TSMC, 日 2공장 4nm 전환 검토…현지 고급 칩 생산 신호탄
세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 일본 구마모토 팹을 기존 6·7nm(나노미터, 10억분의 1m) 기반에서 4나노급 공정으로 업그레이드하는 방안을 검토 중이다. 이는 일본 현지 고객을 위한 고급 칩 공급 확대의 신호로 해석된다. 미국 IT매체 톰스하드웨어는 TSMC가 일본 구마모토에 있는 팹 23 공정 능력을 초기 계획인 6·7나노 수준을 넘어 4·5나노급까지 확장하는 방안을 내부적으로 검토하고 있다고 현지시간 11일 보도했다. 보도에 따르면 팹 23 2공장의 초기 중장비가 현장에서 철수됐고, 2026년에는 새로운 장비 설치 계획이 없는 것으로 나타났다. 이는 공장 구축 일정이 당초 계획보다 지연될 수 있음을 시사한다. 4나노급 공정은 6·7나노 대비 더 높은 수준의 EUV(극자외선) 장비를 필요로 한다. 기존 설비에서 일부 재사용이 가능하나, EUV 스캐너 물리적 크기와 공정 특성 차이로 인해 설계 재검토와 장비 추가 도입이 불가피하다. 톰스하드웨어는 "4나노 생산 라인에는 더 많은 EUV 리소그래피 장비가 필요하고, 이 장비들은 DUV(심자외선) 장비보다 물리적으로 크기 때문에 일부 재설계가 필요할 수 있다"며 "실제로 TSMC는 2023년에 이미 구마모토에서 4나노 생산을 도입하는 방안을 검토했기 때문에, 추가 EUV 스캐너 설치를 위한 모든 준비가 완료되었을 가능성이 높다"고 밝혔다.
