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반도체 한계 돌파할 신물질 개발…업계 촉각

국내 연구진이 기존에 알려진 금속과는 완전히 반대인 비정질 준금속 나노 극초박막 물질이 세계 처음 개발됐다. 차세대 반도체 원천기술로 활용 가능해 관련 업계 이목이 쏠렸다. 아주대학교는 오일권 지능형반도체공학과·전자공학과 교수를 중심으로 하는 국제 공동 연구팀이 반도체 배선에 사용되는 극초박막에서 비저항이 작아지는 차세대 금속 물질을 개발했다고 3일 밝혔다. 이 연구에는 미국 스탠포드대학 전자공학과의 에릭 팝(Eric Pop) 교수와 아시르 인티자르 칸(Asir Intisar Khan) 박사가 참여했다. 아주대 연구팀은 물질 합성과 메커니즘 및 물성 연구, 스탠포드대 연구팀은 물질 합성과 전기적 특성 연구를 맡았다. 이 연구 결과는 국제 학술지 '사이언스' 1월호에 개재됐다. 이 준금속 물질은 박막 두께가 줄어듦에 따라 비저항이 증가하는 기존 금속들과는 달리 박막 두께가 줄어듦에 따라 비저항이 급격히 줄어드는 특성을 나타냈다. 반도체의 주요 공정 중 하나인 금속 배선(Metallization)은 반도체 칩 안에 있는 단위 트랜지스터 소재를 연결하는 공정이다. 마치 옹기종기 모여있는 마을과 마을, 집과 집 곳곳을 연결하는 도로와 같다. 수 ㎝ 수준의 반도체 칩 한 개에 100㎞에 달하는 금속 배선 물질이 사용된다. 이 금속을 통해 전자가 흘러 정보를 저장하거나 연산해 하나의 칩으로 구동된다. 모든 금속은 비저항 값을 가지며, 이는 물질 고유의 특성을 규정하는 것으로 알려져 있다. 그러나 수 나노미터 단위(1㎚는 10억 분의 1m)의 극초박막에서는 다른 현상이 나타난다. 반도체 소자의 크기가 줄어듦에 따라, 금속 배선의 선폭도 지속적으로 작아지는데, 이에 현재 개발된 수준의 반도체 소자는 전자가 충돌까지 걸리는 거리인 자유행정거리(EMFP) 보다도 선폭이 작아진 상황에 놓였다. 이 때문에 미세화된 배선에서는 전자가 부딪칠 확률이 높아지고, 결국 비저항 값이 비약적으로 상승하게 된다. 이에 반도체 소자의 미세화에 발맞춰 더 낮은 비저항을 갖는 금속 물질을 찾는 것이 산업계와 학계의 화두가 됐다. 반도체의 금속 배선 물질로 주로 사용되어온 구리(Cu)뿐 아니라 최근 구리를 대체하는 물질로 주목받는 몰디브데넘(Mo) 또는 루테늄(Ru) 등의 물질 역시 한계를 보이고 있다. 이 물질들 역시 특정 두께 이하에서는 비저항이 급격히 증가하는 특성을 가졌다. 당장은 구리를 대체할 수 있다고 해도, 결국에는 또 다른 신물질이 필요한 상황이다. 또한 특정 물질을 새로이 반도체 공정에 도입하기 위해서는 수 백억원에서 수 조원 단위의 투자금이 소요된다. 아주대 연구팀이 세계 최초로 개발한 위상 준금속 물질은 기존 금속들과는 정반대로 극초박막에서 비저항이 오히려 작아지는 특성을 보인다. 또한 현재 반도체 공정에 적용할 수 있을 정도로 호환성이 우수하다. 성장 온도가 400℃ 미만의 저온이며, 일반적 금속이 가지는 결정질의 단결정이나 다결정 형태의 박막이 아닌, 비정질 형태의 박막임에도 비저항 역행 현상이 나타난다. 대부분 금속의 경우 비정질이 아닌 결정질 형태가 전자를 수송하기에 용이하고 비저항도 훨씬 낮다고 알려져 있다. 이에 반도체 배선 공정에서도 다결정 형태의 금속 박막을 이용하고 있다. 비정질을 결정질 형태로 만들기 위해서는 금속 박막을 증착한 후, 고온에서의 열처리 후속 공정이 필요하다. 그러나 아주대 연구팀이 새로 개발한 물질은 비정질 물질로 별도의 고온 공정이 필요하지 않다. 즉 새로운 준금속 물질은 적은 비용으로 쉽게 구현할 수 있는 비정질 형태이며 저온 공정이 가능하다. 연구팀은 "반도체 배선 물질에 실제 활용하기 위해 가장 큰 문제가 되는 두 산을 넘었다는 의미를 가진다"고 설명했다. 아주대 연구팀은 이에 대한 후속 연구로 원자층 증착 공정 기반의 위상 준금속 공정을 개발하는 중이다. 원자층 증착법은 물리 기상 증착법에 비해 원자 단위로 박막의 두께를 조절할 수 있어 미세화에 더 적합하다. 이에 상용화에 더 가까운 기술로 평가받고 있다. 오일권 아주대 교수는 “과학자로서 '왜?'라는 호기심을 놓치지 않고 꾸준히 새로운 분야에 대한 연구를 이어왔다”며 “그동안 시도된 적 없는 연구를 통해, 완전히 새로운 물질에 대해 처음으로 실험적으로 입증해 냈다는 점에서 의미 있는 성과”라고 전했다. 오 교수는 이어 “이번 연구를 통해 확보한 신개념 금속 물질은 한계에 직면한 미래 반도체 기술의 돌파구가 될 수 있다”라며 “미래 반도체 산업의 주도권을 선점할 원천기술로 활용될 수 있을 뿐 아니라, 응용 가능성이 무한하다”라고 덧붙였다. 이번 연구는 한국연구재단 우수신진연구와 아주대학교 신임 교원 정착연구비 지원을 받아 수행됐다.

2025.01.03 04:00박희범 기자

韓, 올해도 반도체 경쟁력 강화 초점…투자세액공제율 5%p 상향 추진

정부가 반도체 투자세액공제율을 기존 15%에서 20%로 높이는 방안을 재추진한다. 또한 대규모 반도체 클러스터 구축을 위한 인프라 투자에 대해서도 기업의 부담을 줄이기로 했다. 2일 기획재정부의 '2025년 경제정책방향'에 따르면 올해 정부는 반도체 생태계 지원을 가속화하기 위한 방안을 구체화할 계획이다. 먼저 재정·세제 분야에서는 '반도체특별법' 제정을 지원하고, 기반시설과 연구개발 등에 대한 추가 재정, 세제 지원방안을 마련한다. 일례로 용인·평택 반도체 클러스터 송전선로 지중화 비용(총 1조8천억원 수준) 중, 기업부담분에 대해 국가에서 절반 이상을 적극 분담하기로 했다. 특화단지 인프라 지원한도도 기존(500억원) 대비 상향한다. 반도체 기업에 대한 국가전략기술 투자세액공제 공제율은 5%p 상향한다. 앞서 정부는 기존 15%인 반도체 투자세액공제율을 20%로 높이는 'K칩스법(조세특례제한법 개정안)'을 추진했으나, 지난해 말 비상계엄 여파 등으로 본회의에서 무산된 바 있다. 금융 부문에서는 최저 2%대 국고채 금리 수준으로 산업은행 저리 대출 4조2천500억원을 지원하는 등, 올해 14조원 이상의 정책금융을 지원한다. 인프라 부문에서는 투자 단계별로 진행 상황을 밀착 관리해, 현장애로를 해소하고 전력·용수·도로 클러스터 기반시설의 신속조성을 추진한다. 용인 국가산단 계획은 올해부터 보상 절차에 착수해 내년 하반기 중으로 부지조성 착공을 시작할 계획이다.

2025.01.02 18:40장경윤 기자

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