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'고개구율 EUV'통합검색 결과 입니다. (2건)

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인텔 "1.4나노 '14A' 순항... 결함밀도 개선 속도 빨라"

인텔이 지난 26일(현지시간) 진행된 '도이체방크 2026 기술 컨퍼런스'에서 1.4나노급 인텔 14A 공정의 진척사항을 일부 공개했다. 공정 성숙도와 수율을 가늠하는 주요 지표인 '결함밀도'(D0, defect density) 개선 속도가 당초 자체 예상치보다 양호한 흐름을 보이고 있다는 것이다. 데이비드 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "인텔 14A의 결함밀도가 자체 목표보다 더 나은 흐름을 보이며 과거 인텔 주요 공정과 비교했을 때 결함밀도 감소 속도가 가장 빠른 수준"이라고 설명했다. 이어 "22nm(나노미터) 공정 이후 이런 성과를 본 적이 없다"고 덧붙였다. 단 데이비드 진스너 CFO의 발언은 공정 개발 과정에서 결함밀도가 줄어드는 속도를 언급한 상대적인 의미로 보는 것이 바람직하다. 또 결함밀도는 수율에 영향을 미치는 한 가지 요소일 뿐이며 이것이 최종 수율로 연결되지도 않는다. 인텔 14A 공정은 2세대 리본펫 트랜지스터와 2세대 반도체 후면 전력전달(BSPDN) 기술 '파워다이렉트'를 적용하며 이르면 2027년 말부터 리스크 생산 예정이다. 또 이를 위해 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹(반도체 제조시설)에 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 장비인 ASML '트윈스캔 EXE:5000' 등을 인도받아 관련 기술을 연구중이다. 인텔은 지난 2분기 실적 발표에서 인텔 14A 공정의 결함밀도와 트랜지스터 성능이 같은 개발 단계의 인텔 18A보다 앞서고 있다고 설명했다. 설계자용 공정설계키트(PDK) 역시 개발을 진행하고 있으며, 오는 10월 PDK 0.9를 제공할 예정이다. 특히 인텔 14A는 외부 고객 확보가 공정의 상용화와 직결된다. 인텔은 작년 하반기 "인텔 14A와 같은 차세대 선단 공정이 대규모 투자를 필요로 하는 만큼 자체 제품만으로는 경제적 효율을 확보하기 어렵다"고 밝힌 바 있다. 인텔은 인텔 14A를 처음부터 외부 파운드리 고객을 염두에 두고 개발하고 있으며, 테라팹 프로젝트를 추진하는 일론 머스크와 협력 가능성도 주목받고 있다. 데이비드 진스너 CFO는 인텔 14A의 외부 고객사 확보와 관련된 내용도 일부 소개했다. 그는 "내부 고객사(인텔 프로덕트 그룹)의 인텔 14A 공정 수요가 있다. 사실 내부 고객사들이 누구보다 가장 회의적인 고객사인데 이들이 인텔 14A 기반으로 제품을 설계한다는 사실이 상당한 자신감을 줬다"고 설명했다. 이어 "외부 고객사와 협의에도 진전이 있다. 립부 탄 CEO와 경영진이 고객사를 자주 만나고 있으며 이들의 관심사 역시 단순히 공정 데이터를 살펴보는 단계에서 벗어나 '얼마나 많은 생산역량을 확보할 수 있는지', '공급이 어떻게 진행되는지'를 고민하는 단계"라고 말했다.

2026.08.30 09:32권봉석 기자

인텔, 고개구율 EUV 상용화 선점...TSMC·삼성보다 앞서

미국 종합반도체기업(IDM) 인텔이 네덜란드 반도체 노광장비업체 ASML의 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV)를 활용해 첫 상용 생산에 돌입했다. 연구개발(R&D)과 시험 생산에 머물던 고개구율 EUV가 실제 판매 제품에 적용된 것은 이번이 처음이다. ASML은 15일(현지시간) 2분기 실적발표에서 "인텔이 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크) 생산에 고개구율 EUV를 활용하고 있으며 양산에 필요한 수율과 생산 안정성도 확보했다"고 밝혔다. 인텔은 지난 해 말까지 "1.8나노급 인텔 18A 공정에 고개구율 EUV를 적용하지 않는다"고 밝힌 바 있다. 그러나 인텔 18A 공정에서 생산되는 실제 제품에 고개구율 EUV를 활용해 인텔 기존 전략이 일부 수정됐음을 보여준다. 공정 미세화 달성 핵심 기술 '고개구율 EUV' 고개구율 EUV는 현재 0.33 수준인 EUV 개구수(NA)를 0.55까지 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광기술이다. 회로를 여러 번 그려 겹치는 멀티 패터닝 과정이 줄어드는 것은 물론 같은 회로를 더 적은 공정으로 구현해 효율을 높일 수 있다. 대만 TSMC와 삼성전자는 일정 부분 위험을 감수하고 EUV를 선택한 반면 인텔은 과거 기술인 심자외선(DUV)에 머물렀다. 그러나 이 선택 때문에 2010년대 이후 10나노 이하 공정에서 경쟁사에 우위를 내주기 시작했다. 인텔은 2021년 팻 겔싱어 전 CEO 취임 이후 TSMC와 격차를 따라잡기 위해 고개구율 EUV를 승부수로 삼았다. 2023년 12월 세계 최초로 ASML 고개구율 EUV를 미국 오리건주 힐스보로에 설치했다. 이후 2024년 4월 장비 설치와 초기 가동을 완료하고 시험 웨이퍼 노광을 시작했다. 작년 12월에는 2세대 장비인 '트윈스캔 EXE:5200B'를 인수했다. "인텔 18A에는 안 쓴다"던 전략 변화, 공정 검증 앞당겨 인텔은 당초 1.8나노급 '인텔 18A' 공정에는 기존 0.33NA EUV를 유지하고, 고개구율 EUV는 후속 공정인 1.4나노급 '인텔 14A'부터 본격 활용한다는 계획을 가지고 있었다. 또 고개구율 EUV의 경제성과 생산성을 충분히 검증한 뒤 차세대 공정에 적용하는 것이 합리적이라는 입장을 유지해 왔다. 작년 인텔은 "인텔 18A는 이미 설계를 마친 상태였기 때문에 새로운 노광 기술을 적용하기에는 개발 일정과 공정 안정성 측면에서 부담이 크다"고 밝힌 바 있다. 그러나 고개구율 EUV의 공정 검증이 예상보다 빠르게 진척되며 이런 전략에도 변화가 생긴 것으로 보인다. 팬서레이크 일부 레이어에 적용…"듀얼 인증" 완료 ASML은 15일 "고개구율 EUV가 노트북용 프로세서인 인텔 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)를 구성하는 일부 핵심 레이어에 활용되고 있다"고 밝혔다. 이 계층을 제외한 나머지 레이어는 여전히 기존 0.33NA EUV 장비로 생산된다. 즉 인텔 18A로 생산되는 CPU 타일 전체에 고개구율 EUV를 적용하는 대신 비용 대비 효과가 큰 공정부터 단계적으로 적용해 위험을 줄이고 있는 것이다. ASML에 따르면 인텔이 고개구율 EUV로 생산한 레이어는 기존 0.33NA EUV와 같은 수준의 수율을 확보했고, 0.33/0.55NA EUV 장비에서 모두 생산이 가능한 '듀얼 인증(Dual Qualification)'도 완료했다. 듀얼 인증은 생산량 변화나 장비 유지보수 상황에 따라 기존 EUV와 고개구율 EUV를 자유롭게 전환할 수 있다는 의미다. 특정 장비에 생산이 묶이지 않기 때문에 양산 안정성과 공급 유연성을 동시에 확보할 수 있다. 인텔, 고개구율 EUV 선 도입으로 시행착오 줄여 TSMC와 삼성전자도 고개구율 EUV 장비를 도입하고 이를 실제 공정에 투입할 예정이다. 그러나 실제 고객사에 공급하는 상용 반도체 생산에 적용한 사례는 아직 공개되지 않았다. 인텔 역시 당초 2027년 말부터 리스크 생산에 들어갈 1.4나노급 인텔 14A 공정부터 고개구율 EUV를 활용할 예정이었다. 그러나 고개구율 EUV를 타사 대비 빨리 도입하면서 시행착오를 줄이고 이를 인텔 18A에도 적용하는 데 성공했다. 이를 통해 인텔 14A 양산 이전부터 실제 생산 데이터를 확보하고 장비 운용 경험을 축적할 수 있게 됐다. 이는 향후 인텔 14A 공정의 수율 안정화와 생산성 향상에도 도움이 될 것으로 전망된다.

2026.07.16 14:35권봉석 기자

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