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'노광'통합검색 결과 입니다. (11건)

"中, ASML 장비 개조해 AI칩 생산 확대…수출통제 우회"

중국 반도체 제조기업들이 ASML의 노후 장비를 개조해 첨단 AI 반도체 생산에 이용하고 있다고 파이낸셜타임즈(FT)가 19일 보도했다. ASML은 네덜란드 소재의 반도체 노광장비 전문 기업이다. 노광 공정은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 기술로, 반도체 제조 과정 중 가장 중요도가 높다고 평가받는다. 최첨단 반도체 공정인 EUV(극자외선)와, 이보다 한 단계 아래인 DUV(심자외선) 장비를 모두 양산하고 있다. 현재 중국 반도체 기업들은 미국 및 네덜란드의 수출 통제로 ASML의 최첨단 DUV 및 EUV 장비를 도입할 수 없다. 이로 인해 많은 중국 기업들은 7나노미터(nm) 급의 반도체 생산을 위해 'NXT:1980i' 등 구형 DUV 장비에 의존해야 했다. 그러나 중국 기업들은 자체적으로 우회책을 마련한 것으로 보인다. 파이낸셜타임즈는 소식통을 인용해 "중국 반도체 제조기업들이 중고 시장에서 부품을 조달해 ASML의 DUV 장비에 적용했다"며 "반도체 웨이퍼를 올리는 스테이지, 회로 정렬의 정밀도를 높이는 렌즈와 센서 등이 여기에 포함된다"고 밝혔다. 중국 반도체 제조기업들은 해당 부품을 해외에서 조달해, 현지로 배송하는 방식을 활용했따. 또한 제3자 기업들의 엔지니어링을 통해 기존 DUV 장비를 개조한 것으로 알려졌다. 파이낸셜타임즈는 "이러한 움직임은 중국 반도체 제조기업들이 중국의 기술적 성장을 저해하기 위해 마련된 수출 통제를 우회하는 방법을 모색하고 있음을 보여준다"고 논평했다. 이와 관련해 ASML은 "모든 관련 법률 및 규정을 완벽하게 준수하고 있다"며 "당사는 이러한 법적 틀 안에서 엄격하게 운영되며, 고객이 법에서 허용하는 수준을 넘어 성능을 향상시킬 수 있도록 하는 시스템 업그레이드를 지원하지 않는다"고 밝혔다.

2025.12.21 12:25장경윤

ASML, 화성캠퍼스 준공…첨단 반도체 기술 협력 강화

산업통상부 강감찬 무역투자실장은 12일 경기도 화성시에서 열린 ASML의 '화성캠퍼스 준공식'에 참석했다. ASML는 네덜란드에 본사를 둔 글로벌 반도체 장비 기업으로, 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산해 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 국내외 반도체 기업에 공급하고 있다. EUV는 기존 노광공정에 쓰이던 광원인 심자외선(DUV) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정 구현에 용이하다. 이번에 준공된 ASML의 화성캠퍼스는 DUV, EUV 노광장비 등 첨단장비 부품의 재제조센터와 첨단기술 전수를 위한 트레이닝 센터 등을 통합한 ASML의 아시아 핵심 거점으로, 국내 반도체 산업의 공급망 안정성 강화와 기술 내재화에 기여할 것으로 기대된다. 5년간 총 2천400억원이 투자됐으며, 규모는 1만6천 제곱미터(㎡)에 이른다. 또한 ASML은 동 캠퍼스를 통해 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업과의 공정 협력 및 기술 교류를 강화하고, 국내 소재·부품·장비 기업과의 연계 생태계를 구축함으로써 한국 반도체 산업과의 상생형 협력 모델을 본격화할 계획이다. 강감찬 무역투자실장은 축사를 통해 “외국인투자는 우리 경제의 혁신과 성장의 핵심동력”이라며 “정부는 현금지원 확대, 입지·세제혜택 강화, 규제 개선 등 글로벌 기업이 투자하기 좋은 환경을 조성하기 위해 적극 노력하겠다”고 밝혔다. 또한 “한국 반도체 산업의 발전에는 지자체와 중앙정부, 국가 간의 긴밀한 협력이 중요하며, 오늘의 준공은 그 협력의 좋은 사례”라며 “앞으로도 한국과 네덜란드 양국 간의 반도체 기술 협력과 투자가 더욱 긴밀하게 이어지기를 기대한다”고 말했다.

2025.11.12 06:00장경윤

ASML 코리아, 4년 연속 '대한민국 일자리 으뜸기업' 선정

세계 최대 노광장비 기업 ASML 한국 지사인 ASML 코리아가 '2025년 대한민국 일자리 으뜸기업'으로 선정됐다고 12일 밝혔다. 대한민국 일자리 으뜸기업은 고용노동부 주관으로 일자리창출 노력과 일자리의 질 개선 노력에 기여한 기업을 선정해 포상하는 제도로, ASML 코리아는 지난 2022년부터 4년 연속 일자리 으뜸기업으로 선정되는 영예를 안았다. ASML 코리아는 혁신적인 노광기술을 통해 한국 반도체 산업의 발전을 지원하는 가운데, 꾸준한 일자리 창출은 물론, 임직원들이 일하기 좋은 환경 및 문화 조성에도 앞장서고 있다. ASML 코리아는 2022년부터 매년 두 자릿수 이상 신규 인력을 고용하고 있으며, 특히 2024년에는 전년 대비 신규 인력 채용을 13% 늘렸다. 또한 유연 근무 및 재택근무제, 시차출퇴근선택제, 선택적 근무시간제도 등 일·가정 양립을 위한 다양한 일하는 방식을 도입해 임직원들의 만족도를 높이고 있다. 복리후생면에서도 ASML 코리아는 숙련된 인력들이 계속해서 일하기 좋은 제도를 운영하고 있다. 대표적으로 출산 지원금, 출산 특별 휴가, 임신축하선물 외에도 자녀 입학 지원금, 가족돌봄휴가, 사내 시설 직장어린이집, 가족 초청 ASML 코리아 뮤직 페스티벌(ASML Korea Music Festival) 등을 통해 직원들의 출산 및 육아 부담을 덜어주고 있다. 또한 업무에 도움이 되는 다양한 필수역량교육을 제공하여 임직원 개인의 발전을 꾸준히 지원하고 있다. 이외에도 ASML 코리아는 직원들의 주거안정 및 경제적 자립 위한 주택자금이자지원 및 월세지원제도, 복지포인트제도, 기념일 휴가 및 포인트, 휴가시설 제공 및 할인혜택 지원제도 등 임직원의 편의를 위한 다양한 지원을 제공하고 있다. 최한종 ASML 코리아 대표이사는 “ASML은 개인과 사회의 잠재력을 이끌어낼 수 있는 기술 혁신을 위해 노력하는 기업으로, 이러한 혁신은 다양한 배경, 관점, 재능 및 기술을 보유한 우수한 인재에서 나온다고 믿고 있다. 우수한 인재를 확보하고 육성하는 일환으로, ASML 코리아는 임직원들이 일하기 좋은 기업이 되기 위해 꾸준히 노력하고 있다. 특히 4년 연속 대한민국 일자리 으뜸기업으로 선정된 것은 그간의 노력의 결실이라 생각한다. 앞으로도 ASML 코리아는 임직원들과 동반성장 하면서 국내 반도체 생태계 발전에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편, ASML 코리아는 대중교통 또는 도보로 출퇴근하는 임직원에게 별도의 지원금을 제공해 일상 속에서 환경적 가치 실현을 적극 장려하고 있다. 또한, 화성시 궁평항에서 실시하는 바다정화활동, 화성시 초등학생을 대상으로 하는 과학 교육 봉사활동 사이언스 캠프 등 ESG활동에 앞장서면서 지역사회에 기여하려는 노력을 이어가고 있다. 그 결과, 2024년에는 경기도 자원봉사 활성화 공로를 인정받아 경기도지사 유공표창을 수상한 바 있다.

2025.09.12 10:40전화평

반도체 슈퍼을 ASML, 유럽판 오픈AI에 2.1조 베팅

세계 최대 노광장비 기업 ASML이 프랑스 기반 인공지능(AI) 기업 미스트랄 AI 최대 주주로 올라섰다. ASML은 미스트랄AI와 장기 협력 계약을 기반으로 전략적 파트너십을 체결했다고 9일 밝혔다. 미스트랄은 프랑스 AI 스타트업으로 유럽판 오픈AI로 불리기도 한다. 회사 측은 이번 파트너십을 통해 제품 포트폴리오뿐 아니라 연구, 개발 및 운영 과정에서 AI 모델을 활용해, ASML 고객에게 시장 출시 기간을 단축하고 더 높은 성능의 홀리스틱 리소그래피 시스템을 제공할 예정이라고 밝혔다. ASML은 미스트랄 AI의 시리즈 C 펀딩 라운드에 주투자자로서 13억 유로(약 2조1천억원)를 투자해 개발 지원 및 장기적인 파트너십 혜택 강화에 집중할 예정이다. 투자 완료 시 ASML은 완전 희석 기준으로 미스트랄 AI 지분 약 11%를 보유하게 된다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 미스트랄 AI와의 협력은 AI 기반 혁신적 제품과 솔루션을 통해 고객에게 확실한 이점을 제공하는 것을 목표로 한다”며 “공급업체·고객 관계를 넘어선 이번 전략적 파트너십이 중요한 기회를 포착하는 가장 좋은 방법이라 생각하며, 미스트랄 AI의 가치를 한층 높여줄 것이라 믿는다”고 말했다. 아서 멘쉬 미스트랄 AI 공동 창립자 겸 CEO는 "ASML과 장기적 파트너십을 맺게 돼 자랑스럽다”며 “미스트랄의 AI 전문성과 ASML의 글로벌 리더십·최첨단 엔지니어링 역량을 결합해 반도체 및 AI 밸류체인 전반의 기술 발전을 가속화할 것”이라고 밝혔다. ASML은 이번 투자로 미스트랄 AI 전략위원회 위원직을 확보했으며, 로저 다센 ASML CFO가 위원으로 참여해 미스트랄 AI의 미래 전략과 기술 결정 과정에 자문 역할을 맡는다.

2025.09.09 17:00장경윤

SK하이닉스, 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비 도입

SK하이닉스는 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 삼성전자 등 주요 메모리 경쟁사도 관련 장비를 이미 도입했지만, 해당 장비는 연구용에 해당한다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. 회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다. 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다. 김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다. SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

2025.09.03 09:52장경윤

SK하이닉스 "1c D램서 EUV 적층 수 5개층 이상 적용"

SK하이닉스가 차세대 D램 개발서 EUV(극자외선) 공정을 적극 활용하고 있다. 올 하반기 전환투자가 시작되는 1c(6세대 10나노급) D램의 경우, EUV 적용 층 수를 이전 세대 대비 2개 늘어난 5개 이상까지 적용하기로 했다. 차세대 EUV 기술을 위한 소재 개발도 지속하고 있다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 1c D램에 EUV 레이어 수를 총 5개 이상 적용할 계획이다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 다만 기술적 난이도 및 설비 도입 비용이 높아, 초미세 회로 구현이 필요한 특정 층(레이어)에만 적용되고 있다. 나머지 층에는 DUV(심자외선) 등 기존 레거시(성숙) 공정이 쓰인다. SK하이닉스의 경우, 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했다. 나아가 1c D램에서는 EUV 레이어 수를 5개 이상 늘린다. 1c D램은 아직 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않은 차세대 D램으로, SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 바 있다. 올 하반기부터는 1c D램의 전환투자를 시작할 예정이다. 박의상 SK하이닉스 TL은 이날 수원컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피+패터닝 학술대회'에서 "1c D램에 EUV 레이어를 5개 이상 적용하고, 1d·0a 등 차세대 제품에도 EUV를 모두 사용할 것"이라며 "이에 맞춰 SK하이닉스는 EUV 공정의 생산성을 증가시킬 수 있는 방안에 초점을 두고 많은 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 향후 도입될 High-NA(고개구수) EUV 기술에 대해서도 적극 대응하고 있다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33 수준이나, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. SK하이닉스는 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 계획이다. 특히 High-NA EUV용 마스크 개발이 주요 난제가 될 것으로 관측된다. 마스크는 웨이퍼에 반도체 회로를 새기기 위해 사용되는 소재다. EUV는 거의 모든 물질에 흡수되는 성질을 지녀, 거울을 통해 웨이퍼에 빛을 반사시키는 방식을 활용한다. 그런데 High-NA에서는 빛이 더 넓은 각도로 퍼져, 입사각과 반사각이 겹치는 문제가 발생하게 된다. 이에 업계는 빛의 세로 방향을 가로 대비 2배 더 축소시켜 빛이 겹치지 않게 하는 '아나모픽' 기술을 고안해냈다. 마스크에서 웨이퍼로 투사되는 빛이 기존에는 가로 세로 모두 4배 축소됐다면, 아나모픽에서는 가로는 4배 그대로, 세로는 8배로 축소하는 방식이다. 웨이퍼에 투사되는 면적이 줄어드는 만큼, 마스크는 2개를 사용해야 한다. 다만 마스크를 2개 사용하는 과정에서, 마스크끼리 맞닿은 부분이 겹치는 문제가 발생하게 된다. SK하이닉스는 이를 '스티칭(Stiching)' 영역이라고 부른다. 박 TL은 "스티칭 영역에 대한 제어가 상당히 어렵기 때문에, 당사도 현재 High-NA EUV용 마스크는 개발을 못한 상황"이라며 "어떠한 물질로 만들어야할 지 계속 시도는 하고 있는 상태"라고 말했다.

2025.08.11 16:53장경윤

中, ASML 대체 기술 국산화 박차… 印, 대만과 전략적 경제 협력 강화

미·중 기술 패권 경쟁이 격화되는 가운데, 중국이 네덜란드 반도체 장비업체 ASML을 대체할 자체 노광 기술 개발에 본격 나섰다. 인도는 타이완과의 협력을 강화하며 반도체 중심의 공급망 재편에 속도를 내고 있다. 닛케이신문은 중국이 미국 반도체 장비 수출 규제에 대응하기 위해 극자외선(EUV) 노광 장비 기술 국산화에 나섰다고 현지시간 17일 보도했다. 화웨이 계열의 SiCarrier를 비롯해 상하이 소재의 YLS(SH Yuliangsheng)와 SEME 등 관련 기업들이 광학 부품 및 노광 장비 기술 개발에 집중하고 있으며, 중앙 및 지방정부도 연구개발비를 대거 투입 중이다. 디디에 수세마마 투자은행 뱅크오브아메리카(BofA) 연구원은 “ASML 수준의 장비를 단기간에 따라잡는 것은 어렵겠지만, 중국 자체 생산라인에 적용할 수준의 기술력은 향후 10년 내에 가능할 수 있다”고 분석했다. 印, 대만과 협력 강화…공급망 새 축으로 부상 한편, 인도는 반도체를 포함한 첨단 기술 분야에서 대만과 전략적 연계를 강화하고 있다. 최근 인도 고위급 대표단이 타이베이를 방문했으며, 양국은 금융 중심지인 GIFT시티(구자라트 국제금융기술도시)를 거점으로 한 협력을 본격화하고 있다. 현재 250개 이상의 대만 기업이 인도에 진출해 있으며, 특히 반도체 및 정보기술(IT) 부문에서 공동 투자 및 공급망 구축 논의가 활발하게 이루어지고 있다. 미국은 중국산 기술 제품에 대한 추가 관세를 검토하고 있으며, 이에 따라 중국은 기술 독립에 집중하고, 인도는 '차이나 플러스 원' 전략에 따라 글로벌 기업의 대체 생산기지로 부상하고 있다. IT 기업 위스트론 자프 린 CEO는 “AI 서버 수요는 안정적이지만, 미국의 정책 불확실성으로 소비재 전략 수립이 어려운 상황”이라며 "동아시아 공급망의 재편 가능성이 높다"고 진단했다.

2025.07.20 10:20전화평

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤

EUV 공정서 수천억 손실 막는다...반도체 '톱5' 중 4곳이 쓴다는 '이것'

반도체 공정이 2나노미터(nm) 수준까지 미세화되면서, 기존 공정 제어로는 해결할 수 없는 '스토캐스틱(Stochasitcs)' 문제가 대두되고 있다. 해당 오류는 EUV(극자외선) 공정 팹(Fab) 당 수천억원 규모의 수율 손실을 일으킬 수 있는 것으로 알려졌다. 미국 소프트웨어 기업 프랙틸리아는 독자 알고리즘을 기반으로 스토캐스틱 문제를 해결할 수 있는 솔루션을 보유하고 있다. 실제로 현재 상위 5대 반도체 기업 중 4곳이 프랙틸리아의 솔루션을 도입한 상황이다. High-NA(고개구수) EUV 등 차세대 공정에도 이미 활용되고 있다. 프랙틸리아는 16일 국내에서 기자간담회를 열고 반도체 수율 혁신을 위한 기술 로드맵을 발표했다. 스토캐스틱 못 잡으면 EUV 공정서 '수천억원' 손실 스토캐스틱은 원자 수준의 미세한 패터닝 오류를 뜻한다. 노광 공정(반도체에 회로를 새기는 공정)에 활용되는 광자·감광액(PR) 등 여러 소재를 완벽하게 정밀 제어할 수 없기 때문에, 실제 양산 과정에서 무작위적으로 발생하게 된다. 스토캐스틱은 특히 EUV 등 초미세 공정에서 심각한 문제로 떠오르고 있다. 반도체 회로 선폭이 최소 3~2나노미터까지 줄어들면서, 미세한 결함으로도 반도체 수율이 저하되는 현상이 대두됐기 때문이다. 이로 인해 팹당 수천억원 규모의 수율 손실, 초미세 공정 전환의 지연 등이 발생하고 있다는 게 프랙틸리아의 입장이다. 에드웨드 샤리에 프랙틸리아 최고경영자(CEO)는 "연구개발 단계에서는 최소 12나노의 피처(웨이퍼 상의 미세한 구조물) 구현이 가능하나, 실제 양산에서는 보통 16~18나노 수준의 피처만 안정적으로 생산할 수 있어 스토캐스틱의 해상도 격차 문제가 발생하게 된다"며 "만약 스토캐스틱을 줄이고자 피처 사이즈를 키우면, 칩 면적이 2배까지 증가해 제품 생산성이 떨어지게 된다"고 설명했다. 독자 알고리즘으로 스토캐스틱 정밀 측정 이에 프랙틸리아는 주사전자현미경(SEM) 이미지에서 고정밀 데이터를 추출해 스토캐스틱을 정확히 측정할 수 있는 소프트웨어 'FAME(Fractilia Inverse Linescan Model)를 개발해냈다. 일반 SEM은 노이즈(잡음) 현상이 발생해, 정밀한 이미지를 얻을 수 없다는 단점이 있다. 예를 들어 SEM 이미지 상에 검은 반점이 보이는 경우 이것이 실제 패터닝 오류인지, SEM에서 발생한 노이즈인지 구분하기가 어렵다. 반면 프랙틸리아의 FAME은 SEM 이미지에서 고정밀 데이터를 추출하는 물리 기반 알고리즘을 활용해, 실제 피처(웨이퍼 상의 미세한 구조물)와 노이즈를 정확히 구분 및 제거할 수 있다. 해당 알고리즘은 프랙틸리아의 독자적인 특허 기술이다. 이를 통해 반도체 제조업체들은 보다 정확한 공정 진단 및 개선이 가능해진다. 상위 5대 반도체 기업 중 4곳 채택…"High-NA EUV서도 활용" 이 같은 장점 덕분에, 프랙틸리아의 FAME 솔루션은 상위 5대 반도체 소자업체 중 4곳, 5대 부품업체 중 4곳, 12개 이상의 감광액 제조사, 유럽 주요 반도체연구소인 아이멕(Imec)에 도입되고 있다. 구체적인 고객사 명을 밝히지는 않았으나, 국내 반도체 기업들과도 긴밀한 협의를 진행 중인 것으로 관측된다. 현재 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들은 EUV를 활용해 첨단 시스템반도체 및 메모리반도체를 제조하고 있다. 향후 High-NA EUV가 도입되는 시점에서 프랙틸리아 솔루션의 중요도는 더욱 높아질 전망이다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 덕분에 High-NA EUV는 2나노 이하의 차세대 파운드리 공정에 적용될 것으로 기대되고 있다. 크리스 맥 프랙틸리아 최고기술책임자(CTO)는 "스토캐스틱은 High-NA EUV에서 더 중대한 문제가 될 수 있다"며 "해당 기술을 도입하려는 고객사들이 프랙틸리아의 솔루션에 많은 관심을 가지고 있고, 실제로 이를 도입해 활용 중"이라고 말했다.

2025.07.16 15:38장경윤

ASML, 1분기 실적 견조…"수주 부진·관세 불확실성 우려"

세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 1분기 견조한 실적을 거뒀다. 다만 해당 분기 신규 수주액은 기대에 못 미치는 상황으로, 최근 불거진 관세 정책도 불확실성을 더하고 있다. ASML은 올 1분기 매출액 77억4천만 유로, 영업이익 27억4천만 유로를 기록했다고 16일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 46.4% 증가했으며, 전분기 대비로는 16.4% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 96.8% 증가했으며 전분기 대비 18.4% 감소했다. 장비별로는 EUV 분야의 성장세가 두드러졌다. EUV 장비 매출액은 32억1천만 유로로, 전년동기 대비 76.2%, 전분기 대비 7.6% 증가했다. 이외에도 EUV의 하위 기술인 이머전 ArF(불화아르곤)은 매출 18억9천만 유로 등을 기록했다. 이번 ASML의 1분기 실적은 증권가 컨센서스에 대체로 부합하는 실적이다. 또한 연간 매출 가이던스는 300억~350억 유로로, 최근 불거진 미국과 중국 간의 관세 정책 속에서도 기존과 동일한 전망을 유지했다. 다만 올 1분기 신규 수주액은 기대치에 미치지 못했다. ASML은 1분기 신규 수주액으로 39억3천600만 유로를 제시했다. 블룸버그의 예상치인 48억2천200만 유로를 크게 밑도는 수치다. 크리스토프 푸케 ASML CEO는 "최근 떠오른 관세 정책이 새로운 불확실성을 만들고 있고, 잠재적인 시장 수요에 간접적인 영향을 미칠 수 있어 동향을 매우 주의 깊게 지켜봐야할 필요가 있다"며 "다만 현 시점에서는 여전히 올해 매출을 300억~350억 유로 사이로 보고 있다"고 말했다.

2025.04.16 17:06장경윤

삼성전자, 'High-NA EUV' 설비 평가 중…차세대 파운드리 시대 준비

삼성전자가 2나노미터(nm) 이하 파운드리 공정 구현을 위한 'High-NA(고개구율) EUV(극자외선)' 기술 개발에 주력하고 있다. 올해 본격적인 설비 도입을 앞두고, 지난해부터 실제 공정 적용을 위한 평가를 진행해 온 것으로 알려졌다. 관련 내용은 다음달 세계적인 학술대회에서 공개될 예정이다. 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 23일(현지시간)부터 27일까지 미국 산호세에서 개최되는 'SPIE 첨단 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에서 High-NA EUV를 비롯한 첨단 기술을 공개할 예정이다. 삼성전자는 이번 학술대회에서 High-NA EUV를 비롯한 차세대 노광 기술을 대거 발표할 예정이다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 회로(패턴)를 새기는 공정으로, 반도체 제조에서 가장 높은 비중을 차지하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노 이하의 첨단 파운드리 공정에서 사실상 필수적으로 도입되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올린 기술이다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 덕분에 High-NA EUV는 2나노 이하의 차세대 파운드리 공정에 적용될 것으로 기대되고 있다. 삼성전자도 이르면 올해 상반기 ASML의 첫 High-NA EUV 설비인 'EXE 5000'를 1대 도입할 것으로 전망된다. 해당 장비는 가격이 5천억 원을 호가할 정도로 비싸다. 이에 앞서 삼성전자는 지난해부터 High-NA EUV 설비에 대한 공정 적용 평가 등을 진행해온 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이번에 발표하는 'High-NA EUV를 이용해 차세대 로직 소자의 패터닝 장애물 뛰어넘기' 논문 초록에서 "지난해 EXE 5000을 사용해 기본적인 장비 성능과 마진 등을 실험해보고 있다"며 "또한 EXE 5000 장비를 레지스트, 현상 등 관련 공정과 연동해보고 있다"고 설명했다. 삼성전자는 이를 기반으로 High-NA EUV 설비가 향후 어떤 제품 로드맵에 적용될 수 있을 지 소개할 예정이다. 현재 삼성전자는 첨단 파운드리 시장에서 대형 고객사를 확보하지 못하고 있는 상황으로, 차세대 공정을 위한 기술력 강화가 절실한 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "설비 투자 이전에도 ASML이 보유한 High-NA EUV 설비를 통해 관련 기술을 미리 테스트해볼 수 있다"며 "이를 통해 장비를 보다 안정적으로 도입할 수 있다"고 설명했다. 한편 해당 학술대회는 세계적인 권위를 갖춘 국제광공학회(SPIE)가 주최하는 행사다. 삼성전자, SK하이닉스, 인텔, 마이크론 등 주요 반도체 기업들과 연구기관들이 모여 첨단 노광 기술을 주제로 발표를 진행한다.

2025.01.29 09:26장경윤

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