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'극저온 식각'통합검색 결과 입니다. (7건)

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위로 쌓는 3D 반도체 시대 도래...핵심은 '극저온 식각'

지난날 반도체는 수평으로 배치됐다. 현재 상보형 금속 산화 반도체(CMOS) 공정 기반 칩이 단층의 수평 평면에 트랜지스터를 배치하는 데 최적화됐기 때문이다. 또, 전류가 흐를 때도 수평 배치된 금속 배선이 더 짧고 균일하게 설계 가능하다는 점도 반도체가 수평 배치되던 이유다. 그러나 오늘날 수평 배치는 집적도의 한계에 부딪혔다. 동일한 평면 위에 넣을 수 있는 트랜지스터 수에 물리적 제한이 걸린 탓이다. 3D 반도체, 평면의 끝에서 시작된 입체 전쟁 이에 반도체 업계에서 주목하는 기술이 3D 반도체다. 3D 반도체는 칩을 쌓아올린 기술이다. 기존 평면(2D) 반도체보다 집적도와 성능이 향상되면서도 전력 효율이 좋다. 3D 기술은 D램, 낸드플래시, SoC(시스템 온 칩) 등 다양한 반도체에 적용될 전망이다. 국내외 기업의 경우 제조업체를 중심으로 3D 반도체 개발에 한창이다. 삼성전자는 로직(시스템 반도체), 메모리, 패키징 전 영역에서 3D 반도체를 구현하려는 유일한 기업이다. 특히 3나노 이하 로직 반도체에 세계 최초로 적용한 GAA(게이트 올 어라운드) 기술에 3D 구조를 적용한다. GAA는 트랜지스터 핵심 구성요소인 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 형태로, 기존 3개면이 접합된 핀펫(FinFET) 대비 고성능·저전력 반도체를 쉽게 구현할 수 있다. 삼성전자가 현재 연구 중인 3D GAA 구조는 '3DSFET'으로 불리며, 3D 적층과 GAA를 결합하고 있다. SK하이닉스의 경우 최근 실적을 견인하고 있는 HBM(고대역폭 메모리)이 D램 다이를 적층하고 TSV(실리콘 관통전극)로 연결한 3D 메모리다. 시장 1위인 HBM 기술력을 앞세워 단순 D램, 낸드 등 메모리 제조에서 벗어나, AI·고성능 연산에 적합한 프리미엄 메모리 중심의 기술 리더십 확보에 집중하고 있다. TSMC는 세계 1위 파운드리 기업답게, 3D 패키징과 칩렛 아키텍처에서 독보적인 경쟁력을 보여주고 있다. SoIC(system on Integrated Chips)이 TSMC의 대표적인 수직 적층 3D 기술이다. SoIC는 다양한 기능의 칩을 수직 방향으로 연결해 성능을 높이고 전력 손실을 줄이는 기술로 애플, AMD, 브로드컴 등 글로벌 기업들이 SoIC 기술을 활용하고 있다. 아울러 TSMC는 공정 미세화와 3D 패키징 결합을 통해 파운드리 경쟁력을 유지하며, 고부가가치 설계 기업들과의 파트너십을 적극 강화 중이다. 3D 반도체 핵심 기술 '극저온 식각' 이를 위해 필요한 기술이 바로 '극저온 식각' 기술이다. 식각은 반도체 웨이퍼 표면을 원하는 패턴대로 깎아내는 공정으로, 극저온 식각은 영하 60~70°C 환경에서 식각을 진행한다. 기존 식각 대비 30~40°C 가량이 더 낮은 환경에서 식각을 진행하는 것이다. 이처럼 낮은 온도에서 극저온 식각을 진행하는 이유는 정밀한 식각이 가능하기 때문이다. 해당 기술이 적용될 때 플라즈마는 실리콘 표면을 화학적으로 반응해 깎아낸다. 이후 산소가 산화막을 형성해, 저온 상태에서 고체 보호막으로 표면에 남는다. 이 보호막이 식각 방향성을 제어하며 옆면이 깎이지 않도록 보호하는 것이다. 보호막은 식각 후 온도를 올리거나 플라즈마로 제거한다. 반도체 장비 업계 관계자는 “극저온 식각은 반도체에서 금속간 연결을 담당하는 비아(Via)를 더 일정하고 깊게 팔 수 있도록 돕는다”며 “3D 기술 상용화를 위한 필수 기술”이라고 강조했다. 한편 삼성전자 등 제조사는 램리서치와 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온 식각 장비를 테스트하고 있다.

2025.07.14 16:12전화평

삼성전자, 차세대 'V10 낸드' 양산 투자 고심…내년 상반기로 늦출 듯

삼성전자가 차세대 낸드인 V10(10세대) 양산 전략을 두고 고심하고 있다. 올 하반기까지 공급망 구성을 위한 평가가 진행될 예정으로, 당초 예상보다 늦은 내년 상반기에나 본격적인 양산 투자가 가능할 전망이다. 고적층 낸드 수요의 불확실성, 신기술 도입 및 비용에 대한 부담감이 발목을 잡는 것으로 풀이된다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 V10 낸드용 양산 설비투자를 내년 상반기로 미루는 방안을 논의 중이다. 삼성전자의 V10 낸드는 셀(Cell; 데이터를 저장하는 최소 단위)을 430단대로 쌓은 차세대 제품이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 V9(290단대 추정) 대비 100단 이상 높다. 업계는 삼성전자가 이르면 올 하반기 V10 낸드에 대한 양산 투자를 진행할 것으로 전망해 왔다. 다만 삼성전자는 이달까지 식각 등 낸드용 핵심 장비에 대한 공급망을 확정짓지 못했다. 고적층 낸드에 대한 수요 불확실하고, 신규 공정 도입에 따른 비용 효율성 문제가 투자의 발목을 잡고 있어서다. 식각이란 웨이퍼 상에서 불필요한 물질을 제거하는 공정이다. 기존에는 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫기 위해 -20~-30°C 수준의 저온 환경이 필요했으나, V10 낸드에 들어서는 -60~-70°C 수준의 극저온 환경이 구축될 것으로 예상돼 왔다. 온도가 낮을수록 화학적 반응성이 낮아져, 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 이를 위해 삼성전자는 주요 전공정 장비업체인 미국 램리서치·일본 TEL(도쿄일렉트론) 등으로부터 극저온 식각 장비를 도입해, 시생산 등 품질 평가를 진행해 왔다. 그러나 실제 평가 결과 극저온 식각을 곧바로 양산 적용하기에는 어렵다는 결론이 지배적인 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 램리서치, TEL와 식각 온도를 일부 높여 다시 장비 평가를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 식각 및 관련 장비에 대한 추가 평가는 올 하반기경 진행될 예정이다. 평가 일정을 고려하면, 공급망 확정 및 실제 양산 투자가 진행되는 시기는 빨라야 내년 1분기가 될 것으로 전망된다. 신규 장비 도입에 따른 투자 비용 역시 삼성전자가 V10 낸드 양산 투자를 늦추는 주요 요인으로 지목된다. 삼성전자는 기존 낸드용 식각 공정에 대부분 램리서치 장비를 활용해 왔다. TEL을 공급망에 편입하면 장비 이원화를 추진할 수 있으나, 기존 램리서치의 장비 활용도가 감소하고 양사 장비 간의 호환성을 높여야 한다는 문제점이 발생한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 V10, V11 등 차세대 낸드의 양산 수율 확보, 투자 비용, 시장 상황 등 다방면에서 고심을 겪고 있는 것으로 안다"며 "공급망이 확정되는 시점을 고려하면 빨라야 내년 중반에 양산이 시작될 것으로 보인다"고 말했다.

2025.06.13 14:43장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

원제형 TEL코리아 대표, 반·디학회서 초빙강연 나서

반도체 제조장비 기업 도쿄일렉트론(TEL)코리아는 지난 20일 서울 관악구에 위치한 서울대학교 공과대학에서 원제형 대표이사의 초빙강연을 진행했다고 26일 밝혔다. 이번 강연은 한국반도체디스플레이기술학회(반디학회) 산하 공정진단제어기술연구회에서 주관하는 행사로, 산·학·연에서 개발된 10개의 공정진단제어 관련 기술을 소개하는 자리다. 공정진단제어기술연구회는 공정진단제어 기술 발굴과 기술 협업, 인력 양성 방안을 찾고 있는 모임이다. 이날 강연에서 원제형 대표이사는 '반도체 장치용 플라즈마 강화 공정 기술'을 주제로 강연하며 반도체 시장 동향에 이어 미세화 공정에 기여할 극저온 식각(Cryogenic Etch) 기술, HBM(High Bandwidth Memory)의 중요성에 대해 소개하고 향후 발전 전망과 비전 등을 제시했다. 강연이 끝난 뒤에는 질의응답 시간을 갖고 학회원들의 질문에 답했다. 원제형 대표이사는 “공정진단연구회는 초창기 18년 전 창립 때부터 참가했고 그 때 연구회에서 발표를 했는데, 18년이 지나 다시 만나 뵙게 되어 특히 감회가 새롭다”며 "지속적인 참여를 통해 반도체 분야 산·학·연 협력을 위한 노력을 계속 이어갈 것”이라고 말했다. 원제형 대표이사는 일본 오사카대학 전기공학과에서 반도체 물성연구로 박사학위를 받은 뒤 반도체 업계의 여러 직위를 거쳐 2017년 7월부터 도쿄일렉트론코리아 대표이사로 재직하고 있다. 또한 도쿄일렉트론코리아는 지난해 부산대에 전공서적 200권을 기부한 데 이어 반도체 현장 실습 지원, 세미나 개최 등 긴밀하게 산학협력을 적극 추진하고 있다. 제주대와도 지난 2022년 10월 업무협약을 체결한 뒤 모의 면접, 장학생 선발 등 꾸준히 협력을 이어오고 있다. 명지대와도 지난 3월 반도체 전문 인재 양성 등을 위한 업무협약을 체결하는 등 산학협력 행보를 넓혀가고 있다. 또 지난 4월 가천대에서도 학생 3백여명을 대상으로 특별 강연을 가졌다. 이 같은 산학협력은 교과 과정과 기업 현장 실습의 연계를 통해 반도체 장비 개발 인력을 육성하는 의미도 갖고 있다.

2024.08.26 11:27장경윤

'200단 식각' 벽 뚫었다…램리서치 "400단 낸드에 도입 적극 검토"

반도체 장비 업체인 램리서치가 최근 출시한 반도체 식각 기술 'Cryo 3.0'의 시장 확대를 자신했다. 해당 기술은 낸드 셀을 200단 이상 한 번에 식각할 수 있어, 고적층 낸드의 개발을 가속화할 수 있을 것으로 기대된다. 주요 메모리 고객사 역시 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 도입을 적극 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 23일 램리서치는 서울 종로구 포시즌스호텔에서 'Cryo 3.0 인포 세션'을 열고 회사의 최신 식각 기술 및 사업 로드맵을 소개했다. 램리서치는 전 세계 5대 주요 반도체 장비업체 중 한 곳으로, 한국법인은 지난 1989년 설립됐다. 현재 반도체 제조공정의 핵심인 식각·증착·세정용 장비를 주력으로 개발하고 있다. ■ 한 번에 '200단' 식각도 가능…"고객사 반응 긍정적" 최근에는 극저온 유전체 식각 기술인 Lam Cryo 3.0을 출시했다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 특히 셀을 수백층 쌓아야 하는 3D 낸드 산업의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술의 중요도가 높다. Lam Cryo 3.0는 채널 홀을 최대 10마이크로미터(um) 수준으로 구현하며, 비(非) 극저온 식각 기술 대비 속도가 2.5배 빠르다. 식각의 정밀성도 높다. Cryo 3.0의 프로파일 편차는 0.1% 수준으로, 기존 대비 2배가량 개선됐다. 프로파일이란 채널 홀이 위부터 아래까지 얼마나 균일하게 형성됐는지를 나타내는 척도다. 김태원 램리서치 유전체 식각사업 부문장 겸 CVP는 "현재 양산되고 있는 낸드 기준, Cryo 3.0은 200단 이상까지 한 번에 홀을 뚫을 수 있을 것"이라며 "현재 몇몇 고객사들이 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 적용하는 방안을 적극적으로 검토하고 있다"고 설명했다. 현재 상용화된 3D 낸드는 한 번에 뚫을 수 있는 채널 홀이 150~170단 수준이다. 채널 홀이 형성된 셀 층을 2개(더블 스택), 3개(트리플 스택) 등으로 쌓으면 200단 이상의 낸드를 만들 수 있다. 다만 스택이 늘어날 수록 제조 공정이 길어지고 안정성이 떨어지기 때문에, 메모리 제조사 입장에서는 한 번에 최대한 많은 채널 홀을 뚫는 것이 좋다. 이를 고려하면 Cryo 3.0 기술 도입 시 고적층 낸드를 더 효율적으로 개발할 수 있을 것으로 분석된다. 이 같은 식각 기술을 구현하기 위한 핵심 요소는 극저온이다. 식각 환경의 온도가 낮으면 화학적 반응성이 낮아지기 때문에, 더 정밀한 식각이 가능해진다. 또한 기존 식각 시 필요한 탄소 기반의 보호막을 형성하지 않아도 돼, 탄소 배출량을 크게 저감한다. ■ "1000단 낸드 시대, 식각과 본딩 기술 모두 중요" Cryo 3.0 등 극저온 식각이 양산 공정에서 구현하는 온도는 -63°C 수준이다. 온도를 더 낮출수록 식각 성능이 올라가긴 하지만, 주변의 다른 화학 반응 및 생산 효율성을 감안하면 현재 -63°C가 양산에 가장 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 램리서치는 향후에도 Cryo 기술을 고도화해 1000단 낸드용 식각 시장을 선점하겠다는 계획이다. 김태원 부문장은 "Cryo와 같은 새로운 식각 기술 등이 나오게 되면, 본딩에만 의거하지 않고 1000단 낸드를 개발할 수 있는 방향이 나오지 않을까 조심스럽게 예상해 본다"며 "다만 셀과 페리를 나눠서 붙이거나, 셀과 셀을 붙이는 등의 본딩 기술도 필요할 것이라고 본다"고 밝혔다. 현재 낸드는 셀과 셀 구동을 위한 주변 회로인 페리가 한 장의 웨이퍼 위에서 만들어진다. 보통 페리가 셀 아래에 위치해 있어 '페리 언더 셀(PUC)', 셀 온 페리(COP)' 등으로 부른다. 다만 셀 적층 수가 올라갈 수록 현재 방식으로는 페리에 가해지는 부담이 커진다. 이에 업계는 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조하고, 각 웨이퍼를 연결하는 하이브리드 본딩 기술이 주목받고 있다. 메모리 제조사가 이 기술을 도입하는 시기는 400단 낸드부터로 관측된다.

2024.08.23 15:30장경윤

GST, 주고객사에 '냉매식 칠러' 데모 공급…극저온 추세 합류

국내 반도체 장비업체 GST가 최근 주요 고객사에 냉매식 칠러 데모 장비를 납품한 것으로 파악됐다. 차세대 낸드 공정이 극저온 환경으로 나아가는 추세에 맞춰, 기존 전기식에서 냉매식으로 사업 영역을 확장하기 위한 전략이다. 15일 업계에 따르면 GST는 지닌달 주요 메모리 제조업체에 낸드용 극저온 칠러 데모 장비를 공급했다. 칠러는 제조 환경의 온도를 낮추는 장비다. 반도체 공정 전반에 활용되며, 특히 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 필요없는 물질을 제거하는 식각 공정에 활발히 쓰인다. 기존 낸드용 식각공정은 영상 20°C 내외에서 진행되며, 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 과정에서는 온도를 영하 -20~30°C까지 낮추기도 한다. 이에 칠러도 해당 온도에만 대응하면 성능적으로는 문제가 없었다. 그러나 올해부터는 칠러 업계에 급격한 변화가 일어날 것으로 전망된다. 일본 주요 장비업체 TEL(도쿄일렉트론)이 -70°C 내외의 환경에서 더 정밀하고 빠른 식각을 구현하는 신규 장비 'Cryo(크라이오)'를 개발했기 때문이다. 현재 해당 장비는 국내 주요 메모리 제조업체의 공정에서 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 이에 칠러도 -80°C 수준까지 온도를 낮출 수 있도록 요구되고 있다. 이러한 추세에 선제적으로 대응한 기업은 유니셈과 에프에스티로, 두 기업 모두 냉매(쿨런트)식 칠러를 주력으로 공급하고 있다. 반면 GST는 전기식 칠러를 전문으로 개발해 왔다. 전기식 칠러는 냉매식 대비 에너지 효율이 높고 친환경적이지만, 기술적으로 -20°C 이하의 온도를 구현할 수 없다는 한계가 있다. 이에 GST도 경쟁사와 동일한 냉매식 칠러 개발을 진행해 왔다. 이후 지난달 국내 주요 메모리 제조업체에 데모 장비를 공급하는 데 성공한 것으로 파악됐다. 향후 퀄테스트 등 실제 상용화를 위한 과제가 남아있으나, 칠러 사업의 외연을 확장할 수 있는 기회를 잡았다는 점에서는 의미가 있다는 평가가 나온다.

2024.07.15 11:24장경윤

램리서치·TEL '극저온' 식각 주목…韓 장비업계 수혜 기대감

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 주요 반도체 장비업체가 차세대 식각장비 개발의 초점을 '극저온'에 맞추고 있다. 이에 따라 국내 칠러장비 업계도 고부가 제품 공급을 확대할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 10일 업계에 따르면 램리서치는 최근 주요 메모리 고객사와 차세대 낸드용 극저온 식각장비 개발을 위한 논의를 진행했다. 식각장비는 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정에 쓰인다. 옥사이드, 폴리실리콘, 메탈 등 제거하고자 하는 물질에 따라 장비의 종류가 나뉜다. 최근 업계에서 화두가 된 식각장비는 TEL의 극저온 식각장비 'Cryo(크라이오)'다. 기존 식각공정은 영상 20°C 내외에서 진행되며, 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 과정에서는 온도를 영하 -30°C 내외까지 낮추기도 한다. TEL의 신규 극저온 식각장비는 이보다 낮은 -60°C~-70°C에서 작동한다. 이 같은 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 때문에 삼성전자는 TEL의 극저온 식각장비를 제3 평택캠퍼스(P3) 낸드 라인에 도입해, V10·V11 낸드에 양산 적용하기 위한 테스트를 적극 진행하고 있다. V10·V11은 현재 개발 중인 차세대 낸드로, 각각 430단과 570단대로 추정된다. 이전 세대인 V9은 올해 4월부터 양산되기 시작했다. 삼성전자의 이 같은 기조는 TEL의 주요 경쟁사인 램리서치에게는 위기 요소로 작용한다. 기존 삼성전자는 낸드용 식각장비의 대부분을 램리서치에게서 조달받아 왔다. 때문에 삼성전자의 공급망 전환에 따른 점유율 감소가 유력한 상황이다. 이에 램리서치도 향후 다가올 V12~V14 시장에서 경쟁력을 되찾기 위한 대책 마련에 나섰다. 최근 삼성전자 등 주요 메모리 고객사에 극저온 식각장비를 개발하겠다고 제안한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "저온으로 갈수록 식각 성능과 효율이 올라가는 장점이 있어, 램리서치도 적극적으로 차세대 장비를 개발 중"이라며 "TEL과 비슷한 극저온 환경에서 식각을 안정적으로 구현할 수 있는지 살펴보고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 한편 램리서치·TEL의 극저온 식각장비 개발은 에프에스티, 유니셈 등 국내 칠러 장비 업계에 수혜로 작용할 전망이다. 칠러는 제조 환경의 온도를 낮추는 장비다. 현재 이들 국내 기업은 냉매(쿨런트)를 활용하는 칠러를 주력으로 공급하고 있다. 냉매식은 전기식에 비해 온도를 낮추는 데 유리하다. 식각장비가 극저온으로 나아감에 따라, 칠러 장비 역시 더 낮은 온도를 구현해야 한다. 이 경우 칠러 장비의 가격도 기존 제품 대비 4배가량 비싸질 것으로 업계는 관측하고 있다.

2024.06.10 11:19장경윤