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ST, 신규 GaN 하프 브리지 드라이버 2종 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 GaN(질화갈륨) 소자의 효율성 및 견고성을 향상시키는 새로운 고전압 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시했다고 19일 밝혔다. 최신 'STDRIVEG610' 및 'STDRIVEG611'은 컨슈머 및 산업 애플리케이션의 전력 변환 및 모션 제어 시 GaN 디바이스를 관리하는 두 가지 옵션을 제공해 설계자가 효율성, 전력 밀도, 견고성을 향상시키도록 지원한다. STDRIVEG610은 LLC 또는 ACF와 같은 컨버터 토폴로지의 주요 파라미터 중 하나인 300ns의 매우 빠른 시동 시간(Start-up Time)이 필요한 애플리케이션에 적합하며, 이는 버스트 모드에서 턴오프 간격을 정밀하게 제어해준다. STDRIVEG611은 모션 제어 애플리케이션의 하드 스위칭(Hard-Switching)에 최적화됐으며, 하이 사이드 UVLO 및 스마트 셧다운 과전류 보호 등 추가 보호 기능을 제공한다. 두 디바이스 모두 교차 전도 방지를 위한 인터로킹(Interlocking) 기능이 내장돼 하드 스위칭 및 소프트 스위칭(Soft-Switching) 토폴로지에 적합하다. STDRIVEG610은 전원 어댑터, 충전기, 역률 보정(PFC: Power-Factor Correction) 회로의 성능을 향상시킨다. STDRIVEG611은 가전제품, 펌프 및 압축기, 산업용 서보 드라이브, 공장 자동화용 드라이브의 효율성과 신뢰성을 향상시키는 동시에 공간을 절약해준다. 또한 설계를 간소화하기 위해 두 디바이스 모두 하이 사이드 부트스트랩 다이오드와 높은 전류 용량을 제공하는 6V 하이 사이드 및 로우 사이드 선형 레귤레이터를 통합했으며, 10ns 이내로 정밀하게 매칭된 전파 지연 특성을 갖추고 있다. 각 드라이버는 2.4A/1.2Ω 싱크 및 1.0A/3.7Ω 소스 파라미터를 갖춘 독립된 싱크 및 소스 경로를 통해 최적의 구동 성능을 제공한다. 통합 UVLO 보호 기능은 비효율적이거나 위험한 조건에서 동작을 방지해 로우 사이드 및 하이 사이드 600V GaN 전력 스위치를 모두 보호한다. 또한 두 디바이스 모두 과열 보호 기능이 있으며, 최대 ±200V/ns의 높은 dV/dt 내성을 통해 높은 신뢰성을 제공한다. 입력 핀은 3.3V에서 20V까지 확장된 전압 범위를 지원해 컨트롤러 인터페이스 회로를 간소화한다. 두 디바이스 모두 비활성 상태 또는 버스트 모드 동안 전력소모를 줄여주는 대기모드 핀과 켈빈(Kelvin) 소스 구동 또는 전류 션트 연결을 위한 별도의 전원 접지도 제공한다. STDRIVEG610과 STDRIVEG611은 광범위한 기능 통합으로 부품원가(BOM)를 낮추는 것은 물론, 4mm x 5mm 크기의 소형 QFN 패키지로 설계돼 보드 공간을 절감한다. 두 디바이스 모두 현재 생산 중이다. 개발을 가속화할 수 있도록 EVLSTDRIVEG610Q 및 EVLSTDRIVEG611 평가 보드도 함께 출시됐다. 각 평가 보드는 즉시 사용 가능하며, 600V 고속 하프 브리지 게이트 드라이버와 ST의 SGT120R65AL 강화 모드(Enhancement-Mode) GaN HEMT 소자 2개가 포함돼 있다.

2025.05.19 09:38장경윤

로옴, 고내압 GaN 소자용 절연 게이트 드라이버 IC 양산 돌입

로옴(ROHM) 주식회사는 600V 클래스의 고내압 GaN HEMT 구동에 최적인 절연 게이트 드라이버 IC 'BM6GD11BFJ-LB'를 개발했다고 15일 밝혔다. GaN 디바이스와 본 제품을 조합해 사용하면, GaN 디바이스의 고주파·고속 스위칭 시 안정적인 구동을 실현해 모터 및 서버 전원 등 대전류 어플리케이션의 소형화와 고효율화에 기여한다. 신제품은 로옴 최초의 고내압 GaN HEMT용 절연 게이트 드라이버 IC다. 급격한 전압 상승 및 강하를 반복하는 스위칭 동작 시 디바이스와 제어 회로를 분리해, 안전한 신호 전달을 실현한다. 독자적으로 개발한 온칩(on-chip) 절연 기술을 사용함으로써 기생 용량을 저감하고, 최대 2MHz의 고주파 구동을 실현했다. GaN 디바이스의 고속 스위칭 성능을 최대화시켜 어플리케이션의 저전력화와 고성능화에 기여할 뿐만 아니라, 주변부품을 소형화할 수 있어 실장 면적 삭감으로도 이어진다. 또한 절연 게이트 드라이버 IC의 노이즈 내성을 나타내는 공통 모드 과도 내압 (CMTI)은 기존품 대비 1.5배에 해당하는 150V/ns로, GaN HEMT 스위칭 시 우려되는 높은 슬루율(slew rate)에서의 오동작을 방지해 안정적인 제어를 서포트한다. 최소 펄스 폭은 기존품 대비 33% 축소, ON 시간은 최소 65ns로 단축했다. 이에 따라 고주파화 시에도 최소 Duty 비를 확보할 수 있어, 손실 저감을 최소한으로 억제할 수 있다. GaN 디바이스의 게이트 구동 전압 범위는 4.5V~6.0V, 절연 내압은 2500Vrms로, 로옴의 EcoGaN™ 시리즈의 새로운 라인업인 650V 내압 GaN HEMT 'GNP2070TD-Z'를 비롯해, 다양한 고내압 GaN 디바이스의 성능을 최대화시킬 수 있다. 출력 측의 소비전류는 0.5mA (최대)로 업계 최고 수준의 저소비전력 성능을 달성해 대기전력도 삭감할 수 있다.

2025.05.15 13:30장경윤

인피니언, 차량용 신규 ASIL-D 3상 게이트 드라이버 IC 출시

인피니언테크놀로지스는 안전이 중요한 12V BLDC(브러시리스 DC) 모터용 애플리케이션을 위한 새로운 'MOTIX TLE9189' 게이트 드라이버 IC를 출시했다고 3일 밝혔다. 인피니언은 이 새로운 3상 게이트 드라이버 IC로 바이-와이어(by-wire) 솔루션에 필요한 모터 제어 IC 수요 증가에 대응할 계획이다. 이 드라이버 IC는 AEC Q100 Grade 0 및 ISO 26262(ASIL D)에 따라 인증됐으며, 향후 기존의 기계적 연결이 제거될 브레이크-바이-와이어(brake-by-wire) 및 스티어-바이-와이어(steer-by-wire) 시스템에 특히 적합하다. 안드레아스 돌 인피니언 스마트 파워 부문 수석 부사장은 "이 IC는 지능형 모터 제어를 위한 향상된 기능과 고유한 기능을 제공해 고객의 바이-와이어 솔루션에 대한 증가하는 수요를 지원한다"며 "새로운 디바이스로 구현되는 모터 제어 설계의 높은 신뢰성은 안전이 중요한 바이-와이어 솔루션에 특히 중요하다"고 말했다. MOTIX TLE9189 게이트 드라이버 IC는 TQFP-48(9x9mm²)과 VQFN-48(7x7mm²)의 두 가지 패키지로 제공된다. 고객은 애플리케이션 요구 사항에 적합한 패키지를 선택할 수 있다. 이 디바이스의 공급 전압 범위는 4.2V~36V이며 12V 차량용 배터리 시스템에 최적화돼 있다. 정확한 전류 감지를 위해 PWM 입력과 통합 전류 감지 증폭기로 구성된 기존 모터 제어 개념을 갖추고 있다. 다른 디바이스에 비해 TLE9189는 게이트 시퀀싱에 매우 높은 유연성과 세분성을 제공하고, 디바이스, 인버터, 마이크로컨트롤러 및 MCU 인터페이스를 모니터링하기 위한 다양한 모니터링 및 진단 기능이 통합되어 있다. 또한 이 제품은 인피니언의 특허 받은 적응형 MOSFET 제어 기능을 갖추고 있어 EMC 성능을 개선하고 목표 스위칭 시간을 달성하며 전력 손실을 줄일 수 있다. 인피니언은 광범위한 기술 문서가 포함된 애플리케이션 노트 등 포괄적인 자료를 고객의 디자인-인 과정에서 지원한다. 요청에 따라 시뮬레이션 모델, 구성 툴, 복잡한 디바이스 드라이버도 제공된다. 한편 MOTIX TLE9189 게이트 드라이버 IC의 VQFN 및 TQFP 샘플이 제공된다.

2024.12.03 09:36장경윤

마우저, 도시바 전자부품·반도체 공급

마우저일렉트로닉스는 즉시 선적 가능한 3천종 이상의 재고를 포함해 7천종 이상의 도시바 제품을 보유하고 있다고 12일 밝혔다. 마우저에서 구매할 수 있는 도시바의 TCKE9 시리즈 23V, 4A e퓨즈(eFuse) IC는 외부 과전류 및 과전압으로부터 전원 공급 라인을 보호하는 전자 퓨즈다. TCKE9 시리즈 제품은 슬루율 제어, UVLO 및 FLAG 출력 외에도, 조정 가능한 전류 제한 및 고정 전압 클램프 기능을 갖추고 있다. e퓨즈는 반복 가능한 보호 기능과 탁월한 정확성을 제공하는데, 이는 표준 물리적 퓨즈로는 달성하기 어렵다. 도시바의 UMOS9-H 실리콘 N-채널 MOSFET은 고효율 DC-DC 컨버터와 스위칭 전압 레귤레이터 및 모터 드라이버에 매우 적합한 솔루션이다. 차세대 U-MOS9-H 트렌치 공정을 기반으로 하는 이 MOSFET은 모든 부하에서 우수한 효율을 제공한다. 이 디바이스들은 80V의 드레인-소스 전압과 ±20V의 게이트-소스 전압 및 175°C의 채널 온도를 지원한다. UMOS9-H MOSFET은 기지국, 서버 또는 산업용 장비에 사용되는 스위칭 모드 전원공급장치(SMPS)의 효율을 높이기 위해 낮은 온저항(RDS(ON)) 및 낮은 출력 전하(QOSS)를 실현하는 DPAK 패키지 옵션으로 제공된다. 도시바의 40V 및 50V 완전 통합 스테퍼 모터 드라이버는 소형 폼팩터를 기반으로 낮은 온저항 및 정밀 마이크로 스테핑과 향상된 모터 구동 기능을 갖추고 있어 액추에이터 및 CNC 머신과 같은 광범위한 산업 애플리케이션에 적합하다. 이들 디바이스를 이용하면, IC 동작을 위한 레귤레이터가 내장된 단일 VM 전원공급장치로 모터를 구동할 수 있다. 고속 절연 광커플러인 TLP2362B, TLP2368B, TLP2762B, TLP2768B는 원치 않는 채터링 노이즈를 부가시키는 느린 입력을 지원 및 처리한다. 이들 디바이스는 전통적으로 채터링 노이즈를 줄이기 위해 사용되는 슈미트 트리거와 같은 필수 외부 부품을 제거함으로써 설계를 간소화할 수 있다. 또한 이 광 커플러는 ±50kV/µs의 공통모드 과도 내성을 보장하는 패러데이 실드(Faraday shield)를 내부에 통합하고 있으며, PLC(프로그래머블 로직 컨트롤러)와 공장 자동화, 테스트 및 측정 장비 등에 매우 적합하다.

2024.09.12 15:38장경윤

ST, 초소형 750W 모터 드라이브 레퍼런스 보드 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 직경 50m의 원형 PCB에 3상 게이트 드라이버, STM32G0 마이크로컨트롤러, 750W의 전력단을 갖춘 EVLDRIVE101-HPD 모터 드라이브 레퍼런스 디자인을 출시했다고 30일 밝혔다. 이 보드는 절전 모드에서 1uA 미만으로 매우 낮은 전력을 소모하며, 소형 크기로 구현돼 헤어 드라이기, 휴대용 진공청소기, 전동공구, 팬과 같은 기기에 직접 장착할 수 있다. 드론 및 로봇을 비롯해 펌프 및 공정 자동화 시스템과 같은 산업용 장비의 드라이브에도 간단히 탑재할 수 있다. 이 레퍼런스 디자인은 ST의 견고하고 컴팩트한 STDRIVE101 3상 게이트 드라이버로 구현됐으며, 센서 또는 센서리스 회전자 위치 감지 기능을 통해 사다리꼴이나 FOC와 같은 모터 제어 전략을 유연하게 선택하게 해준다. 또한 STDRIVE101 IC는 600mA 소스/싱크 기능을 갖춘 3개의 하프 브리지를 포함하고 있으며, 5.5V ~ 75V의 동작 전압으로 모든 저전압 애플리케이션의 처리가 가능하다. 이 칩은 하이 사이드 및 로우 사이드 게이트 드라이버용 전압 레귤레이션과 구성 가능한 드레인-소스 전압(Vds) 모니터링 보호 기능을 통합하고 있다. 하이 사이드 및 로우 사이드 게이트 입력이나 PWM 제어를 직접 선택할 수 있는 외부 핀도 제공한다. 개발자들은 STM32G0의 SWD(단일 와이어 디버그) 인터페이스를 이용해 마이크로컨트롤러와 상호 작용이 가능하며, 다이렉트 펌웨어 업데이트 지원으로 버그 수정 및 새로운 기능을 적용할 수 있다. EVLDRIVE101-HPD 레퍼런스 디자인의 전력단에는 60V STripFET F7 MOSFET인 STL220N6F7를 갖추고 있어 평균 1,2mΩ의 Rds(on)으로 효율을 유지하고, 모터의 플러그앤플레이(Plug-and-Play) 연결을 용이하게 한다. 이외에도 에너지를 절감하고 배터리 구동 애플리케이션의 동작 시간을 연장하기 위해 유휴 상태에서 전원 소스를 차단하는 고속 파워-온 회로가 있다. 전력단 MOSFET에 대한 Vds 모니터링, UVLO(저전압 차단), 과열 보호, 교차 전도 방지 등 드라이버 IC에 내장된 보호 기능을 통해 시스템의 안전과 효율성을 보장한다.

2024.07.30 09:31장경윤

ST, 혹한서 견디는 단일존 다이렉트 ToF 센서 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 동작온도 범위를 -40~105°C로 확장한 VL53L4ED 단일존 ToF(Time-of-Flight) 센서를 출시했다고 23일 밝혔다. 혹독한 환경 조건에 적합한 VL53L4ED는 주변광이 높은 환경에서도 산업용 공구, 스마트 공장 장비, 로봇 가이드 시스템, 실외 조명 제어, 보안 시스템과 같은 애플리케이션에서 향상된 근접 감지 및 거리측정 기능을 제공한다. VL53L4ED는 ST의 VL53L4 dToF(direct-ToF) 센서 제품군을 더욱 확장하면서, 레이저 이미터와 SPAD(Single-Photon Avalanche-Diode) 감지기 어레이를 편리한 일체형 모듈에 통합해 극한의 온도 조건에서도 안정적으로 측정하게 해준다. 차세대 레이저를 통해서는 주변광이 높은 환경에서도 향상된 성능과 뛰어난 단거리 측정 정확도를 제공한다. 또한 이 센서에 내장된 프로세서는 절전 자율 동작을 지원하고 호스트 시스템 리소스에 대한 부담을 줄여준다. ST의 새로운 ToF 센서는 시야각 전체와 확장된 온도범위 전반에 걸쳐 최대 1,150mm까지 떨어져 있는 물체의 고정밀 거리측정이 가능하다. 특수 설정을 이용하면 주변광이 강한 조건에서도 최대 800mm까지 정확하게 거리를 측정할 수 있다. VL53L4ED 센서는 거리측정 선형성을 1mm까지 유지하며, 최대 100Hz까지 거리측정 주파수를 지원한다. 개발자들은 STM32Cube 에코시스템용 X-CUBE-TOF1 확장 소프트웨어 패키지를 활용해 VL53L4 센서 제품군을 이용한 프로젝트를 가속화할 수 있다. 즉시 사용 가능한 이 소프트웨어에는 STSW-IMG034 드라이버도 포함돼 인터럽트 명령으로 VL53L4ED 또는 VL53L4CD를 사용자 감지, 시스템 활성화, 터치리스 제어를 위한 초저전력 근접 감지기로 전환할 수 있다. 또한 STSW-IMG039 소프트웨어 팩에는 액체 레벨 모니터링을 위한 코드 예제도 있다. 하드웨어로는 코드 예제를 실행하고 애플리케이션 구현을 용이하게 하는 NUCLEO-F401RE 마이크로컨트롤러 보드를 지원하는 X-NUCLEO-53L4A3 확장 보드 그리고 프로토타이핑을 지원하는 SATEL-VL53L4ED 브레이크아웃 보드 등이 제공된다. 모든 VL53L4 센서는 핀 호환이 가능하며, 4.4mm x 2.4mm x 1mm(높이) LGA 패키지로 제공된다. 새로운 VL53L4ED는 현재 생산 중이다.

2024.07.23 10:36장경윤

TI, 'GaN 반도체' 시장 공략 가속화

텍사스인스투르먼트(TI)가 차세대 화합물반도체인 GaN(질화갈륨) 시장을 적극 공략한다. 경쟁사 대비 뛰어난 성능의 신규 제품군을 지속 출시하는 한편, 생산성을 높이기 위한 설비투자를 미국, 일본 등에서 진행하고 있다. 5일 TI코리아는 서울 인터컨티넨탈호텔에서 미디어 브리핑을 열고 전력 변환장치 2종을 소개했다. 이번 TI의 100V GaN 전력계 'LMG2100R044·LMG3100R017'는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 적용했다. 이를 통해 열 설계를 간소화하고, 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in³(세제곱인치 당 킬로와트) 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다. 엔지니어는 이를 활용해 중전압 애플리케이션의 전원 공급 장치 크기를 40% 이상 축소하는 것이 가능해진다. 또한 기존 실리콘 기반 제품 대비 스위칭 전력 손실을 50% 저감해 에너지 효율성을 높인다. 예를 들어 태양광 인버터 시스템에서 전력 밀도 및 전력 효율이 높아지는 경우, 동일한 패널로 더 많은 전력을 저장하고 생산하는 동시에 전체 인버터 시스템 크기를 줄일 수 있다. 신주용 TI코리아 이사는 "이번 신규 100V 통합 GaN 전력계 제품군은 이미 여러 고객사들이 적용 검토를 적극적으 시작한 제품"이라며 "벅 컨버터, 부스트 컨버터 등에서 활발히 사용될 것으로 보인다"고 설명했다. TI는 전력계 외에도 다양한 GaN 제품을 보유하고 있다. 650V급의 GaN FET(전계 효과 트랜지스터), 100~200V급 하프 브리지 게이트 드라이버 및 FET 등이 대표적이다. GaN 제품의 경쟁력 강화를 위한 설비투자에도 적극 나서고 있다. 현재 TI는 미국 텍사스 댈러스, 일본 아이주와카마추 등에서 생산능력 확대를 꾀하고 있다. 신 이사는 "모든 증설이 완료되면 현재보다 훨씬 저렴한 가격에 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라며 "제품 성능도 자사 및 경쟁사 제품을 내부 분석한 결과, 자사 제품이 압도적인 것으로 보고 있다"고 밝혔다. TI는 이번 미디어 브리핑에서 차량 및 산업 시스템용 신규 1.5W 절연 DC/DC 모듈 'UCC33420-Q1·UCC33420'도 공개했다. 해당 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술을 적용했다. 엔지니어는 이를 활용해 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서, 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다. 안병남 TI코리아 상무는 "해당 모듈은 4mmx5mm 사이즈로, 유사한 크기의 경쟁사 제품 대비 출력 전압이 높아 여러 솔루션에 활용될 수 있다"며 "전력 밀도 역시 3배 이상"이라고 강조했다.

2024.03.05 13:07장경윤

갤S24 시리즈 'AI' 성패에 부품업계도 촉각

삼성전자가 이달 최신형 플래그십 스마트폰인 '갤럭시S24' 시리즈를 공개하는 가운데 시장 반응이 기대를 모으고 있다. 갤럭시S24는 온디바이스 AI 기능을 지원하는 것이 특징으로, 국내 스마트폰 관련 부품업체들도 이번 시리즈의 AI 기능이 시장에 어떠한 반향을 불러 일으킬 수 있을 지 주목하는 분위기다. 4일 업계에 따르면 국내 부품업체들은 삼성전자의 최신형 스마트폰에 첫 탑재되는 온디바이스 AI의 성패에 주목하고 있다. 삼성전자는 이달 17일 미국 새너제이에서 '삼성 갤럭시 언팩 2024'를 열고 최신형 플래그십 스마트폰인 갤럭시S24 시리즈를 공개할 예정이다. 지난해 4분기 기준, 삼성전자는 올해 갤럭시S24의 출하량을 총 3천520만대로 설정했다. 세부적으로는 일반 모델 1천350만대, 플러스 모델 580만대, 울트라 모델 1천590만대다. 이번 갤럭시S24 시리즈의 최대 화두는 온디바이스 AI다. 온디바이스는 서버와 클라우드를 통하지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술을 뜻한다. 기기 내부에서 데이터를 자체적으로 처리하기 때문에 속도가 빠르고 효율적이라는 장점이 있다. 삼성전자는 갤럭시S24에 처음으로 온디바이스 AI 기능을 지원하고, 삼성이 자체 개발한 생성형 AI 모델인 '가우스(Gauss)'를 탑재할 것으로 알려졌다. 이를 기반으로 실시간 통역 통화를 가능케 하는 'AI 라이브 통역 콜' 등 다양한 서비스를 제공할 예정이다. 스마트폰의 두뇌 역할을 담당하는 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)도 AI 성능을 한층 높였다. 갤럭시S24 시리즈에는 퀄컴 '스냅드래곤 8 3세대', 삼성전자 '엑시노스 2400'이 병행 탑재된다. 스냅드래곤 8 3세대의 경우 NPU(신경망처리장치) 성능이 전작 대비 98% 향상됐다. 엑시노스2400는 전작 대비 AI 연산 속도가 14.7배 빨라진 것이 특징이다. 이에 삼성전자 스마트폰 사업과 협력 중인 국내 부품업체들도 갤럭시S24의 온디바이스 AI 성능에 주목하고 있다. 현재 파트론, 엠씨넥스, 파워로직스 등은 삼성전자 스마트폰에 탑재되는 각종 카메라모듈을 공급하고 있다. 코아시아씨엠, 동운아나텍도 각각 렌즈 및 카메라모듈, 드라이버IC 등 관련 부품을 공급 중이다. 부품업계 관계자는 "중저가 스마트폰 시장이 계속 부진한 상황에서 올해에도 플래그십 스마트폰향 공급을 확대하기 위해 노력 중"이라며 "이번 갤럭시S24 시리즈가 온디바이스 AI 기능으로 흥행을 이뤄내면 부품업체들에게도 긍정적인 효과를 누릴 수 있을 것"이라고 밝혔다. 이규하 NH투자증권 연구원은 최근 리포트를 통해 "올해 글로벌 스마트폰 출하량은 온디바이스 AI와 이머징마켓 수요 회복에 힘입어 전년 대비 4.1% 성장한 11억 9천만대를 달성할 것으로 예상된다"며 "삼성전자의 경우 온디바이스 AI를 탑재한 갤럭시 S24가 기기의 교체 수요를 자극할 것"이라고 설명했다. 갤럭시S24 시리즈의 흥행 여부는 하반기에도 부품업체의 실적에 영향을 미칠 전망이다. 삼성전자는 상반기 갤럭시S 시리즈를 출시하고, 하반기에는 폴더블폰인 갤럭시Z 시리즈 및 갤럭시S의 저사양 모델인 FE 모델을 출시하는 전략을 채택하고 있다. 업계 관계자는 "지난해 하반기 갤럭시S23 FE(팬에디션)이 3년 만에 국내에 다시 출시된 것처럼, 본작이 어느 정도 흥행해야 삼성전자도 국내 FE 모델 사업을 확대할 것"이라며 "다만 아직까지 갤럭시S24 FE 모델의 구체적인 사업 계획이 논의된 바는 없다"고 말했다.

2024.01.04 14:56장경윤

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