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'갈륨'통합검색 결과 입니다. (5건)

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파워큐브세미, 코스닥 상장 예비심사 청구서 제출

전력반도체 전문기업 파워큐브세미는 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 16일 밝혔다. 상장 주관사는 하나증권과 BNK투자증권이다. 2013년 설립된 파워큐브세미는 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 산화갈륨(Ga2O3) 등 차세대 화합물 반도체 소자 기술력을 바탕으로 기술성 평가에서 A등급과 BBB등급을 동시에 획득하며 기술력을 인정받았다. 특히 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했으며, 중국의 글로벌 전기차 기업에 직접 설계한 'Si SJ MOSFET'을 공급한 실적도 보유하고 있다. 산화갈륨(Ga2O3)은 기존 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN)보다 넓은 밴드갭을 가지고 있어, 고전력 환경에서도 효율적으로 작동할 수 있는 특성을 지닌 차세대 전력반도체의 핵심 소재로 주목받고 있다. 강태영 파워큐브세미 대표이사는 “이번 예비심사를 계기로 파워큐브세미의 성장이 본격화될 것으로 기대한다”며 “저전력·고효율이 핵심인 반도체 산업에서 핵심 기술 경쟁력을 갖춘 기업으로 거듭나겠다”고 말했다. 향후 파워큐브세미는 반도체 소자 설계를 넘어 제조 공정까지 내재화함으로써 성능과 가격에서 모두 경쟁력을 확보하고, 글로벌 시장에서 에너지 효율 혁신을 이끄는 핵심 기업으로 성장해 나갈 계획이다.

2026.01.19 08:53장경윤 기자

산업계 숨통 트이나…中, 갈륨·게르마늄 등 수출 통제 중단

미국과 중국의 무역 분쟁이 완화되는 조짐을 보이고 있다. 미국이 중국 선박 입항세 유예 조치를 발표하자, 중국도 주요 광물 수출 통제의 유예로 화답했다. 9일(현지시간) 로이터에 따르면 중국 상무부는 지난해 12월 발표한 갈륨·게르마늄·안티몬 등 '이중용도 물자'(군·민수 겸용) 미국향 수출 승인 금지 조치를 일시 중단한다고 밝혔다. 중단 기간은 이달 27일부터 내년 11월 27일까지다. 상무부는 당시 금지 조치와 함께 발표했던 미국향 이중용도 흑연 수출에 대한 강화된 최종사용자·최종용도 심사도 중단했다. 중국은 이와 함께, 지난달 9일부터 시행해 온 특정 희토류 원소 및 리튬 배터리 소재에 대한 확대된 수출 제한의 중단 방침도 지난주에 발표했다. 갈륨과 게르마늄은 반도체를 비롯해 태양광 패널, 레이저, 야간투시경 등 다양한 제품에 쓰이며, 안티몬은 배터리부터 무기까지 폭넓게 활용된다. 흑연은 이차전지의 핵심 원료다. 이들 광물의 공급망을 쥐고 있는 중국은 미·중 갈등 고조 국면에서 '자원 무기화'에 나섰지만, 양국 관계가 해빙 국면으로 접어들며 일시 휴전에 들어간 모습이다. 이번 조치로 국내 산업계 역시 수출 통제로 인한 공급망 불확실성 완화가 기대된다. 앞서 시진핑 중국 국가주석과 도널드 트럼프 미국 대통령은 관세를 인하하고 다른 무역 조치를 1년간 유예하기로 합의했다

2025.11.10 09:58류은주 기자

파워큐브세미, 기술특례상장 위한 기술성평가 통과

전력반도체 전문기업 파워큐브세미는 지난 31일 코스닥 기술특례상장을 위한 기술성평가를 성공적으로 통과했다고 1일 밝혔다. 기술성 평가는 코스닥 기술특례상장을 위한 첫 관문으로, 기술기업의 핵심 기술과 시장성 및 사업성을 평가한다. 이를 통과하기 위해서는 한국거래소가 지정한 전문평가기관 2곳으로부터 최소 A등급 및 BBB등급 이상을 확보해야 한다. 이번 기술평가 통과로 파워큐브세미는 기술특례 상장을 위한 핵심 요건을 충족하게 됐으며, 올해 하반기부터 코스닥 상장 절차에 본격적으로 착수할 예정이다. 파워큐브세미는 2013년 2월 설립된 업력 13년차의 전력반도체 전문 기업으로 글로벌 유일의 Si(실리콘), SiC(실리콘카바이드), Ga2O3(산화갈륨) 3개 소재에 대한 반도체 자체설계 기술을 보유하고 있다. 특히 '3세대 반도체 소자'라고 불리는 산화갈륨 분야에서 독보적인 기술력과 사업화 로드맵을 갖추고 있으며, 오는 8월에는 세계 최초로 산화갈륨 전용 양산 팹(Fab)을 가동할 계획이다. Ga2O3(산화갈륨) 소자는 산업의 라이프사이클에서 개화기 및 성장 초기에 해당하는 물질로 까다로운 물질 특성과 낮은 수율로 인해 글로벌 주요 반도체 기업들도 상용화에는 어려움을 겪고있다. 전 세계적으로 FLOSFIA(일본), Wolfspeed(미국) 등의 기업들이 산화갈륨 전력반도체를 연구개발 중이지만, 현재까지 제품 수준의 사업화에는 성공하지 못한 것으로 알려져 있다. 반면 파워큐브세미는 비교적 초기 기술 단계에서 상용화가 가능한 '센서'제품을 우선 개발해 산화갈륨 소자의 양산과 제품화를 세계 최초로 실현하는데 성공했다. 파워큐브세미의 산화갈륨 센서는 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 감지가 가능하며 산업 현장, 전기차, 국방 및 항공 우주 등 고 신뢰성이 요구되는 분야에서 활용도가 높다. 특히 5V 저전력 기반으로 에너지 소비를 최소화했으며, 포토다이오드 구조를 적용해 제조 비용 절감 효과도 뛰어나서 기존에 사용중인 진공관 및 SiC, GaN기반의 센서 시장을 대체할 수 있을 것으로 전망된다. 강태영 파워큐브세미 대표이사는 “기술성평가를 통과하며 회사가 보유한 기술력뿐만 아니라 시장성, 사업성까지 모두 입증받게 됐다"며 "올해 하반기동안 코스닥 상장 과정을 성실히 준비해 차세대 전력반도체 산업을 이끌어갈 선두주자로 도약하겠다"고 밝혔다.

2025.08.01 10:19장경윤 기자

ETRI-웨이비스, 첨단 전투기 눈 'AESA' 핵심부품 국산화…"내년 생산"

첨단 전투기의 눈 'AESA(능동형위상배열레이다)'의 핵심 소재와 회로 제작 기술이 국산화됐다. 이르면 내년 께 양산될 것으로 예상됐다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 ㈜웨이비스와 공동으로 군수용 레이더(AESA) 및 고해상도 영상레이더(SAR)에 사용되는 핵심 부품인 질화갈륨(GaN) 기반 송수신 반도체 집적회로(MMIC)를 팹 기반 기술로 국내 처음 상용화했다고 27일 밝혔다. 이 MMIC는 고성능 군수용 반도체 핵심 부품이어서 수입도 어렵다. 그동안 국내에서는 KAI 등이 AESA용 MMIC를 해외 파운드리 공정서 제작한 뒤 국내로 가져와 모듈화해 사용했다. 임종원 RF/전력부품연구실 책임연구원은 "국가과학기술연구회(NST) 창의형 융합연구사업의 일환으로 지난 2023년부터 연구해왔다"며 "이번에 ETRI가 보유한 반도체 설계기술과 ㈜웨이비스 생산 공정기술을 접목해 X-대역에서 동작하는 송수신 칩 3종을 세계적인 수준으로 상용화했다"고 설명했다. 이번에 상용화한 주요 부품은 ▲전력증폭기(PA) ▲저잡음증폭기(LNA) ▲스위치(SW) 집적회로 등이다. 임 책임연구원은 "해외 파운드리 선도국인 미국이나 유럽의 상용제품과 동등한 성능 수준"이라며 "국내 유일의질화갈륨 양산 팹 시설을 이용한 최초 결과물"이라고 의미를 부여했다. 실제 전력증폭기와 저잡음증폭기, 스위치 집적회로 기술을 미국이나 유럽 제품과 비교한 결과 대부분 동등한 수준으로 나타났다. 저잡음증폭기 잡음지수나 스위치 삽입손실은 되레 ETRI 제품이 더 우수했다. ㈜웨이비스 최윤호 CTO는 “질화갈륨 반도체 양산이 가능한 국내 인프라를 바탕으로 군수용 핵심 부품을 자립화할 수 있는 기반을 마련했다"며 "향후 안정적인 시스템 개발과 실전 배치에 큰 도움이 될 것"으로 예상했다. 임 책임연구원은 "전력 증폭기 제작이 가장 어려운 기술인데, 이를 국산화했다"며 "내년께면 웨이비스를 통해 양산이 이루어질 것"이라고 덧붙였다.

2025.05.27 11:13박희범 기자

전세계가 수십년간 연구만 하던 인화갈륨 반도체화합물 드디어 "발광"

차세대 반도체 화합물로 주목받는 인화갈륨(GaP)을 발광 소재로 사용할 수 있는 길이 열렸다. 인화갈륨은 고효율 발광 소재이지만, 효율이 떨어지는 단점으로 활용이 어려웠다. 전세계 과학기술자들이 효수십년간 연구만 하던 분야다. 한국연구재단은 KAIST 정연식 교수, KIST 김동훈 박사, 동국대 최민재 교수로 구성된 공동연구팀(제1저자 신홍주 박사, 홍두선 박사)이 황화아연(ZnS)을 핵으로 사용해 극도로 얇은 인화갈륨을 형성하는데 성공했다고 21일 밝혔다. 정연식 교수는 "인화갈륨은 전자가 간접 경로로 에너지 레벨을 바꾸는 밴드갭 구조로 인해 발광 소재로는 활용도가 낮았다"며 "수십년 간 아무도 못하던 연구결과"라고 설명했다. 정 교수는 "직접전이밴드갭을 구현하기 위해서는 1나노미터 미만의 밴드갭을 만들어야 하는데, 이를 만들지 못해 실험적 증명 조차도 어려웠다"고 부연 설명했다. 연구팀은 일반적인 초미세 반도체 입자(퀀텀닷)와는 다른 접근법인 퀀텀셀(얇은 껍질)로 인화갈륨 직접 전이 밴드갭 전환을 구현하는데 성공했다. 반도체 분야에서 사용되는 원자층증착법과 에피텍셜 성장의 원리를 콜로이달 합성에 접목하는 방법으로 화화아연 나노결정 위에 단일원자층 갭을 성장시켜 퀀텀셸을 만들어냈다. 에피텍셜은 기존 물질 표면에 원하는 물질을 성장시키는 방법이다. 정 교수는 "연구결과 45.4%의 높은 효율로 보라색 빛을 강하게 방출하는 특성을 확인했다"며 "별도의 보호층 없이도 200일 이상 발광 효율 감소 없이 우수한 성능이 유지되는 높은 안정성을 보였다"고 말했다. 정 교수는 또 "차세대 화합물 반도체 분야 및 광전자, 광학 분야에서 많은 응용이 가능할 것"으로 기대했다. 연구결과는 국제학술지 '네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)'(9월16일)에 게재됐다.

2025.01.21 16:53박희범 기자

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