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'광통신'통합검색 결과 입니다. (4건)

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삼성·TSMC가 주목한 CPO 패키징…'플럭스리스 본딩' 적용 기대

삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리 기업들이 차세대 반도체 기술인 '실리콘 포토닉스' 상용화를 준비하고 있다. 이에 따라 관련 장비·소재 시장 역시 직접적인 변화를 맞을 전망으로, 후공정 영역에서는 '플럭스리스(Fluxless)' 기술이 특히 주목받고 있다. 10일 업계에 따르면 주요 파운드리 기업들은 실리콘 포토닉스 기반의 '공동패키징형광학(Co-Packaged Optics, CPO)' 기술 상용화를 위한 연구개발(R&D)을 진행 중이다. 실리콘 포토닉스는 반도체의 신호 전달 방식을 전기에서 전자·빛으로 구현한 광자(Photon)로 바꾼 기술이다. 기존 대비 데이터 처리 속도 및 효율성 등을 크게 끌어올릴 수 있다. CPO는 이 실리콘 포토닉스와 첨단 패키징 기술을 결합하는 개념이다. 실리콘 포토닉스 칩과 각종 반도체를 하나의 패키지 안에 통합해, 광 신호로 데이터를 주고받을 수 있게 만든다. 구리 배선을 활용하던 기존 패키징에 비해 AI 등 고성능 컴퓨팅 구현에 용이하다. 이에 TSMC와 삼성전자 등 주요 반도체 기업들도 CPO 기술의 도입을 준비 중이다. TSMC는 올해 자사의 최첨단 패키징에 CPO 기술을 접목한 샘플을 출시해, 이르면 하반기 본격적인 양산을 시작할 계획이다. 주요 고객사는 브로드컴, 엔비디아 등이 될 것으로 관측된다. 특히 엔비디아의 경우, 올 하반기 출시될 AI 가속기 'GB300'과 차세대 제품인 '루빈' 등에 CPO를 적용할 것으로 알려졌다. 삼성전자 또한 오는 2027년 상용화를 목표로 CPO 기술을 개발하고 있다. 파운드리, 메모리, 패키징 등 각 사업부문별 역량을 집중해 턴키(Turn-Key) AI 반도체 솔루션을 공급하겠다는 구상이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 파운드리 사업의 회복을 위해 CPO를 비롯해 여러 첨단 패키징 기술을 개발하고자 하는 의지가 높아졌다"며 "개발에 집중하기 위한 조직 개편 등도 고려하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. CPO 기술의 발전은 플럭스리스 본더 시장에 새로운 기회로 떠오르고 있다. 반도체 패키지 내부에는 칩과 기판을 연결해주는 무수한 범프(Bump)들이 존재한다. 기존에는 범프 부근의 산화막을 제거하기 위해 플럭스라는 소재를 사용했다. 반면 플럭스리스는 플럭스를 쓰지 않고 산화막을 제거하는 기술이다. CPO에서 플럭스를 배제하려는 이유는 흄(Fume; 미세한 오염입자) 때문이다. 플럭스는 범프 접합 후에 말끔하게 세정돼야 하는데, 잔여물이 남게 되면 CPO 내 광통신을 방해하게 된다. 이에 세계 주요 반도체 장비 기업들은 CPO에 적용 가능한 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 일부 기업의 경우 미국 등 주요 시장에서 테스트를 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 다만 또다른 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩도 CPO의 적용처로 거론되고 있어, 기술 개발 동향을 더 면밀히 살펴봐야 한다는 지적도 제기된다. 하이브리드 본딩이란 범프를 쓰지 않고 칩 혹은 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 방식이다. 반도체 업계 관계자는 "실리콘 포토닉스에서는 기존처럼 플럭스를 쓸 수 없어, 향후 플럭스리스와 하이브리드 본딩이 경쟁하는 체제가 될 것"이라며 "하이브리드 본딩이 성능 향상에는 더 유리하나, 상용화를 위한 기술적 난제들이 아직 남아있어 향방을 더 지켜봐야할 것"이라고 설명했다.

2025.03.10 16:45장경윤

美 정부, 광통신 반도체 '인피네라'에 보조금 9800만달러 지급

미국 상무부는 18일(현지시간) 반도체지원법에 따라 광통신 반도체 기업 인피네라에 9천300만달러(약 1천273억원)을 보조금을 지급하는 예비양해각서(PMT)를 체결했다. 인피네라는 이번 지원을 통해 직접 자금, 세액 공제, 연방 및 지방 정부 인센티브를 모두 포함해 총 2억 달러(약 2천239억원)의 재정 지원을 받을 수 있을 것이라고 밝혔다. 이 보조금은 실리콘밸리의 반도체 생산 능력 강화와 펜실베니아 리하이 밸리에 위치한 첨단 테스트 패키징 제조 공장의 시설 확충에 사용될 예정이다. 이를 통해 인피네라는 기존 미국 내 반도체 제조 능력을 10배 이상 확대할 계획이다. 또 최대 1700개의 제조 및 건설 일자리를 창출할 것으로 기대한다. 인피네라는 캘리포티아 산호세에 본사를 둔 광통신 IP(설계자산) 및 반도체 업체다. 핀란드 노키아는 지난 6월 인피네라를 부채를 포함해 23억 달러(3조2천억원)에 인수하기로 합의한 바 있다. 이를 통해 노키아는 유무선·인터넷 장비 제조 사업을 강화한다는 목표다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 앞서 미국 정부는 지난 4월 한국 삼성전자 미국 텍사스주 공장에 반도체 설립 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)를 지원한다고 발표했다. 지난 7월 SK하이닉스는 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 받는다고 밝혔다. 그 밖에 마이크로칩 테크놀로지가 1억6200만 달러, 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리가 15억 달러, 인텔이 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원, 대만 TSMC가 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 등을 각각 받게 됐다.

2024.10.20 10:35이나리

ETRI, 반도체 레이저 생산단가 "6분의 1로 확 낮춰"

국내 연구진이 반도체 레이저 생산단가를 기존 대비 6분의 1로 대폭 줄일 수 있는 기술을 처음 개발했다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 광통신부품연구실이 유기화학 기상 증착장비(MOCVD) 시스템을 이용해 양자점 레이저를 대량생산하는데 성공했다고 8일 밝혔다. 양자점 레이저는 밀도가 높아야 하는 데이터센터 통신용 광원이나 밀도가 낮은 양자통신 단광자광원 등에 주로 쓰인다. 특히, 데이터센터는 통신 과정에서 열이 많이 발생생하기 때문에 양자점 레이저같은 전력 소모가 적은 설비가 유용하다. 연구팀은 MOVID를 이용해 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 인듐비소/갈륨비소(InAs/GaAs) 양자점 레이저 다이오드를 구현했다. 이는 광통신용 1.3㎛ 파장대역으로 활용 가능하다. 기존에는 양자점 레이저 다이오드 제작에 분자선증착장비(MBE)를 이용했다. 그러나 이 장비는 증착 속도가 느리고, 생산 효율이 낮아 양산에 어려움이 컸다. 연구팀은 MOCVD를 활용해 양자점 레이저 생산성을 크게 높였다. 이 레이저는 양자점 밀도가 높고, 균일한 것이 장점이다. 최대 75℃까지 연속 동작한다. 기판 결함이 다소 있더라도 장애가 거의 없다. 기판 대면적화도 가능하다. 이 기술은 또 기존 통신용 소자인 인듐인 기판대비 제조 단가가 3분의1 이하다. 연구책임자인 김호성 박사는 "6인치 갈륨비소(GaAs) 기판을 사용하기 때문에 통신용 반도체 레이저 제조 비용을 최대 6분의1 이하로 낮출 수 있을 것"으로 내다봤다. 김 박사는 또 "저전력 광원개발로 소비 전력도 획기적으로 줄일 수 있었다"며 "유기화학기상증착법의 결과로는 세계 최고 수준"이라고 설명했다. 한원석 광통신부품연구실장은 "이 기술은 결함이 있는 대면적 기판 활용도 가능해 공정 시간 단축 및 소재 비용 절감에 유리할 것"이라고 말했다. ETRI는 이기술을 고도화하고, 신뢰성을 높여 연구에 참여 중인 국내 'O' 광통신 부품 제작업체에 기술이전한다는 계획이다. 이 'O'업체는 ETRI 통신용 반도체 파운드리를 통해 핵심 기술과 인프라를 지원받아 제품 상용화 시기를 단축할 계획이다. 김호성 박사는 "현대사회에서 광통신은 우리 산업의 대동맥과 같다"며 "향후 아파트단지에서 대도시, 해저 광케이블까지 연결하는 광통신용 광원개발에 획기적인 전기가 될 것"으로 전망했다. 이 연구에 참여한 충북대학교 금대명 교수는 “양자점 대량 생산 기술은 향후 고가의 광통신 소자의 생산 단가를 낮출 수 있어 국가 광통신 부품 산업의 경쟁력을 강화뿐만 아니라, 기초과학 연구 분야에도 크게 기여할 것"으로 전망했다. 한원석 실장은 “이 연구 결과는 상업성과 원천성을 동시에 확보한 사례로 향후 광통신용 반도체 레이저 산업의 패러다임을 바꿀 수 있는 중요한 결과”라고 덧붙였다. 이 연구결과는 SCI(국제과학논문색인)에 등재돼 있는 '저널 오브 알로이즈 앤 컴파운즈'에 최근 게재됐다. 연구 예산은 ETRI 기본사업인 'ICT 창의기술 개발'과제로부터 지원 받았다.

2024.05.08 09:43박희범

SK하이닉스·NTT·인텔, 차세대 광통신칩 개발 협력

일본 통신업체 NTT가 미국 인텔, 국내 SK하이닉스와 협력해 광학 기반의 차세대 반도체 양산 기술을 개발할 예정이라고 닛케이아시아통신이 29일 보도했다. 해당 기술은 반도체 내부의 신호 전달 방식을 기존 전기에서 광자(Photon; 빛의 최소 단위)로 바꾼 것이 주 골자다. 광자를 적용하면 이론상 데이터 전송 속도를 기존 대비 수십 배 이상 빠르게 할 수 있고, 전력 효율성도 크게 높일 수 있다. 업계에서는 실리콘 포토닉스(Silicon Photonics)라고도 부른다. 대표적인 적용 사례가 데이터센터에 필수적으로 쓰이는 '광통신'이다. 현재 데이터센터는 광섬유를 통해 빛으로 데이터를 주고받은 뒤, 광트랜시버라는 부품을 통해 수신된 정보를 전기적 신호로 변환하는 과정을 거친다. 이후 변환된 전기 신호는 서버 내부의 반도체로 전달된다. 만약 반도체 회로에도 광통신이 적용되면, 반도체 칩 및 데이터센터의 성능과 효율성을 동시에 높일 수 있게 된다. 특히 AI 산업의 발달로 반도체에 요구되는 데이터 처리 성능이 급격히 높아지는 추세에 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 일본 정부도 이를 첨단 전략기술로서 주목하고 있으며, 약 450억 엔(한화 약 4천억 원)을 지원할 예정이다. NTT와 인텔, SK하이닉스는 오는 2027년까지 해당 기술이 적용된 반도체 소자 생산과 테라비트(Tb) 급으로 처리된 데이터를 저장할 수 있는 메모리 기술을 확보하는 것을 목표로 하고 있다.

2024.01.30 09:20장경윤

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