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제우스, 美 고객사에 포토닉 디본딩 장비 공급 예정

반도체·디스플레이 제조장비 및 로봇 전문기업 제우스는 포토닉 디본딩 자동화 장비를 미국 종합반도체(IDM) 업체에 공급할 예정이라고 19일 밝혔다. 해당 장비는 첨단 반도체 패키징 분야에서 혁신 기술을 보유한 미국 '펄스포지(PulseForge)'와 협력해 개발했다. 포토닉 디본딩은 고강도의 펄스형 광선을 사용해 웨이퍼를 부드럽게 분리한다. 이를 통해 생산 과정에서 발생할 수 있는 웨이퍼 손상과 잉여물을 최소화하고, 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한 다양한 웨이퍼 크기 및 임시 본딩 소재에 활용 가능해, 이종 집적 및 첨단 패키징 분야에서 확장성이 높다. 자동화 운영으로 일관된 공정을 통해 반도체 제조를 효율적으로 간소화할수도 있다. 이종우 제우스 대표는 "펄스포지와의 파트너십은 포토닉 디본딩과 반도체 제조에서 업계를 선도하는 기술력을 결합한 결과"라며 “이번 포토닉 디본딩 자동화 장비는 차세대 패키징 기술의 중요한 진전을 이룰 것으로 기대되며, 공정 효율성을 개선하고 운영 비용 절감에 기여할 것”이라 밝혔다. 한편 제우스는 19일부터 21일까지 서울 코엑스에서 열리는 '세미콘 코리아 2025(SEMICON KOREA 2025)'에 참가한다. 1층 A홀에 행사 부스를 마련하고, 이번에 출시될 포토닉 디본딩 자동화 장비에 대해 자세한 정보를 제공할 예정이다.

2025.02.19 09:44장경윤

EVG, '세미콘 코리아 2025'서 HBM·3D D램용 본딩 솔루션 공개

오스트리아에 본사를 둔 반도체 장비기업 EV그룹(EVG)은 오는 19일부터 21일까지 서울 코엑스에서 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서 업계 선도적인 'IR 레이어릴리즈(LayerRelease)' 템포러리 본딩 및 디본딩(TBDB) 솔루션 등을 선보인다고 17일 밝혔다. EVG는 인공지능(AI) 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC)의 핵심 구성요소인 HBM(고대역폭메모리) 및 3D DRAM의 개발 과 생산을 지원하는 TBDB 솔루션을 포함해, 업계에서 가장 포괄적인 웨이퍼 본딩 솔루션을 제공한다. 세미콘 코리아는 미래를 만들어 나가는 핵심 트렌드를 선보이는 세계 최고의 반도체 기술 전시회 중 하나로, 올해 행사에서는 AI와 함께 첨단 패키징, 지속 가능한 반도체 제조 등이 주요 주제로 다뤄질 전망이다. EVG의 IR 레이어릴리즈 기술은 완전한 프런트엔드 호환성을 갖춘 레이어 분리 기술로, 실리콘을 투과하는 파장대를 갖는 적외선(IR) 레이저를 사용하는 것이 특징이다. 이 기술은 특수하게 조성된 무기질 레이어와 함께 사용할 경우, 초박형 필름이나 레이어를 실리콘 캐리어로부터 나노미터 정밀도로 분리할 수 있으며, 업계 최고 수준의 디본딩 처리량을 제공한다. 토르스텐 마티아스 EVG 아태지역 세일즈 디렉터는 “차세대 HBM과 3D D램의 개발 및 양산을 가속화하는 것은 한국 반도체 업계의 최우선 과제이고, 이는 TBDB기술의 혁신을 필요로 한다"며 "EVG의 IR 레이어릴리즈 기술을 적용하면 더 얇은 두께의 다이를 구현함으로써 HBM을 더 높이 적층할 수 있기 때문에, 기계적 디본딩의 필요성을 없애 준다"고 밝혔다. 또한 IR 레이어릴리즈는 실리콘 캐리어 사용을 지원하면서, 기계적 디본딩 공정을 1:1 대체하여, 현재 및 차세대 적층 메모리 공정을 모두 지원한다. 뿐만 아니라 프런트엔드 호환성을 제공하므로 퓨전 및 하이브리드 본딩 공정과도 결합할 수 있어 차세대 메모리 및 비메모리 반도체에 필수적인 초박형 웨이퍼 및 필름 프로세싱에도 이상적이다. HBM과 3D D램은 높은 대역폭, 낮은 지연 시간, 저전력 특성을 최소형으로 제공하기 때문에, 점점 더 증가하는 AI 학습 애플리케이션의 수요에 대응하기 위한 유망한 반도체 기술로 부상하고 있다. TBDB는 이러한 첨단 메모리 칩 제조에 필수적인 칩 적층 공정 중에 핵심이다. 기계적 디본딩과 같은 기존의 디본딩 방식은 차세대 HBM과 같이 매우 복잡한 설계의 초박형 웨이퍼를 위한 충분한 정밀도를 제공하지 못한다. EVG의 IR 레이어릴리즈 솔루션은 정밀성, 더 높은 수율, 더 낮은 소유 비용, 환경에 대한 영향, 그리고 미래 대응 능력 측면에서 한국을 비롯한 전세계 메모리 반도체 및 기타 디바이스 제조사들에게 명확한 이점을 제공한다. IR 레이어릴리즈는 기존의 기계적 디본딩을 대체하며, EVG850 플랫폼을 기반으로 하는 EVG의 슬라이드 오프 및 UV 레이저 디본딩 솔루션들과 함께 EVG 디본딩 기술 포트폴리오를 더욱 강화한다.

2025.02.17 13:58장경윤

제우스, 美 펄스포지와 '포토닉 디본딩' 장비 개발 착수…차세대 HBM 겨냥

반도체·디스플레이 제조장비 및 로봇 전문기업 제우스는 미국 펄스포지(PulseForge)사와 협력해 포토닉 디본딩(Photonic debonding) 자동화 장비 개발을 위한 전략적 파트너십을 체결했다고 7일 밝혔다. 반도체 제조·첨단 패키징 혁신 기술을 보유한 펄스포지는 포토닉 디본딩 기술을 주력으로 개발해 왔다. 디본딩은 반도체 제조 공정에서 임시로 붙인 칩을 떼어내는 기술이다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off)이 주류를 이루고 있다. 다만 이는 물리적 압력에 의해 칩에 손상을 줄 수 있다는 단점이 존재한다. 때문에 반도체 업계는 디본딩 기술을 안정성이 높은 포토닉, 레이저 등으로 대체하기 위한 기술개발을 진행 중이다. 특히 고적층 HBM(고대역폭메모리) 분야에서 주목받는 기술이다. 이번 개발 협력을 통해 양사는 한국 시장의 요구에 맞춰 국내 반도체 제조 공정의 성능을 향상시키고 비용 절감을 실현하는 포토닉 디본딩 자동화 장비 개발한다는 목표다. 제우스의 반도체 공정 기술과 펄스포지의 혁신적인 포토닉 디본딩 기술을 결합해, 반도체 생산 과정에서 생산성 향상, 수율 개선, 비용 절감 효과를 갖춘 최첨단 장비를 개발하고 양산할 계획이다. 이종우 제우스 대표이사는 “이번 파트너십은 한국 반도체 산업에 최첨단 웨이퍼 처리 솔루션을 제공하겠다는 당사의 의지를 보여주는 중요한 이정표”라며 “변화하는 고객의 요구를 충족시키고 디본딩 기술에 새로운 기준을 세울 것이라 믿는다”고 밝혔다. 조나단 깁슨 펄스포지 최고경영자(CEO)는 “제우스와 협력해 한국 시장을 겨냥한 혁신적인 포토닉 디본딩 자동화 장비를 개발할 수 있게 되어 매우 기대된다”며 “두 회사의 기술력 결합으로 한국 제조 업체들에게 생산성 향상, 수율 개선 및 비용 절감에 효과적인 장비를 제공할 것”이라 강조했다. 양사의 협업을 통해 개발한 포토닉 디본딩 자동화 설비는 향후 국내 주요 반도체 팹에 납품될 예정이며, 올해 4분기 제우스 화성 반도체연구소 클린룸 내에 데모기가 설치될 예정이다.

2024.08.07 09:55장경윤

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤