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로옴, 저손실 특성·단락 내량 뛰어난 1200V IGBT 개발

로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q101'에 준거하고, 업계 최고 수준의 저손실 특성과 높은 단락 내량을 실현한 제4세대 IGBT를 개발했다고 7일 밝혔다. 이번에 판매하는 제품은 디스크리트 패키지(TO-247-4L 및 TO-247N) 2종의 총 4개 기종 'RGA80TRX2HR·RGA80TRX2EHR·RGA80TSX2HR·RGA80TSX2EHR'과 베어칩 11개 기종 'SG84xxWN'이며, 향후 라인업을 한층 더 확충할 예정이다. 제4세대 1200V IGBT는 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 1200V의 고내압과 자동차기기 규격의 신뢰성을 확보함과 동시에, 업계 최고 수준의 단락 내량 10µsec.(Tj=25℃ 시) 및 낮은 스위칭 손실 특성, 낮은 도통 손실 특성을 달성했다. 또한 4단자를 채용한 TO-247-4L 패키지 제품은 단자간 연면 거리를 확보함으로써 오염도 2의 환경에서 실효 전압 1100V에 대응할 수 있어, 기존품 대비 고전압 용도에 대응 가능하다. 연면 거리 대책을 디바이스 측에서 실시함으로써, 메이커의 설계 부하 경감에도 기여할 수 있다. 또한 TO-247-4L 패키지 제품의 경우, 켈빈 에미터 단자를 추가함으로써 고속 스위칭을 실현했으며, 한차원 높은 저손실화도 달성했다. 실제로 신제품의 TO-247-4L 패키지 제품과 일반품 및 기존품의 효율을 3상 인버터 조건에서 비교한 결과, 일반품 대비 약 24%, 기존품 대비 약 35%의 손실 저감을 실현해, 어플리케이션의 고효율 구동에 기여한다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 로옴은 "앞으로도 한층 더 고성능 IGBT 제품의 라인업 확충을 추진함으로써 자동차 및 산업기기 어플리케이션의 고효율 구동과 소형화에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.11.07 10:21장경윤

로옴-덴소, 반도체 분야 협력 강화 검토

로옴은 덴소와 반도체 분야에서 전략적 파트너십 검토 개시에 합의했다고 15일 밝혔다. 탄소 중립 실현을 위해 전동차 개발 및 보급이 가속화됨에 따라, 자동차의 전동화에 필요한 전자부품이나 반도체의 수요가 급격하게 높아지고 있다. 또한 교통 사고 사망자 제로(zero)화에도 기여할 것으로 기대되는 자동 운전이나 커넥티드 등 자동차의 지능화를 서포트하는 제품으로서도 반도체의 중요성이 높아지는 추세다. 지금까지 덴소와 로옴은 자동차용 반도체의 거래 및 개발을 통해 협력을 추진해 왔다. 앞으로도 양사는 고신뢰성 제품의 안정적 공급을 실현함과 동시에, 지속 가능한 사회에 기여할 수 있는 고품질 및 고효율의 반도체 개발에 관한 다양한 활동을 전개하기 위해 본 파트너십을 검토할 계획이다. 아울러 덴소는 본 파트너십을 한층 더 강화하고자, 로옴의 일부 주식을 취득할 예정이다. 하야시 신노스케 덴소 대표이사는 "로옴은 아날로그, 파워 디바이스, 디스크리트 등 차량용 일렉트로닉스 제품에서 중요시되는 폭넓은 영역의 반도체 라인업과 풍부한 양산 실적을 보유하고 있다"며 "덴소가 지금까지 축적해온 차량용 기술과 지견을 융합함으로써, 안정 공급과 기술 개발을 가속화시킬 수 있을 것으로 생각하고 있다"고 밝혔다. 마츠모토 이사오 로옴 대표이사는 "덴소와의 파트너십 및 덴소에 의한 주식 취득을 통해, 덴소와의 협력 관계가 한층 더 강화될 것으로 생각하고 있다"며 "자동차 및 산업기기 분야에서 고도의 시스템 구축 능력을 보유한 덴소와의 융합을 심화시킴으로써, 지속 가능한 사회의 실현에 기여할 수 있을 것으로 생각한다"고 말했다.

2024.10.15 10:54장경윤

인피니언, 신규 'CoolSiC MOSFET 2000V' 제품군 출시

인피니언테크놀로지스는 'TO-247PLUS-4-HCC' 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스다. 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 '.XT' 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 eval-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.

2024.03.25 11:20장경윤