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'⌚[이천 부동산 문의 :1666-0375 ] 반도체 경기도이천이천시 청약예정⌚'통합검색 결과 입니다. (1962건)

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DB하이텍, 작년 영업익 2663억…전년比 65% 감소

DB하이텍은 2023년 연결기준 매출액이 1조1천578억 원, 영업이익이 2천663억 원, 영업이익률이 23%로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 이번 실적은 전년 대비 매출은 30.89%, 영업이익은 65.36% 감소한 수치다. DB하이텍은 “세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년에 비해 실적이 다소 하락했다"며 "다만 전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고, 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN·SiC 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 설명했다. 또한 DB하이텍은 "지속가능경영 체제를 확립하기 위해 전방위적으로 노력하고 있다"고 강조했다. DB하이텍은 지난해 12월 말 지배구조 개선과 주주친화정책 강화를 골자로 하는 경영혁신 계획을 발표한 바 있다. 대표이사·이사회 의장 분리를 통해 이사회의 독립성을 높이고, 자사주 매입·소각, 배당 등을 통해 순이익의 30% 이상을 주주들에게 환원하겠다는 것이 주요 내용이다. 한편 DB하이텍은 이달 5일과 6일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2023년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2024.02.05 10:02장경윤

'반도체 강국 명성 되찾자'...日, 올해 다국적 기업 팹 잇따라 가동

일본을 신규 거점으로 한 다국적 반도체 제조시설이 올해 잇달아 가동을 시작한다. TSMC, 웨스턴디지털(WD), 키옥시아, 르네사스, 로옴, 도시바 등이 해당된다. 80년대까지 반도체 강국이었다가 물러난 일본은 이번 글로벌 반도체 기업들의 잇단 신규 투자를 계기로 종합반도체 국가로 거듭나겠다는 목표다. 일본 정부는 과거 2000년대 초 겪었던 반도체 정책 실패의 전철을 다시 밟지 않기 위해 자국 기업과 공정 분야에서 앞선 글로벌 반도체 기업 간의 합작 회사 설립을 통해 파운드리 진출을 시도한다는 점에서 주목된다. 일본은 현재에도 반도체 소재·장비 분야에서는 단연 앞서 있다. ■ TSMC 구마모토 팹 이달 24일 가동 시작...첫 글로벌 진출 대만 파운드리 업체 TSMC는 일본 구마모토에 건설한 1공장이 이달 24일 개소식을 개최하고 가동을 시작한다. 본격적인 양산은 올해 4분기부터다. TSMC 구마모토 팹은 TSMC, 소니, 덴소의 합작법인 JASM이 운영한다. 이 팹은 12인치 웨이퍼에서 12나노미터(mn), 16나노, 22나노, 28나노 공정 기반으로 월 5만5000장을 생산할 예정이다. 아울러 TSMC는 올해 구마모토에 2공장을 착공해 2026년 말 7나노 공정 제품 생산을 계획 중이다. TSMC의 이번 투자는 일본의 반도체 활성화 정책의 첫걸음으로 평가된다. 구마모토 팹은 TSMC가 처음으로 해외에서 생산을 시작하는 공장으로, 착공 이전부터 많은 주목을 받아왔다. 일본 정부는 자국 내 글로벌 투자를 이끌기 위해 총 금액(86억 달러)의 3분의 1에 해당되는 32억 달러를 지원했다. ■ 키옥시아-웨스턴디지털, 12인치 낸드플래시 팹 공동 운영 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털이 공동으로 투자한 일본 미에현 욧카이치 12인치 낸드플래시 공장은 오는 3분기에 양산을 시작할 예정이다. 해당 공장은 총 2800억엔이 투입됐으며, 일본 정부가 929억엔을 지원했다. 이 외에도 양사가 공동으로 1조엔을 투자해 일본 북부 이와테현 기타카미에 건설 중인 낸드 공장은 올해 하반기에 완공될 예정이다. 이번 프로젝트는 당초 2022년 공사를 시작해 지난해 하반기에 완공 예정이었지만, 메모리 불황으로 인해 지연됐다. ■ 르네사스, 12인치 전력반도체 확장…도시바-로옴 생산라인 통합 일본 차량용 반도체 업체 르네사스일렉트로닉스는 올해 새로운 전력 반도체 생산 라인을 가동할 예정이다. 르네사스는 2014년 10월 야마나시현에 있는 코푸 공장이 폐쇄된 이후 기존 시설에 12인치 웨이퍼 생산 라인을 설치하기 위해 900억엔을 투자했다. 르네사스 신규 생산라인에서는 전기(EV) 자동차 수요에 대응해 IGBT, MOSFET 등 전력반도체 생산을 강화할 계획이다. 일본 도시바와 로옴세미컨덕터도 올해부터 전력 반도체 생산라인을 통합 운영한다. 이번 협력으로 도시바의 전력 반도체 공장은 로옴이 새로 투자한 미야자키현 구니토미시에 있는 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 공장과 통합 생산을 시작한다. 일본 정부는 도시바와 로옴 프로젝트 총 투자액의 3의 1에 해당하는 보조금을 약속했다. 르네사스 또한 일본 정부로부터 세금 혜택 및 보조금을 받을 것으로 예상된다. 그 밖에도 일본에서 신규 반도체 투자가 활발히 이뤄지고 있다. 대만 3위 파운드리 업체 PSMC(파워칩 세미컨덕터)는 일본 SBI홀딩스와 공동으로 12인치 파운드리 회사를 설립해 2027년까지 건설을 완료하고 이후 칩 생산에 돌입할 계획이다. 일본 반도체 합작사 라피더스는 훗카이도 치소세시에 파운드리 공장을 건설해 2027년부터 2나노 칩 생산을 목표로 한다. 일본 정부는 라피더스 공장 건설에 보조금 3천억 엔(약 2조7천억 원)을 지급하기로 약속했다. 라피더스는 2022년 8월 토요타, 소니, 키옥시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개 사가 공동으로 설립한 회사다. 이들 기업은 각각 10억엔(약 91억원)을 출자했으며, 일본 정부도 700억엔(약 6천336억원) 보조금을 지급하기로 했다. 라피더스는 미국 IBM과 손잡고 2027년까지 AI, 데이터센터용 2나노미터(nm) 공정 반도체를 공동 개발한다는 목표다.

2024.02.02 16:28이나리

미래 반도체 공정 EUV 보완재 DSA 뜨나?…삼성전자도 '눈독'

"DSA(유도자기조립)는 머크가 오랜 시간 개발해 온 기술로, EUV(극자외선)의 매우 높은 비용을 저감시킬 수 있어 향후 첨단 반도체 공정의 필수 요소가 될 것이다. 물론 한국 고객사들도 DSA 분야에서 협력을 진행하고 있다." 2일 아난드 남비어 머크 수석부사장은 서울 강남 신라스테이 호텔에서 열린 기자간담회에서 DSA 기술에 대해 이같이 밝혔다. DSA는 화학 재료를 웨이퍼 위에 도포한 후 가열해 회로 패턴을 형성하는 기술이다. 분자의 자기조립(무질서하게 존재하던 구성요소들이 외부 개입 없이 스스로 구조나 형태를 만드는 것) 특성을 기반으로 한다. 아난드 남비어 수석부사장은 "DSA 공정을 노광 공정에서 활용하면, EUV 공정의 단계 2개를 생략해 제조비용을 절감할 수 있다"며 "현재는 초창기 단계지만, 향후 10년 뒤에는 EUV를 보조하는 필수 기술이 될 것이라고 생각한다"고 설명했다. 머크는 이러한 전망을 토대로 세계 주요 반도체 기업들과 DSA 공정 도입을 위한 연구개발을 활발히 진행하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과도 협력 중인 것으로 관측된다. 아난드 남비어 수석부사장은 "한국 고객사들과도 DSA 공정 연구개발에 대한 협업을 진행하는 중"이라며 "이번 세미콘 코리아 행사에서도 DSA에 대한 많은 논의가 있었다"고 밝혔다. 실제로 삼성전자, SK하이닉스는 학술행사 등을 통해 DSA 기술의 장점을 언급해 왔다. 특히 삼성전자의 경우 DSA에 많은 관심을 기울이고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 분석 전문기관 테크인사이츠가 지난해 1월 발간한 보고서에 따르면, 삼성전자는 총 68개의 DSA 특허를 보유하고 있다. 주요 경쟁사인 대만 TSMC가 보유한 특허 수(24개) 대비 3배에 가까운 수치다. 주요 노광 장비업체 ASML(16개)를 앞선 기록이기도 하다.

2024.02.02 14:00장경윤

獨 머크 "AI 반도체가 향후 10년간 성장동력 …삼성·하이닉스 적극 지원"

독일 머크가 삼성전자 등 국내 반도체 공급망과 기술력 강화를 위한 협업에 적극 나서겠다는 의지를 드러냈다. 머크는 반도체 및 디스플레이 제조용 화학·가스 소재에 강점을 둔 기업으로, 오는 2025년까지 국내에 6억 유로(한화 약 8천600억원)를 투자할 계획이다. 2일 머크는 서울 강남 소재의 신라스테이 호텔에서 반도체 비즈니스 간담회를 열고 회사의 한국 사업 및 투자 전략에 대해 발표했다. 이날 행사는 반도체 소재, 특수가스, 박막필름, 디지털 솔루션 등 머크의 주요 사업 현황과 한국에서의 투자 전략 등을 발표하고자 마련됐다. 김우규 머크코리아 대표, 아난드 남비어 머크 수석부사장을 비롯해 각 사업부의 주요 임원이 참석했다. 머크는 국내 반도체 주요 고객사와의 협업을 위한 투자를 적극 진행할 예정이다. 머크는 전자산업부 역량 강화를 위해 오는 2025년까지 전 세계적으로 총 60억 유로를 투자하기로 한 바 있다. 이 중 6억 유로가 국내 투자에 활용된다. 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 High-K(고유전율) 전구체 분야의 기술력을 보유한 국내 소재업체 엠케미칼을 지난해 1월 인수 발표한 것이 대표적인 사례다. 또한 머크는 국내에 첨단 반도체 기술력 강화를 위한 R&D(연구개발) 센터를 설립을 추진하고 있다. 머크가 이처럼 반도체 산업에 적극 투자하는 이유는 시장의 성장성에 있다. 아난드 남비어 수석부사장은 "반도체 시장이 현재 5천억 달러 수준에서 향후 7~10년 뒤에는 1조 달러를 기록할 것"이라며 "전세계 여러 거점에서 반도체 공정 전반에 필요한 소재, 장비를 공급할 수 있는 체계를 갖춘 것이 머크의 강점"이라고 설명했다. 김우규 대표는 "한국 반도체 산업은 메모리 산업의 최강국으로, 주요 기업 2곳이 수십년간 리더십을 유지해왔다"며 "앞으로도 머크는 주요 시장인 한국 고객사의 활발한 투자에 발맞출 수 있도록 노력할 것"이라고 밝혔다. 국내 주요 고객사 중 한 곳인 삼성전자와의 협력 강화 의지도 드러냈다. 아난드 남비어 수석부사장은 "지난달 열린 CES 행사에서 경계현 삼성전자 대표가 직접 머크 부스를 방문해 AI 산업 발달에 따른 반도체 시장의 기회를 논했다"며 "AI 어플리케이션이 반도체 업계에 향후 10년간 성장동력이 될 것이기 때문에, 삼성전자의 공급망 강화에 적극 지원할 것"이라고 말했다.

2024.02.02 13:43장경윤

한미반도체, SK하이닉스와 860억 규모 HBM용 TC 본더 공급계약

반도체 장비 전문기업 한미반도체는 SK하이닉스로부터 단일 기준 창사 최대 규모인 860억원의 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀(DUAL TC BONDER GRIFFIN)'을 수주했다고 2일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억원에 이어 현재까지 누적 1천872억원의 수주를 기록했다. 1980년 설립된 한미반도체는 이번 주 수요일부터 삼성동 코엑스에서 열리고 있는 '세미콘 코리아 2024' 전시회에 참가해 국내외 주요 고객사들에게 올해 상반기 출시 예정인 세계 시장 점유율 1위 장비 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (micro SAW & VISION PLACEMENT 6.0 GRIFFIN)과 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더를 선보이고 있다.

2024.02.02 13:15장경윤

"인텔, 美 오하이오 팹 건설 연기"...반도체 보조금 지연 때문

인텔이 미국 정부의 반도체 보조금 지원이 늦춰지면서 200억 달러(약 26조5천억원) 규모를 투자하는 오하이오 공장 건설을 연기했다. 1일(현지시간) 월스트리트저널(WSJ)은 인텔이 오하이오 반도체 공장 건설 일정을 연기했다고 보도하며, 해당 프로젝트 관계자를 인용해 "인텔의 오하이오 팹은 내년부터 칩 제조를 시작하는 것이 목표지만, 팹 건설은 2026년 말까지 완료되지 않을 것으로 예상한다"고 밝혔다. 오하이오 프로젝트는 이미 착공돼 축구장 크기의 부지에 기초 토목 공사가 진행되는 등 상당한 진전이 이뤄진 상태다. 인텔 대변인은 "우리는 프로젝트 완료를 위해 최선을 다하고 있으며 건설은 계속되고 있다. 지난해 우리는 많은 진전을 이루었다"고 말하면서 "대규모 프로젝트를 관리하려면 일정 변경이 필요한 경우가 많다"고 덧붙였다. 인텔은 2022년 1월 2025년 가동을 목표로 오하이오에 반도체 제조공장 2개를 건설한다고 처음으로 발표했다. 오하이오 공장은 인텔 18A(1.8나노급) 공정 등 첨단 반도체를 주력으로 생산할 계획이다. 인텔의 오하이오 프로젝트는 미국에서 진행 중인 대규모 프로젝트 중 하나로 꼽힌다. 2022년 8월 바이든 정부는 자국 내 칩 생산량을 늘리기 위한 일환으로 5년간 총 527억 달러를 지원하는 내용의 반도체법울 제정했지만, 실제 보조금 지급에는 지지부진했다. 지금까지 총 170개가 넘는 회사가 보조금을 신청했으나, 단 2개 업체에게만 지급된 상태다. 인텔 오하이오 팹 또한 아직 보조금을 받지 못했다. 오는 11월 미국 대선을 앞두면서 바이든 행정부는 몇 주안에 인텔, TSMC, 삼성전자 등에 수십억 달러를 지급할 것으로 예상된다. 연방 자금 외에도 오하이오주는 인텔의 오하이오 프로젝트를 위해 인텔에 6억 달러의 보조금을 제공했다. 한편, 대만 파운드리 업체 TSMC도 이달 초 미국 애리조나주에 건설 중인 400억 달러 규모의 팹 2개 건설 및 생산을 연기한 상태다. TSMC는 애리조나 1공장 가동을 올해로 계획했지만, 양산이 내년으로 미뤄졌다. 삼성전자도 텍사스주 테일러시에 173억 달러 규모로 반도체 파운드리 팹을 건설 중이다. 삼성전자의 테일러 팹은 올해 하반기 가동을 시작할 전망이다.

2024.02.02 10:45이나리

美, YMTC·AMEC도 中 '군사지원' 기업에 추가…반도체 압박 지속

미국 국방부가 중국군에 협력하고 있는 현지 기업들의 목록에 YMTC 등 10여곳 이상을 추가 등록했다고 로이터통신이 1일 보도했다. 이번에 추가된 기업은 주로 반도체, AI 등 첨단 기술을 다루고 있다. 중국의 주요 메모리 반도체 제조업체 YMTC, 반도체 장비업체 AMEC, AI 기업 메그비, 라이다(LiDAR) 제조업체인 헤사이테크놀로지 등이 명단에 포함됐다. 이 중 YMTC는 삼성전자, SK하이닉스 등을 제치고 세계 최초로 200단 이상의 3D 낸드 양산을 발표한 바 있다. AMEC 또한 대만 주요 파운드리 TSMC의 최선단 파운드리 공정에 장비를 공급하는 등 기술력이 높다는 평가를 받고 있다. 그간 미국은 중국의 반도체 등 첨단 기술력 강화를 견제하기 위해 수출 규제, 투자 금지 등 다양한 수단을 활용해 왔다. 주 명분은 국가 안보상의 이유다. 로이터통신은 "해당 목록에 등재된다고 해서 즉각적인 조치가 시행되는 것은 아니지만, 회사의 평판 및 미국 기업과의 거래에서 타격을 입을 수 있다"며 "또한 미 재무부에 해당 기업을 제재하라는 압력의 메시지가 될 수 있다"고 설명했다. 한편 중국은 미 국방부의 이 같은 행보에 즉각 반발했다. 왕원빈 중국 외교부 대변인은 "시장 경쟁의 원칙과 국제 경제 및 무역 규칙을 위반한 행위"라며 "차별적 관행을 즉각 시정하고, 공정하고 비차별적인 환경을 제공할 것을 촉구한다"고 밝혔다.

2024.02.02 09:09장경윤

SK하이닉스, 인디애나주에 반도체 패키징 공장 건립 검토

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 첨단 반도체 공장을 건설을 검토 중이다. 1일(현지시간) 파이낸셜타임스(FT)는 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도했다. FT는 복수 소식통을 인용해 "SK하이닉스의 인디애나주 패키징 공장은 엔비디아의 GPU와 통합하는 HBM 칩을 만들기 위해 D램을 적층하는데 특화된 시설이 될 것이다"고 말했다. 또 다른 분석가는 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라고 설명했다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 미국 엔비디아의 GPU 등에 사용된다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. HBM은 AI 반도체에서 필수 메모리로 급부상한 반도체다. 최태원 SK그룹 회장은 2022년 7월 조 바이든 미국 대통령과 화상 면담에서 220억 달러 규모의 대미 투자 계획을 밝힌 바 있다. 같은해 SK하이닉스는 미국에 첨단 패키징 제조시설과 연구개발(R&D)센터를 세운다는 계획을 발표했다. SK하이닉스 측은 "현재 미국 투자 가능성을 검토하고 있지만 아직 최종 결정을 내리지 않았다"고 밝혔다.

2024.02.01 18:24이나리

누리비스타, CNT·그래핀 활용 공정배관용 고온 필름히터 개발

나노소재 전문기업 누리비스타(대표 조송만)는 반도체·디스플레이·솔라셀 제조 공정용 부품의 하나인 고온·고내열 친환경 필름히터를 개발 완료하고 사업화에 나섰다. 누리비스타는 누리플렉스·히시스와 손잡고 나노기술을 이용해 전력소비율을 30%까지 절감해 250도까지 사용 가능한 고온용 필름히터를 개발했다고 1일 밝혔다. 누리비스타가 개발한 필름히터는 반도체·디스플레이·솔라셀 공정의 파이프와 클램프에 적용할 수 있다. 누리비스타 관계자는 “필름히터가 적용된 히팅클램프는 많은 업체가 개발을 시도했으나 실제로 개발한 사례가 없었다”며 “고내열 필름히터를 개발해 히팅클램프 시장에 본격적으로 진출할 계획”이라고 밝혔다. 3사가 협력 개발한 '히팅클램프'는 국내 공인기관으로부터 6개월 동안 장기신뢰성 평가를 통해 신뢰성에 대한 검증을 마쳤다. 앞으로 고객사 공정 실증테스트를 수행하면서 국내외 전시회에 출품하는 등 공격적인 영업활동을 진행할 계획이다. 그래핀과 탄소나노튜브(CNT) 분산기술 특허를 보유하고 있는 누리비스타는 CNT와 그래핀 등 탄소나노 물질을 활용해 고내열 필름히터를 제작하는데 성공했다. 누리비스타는 독자적인 분산기술과 필름히터 제조기술, 다양한 소재의 요소기술 등으로 고온 신뢰성 히터를 개발해 클램프 히터 외에도 산업 전반에 적용 가능한 기술을 확보했다고 밝혔다. 누리비스타 관계자는 “이번에 개발한 필름히터는 기존 열선히터 보다 에너지 효율이 30% 이상 높다”며 “앞으로 디스플레이 공정용 부품 시장 뿐만 아니라 자동차·가전시장으로 사업 다각화를 추진할 계획”이라고 밝혔다. 누리비스타의 모기업인 누리플렉스는 이번 사업에서 히팅클램프 온도를 일정하게 유지하는 온도 센싱과 전원을 제어하는 컨트롤러 디바이스를 개발했다. 이 제품은 온도 제어·관제 기능 외에 발열체 약점을 보강하도록 누전감시와 알람 기능을 추가했다. 히팅클램프를 안정적으로 운영하고 제어하기 위해 높은 사양의 통신 플랫폼 기술을 적용, 보안기능을 탑재한 소형 제어기와 다채널 관제시스템도 구축한다는 계획이다. 누리비스타는 누리플렉스와 손잡고 통신·보안·AI 기술을 활용해 히팅클램프를 안정적으로 운영·제어하여 온도 변화에 따른 배관 막힘을 예측하는 AI 기반 머신러닝 기능을 탑재한 관제 SW 플랫폼도 공급하며 히팅클램프 시장을 공략할 계획이다.

2024.02.01 14:18주문정

'하이 NA EUV 장비' 2027년 국내 온다...삼성 1.4나노 생산

삼성전자와 네덜란드 장비업체 ASML이 공동으로 투자하는 반도체 첨단공정 연구개발(R&D) 센터에 2027년부터 하이(High) NA EUV(극자외선) 장비가 반입될 예정이다. 이를 통해 삼성전자 파운드리는 1.4나노 공정부터 하이 NA EUV 장비를 적용할 것으로 보인다. 삼성전자는 2025년 2나노 공정, 2027년에는 1.4나노 공정으로 칩을 양산한다는 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 이우경 ASML 코리아 사장은 31일 서울 인터콘티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '세미콘코리아 인터스트리 리더십 디너'에서 기자들을 만나 "EUV R&D 센터에 장비 반입이 2027년에 될 것 같다"며 "장비를 빨리 들여오는 것이 목표다. 인허가 받는 과정이 있기 때문에 빠르면 올해 12월에 (R&D 센터를) 착공하거나 내년에 시작할 것으로 보인다"고 말했다. 그는 이어 "EUV R&D센터 건립을 위해 AMSL 화성 뉴캠퍼스 바로 앞에 부지를 구입했다. 신규 센터를 지을 때 전력 등 인허가가 나기까지 보통 3개월 소요되는데, 이번 건은 빠르게 진행되면서 다음주 또는 구정 후에 결과를 받을 것 같다. R&D 센터 건물만 4천500억원, 장비만 해도 1조원 규모"라며 "이런 인프라가 한국에 있다는 것만 해도 큰 가치(밸류)일 것"이라고 덧붙였다. EUV R&D 센터는 지난해 12월 한국과 네덜란드의 반도체 동맹을 계기로 삼성전자와 ASML이 공동으로 1조원을 투자해 국내에 짓는 센터다. 이 곳에서는 ASML의 EVU 장비를 삼성전자의 공정에 최적화하는 기술을 연구할 계획이다. 양사의 공동 R&D 센터 건립 체결 당시 이재용 삼성전자 회장과 경계현 삼성전자 DS부문 사장이 직접 참석해 주목받기도 했다. 파운드리 업계에서 초미세 공정 기술 경쟁이 갈수록 심화되는 가운데 삼성전자는 ASML과 협력을 통해 경쟁력을 미리 확보할 것으로 기대된다. ASML은 반도체 미세공정을 위한 EUV를 전 세계에서 유일하게 생산하는 장비 업체로 '슈퍼 을(乙)'로 불린다. 삼성전자와 ASML의 공동 R&D 센터에 반입되는 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요하다. 하이 NA EUV 장비는 이전 장비(NXE 시스템) 보다 1.7배 더 작은 트랜지스터를 인쇄할 수 있다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 인텔 또한 하이-NA EUV 장비로 18A(1.8나노급) 반도체를 양산할 계획이다. 삼성전자를 비롯해 TSMC 또한 하이 NA EUV 장비를 발주했다. 삼성전자는 ASML과 반도체 공동연구소를 통해 EUV 기술 선점에 경쟁 우위를 갖을 것으로 기대한다. 지난해 12월 경계현 사장은 ASML과 협력체결 후 공항에 입국하면서 기자들에게 "앞으로 하이 NA EUV 장비에 대한 기술적 우선권을 삼성이 갖게 될 것 같다. 장비를 빨리 들여온다는 관점보다는 ASML와 삼성의 엔지니어가 같이 공동연구를 하는 것"이라며 "삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 것이 중요하다"고 말했다.

2024.02.01 14:00이나리

티씨케이, 2차전지 사업 진출 가시화…'실리콘 음극재' 테스트 돌입

국내 반도체 부품기업 티씨케이가 사업 다각화에 적극 나서고 있다. 차세대 2차전지 소재로 각광받는 실리콘 음극재의 시제품을 개발해, 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 또 다른 신사업인 TaC(탄탈륨카바이드) 서셉터도 지난해 하반기 생산능력 확대를 위한 준비를 마쳤다. 1일 업계에 따르면 티씨케이는 일부 고객사와 실리콘 음극재에 대한 샘플 테스트를 진행하고 있다. 음극재는 2차전지의 핵심 소재 중 하나로, 양극에서 발생한 리튬이온을 받아들이는 역할을 맡고 있다. 현재 가장 대표적으로 쓰이는 음극재 소재는 천연, 혹은 인조 흑연(그라파이트)이다. 반면 실리콘 음극재는 흑연과 미세한 실리콘 파우더를 일정 비율로 섞어 만든다. 이론상 실리콘 단위 무게당 에너지 용량은 3천~4천밀리암페어시(mAh)/g로, 기존 흑연계 음극재의 에너지 용량(372mAH/g) 대비 10배가량 높다. 티씨케이의 경우 실리콘 카본 소재를 섞어 최대 1천500mAH/g의 용량을 구현하고 있다. 에너지 용량이 높으면 같은 무게에도 더 많은 에너지를 저장할 수 있어, 전기차의 주행거리를 늘리는 데 유리하다. 급속 충전 설계가 쉬워 충전 속도를 단축할 수 있다는 장점도 있다. 티씨케이가 실리콘 음극재 개발에 뛰어든 이유는 기존 사업과의 시너지 효과 창출이다. 티씨케이는 지난 1996년 고순도 흑연 제품 양산을 위해 일본 도카이카본과 국내 케이씨가 합작 설립한 회사다. 티씨케이의 주력 제품은 반도체 식각공정에서 웨이퍼를 고정시켜주는 소모성 부품인 SiC(실리콘카바이드)링이다. SiC링은 링 모양의 흑연 위에 SiC 물질을 증착해 만들어진다. 흑연 및 실리콘 관련 노하우를 쌓아온 티씨케이로서는 기술적 연관성이 높다. 티씨케이는 실리콘 음극재 개발에 상당 부분 진척을 이룬 상황으로, 현재 시제품을 기반으로 일부 고객사와 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 실리콘은 충방전 시 부피가 팽창하는 정도가 강해, 이를 해결하는 것이 향후의 주요 과제로 지목된다. 한편 티씨케이는 또 다른 사업 다각화의 일환으로 TaC 기반 서셉터 양산을 적극 준비하고 있다. 서셉터는 반도체 증착 공정에서 웨이퍼를 받쳐주는 기판이다. Si(실리콘) 반도체 제조에는 SiC 기반 서셉터가 주로 쓰였다. 그러나 SiC 반도체는 이보다 고온 환경에서 제조되기 때문에, SiC 대비 고온 내구성이 높은 TaC 소재의 서셉터가 쓰여야 한다. 티씨케이는 지난해 TaC 서셉터 상용화에 성공했다. 해당 사업으로만 100억 원대의 매출을 올린 것으로 관측된다. 지난해 하반기에는 TaC 서셉터 양산 라인 확장을 마무리했으며, 이를 기반으로 올해부터 관련 사업을 본격화할 것으로 전망된다.

2024.02.01 11:28장경윤

로옴, 부하 응답 특성 높인 차량용 프라이머리 LDO 출시

로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 배터리로 동작하는 자동차 전장품 및 ECU(전자제어유닛) 등 전원에 최적화된 프라이머리 LDO 레귤레이터(이하 LDO)를 개발했다고 1일 밝혔다. 정격전압 45V 내압, 출력전류 500mA의 이번 LDO 'BD9xxM5-C' 제품군은 BD933M5EFJ-C, BD950M5EFJ-C, BD900M5EFJ-C, BD933M5WEFJ-C, BD950M5WEFJ-C, BD900M5WEFJ-C로 세분화돼 있다. 신제품은 로옴의 고속 부하 응답 기술 'QuiCur'를 탑재함으로써 부하전류 변동에 대한 응답 특성이 우수하다. 이에 입력전압이나 부하전류 변동 시에도 어플리케이션이 요구하는 안정 동작을 실현할 수 있다. 또한 소비전류 9.5µA(Typ.)의 저전류 동작으로 오토모티브 어플리케이션의 저소비전력화에도 기여한다. 신제품은 사용 환경에 따라 선택 가능하도록, 소형 HTSOP-J8 패키지에서 고방열 TO252 패키지(TO252-3 / TO252-5), HRP5 패키지까지 4종류의 패키지를 전개할 예정이다. 신제품의 HTSOP-J8 패키지 제품은 지난해 12월부터 월 2만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. TO252-3 및 TO252-5, HRP5의 3종류 패키지를 포함해 2024년 중에 총 18개 제품까지 라인업을 확충할 예정이다.

2024.02.01 09:54장경윤

D램·낸드 가격 4개월 연속 상승…삼성·SK 실적 개선 '청신호'

D램, 낸드플래시 등 메모리반도체 가격이 지난달 말까지 4개월 연속 증가세를 이어간 것으로 나타났다. 특히 D램의 경우 올 1분기 내에 추가적인 가격 상승도 가능할 것으로 관측된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 D램 1월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월 대비 9.09% 증가한 1.80 달러로 집계됐다. 최신 D램 규격에 해당하는 DDR5도 이달 견조한 흐름을 보였다. 8GB(기가바이트) 모듈 기준, 평균 계약 가격이 전월 대비 약 17% 증가한 20.5 달러를 기록했다. 디렘익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "D램 공급사들이 모듈 가격 인상에 대한 확고한 입장을 유지하면서, PC용 D램의 1분기 계약 가격이 전분기 대비 10% 이상 상승했다"며 "이달 하순에 거래가 재개되면 추가 상승의 여력도 존재한다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)는 전월 대비 8.87% 증가한 4.72 달러를 기록했다. 주요 공급사들의 적극적인 감산 전략과 저용량 제품의 수요가 일부 회복된 것이 영향을 미쳤다.

2024.02.01 08:36장경윤

'AI'로 공정 개선 입증한 램리서치…"고객사 1년간 앓던 문제, 6주만에 해결"

"램리서치 장비 인텔리전스는 AI와 머신러닝을 활용해 공정 상의 핵심 문제를 해결할 수 있습니다. 한국의 한 고객사도 이를 도입해 1년간 해결하지 못했던 문제를 4~6주만에 해결한 적도 있죠" 31일 램리서치는 '세미콘 코리아 2024'에서 미디어 라운드 테이블 행사를 열고 '램리서치 장비 인텔리전스'에 대한 기술력을 소개했다. 램리서치 장비 인텔리전스는 개별 반도체 제조장비 및 팹에 인공지능(AI), 머신러닝(ML)을 적용해 공정 효율화 및 품질을 향상시키는 솔루션이다. 장비 가동을 통해 습득한 데이터를 기반으로 웨이퍼 이동을 최적화하거나, 오류가 발생할 수 있는 요소를 사전에 감지하는 예지보전 등의 기능으로 스마트 팹을 구현하는 것이 핵심 기능이다. 또한 램리서치 장비 인텔리전스는 팹과 팹을 매칭해, 서로 다른 지역에 위치한 상위 팹과 하위 팹의 데이터를 공유 및 분석한다. 이를 통해 하위 팹의 공정 효율성을 끌어 올린다. 이날 발표를 진행한 러셀 도버 램리서치 고객 지원 제품 라인 및 사업개발 총괄은 "AI는 기존 대비 더 많은 장비 데이터와 다중 변형 신호를 처리할 수 있어, 공정 상의 고차원 문제를 더 빠르게 해결할 수 있다"며 "반도체 업계의 모든 선도기업들이 해당 솔루션을 채택하고 있다"고 강조했다. 예를 들어, 첨단 공정을 양산하는 한 고객사는 램리서치 장비 인텔리전스 도입을 통해 임계치수(CD)를 50% 향상시키고, 불량률을 53% 개선했다. 결과적으로 공정 수율을 최대 2% 개선했다. 공정의 수율이 2% 개선되는 경우, 통상적으로 2천만~5천만 달러를 절감할 수 있다는 게 램리서치의 설명이다. 대규모 제조시설에서는 연간 1억 달러의 이득까지도 얻을 수 있을 것으로 분석된다. 러셀 도버 총괄은 "한국의 한 고객사는 까다롭고 복잡한 공정 상 문제에 직면해 1년 동안이나 해결책을 찾지 못했었다"며 "램리서치 장비 인텔리전스 도입으로 4~6주만에 문제를 해결했다. 이는 아주 큰 개선"이라고 밝혔다. 그는 이어 "램리서치 장비 인텔리전스가 방대한 양의 데이터를 다루는 만큼 소프트웨어 측면에서도 기술력 확보에 최선을 다하고 있다"며 "한국에서 진행되는 중요한 소프트웨어 개발은 다른 지역이 아닌 모두 한국에서 직접 개발하고 있다"고 덧붙였다.

2024.01.31 17:49장경윤

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

한미반도체, '세미콘 코리아'서 최신 마이크로 쏘장비 소개

반도체 장비기업 한미반도체는 내달 2일까지 서울 코엑스에서 열리는 '2024 세미콘 코리아 전시회'에 참가한다고 31일 밝혔다. 한미반도체는 이번 세미콘 코리아 전시회를 통해 올해 상반기 출시 예정인 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전플레이스먼트 6.0 그리핀 (micro SAW & VISION PLACEMENT 6.0 GRIFFIN)'을 국내외 주요 고객사들에게 적극 홍보할 계획이다. 한미반도체 관계자는 “2024년은 HBM(고대역폭메모리)의 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더(DUAL TC BONDER)가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "이번 세미콘 코리아가 그 시작을 알리는 중요한 시점이다”고 강조했다. 한미반도체는 지난해 하반기 SK 하이닉스로부터 듀얼 TC 본더로 한달 만에 창사 최대규모인 천억원의 수주를 공시하며 2024년 4천500억 원, 2025년 6천500억 원의 매출 전망을 발표한 바 있다. 삼성동 코엑스 전시장에서 열리는 2024 세미콘 코리아는 1987년 시작된 국내 반도체 산업을 대표하는 전시회다. 최신 반도체 장비, 재료 관련 기술을 선보이는 전시회와 반도체 기술 심포지엄, 마켓 트랜드 포럼, 구매 상담회 등을 종합적으로 진행한다.

2024.01.31 11:12장경윤

삼성전자 "올해 메모리 시황 회복 기대...갤S24로 AI폰 시장 선점"

삼성전자가 올해 메모리 시황과 IT 수요 회복이 기대되는 가운데 AI 반도체에 적극 대응해 시장 선점을 추진하겠다고 밝혔다. 동시에 프리미엄 리더십과 2나노미터(mn) 등 첨단공정 경쟁력을 강화해 미래기술 준비도 병행할 방침이다. 단, 거시경제 불확실성과 제품별 회복 속도 차이에 따라 전사적으로 '상저하고(上低下高)'의 실적이 예상된다. ■ DS 부문 첨단공정 프리미엄 수요 적극 대응...수익성 개선 DS부문에서 메모리는 첨단공정 기반의 프리미엄 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 확보를 추진할 계획이다. 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 도입으로 고용량 DDR5 시장에서의 리더십을 제고하고 차세대 HBM3E 적기 양산 및 하반기 12단 전환 가속화 등을 통해 HBM 선도 업체로서의 경쟁력을 강화할 방침이다. 시스템LSI는 AI 모멘텀을 활용해 미래 성장 동력을 확보하고 ▲시스템온칩(SoC) ▲이미지센서 ▲LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. ■ 갤럭시S24 앞세워 AI폰 시장 선점..."AI 글로벌 스탠더드 자리매김" DX부문에서 MX는 혁신적인 갤럭시 AI를 탑재한 갤럭시S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점하고, 폴더블 스마트폰도 폼팩터에 최적화된 AI 경험으로 사용성을 극대화할 계획이다. 이를 통해 연간 플래그십 출하량 두 자릿수 성장과 시장 성장률을 상회하는 스마트폰 매출 성장을 추진하고 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 '모바일 AI의 글로벌 스탠다드'로 자리잡도록 할 방침이다. 네트워크는 주요 해외 사업에 적기 대응해 매출 성장을 추진하고 ▲5G 핵심칩 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 등 기술 리더십을 지속 강화할 예정이다. VD는 프리미엄 및 라이프스타일 중심으로 제품 혁신과 라인업 다변화를 추진해 다양한 소비자 수요를 공략할 예정이다. 또 차세대 AI 프로세서와 타이젠 OS를 바탕으로 초연결 경험과 서비스 혁신을 지속해 'AI 스크린 시대'를 선도해 나갈 방침이다. 생활가전은 스마트싱스와 AI 기술 기반의 차별화된 사용 경험을 통해 프리미엄 제품 판매를 확대하고 고부가 사업 활성화로 매출 성장과 사업 구조 개선을 가속화할 계획이다. 하만은 전장에서 차량 내 경험 역량 강화로 신규 분야 수주를 확대할 계획이다. 소비자 오디오에서는 포터블 등 주요 제품 리더십을 강화하고 삼성전자와 하만 간 협업을 통한 제품 차별화를 추진할 방침이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 분야에서 차별화된 기술과 성능을 바탕으로 판매 확대에 주력하고 IT 및 차량 분야 등 미래 성장동력을 굳건히 다질 계획이다. 대형은 제품 믹스 개선, 생산 효율 향상 등을 통해 손익 개선을 추진할 방침이다. 한편, 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다고 31일 공시했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다.

2024.01.31 09:44이나리

삼성전자, 작년 반도체 적자 14.8兆...4Q D램 흑전

삼성전자가 소비 시장 침체와 메모리 불황 장기화로 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. ■ 4분기 반도체 영업손실 2.1조원...D램 흑자 전환, 파운드리 부진 삼성전자의 4분기 실적은 연말 성수기 경쟁이 심화되면서 스마트폰 출하량은 감소했지만 메모리 가격 상승과 디스플레이 프리미엄 제품 판매 호조로 전사 매출이 전 분기 대비 증가했다. 영업이익의 경우 세트 제품 경쟁이 심화되고 플래그십 스마트폰 출시 효과가 감소한 가운데 메모리 실적이 큰 폭으로 개선됐고, 디스플레이 호실적이 지속된 것으로 파악된다. 다만, 4분기 환영향 관련 달러화, 유로화 및 주요 신흥국 통화가 전반적으로 평균 환율 변동이 크지 않아 전분기 대비 전사 영업이익에 대한 영향은 미미했다. 지난해 4분기 사업부별 실적은 다음과 같다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션)부문 매출은 21조6900억원, 영업손실 2조1800억원을 기록했다. DS부문은 지난해 4개 분기 연속 적자를 기록하면서 누적 영업손실은 14조8800억원이다. DS 부문은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록했다. 다만, 4분기에 D램 사업은 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 시스템LSI는 스마트폰 재고 조정이 마무리되면서 부품 구매 수요가 증가하고 '엑시노스 2400'이 주요 고객사 플래그십 모델에 적용되면서 3분기 대비 매출과 손익이 모두 개선됐다. 파운드리는 고객사 재고 조정과 글로벌 경기 회복이 지연되면서 시장 수요가 감소해 실적 부진이 지속됐으나 2023년 연간 최대 수주 실적 달성으로 미래 성장 기반을 공고히 했다. 또 3나노 및 2나노 GAA(Gate All Around) 기술을 지속 개발하고 첨단 공정 기반 사업을 확장해 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 판매 비중 및 신규 수주가 증가했다. ■ DX 부문은 매출 39조5500억원, 영업이익 2조6200억원 DX(디바이스 경험)부문은 매출 39조5500억원, 영업이익 2조6200억원을 기록했다. MX(모바일 경험)는 시장 인플레이션 및 불안정한 국제 정세가 지속되는 가운데 스마트폰 시장은 프리미엄 제품 중심으로 소폭 성장했다. 4분기는 신모델 출시 효과가 둔화되면서 스마트폰 판매가 감소해 전분기 대비 매출 및 이익이 감소했다. 단, 태블릿 제품은 프리미엄 신제품을 중심으로 출하량이 증가했으며 웨어러블 제품도 연말 성수기를 활용해 견조한 판매를 유지했다. 또한 설계 최적화 및 지속적인 리소스 효율화롤 통해 견조한 두 자릿수 수익성을 유지했다. 네트워크는 국내 및 북미, 일본 등 해외시장 매출이 증가했다. VD(Visual Display)의 경우 전반적인 TV 시장 수요 정체와 경쟁 심화에 따른 제반 비용 증가로 전년 및 전분기 대비 수익성은 소폭 감소했다. 삼성전자는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲75형 이상 대형 TV와 같은 고부가 제품 중심으로 지역별 성수기 수요에 선제적으로 대응해 판매 구조를 개선하고 프리미엄 시장 리더십을 확대했다. 생활가전은 시스템에어컨 중심으로 B2B 사업이 성장하고 비스포크 등 프리미엄 제품 중심으로 판매 비중이 개선됐으나 수요 역성장 속에 경쟁이 심화되면서 실적은 둔화됐다. 하만 매출은 3조9200억원, 영업이익 3400억원을 기록했다. 하만은 소비자 오디오 제품의 성수기 판매가 증가해 매출이 증가했으며 연간 기준 전년 대비 성장이 지속됐다. 삼성디스플레이는 매출 9조6600억원, 영업이익 2조100억원을 기록했다. 디스플레이는 중소형 패널의 경우 주요 고객사 신제품에 적기 대응하고 하이엔드 제품 비중을 확대해 견조한 실적을 달성했다. 대형의 경우 경기부진으로 수요 약세가 지속됐으나 연말 성수기 TV 판매 증가로 매출이 증가하고 적자폭이 완화됐다. 한편, 삼성전자는 지난해 4분기 미래 성장을 위해 연구개발비에 7조5500억원을 투자했다고 밝혔다. 이는 분기 최대 규모다. 시설투자는 16조4000억원으로 분기 최대 규모의 투자를 집행한 2022년 4분기(20조2000억원)에 이어 두 번째로 많은 수치다.

2024.01.31 09:28이나리

인텔·대만 UMC 파운드리 동맹…삼성 고객 빼앗나

미국 인텔과 대만 UMC가 12나노미터(mn, 10억분의 1m) 공정에서 파운드리 협력에 나선다. 이번 협력은 파운드리 재진출을 선언한 인텔과 대만에서 파운드리 2위 업체인 UMC가 손잡는다는 점에서 업계의 주목을 받는다. 양사의 파운드리 협력이 삼성전자에 어떤 영향을 미칠지 관심이 쏠린다. 반도체 업계 전문가들은 삼성전자가 성숙(레거시) 공정보다는 7나노 이하의 첨단(어드밴스드) 공정에 주력하고 있기 때문에 인텔과 UMC의 협력이 파운드리 사업에 단기적으로 큰 영향을 받지 않을 것으로 평가했다. 다만, 삼성전자가 10나노대 공정에서도 파운드리 사업을 하고 있다는 점에서 장기적으로 인텔에 고객사를 빼앗길 가능성이 우려된다는 목소리도 나온다. 인텔과 UMC가 12나노 공정 외에도 협력을 확장할 가능성이 있기에 양사의 동맹을 계속 주목해야 한다는 의견이다. 인텔·UMC 12나노 파운드리 동맹…2027년부터 생산 인텔과 UMC는 지난 25일(현지시간) 12나노 공정 파운드리 협력을 발표했다. 인텔은 3차원 트랜지스터 구조 핀펫(FinFET) 공정 기술을 제공하고, UMC는 그동안 레거시 파운드리 공정에서 쌓은 설계자산(IP)과 PDK(공정개발킷)을 지원한다. 양사는 애리조나주 챈들러에 위치한 기존 인텔 팹22와 팹32에서 2027년부터 12나노 공정으로 반도체를 생산할 계획이다. 김형준 차세대지능형반도체 사업단장은 “인텔은 수익성이 높은 인텔20A(2나노급), 18A(1.8나노급) 등 초미세 공정 개발에 주력하고 있는데, UMC로부터 12나노 IP를 공급받게 되면서 파운드리 스펙트럼을 넓힐 수 있게 됐다”며 “UMC는 파운드리 노하우를 인텔에 제공하고, 인텔은 첨단 공정 기술을 제공해 상호 보완할 것으로 보인다”고 설명했다. 결과적으로 인텔은 이번 협력을 통해 IDM에서 파운드리 비즈니스 모델로 수월하게 전환하면서, 2나노 및 3나노와 같은 첨단 프로세스 개발에 더 집중할 수 있게 됐다. 그동안 22나노 및 28나노 공정에 주력했던 UMC는 과도한 투자비용 부담 없이 10나노대 공정에서 필수인 핀펫 기술을 확보할 수 있게 됐다. UMC는 2017년부터 14나노 공정을 개발해 왔지만 아직 대량 생산에 이르지 못했고, 12나노 공정은 아직 R&D 단계에 머무는 수준이었기 때문이다. 아울러 UMC는 인텔의 미국 팹을 공동으로 관리하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화할 것으로 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스는 “양사가 인텔의 기존 팹을 활용함으로써 생산 장비 재배치, 배관 설치 등에 대한 투자 비용을 80% 절감할 수 있게 됐다. UMC는 인텔의 파운드리 비즈니스 협상을 돕는 데 중요한 역할을 할 전망”이라며 “앞으로 이 파트너십이 순조롭게 진행된다면 인텔이 UMC와 추가로 1Xnm 핀펫 시설을 공동 관리하면서 잠재적으로 아일랜드의 팹24 및 오레곤의 D1B, D1C로 확장을 고려할 수도 있다”고 내다봤다. 삼성전자, 미세공정 파운드리에 주력...양사 동맹 예의주시 필요 삼성전자는 수익성이 높은 7나노 이하의 첨단 공정에 주력하고 있지만, 10나노대 공정에서도 파운드리 사업을 하고 있기에 인텔과 UMC의 협력에 경계심을 갖고 예의주시해야 한다는 의견이 나온다. 삼성전자 미국 오스틴 공장은 14∼65나노 공정을 기반으로 모바일 애플리케이션(AP), 솔리드스테이트드라이브(SSD) 컨트롤러, 디스플레이드라이버 IC(DDI), CMOS 이미지센서, RF 칩 등 IT용 반도체를 주로 생산하고 있다. 인텔이 2027년 12나노 공정에서 반도체를 생산을 시작하면, 삼성전자는 고객사 이탈에 대한 우려가 따를 수밖에 없다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)은 “삼성전자가 10나노대의 매출을 공개하고 있지 않아서 알 수는 없지만, 이 시장 또한 놓칠 수 없는 시장인 것은 분명하다”라며 “5나노 이하 공정이 부가가치가 높더라도 모든 칩이 2나노, 3나노 공정이 필요한 것은 아니며, 삼성이 2나노 3나노 공정에서 많은 수주를 한다는 보장이 없다. 인텔과 UMC의 협력의 영향은 정도의 문제일 뿐, 영향을 안 받는다고 볼 수는 없을 것”이라고 말했다. 유 부회장은 이어 “인텔이 2나노, 3나노 공정에 막대한 투자를 하면서 이번에 UMC와 협력한다는 것은 현금 흐름을 위해서 어느 정도 10나노대에서 사업을 일으켜 보겠다는 의도가 확실해 보인다”고 덧붙였다. 김형준 차세대지능형반도체 사업단장도 “삼성전자는 40나노 60나노에는 리소스가 한정돼 있어서 과감하게 포기하고 20나노 및 10나노 이하에 주력하고 있다. 현재 삼성전자의 파운드리 사업은 미세공정에 초점이 맞춰져 있지만, 10나노대 사업도 중요하기에 인텔을 신경써야 할 것”라며 “경쟁에서 누가 캐파를 많이 갖고, 수율을 높이느냐가 관건일 것”이라고 말했다. 반면, 양사의 협력이 삼성전자의 사업에 크게 영향을 주지 않을 것이라는 의견도 나온다. 황철성 서울대학교 전자재료공학 석좌교수는 “삼성전자는 선단 노드에서 TSMC와 경쟁하기에도 바쁘다. 레거시 노드는 삼성이 서포트할 수 없고 이윤이 많이 안남기 때문에 할 이유도 없다고 본다. TSMC가 레거시 노드까지 다 서비스하는 이유는 오래전부터 해온 사업이고, 팹을 놀리는 것보다 돌리는 것이 낫다고 판단하고 있기 때문일 것”이라고 설명했다. 이어 그는 “삼성전자 파운드리 사업은 전자 반도체 사업에 30%도 안 되고, 그 중에서 레거시 반도체 생산 비중은 매우 적다. 반면 인텔은 CPU 만들다가 파운드리로 전환하는 과정에서 TSMC와 경쟁하기 위해 다양한 포트폴리오를 갖추려고 하는 것”이라며 “그러다 보니 직접 12나노 공정 기술을 개발하는 것은 비용 부담이 돼, UMC와 협력한 것으로 보인다”고 말했다.

2024.01.30 17:14이나리

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