 그러면서 "이는 새로운 기준점이 될 수도 있고, 현재는 견고해 보이지만 향후 하락장이 발생할 경우 더욱 악화시킬 수도 있다”고 덧붙였다

2026.02.05 15:43전화평 기자

SK하이닉스, 성과급 2964% 책정…사상 최대 실적에 '통 큰' 보상

지난해 역대 최대 실적을 기록한 SK하이닉스가 임직원에게 기본급(연봉의 20분의 1)의 2964%를 성과급으로 지급하기로 했다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 올해 '초과이익분배금(PS)'의 지급률을 2964%로 책정했다. 지급일은 오는 5일이다. 연봉이 1억원일 경우 1억4800만원을 받게 되는 셈이다. PS는 연간 실적에 따라 영업이익의 10%를 재원으로 활용해, 1년에 한 번 연봉의 일정 비율을 지급하는 SK하이닉스의 성과급 제도다. 올해 지급분부터는 지난해 하반기 노사가 새롭게 도출한 PS 지급 기준이 적용됐다. 새 기준은 기존 PS 지급 한도(최대 1천%)를 폐지하고, 전년 영업이익의 10% 전체를 재원으로 상정한다. 이 중 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해 지급되고, 나머지 20%(매년 10%씩)는 2년에 걸쳐 이연 지급된다. 최근 업계에서는 AI 반도체 역량 확보 경쟁이 본격화됨에 따라 설비 투자와 더불어 핵심인재 확보·유지가 경쟁력의 핵심 요소가 되고 있다. 이에 SK하이닉스도 역대 최고 수준의 성과급을 책정한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "성과급을 포함해 우수 인재에게 차별화된 보상을 적용하는 SK 하이닉스의 보상체계는 단기적 사기 진작을 넘어, 최고 수준의 연구 개발 경쟁력을 확보하고 미래 더 큰 성장이 지속될 수 있는 기반을 강화하는 투자"라고 밝혔다. 회사는 이어 "특히 날로 치열해지는 글로벌 환경에서 국가 경쟁력 강화를 위한 반도체 인재 유출 방지, 글로벌 핵심 인재 확보 등 장기적 경쟁 우위를 유지할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2026.02.04 17:31장경윤 기자

HBM 공급 프로세스 달라졌다…삼성·SK 모두 리스크 양산

고대역폭메모리(HBM) 상용화 프로세스가 변화하고 있다. 기존 반도체는 샘플을 통한 고객사와 퀄(품질) 테스트를 완료한 뒤, 공식적으로 양산에 들어서는 것이 일반적이었지만 HBM 공급 과정에서는 핵심 고객사 수요에 맞추기 위해 인증 완료 전 양산을 선제적으로 진행 중이다. 1일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM 수요에 대응하기 위해 테스트가 마무리되기 전부터 HBM4를 선제적으로 양산하고 있다. 리스크 안고 선제 양산…삼성·SK 모두 HBM4 상용화 자신감 먼저 실적을 발표한 SK하이닉스는 "HBM4는 지난해 9월 양산체제 구축 이후 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. SK하이닉스 안팎의 이야기를 종합하면, 해당 양산은 실무단에서 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산이란 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. 리스크 양산을 진행하는 이유는 리드타임(제품 공급에 필요한 총 시간)에 있다. 통상 HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해 4개월가량 시간이 소요된다. 인증을 완료한 뒤 제품 양산에 돌입하면 내년 엔비디아의 AI가속기 출시 스케쥴에 맞춰 HBM을 적기 공급하기가 사실상 어렵다. 생산능력이 제한돼 있고, 초기 수율 저하 문제로 출하량을 단기간에 크게 늘릴 수도 없다. 리스크 양산은 수요가 불확실해지거나 제품에 심각한 오류가 발생하는 경우, 공급사가 재고를 떠안게 된다는 점에서 손실 위험이 존재한다. 그만큼 내부적으로 상용화에 대한 의지나 확신이 없으면 진행하기가 힘들다는 뜻이다. 삼성전자 역시 실적발표에서 "당사 HBM4는 성능에 대한 고객사 평가로 이미 정상적으로 제품을 양산 투입해 생산 중"이라며 "고객사 요청으로 2월부터 최상위 등급인 11.7Gbps 제품을 포함해 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자도 지난해 하반기부터 HBM4 리스크 양산에 돌입한 것으로 풀이된다. 이달 말 기준으로, 삼성전자·SK하이닉스 모두 엔비디아향 HBM4 테스트를 아직 진행 중에 있다. 엔비디아가 제시한 공식적인 퀄 테스트 종료 시점은 1분기 말이다. 삼성전자는 이전 제품인 HBM3E까지 엔비디아향 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 다만 HBM4에서는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램, 더 고도화된 베이스 다이(HBM)의 컨트롤러 역할을 담당하는 칩를 채용해 성능을 끌어올렸다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아가 요구하는 최대 11.7Gbps급 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 내부에서는 "곧 엔비디아와 테스트가 마무리될 예정"이라는 이야기도 나온다. 이번 양산 출하 발표 역시 이러한 분위기에 기인했다는 평가다. SK하이닉스는 공식적인 언급은 피하고 있으나, 최근까지 HBM4 샘플에 대한 개선작업을 진행한 것으로 파악된다. 가혹한 환경 조건에서 11.7Gbps급 성능 구현이 삼성전자 대비 힘들다는 의견도 제기되고 있다. 결함의 경중 정도나 핵심 원인에 대해서는 업계 내부에서도 의견이 엇갈린다. 다만 SK하이닉스가 본격적인 양산 램프업(본격화) 시점을 당초 대비 다소 미루고 있다는 점은 확실시되고 있다. HBM4 양산용 소재·부품 발주 스케줄이 이달까지 확정되지 않고 있어서다. 개별 공급 시기보다 공급망 전체 상황 봐야…"결국 윈-윈" 최근 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급망을 두고 날선 신경전을 벌이고 있다. 두 회사 중 누가 먼저 HBM4에 대한 정식 PO(구매주문)을 발표할 지에 대한 시장의 관심도 또한 높다. 그러나 업계는 현재 공급되는 샘플에 심각한 불량이 발생하지 않는 한, 삼성과 SK 모두 엔비디아향 HBM4 공급을 순조롭게 진행할 수 있을 것으로 보고 있다. 이유는 공급과 수요 간 '균형'에 있다. 현재 엔비디아가 요구하는 HBM4 최고 전송속도 성능은 11.7Gbps다. 다만 삼성전자·SK하이닉스가 최고등급(Bin1) 제품만을 선별하는 경우, 수율 및 안정성 문제로 충분한 양을 공급하지 못할 가능성이 크다. HBM4는 전작인 HBM3E 대비 데이터를 주고 받는 입출력단자(I/O) 수가 2배로 늘어 수율 확보가 더 어렵다. 삼성전자·SK하이닉스 입장에서도 생산능력을 확대할 여력이 없다. 올해 HBM 공급은 공격적인 AI 인프라 투자로 전체 수요를 따라가지 못하고 있다. 특히 구글 등 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 HBM 수급 비중을 크게 늘리면서, 전년에 비해 공급난은 훨씬 심각해진 상황이다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 활용할 것으로 예상하고 있다. 실제로 삼성전자·SK하이닉스는 그간 엔비디아와 다양한 속도의 HBM4 샘플 테스트를 진행해온 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업계 전반에서 삼성전자의 HBM4 기술력을 SK하이닉스 대비 더 높게 평가하는 것은 사실이나, 전체 HBM 시장 관점에서는 두 기업 모두 무난하게 HBM 사업이 확대될 가능성이 유력하다"며 "HBM4 속도 외에도 제품 신뢰성, 공급망 안정성 등 고려해야할 요소가 많다"고 설명했다.

2026.02.01 10:05장경윤 기자

메모리 가격 폭등…DDR5·TLC 전환 '과도기 현상'

메모리 반도체 시장에서 성숙 공정 제품 가격이 이례적으로 급등하고 있다. 범용 낸드플래시 MLC와 PC용 DDR4 D램 가격이 단기간에 두 자릿수 이상 뛰면서, 시장이 최신 제품으로 전환되는 과정에서 나타나는 구조적 현상이라는 분석이 나온다. 지난달 30일(현지시간) 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 낸드플래시 범용 제품인 128Gb(16Gx8) MLC의 1월 고정거래가격은 9.46달러로 집계됐다. 이는 전월(5.74달러) 대비 64.83% 급등한 수치다. PC용 범용 D램인 DDR4 8Gb 평균 가격 역시 전달 대비 23.66% 오른 11.50달러를 기록했다. 눈길을 끄는 점은 가격 상승이 최신 제품이 아니라, DDR4와 MLC 등 성숙 공정 제품에 집중되고 있다는 점이다. 일반적으로 신규 규격 확산 국면에서는 구형 제품 가격이 완만하게 하락하는 흐름이 나타나지만, 이번에는 공급 축소가 먼저 진행되면서 가격이 오히려 급등하는 양상을 보이고 있다. 이는 메모리 업체들이 DDR5 D램과 TLC 기반 3D 낸드 등 최신 제품에 생산 역량을 집중하고 있기 때문이다. 서버·AI용 고부가 제품과 고용량 저장장치 수요가 빠르게 늘어나면서, 수익성이 낮은 성숙 공정 제품은 자연스럽게 생산 우선순위에서 밀려나고 있다. 그 결과 DDR4와 MLC는 수요가 완전히 사라지지 않은 상태에서 공급만 줄어들며 가격이 급등하는 구조가 형성됐다. 트렌드포스는 "공급업체들이 3D 낸드와 고용량 제품에 생산 역량을 우선 배분하면서, SLC·MLC 등 성숙 공정 제품의 공급이 제한되고 있다"며 "성숙 공정 제품에 대한 웨이퍼 투입 감소로 시장 가용 물량이 줄어든 상태"라고 설명했다. D램 시장 역시 유사한 흐름을 보이고 있다. 고사양 PC와 서버 시장을 중심으로 DDR5 전환이 진행되는 가운데, 저가형 PC와 일부 산업용 수요에서는 여전히 DDR4 의존도가 높다. 그러나 공급업체들이 DDR4 생산을 점진적으로 축소하면서, 단기적으로 수급 불균형이 발생하고 가격이 빠르게 상승하고 있다는 분석이다. 업계에서는 이러한 가격 급등을 '전환기의 과도기적 현상'으로 보고 있다. 중장기적으로는 DDR5와 TLC 기반 낸드 비중이 확대되면서 시장 구조가 재편되겠지만, 그 과정에서 성숙 공정 제품의 가격 변동성이 당분간 이어질 수 있다는 것이다. 트렌드포스는 낸드플래시 고정거래가격이 올해 초까지 강세를 유지할 가능성이 크다고 전망했으며, PC용 D램 역시 공급자 우위 시장이 이어지면서 추가 인상 가능성을 배제할 수 없다고 분석했다. 시장의 중심이 최신 규격으로 이동하는 과정에서, 성숙 공정 메모리가 오히려 가장 큰 가격 변동성을 보이고 있는 셈이다.

2026.02.01 09:12전화평 기자

범용 메모리 가격 폭등세…낸드 65%↑, D램도 한 달 새 24%↑

메모리 반도체 가격이 가파르게 치솟고 있다. 범용 낸드플래시 제품 가격은 한 달 새 60% 넘게 급등했고, PC용 범용 D램 가격 역시 두 자릿수 상승률을 기록하며 메모리 시장 전반의 가격 강세가 뚜렷해지고 있다. 30일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 낸드플래시 범용 제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 1월 고정거래가격은 9.46달러로 집계됐다. 이는 전월(5.74달러) 대비 64.83% 급등한 수치다. 이 제품 가격은 2024년 12월까지만 해도 하락 흐름을 보였다. 이후 지난해 1월부터 점진적으로 가격이 상승했다. 특히 9월부터는 두자릿수대 성장률을 보이고 있다. 이달 고정거래 가격은 지난해 10월 말 고정가인 4.35달러의 두 배가 넘는 가격이다. 범용 저장장치 수요 회복과 함께 성숙 공정 낸드 공급이 빠듯해진 영향이 반영된 것으로 풀이된다. 트렌드포스는 "공급 업체들이 3D 낸드와 고용량 제품에 생산 역량을 우선 배분하면서, SLC·MLC 등 성숙 공정 제품의 공급이 제한되고 있다"며 "성숙 공정 제품에 대한 웨이퍼 투입 감소로 시장 가용 물량이 줄어든 상태"라고 설명했다. 그러면서 "낸드플래시 고정거래가격은 올해 초까지 강세를 유지할 가능성이 크다"고 내다봤다. 범용 D램 가격 역시 빠르게 올라가고 있다. PC용 범용 제품인 DDR4 8Gb의 평균 가격은 전달 대비 23.66% 상승한 11.50달러로 집게됐다. 지난해 12월 고정거래가격(9.30달러)에서 2달러 이상 올랐다. DDR4 8Gb 제품 가격은 지난해 초 1달러 초반대에서 형성되다가, 하반기부터 상승 흐름이 뚜렷해졌다. 특히 지난해 7월 이후 가파른 상승세가 이어지며, 올해 들어서는 월별 상승폭이 다시 확대되는 모습이다. PC용 범용 D램 수요 회복과 함께 재고 축소 흐름이 가격에 반영되고 있다는 분석이 나온다. 트렌드포스는 "공급업체 재고가 여전히 제한적인 가운데, 주요 가격 협상이 2월에 집중돼 추가 인상 가능성도 배제할 수 없다"며 "공급과 수요 구조를 고려할 때, 1분기 PC용 D램 가격 상승률 전망치는 기존 예상보다 높아질 것"이라고 관측했다.

2026.01.30 16:26전화평 기자

삼성전자 "올해 HBM 매출 전년比 3배 목표"…출하량 100억Gb 넘을 듯

삼성전자가 올해 메모리 반도체 공급난이 지속될 것으로 내다봤다. 1분기 D램과 낸드 모두 출하량 성장이 제한되면서 가격 상승이 불가피할 전망이다. 특히 HBM(고대역폭메모리)은 전 세계 AI 인프라 투자에 따라 수요를 따라가지 못하는 상황이다. 이에 삼성전자는 올해 HBM 매출을 전년 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세웠다. 용량 기준으로는 100억Gb(기가비트)를 넘길 전망이다. 29일 삼성전자는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리 시장 전망에 대해 밝혔다. 메모리 공급사들은 지난해 하반기 심화된 공급부족 현상에 따라, D램 및 낸드에서 빠르게 수익성을 개선하고 있다. 삼성전자의 경우 지난해 4분기 D램 ASP(평균판매가격)가 전분기 대비 40% 수준 상승한 것으로 나타났다. 낸드 역시 전분기 대비 20% 수준으로 상승했다. 올 1분기에도 메모리 빗그로스(출하량 증가율)는 제한적일 전망이다. D램과 낸드가 각각 전분기 대비 한자릿수 초반, 한자릿수 중반대에 그칠 것으로 보인다. 이에 메모리 가격은 추가적인 상승 압박을 받고 있다. 삼성전자는 "최근 AI에서 수요가 가파르게 증가하고 있어 메모리 공급 확대가 제한적이고, 범용 메모리와 HBM(고대역폭메모리) 전반적으로 당분간 이런 상황이 지속될 것"이라며 "이에 GPU 및 ASIC(주문형반도체) 업체와 하이퍼스케일러 등 대형 고객사와 다년 계약을 접수하고 있다"고 설명했다. 이에 삼성전자는 올해 최첨단 공정 기반의 D램 및 낸드 생산능력 확대에 속도를 낼 계획이다. 1c D램과 9세대 낸드를 중심으로 신규 및 전환 투자가 진행될 것으로 전망된다. 올해 HBM 사업 확대도 자신했다. 삼성전자는 "HBM4는 재설계 없이 작년 공급한 샘플로 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라며 "현재 퀄(품질테스트) 완료 단계에 진입했다"고 밝혔다. 회사는 이어 "정상적으로 HBM4 제품을 양산 투입해 생산 진행 중"이라며 "주요 고객사의 요청에 따라 2월부터 최상위품인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 덧붙였다. 삼성전자가 제시한 올해 HBM 매출 목표는 전년 대비 3배 이상이다. 삼성전자의 지난해 HBM 총 공급량이 40억Gb대로 추산된다는 점을 고려하면, 올해 공급량은 100억Gb 이상을 공급할 수 있을 것으로 예상된다. 삼성전자는 "공급 확대 노력에도 불구하고 올해 HBM 수요는 당사 공급 규모를 넘어서고 있다"며 "주요 고객은 2027년 및 이후 물량에 대해서도 공급 협의를 조기 확정하길 희망한다"고 밝혔다.

2026.01.29 13:19장경윤 기자

삼성전자 "HBM4 퀄 완료 단계…올해 물량 솔드 아웃"

삼성전자가 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 고객 퀄 테스트(품질검증)가 완료 단계에 진입했으며, 올해 HBM 물량이 사실상 모두 소진됐다고 밝혔다. 해당 고객은 삼성전자가 그간 HBM 공급에 주력해 온 엔비디아로 추정된다. 삼성전자는 29일 열린 2025년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4는 개발 착수 단계부터 고객 요구 수준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발했다"며 "주요 고객사들의 퀄 테스트가 순조롭게 진행돼 현재 완료 단계에 진입했다"고 설명했다. 아울러 고객 요구 성능이 상향되는 과정에서도 재설계 없이 대응했으며, 이에 대해 고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받고 있다고 덧붙였다. 회사 측은 이미 HBM4 제품을 정상적으로 양산 라인에 투입해 생산을 진행 중이며, 주요 고객사 요청에 따라 오는 2월부터 11.7Gbps급 HBM4 양산 출하를 시작할 예정이라고 밝혔다. 차세대 제품 개발도 병행 중이다. 삼성전자는 HBM4E(7세대)의 경우 올해 중반 스탠다드 제품을 우선 샘플링하고, 4코어 다이 기반 커스텀 HBM 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 과제별로 웨이퍼 초도 투입을 진행할 계획이라고 설명했다. HBM 패키지 기술로 주목받고 있는 하이브리드 본딩도 HBM4E부터 본격 적용한다. 삼성전자는 "지난 분기 HBM4 기반 샘플을 주요 고객사에 이미 전달해 기술 협의를 시작했으며, HBM4E 단계에서 일부 사업화를 추진할 계획"이라고 전했다. HBM 수요 전망은 밝을 것으로 내다봤다. 삼성전자는 “현재 기준으로 준비된 HBM 캐파에 대해 올해 물량은 전량 구매 주문(PO)을 확보한 상태”라며 “2026년 당사 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 성장할 것으로 전망된다”고 밝혔다. 그러면서 "주요 고객사들의 올해 HBM 수요는 삼성전자의 공급 능력을 초과하고 있으며, 2027년 이후 물량에 대해서도 조기 공급 협의를 희망하고 있다"고 덧붙였다. 삼성전자는 단기적으로는 HBM3E 수요 대응력을 높이는 한편, 중장기적으로는 HBM4·HBM4E를 위한 원시나노 공정 캐파 확보 투자를 병행해 AI 반도체 시장 내 HBM 공급 대응력을 지속적으로 확대해 나간다는 전략이다.

2026.01.29 11:21전화평 기자

SK하이닉스 "HBM4 압도적 점유율·수율 목표"

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 주도권을 계속해 유지하겠다는 강한 의지를 드러냈다. 올해 본격 양산되는 HBM4(6세대 HBM)에서 압도적인 점유율과 높은 수율을 확보하는 것이 목표다. 29일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 "HBM4에서 일부 경쟁사 진입이 예상되나, 당사의 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 밝혔다. HBM4는 올해 본격적인 상용화를 앞둔 가장 최신 세대의 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4에 대해 "현재 양산 중"이라고 언급한 바 있다. SK하이닉스는 "당사는 HBM2E부터 고객들과 원팀으로 협업해 HBM 시장을 개척해 온 선두주자로, 양산 경험과 품질에 대한 고객사 신뢰는 단기간에 추월하기 어려울 것"이라며 "HBM4 역시 당사 제품에 대한 선호도와 기대 수준이 높아 고객사들이 최우선으로 요구하고 있다"고 설명했다. 이를 바탕으로 SK하이닉스는 HBM4 시장에서 압도적인 점유율 확보를 목표로 하고 있다. 수율 역시 이전 제품인 HBM3E 12단과 비슷한 수준까지 끌어올리는 것이 목표다. SK하이닉스는 "현재 생산을 극대화중임에도 고객 수요를 100% 충족하기 어려워, 일부 경쟁사의 진입이 예상된다"면서도 "성능과 양산성, 품질을 기반으로 한 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 강조했다.

2026.01.29 10:03장경윤 기자

"D램 재고, 올 하반기 더 낮아져"…메모리 공급난 심화된다

AI 산업 주도로 촉발된 '메모리 대란'이 올해에도 지속될 전망이다. 지난해 4분기 SK하이닉스의 D램 재고가 전분기 대비 감소한 데 이어, 올해 하반기로 갈수록 더 낮은 수준으로 하락할 것으로 예상된다. 낸드 역시 재고 수준이 빠르게 낮아지고 있다. SK하이닉스는 29일 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리반도체 수급 전망에 대해 밝혔다. SK하이닉스는 "AI 인프라 투자가 계속 확대되고 있으나 업계의 공급 능력은 이를 따라가지 못하고 있는 상황"이라며 "고객사 재고 수준도 전반적으로 감소한 것으로 파악하고 있다"고 설명했다. 특히 서버 고객사의 경우, 메모리 물량이 확보되면 곧바로 조립 공정으로 넘어가는 상황이 발생하고 있다. 재고를 축적할 만큼 충분한 물량 비축이 어렵기 때문이다. 이에 따라 서버 고객사의 구매 확대 움직임은 향후에도 지속될 전망이다. PC 및 모바일 고객사도 서버향 수요 강세의 영향을 직·간접적으로 받고 있어 수급에 어려움을 겪고 있다. 메모리 공급사의 재고 수준도 낮아지고 있다. SK하이닉스는 "지난해 4분기에도 D램 재고 수준은 전분기 대비 감소했다"며 "서버 D램 중심의 타이트한 재고 추세가 연중 지속돼, 재고 수준은 올 하반기로 갈수록 현재보다 점점 더 낮은 수준으로 하락할 것으로 예상한다"고 강조했다. 낸드 역시 데이터센터에 탑재되는 eSSD를 중심으로 전반적인 재고 감소세가 지속될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 "당사의 낸드 재고 수준도 빠르게 낮아져서 작년 말 낸드 재고 수준도 D램과 거의 동일한 수준"이라고 밝혔다.

2026.01.29 09:59장경윤 기자

삼성전자, 작년 매출 333조·영업익 43.6조 '사상 최대치'

삼성전자가 반도체 슈퍼사이클에 힘입어 지난해 연간 매출이 사상 최대치를 기록하고 영업이익은 역대 네번째를 달성하는 성과를 냈다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 판매 증가로 반도체를 담당하는 DS부문이 실적 개선을 주도한 가운데, 회사는 올해에도 반도체 중심의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. 다만 세트 사업을 담당하는 DX부문은 수익성 회복이 과제로 지목됐다. 삼성전자는 29일 연결 기준으로 2025년 연간 매출 333조6천59억원, 영업이익 43조6천11억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 10.9%, 영업이익은 33.2% 각각 증가했다. 연간 영업이익률은 13.1%로 전년 대비 상승했다. 실적 견인 DS부문·수익성 둔화 DX부문... 희비 엇갈려 반도체를 담당하는 DS부문은 지난해 연간 영업이익 24조9천억원을 기록했다. 이는 2024년 15조1천억원과 비교해 약 65% 급증한 수치이다. 같은 기간 매출은 111조1천억원에서 130조1천억원으로 확대됐다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 연간 수익성 개선의 핵심 요인으로 작용했다. 특히 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중이 확대되며 이익 체력이 크게 강화됐다. 시스템LSI는 계절적 수요 변동에도 불구하고 2억 화소 이미지센서 등 고사양 제품 판매 확대에 힘입어 연간 매출 성장세를 유지했다. 파운드리는 2나노 공정 양산을 본격화하며 매출 기반을 확대했지만, 충당 비용 등의 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다. 세트 산업을 담당하는 DX부문은 지난해 연간 매출 188조원을 기록하며 전년 대비 성장했으나, 영업이익은 12조9천억원으로 수익성은 둔화됐다. 이는 전년 영업이익(12조4천억원) 대비 약 4% 증가한 수준이다. 매출은 같은 기간 174조9천억원에서 188조원으로 늘었지만, 수익성 개선은 제한적이었던 셈이다. 모바일을 담당하는 MX 사업은 플래그십 제품 판매에도 불구하고 스마트폰 시장 경쟁 심화와 비용 부담으로 수익성이 제한됐다. 영상디스플레이(VD)는 프리미엄 TV 판매 확대에도 경쟁 심화 영향으로 수익성 압박을 받았고, 생활가전(DA) 역시 글로벌 관세와 비용 증가 영향이 실적에 부담으로 작용했다. 올해 DS부문, AI 반도체 중심 성장 지속 삼성전자는 올해 1분기에도 AI 및 서버 중심의 수요 강세가 이어지며 반도체 사업의 성장 흐름이 지속될 것으로 전망했다. 메모리 부문에서는 HBM4 양산 출하를 본격화하고, 고용량 DDR5와 AI용 SSD 판매를 확대해 제품 믹스 개선에 집중할 계획이다. 파운드리는 계절적 비수기 영향으로 1분기 매출 감소가 예상되지만, HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다. 연간 기준으로는 첨단 공정 중심의 매출 성장과 손익 개선을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 갖춘 '원스톱 솔루션' 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권을 강화하겠다는 전략이다. DX부문, 플래그십·AI로 수익성 회복 추진 세트 중심의 DX부문은 1분기 갤럭시S 26 등 플래그십 스마트폰 신제품 출시를 계기로 판매 확대를 추진한다. 모바일 사업에서는 에이전틱(Agentic) AI 경험을 강화한 AI 스마트폰을 앞세워 시장 리더십을 공고히 한다는 방침이다. 영상디스플레이는 마이크로 RGB TV와 OLED 등 프리미엄 제품을 중심으로 매출 성장과 수익성 개선을 노린다. 생활가전은 AI 기능이 강화된 프리미엄 제품과 계절적 수요 회복을 통해 실적 개선을 추진할 계획이다. 삼성전자는 반도체 중심의 실적 개선 흐름 속에서, 올해 DX부문의 수익성 회복 여부가 전사 실적의 추가 상승을 좌우할 핵심 변수로 작용할 것으로 보고 있다.

2026.01.29 09:54전화평 기자

SK하이닉스 "올해 설비투자 규모 상당 수준 증가" 예고

SK하이닉스가 올해 연간 설비투자 규모를 상당한 수준으로 늘릴 계획이다. AI 산업 주도로 고부가 메모리반도체 수요가 지속적으로 강세를 보일 것으로 예상되는 만큼, 이에 적기 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 28일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 자료를 통해 "올해 투자 규모는 전년 대비 상당 수준 증가가 예상된다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수할 것"이라고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 누적 17조8천250억원을 투자한 바 있다. 이를 고려하면 지난해 연간 투자 규모는 20조원 중후반대에 달할 전망이다. 올해는 30조원을 넘어설 가능성이 유력하다. 올해는 연간으로 더 큰 규모의 투자가 예정돼 있다. 청주 신규 팹인 M15X는 생산능력 조기 극대화 및 선단 공정 가속화를 추진하고 있으며, 용인 1기 팹도 건설에 속도를 내고 있다. 패키징 관련해서는 청주 P&T(패키징&테스트)7, 인디애나주 신규 팹 설립 등을 추진 중이다.

2026.01.28 18:01장경윤 기자

SK하이닉스 "서버 중심 메모리 수요 확대"…CAPA 제약 속 성장 전망

SK하이닉스가 올해 메모리 시장이 전반적으로 성장하겠지만, 메모리 업계 전반의 CAPA(생산능력) 제약으로 수요 증가폭은 제한적일 것으로 내다봤다. 28일 SK하이닉스 실적발표 자료에 따르면, 올해 서버 시장을 중심으로 메모리 수요가 빠르게 확대될 것으로 관측된다. AI 추론 수요 확산으로 컴퓨팅 워크로드가 고성능 서버에서 분산형 아키텍처로 확장되면서, 시스템 효율성의 핵심이 연산 성능에서 데이터 전송과 저장 최적화로 이동하고 있다는 분석이다. 이에 따라 메모리의 역할과 중요성도 한층 커질 것으로 전망했다. SK하이닉스는 2026년 기준 D램 수요가 20% 이상 성장하고, 낸드플래시 수요 역시 10% 후반대 성장세를 기록할 것으로 내다봤다. AI 서버뿐 아니라 일반 서버 역시 고사양화가 빠르게 진행되면서, 서버용 D램과 기업용 SSD(eSSD) 수요가 전체 메모리 시장 성장률을 크게 웃도는 구조적 증가세를 나타낼 것이라는 설명이다. 반면 PC와 스마트폰 등 전통적인 IT 기기용 메모리 수요는 상대적으로 제한적일 것으로 봤다. 부품 원가 상승과 소비 심리 위축으로 세트 출하량이 단기적으로 조정 국면에 들어설 가능성이 있으며, 메모리 가격 상승과 공급 제약 영향으로 채용량 증가폭도 제한될 수 있기 때문이다. 단기적으로는 분기별 출하량 변동 가능성도 언급했다. SK하이닉스는 1분기 D램 출하량이 전분기 기저 효과로 소폭 감소할 것으로 예상했으며, 낸드플래시 출하량은 전분기와 유사한 수준을 전망했다. 회사는 이러한 흐름 속에서도 시장 상황에 맞춘 안정적인 공급 기조를 유지할 계획이라고 밝혔다. 메모리 업계 전반의 CAPA 제약 기조가 이어지면서 공급 확대 속도는 제한적일 것으로 내다봤다. 이에 따라 수요 증가폭이 일부 제한되더라도, 메모리 가격 상승 흐름은 유지될 가능성이 크다는 설명이다. SK하이닉스는 이러한 수급 환경이 과거와 같은 급격한 공급 확대 중심의 사이클과는 다른, 공급자 우위의 안정적인 시장 구조를 형성할 것으로 보고 있다. 한편, SK하이닉스는 29일 오전 9시 실적 발표 컨퍼런스콜을 진행한다.

2026.01.28 17:34전화평 기자

SK하이닉스, 작년 영업익 47.2조원 '금자탑'...삼성 제쳤다

AI 산업 중심으로 재편된 글로벌 반도체 시장에서 SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클의 개막을 실적으로 증명했다. SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리)을 축으로 서버용 D램과 낸드까지 수요가 확산되며, 지난 2025년 한해 동안 매출·영업이익·순이익 모두 사상 최대 신기록을 새로 쓰면 금자탑을 쌓았다. SK하이닉스는 2025년 연결 기준 연간 영업이익 47조2천63억원을 기록했다고 28일 공시했다. 이는 기존 최대 실적인 전년(23조4천673억원)의 2배 수준이다. 앞서 잠정실적을 발표한 삼성전자(43조5천300억원)를 뛰어넘은 성적표이기도 하다. SK하이닉스가 국내 상장사 중 영업이익 1위에 오른 셈이다. 매출은 97조1천467억원을 기록했다. 지난해와 비교해 47% 상승했다. 영업이익률은 49%다. 이 같은 실적은 메모리 업황 반등을 넘어 AI 수요에 기반한 구조적 성장 국면에 진입했음을 보여준다. SK하이닉스는 AI 학습과 추론 수요 확대에 따라 고성능·고용량 메모리 수요가 전방위로 증가하면서, 과거 PC·모바일 중심의 사이클과는 전혀 다른 성장 궤도에 올라섰다는 평가를 받고 있다. HBM 두 배 성장…D램·낸드도 '동반 질주' 제품별로는 D램이 HBM 수요가 2배 이상 증가하며 역대 최대 실적을 견인했다. SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업이다. 특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 현재 고객 요청 물량을 본격 양산 중이다. 일반 D램에서도 기술 리더십을 강화했다. 10나노급 6세대(1c나노) DDR5 양산에 돌입했고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 256GB DDR5 RDIMM을 개발하며 서버용 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진에도 불구하고 321단 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD(eSSD) 중심으로 수요 회복에 성공하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다. "AI 추론 시대로 전환…메모리 수요 더 커진다" SK하이닉스는 AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 분산형 아키텍처 수요가 확대되고, 이에 따라 메모리의 역할이 더욱 중요해질 것으로 내다봤다. 고성능 메모리뿐 아니라 서버용 D램과 낸드 등 전반적인 메모리 수요가 구조적으로 확대될 것이라는 전망이다. 이에 따라 회사는 HBM4 리더십을 유지하는 동시에 고객 맞춤형 '커스텀 HBM' 시장에서도 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 일반 D램은 1c나노 전환을 가속화해 SOCAMM2, GDDR7 등 AI 메모리 포트폴리오를 확대하고, 낸드는 솔리다임의 QLC eSSD를 활용해 AI 데이터센터용 스토리지 수요에 적극 대응할 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장은 "차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 지속 가능한 실적 성장을 창출하는 동시에, 미래 투자와 재무 안정성, 주주환원 간 최적의 균형을 유지하겠다"며 "단순한 메모리 공급자를 넘어 AI 시대의 핵심 인프라 파트너로서 역할을 강화하겠다"고 밝혔다.

2026.01.28 17:09전화평 기자

[1보] SK하이닉스, 지난해 4분기 영업익 19.1조원...전년比 137.2%↑

SK하이닉스는 지난해 4분기 매출 32조8천267억원, 영업이익 19조1천696억원을 기록했다고 28일 공시를 통해 밝혔다. 당초 시장은 SK하이닉스의 영업이익을 최대 18조원 규모로 예상해 왔다. 분기 최대 실적이자 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'다. 매출은 전년동기 대비 66.1%, 전분기 대비 34.3% 증가했다. 영업이익은 각각 137.2%, 68.4% 늘었다.

2026.01.28 16:37장경윤 기자

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