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김수영 고려대 교수, NRF 나노·소재단장에

김수영 고려대학교 신소재공학부 교수(50)가 한국연구재단(NRF) 국가전략연구본부 나노·소재단장에 선임됐다. 김 신임 단장은 정부로부터 위탁받은 나노·소재단 소관분야 지원사업의 △평가관리 △사업기획 △중장기 발전방안 제안 및 정책수립‧자문 △예산 배분방안 수립 △진도점검 및 성과활용 촉진 △연구수요·기술예측·연구동향에 대한 조사분석 △대외협력 등에 대한 업무를 2년간 담당한다. 김 신임 단장은 POSTECH을 졸업한뒤 석, 박사 학위 및 박사후과정을 모두 동 대학원에서 획득하고 수행했다. 또 미국 조지아공과대학교에서 화학 전공으로 박사후과정을 수행했다. 중앙대 화학공학과 교수를 거쳐 2019년부터 고려대 교수로 재직해왔다.

2026.09.23 17:58박희범 기자

KBSI·생기원·에너지연 신임 원장에 박성균·손웅희·정학근 박사

한국기초과학지원연구원장에 박성균 부산대 물리학과 교수, 한국생산기술연구원장에 손웅희 생기원 수석고문, 한국에너지기술연구원장에 정학근 에너지연 책임연구원이 각각 선임됐다. 국가과학기술연구회는 21일 제248회 임시이사회를 열고, 3개 기관장에 이들을 각각 선임했다고 밝혔다. 박성균 기초지원연 신임 원장은 1990년 부산대학교를 졸업했다. 1994년 물리학 석사, 2001년 미국 애리조나대학교에서 물리학 박사학위를 취득했다. 한국기초과학지원연구원 선임연구원을 거쳐 2008년부터 부산대학교 물리학과 교수로 일하며, 과기정통부 다목적방사광가속기구축사업 추진위원회 위원장, 한국물리학회 부회장 등을 역임했다. 또 손웅희 생기원 신임 원장은 1988년 서울과학기술대학교를 졸업했다. 1993년 한양대학교 기계설계학 석사와 2011년 메카트로닉스공학 박사학위를 취득했다. 1990년 한국생산기술연구원에 들어가 융합기술연구소장, 부원장 등을 수행했다. 한국로봇산업진흥원장장, 한국인공지능기술산업협회 고문 등을 역임했다. 정학근 에너지연 신임 원장은 1996년 전남대학교 전기공학과를 졸업했다. 1998년 GIST 메카트로닉스공학 석사, 2013년 서울대학교 기계항공공학 박사학위를 취득했다. 1998년 한국에너지기술연구원에 들어가 에너지효율연구본부장, 에너지ICT/ESS연구실장 등을 수행했다. 신기술인증(NET) 심의위원, 과기정통부 한계도전 R&D위원회 기획위원 등을 역임했다. 이들 신임 기관장은 22일 김영식 국가과학기술연구회 이사장으로부터 임명장을 수여받고, 공식 업무에 들어갈 예정이다. 임기는 22일부터 오는 2029년 9월 21일까지 3년이다. 한편 재공모, 3배수까지 뽑은 한국원자력연구원장과 한국전기연구원장 최종 선발 이사회는 오는 28일 열릴 예정이다. 이외에 한국표준과학연구원장과 한국기계연구원장, ETRI 부설 국가보안연구소장과 KAIST부설 나노종합기술원장은 공모가 진행 중이다.

2026.09.21 19:04박희범 기자

"개발기간 9개월로 단축"… 삼성 파운드리, 2나노·DTCO로 AI칩 승부수

삼성전자 파운드리 사업부가 팹리스 고객이 칩 제조사를 고를 때 가장 중시하는 공정 경쟁력, 개발속도, 인프라 준비 3대 수요를 정조준한 맞춤형 솔루션으로 인공지능(AI) 반도체 생태계 주도권 확보에 나섰다. 김낙신 삼성전자 파운드리 사업부 SAFE-IP그룹 그룹장은 15일 'IP-SoC 데이 코리아 2026'에서 맞춤형 전략과 함께 주요 고객사 성공 사례를 공유했다. 김 그룹장은 "AI 패러다임 전환으로 릴리스 속도가 빨라지면서 고객사는 1년 안에 새로운 칩을 만들어야 하는 상황에 직면했다"며 "삼성 파운드리는 고객의 3대 핵심 수요를 완벽히 지원하는 맞춤형 솔루션으로 생태계 주도권을 확보하고 있다"고 강조했다. IP-SoC 데이는 반도체 설계자산(IP) 마켓플레이스를 운영하는 디자인&리유즈(D&R)에서 개최하는 컨퍼런스다. 매년 한국, 미국, 중국, 유럽 등에서 열린다. 공정·속도·인프라 3박자 갖춘 맞춤형 솔루션 삼성 파운드리는 설계기술 공정 최적화(DTCO)를 앞세울 계획이다. 향후 2년 내 양산이 목표인 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정과 2029년 양산을 준비 중인 1.4나노를 통해 공정 경쟁력을 강화해 공략하는 것이다. 김 그룹장은 "선단 공정으로 갈수록 트랜지스터 자체 개선보다 DTCO를 통한 성능 향상 비중이 커지고 있다"며 "최소한의 금속층만으로 설계를 최적화하는 혁신적 디자인 플로를 통해 고객이 자사 애플리케이션에 맞게 성능을 조정할 수 있고, 이를 통해 최대 30% 파워 개선을 달성했다"고 설명했다. 이어 "여기에 AI 가속기용 커스텀 S램을 적용하면 포트 구성에 따라 최대 2배까지 성능·전력·면적(PPA) 개선 효과를 볼 수 있다"고 덧붙였다. 설계 병목도 해소해 개발 가속화를 돕는다. 삼성 파운드리는 공정 미세화와 함께 늘어나는 튜닝 옵션을 효율적으로 관리하도록 자동화 스크립트 세트 'PPA 패키지'를 제공한다. 이를 통해 적은 반복만으로 목표 성능에 도달할 수 있다. 케이던스, 시놉시스와 함께 개발한 AI 기반 마이그레이션 툴을 적용하면 기존 설계를 새 공정으로 전환하는 시간을 최대 64%까지 단축할 수 있다는 게 김 그룹장 설명이다. 고객이 공정을 선택하는 즉시 설계에 착수할 수 있는 환경도 구축한다. 김 그룹장은 "AI 칩 설계 시 S램 요구량이 폭증하는 추세에 맞춰 S램 포트폴리오를 지난해 대비 60% 이상 늘려 올해 121개까지 확대했다"며 "차세대 고속 인터페이스 IP도 선단 공정부터 성숙 공정까지 선제적으로 준비해 고객 선택지를 넓혔다"고 말했다. 이론을 현실로 증명한 3대 성공 사례 삼성 파운드리는 맞춤형 솔루션이 실제 시장 성과로 이어지고 있다며 주요 고객사 세 가지 성공사례를 공유했다. 첫 번째는 국내 대표 AI 가속기 기업 사례다. 삼성의 4나노 공정을 활용해 고대역폭메모리(HBM), 신경망처리장치(NPU) 등 다수의 다이를 실리콘 인터포저 위에 집적한 멀티다이 제품이다. 총체적인 전력·신호 무결성(PI/SI) 솔루션 지원으로 전력 효율을 최적화하며 현재 양산 중이다. 김 그룹장이 밝히진 않았지만, 해당 기업은 리벨리온으로 추정된다. 두 번째는 거대한 칩 면적을 가진 그록의 초대형 LPU 가속기 사례다. 700㎟ 이상 대형 다이에 4GB 이상 맞춤형 S램을 집적하면서도 안정적인 수율을 확보하는 난제를 해결했다. 고속 인터페이스 IP 브링업과 로직 리던던시 기술을 통해 수율과 목표 성능(PPA)을 모두 잡았다. 해당 사례 주인공은 엔비디아에 인수된 그록으로 보인다. 세 번째는 차세대 자율주행 시장을 이끄는 2나노 차량용 칩이다. 통상 2~3년이 걸리는 개발기간을 9개월로 단축하는 데 성공했다. 설계 마이그레이션 솔루션과 초기 PPA 분석, AI·머신러닝 기반 자동화 플랫폼을 총동원해 초고속 테이프아웃을 이뤘다. 해당 기업은 미국 테슬라로 추정된다. 김 그룹장은 "혁신적인 개발기간 단축은 단순 우연이 아니라 삼성 파운드리의 철저한 인프라 준비와 세이프 에코시스템 파트너들과 긴밀한 협력이 만든 결과"라고 강조했다.

2026.09.15 12:33전화평 기자

'나노물질 에너지 경로 제어'로 국내 첫 WMI 어워드 수상

박은영 POSTECH(포항공과대학교) 물리학과 및 막스플랑크 한국·포스텍연구소(MPK) 소속 박사후연구원이 국내 처음 '베르너 마이어-일저 기념상(WMI Award)을 수상했다. 수상은 최근 브라질 캄피나스에서 열린 '제17회 국제 X선 현미경 학술대회'에서 받았다. 빛에 의해 여기된 나노입자에서 에너지 전달과 구조 변형이 일어나는 과정을 시간분해 X선 이미징으로 규명한 박사학위 연구 결과가 좋은 평가를 받았다. 이 논문은 빛의 편광과 여기 조건을 조절해 나노물질의 에너지 이완 경로를 선택적으로 제어할 수 있음을 단일입자 수준에서 보여줬다. 결과는 네이처 커뮤티케이션즈에 게재됐다. 박 연구원은 포항가속기연구소 X선 자유전자레이저(PAL-XFEL)를 활용해 빛에 의해 변화하는 나노물질의 초고속 구조 변화를 개별 입자 수준에서 관측하는 연구를 수행해 왔다. 아주대 물리학과를 졸업하고, POSTECH에서 석· 박사학위를 획득했다. 한편, 이번 학회에서는 같은 연구팀 소속 김성국 석박사통합과정생도 '포스터 어워드(Poster Award)'를 수상했다. 이 학회에서 포스터 어워드는 모두 4명이 받았다.

2026.09.15 11:06박희범 기자

초미량 물로 전기 생산…디지털 시계 작동 성공

눈에 보일듯 말듯한 초미량 물로 최대 45시간 정기를 생산하는 수력발전기가 개발됐다. 여기서 발생한 전기로 디지털 시계 작동에 성공했다. UNIST는 고현협 에너지화학공학과 교수 연구팀이 물속 양이온의 농도 차로 장시간 직류 전기를 생산하는 초소형 박막 수분 발전기를 개발했다고 9일 밝혔다. 이 발전기는 맥신과 셀룰로스 나노소재를 섞어 만든 재료로 나노통로를 만드는 것이 핵심이다. 소자의 한쪽 끝부분을 물리적으로 눌러, 비대칭 나노통로를 형성했다. 물이 소자 입구로 들어오면 셀룰로스 나노섬유가 물을 흡수한다. 그러면, 입구 쪽은 크게 부풀지만, 반대쪽은 눌려 있어 좁은 나노통로 구조를 그대로 유지, 소자 내부에 한쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 물 통로가 만들어진다. 통로 폭의 차이는 두 영역에서 서로 다른 양이온 선택성을 만든다. 넓은 입구 쪽에서는 양이온과 음이온이 모두 비교적 자유롭게 움직이는 반면, 좁은 나노통로에서는 맥신과 셀룰로스 나노섬유 표면의 음전하가 양이온을 선택적으로 끌어당긴다. 특히 폭이 약 1.4nm인 나노통로에서는 통로 벽의 영향이 전체에 미쳐 좁은 영역의 양이온 농도가 넓은 영역보다 높아진다. 양쪽 양이온 농도 차이에 따라 전압이 형성되는 원리다. 연구팀은 셀룰로스 나노섬유의 이온전도성과 맥신의 전자전도성을 하나의 나노통로 구조에 결합, 나노통로 내부에서 만들어진 이온 농도 차를 전자전류로 변환하는 데도 성공했다. 비교 실험에서 맥신·셀룰로스 나노섬유 소자는 전자전도성이 낮은 산화 그래핀(GO)·셀룰로스 나노섬유 소자보다 무려 5,000배 이상 높은 전류를 출력했다. 맥신 함량을 최적화한 소자는 53.8mA/㎤의 전류밀도와 2.1mW/㎤의 체적 전력밀도를 기록했다. 연구팀은 물 3마이크로리터(μL)만으로 20시간 이상 안정적인 전압을 유지했다고 밝혔다. 최대 약 45시간 동안 전압 출력도 확인했다. 또한 상대습도 17~90%와 분당 5~20리터의 공기 흐름에서도 안정적인 출력을 나타냈다. 증류수뿐만 아니라 수돗물과 바닷물, 땀으로도 전력을 생산했다. 반복적인 수화·건조 과정에서도 성능을 유지했다. 연구팀은 "개발된 수분 발전기는 두께가 약 15㎛ 초박막 구조"라며 "여러 층으로 쌓아 제한된 면적에서도 전력 생산량을 늘릴 수 있다"며 "실제 2개층으로 쌓은 단위 소자 48개를 직렬로 연결, 상용 디지털시계를 직접 구동했다. 웨어러블 전자기기의 자가발전 전원으로 활용할 가능성도 확인했다"고 설명했다. 단위소자 발전 성능은 83mV에 전류는 10㎂다. 소자 48개를 연결시 3.6V, 9 ㎂의 출력을 낸다. 실험에 사용된 디지털 시계는 LED 기반으로 1.5V 전압에, 2㎂ 전류가 필요하다. 연구에는 나상윤·정건영 에너지화학공학과 박사가 공동 제1저자로 참여했다. 정건영 박사는 전화통화에서 "특허출원까지 진행했다. 기술성숙도는 실험실 성능 검증에서 시제품으로 넘어가는 단계다"라며 "상용화를 위한 창업계획은 따로 없는 상태"라고 말했다. 고현협 교수는 "향후 웨어러블 헬스케어 기기와 소형 전자기기, 분산형 사물인터넷(IoT) 시스템 등 지속적이고 독립적인 전원 공급이 필요한 다양한 분야에 적용할 수 있을 것"으로 기대했다. 연구성과는 재료분야 국제학술지 어드밴스드 머티리얼즈에 온라인으로 게재됐다.

2026.09.09 08:00박희범 기자

시높시스, 삼성 2나노 공정 AI칩 설계 22% 줄였다…"韓 생태계 전방위 협력"

글로벌 1위 반도체 설계 자산(EDA) 기업 시높시스가 삼성전자 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 20% 이상 줄이는 데 성공했다. 회사는 메모리 반도체 중심의 기존 한국 시장 비즈니스를 삼성 파운드리 선단 공정 생태계와 국내 주요 인공지능(AI) 반도체 기업 전반으로 확대할 계획이다. 시높시스는 8일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스에서 개막한 '시높시스 컨버지 코리아 2026'에서 이 같은 기술 협력 성과와 향후 청사진을 발표했다. 이날 기조연설에 나선 샹카 크리슈나무티 시높시스 최고 제품 개발 책임자(CDO)는 차세대 디지털 설계 솔루션인 '퓨전 컴파일러'에 삼성전자 파운드리의 '디자인·공정 최적화(DTCO)' 기술을 내재화한 성과를 전면에 내세웠다. 현장에서 공개된 실측 지표에 따르면 시높시스 툴과 삼성전자 SF2P(2나노) 공정을 결합해 신경망처리장치(NPU)를 설계한 결과 기존 대비 다이(Die) 면적이 22% 감소했다. NPU 코어 면적이 줄어들면 웨이퍼당 생산 칩 수가 늘어나 제조 원가를 낮추고 전력 효율을 높일 수 있다. 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 설계와 공정을 동시에 최적화하는 DTCO의 중요성이 커지는 가운데, 글로벌 1위 EDA 툴이 삼성 2나노 생태계의 성숙도를 객관적으로 증명한 셈이다. 아울러 시높시스는 '다중 물리(Multiphysics)' 해석을 결합한 3D-IC 첨단 패키징 비전을 제시했다. 이는 시높시스가 지난해 7월 시뮬레이션 기업 앤시스(Ansys)를 인수한 이후 국내에서 처음 선보이는 '실리콘 투 시스템' 통합 솔루션이다. 크리슈나무티 CDO는 "과거 3D-IC 설계는 프로토타이핑, 구조 설계, 검증 환경이 파편화되어 있었다"며 "이를 단일 플랫폼으로 통합해 열 분석과 신호 무결성(EM/IR) 검증을 설계 초기 단계부터 수행할 수 있게 됐다"고 설명했다. 실제로 글로벌 주요 고성능컴퓨팅(HPC) 고객사는 '3D-IC 컴파일러'를 도입해 통상 2~3개월 걸리던 고대역폭메모리(HBM) 인터포저 라우팅 및 검증 일정을 수일 내로 단축하는 성과를 냈다. 또한 검증 주기를 길어지게 만드는 칩 개발 병목을 '디지털 트윈' 솔루션으로 돌파하고 있다. 칩 시제품이 나온 뒤에야 소프트웨어 검증을 진행하던 기존 순차적 방식에서 벗어나, 하드웨어 개발과 동시에 소프트웨어를 병렬 검증함으로써 상용화 일정을 1년 이상 앞당긴다는 구상이다. 이어 진행된 간담회에서 시높시스는 한국 내 파트너십 확장 의지를 분명히 했다. 시높시스는 현재 엔비디아, 마이크로소프트(MS) 등 글로벌 빅테크는 물론 삼성전자, SK하이닉스와 차세대 시스템 및 워크로드 검증 분야에서 긴밀히 협력 중이다. 패드메쉬 맨들로이 시높시스 S&A 부문 아태지역 애플리케이션 엔지니어링 총괄 부사장은 "한국 시장 내 매출은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 비중이 주력인 것은 맞다"면서도 "삼성 파운드리의 선단 공정 인프라 확충 및 모바일용 엑시노스 프로젝트 협력을 지속하고 있다"고 밝혔다. 이어 "나아가 리벨리온, 퓨리오사AI 등 국내 주요 AI 반도체 팹리스로 다중 물리 및 자율형 설계 툴인 에이전틱 AI(Agentic AI) 지원을 확대해 비메모리 영역의 기여도를 끌어올릴 것"이라고 덧붙였다. 통합 라이선스 정책에 대한 시장의 우려도 일축했다. 시높시스 관계자는 "앤시스 인수 이후 툴 가격이나 라이선스 비용을 인위적으로 인상할 계획은 없다"고 선을 그었으며, 기존 국내 우주항공 스타트업을 대상으로 진행하던 정부 협업 프로그램 '에스크(ASK)' 지원 대상을 반도체 분야까지 확대 운영하겠다고 밝혔다.

2026.09.08 15:26전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

현대차그룹, 경찰버스에 실내 온도 낮추는 '나노 쿨링 필름' 적용

현대자동차그룹이 폭염 속 치안 업무를 수행하는 경찰 기동대원을 위해 경찰버스에 실내 온도를 낮추는 '나노 쿨링 필름'을 시범 적용했다. 현대차그룹은 2일 서울특별시경찰청 기동본부에서 1기동단 소속 경찰버스 2대에 나노 쿨링 필름을 적용했다고 밝혔다. 대상 차량은 13·14기동대 소속 유니버스로, 측면과 후면 유리창에 투과율 90% 필름을 시공한 뒤 경찰기동대 임무에 투입했다. 경찰버스는 집회·시위 대응 등 현장에서 이동식 사무실과 숙식 공간으로 장시간 활용된다. 다만 임무 수행과 규정 준수를 위해 짙은 틴팅을 적용하기 어려워 여름철 고온 환경에 취약하다는 점을 고려했다. 나노 쿨링 필름은 태양열 일부를 반사하는 기존 틴팅 필름 기능에 더해 차량 내부의 적외선을 외부로 방출하는 기능을 갖췄다. 근적외선대 파장을 반사하는 2개 층과 중적외선대 파장을 외부로 내보내는 1개 층 등 총 3개 층으로 구성됐으며, 기존 틴팅 필름과 같은 방식으로 부착할 수 있다. 현대차그룹은 앞서 전주공장에서 생산한 유니버스 FCEV와 초저상수소전기버스에 이 필름을 적용하고 비교 평가를 진행했다. 필름 적용 차량은 미적용 차량보다 평균 약 2~3도 낮은 실내 온도를 유지했고, 햇빛이 강하게 들어오는 운전석에서는 최대 7도 가까운 온도 차이를 보였다. 현대차그룹은 버스 실내 온도를 1도 낮추는 데 약 1.6kWh의 전력이 소모되는 만큼, 필름 적용이 냉방 에너지 사용과 탄소배출을 줄이는 데도 도움이 될 것으로 기대했다. 앞으로 1년간 냉각 효과와 품질을 추적 관찰한 뒤 본격 양산 여부를 검토할 계획이다. 이민재 현대차·기아 기초소재연구센터 책임연구원은 "실제 차량에서의 적용 사례를 계속 늘려가며 추적 관찰해 기술의 완성도를 끌어올리겠다"고 말했다.

2026.09.02 10:06김재성 기자

"나노패턴을 지문처럼…진위 판별은 폰 손전등으로"

나노패턴을 이용한 복제 방지 원천기술이 개발됐다. 물 위에 나노 입자 무늬를 만들어 '지문'처럼 이용하는 보안 기술이다. 핸드폰 손전등 만으로도 진위여부를 확인할 수 있다는 것이 가장 큰 장점이다. KAIST는 김상욱 신소재공학과 교수 연구팀이 권석준 성균관대학교 교수 연구팀과 공동으로, 무작위로 만들어지는 '콜로이드 나노 패턴'(눈에 보이지 않을 만큼 작은 입자들이 모여 만든 고유한 미세 무늬)'을 이용해 간단한 빛만으로 진위를 확인할 수 있는 새로운 보안 원천기술을 개발했다고 26일 밝혔다. 연구팀은 머리카락 굵기의 수만~수십만분의 1 정도인 수백 nm 크기의 둥근 입자들을 물 위에서 스스로 모이게 했다. 이 과정에서 입자들이 모이는 위치와 방향이 매번 달라 서로 다른 무늬가 자연스럽게 만들어지는 패턴이 핵심이다. 작은 알갱이를 바닥에 뿌릴 때마다 서로 다른 모양으로 놓이는 것과 비슷하다. 황사무엘 석사과정생은 "같은 알갱이를 같은 방법으로 다시 뿌려도 이전과 완전히 똑같은 위치와 방향으로 놓이기는 어렵다"며 "연구팀은 이렇게 우연히 만들어진 나노 입자의 배열을 제품을 구별하는 고유한 '나노 지문'으로 활용했다"고 설명했다. 황사무엘 석사과정생에 따르면, 나노패턴을 형성한 뒤 백색 LED를 입사하면, 이 빛이 통과하면서 회절패턴이 발생한다. 이때 나타나는 패턴의 경우의 수가 10의 20승개다. 또 542nm 파장의 그린레이저를 입사했을 때 패턴이 나타나는 경우의 수가 10의 164승개다. 이걸 합칠 경우 10의 184승 개의 경우의 수가 생기는 것. 패턴이 만들어지는 경우는 거의 무한대 수준이라는 것이 연구팀 설명이다. 이 같이 이 기술은 복제도 어렵지만, 패턴을 읽는 방법이 의외로 간단하다. 스마트폰 손전등처럼 일반적인 빛을 비추면 나노 입자가 놓인 방식에 따라 고유한 색과 반사 무늬가 나타난다. 레이저 포인터를 비추면 빛이 미세한 입자 구조를 만나 여러 방향으로 퍼지면서 또 다른 고유한 빛의 무늬가 나타난다. 연구팀은 제품마다 이렇게 나타나는 두 가지 빛의 무늬를 미리 등록해 두고, 실제 제품에서 나타나는 무늬와 비교해 진위를 확인할 수 있다고 부연 설명했다. 연구팀은 이 나노 구조를 유연한 플라스틱과 금속, 투명 필름, 하이드로겔(물을 많이 머금을 수 있는 부드러운 젤 형태의 소재) 등 다양한 표면에 옮겨 붙이는 데도 성공했다. 이에 따라 전자제품과 사물인터넷(IoT) 기기에 각각 고유한 '하드웨어 신분증'을 부여해 정품 여부를 인증하거나, 명품·미술품·의약품 등의 진위를 확인하는 위조 방지 라벨로 활용할 수 있을 것으로 기대됐다. 투명 필름에도 적용할 수 있어 제품의 디자인이나 외관을 가리지 않는 보안 스티커로도 발전할 가능성이 있다. 김상욱 교수는 전화통화에서 "백색 LED는 핸드폰 손전등과 같은 파장이고, 레이저 포인트는 542nm 그린레이저 파장을 의미한다"며 "이들 두 종류의 빛을 비춰 진위를 확인한다"고 말했다. 상용화와 관련해서 김 교수는 또 "기초연구를 통해 원천특허를 확보했다"며 "수요처가 발굴되면, 실용화가 매우 기대되는 기술"이라고 덧붙였다. 연구는 양건국 KAIST 신소재공학과 박사와 임성균 성균관대학교 화학공학과 박사과정생이 공동 제1저자로 참여했다. 연구 결과는 국제 학술지 '네이처 커뮤니케이션즈'에 7월 23일 자로 온라인 게재됐다.

2026.08.26 09:29박희범 기자

삼성전자, 美 테일러팹 2기 구축 속도…공급망에 장비 '선제 인증' 주문

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 올해 연말 테일러 파운드리 2기 팹 착공을 앞두고, 최근 협력사의 설비 도입을 위한 인증을 선제적으로 진행하고 있다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 주요 협력사들을 대상으로 미국 테일러 파운드리 2기 팹 투자를 위한 인증 획득을 요청하고 있다. 테일러 팹은 삼성전자의 최첨단 파운드리 양산을 전담할 팹이다. 1기 팹의 경우 올해 연말 가동을 목표로 장비 입고 및 설치가 진행되고 있다. 주력 양산 타겟은 업계 최첨단 공정인 2나노미터(nm)로, 미국 주요 빅테크인 테슬라가 핵심 고객사로 거론된다. 삼성전자는 최근 테일러 2기 팹 착공 계획도 공식화했다. 회사는 지난달 30일 진행한 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "증가하는 고객 수요에 적기 대응하고자 미국 테일러 2기 팹 역시 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중"이라고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 테일러 2기 팹 투자에 대해 강한 의지를 내비치고 있는 것으로 관측된다. 최근 복수의 반도체 장비 협력사들을 대상으로, 해당 팹에 설비를 도입하기 위한 'SEMI' 인증을 미리 획득할 것을 요청한 상황이다. SEMI 인증은 반도체 장비의 안전성을 평가하는 기준으로, 장비의 해외 반출 전에 필수적으로 획득해야 한다. 반도체 장비업계 관계자는 "아직 테일러 2기 팹의 구체적인 스펙이 확정되지도 않았음에도, 삼성전자 파운드리 사업부가 예상보다 빠르게 대응에 나서고 있다"며 "구체적인 계획은 올 연말께 가시화되겠으나, 그만큼 투자를 적극적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 설명했다. 관건은 최첨단 공정에 대한 대형 고객사 확보다. 앞서 삼성전자는 테일러 1기 팹 구축 초기에 고객사 확보 난항 및 시황 악화로 투자 계획을 지속 연기한 바 있다. 그러나 테슬라가 삼성 파운드리와 지난해 3분기 22조7600억원 규모의 반도체 위탁생산계약을 체결하면서, 팹 구축 속도가 다시 빨라졌다. 테일러 2기 팹 역시 테슬라향 공급량 확대, 혹은 추가 고객사 확보 여부에 따라 실제 양산 가동까지의 로드맵이 달라질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "건설 부문 관련사인 삼성이앤에이(삼성E&A)에서도 테일러 2공장 건설을 위한 수십명의 인력을 현지에 파견하는 방안을 추진 중인 것으로 안다"며 "다만 삼성전자가 클린룸 구축 후 실제 양산 라인까지 빠르게 구축하기 위해서는 대형 고객사 확보가 선제적으로 확보돼야 할 것"이라고 말했다.

2026.08.20 11:24장경윤 기자

삼성전자, 기흥 신규 R&D팹 '파운드리' 활용 추진…엔비디아 수요 선제 대응

삼성전자가 기흥에 구축 중인 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 용도를 변경할 예정이다. 현재 해당 라인은 파운드리 생산능력 확대에 활용하기로 가닥을 잡은 것으로 14일 파악됐다. 당초 D램 양산용 라인으로도 투자가 논의됐으나 최근 계획이 수정됐다. 이곳에서 주력으로 노리는 양산품은 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 2나노미터(nm) 베이스(로직) 다이다. 엔비디아 등 핵심 고객 주도로 HBM 공급이 확대될 전망인 만큼, 관련 생산능력을 미리 확보하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 기흥에 구축 중인 NRD-K 2라인 용도를 기존 R&D에서 파운드리 라인으로 활용하는 방안을 추진 중이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발단지다. 오는 2030년까지 약 20조원을 투입해 총 3개 라인을 조성하기로 했다. 이 중 첫 번째 라인은 지난 2024년 말 준공됐다. 올해부터 NRD-K 2라인 조성을 준비하고 있다. 기흥캠퍼스 내 옛 종합기술원 건물을 철거하고, 현재 부지 조성 등 기초공사 중이다. 다만 NRD-K 2라인 용도는 당초 계획에서 크게 변경될 확률이 높다. 최근 삼성전자는 해당 라인을 파운드리용 센드팹(Send-Fab)으로 활용하는 방안을 추진 중이다. 센드팹은 타 양산라인에서 웨이퍼를 받아 와 특정 공정을 대신 처리하는 보조 팹 개념이다. 목표로 검토 중인 주력 양산품은 엔비디아에 공급하는 HBM용 2나노 베이스 다이로 알려졌다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, HBM과 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 성능을 좌우하는 요소 중 하나다. HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자에 따라 수요가 지속 확대될 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 향후 상용화될 커스텀 HBM과 HBM5(8세대 HBM)에 업계 최첨단 공정인 2나노 기술을 적용해, 경쟁사보다 성능 우위를 확보할 계획이다. 기흥 신규 팹을 활용해 관련 생산능력을 빠르게 확보하려는 것도 같은 이유로 보인다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 2028년 하반기 개소를 목표로 NRD-K 2라인을 구축 중이고, 파운드리용 팹으로 활용하는 것으로 가닥을 잡았다"며 "NRD-K 2라인의 경우 팹 사이즈가 비교적 작은 편에 속하기 때문에, 센드팹 방식으로 최첨단 반도체 생산능력 확대에 기여할 것"이라고 설명했다. 물론 팹 오픈 시점이 2년가량 남은 만큼, NRD-K 2라인 용도가 또다시 변경될 수도 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 관계자는 "(삼성전자) 내부적으로는 확정 수준이긴 하나, 실제 설비 구매주문(PO)이 나오려면 시간이 더 필요하다"며 "반도체 시황이 언제든 급변할 수 있어, 구체적인 투자 방향과 규모가 수정될 가능성도 배제할 수 없다"고 말했다. 실제 삼성전자는 지난달까지 NRD-K 2라인을 D램용 센드팹으로 활용하는 방안도 검토했다. 이를 위해 화성 메모리 사업부가 관련 투자계획도 수립했다. 다만 삼성전자가 이달 계획을 수정하면서, D램 양산은 평택캠퍼스로 집중될 가능성이 커졌다.

2026.08.14 14:36장경윤 기자

삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용

삼성전자가 이르면 오는 2030년께 상용화될 1나노미터(nm) 공정부터 노광 기술 혁신에 나선다. 차세대 극자외선(EUV) 기술인 '고개구율(High-NA) EUV'를 1나노에 양산 적용할 계획으로, 현재 상용화를 위한 기술 개발에 집중하고 있다. 박창민 삼성전자 마스터는 11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 회사의 노광 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 노광은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정을 뜻한다. 삼성전자는 8나노 이하의 첨단 파운드리 공정부터 EUV를 양산 적용해 왔다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. 삼성전자는 차세대 EUV 기술인 High-NA EUV 개발에도 매진하고 있다. 본격적인 양산 적용 목표는 1나노(A10; A는 0.1나노 단위인 옹스트롬) 공정으로 보고 있다. 박 마스터는 "2나노, 1.4나노 등에서 High-NA EUV를 양산 적용하고 싶었으나 아직은 기술적 보완이 필요한 상황"이라며 "A10 이하부터 High-NA EUV가 필요할 것으로 보고, 다양한 협력사들과 공동 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 이를 고려한 삼성전자의 High-NA EUV 양산 적용 시점은 오는 2030년께로 관측된다. 삼성전자는 현재 2나노 공정까지 상용화에 성공해, 오는 2029년 1.4나노(SF1.4) 공정을 양산할 계획이다. 2030년에는 1.4나노의 개선 버전인 SF1.4+과 1나노 공정 양산에 나설 것으로 알려졌다. High-NA EUV는 렌즈의 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올린 기술이다. 개구수는 빛을 모으는 집광 능력을 뜻한다. 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상돼, 더 미세한 회로를 구현하는 데 용이하다. High-NA를 활용하면 기존 EUV로도 멀티 패터닝을 진행해야 했던 초미세 공정을 싱글 패터닝으로 구현할 수 있게 된다. 덕분에 비용 효율성이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. 단 한번만 패터닝을 진행하므로 회로 설계도 더 자유롭게 진행할 수 있다. 다만 High-NA EUV는 기술적 난이도가 매우 높고, 설비 역시 매우 고가에 속한다. 마스크, 펠리클 등 관련 소재 기술도 고도화돼야 한다. 때문에 업계는 향후 공정에서 EUV 멀티 패터닝과 High-NA EUV 싱글 패터닝이 혼용될 것으로 보고 있다. 박 마스터는 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인 스트림이 될 것"이라며 "이후의 차세대 공정은 High-NA 패터닝이 메인이 될 것이라고 생각한다"고 말했다.

2026.08.11 14:16장경윤 기자

삼성 파운드리, 4나노 풀캐파에 5나노 주문 늘어…AI·서버로 영역 확대

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 5nm(나노미터, 10억분의 1m) 영업을 강화하고 있다. 수요가 많은 인기 공정인 4나노 가동률이 최대치에 도달하자, 대안으로 5나노를 제시하고 있는 것으로 풀이된다. 5일 반도체 업계에 따르면 삼성 파운드리 4나노 공정은 내년까지 풀캐파(Full CAPA) 상황인 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 “삼성전자 HBM4(고대역폭메모리) 주문량이 폭증하면서 4나노 라인 가동률이 엄청 올라갔다”며 “파운드리의 최대 고객사가 메모리 부문이 됐다”고 말했다. 여기에 미국 엔비디아의 추론용 LPU(Language Processing Unit) '그록3' 물량도 예상치를 상회해, 4나노 풀캐파에 영향을 줬다는 후문이다. 이에 삼성 파운드리는 4나노를 찾는 고객에게 대안으로 5나노를 제시하고 있다. 4나노 대비 비용 부담이 큰 2·3나노 공정으로 넘어가기 힘든 팹리스(반도체 설계전문) 고객에게 수율과 성능이 이미 검증된 5나노 공정을 실속형 대체재로 제안하는 전략이다. 이 반도체 업계 관계자는 “2~3나노 선단 공정은 수율 및 비용 측면에서 고객사 부담이 크고 4나노 라인은 이미 꽉 찬 상태”라며 “삼성전자가 수율이 안정화된 5나노 공정을 대안으로 적극 제안하고 있으며, 팹리스 기업들도 이를 긍정적으로 검토하는 분위기”라고 전했다. 5나노 공정은 차량용 전용 라인으로 분류된다. 현대자동차에서 2030년 양산을 목표로 하는 ADAS(첨단운전자지원시스템)용 칩, 보스반도체 SoC, 텔레칩스 차량용 AP 돌핀7 등이 차량용 전용 공정인 SF5A로 양산될 예정이다. 최근에는 서버 및 고성능 AI·신경망처리장치(NPU) 칩으로 활용 범위를 넓히고 있다 또다른 반도체 업계 관계자는 “5나노 공정은 고성능 서버용 칩 구현에도 적합해 해외 팹리스의 라이선스 체결이 이어지고 있다”며 “최근 3~4개월 사이 5나노 공정을 찾는 고객 수요가 과거보다 확실히 늘어났다”고 설명했다. 대만 TSMC의 최선단 라인 과부하와 글로벌 지정학적 요인도 삼성 파운드리 5나노 수주에 긍정적 요인으로 작용하고 있다. TSMC의 3·4·5나노 라인 수급이 타이트해지면서 중국과 인도계 팹리스들이 미세공정 수요 충족과 제재 회피를 위해 삼성 5나노 라인으로 눈을 돌리고 있기 때문이다. 삼성 파운드리 협력사 관계자는 “미국의 대중 제재 속에서 선단 공정급 성능을 확보해야 하는 중국·인도계 팹리스 입장에선 삼성 파운드리가 현실적인 대안”이라며 “TSMC에서 밀려난 소규모 물량 고객까지 삼성전자가 흡수하면서 5나노 공정 반사이익을 얻고 있는 상황”이라고 귀띔했다. 한편 5나노 중심의 실용적 영업 활동과 더불어 2나노 공정에 대한 글로벌 고객사들의 물량 타진도 이어지고 있다. 반도체 업계 관계자는 “삼성 파운드리에 2나노 관련 문의가 이어지고 있는 걸로 안다”며 “이제 중요한 건 수율을 잡는 것”이라고 전했다.

2026.08.05 16:48전화평 기자

나노종합기술원-오에이큐, 대전시와 양자센서 MOU

나노종합기술원과 양자센싱 전문기업 오에이큐, 대전시는 31일 나노종합기술원에서 '양자센서 산업 육성 및 대전 양자 소재·부품·장비 거점 조성을 위한 업무협약'을 체결했다. 협약에는 박흥수 나노종합기술원장과 양승찬 대전시 미래전략산업실장, 이덕영 오에이큐 대표 등이 참석했다. 세 기관은 ▲양자 하드웨어용 미세전자기계시스템(MEMS) 원자증기셀 및 핵심부품 패키징 공정기술 공동개발 ▲양자 자기장 센서 성능 측정·평가 및 실증 플랫폼 구축 ▲양자센서 기반 산업·안전 분야 응용 및 사업화 ▲원자셀, 광원, 검출기 패키징 등 핵심 소재·부품·장비(소부장) 협력 기반 구축 ▲연구개발 성과의 사업화 및 대전 지역 내 신규 투자 지원 등에서 상호 협력하기로 했다. 오에이큐는 2024년 설립된 양자기술 기반 감지 기술(센싱)·플랫폼 전문기업이다. 고정밀 양자기술을 활용한 자기장 센서와 맞춤형 원자증기셀을 개발 중이다. 현재 항공우주·국방·바이오 등으로 사업을 확장 중이다. 나노종합기술원은 200㎜ 실리콘 공정 기반 MEMS 알칼리 원자증기셀 제작기술과 나노·반도체 공정 기반 시설(인프라)을 보유하고 있다. 원자증기셀은 자기장, 시간, 중력, 관성 등을 정밀하게 측정하는 양자센서의 핵심부품이다. 오에이큐 기술개발과 시제품 제작, 성능 고도화를 지원한다. 양승찬 대전시 미래전략산업실장은 “양자센서는 국방·우주·바이오·산업안전 등 다양한 분야의 혁신을 이끌 핵심기술”이라며 “나노종합기술원 공정 기반과 오에이큐 기술력이 실질적인 사업화 성과로 이어질 수 있도록 적극 지원할 것"이라고 말했다.

2026.07.31 19:29박희범 기자

이노스페이스, 발사체 'PLA' 상판에 재발사 여정 '기록'

민간 우주 발사체 기업 이노스페이스(대표 김수종)가 임직원 265명, 투자사 37곳, 협력사 578곳 이름이 새겨진 '한빛-나노'의 'PLA(페이로드 어댑터)' 상판을 30일 공개했다. PLA는 발사체와 위성 연결장치다. 발사체 최상단 '페이로드 페어링' 내부에 탑재체를 고정·보호하다 목표 궤도에 도달한 뒤 안전하게 분리시키는 구조물이다. '한빛-나노'는 오는 11월 브라질 알칸타라 우주센터(Alcântara Space Center)에서 재발사될 예정이다. '한빛-나노'는 지난해 12월 22일 브라질서 발사 33초 만에 임무가 조기 종료된바 있다.

2026.07.30 09:14박희범 기자

삼성전자, HBM5 베이스 다이에 '2나노' 적용…속도 50%↑

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용한다. HBM4에 이어 차세대 제품에도 최선단 파운드리 공정을 도입해 인공지능(AI) 반도체 시장 공략에 속도를 낸다는 구상이다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 기고문에서 "HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작속도를 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 2나노 공정을 도입하고 더욱 높은 집적도 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 계획"이라고 밝혔다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치해 그래픽처리장치(GPU) 등 외부 프로세서와 데이터를 주고받는 로직 칩이다. HBM4부터 메모리 공정 대신 파운드리 최선단 공정이 적용되며 HBM 전체 성능과 전력 효율을 좌우하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. GAA는 전류 제어력과 전력 효율을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하했고, 5월 HBM4E 12단 샘플을 출하했다. HBM4와 HBM4E 베이스 다이에는 양산성과 수율이 검증된 4나노 4세대 공정을 적용했다. 구 부사장은 "4나노 공정은 설계 목적에 맞춰 면적과 성능을 최적화할 수 있는 다양한 설계 옵션을 제공한다"며 "HBM4E에는 고집적·초고성능 소자를 적용해 14Gbps 이상의 고속 동작을 구현했고, 금속배선층을 최적화해 전력 소모와 방열 성능도 개선했다"고 설명했다. 그러면서 "전사 태스크포스(TF)를 가동해 첫 번째 샘플부터 성능과 수율 목표를 달성했고, 약 3개월 만에 양산체계를 구축했다"고 덧붙였다. 그는 메모리와 파운드리, 첨단 패키징(TSP)을 아우르는 '턴키' 통합 솔루션을 삼성전자의 최대 강점으로 제시했다. 초기 설계 단계부터 전 사업부가 협업해 속도, 전력, 발열, 수율을 일체화해 최적화할 수 있다는 설명이다. 파운드리 사업 영역 역시 AI 반도체를 중심으로 확장하고 있다. 구 부사장은 "지난해 테슬라의 차량용 2나노 반도체 수주를 계기로 AI·고성능컴퓨팅(HPC)과 클라우드서비스제공자(CSP) 등 다수의 대형 고객 수주가 이어지고 있다"며 "4나노 공정 역시 HBM4 베이스 다이와 미국 AI 업체의 AI·HPC용 반도체에 적용되며 공정 경쟁력을 인정받고 있다"고 밝혔다.

2026.07.27 10:35진운용 기자

삼성 파운드리, 4나노 개발 성과 인정…대한민국 엔지니어상 수상

삼성전자의 4나노 공정 경쟁력이 두드러지고 있다. 4나노는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 및 AI 추론칩에서 수요가 빠르게 확대되고 있는 공정으로, 파운드리 사업부의 실적 개선의 핵심 요소로 작용할 것으로 기대된다. 삼성전자는 23일 자사 반도체 뉴스룸을 통해 대한민국 엔지니어상을 수상한 최정민 파운드리사업부 PL과의 인터뷰 내용을 공개했다. 최 PL은 3차원 구조 트랜지스터(FinFET) 기반 4나노 초저전력 반도체 공정 기술을 개발한 성과를 대외적으로 인정받아, 지난 3월 대한민국 엔지니어상을 수상한 바 있다. 삼성전자는 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 베이스다이에 4나노 초저전력 공정을 적용해 데이터 처리 성능을 크게 높였다. 이번 수상은 단순 연구개발 성과를 넘어 삼성 파운드리 사업의 경쟁력 회복을 뒷받침하는 핵심 기술력을 인정받았다는 점에서 의미가 있다. 최 PL은 "HBM 베이스 다이는 적층된 D램을 GPU, AI 가속기 등과 연결해 데이터와 전원, 제어 신호 등을 효율적으로 관리하는 칩"이라며 "4나노 초저전력 고성능 기술을 통해 데이터 처리 속도를 높일 수 있었다"고 설명했다. 최근 삼성전자 파운드리사업부는 주요 공정의 가동률이 회복되면서 실적 개선에 청신호가 켜졌다. 가동률은 파운드리 사업의 수익성과 직결되는 핵심 지표로, 가동률 상승은 공정 경쟁력 회복과 실적 개선이 본격화되고 있음을 시사한다. 선단 공정 중에서도 특히 4나노 공정 경쟁력이 두드러지고 있다. 업계에서는 삼성 4나노가 사실상 풀캐파(생산능력 최대치) 수준으로 가동되고 있는 것으로 보고 있다. HBM4 시장 경쟁력 확보와 AI 추론칩 수요 확대 등이 주된 요인이다. 삼성전자는 HBM4·4E에 자체 파운드리 4나노 공정 활용한 로직 다이를 적용해 압도적인 성능을 구현했으며, ▲세계 최초 HBM4 양산 출하 ▲세계 최초 HBM4E 샘플 출하를 달성하는 등 기술 우위를 이어가고 있다. HBM 시장이 빠르게 성장하면서 HBM 핵심 로직 다이를 생산하는 파운드리 공정의 중요성과 수요 역시 더욱 확대될 것으로 전망된다. 또한 AI 시장의 무게중심이 학습에서 추론으로 이동함에 따라, 글로벌 빅테크들의 AI 추론칩 수요도 빠르게 증가하고 있다. 지난 3월 'GTC 2026'에서 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "베라 루빈 플랫폼에 탑재되는 그록 3 LPU가 삼성전자 공정(4나노)으로 생산되고 있다"며 공개적으로 삼성전자에 감사함을 표하기도 했다.

2026.07.23 16:41장경윤 기자

이노스페이스 '한빛-나노' 발사, 3분기→11월로

민간 우주 발사체 기업 이노스페이스(대표 김수종)가 다목적 준궤도 로켓 '세빛' 첫 시험비행 및 소형위성 발사체 '한빛-나노 재발사 일정을 공개했다. '세빛'은 오는 8월 19일로 확정됐다. 로켓 비행 성능과 운용 안정성을 확인하는 작업이다. 또 '한빛-나노'는 오는 11월 브라질 알칸타라 우주센터에서 발사하기로 했다. 당초 3분기 발사에서 발사체 제작·검증 일정, 우주항공청(KASA) 발사허가 심의절차, 현지 발사 운용 일정 등으로 인해 2~3개월 정도 미뤄졌다. '한빛-나노'는 시험위성 '이노샛-0'를 탑재한다. 발사체의 임무 수행 성능과 비행 단계별 시스템 운용 안정성을 종합 검증할 계획이다. 김수종 대표는 “비행체 발사는 변수가 복합적이어서, 준비 과정에서 일정 및 관련 운용 계획 조정 가능성이 존재한다”고 말했다.

2026.07.22 09:11박희범 기자

타타, 인도 첫 반도체 웨이퍼 '90나노'로 출발…자급화 높은 벽 실감

인도 타타그룹의 반도체 계열사 타타 일렉트로닉스(Tata Electronics)가 성숙 공정을 통해 인도 최초의 반도체 웨이퍼 생산을 준비 중이다. 다만 기존 계획보다 낮은 난도 기술을 적용했다. 경제 전문 매체 블룸버그 통신은 타타 일렉트로닉스가 서부 구자라트주 돌레라에 건설 중인 인도 최초의 대규모 팹(fab)에서 90nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 기술을 기반으로 칩 생산을 준비하고 있다고 16일(현지시간) 보도했다. 90나노는 저가형 산업용 기기나 자동차에 주로 쓰이는 성숙(레거시) 공정이다. 이는 타타그룹 지주회사인 타타 선(Sons)이 지난 2025년 3월 연례 보고서에서 반도체 사업의 출발점으로 공언했던 28나노 공정과 비교하면 크게 후퇴한 수준이다. 업계에서는 타타의 공개적인 반도체 육성 포부가 단기적으로 실현 가능한 수준을 초과해 설정됐던 아니냐는 지적이 나온다. 타타는 이번 반도체 제조를 위해 대만 파운드리 업체 PSMC와 협력 관계를 맺은 바 있다. 타타 일렉트로닉스 대변인은 "돌레라 팹은 28나노부터 110나노에 이르는 칩을 모두 생산할 예정"이라며 "원래 계획은 55나노와 90나노로 시작한 뒤 28나노로 확장하는 시나리오였고, 28나노는 여전히 당사 제품군 핵심"이라고 해명했다. 에릭 탕 PSMC 대변인은 "타타와 파트너십은 가장 진보한 28나노를 포함해 여러 기술 노드를 포괄하고 있다"며 "더 성숙한 노드부터 시작해 기술 플랫폼을 점진적으로 도입하는 방식은 반도체 업계에서 매우 일반적인 과정"이라고 설명했다.

2026.07.17 16:00전화평 기자

TSMC, '1.4나노' 성능·수율 모두 잡았다…차세대 공정 선점 시동

대만 파운드리 TSMC가 최근 1나노미터(nm) 공정 고도화에서 상당한 진전을 이뤘다. 오는 2028년 양산 예정인 공정의 샘플 칩이 목표 성능의 90%에 도달했고, 주요 부품 수율도 안정화 단계에 접어든 것으로 나타났다. TSMC는 지난 16일 2분기 실적발표에서 "A14(A는 옹스트롬, 0.1나노) 공정 개발은 계획대로 순조롭게 진행되고 있다"며 "내부 시험용 칩 기준으로 소자 성능이 목표치 대비 90% 수준에 도달했다"고 밝혔다. 이어 "256메가비트 S램 수율도 90%에 근접했다"고 덧붙였다. 1.4나노에 해당하는 A14는 TSMC가 2027년 시생산에 돌입해, 2028년부터 본격 양산 예정인 차세대 공정이다. TSMC의 2나노(N2) 대비 동일한 전력에서 10~15% 성능 향상, 혹은 동일한 성능에서 25~30% 전력절감 효과를 제공한다. 칩 집적도 또한 20% 향상됐다. S램은 중앙처리장치(CPU)·그래픽처리장치(GPU) 등에 내장하는 고속 휘발성 메모리다. 셀 크기가 작고 수많은 트랜지스터를 균일하게 구현해야 하기 때문에, 초미세 공정 상에서 구현 난도가 매우 높다. 이에 TSMC는 차세대 공정 개발에서 S램 수율을 먼저 안정화하고, 이를 공정 성숙도 향상 지표로 삼아 왔다. TSMC는 A14를 기반으로 성능을 더 높인 A13·A12 공정도 개발 중이다. 두 공정의 양산 목표 시점은 2029년이다. TSMC는 "A14 및 파생 기술들이 2나노 공정보다 더 강하고 오래 지속되는 공정이 될 것이라고 확신한다"며 "TSMC 기술 리더십 위치를 더 공고히할 할수 있을 것"이라고 강조했다. 한편 삼성전자는 오는 2029년부터 1나노 공정에 진입할 예정이다. 당초 목표는 2027년이었으나, 무리한 공정 진입보다는 2나노 등 기존 공정 최적화에 집중하겠다고 판단한 결과다. 신종신 삼성전자 디자인플랫폼(DP) 개발실장(부사장) 이달 초 열린 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼에서 "SF1.4(1.4나노) 공정은 2029년 양산을 목표로 순조롭게 개발 중"이라며 "수율과 성능을 개선한 SF1.4+ 공정은 2030년에 선보일 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2026.07.17 10:30장경윤 기자

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