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'⚖[이천 부동산 문의 :1666-0375 ] 하이닉스 청약일정 현대건설 힐스테이트⚖'통합검색 결과 입니다. (537건)

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SK하이닉스, 美 인디애나에 5.3조원 규모 반도체 패키징 팹 건설

국내 메모리 업체 SK하이닉스가 40억달러(5조3,600억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라파옛에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 월스트리트저널(WSJ)이 26일(현지시간) 밝혔다. 앞서 영국의 파이낸셜타임스(FT)가 지난달 1일 SK하이닉스가 인디애나주에 첨단 패키징 공장을 건설한다고 보도한데 이어 추가 보도다. WSJ은 소식통을 인용해 "엔비디아의 공급업체 SK하이닉스가 인디애나주에 건설하는 패키징 시설은 2028년에 가동을 시작할 예정이다"고 전했다. SK하이닉스의 신규 시설은 반도체 및 전자공학으로 유명한 퍼듀대학에 인접하고, 약 800~1000개의 새로운 일자리를 창출할 것으로 기대된다. WSJ은 SK하이닉스가 인디애나주 및 연방 정부로부터 세제 혜택 등 다양한 지원을 받을 것으로 전망했다. 이에 SK하이닉스 측은 "미국에서의 고급 반도체 패키징 투자를 검토하고 있지만 아직 최종 결정을 내리지 않았다"고 입장을 밝혔다. 앞서 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은 해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. 첨단 패키징은 반도체 미세 공정의 기술적 한계 극복하고 개별 소자들의 단일 패키지화에 따라 핵심기술로 부상했다. 특히 최근 인공지능 반도체와 함께 급부상한 고대역폭메모리(HBM)은 첨단 패키징 기술이 요구된다. 지난해 SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3 독점 공급 계약을 맺는 활약으로 지난해 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 1위를 차지했다. 아울러 SK하이닉스는 엔비디아가 올해 공급하는 AI 반도체 GPU에도 HBM3E 공급을 확정지었다. 이에 힘입어 SK하이닉스의 시가총액은 128조 원을 육박하며 지난 한 해 동안 두 배 이상 증가했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 2월 19일 '한국반도체산업협회 정기총회' 후 취재진을 만나 "부지 선정은 여러가지 측면을 고려해 계속 신중하게 검토 중"이라며 "(인디애나주는) 코멘트하기 어렵고, 미국 전체 주가 후보다. 부지 선정이 되면 보조금을 신청할 계획"이라고 밝힌 바 있다. WSJ에 따르면 바이든 정부는 미국 내에서 반도체 생산량을 확대하기 위해 반도에 생산의 마지막 단계인 패키징 부분에도 반도체법에 최소 30억 달러를 책정했다. 기업이 상무부에 보조금을 신청하는 마감일은 4월 12일이다.

2024.03.27 01:00이나리

삼성·SK하이닉스, 이번엔 CXL 기술 경쟁...제 2의 HBM 노린다

삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI)을 위한 차세대 메모리 CXL(Compute Express Link, 컴퓨트 익스프레스 링크) 신기술을 대거 공개한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이달 26일, 27일 양일간 미국 캘리포니아 마운테인뷰에서 열리는 세계적인 반도체 학회인 'MemCon 2024'에 참가할 예정이다. 양사는 지난주 미국 캘리포니아에서 개최된 엔비디아 연례 컨퍼런스 GTC 2024에서 차세대 메모리 HBM(고대역폭메모리)을 공개한데 이어 이번에는 CXL을 주력으로 선보이며 차세대 메모리 시장을 이끌겠다는 목표다. 최진혁 삼성전자 DS부문 미주 메모리연구소장(부사장), 황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)이 'AI를 위한 고용량 및 높은 메모리 대역폭을 갖춘 CXL 및 HBM과 같은 메모리 혁신' 주제로 키노트를 발표한다. 또 기양석 삼성전자 메모리 솔루션랩 부사장 겸 CTO(최고기술책임자)또 별도의 세션을 통해 기술을 공유할 예정이다. 삼성전자는 'MemCon 2024'의 메인 스폰서이기도 하다. SK하이닉스에서는 김호식 메모리 시스템아키텍처담당 부사장이 '인공지능용 CXL이 차세대 HBM이 될 것인가?'란 주제로 SK하이닉스의 CXL 기술 개발 현황을 발표할 예정이다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. CXL의 장점은 '메모리 용량의 유연한 증가'다. 이 기술은 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 구축하기 위한 PCIe 기반의 통합 인터페이스 표준으로, 서버 시스템의 메모리 대역폭을 늘려 성능을 향상하고, 쉽게 메모리 용량을 확대할 수 있어 주목된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXL을 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 해당 기술을 2년 전부터 활발히 공개하며 시장 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. 올해 하반기 인텔이 CXL 2.0 규격에 맞는 첫 중앙처리장치(CPU) 5세대 제온 프로세서 출시를 앞둔 가운데, 양사는 올해 CXL 2.0 메모리 제품을 양산해 본격적으로 공급을 확대한다는 목표다. 지난해 5월 삼성전자는 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램 개발 소식을 알린 데 이어 같은해 12월에는 ▲삼성 CMM-D ▲삼성 CMM-DC ▲삼성 CMM-H ▲삼성 CMM-HC 등 총 4개의 상표를 한 번에 출원하면서 CXL 제품 출시를 예고했다. CMM은 CXL Memory Module의 약자로, 삼성 내부에서는 CXL을 CMM으로 통칭해 부른다. 또 삼성전자는 지난해 12월 엔터프라이즈 리눅스 업체 레드햇과 CXL 메모리 동작 검증에 성공하기도 했다. 아울러 삼성전자는 그동안 중국 팹리스 업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러를 개발에 주력 중이다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다고 밝혔다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 XL 기반 CMS, 풀드 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 앞으로 CXL 메모리의 성장 가능성은 높다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 글로벌 CXL 시장은 2028년까지 150억 달러(19조5천 억원) 이상으로 증가한다고 전망했다. CXL 컨트롤러 시장은 2022년 9천600만 달러에서 2029년까지 7억6천270만 달러(9천888억 원) 증가가 예상된다.

2024.03.25 17:29이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 中 상무장관과 '반도체 협력' 논의

곽노정 SK하이닉스 사장이 중국 상무장관을 만나 중국과 반도체 공급망 협력을 논의했다. 23일 중국 상무부에 따르면 곽노정 사장은 중국발전고위급포럼(이하 발전포럼) 참석차 중국을 방문해 왕원타오 중국 상무장관을 만났다. 왕 부장과 곽 사장은 전날 베이징에서 만나 한중 반도체 산업 공급망 협력에 대해 의견을 교환했다. 이날 왕 부장은 "중국 경제가 지속해 반등·개선되고, 신품질 생산력 발전을 가속화하고 있다"며 "디지털 경제 발전이 빠르고 전자 정보 제품 소비 시장의 잠재력도 크다"고 말했다. 그러면서 SK하이닉스가 계속해서 중국 투자를 늘리고 중국에 깊게 뿌리 내리며, 중국의 고품질 발전이 가져올 성장 기회를 공유하기를 희망한다는 입장을 전했다. 이에 곽 사장은 "중국은 SK하이닉스의 가장 중요한 생산거점이자 판매시장 중 하나로 자리 잡았다"며 "앞으로도 중국에 뿌리내려 더 큰 발전을 볼 수 있도록 중국 내 사업을 끊임없이 추진할 것"이라고 말했다. 블룸버그통신은 이날 만남이 첨단 기술에 대한 중국의 접근을 차단하려는 미국에 중국이 계속해서 맞서기 위해 이뤄졌다고 분석했다. 지난해 미국 정부는 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 반도체 공장에 별도 허가 없이 미국산 장비 반입을 허용한 바 있다. 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정(테스트, 패키징) 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장과 파운드리(8인치) 공장이 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 한편, 22일 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)도 왕 부장을 만나 중국에 투자를 약속했다. 쿡 CEO는 "우리는 중국 공급망, 연구개발(R&D), 매장에 계속 투자하고 있다"고 말했다.

2024.03.24 09:52이나리

한미반도체, HBM용 TC본더 '그리핀'으로 SK하이닉스 수주 2천억원 돌파

한미반도체가 인공지능 반도체 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀 (DUAL TC BONDER GRIFFIN)' 장비에 대해 SK하이닉스로부터 215억 원 규모의 수주를 공시했다고 22일 밝혔다. 이로서 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억 원에 이어 올해 2월 860억 원, 그리고 이번에 215억 원의 수주를 받으며 누적 2천억 원이 넘는 창사 최대 수주를 기록했다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "2024년은 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "한미반도체는 지금까지 109건의 본딩 장비 특허를 출원했고 이러한 독보적인 기술력과 노하우를 바탕으로 듀얼 TC 본더를 생산하고 있다"고 밝혔다. 곽 부회장은 이어 "현재 인공지능 반도체 시장에서 최고 사양의 HBM을 생산하는 한미반도체 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "올해 한미반도체가 목표한 4천500억 원의 매출은 무난히 달성할 것으로 전망한다"고 덧붙였다.

2024.03.23 07:59장경윤

젠슨 황, 삼성 HBM3E에 친필로 '승인' 사인...엔비디아에 공급 기대감

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 'GTC 2024' 행사에 전시된 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리 12단 'HBM3E'에 친필 사인을 남겼다. 엔비디아 AI 반도체에 삼성전자의 HBM3E가 탑재될 가능성에 기대감이 커진다. 21일 한진만 삼성전자 반도체(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스에서 12단 HBM3E 실물에 남긴 친필 사인과 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다. 삼성전자는 12단 HBM3E 실물을 공개한 것은 이번 GTC 행사가 처음이다. 한 부사장은 "젠슨 황 CEO가 우리 부스에 들러줘서 고맙고, 만나지 못해 아쉽다"라며 "삼성 HBM3E에 승인 도장(stamp of approval)을 찍어줘 기쁘다. 삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 전했다. 특이 황 CEO의 삼성전자 부스 방문은 앞서 19일(현지시간) 엔비디아 GTC 2024 글로벌 미디어 행사에서 "우리는 지금 삼성전자의 HBM을 테스트(qualifying)하고 있으며, 기대가 크다"고 발언한 직후여서 업계의 관심이 쏠린다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, HBM 시장에서 핵심 고객사다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한 데는 지난해 엔비디아에 HBM3을 독점 공급한 영향이 크다. 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 삼성전자는 HBM3E 물량을 확보하기 위해 적극적으로 나서고 있다. 삼성전자의 12단 HBM3E는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 샘플을 고객사(엔비디아 포함)에 공급했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자는 이 제품을 상반기 양산할 예정이다. HBM 시장 경쟁은 가열되고 있다. SK하이닉스는 GTC 2024 전시 부스에서 12단 HBM3E를 전시했으며, 행사 첫날인 지난 18일 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. 업계에 따르면 SK하이닉스 또한 최근 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한 것으로 알려져 있다. 또 미국 마이크론도 지난달 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 경쟁에 뛰어들었다. HBM 시장에서 후발주자인 미국 마이크론은 HBM3 양산을 건너뛰고 HBM3E 대량 생산체제를 갖추면서 삼성전자, SK하이닉스와 전면 경쟁에 돌입했다. 경계현 삼성전자 DS 부문장(사장)은 전날(20일) 삼성전자 정기 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 "앞으로 다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "12단을 쌓은 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 것"이라고 밝혔다. 한편, 시장조사업체 트렌드포스는 지난 13일 "삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다"라며 "HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다"고 진단했다.

2024.03.21 15:54이나리

SK하이닉스 '용인 1기 팹' 3월 착공 속도낸다

정부가 SK하이닉스가 첨단 메모리 반도체 공장을 내년 3월에 차질 없이 착공할 수 있도록 지원에 나선다. 안덕근 산업통상자원부(이하 산업부) 장관은 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)을 방문했다. 이 곳은 정부가 지난 15일 민생토론회에서 발표한 '반도체 메가 클러스터' 조성방안의 핵심지역이다. 용인 클러스터는 2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연돼 왔으나, 이번 정부 출범 이후 2022년 11월 당·정·지자체·기업간 상생협약이 체결되면서 사업이 본 궤도에 올랐다. 1기 팹(Fab)은 내년 3월에 착공돼 2027년 클린룸 완공을 목표로 한다. 현재 팹 부지는 약 35%의 공정률을 보이며 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다. 용인팹이 완공되면, 세계 최대 규모의 3층 팹이 되며, SK하이닉스의 '최대생산 거점'이자 '기술협력 R&D 허브'가 될 것으로 전망된다. 향후 정부와 기업은 2046년까지 120조원 이상 투자를 통해 총 4기 팹 구축을 목표로 하고 있다. 이날 기업 간담회에서 안덕근 장관은 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 올해 3월까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다. 또한 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서, 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련한다. 나아가 클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 '12인치 웨이퍼 기반의 미니팹 사업'에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행할 계획이다. 또 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다. 안덕근 장관은 "반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심하여 대응하겠다"며 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다"고 밝혔다.

2024.03.21 10:30이나리

美 마이크론 호실적에 '어닝 서프라이즈'…삼성·SK도 기대감↑

미국 주요 메모리업체 마이크론이 실적 발표를 통해 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 가격의 반등, AI 산업에 따른 메모리 수요 증가 등이 호재로 작용했다. 마이크론의 실적은 삼성전자, SK하이닉스 등의 실적을 미리 가늠할 수 있는 지표로 작용한다. 이에 국내 메모리업계도 올 1분기 예상보다 견조한 실적을 달성할 것이라는 기대감이 나온다. 마이크론은 회계연도 2024년 2분기(2024년 2월 말 종료) 매출로 58억2천만 달러(한화 약 7조7천400억원)를 기록했다고 21일 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 23.2%, 전년동기 대비 57.7% 가량 증가한 수치다. 영업이익은 1억9천만 달러로 전분기 및 전년동기 대비 모두 흑자전환했다. 주당순이익은 42센트다. 또한 마이크론은 시장의 예상치를 크게 상회했다. 당초 증권가는 마이크론이 해당 분기 매출 53억5천만 달러, 주당 영업손실 24센트를 기록할 것으로 예상해 왔다. 마이크론의 호실적은 지난해 4분기부터 본격화된 D램 가격의 반등, AI 산업 부흥에 따른 메모리 수요 증가에 따른 효과로 분석된다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "AI로 인해 발생할 반도체 업계 내 기회에서 마이크론은 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 것으로 믿는다"고 밝혔다. 마이크론은 회계연도 2024년 3분기에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 해당 분기 매출 가이던스는 64억~68억 달러(중간값 66억 달러)로, 증권가 컨센서스인 59억9천만 달러를 크게 웃돌았다. 한편 마이크론은 최근 AI 산업용 차세대 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 상용화에 적극 나서고 있다. 지난달 26(현지시간)에는 "5세대 HBM인 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E의 본격적인 양산을 시작한다"며 "해당 제품은 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 밝힌 바 있다.

2024.03.21 09:34장경윤

박정호 SK스퀘어 부회장, 작년 보수 23억1700만원

박정호 SK스퀘어 부회장이 지난해 보수로 23억1천700만원을 수령했다. 송재승 SK스퀘어 최고투자책임자(CIO)는 전년 대비 186% 증가한 25억600만원을 연봉으로 받았다. 20일 SK스퀘어 사업보고서에 따르면 박정호 부회장은 2022년 성과에 따른 상여로 지난해 초 23억1천700만원을 보수로 지급받았다. SK스퀘어 측은 “기존 포트폴리오 밸류업을 통한 운용자산(AUM) 성장과 투자 수익 실현, 투자 리소스 확보를 위한 포트폴리오 유동화 등을 이끌어냈고 사내 ESG 경영 체계를 정착시켰다”며 “티맵모빌리티의 경우 2천억원 투자유치로 AUM이 5천300억원 늘어났다”고 설명했다. 박성하 SK스퀘어 대표는 급여 9억9천만원을 포함한 10억1천800만원의 보수를 받았다. 송재승 SK스퀘어 CIO와 정재헌 전 SK스퀘어 투자지원센터장은 각각 25억600만원, 18억9천900만원을 수령했다. 송 CIO는 급여 5억원, 상여 19억9천900만원 등을 받았다. SK스퀘어 측은 “포트폴리오사의 기업가치 상승과 함께, SK쉴더스 매각을 통해 초과 수익 창출에 핵심적으로 기여해 성과급을 지급했다”고 밝혔다. SK스퀘어 임직원수는 총 95명, 1인 평균급여는 전년 대비 35% 늘어난 2억8천900만원으로 집계됐다. 미등기임원은 13명, 1인 평균급여는 8억8천700만원이다.

2024.03.20 20:54김성현

SK하이닉스, 'GTC 2024'서 온디바이스 AI PC용 SSD 신제품 공개

SK하이닉스는 18일부터 21일(미국시간)까지 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리고 있는 엔비디아 주최 세계 최대 AI 개발자 컨퍼런스인 'GTC(GPU Technology Conference) 2024'에서 업계 최고 성능이 구현된 SSD 신제품인 'PCB01' 기반의 소비자용 제품을 공개했다고 20일 밝혔다. PCB01은 온디바이스(On-Device) AI PC에 탑재되는 PCIe 5세대 SSD로, 최근 글로벌 주요 고객사로부터 성능 및 안정성 검증을 마쳤다. SK하이닉스는 “올해 상반기 중 PCB01의 개발을 완료하고, 연내 대형 고객사향 제품과 일반 소비자용 제품을 함께 출시할 계획"이라고 설명했다. PCB01은 연속 읽기속도 초당 14GB(기가바이트), 연속 쓰기속도는 초당 12GB로 업계 최고 속도가 구현된 제품이다. 이전 세대 대비 2배 향상된 속도로, AI 학습과 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 내에 로딩하는 수준이다. PC 제조업체는 온디바이스 AI를 구현하기 위해 PC 내부 스토리지에 LLM을 저장하고, AI 작업이 시작되면 단시간 내 D램으로 데이터를 전송하는 구조로 설계한다. 이 과정에서 PC 내부에 탑재된 PCB01은 LLM 로딩을 신속하게 지원하면서 온디바이스 AI의 속도와 품질을 크게 높여주는 역할을 해줄 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. PCB01은 이전 세대 대비 전력 효율이 30% 개선돼 대규모 AI 연산 작업 시 효율성을 높이는 데 기여한다. 또한 SK하이닉스 기술진은 이 제품에 'SLC 캐싱' 기술을 적용했다. SLC 캐싱은 낸드의 저장 영역인 셀 일부를 처리 속도가 빠른 SLC로 동작하게 해 필요한 데이터만 신속하게 읽고 쓸 수 있게 해주는 기술이다. 이를 통해 AI 서비스 외 일반 PC 작업 속도도 빨라지도록 도와준다. 윤재연 SK하이닉스 부사장(NAND Product Planning & Enablement 담당)은 “PCB01은 업계 최고 성능 제품으로 Al PC뿐 아니라 게이밍, 하이엔드 PC 등 최고 사양 PC 시장에서도 각광받을 것”이라며 “이를 통해 당사는 HBM은 물론, 온디바이스 AI 분야에서도 '글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니' 위상을 탄탄하게 다질 수 있을 것”이라고 말했다. 한편 SK하이닉스는 GTC 2024에서 PCB01 외에도 36GB(기가바이트) 12단 HBM3E, CXL, GDDR7 등 차세대 주력 기술 및 제품을 선보였다. 앞서 회사는 지난 19일 세계 최초로 HBM 5세대 제품인 HBM3E의 양산에 들어간다고 발표한 바 있다. 또한 GDDR7은 이전 세대 제품인 GDDR6 대비 대역폭이 2배 이상 확대되고, 전력 효율성이 40% 개선돼 현장에서 큰 관심을 받았다.

2024.03.20 09:45장경윤

최태원, 작년 SK하이닉스·SK서 연봉 60억원 받았다

최태원 SK그룹 회장이 지난해 SK하이닉스와 SK에서 총 60억원의 연봉을 받았다. 19일 공시된 SK하이닉스와 SK의 사업보고서에 따르면 최 회장은 지난해 SK하이닉스에서 급여로만 25억원을 받았고, 지주사인 SK에서 급여로 35억원을 수령했다. 최 회장은 SK하이닉스와 SK에서 보수를 받는다. 양사는 보수에 대해 "직위(회장), 리더십, 전문성, 회사 기여도 등을 종합적으로 반영했다"고 설명했다. SK하이닉스에서 연봉을 가장 많이 받은 사람은 박성욱 경영자문위원으로 45억9800만원을 받았다. 여기에는 주식매수선택권 행사이익 36억800만원, 급여 9억6000만원이 포함된다. SK하이닉스 현직에 있는 임원 중에서는 박정호 부회장이 총 38억3800만원(급여 23억원, 상여 15억400만원), 곽노정 대표이사 사장은 18억7천700만원(급여 11억원, 상여 7억6천800만원)을 보수로 받았다. 지난해 SK하이닉스의 전체 직원 수는 3만2천65명이다. 직원 1인당 평균 급여액은 1억2100만원으로 전년(1억3384만원) 대비 9.59% 감소했다. 다만 삼성전자 직원의 평균 급여(1억2000만원)보다는 100만원 많았다. 이는 SK하이닉스가 비교적 실적이 좋았던 2022년도 성과급이 2023년도 급여에 산입했기 때문으로 보인다. SK하이닉스의 직원 평균 근속연수는 12.7년으로 집계됐다. 지난해 SK에서 가장 많은 보수를 받은 임원은 장동현 부회장으로 총 167억8600만원을 받았다. 여기에는 2024년도 인사에서 SK에코플랜트 대표이사로 옮기면서 SK에서 받은 퇴직금 120억원, 급여 20억원, 상여금 27억8천600만원이 포함된다. 지난해 SK수펙스추구협의회 의장을 맡았던 조대식 부회장은 총 62억3400만원(급여 24억원과 상여 38억3400만원)을 보수로 받았다.

2024.03.19 20:19이나리

SK하이닉스, 반도체 불황에도 'R&D 비중' 2년 연속 상승세

SK하이닉스의 전체 매출에서 연구개발(R&D) 비중이 2년 연속 상승한 것으로 나타났다. 메모리 시황의 부진 속에서도 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 메모리 연구를 지속한 데 따른 효과로 풀이된다. 19일 SK하이닉스는 사업보고서에서 지난해 연구개발비로 4조1천884억 원을 투자했다고 공시했다. 같은 기간 SK하이닉스의 연간 매출액은 32조7657억 원이다. 이를 기반으로 한 매출액 대비 연구개발비 비율은 12.8%로 집계됐다. 2021년(9.4%), 2022년(11.0%)과 비교하면 2년 연속 비율이 상승했다. 다만 절대적인 연구개발비 규모는 전년(4조9천53억 원) 대비 줄어들었다. 메모리 시장의 부진으로 매출액이 크게 감소한 상황에서도, HBM 등 첨단 메모리와 관련한 투자를 지속한 것이 비율 상승의 주원인으로 지목된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난해 11월 고려대학교에서 진행한 특별강연에서 "HBM처럼 SK하이닉스가 시장을 선도하고 있는 AI 분야의 시그니처 메모리 경쟁력을 더욱 강화해나갈 것"이라며 "제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL 기반 이머징 메모리 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다"고 발언한 바 있다.

2024.03.19 19:34장경윤

삼성·SK하이닉스, '12단 HBM3E' 경쟁 가열...美GTC서 실물 공개

AI 반도체 시장 성장으로 고대역폭메모리(HBM) 경쟁이 치열해진 가운데 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 최신 제품인 HBM3E 실물을 나란히 공개해 주목된다. 엔비디아는 18~21일(현지시각) 3일간 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2024를 개최했다. GTC에는 엔비디아 협력사인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 전시 부스를 마련하고 최신 HBM3E 실물을 전시해 눈길을 끌었다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해 상반부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있기에, 메모리 시장에서 최대 고객사로 여겨진다. 이런 이유로 메모리 업체가 엔비디아 행사에서 앞다퉈 최신 HBM3E를 공개한 이유다. 삼성전자는 부스에서 D램을 12단까지 쌓은 12단 HBM3E 실물을 처음으로 공개했다. 삼성전자는 HBM 시장에서 SK하이닉스에 뒤쳐졌다는 평가를 인식한듯 지난달 27일 업계에서 처음으로 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 제공하기 시작했다고 공식 발표한 바 있다. 삼성전자에 따르면 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 HBM3 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현했다. NCF 소재 두께는 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'다. SK하이닉스도 지난 1월 CES 2024에서 처음으로 12단 HBM3E 실물을 전시한데 이어 이번 GTC에서도 공개했다. SK하이닉스 또한 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급을 시작한 것으로 알려진다. 이에 더해 SK하이닉스는 GTC 행사 첫날 업계 최초로 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 공식적으로 알리며 시장 우위를 강조했다. SK하이닉스의 8단 HBM3E는 엔비디아 'H200' GPU에 공급된다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. 이날 SK하이닉스는 경쟁사인 삼성전자와 달리 적층에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대(HBM3) 대비 10% 향상시켰다는 점도 내세웠다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 마이크론 또한 GTC에서 8단 HBM3E를 전시했다. 후발주자인 마이크론은 HBM3을 건너 뛰고 지난달 27일 8단 HBM3E 양산을 시작했다고 밝히며 “해당 HBM3E는 엔비디아가 2분기에 출시하는 GPU H200에 탑재될 예정"이라고 전했다. 아울러 마이크론도 이달부터 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급한다. 한편, 엔비디아는 올해부터 GPU에 HBM3E를 탑재한다. 엔비디아는 올해 2분기 말에 출시되는'H200'에는 HBM3E 6개를 탑재되고, 하반기에 출시하는 'B100'에는 HBM3E 8개가 탑재된다. B100은 엔비디아가 오늘 발표한 차세대 GPU '블랙웰'이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 증가한다고 전망했다. 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 현재 주류인 HBM3 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상을 점유하고 있는 것으로 집계된다. 삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300에 HBM3을 공급하면서 점진적으로 시장 점유율을 늘릴 것으로 전망된다.

2024.03.19 16:02이나리

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM3E' 본격 양산 …고객사 납품 시작

SK하이닉스가 5세대 HBM인 'HBM3E'를 본격 양산해 고객사에 납품하기 시작했다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전으로, 5세대 제품에 해당한다. SK하이닉스는 “당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

2024.03.19 10:26장경윤

"D램 내 HBM 매출 비중 급성장...올해 말 20% 넘길 듯"

AI 산업의 핵심 요소인 HBM(고대역폭메모리)의 올해 공급량이 크게 늘어날 전망이다. 이에 따라 전체 D램에서 차지하는 매출 비중도 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 급격히 성장할 것으로 보인다. 18일 시장조사업체 트렌드포스는 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 이에 따라 D램 내에서 HBM이 차지하는 매출 비중도 지난해 약 8.4%에서 올해 말에는 20.1%까지 증가할 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)를 통해 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 뛰어나 고용량·고효율 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 급격히 증가하는 추세다. 다만 HBM은 높은 기술적 난이도로 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론만이 양산 가능하다. 이들 기업의 제한적인 생산능력으로 HBM은 현재 공급부족 상태에 놓여 있다. 트렌드포스는 "HBM은 동일한 용량의 DDR5 대비 다이(기판) 사이즈가 35~45% 더 크다"며 "수율도 DDR5 대비 약 20~30% 낮고, 생산주기도 1.5~2개월 더 길다"고 설명했다. 이에 HBM 공급사들은 올해 말까지 공격적인 생산능력 확대를 계획하고 있다. 트렌드포스가 추산한 삼성전자의 올 연말 HBM 생산능력은 약 13만개다. SK하이닉스는 12만개지만, 고객사와의 테스트 및 주문에 따라 해당 수치에 변동이 생길 가능성이 있다. 트렌드포스는 "현재 시장의 주류인 HBM3(4세대 HBM) 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상의 점유율을 기록하고 있다"며 "삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300 칩에 대응할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

2024.03.19 09:41장경윤

KAIST, 새로운 AI 학습법 개발

시간이 경과해도 인공지능 모델 성능을 일정하게 유지하는 새로운 학습 데이터 선택 기술이 개발됐다. KAIST(총장 이광형)는 전기및전자공학부 황의종 교수 연구팀이 시간에 따라 데이터 분포가 변하는 드리프트 환경에서도 인공지능이 정확한 판단을 내리도록 돕는 새로운 학습 데이터 선택 기술을 개발했다고 14일 밝혔다. 최근 실생활에 활용되는 인공지능 모델은 시간이 지남에 따라 성능이 점차 떨어지는 현상이 일부에서 발견됐다. 실제 SK 하이닉스 반도체 공정 과정에서 시간에 따른 장비 노화와 주기적인 점검으로 인해 센서 데이터 관측 값이 지속 변하는 드리프트 현상이 관측됐다. 시간이 지나면서 데이터와 정답 레이블 간 결정 경계 패턴이 변경되면, 과거에 학습되었던 AI 모델이 내린 판단이 현재 시점에서는 부정확하게 되고, 모델 성능이 점차 떨어질 수 있다. 지속가능한 AI학습 프레임워크로 해결 연구팀은 이러한 문제 해결을 위해 데이터를 학습했을 때 AI 모델의 업데이트 정도와 방향을 나타내는 그래디언트(gradient)를 활용한 개념을 도입했다. 이 개념이 드리프트 상황에서 학습에 효과적인 데이터를 선택하는 데에 도움을 줄 수 있다는 것을 실험으로 확인했다. 연구팀은 또 이러한 분석을 바탕으로 지속 가능한 데이터 중심의 AI 학습 프레임워크를 제안했다. 이 기법은 데이터 자체를 직접 전처리해 현재 학습에 최적화된 데이터로 바꿔준다. 기존 AI 모델 종류에 상관없이 쉽게 확장할 수 있다. 실제 이 기법을 통해 시간에 따라 데이터의 분포가 변화되었을 때에도 AI 모델의 성능, 즉 정확도를 안정적으로 유지한다. 제1저자인 김민수 박사과정 학생은 "인공지능을 한번 잘 학습하는 것도 중요하지만, 그것을 변화하는 환경에 따라 계속해서 관리하고 성능을 유지하는 것도 중요하다는 사실을 알릴 수 있으면 좋겠다ˮ고 말했다. 연구팀을 지도한 황의종 교수는 “인공지능이 변화하는 데이터에 대해서도 성능이 저하되지 않고 유지하는 데에 도움이 되기를 기대한다”고 덧붙였다. 이 연구는 KAIST 전기및전자공학부 김민수 박사과정이 제1저자, 황성현 박사과정이 제2저자, 그리고 황의종 교수(KAIST)가 교신 저자로 참여했다. 이번 연구는 지난 2월 캐나다 밴쿠버에서 열린 인공지능 최고 권위 국제학술 대회인 '국제 인공지능 학회(Association for the Advancement of Artificial Intelligence, AAAI)'에서 발표됐다. 한편, 이 기술은 SK 하이닉스 인공지능협력센터(AI Collaboration Center; AICC) 지원을 받은 '노이즈 및 변동성이 있는 FDC 데이터에 대한 강건한 학습' 과제와 정보통신기획평가원의 지원을 받은 '강건하고 공정하며 확장가능한 데이터 중심의 연속 학습' 과제, 한국연구재단 지원을 받은 '데이터 중심의 신뢰 가능한 인공지능' 과제 성과다.

2024.03.14 14:20박희범

트렌드포스 "HBM3E, SK하이닉스가 선두...삼성, 하반기에 격차 줄인다"

고대역폭메모리(HBM) 경쟁에서 SK하이닉스가 고객사인 엔비디아에 가장 먼저 HBM3E를 대량 공급하며 선두를 달리는 것으로 파악된다. 삼성전자는 HBM3E 공급이 다소 늦었지만, 연말까지 SK하이닉스와 격차를 상당부분 좁힐 수 있다는 분석이 나온다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스는 1분기에 8단 24GB(기가바이트) HBM3E가 고객사 엔비디아의 검증을 통과하며 양산을 시작했다. 마이크론은 엔비디아가 2분기 말에 H200 출시한다는 계획에 맞춰, 1분기 말에 8단 24GB HBM3E를 공급할 계획이다. 샘플 제출이 다소 늦은 삼성전자는 1분기 말까지 검증을 완료하고, 2분기에 8단 24GB HBM3E 출하를 시작할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 “삼성전자는 이미 HBM3에서 상당한 진전을 이뤘다”라며 “HBM3E 검증이 곧 완료될 것으로 예상되며, 연말까지 SK하이닉스와의 시장 점유율 격차를 크게 줄여 HBM 시장의 경쟁 구도를 재편할 태세다”고 진단했다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 AI 반도체 시장 성장으로 인해 수요가 증가하고 있다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작된다. AI 칩 선두주자인 엔비디아는 AI 반도체로 사용되는 그래픽처리장치(GPU) 시장에서 80% 점유율로 사실상을 독점체제를 구축하고 있다. 메모리 업체 입장에서는 대형 고객사인 엔비디아의 공급 물량을 확보하는 것이 경쟁의 승부를 가르는 '절대 반지'일 수밖에 없다. SK하이닉스는 가장 먼저 HBM3 양산과 동시에 엔비디아에 독점 공급권을 따내면서 HBM 시장에서 선두를 달려왔다. 하지만 최근 엔비디아가 공급망 관리를 위해 HBM3E 탑재부터 공급망을 다변화하기로 결정하면서 메모리 업체 간 경쟁이 치열해 졌다. 엔비디아는 올해 2분기 말에 HBM3E 6개가 탑재된 'H200' 칩을, 하반기에는 HBM3E 8개가 탑재된 'B100' 칩을 출시할 예정이다. 이에 지난해 7월 마이크론은 업계에서 가장 먼저 HBM3E 샘플을 엔비디아에 제공했고, 8월 중순에는 SK하이닉스가, 10월 초에는 삼성전자가 각각 샘플을 보냈다. 후발주자인 마이크론은 HBM3을 건너 뛰고 HBM3E를 시작했다는 점에서 주목된다. 트렌드포스는 삼성전자가 HBM3에서도 입지가 강화되고 있다고 평가했다. 보고서는 “삼성전자의 HBM3은 1분기에 AMD의 MI300 GPU로부터 인증을 획득하면서 AMD의 중요한 공급업체로 자리매김했다”며 “이는 삼성이 1분기부터 HBM3 생산량을 늘릴 수 있는 길을 열어준다. 특히 마이크론이 HBM3에 진출하지 않아 SK하이닉스와 삼성이 핵심 플레이라는 점은 주목할만 하다”고 말했다. AMD는 올 하반기에는 HBM3E가 탑재된 'MI350'을 출시할 계획이다. 그 밖에 인텔 하바나, 메타, 구글, 아마존웹서비스(AWS) 등도 HBM3 수급에 나서고 있다.

2024.03.13 18:15이나리

길덕신 SK하이닉스 부사장 "올해 반도체 '소재 르네상스' 원년 만들 것"

"과거 소재는 공정 특성을 개선하는 보조적 역할에 머물러 왔습니다. 그러나 최근에는 소재의 혁신이 공정의 생산성 향상 및 투자비 절감 등에 큰 기여를 하고 있죠. 소재의 역할이 커지고 있는 만큼, '소재 개발의 르네상스'를 이루어내도록 노력하겠습니다." 13일 길덕신 SK하이닉스 부사장은 SK하이닉스 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 반도체 소재 기술력 강화에 대한 의지를 드러냈다. SK하이닉스는 지난 연말 있었던 2024 임원 인사에서 '기반기술센터' 조직을 신설하고, 센터 산하 소재개발 담당 길덕신 연구위원을 수석 연구위원으로 승진시킨 바 있다. 길 부사장은 1999년 입사 후 '소재 혁신'이라는 한 길만 걸으며 이 분야 경쟁력 강화를 위해 다방면으로 기여해왔다. 높은 전문성을 바탕으로 소재 개발을 진두지휘해온 그는, 앞으로 신규 기술 개발을 통해 원가 경쟁력을 높이고 소재 수급 관련 리스크에 선제적으로 대응할 계획이라고 밝혔다. 반도체 소재는 최근 제품 개발 및 생산 전 과정에서 많은 역할을 하고 있다. 기술 혁신의 키(Key)로 평가 받으며, 원가 경쟁력 확보와 탄소 배출 저감을 위해서도 소재는 그 중요성이 커지는 추세다. 길 부사장은 "과거 소재는 공정의 특성을 개선하는 보조적인 역할에 머물러왔으나, 최근에는 소재 혁신이 생산성 개선 또는 투자비 절감 등에 큰 기여를 하고 있다"며 "이러한 기술력을 바탕으로 '소재 주도의 통합 혁신'을 이루는 것이 저의 목표"라고 밝혔다. 길 부사장은 자신의 경력 중 가장 의미 있는 성과로 지난해 'EUV PR 국산화 성공'을 꼽았다. 그는 "2021년부터 SK그룹 멤버사인 SK머티리얼즈 퍼포먼스와 협업해 반도체 공정 필수 소재인 EUV PR을 국산화하며 소재 수급 정상화에 기여했다"며 "4~5년 전 외산에만 의존해오던 소재를 공급받지 못해 한때 위기를 맞았지만, 회사가 발빠르게 대처함으로써 오히려 전화위복이 됐다"고 말했다. 길 부사장은 당시의 어려움을 반면교사 삼아 '소재 리스크 관리 시스템(material Risk Index, mRI)'을 구축했다. 이는 모든 리스크에 대응하기 위해 소재별로 위험도를 산출하고 별도로 관리하는 시스템이다. 또한 길 부사장은 협력사와 함께 '고위험 소재 대응 상생협의체'도 운영 중이다. 길 부사장은 앞으로 반도체용 소재의 역할이 더욱 커질 것으로 내다봤다. 그는 "향후 소재가 성능 개선에 기여하는 것은 물론이고, 탄소 배출을 줄이며 인체에 무해한 특성을 지닌 방향으로 발전할 것"이라며 "이를 위해 새로운 대체 소재를 개발하기 위해 노력하고 있다"고 말했다. 이어 올해 개선된 신규 소재를 실제 기술에 더 많이 적용할 것임을 강조했다. 길 부사장은 "각 기술 단계에서 필요로 하는 것들을 명확히 파악해 실용적이면서도 차별화된 솔루션을 적용해 나갈 계획"이라며 "우리의 역할이 점점 더 중요해지는 만큼 앞으로 '소재 개발의 르네상스'를 이루어내도록 노력하겠다"고 밝혔다.

2024.03.13 17:23장경윤

삼성전자, HBM용 MUF 기술 도입설에..."사실 아냐" 반박

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)에 MUF(몰디드 언더필) 공정을 도입할 예정이라는 보도에 대해 "사실이 아니다"며 반박했다. 13일 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "삼성전자가 MUF 기술을 최신형 HBM 제조에 활용할 것"이라며 "해당 기술은 경쟁사인 SK하이닉스가 처음 사용한 기술로, 삼성전자로서는 다소 자존심이 상하는 일"이라고 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한다. 이 때 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 공정을 활용해 왔다. 반면 SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. MR-MUF 기술은 NCF 공정 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 로이터통신은 이 같은 이유로 삼성전자가 MUF 공정을 도입할 준비를 진행 중이라고 밝혔다. 최근 MUF 관련 장비에 대한 주문을 진행했으며, 일본 나가세 등 소재 업체와도 협의 중이라는 점을 근거로 들었다. 로이터통신은 "여러 분석가에 따르면 삼성전자의 HBM3(4세대 HBM) 칩 생산 수율이 약 10~20%인 반면, SK하이닉스는 수율을 약 60~70%까지 확보했다"며 "삼성전자가 최신 HBM 칩에 NCF와 MUF 기술을 모두 사용할 계획"이라고 전했다. 다만 이와 관련해 삼성전자는 "사실이 아니다"고 반박했다. 업계에서도 삼성전자가 HBM에 MUF 기술을 도입할 가능성을 낮게 보고 있다. 삼성전자가 MUF 기술의 도입을 추진하는 것 자체는 맞지만, 해당 기술을 HBM이 아닌 256GB(기가바이트) 등 서버용 고용량 D램에 활용하려는 의도로 알려졌다. 또한 삼성전자는 HBM용 NCF 기술 고도화 및 생산능력 확대에 상당한 투자를 진행해 왔다. 이러한 상황에서 삼성전자가 MUF 공정 전환을 위한 추가 투자에 나서기에는 비용적으로 부담이 너무 크다는 의견이 제기된다.

2024.03.13 11:18장경윤

"삼성·SK, 美 반발 우려로 반도체 중고장비 판매 중단"

국내 주요 반도체 기업 삼성전자와 SK하이닉스가 미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제를 고려해 중고 반도체 제조장비 판매를 중단했다고 영국 파이낸셜타임즈가 12일 보도했다. 파이낸셜타임즈는 업계 관계자들의 말을 이용해 "한국 반도체 기업들이 중고장비를 시장에 내놓는 대신 창고에 보관해 왔다"며 "장비가 제3자의 손에 들어가게 돼 미국 정부와의 관계에 문제가 생길 수 있다는 우려가 있다"고 밝혔다. 미국 정부는 지난 2022년 10월부터 자국 기업이 중국에 반도체 장비를 수출할 경우 별도의 허가를 받도록 하는 규제안을 발표한 바 있다. 해당 규제로 인해 중국은 14nm 이하의 시스템반도체, 18nm 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시 등에 대한 투자가 사실상 불가능해졌다. 다만 삼성전자, SK하이닉스가 공정을 전환하면서 발생하는 중고 장비의 경우, 중국으로 유입될 가능성이 상대적으로 높은 것으로 관측된다. 파이낸셜타임즈는 "통상 이들 기업의 중고 장비는 패키지 형태로 경매에 올라가고, 가장 큰 수요는 중국 가전제품, 차량용 칩 제조업체에서 나온다"며 "그러나 노광장비 등은 10년 된 중고 제품이라도 수리를 통해 고급 반도체 제조에 활용될 수 있다"고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스는 파이낸셜타임즈에 이와 관련한 별도의 언급을 거부했다. 다만 파이낸셜타임즈는 관계자를 인용해 "한국 기업의 중고 장비 비중은 미국의 대중 수출 규제 및 러시아 제재와 관련이 있다"고 강조했다.

2024.03.12 14:04장경윤

車 날개 단 SK하이닉스 HBM, 이젠 자율주행에도 적용

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 영역을 기존 서버에서 엣지 단으로 확장하기 위한 준비에 나섰다. 차량 내부에 HBM을 탑재하기 위해, 차량용 반도체 안전 표준인 'AEC-Q100'를 획득한 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 차량용 반도체 솔루션 제품군에 HBM 제품을 신규 추가했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층하고 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 고부가 메모리다. 데이터 처리 성능이 기존 D램 대비 뛰어나 고효율·고용량 데이터 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하고 있다. HBM2E는 3세대 HBM으로, 초당 3.6 기가비트(Gbps)의 데이터 처리 성능을 보유하고 있다. SK하이닉스가 해당 제품을 본격적으로 양산하기 시작한 시기는 지난 2020년 하반기다. 통상 HBM은 고성능 GPU(그래픽처리장치)와 연결돼 서버 내에 탑재된다. 엔비디아·AMD 등 시스템반도체 기업과 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 업체들이 깊은 협업관계를 맺고 있는 것도 이 때문이다. 그러나 SK하이닉스는 HBM2E를 이번 차량용 반도체 솔루션을 소개하는 자료에 포함시켰다. 구체적으로는 HBM2E를 'AEC-Q100' 등급 2, 3을 획득했다고 기술했다. AEC-Q100은 차량용 반도체의 신뢰성 및 안전을 정하는 표준이다. 동작온도 범위에 따라 0~3등급으로 나뉜다. 2등급은 -40~105°C, 3등급은 -40°~85°C 온도 내에서 작동할 수 있다는 것을 뜻한다. SK하이닉스는 HBM2E의 용도를 'ADAS(첨단운전자보조시스템)'으로 명시하며 "가속기 및 AI 주행 시스템용으로 최적화된 프리미엄 메모리 솔루션"이라고 밝혔다. 업계는 SK하이닉스의 이 같은 움직임이 HBM의 시장 영역을 고성능 엣지 AI 영역으로 확장하기 위한 준비로 보고 있다. 국내 AI 반도체 업계 관계자는 "자동차 산업에서 자율주행·고성능컴퓨팅 등 상당히 높은 수준의 데이터 처리 능력을 요구하고 있어, 반도체 업계에서도 엣지 AI칩과 HBM을 결합하려는 논의가 진행되고 있다"며 "최근에는 이러한 준비가 더 빨라지는 추세"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "데이터 처리량을 고려하면 차량용 HBM 시장이 당장 큰 규모를 형성하지는 않을 것"이라며 "다만 큰 방향성에서는 기존 메모리처럼 HBM도 차량 내 범용 제품처럼 쓰이게 될 수도 있다"고 말했다.

2024.03.12 13:18장경윤

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