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삼성전자, 기흥 신규 R&D팹 '파운드리' 활용 추진…엔비디아 수요 선제 대응

삼성전자가 기흥에 구축 중인 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 용도를 변경할 예정이다. 현재 해당 라인은 파운드리 생산능력 확대에 활용하기로 가닥을 잡은 것으로 14일 파악됐다. 당초 D램 양산용 라인으로도 투자가 논의됐으나 최근 계획이 수정됐다. 이곳에서 주력으로 노리는 양산품은 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 2나노미터(nm) 베이스(로직) 다이다. 엔비디아 등 핵심 고객 주도로 HBM 공급이 확대될 전망인 만큼, 관련 생산능력을 미리 확보하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 기흥에 구축 중인 NRD-K 2라인 용도를 기존 R&D에서 파운드리 라인으로 활용하는 방안을 추진 중이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발단지다. 오는 2030년까지 약 20조원을 투입해 총 3개 라인을 조성하기로 했다. 이 중 첫 번째 라인은 지난 2024년 말 준공됐다. 올해부터 NRD-K 2라인 조성을 준비하고 있다. 기흥캠퍼스 내 옛 종합기술원 건물을 철거하고, 현재 부지 조성 등 기초공사 중이다. 다만 NRD-K 2라인 용도는 당초 계획에서 크게 변경될 확률이 높다. 최근 삼성전자는 해당 라인을 파운드리용 센드팹(Send-Fab)으로 활용하는 방안을 추진 중이다. 센드팹은 타 양산라인에서 웨이퍼를 받아 와 특정 공정을 대신 처리하는 보조 팹 개념이다. 목표로 검토 중인 주력 양산품은 엔비디아에 공급하는 HBM용 2나노 베이스 다이로 알려졌다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, HBM과 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 성능을 좌우하는 요소 중 하나다. HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자에 따라 수요가 지속 확대될 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 향후 상용화될 커스텀 HBM과 HBM5(8세대 HBM)에 업계 최첨단 공정인 2나노 기술을 적용해, 경쟁사보다 성능 우위를 확보할 계획이다. 기흥 신규 팹을 활용해 관련 생산능력을 빠르게 확보하려는 것도 같은 이유로 보인다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 2028년 하반기 개소를 목표로 NRD-K 2라인을 구축 중이고, 파운드리용 팹으로 활용하는 것으로 가닥을 잡았다"며 "NRD-K 2라인의 경우 팹 사이즈가 비교적 작은 편에 속하기 때문에, 센드팹 방식으로 최첨단 반도체 생산능력 확대에 기여할 것"이라고 설명했다. 물론 팹 오픈 시점이 2년가량 남은 만큼, NRD-K 2라인 용도가 또다시 변경될 수도 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 관계자는 "(삼성전자) 내부적으로는 확정 수준이긴 하나, 실제 설비 구매주문(PO)이 나오려면 시간이 더 필요하다"며 "반도체 시황이 언제든 급변할 수 있어, 구체적인 투자 방향과 규모가 수정될 가능성도 배제할 수 없다"고 말했다. 실제 삼성전자는 지난달까지 NRD-K 2라인을 D램용 센드팹으로 활용하는 방안도 검토했다. 이를 위해 화성 메모리 사업부가 관련 투자계획도 수립했다. 다만 삼성전자가 이달 계획을 수정하면서, D램 양산은 평택캠퍼스로 집중될 가능성이 커졌다.

2026.08.14 14:36장경윤 기자

화성 동탄·용인 기흥·구리시, 투기과열지구 및 토지거래허가구역 추가 지정

동탄·기흥·구리시가 다음달 1일부터 투기과열지구와 조정대상지역으로 추가 지정된다. 또 5일부터는 토지거래허가구역으로도 추가 지정된다. 국토교통부는 지난 29일 주거정책심의위원회 심의·의결을 거쳐 최근 집 값이 큰 폭으로 상승한 경기도 화성시 동탄구, 용인시 기흥구, 구리시 등 3곳을 투기과열지구 및 조정대상지역으로 신규 지정한다고 30일 밝혔다. 화성시 동탄구와 용인시 기흥구는 최근 반도체 업계 특수에 따른 집값 상승 기대감과 GTX-A 개통 등 교통 인프라 개선으로, 구리시는 서울과 인접한 역세권 수요로 가격 상승세가 지속되고 있다. 월간 주택 매매가격 변동률은 화성 동탄이 지난 2월 0.78%에서 3월 1.10%, 4월 1.13%, 5월 1.57%로 상승했다. 용인 기흥은 2월 1.08%, 3월 0.74%, 4월 0.85%, 5월 0.95%를 기록했다. 구리는 2월 1.77%, 3월 1.18%, 4월 1.16%, 5월 1.15%로 상승세를 보이고 있다. 국토부 관계자는 “투기적 매수를 차단해 실수요자를 보호하고, 주택시장 과열에 대응하기 위해 주거정책심의위원회를 거쳐 투기과열지구와 조정대상지역을 추가 지정했다”고 설명했다. 국토부의 투기과열지구와 조정대상지역 지정과 함께, 경기도는 시·도 도시계획위원회를 거쳐 화성시 동탄구, 용인시 기흥구, 구리시를 7월 5일부터 2027년 12월 31일까지 토지거래허가구역으로 지정할 계획이다. 국토부는 투기과열지구와 조정대상지정 신규 지정과 함께 부동산 시장을 교란하는 불법행위를 엄정 대응하는 등 주택가격 상승 지역 모니터링을 강화할 계획이다. 국토부는 주택시장이 조속히 안정될 수 있도록 ▲9·7 주택공급 확대방안 ▲1·29 수도권 도심 6만호 공급계획 ▲5월 말 발표한 매입임대 물량 확대(2026년~2027년 규제지역 6만 6000호+a 공급) 및 도시형생활주택·오피스텔 등 비아파트 공급 확대 계획 등 주택공급에 총력을 다할 계획이다. 또 '범정부 주택공급 현장 애로해소 지원센터'를 가동해 주택건설 애로 해소를 지원하는 등 현장 목소리를 듣고 공급 방안을 지속해서 보완·발전시켜 나갈 계획이다.

2026.06.30 08:33주문정 기자

삼성전자, SiC 샘플 양산 준비…차세대 전력반도체 공략 '시동'

삼성전자가 진행 중인 탄화규소(SiC) 전력반도체 개발 성과가 올 하반기께 드러날 전망이다. 최근 본격적인 샘플 양산을 위한 소재·부품 발주를 진행한 것으로 파악됐다. SiC는 차세대 전력반도체 소자로, 삼성전자가 미래 먹거리로 점찍어 온 사업 중 하나다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 올 3분기 SiC 전력반도체 샘플을 양산할 계획이다. SiC는 기존 반도체에 쓰이던 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 소재다. 덕분에 전기차, 산업용 인버터 등 높은 전력이 필요한 산업을 중심으로 수요가 증가하고 있다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 CSS(Compound Semiconductor Solutions) 사업팀을 신설해 관련 연구개발(R&D)을 진행해 왔다. SiC 전력반도체 제조를 위한 유기금속화학증착(MOCVD) 장비도 기흥캠퍼스에 선제적으로 소량 도입한 바 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 웨이퍼에 특정 박막을 형성하는 공정이다. 올해에는 구체적인 성과가 나타날 것으로 기대된다. 삼성전자는 최근 SiC 전력반도체 샘플을 올 3분기부터 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 관련 소재·부품도 이달부터 도입될 예정이다. 구체적으로, 삼성전자가 양산할 첫 샘플은 평판(Planar) 구조의 SiC MOSFET인 것으로 알려졌다. MOSFET은 전자 신호를 스위칭하고 증폭하는 트랜지스터다. 평판은 가장 기본적인 트랜지스터 구조다. 전류가 흐르는 통로인 채널이 수평으로 형성돼, 성능은 다소 부족하지만 신뢰성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 평판 SiC MOSFET 샘플을 먼저 양산한 뒤, 보다 고도화된 구조의 샘플 양산에 도전할 계획을 세우고 있다"며 "공급망에서 관련 발주가 이뤄지고 있다"고 설명했다. 이번 SiC 샘플 양산은 삼성전자 반도체사업부의 미래 성장동력 확보 전략에 적잖은 영향을 미칠 것으로 전망된다. SiC 전력반도체가 지닌 기술적 이점은 다양하나, 전기차 캐즘 등으로 시장 성장성은 당초 기대에 미치지 못하고 있는 상황이다. 또한 삼성전자의 R&D 및 설비투자가 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 분야에 집중되면서, SiC를 비롯한 신사업 진출이 당초 계획 대비 늦춰지고 있다. 일례로 삼성전자는 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN) 파운드리 사업도 추진 중이다. 당초 2025년 서비스 개시가 목표였으나, 현재까지 양산 수준의 설비투자는 진행되지 않았다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 SiC·GaN 전력반도체 시장 진출에 대한 검토를 지속하고 있다"며 "올해가 분수령이 될 것"이라고 말했다.

2026.03.16 13:51장경윤 기자

이재용, 삼성전자 기흥 DS사업장 방문...반도체 격려

이재용 삼성전자 회장이 반도체 사업을 담당하는 DS부문 사업장을 방문한다. 22일 재계에 따르면 이 회장은 이날 오전 경기도 기흥캠퍼스 등 DS사업장을 방문해 차세대 연구·개발(R&D) 단지인 'NRD-K' 등을 살펴보는 걸로 전해진다. 지난 15일 미국 출장을 마치고 귀국한 뒤 약 일주일만의 국내 사업장 방문이다. 이번 이 회장의 사업장 방문은 올해 하반기 들어 크게 실적이 개선된 반도체 사업 임직원들의 사기를 북돋아 주기 위함으로 풀이된다. 삼성전자는 올해 3분기부터 고대역폭메모리(HBM) 출하량을 확대하며 사업 회복의 신호탄을 알렸다. 여기에 전 세계적인 인공지능(AI) 인프라 투자 확대로 범용 D램 가격이 상승하며 높은 영업이익을 올린 바 있다. 증권가에서는 삼성전자 메모리사업부 영업이익이 상반기 약 6조3천500억원에서 하반기 23조원 이상으로 크게 늘어날 것으로 예상한다. 올해 연간으로는 30조원에 육박하는 영업이익을 기록할 전망이다.

2025.12.22 11:23전화평 기자