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삼성·SK하이닉스, 9.4兆 보조금 받고 美 투자 속도 낸다

삼성전자에 이어 SK하이닉스도 미국 정부로부터 반도체 보조금 지원이 확정되면서 양사의 팹 건설에 속도가 붙을 전망이다. 두 회사가 미국 정부로부터 지원받는 직접 보조금은 모두 합쳐 한화로 약 9조4천억원(68억5천만 달러)에 달한다. 삼성전자는 2022년부터 반도체 공장을 건설 중이며, SK하이닉스는 건설 착공을 앞두고 있다. 양사는 건설 인프라 확보에 더욱 집중할 것으로 보인다. 또한 양사의 반도체 생산시설 확대는 국내 소부장(소재, 부품, 장비) 업체들에게 글로벌 진출 기회가 될 것으로 기대된다. ■ SK하이닉스, HBM 등 AI 메모리 패키징 시설 건설…4.5억 달러 보조금 확보 미국 상무부는 지난 6일 SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 결정하면서 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. 또 미국 재무부는 SK하이닉스가 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공할 예정이다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 이번 투자로 SK하이닉스는 약 1000개의 일자리를 창출하고, 퍼듀(Purdue) 대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력할 계획이다. SK하이닉스는 오는 2028년까지 공장을 완공하고 같은해 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리를 생산한다는 계획이다. SK하이닉스의 인디애나 팹은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약에 이어 HBM3E(5세대)도 최초 공급 계약을 맺는 활약으로 HBM 시장에서 독보적인 1위다. TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. ■ 삼성전자, 2·4나노 파운드리 팹, 패키징 시설 투자…64억 달러 보조금 확보 삼성전자는 지난 4월 미국 정부로부터 반도체 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)의 지원금을 받기로 확정됐다. 이는 미국 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러)에 이어 세번째로 많은 보조금 규모다. 삼성전자는 반도체 보조금을 받게 되면서 텍사스주에 2022년부터 건설 중인 파운드리 1공장 외에도 추가로 2공장을 건설하고, 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 짓기로 결정했다. 이에 따라 삼성전자의 미국 투자액은 기존 170억 달러(약 23조4천억원)에서 400억 달러(약 55조3천억원)로 대폭 늘어났다. 파운드리 공장은 2026년부터 양산을 시작하며, 첨단 패키징 시설 및 R&D 센터 등은 2027년 가동할 계획이다. 미국에는 애플, 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 핵심 팹리스 기업이 다수 위치한다. 이점은 삼성전자와 TSMC가 고객사를 확보하기 위해 미국에 신규 파운드리 팹을 건설하기로 결정한 이유다. 무엇보다 미국 정부가 자국 내 반도체 공급망을 확보하기 위해 글로벌 기업에도 보조금을 지원한다는 점도 크게 적용한 것으로 보인다. ■ 건설 인프라 확보 시급…미국 시장 진출 국내 소부장에게 호재 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 보조금을 확보하게 되면서 투자금 부담을 덜었지만, 앞으로 시설투자 관련 인프라 확보와 인력 확충 등 해결해야 할 과제가 남아 있다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “당장은 반도체 제조 인력 보다는 반도체 공장 건설에 필요한 인력 확보가 관건”이라며 “최근 TSMC가 미국 시설 투자에서 현지 전문 인력 부족 문제로 건설 일정이 늦어진 것처럼 숙련된 건설 인력을 확보하는 것이 중요하다”고 말했다. 이어 그는 “공장이 가동되는 시점에는 제조 인력 확보에도 힘써야 할 것”이라고 덧붙였다. 실제로 지난해 TSMC는 숙련된 건설 인력 부족으로 애리조나 1공장과 2공장의 가동시기를 각각 1~2년씩 늦춘 바 있다. 미국을 비롯한 전세계 반도체 생산시설 확대는 국내 소부장 업체들에게는 기회가 될 것으로 기대된다. 박재근 한양대학교 융합전자공학부 교수는 “삼성전자와 SK하이닉스의 미국 진출은 국내 소부장 업체들에게 희소식”이라며 “두 회사가 미국에 공장을 건설하면 글로벌 장비 외에도 기존에 사용하던 한국 업체의 장비도 사용할 가능성이 있다”고 말했다. 김양팽 전문연구원은 “국내 반도체 소부장 업체 중에는 자신의 기술로 해외 고객사를 뚫을 만한 역량있는 기업이 몇개 되지 않는다”며 “이들이 삼성과 SK를 따라 해외에 진출하면, 경쟁력을 키워 다른 고객사를 확보할 수 있다”고 설명했다. 한편 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체산업지원법(칩스법)의 일환이다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지하는 것을 목표로 한다.

2024.08.07 16:59이나리

美 정부, SK하이닉스 인디애나 공장에 6200억 보조금 지급

미국 정부가 SK하이닉스의 미국 인디애나주 반도체 패키징 공장에 4억5천만 달러(약 6천200억 원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출을 지원하기로 했다. 반도체 보조금 확정으로 SK하이닉스의 인디애나 팹 공장 건설에 속도가 붙을 전망이다. 미국 상무부는 6일(현지시간) SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 생산기지 투자와 관련해 이 같은 내용을 골자로 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. 이와 함께, 미국 재무부는 SK하이닉스가 미국에서 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공해 주기로 했다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조2천억 원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 이번 투자로 SK하이닉스는 약 1000개의 일자리를 창출하고, 퍼듀(Purdue) 대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력한다는 계획을 밝혔다. SK하이닉스는 2028년까지 공장을 완공하고 같은해 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리를 생산한다는 계획이다. SK하이닉스는 "미국 정부의 지원에 깊은 감사의 뜻을 전하며 앞으로 보조금이 최종 확정될 때까지 남은 절차를 준수하는 데 만전을 기하겠다. 인디애나 생산기지에서 AI 메모리 제품을 차질 없이 양산할 수 있도록 건설 작업을 진행하고, 이를 통해 전세계 반도체 공급망 활성화에 기여하도록 최선을 다하겠다"고 전했다.

2024.08.06 19:00이나리

최태원 SK "HBM 안주 말고 차세대 수익모델 고민하자"

최태원 SK그룹 회장이 5일 SK하이닉스 HBM(고대역폭메모리) 생산 현장을 찾아 AI 반도체 현안을 직접 챙겼다. SK그룹에 따르면 이날 최 회장은 SK하이닉스 본사인 이천캠퍼스를 찾아 SK하이닉스 곽노정 대표 등 주요 경영진과 함께 HBM 생산 라인을 둘러보고, AI 메모리 분야 사업 현황을 점검했다. 이번에 최 회장이 살펴본 HBM 생산 라인은 최첨단 후공정 설비가 구축된 생산 시설이다. SK하이닉스는 이 곳에서 지난 3월부터 업계 최고 성능의 AI용 메모리인 5세대 HBM(HBM3E) 8단 제품을 양산하고 있다. SK하이닉스는 AI 메모리 리더십을 공고히 하기 위해 차세대 HBM 상용화 준비에도 박차를 가하고 있다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품을 올해 3분기 양산해 4분기부터 고객에게 공급할 계획이며, 6세대 HBM(HBM4)은 내년 하반기 양산을 목표로 개발에 매진하고 있다. 최 회장은 HBM 생산 라인을 점검한 뒤 곽노정 대표와 송현종 사장, 김주선 사장 등 SK하이닉스 주요 경영진과 함께 AI 시대 D램, 낸드 기술 리더십과 포스트 HBM을 이끌어 나갈 미래 사업 경쟁력 강화 방안에 대해 장시간 논의를 진행했다. 최 회장은 최근 글로벌 주식 시장 변동성으로 제기되는 AI 거품론에 대해 "AI는 거스를 수 없는 대세이고 위기에서 기회를 포착한 기업만이 살아남아 기술을 선도할 수 있다"며 "어려울 때 일수록 흔들림 없이 기술경쟁력 확보에 매진하고 차세대 제품에 대해 치열하게 고민해야 한다"라고 당부했다. 최 회장은 "최근 해외 빅테크들이 SK하이닉스의 HBM 기술 리더십에 많은 관심을 보이고 있다"라며, "이는 3만 2천명 SK하이닉스 구성원들의 끊임없는 도전과 노력의 성과인 동시에 우리 스스로에 대한 믿음 덕분이라고 생각한다. 묵묵히 그 믿음을 더욱 두텁게 가져가자"며 구성원들을 격려했다. 이어 "내년에 6세대 HBM(HBM4) 조기 상용화해 대한민국의 AI 반도체 리더십을 지켜며 국가 경제에 기여해 나가자"고 강조했다. 최 회장은 지난 1월 4일 SK하이닉스 이천캠퍼스 현장 경영에 나선 이후, 글로벌 빅테크 CEO들과의 연쇄 회동 등을 통해 AI 반도체 리더십 강화 및 글로벌 협력 네트워크 구축을 위해 직접 뛰고 있다. 또 지난 4월 최 회장은 미국 앤비디아 본사에서 젠슨 황 엔비디아 CEO를 만나 글로벌 AI 동맹 구축 방안을, 6월에는 대만을 찾아 웨이저자 TSMC 회장과 양사간 협력 방안을 논의했다. 이어 지난 6월 말부터 약 2주간 미국에 머물며 오픈AI, 마이크로소프트(MS), 아마존, 인텔 등 美 주요 빅테크 CEO와 연이어 회동하며, SK와 AI 및 반도체 파트너십을 공고히 하기 위한 방안을 논의했다. 또한 최 회장은 지난 7월 대한상의 제주포럼에서 국내 주요 AI 분야 리더들과 만나 AI 시대의 미래 전략을 논의하는 등 국가 차원의 AI 리더십 강화를 위해 다양한 노력을 기울이고 있다. 앞서 지난 6월 그룹 경영전략회의에서 최 회장은 그룹 차원의 AI 성장 전략을 주문한 바 있다. SK 관계자는 "최 회장은 SK의 AI 밸류체인 구축을 위해 국내외를 넘나들며 전략 방향 등을 직접 챙기고 있다"라며 "SK는 HBM, 퍼스널 AI 어시스턴트 등 현재 주력하고 있는 AI 분야에 더해 AI 데이터센터 구축 등 AI 토털 솔루션(Total Solution)을 제공하는 기업으로 성장할 수 있도록 역량을 집중할 것"라고 말했다.

2024.08.05 16:00이나리

낸드 적층 기술 경쟁...내년 400단, 2027년 1000단 쌓는다

인공지능(AI) 시장 성장으로 빅테크 기업들의 서버 구축이 다시 활발해지면서 고용량 낸드플래시 수요 또한 높아지고 있다. 메모리 업계에서 고용량 고성능 낸드를 공급하기 위한 적층 경쟁이 다시 불붙으면서 내년 400단, 2027년에는 1000단 낸드 시대가 열릴 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론을 중심으로 낸드 적층 기술 경쟁을 하고 있는 가운데 최근엔 키옥시아까지 가세했다. 낸드는 셀을 수직으로 여러 층을 쌓아서 저장 용량을 늘리는 기술로, 한 공간에 고층 아파트를 지어 더 많은 사람들을 수용하는 방식에 비유할 수 있다. 삼성전자가 2013년 낸드를 수직으로 쌓아 올린 뒤, 평면 단의 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 23단 'V낸드'를 처음 개발하면서 업체간 적층 경쟁을 본격화했다. 이후 삼성전자는 100단 이상 6세대 V낸드까지 세계 최초로 선보이며 시장을 선도해왔다. 삼성전자는 1000단 적층에서도 세계 최초를 목표로 한다. 삼성전자는 2022년 삼성 테크데이에서 “2030년까지 1000단 V낸드 개발을 목표로 한다”고 로드맵을 처음 공개했다. 이어 지난해 10월 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서는 “셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다”며 계획에 변경이 없음을 강조했다. 그러나 지난달 키옥시아는 웨스턴디지털과 협력해 삼성전자 보다 3년 앞선 2027년 1000단 낸드를 출시한다는 목표를 발표하면서 세계 최초 1000단 타이틀을 누가 차지할지에 주목된다. 아울러 키옥시아는 지난 1일 최첨단 낸드를 생산하는 이와테현 기타카미 공장 'K2'를 완공하고 내년 가을부터 가동을 시작한다고 발표했다. 키옥시아는 낸드 시황이 회복세로 돌아섬에 따라 첨단 낸드 생산에 다시 속도를 내고 있는 것으로 보인다. 지난해 키옥시아는 218단 3D 낸드 양산에 성공했다. 현재 시장에 출시된 낸드의 최대 적층수는 290단이다. 삼성전자는 지난 4월 290단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 9세대 V낸드 양산을 시작했으며, 올 4분에는 첨단 기술인 QLC(쿼드레벨셀) 9세대 V낸드를 양산한다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 430단 10세대 V낸드를 양산하면서 400단대에 진입할 예정이다. 1개 셀에 1비트를 담으면 SLC(싱글레벨셀)이고 2비트를 담으면 MLC(멀티레벨셀), 3비트를 저장하면 TLC, 4비트는 QLC이다. QLC는 1개의 셀에 더 많은 정보를 저장하는 만큼 같은 면적에서도 더 큰 용량을 지원한다. SK하이닉스도 낸드 초격차를 위한 기술 개발에 한창이다. SK하이닉스는 지난해 상반기 238단 TLC낸드를 양산했다. 이어 같은해 8월 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최고층 321단 TLC 4D 낸드플래시 메모리 샘플을 공개하며 업계 최초로 내년 상반기 300단 이상 낸드플래시 메모리 양산을 예고했다. SK하이닉스는 또한 400단 낸드 기술 개발에도 돌입해 내년 하반기 양산을 목표로 한다. 미국 마이크론은 지난달 30일 276단 TLC 9세대(G9) 3D 낸드로 만든 첫 2650 클라이언트 SSD를 발표하며 국내 메모리 업체를 추격 중이다. 마이크론도 내년에 400단 낸드를 출시한다는 목표다. 앞서 마이크론은 2022년 7월 232단 TLC 낸드를 양산하며 선두 업체인 삼성전자를 앞지르고 200단 낸드를 처음으로 출시했다는 점에서 주목을 받았다. 다만, 단순히 적층 수가 많다고 기술 우위라고 볼 수 없다는 것이 업계의 의견이다. 낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 싱글 스택, 묶음 두 개를 하나로 합친 더블 스택, 묵음 3개를 하나로 합친 트리플 스택으로 나뉜다. 스택 수가 적을수록 원가경쟁력 측면에서 더 우수하다. 마이크론과 SK하이닉스는 72단부터 '더블 스택'을 활용해 적층을 쌓았지만 삼성전자는 '싱글 스택'을 사용하다 176단 7세대 V낸드부터 '더블 스택'으로 전환했다. 삼성전자는 올해 290단 V9 낸드에서 300단에 가까운 단수를 쌓으면서도 '더블 스택' 방식을 유지했다는 점에서 경쟁력을 확보했다. SK하이닉스, 마이크론 등은 트리플 스택으로 300단 초반대 제품을 내년 양산한다는 점과 대비된다. 업계에서는 400단 낸드부터는 삼성전자 또한 트리플 스택 도입이 불가피할 것으로 전망한다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난달 보고서에서 전세계 낸드 매출은 서버 수요 회복에 힘입어 올해 647억 달러로 전년 보다 77% 증가하고, 내년에는 올해 보다 29% 증가한 870억 달러로 증가할 것으로 전망했다. 올해 1분기 기준으로 낸드 시장 점유율은 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스·솔리다임(22.2%), 3위 키옥시아(12.4%), 4위 마이크론(11.7%), 5위 웨스턴디지털(11.6%) 순으로 차지했다.

2024.08.05 15:57이나리

이규제 SK하이닉스 부사장 "차세대 패키징으로 HBM 1등 이어간다"

SK하이닉스가 차세대 패키징 기술로 HBM 1등을 이어간다는 목표를 밝혔다. 이규제 PKG제품개발 담당 부사장은 SK하이닉스의 뉴스룸 인터뷰를 통해 "자사의 HBM(고대역폭메모리)이 전 세계 1등 리더십을 구축한 배경은 TSV(실리콘 관통전극), MR-MUF 등 주요 첨단 패키징 기술을 준비해온 혜안이 있었다"라며 "지속해서 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다"고 전했다. 이 부사장은 HBM 개발 공적으로 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 '2024 SUPEX추구대상'을 수상한 인물이다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM 제품에 TSV 기술을 적용했다. TSV는 이미 20여 년 전부터 기존 메모리의 성능 한계를 극복해 줄 차세대 기술로 주목받았지만, 곧바로 상업화된 기술로 부상하지는 못했다. 인프라 구축의 어려움과 투자비 회수 불확실성 등 난제로 누구도 선뜻 개발에 나서지 못했기 때문이다. TSV는 여러 개의 D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현해 주는 핵심 기술이다. 이 부사장은 "SK하이닉스도 처음에는 망설이는 회사들 중 하나였지만, 미래 시장에 대비하기 위해서는 고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 TSV 기술과 적층(Stacking)을 포함한 WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 기술을 동시에 확보해야 한다고 판단하고, 2000년대 초반부터 적극적인 연구에 들어갔다"고 말했다. SK하이닉스가 처음으로 HBM 시대를 열긴 했지만, 본격적으로 시장이 열리고 회사가 주도권을 잡게 된 시점은 3세대 제품인 HBM2E 개발에 성공한 2019년부터다. 이 부사장은 "당시 신속한 고객 대응을 위해 유관 부서의 리더들이 빠르게 기술 관련 데이터와 시뮬레이션 결과를 분석해 MR-MUF의 안정성을 검증해 냈고, 경영진과 고객을 설득해 적기에 이 기술을 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었다"고 전했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다. SK하이닉스는 HBM2E를 시작으로 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공했다. 성공의 1등 공신은 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'라고 이 부사장과 기술진은 첫손에 꼽는다. 이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에, 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"라며 "어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발을 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했으며, 이어 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산했다. 이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있다"고 말했다. 이어서 그는 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"라며 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다" 밝혔다.

2024.08.05 10:01이나리

[ZD 브리핑] 유상임 과기정통부 장관 후보자 청문회…주요 기업 실적발표

지디넷코리아는 IT 업계의 이슈를 미리 체크하는 '이번 주 꼭 챙겨봐야 할 뉴스'를 제공합니다. '꼭 챙길 뉴스'는 정보통신, 소프트웨어(SW), 전자기기, 소재부품, 콘텐츠, 플랫폼, e커머스, 금융, 디지털 헬스케어, 게임, 블록체인, 과학 등의 소식을 담았습니다. 바쁜 현대인들의 월요병을 조금이나마 덜어 줄 '꼭 챙길 뉴스'를 통해 한 주 동안 발생할 IT 이슈를 미리 확인해 보시기 바랍니다.[편집자주] 8일 유상임 과기정통부 장관 후보자 인사청문 열린다 유상임 과학기술정보통신부 장관 후보자에 대한 국회 인사청문이 오는 8일 진행됩니다. 지난주 이진숙 방송통신위원장에 대한 탄핵안이 가결됐고, 탄핵 사유로 꼽히는 방송문화진흥회 이사 선임에 대한 청문이 9일에 열릴 예정입니다. 윤석열 정부 출범 후 첫 과기정통부 장관 교체에도 모든 정치적인 관심이 방통위에 쏠려있습니다. 과방위는 유상임 후보자 청문에 이틀 앞서 방통위 현장검증도 예고한 상황입니다. 유 후보자에 대한 인사청문에도 쟁점은 남아있습니다. 지난해 초유의 국가R&D 예산 삭감 논란이 있었던 터라 이에 대한 질의가 청문에 집중될 것으로 보입니다. 통신방송업계의 실적발표가 이어집니다. 통신 3사에서는 SK텔레콤이 6일, LG유플러스가 7일, KT가 9일에 2분기 실적을 발표할 예정입니다. 또 CJ ENM은 8일, KT스카이라이프와 LG헬로비전은 7일에 분기 실적을 발표합니다. 삼성전자-SK하이닉스 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2024' 참가 삼성전자와 SK하이닉스가 오는 6~8일(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사인 'FMS 2024'에 나란히 참가합니다. FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사였으나 올해부터 D램을 포함해 메모리 전 영역으로 분야를 확대했습니다. 이에 따라 행사명이 기존 'Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)'에서 'Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)'로 변경됐습니다. 삼성전자와 SK하이닉스뿐 아니라 일본 키옥시아, 미국 웨스턴디지털, 마이크론 등 글로벌 메모리 업체들도 대거 참가여 AI 메모리 중심으로 첨단 기술을 선보일 예정입니다. 이번주 롯데에너지머티리얼즈와 롯데케미칼 등 주요 기업들의 2분기 실적발표가 이어질 예정입니다. 전기차 캐즘으로 실적 부진을 겪는 이차전지 업계는 앞서 실적이 좋지 않았지만, 롯데에너지머티리얼즈은 상대적으로 양호한 실적을 기록할 것으로 전망되며, 비상 경영에 돌입한 롯데케미칼은 상반기 부진한 실적을 기록할 것으로 관측되고 있습니다. 코웨이가 오는 9일 올해 2분기 실적을 발표합니다. 최근 여름 가전으로 얼음 정수기를 찾는 소비자가 늘어나면서 호실적을 이을 것이란 전망이 나옵니다. 에프엔가이드에 따르면 2분기 코웨이 매출액과 영업이익은 각각 1조 636억원, 2천71억원을 기록할 것으로 예측됩니다. 넥슨 넷마블 엔씨 등 주요 게임사, 2분기 성적 꺼낸다 이번 주에는 주요 게임사의 2분기 실적 발표도 이어집니다. 각 게임사의 공시를 보면 오는 5일 엔씨소프트를 시작으로, 6일 NHN·데브시스터즈·네오위즈·위메이드, 7일 카카오게임즈·웹젠, 8일 펄어비스·넷마블·넥슨, 9일 컴투스 그룹 등이 실적 발표를 한다는 계획입니다. 또 크래프톤은 오는 12일 실적을 발표합니다. 실적 추정치를 보면 넥슨과 넷마블, 크래프톤 등 일부 게임사만 전년 동기 대비 큰 폭의 성장에 성공한 것으로 나타났습니다. 이중 넷마블은 '나 혼자만 레벨업: 어라이즈' 등 신작 흥행에 힘입어 2분기 매출 7천753억 원, 영업익 726억 원을 기록했다고 추정됩니다. 이는 전년 대비 매출은 28.5%, 영업이익은 흑자전환한 성과입니다. 게임 오프라인 행사도 있습니다. 넥슨 측은 오는 10일 던전앤파이터모바일 아케이드 행사를 양재 aT센터 3층 제2전시관에서 개최합니다. 이날 현장을 찾은 게임팬들은 다양한 이벤트에 참여할 수 있습니다. 여기에 부산인디커넥트페스티벌2024(BIC2024) 사무국은 오는 9일부터 30일까지 온라인 전시회를 개최할 예정입니다. 이와 함께 라이엇게임즈는 리그오브레전드(LoL) 지식재산권(IP) 기반 격투게임 '투엑스케이오(2KXO)'의 비공개 테스트(CBT)를 오는 9일부터 19일까지 실시합니다. 주요 CSP 사업자, 실적 발표...금융권 보안 체계 점검 논의 국내 주요 클라우드 서비스 사업자(CSP)가 이번 주 2분기 실적 발표를 진행합니다. NHN클라우드와 네이버클라우드가 오는 6일과 9일 각 계열사와 함께 성과를 발표할 예정으로, 1분기에 이어 2분기에도 성과를 거뒀을 것으로 점쳐지고 있습니다. 그러나 최근 예상치 못하게 발생한 티몬, 위메프 사태로 인한 고객사 손실 등이 2분기에 포함 되는 지에 따라 실적에 변화가 있을 것으로 예상되고 있습니다. 글로벌 데이터 기업 클라우데라가 오는 8일 싱가포르에서 '이볼브 24 에이팩(Evolve 24 APAC)' 행사를 진행합니다. 이 행사는 클라우데라가 데이터 및 인공지능(AI) 컨퍼런스를 아태 지역 단위로 개최하는 첫 연례 행사입니다. 업계 선도자와 데이터 및 AI 전문가, 첨단 기업들이 귀중한 인사이트를 공유하고 데이터와 AI가 비즈니스와 산업을 어떻게 혁신하고 있는지 보여줄 예정입니다. 한국 금융보안원(FSI)은 5일 여의도 금융투자협회에서 '한국 금융보안의 현 주소와 나아갈 방향' 현안 세미나를 개최합니다. 이번 세미나는 최근 발생한 글로벌 사이버 정전 사태에 따른 국내 금융권의 영향을 분석하고 대응 방안을 논의하는 자리입니다. FSI는 한국 금융 보안의 현 주소를 점검하고 미래 방향성을 모색하기 위해 이번 세미나를 마련했습니다. 금융권의 사이버 보안 체계를 강화하고 유사한 사고 예방을 위해 전문가들의 다양한 의견을 청취할 예정입니다. 이번 행사에는 국민대학교 윤명근 교수, KB국민은행 이재용 CISO, 토스증권 지정호 CISO, 엔키화이트햇 이성권 대표 등 관련 분야의 전문가들이 참여해 심도 있는 토론을 진행할 예정입니다. 올해 1분기 동안 부진한 성적을 기록했던 LG CNS가 오는 8일 (주)LG 실적 발표일에 2분기 매출, 영업이익을 공개합니다. 지난해 연매출 5조원 시대를 열었던 LG CNS는 지난 분기 영업이익이 전년 동기 대비 49% 감소했습니다. 다만 2분기부터는 미래 성장 동력인 클라우드, 금융 디지털전환(DX) 등의 사업이 활로를 찾으면서 실적을 회복했을 것으로 전망됩니다. 백화점 3사 2분기 실적 발표...롯데와 현대 실적 양호, 신세계는? 롯데·신세계·현대백화점그룹이 이번주 2분기 실적 발표를 진행합니다. 7일 롯데쇼핑과 신세계가 실적을 발표할 예정이며 8일에는 현대백화점이 실적을 공시합니다. 업계에서는 고물가 속에서도 비교적 양호한 실적을 낼 것이라는 관측이 나오고 있습니다. 롯데쇼핑은 이커머스 부문의 적자가 예상되지만 백화점과 슈퍼마켓 등의 호조와 연결 자회사들이 선방할 것이라는 예상입니다. 반면 신세계는 고물가에 따라 장기화된 소비 침체 영향을 받을 것이라는 전망이 나옵니다. 여기에 자회사인 신세계디에프와 신세계까사 등의 수익성도 회복하긴 어려울 것이라는 전망입니다. 8일 실적을 발표하는 현대백화점은 회복세를 보일 것이라는 의견입니다. 주력 매장인 더현대의 매출 비중이 늘어나고 있고 백화점 부문도 회복할 것으로 보인다는 설명입니다. 뷰티 양대산맥 중 하나인 아모레퍼시픽은 2분기 실적 회복이 기대됩니다. 매출에서 높은 부분을 차지하던 중국 사업과 면세 수요가 줄었지만, 지난 5월 자회사로 편입된 코스알엑스의 연결 실적이 반영될 것이기 때문입니다. 네카오·쿠팡 등 2분기 실적발표...국회서는 사이버 레카·티메프 간담회 열려 네이버와 카카오 등 플랫폼 기업들의 2분기 실적발표도 이어집니다. 카카오는 8일, 네이버는 9일에 실적 발표와 컨퍼런스콜을 진행할 예정이며, 두 회사 모두 주력 사업 호조로 지난해 같은 기간 대비해 매출과 영업이익이 성장할 것으로 예상됩니다. 쿠팡은 한국시간으로 7일 새벽에 2분기 실적발표를 할 예정입니다. 지난 1분기 영업이익이 전년 동기 대비 감소한 바 있어 2분기 실적에 관심이 쏠리는 중인데요, 매출은 성잘할 것으로 예상되지만 수익성이 개선됐는지 지켜봐야할 것 같습니다. 국회에서는 최근 유튜브 쯔양 사태로 논란이 된 사이버 레카와 관련해서 토론회가 열립니다. 정을호 더불어민주당 의원실에서 주최하고 한국디지털콘텐츠크리에이터협회에서 주관하는 이번 온라인 사이버 레카 피해 대책 마련 위한 정책 토론회는 5일 국회의원회관 제9간담회의실에서 오후 2시부터 열리며, 토론회에서는 사이버 레카 피해 사례와, 정책적 대책에 관해 논의할 예정입니다. 티몬과 위메프 미정산 사태로 인해 피해를 입은 판매업체의 현황을 살피고 제도 개선 방안을 알아보는 간담회도 열립니다. 6일 오후 2시 국회에서는 같은 아젠다를 주제로 두 개의 간담회가 열리는데, 하나는 더불어민주당 을지로위원회와 정무위원회, 참여연대 등이 주최하고 다른 하나는 더불어민주당 장철민·이정문 의원실에서 개최하는 간담회입니다.

2024.08.04 14:04안희정

美, 중국에 HBM 공급 금지 검토...삼성·SK 괜찮나?

미국 정부가 중국에 AI 메모리 '고대역폭메모리(HBM)'와 이를 생산할 수 있는 장비의 반입 제한을 검토 중이다. 블룸버그는 31일(현지시간) "미국이 이르면 다음달에 발표하는 대중 반도체 통제 조치에 AI 메모리와 이를 생산하는 반도체 제조 장비를 포함하는 방안을 고려하고 있다"고 보도했다. 소식통에 따르면 "이 조치는 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론이 중국 기업에 HBM 칩을 공급하지 못하도록 하기 위한 것"이라며 "아직 최종 결정은 내려지지 않았다"고 말했다. 바이든 정부는 중국 제조업체에 중요한 첨단 기술을 넘기지 않기 위한 여러가지 수출 통제를 추진하고 있다. 이 조치가 시행된다면 HBM2, HBM3, HBM3E를 포함한 더 진보된 칩과 현재 생산되고 있는 최첨단 AI 메모리와 장비 등이 포함된다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3)·5세대(HBM3E) 8단 제품이 공급되고 있다. 블룸버그는 추가 제재가 해외직접제품규칙(FDPR)을 기반으로 이뤄질 가능성이 있다고 전했다. FDPR은 해외 기업이 만든 제품이더라도 미국 기술이 사용됐다면 수출을 금지할 수 있는 게 특징이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 어플라이드머티어리얼즈와 같은 미국의 반도체 장비와 케이던스, 시놉시스 등 EDA(전자설계자동화)를 주로 사용해서 반도체를 만들고 있다는 점에서 수출 통제를 받을 수 있다. 그러나 이 조치가 시행된다고 해도 당분간 3사 메모리 업체는 큰 피해를 받지 않을 것으로 보인다. HBM은 주로 최대 고객사인 미국 엔비디아, AMD 등의 AI 가속기에 공급되고 있기 때문이다. 엔비디아는 AI 반도체 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지하고 있어, 대부분의 HBM 물량을 소화하고 있는 상황이다. SK하이닉스는 엔비디아 HBM3과 HBM3E 8단을 사실상 엔비디아에 독점 공급하고 있다. 삼성전자는 엔비디아가 중국 수출용으로 성능을 낮춰 개발한 GPU H20에 HBM3을 공급하고 있다. 그러나 업계에서는 이번 규제가 H20 GPU까지 포함될 가능성은 작다고 전망한다. 또 이번 수출 통제는 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 HBM 개발을 막는 것을 목표로 한다는 분석도 나온다. CXMT는 현재 HBM2를 상업 생산 중인 것으로 알려졌다. 블룸버그에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 논평 요청에 응답하지 않다고 밝혔다.

2024.08.01 14:01이나리

SK하이닉스, 'FMS 2024'서 321단 낸드·HBM3E 12단 실물 공개

SK하이닉스가 오는 6~8일(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사인 'FMS 2024'에 참가해 321단 낸드, HBM3E 12단 등 최신 AI 메모리 기술과 제품을 선보이고 미래 비전을 제시한다. FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사로 진행됐으나, AI 시대가 본격화되면서 주최 측이 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 이에 따라 행사명이 기존 'Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)'에서 'Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)'로 리브랜딩(Re-branding)됐다. SK하이닉스는 "FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다"며 "AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다"고 강조했다. 회사는 지난해 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개하는 등 이 행사를 통한 글로벌 소통에 공을 들여왔다. 행사 첫날인 6일 SK하이닉스 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 'AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)'을 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하며, 권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡는다. 회사는 발표 주제에 맞춰 이번 행사에서 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품들을 선보인다. 그 밖에 ▲온디바이스AI용 낸드 솔루션 'ZUFS 4.0' ▲온디바이스 AI PC용 SSD 'PCB01' ▲PCIe Gen5 E3.S, PCIe Gen4 U.2 기반 서버향 SSD 'PS1010' ▲모바일용 D램 'LPDDR5T' ▲머신러닝, 빅데이터 연산에 활용되는 PiM 메모리 'GDDR6-AiM' ▲고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 머신러닝 및 데이터 필터링 연산 기능이 포함된 'CMS 2.0' 등을 공개한다. 이와 함께 SK하이닉스는 자사 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시, 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다. 회사는 또, 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 'FMS 슈퍼우먼 컨퍼런스'에 올해 공동 스폰서로 참여하기로 했다. 이에 따라, 7일 오후 열리는 컨퍼런스에서 회사의 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장(Advanced PI 담당)이 'SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성에 대한 이해'를 주제로 발표를 진행한다. SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra 담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며,“이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것”이라고 말했다.

2024.08.01 09:48이나리

FHD 영화 300편 1초에...SK하이닉스, 세계 최고성능 그래픽D램 3분기 양산

SK하이닉스가 세계 최고 수준의 성능이 구현된 차세대 그래픽 메모리 제품인 GDDR7을 공개했다고 30일 밝혔다. GDD은 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭이다. 그래픽을 빠르게 처리하는데 특화한 규격으로, 3-5-5X-6-7로 세대가 진화해 왔다. 최신 세대일수록 빠른 속도와 높은 전력 효율성을 가지며, 최근에는 그래픽을 넘어 AI 분야에서도 활용도가 높은 고성능 메모리로 주목 받고 있다. SK하이닉스는 “그래픽 처리에 특화된 성능과 빠른 속도를 동시에 충족시키는 D램인 GDDR에 대한 글로벌 AI 고객들의 관심이 매우 커지고 있다”며 “당사는 이에 맞춰 현존 최고 성능의 GDDR7을 3월 개발 완료한 후 이번에 공개했고, 3분기 중 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다. SK하이닉스의 GDDR7은 이전 세대보다 60% 이상 빠른 32Gbps(초당 32기가비트)의 동작속도가 구현됐고, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 높아지는 것으로 확인됐다. 이 제품은 최신 그래픽카드에 탑재돼 초당 1.5TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있게 해주며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 300편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 GDDR7은 빠른 속도를 내면서도 전력 효율은 이전 세대 대비 50% 이상 향상됐다. SK하이닉스는 이를 위해 제품 개발 과정에서 초고속 데이터 처리에 따른 발열 문제를 해결해주는 신규 패키징 기술을 도입했다. 회사 기술진은 제품 사이즈를 유지하면서 패키지에 적용하는 방열기판을 4개층(Layer)에서 6개 층으로 늘리고, 패키징 소재로 고방열 EMC를 적용했다. 이를 통해 기술진은 제품의 열 저항을 이전 세대보다 74% 줄이는데 성공했다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하는 반도체 후공정 필수 재료다. 이상권 SK하이닉스 부사장(D램 PP&E 담당)은 “압도적인 속도와 전력 효율로 현존 그래픽 메모리 중 최고 성능을 갖춘 SK하이닉스의 GDDR7은 고사양 3D 그래픽은 물론, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행까지 활용범위가 확대될 것“이라며 “뛰어난 기술 경쟁력을 바탕으로 프리미엄 메모리 라인업을 한층 강화하면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.07.30 09:30장경윤

SK하이닉스, 용인클러스터 1호 팹에 9.4兆 투자…HBM 등 생산

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이고, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만 제곱미터 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다. 회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

2024.07.26 17:14장경윤

한미반도체 "HBM TC본더 3분기 납품 본격화…올 매출 6500억원 전망"

한미반도체는 2024년도 2분기 연결기준 매출 1천234억원, 영업이익 554억원을 기록했다고 26일 밝혔다. 한미반도체가 고객사로부터 수주 받은 HBM(고대역폭메모리)용 TC본더는 올해 3분기부터 본격적인 납품이 시작된다. 이에 회사는 올해 매출 목표를 6천500억원 수준으로 전망하고 있으며, 생산능력 확대를 위해 이달 연면적 1만 평의 공장 설립 부지를 확보했다. 해당 부지에서 내년 말 신규 공장증설이 완공되면, 2026년 매출 목표인 2조원 달성을 실현하는 데 한층 가까워질 것으로 회사는 기대하고 있다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 “인공지능 반도체 수요 폭발로 HBM 시장이 가파르게 커지면서 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 HBM용 '듀얼 TC본더'와 'HBM 6 SIDE 인스펙션'의 수주 증가, 그리고 기존 주력 장비인 '마이크로쏘 & 비전플레이스먼트'의 판매 호조가 더해져 실적을 계속 증가하고 있다”고 말했다. 한편 한미반도체는 2024년 하반기에 '2.5D 빅다이 TC본더'를 출시하고, 2025년 하반기에는 '마일드 하이브리드 본더, 2026년 하반기에는 '하이브리드 본더를 선보일 예정이다. 매출 목표는 2024년 6천500억원, 2025년 1조2천000억 원, 2026년 2조원 수준이다.

2024.07.26 10:33장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 6년만 역대급 실적...하반기도 기대

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 공급 증가에 힘입어 2분기 영업이익이 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 이후 6년만에 5조원대에 진입했다. 매출 또한 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 이 같은 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 메모리 수요 개선에 따라 하반기에도 실적 상승세를 이어갈 전망이다. 회사는 올해 HBM 매출은 전년 보다 300% 성장하고, 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD) 매출은 전년 보다 4배 성장이 예상된다고 밝혔다. ■ SK하이닉스, 영업이익 5.5조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 2분기 매출 16조4천233억원으로 전년 보다 125% 증가하고, 전기 대비 32% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 2분기 실적 중 최대다. 기존 기록인 2022년 2분기 13조8천110억 원을 크게 뛰어넘었다. 2분기 영업이익은 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 지난해와 비교하면 흑자전환이고, 전 분기 대비 89% 증가했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원), 3분기(6조4천724억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진에 성공했다. 2분기 영업이익률은 33%로 1분기(23%) 보다 10%포인트(P) 올랐다. ■ 올해 HBM 매출 전년比 300% 상승…내년 HBM3E 12단 공급량 8단 넘어설 것 SK하이닉스는 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E(5세대)와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 2분기 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 이런 상승세에 SK하이닉스는 HBM 올해 매출이 전년 보다 300% 증가한다고 밝혔다. 또 HBM3E 출하량이 자사 전체 HBM 출하량의 절반을 차지할 것을 예상했다. SK하이닉스는 “오는 3분기에 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것"이라며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3E 12단 제품은 2분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했고, 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. 이어서6세대 HBM4는 내년 하반기에 출시할 계획이다. 회사는 “HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 적용한 12단 제품부터 출하할 것”이라며 “HBM4 16단에는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓸 계획"이라고 전했다. 서버용 D램 또한 성장세를 보인다. 회사는 “일반 서버 교체 수요가 본격적으로 시작될 것임을 고려하면 올해와 내년 HBM를 제외한 서버용 D램의 성장률은 약 20% 중반 정도로 전망하고 있다”고 말했다. 그 밖에 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리도 하반기 판매가 늘어날 전망이다. ■ 올초 계획보다 투자 늘린다…HBM에 집중 SK하이닉스는 폭발적인 HBM 수요에 대응하기 위해 올초 계획보다 투자를 늘린다고 밝혔다. 회사는 늘어나는 AI형 메모리 수요에 대응하기 위해 지난 4월 착공한 청주 M15X 팹은 내년 하반기 양산을 목표로 공사를 진행 중이다. 또 차세대 반도체 생산기지인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. SK하이닉스는 “과거에 비해서 인프라 투자 규모가 증가하고 있는 가운데 일반 D램에 비해 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요한 HBM과 일반 D램의 수요에 적절하게 대응하기 위해 필요한 투자 규모도 증가하고 있다”라며 “올해 투자 규모는 연초 계획 대비 증가할 예정이다”고 밝혔다. 이어서 “다만 당사의 투자 계획은 철저히 고객의 수요와 수익성에 근거해 신중히 결정해 나갈 것”이라며, “최대한 영업 활동을 통해 창출되는 현금 흐름 범위 내에서 집행하며 투자 효율성과 재무 건전성을 동시에 확보해 나갈 계획”을 강조했다. 이어 “HBM은 1년 이상 고객 계약 물량을 기반으로 투자를 결정하기 때문에 투자 증가는 곧 제품 주문량의 증가를 의미한다”며 “향후 다양한 응용처에서 AI 기술이 적용되면 PIM(프로레싱인메모리) 등 수요가 늘어날 것”이라고 덧붙였다. 메모리 산업이 소품종 대량생산 구조에서 다품종 소량생산 구조로 변화하면서 고객사가 원하는 제품을 공급하는 주문형 산업으로 진화하는데 따른 판단이다. 한편, 올 초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. ■ 낸드 출하량 4분기부터 반등…eSSD 매출 4배 성장 예상 SK하이닉스는 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 분야에서는 수요가 상승되고 있으나, 스마트폰 PC 등 일반 응용체의 전방적인 수요는 회복이 느리기 때문이다. 반면 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD)의 올해 매출은 전년 보다 4배 성장하고, 전체 낸드 매출에서 eSSD의 비중이 절반 가까이 차지할 것으로 내다봤다. 회사는 “엔터프라이즈 SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50%가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대한다”라며 “수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나가겠다”고 말했다. SK하이닉스는 현재 QLC 기반의 60TB(테라바이트) 이상 엔터프라이즈 SSD 제품을 공급하고 있으며, 내년 초에는 128TB, 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 고용량 제품 리더십을 계속 유지한다는 목표다.

2024.07.25 13:49이나리

SK하이닉스, '호실적'에 상반기 성과급 기본급의 150% 지급

SK하이닉스가 상반기 호실적을 거두면서 직원들에게 기본급의 150%를 성과급으로 지급한다. 이는 성과급 최대치다. 25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 오전 기본급의 150%를 상반기 생산성 격려금(PI)로 지급한다고 사내에 공지했다. 성과급은 오는 26일 지급될 예정이다. PI는 상·하반기에 월 기본급의 최대 100%까지 지급하는 SK하이닉스의 대표적인 성과급 제도다. 지급률은 반기별 생산량 목표치와 영업이익률을 감안해 책정한다. 이와 별도로 SK하이닉스는 여간 실적에 따라 1년에 한번 초과이익분배금(PS)도 성과급으로 운영한다. PI는 지난해까지 최대 기본급 100%까지 지급돼 왔으나, 이번에는 지난해 10월 변경된 'PI 지급 조건'이 적용됐다. PI 지급 기준은 생산량 목표 달성을 전제로 ▲기본급 150%(영업이익률 30% 초과) ▲기본급 125%(영업이익률 15∼30%) ▲기본급 100%(영업이익률 0~15%) ▲기본급 50%(영업이익률 -10~0%) ▲0%(영업이익률 -10% 미만) 등이다. SK하이닉스 1분기 실적은 매출 12조4천300억원, 영업이익 2조8천860억원, 영업이익률은 23.2%를 달성했다. 2분기 실적은 매출 16조4천233억원, 영업이익 5조4천685억원이었으며, 영업이익률은 33%로 1분기보다 10%포인트 상승했다. 이에 따라 SK하이닉스의 상반기 영업이익률은 약 29%다. 솔리다임을 제외하면 30%를 상회하면서 상반기 PI는 가장 높은 수준인 150%로 책정됐다.

2024.07.25 11:36이나리

SK하이닉스 "올해 eSSD 매출 전년보다 4배 성장 예상"

SK하이닉스가 올해 고용량 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD) 매출이 전년 보다 4배 성장이 예상된다고 밝혔다. 또 올해 전체 낸드 매출에서 eSSD의 비중이 절반 가까이 차지한다고 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "엔터프라이즈 SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50% 가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대하고 있다"고 밝혔다. 이어서 "작년에는 제한적인 IT 투자 예산 내에서 AI 서버에 투자가 집중되다 보니까 일반 서버의 수요는 크게 둔화됐다"라며 "올해는 일반 서버에 대한 투자가 작년에 비해 늘어나고 있고 그동안 D램에 국한된 AI 관련 수요가 낸드 스토리지 영역으로도 확산되면서 고용량 제품 중심으로 엔터프라이즈 SSD 수요가 연초 예상을 크게 크게 상회하는 수준으로 성장하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스는 성장세에 맞춰서 다양한 엔터프라이즈 제품 라인업을 통해서 고객 수요에 대응할 계획이다. 현재 QLC 기반의 60TB(테라바이트) 이상 엔터프라이즈 SSD 제품을 공급하고 있으며, 내년 초에는 128TB, 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 고용량 제품 리더십을 계속 유지하겠다고 밝혔다. 회사는 "엔터프라이즈 SSD 제품은 데이터센터 워크로드에 대한 높은 이해도를 바탕으로 뛰어난 QoS(Quality of Service) 경쟁력을 갖고 있다"라며 "데이터를 읽고 쓰는 응답 시간이 짧고 안정적이라는 것을 의미하는데, 결국 SSD의 응답을 기다리는 시간이 줄어들게 되면 시스템 전체적으로 GPU의 효율성 또한 증대될 수 있다. 앞으로 AI 서버는 전력 효율성이 매우 중요한 요인이 될 것"이라고 설명했다.

2024.07.25 11:09이나리

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

SK하이닉스 "낸드 출하량 3분기 한자릿수 중반 감소...4분기 성장세"

SK하이닉스가 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "3분기 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 중심으로 판매를 확대하고 있으나, 일반 응용체의 전방적인 수요 환경, 그리고 고객 재고 상황 등을 고려해서 한 자릿수 중반에 출하량 감소를 계획하고 있다"고 말했다. 단, SK하이닉스는 3분기 낸드 매출은 지속적으로 성장이 예상된다. 회사는 "당사는 수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나간다는 방침을 가지고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 낸드 출하량은 4분기에 다시 상승할 전망이다. 회사는 "4분기에는 내부적으로는 생산 비트도 늘어나고 외부적으로는 일부 수요 환경 개선되면서 저의 전체 출하량은 다시 성장세로 전환될 것으로 예상한다"라며 "내년에도 당사는 투자 최적화와 수익성 개선 기조를 유지하면서 향후 시장 변동에도 수익성을 확보할 수 있는 사업 체제를 확보하겠다"고 밝혔다. 회사는 "올해는 일반 서버에 대한 투자가 작년에 비해 늘어나고 있고 그동안 D램에 국한된 AI 관련 수요가 낸드 스토리지 영역으로도 확산되면서 고용량 제품 중심으로 한 엔터프라이즈 SSD 수요가 연초 예상을 크게 크게 상회하는 수준으로 성장하고 있다"라며 "이러한 성장세에 맞춰서 다양한 엔터프라이즈 제품 라인업을 제공해 고객 수요에 대응하겠다"고 말했다.

2024.07.25 10:51이나리

SK하이닉스 "HBM3E 12단 공급량, 내년 상반기 8단 앞지를 것"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품의 출하량이 내년 상반기부터 8단 제품을 앞지를 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM3E(5세대 HBM) 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 올해부터 5세대 제품인 HBM3E의 양산이 시작되며, 8단과 12단 적층 제품이 순차적으로 상용화될 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. SK하이닉스는 "12단 제품은 이번 분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4에 대한 전망도 제시했다. SK하이닉스는 "HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 12단 제품부터 출하할 것"이라며 "16단은 2026년 수요가 발생할 것으로 예상돼, 이에 맞춰 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.07.25 10:35장경윤

SK하이닉스, 2Q 영업익 5.5兆 6년만 재진입..."AI 메모리 덕분"

SK하이닉스가 올해 2분기 실적에서 영업이익 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진입이다. 매출은 16조4천233억원으로 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 기존 2022년 2분기 13조8천110억원을 크게 뛰어넘었다. 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 "HBM, eSSD 등 AI 메모리 수요 강세와 함께 D램과 낸드 제품 전반적으로 가격 상승세가 이어지며 1분기 대비 매출이 32% 증가했다"며, "이와 함께, 프리미엄 제품 중심으로 판매가 늘고 환율 효과도 더해지면서 2분기 영업이익률은 전분기보다 10%포인트 상승한 33%를 기록, 회사는 시장 기대에 부응하는 호실적을 거뒀다"고 설명했다. 세부적으로 D램에서는 회사가 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 낸드는 2분기 연속 흑자를 기록했다. eSSD와 모바일용 제품 위주로 판매가 확대됐는데, 특히 eSSD는 1분기보다 매출이 약 50% 증가하며 가파른 성장세를 이어갔다. 회사는 "지난해 4분기부터 낸드 제품 전반에 걸쳐 평균판매단가(ASP, Average Selling Price) 상승세가 지속되면서 흑자를 기록했다"고 전했다. SK하이닉스는 하반기에도 메모리 수요가 상승할 것으로 내다봤다. AI 서버용 메모리 수요가 지속 증가하는 가운데, 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리 판매가 늘어날 전망이다. 또 일반 메모리 제품 수요도 완연한 상승세를 탈것으로 보인다. 이런 흐름에 맞춰, 회사는 주요 고객에게 샘플을 제공한 HBM3E 12단 제품을 3분기 내 양산해 HBM 시장에서의 리더십을 이어간다는 계획이다. 또, SK하이닉스는 업계에서 유일하게 최고 용량 256GB 서버용 제품을 공급하고 있는 DDR5 분야에서도 하반기에 32Gb DDR5 서버용 D램과 고성능 컴퓨팅용 MCRDIMM을 출시해 경쟁우위를 지켜간다는 방침이다. 낸드에서도 회사는 수요가 커지고 있는 고용량 eSSD 판매를 확대한다는 계획이다. 60TB 제품으로 하반기 시장을 선도해 나가며 eSSD 매출은 지난해 대비 4배 수준이 될 것으로 내다보고 있다. 이와 함께 낸드 제품 포트폴리오 전반에 걸쳐 고객에게 경쟁력 있는 솔루션을 선보임으로써 실적 상승 추세를 이어가겠다고 밝혔다. 한편, SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 얼마 전 착공한 청주 M15X를 내년 하반기 양산을 시작한다는 목표로 건설 작업을 진행 중이다. 또, 회사는 현재 부지 공사가 한창인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹을 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. 이에 따라 올해 CAPEX(자본 지출)가 연초 계획보다 증가할 수 있다. 고객 수요와 수익성을 치밀하게 분석해 투자 계획을 수립하고, 영업현금흐름 범위 내에서 효율성 있게 집행함으로써 재무건전성을 확보하겠다고 회사는 밝혔다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “수익성 중심 투자 기조 하에 2분기 동안 필수 투자를 진행하면서도 회사는 1분기 대비 4조3천억 원 규모의 차입금을 줄일 수 있었다”며, “안정적인 재무구조를 기반으로 최선단 공정 기술과 고성능 제품 개발에 매진해 AI 메모리 선도기업의 지위를 더욱 공고히 할 것”이라고 말했다.

2024.07.25 08:33이나리

[1보]SK하이닉스, 2분기 영업익 5.4조원…6년 만에 5조원대 진입

SK하이닉스는 2024년 2분기 연결기준 매출 16조4천233억 원, 영업이익 5조4천685억 원, 순이익 4조1천200억 원을 기록했다고 25일 밝혔다. 영업이익률은 33%다. 매출은 전분기 대비 32%, 전년동기 대비 125% 증가했다. 영업이익은 전분기 대비 89% 증가했으며, 전년동기 대비로는 흑자전환했다. 특히 영업이익은 지난 2018년 2분기(5조5천739억 원), 3분기(6조4천724억 원) 이후 6년 만에 5조 원대 실적을 달성했다.

2024.07.25 08:21장경윤

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

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